JP2000156517A - 化合物半導体薄膜の製造方法およびこれを用いた太陽電池 - Google Patents

化合物半導体薄膜の製造方法およびこれを用いた太陽電池

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JP2000156517A
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Takuya Sato
琢也 佐藤
Takayuki Negami
卓之 根上
Yasuhiro Hashimoto
泰宏 橋本
Shinichi Shimakawa
伸一 島川
Shigeo Hayashi
茂生 林
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板温度を長時間高温にすることなく良質な
化合物半導体薄膜を製造できる化合物半導体薄膜の製造
方法を提供する。 【解決手段】 基体１０上に、III族元素とVI族元素と
を供給することによって第１の薄膜１１を形成する第１
の工程と、ＣｕとVI族元素とを少なくとも含む元素を、
第１の薄膜１１上に供給することによって、基体１０上
に化合物半導体薄膜１２を形成する第２の工程とを含
む。第２の工程において、基体１０の温度は、６００℃
以下であり、前記第２の工程は、化合物半導体薄膜１２
中のＣｕの原子数が化合物半導体薄膜１２中のIII族元
素の原子数よりも多くなる前に終了する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化合物半導体薄膜
の製造方法およびこれを用いた太陽電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｃｕ(Ｉｎ，Ｇａ)Ｓｅ2を太陽電池の光
吸収層として用いた太陽電池によって高いエネルギー変
換効率を得るためには、大きなグレインでかつ表面がＣ
ｕリッチでない膜を作製する必要がある。その手段とし
て、３段階法がエム．コントレラス(Ｍ．Ｃｏｎｔｒｅ
ｒａｓ)等によって報告されている（プログレス イン
ホトボルタイックス(Ｐｒｏｇｒｅｓｓ ｉｎ Ｐｈｏ
ｔｏｖｏｌｔａｉｃｓ)２，(１９９４)，ｐ２８７）。
この３段階法では、まず、第１段階として５００℃以下
の基板温度でIII族元素であるＩｎおよびＧａとVI族元
素であるＳｅとを蒸着する。そして、第２段階として５
００℃以上の基板温度でＩ族元素であるＣｕとVI族元素
であるＳｅとを蒸着する。最後に、第３段階として、５
００℃以上の基板温度でIII族元素とVI族元素とを蒸着
することによって化合物半導体薄膜を形成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の技術では、第２段階以降の工程における基板温度を
５３０℃以上にしなければ良質な光吸収層が得られない
という問題があった。一般に、太陽電池を低コストに製
造するためには、基板にソーダライムガラス等の低コス
トなガラス基板を用いる必要があるが、５３０℃という
温度はソーダライムガラスの徐冷点に近い温度である。
そのため、上記従来の技術では、良質な光吸収層を形成
しようとすると、基板の変形が生じやすいという問題が
あった。基板が変形すると、その後の太陽電池製造工程
での基板の破損などの問題を生じ、特性や歩留まりが低
下する原因となる。
【０００４】上記問題を解決するため、本発明は、基板
温度を長時間高温にすることなく良質な化合物半導体薄
膜を製造できる化合物半導体薄膜の製造方法、およびこ
れを用いた太陽電池を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１の化合物半導体薄膜の製造方法は、Ｃ
ｕと、ＩｎおよびＧａから選ばれる少なくとも一つのII
I族元素と、VI族元素とを含む化合物半導体薄膜の製造
方法であって、前記III族元素と前記VI族元素とを含む
元素を基体上に供給することによって、前記基体上に第
１の薄膜を形成する第１の工程と、前記基体の温度が６
００℃以下の状態で、Ｃｕと前記VI族元素とを含む元素
を前記第１の薄膜上に供給することによって、前記化合
物半導体薄膜を形成する第２の工程とを含み、前記第２
の工程は、前記化合物半導体薄膜中のＣｕの原子数が前
記化合物半導体薄膜中の前記III族元素の原子数よりも
多くなる前に終了することを特徴とする。上記第１の製
造方法によれば、基板温度を長時間高温にすることなく
良質な化合物半導体薄膜を製造できる。特に、上記第１
の製造方法によれば、太陽電池に好適な化合物半導体薄
膜を製造できる。
【０００６】上記第１の製造方法では、前記第１の工程
において、前記基体の温度が２００℃以上４００℃以下
であることが好ましい。
【０００７】上記第１の製造方法では、前記第２の工程
における前記基体の温度が、前記第１の工程における前
記基体の温度以上の温度であることが好ましい。上記構
成によって、特に良質な化合物半導体薄膜が得られる。
【０００８】上記第１の製造方法では、前記第２の工程
ののち、前記化合物半導体薄膜を４００℃以上の温度で
熱処理する第３の工程をさらに含むことが好ましい。上
記構成によって、結晶粒のサイズが大きい化合物半導体
薄膜が得られる。
【０００９】上記第１の製造方法では、前記第３の工程
ののち、前記化合物半導体薄膜を４００℃未満になるま
で冷却しながら前記VI族元素を前記化合物半導体薄膜上
に供給する第４の工程を含むことが好ましい。上記構成
によって、化合物半導体薄膜を冷却する際に、VI族元素
が化合物半導体薄膜から蒸発することを防止でき、化合
物半導体薄膜の組成が変化することを防止できる。
【００１０】上記第１の製造方法では、前記第２の工程
ののち、前記化合物半導体薄膜上に前記VI族元素を供給
する第３の工程をさらに含むことが好ましい。さらにこ
の第３の工程において、前記基体の温度が４００℃以上
であることが好ましい。
【００１１】本発明の第２の化合物半導体薄膜の製造方
法は、Ｃｕと、ＩｎおよびＧａから選ばれる少なくとも
一つのIII族元素と、VI族元素とを含む化合物半導体薄
膜の製造方法であって、前記III族元素と前記VI族元素
とを基体上に供給することによって、前記基体上に第１
の薄膜を形成する第１の工程と、前記基体の温度が６０
０℃以下の状態で、Ｃｕと前記VI族元素とを少なくとも
含む元素を前記第１の薄膜上に供給することによって、
前記基体上に第２の薄膜を形成する第２の工程と、前記
第２の薄膜上に少なくとも前記VI族元素を供給すること
によって、前記基体上に前記化合物半導体薄膜を形成す
る第３の工程とを含むことを特徴とする。上記第２の製
造方法によれば、基板温度を長時間高温にすることなく
良質な化合物半導体薄膜を形成することができる。
【００１２】上記第２の製造方法では、前記第１の工程
において、前記基体の温度が２００℃以上４００℃以下
であることが好ましい。
【００１３】上記第２の製造方法では、前記第２の工程
において、前記基体の温度が２００℃以上であることが
好ましい。
【００１４】上記第２の製造方法では、前記第３の工程
において、前記基体の温度が４００℃以上であることが
好ましい。上記構成によって、結晶性のよい化合物半導
体薄膜が得られる。
【００１５】上記第２の製造方法では、前記第３の工程
ののち、前記化合物半導体薄膜の温度が４００℃未満に
なるまで、前記VI族元素の雰囲気下で前記化合物半導体
薄膜を冷却する第４の工程を含むことが好ましい。
【００１６】上記第２の製造方法では、前記第２の工程
の後、前記化合物半導体薄膜を４００℃以上の温度で熱
処理する工程を含み、前記第３の工程において、前記化
合物半導体薄膜の温度が４００℃未満になるまで前記化
合物半導体薄膜を冷却しながら前記VI族元素を前記化合
物半導体薄膜上に供給することが好ましい。
【００１７】本発明の太陽電池は、光吸収層を備える太
陽電池であって、前記光吸収層が、上記第１または第２
の化合物半導体薄膜の製造方法によって製造された化合
物半導体薄膜からなることを特徴とする。上記本発明の
太陽電池では、光吸収層が本発明の製造方法によって製
造されるため、特性および製造歩留まりが高い太陽電池
が得られる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
【００１９】（実施形態１）実施形態１では、本発明の
化合物半導体薄膜の製造方法について、一例を説明す
る。
【００２０】まず、本発明の製造方法（実施形態１また
は２の製造方法）によって製造される化合物半導体薄膜
について、説明する。本発明の製造方法によって製造さ
れる化合物半導体薄膜は、Ｉ族元素であるＣｕと、Ｉｎ
およびＧａから選ばれる少なくとも一つのIII族元素
と、VI族元素とを含む。ここで、VI族元素は、Ｓｅおよ
びＳから選ばれる少なくとも一つの元素であることが好
ましい。本発明の製造方法によって製造される化合物半
導体薄膜は、具体的には、たとえば、化学式Ｃｕ（Ｉ
ｎ，Ｇａ）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ3Ｓｅ5、ＣｕＩｎ5Ｓｅ8で
表される化合物半導体からなる薄膜や、これらのＳｅの
一部をＳで置換した薄膜である（ここで、ＩｎとＧａと
は固溶しており、この固溶率は、化合物半導体薄膜中で
一定でなくてもよい）。なお、太陽電池の光吸収層に用
いる化合物半導体薄膜の場合には、化合物半導体薄膜中
に含まれるＣｕの原子数が、化合物半導体薄膜中に含ま
れるIII族元素の原子数よりも少ないことが好ましい。
【００２１】次に、実施形態１の化合物半導体薄膜の製
造方法について説明する。
【００２２】実施形態１の製造方法では、まず、図１
（ａ）に示すように、基体１０上に、III族元素（Ｉｎ
およびＧａから選ばれる少なくとも一つの元素であり、
以下、同様である。）とVI族元素とを含む元素を供給す
ることによって第１の薄膜１１を形成する（第１の工
程）。元素の供給方法としては、たとえば、スパッタリ
ング法や蒸着法が挙げられる（以下において、同様であ
る）。基体１０は、ガラス、ポリイミド膜、ステンレス
板などの基板を少なくとも含み、さらにこれらにＭｏ電
極等が形成されていてもよい。第１の工程において、基
体１０の温度は、２００℃以上４００℃以下であること
が好ましい（なお、基体と、基体に含まれる基板と、基
体上に形成された薄膜の温度は、略等しい。以下、同様
である。）。
【００２３】その後、図１（ｂ）に示すように、Ｃｕと
VI族元素（ＳｅおよびＳから選ばれる少なくとも一つの
元素であり、以下、同様である。）とを少なくとも含む
元素（III族元素をさらに含んでもよい）を、第１の薄
膜１１上に供給することによって、基体１０上に化合物
半導体薄膜１２を形成する（第２の工程）。なお、第１
の薄膜１１上に供給された元素は、第１の薄膜１１内に
拡散し、略均一な組成の膜を形成する。
【００２４】上記第２の工程において、基体１０の温度
は、６００℃以下であり、特に２００℃以上４００℃以
下であることが好ましい。上記第２の工程は、化合物半
導体薄膜１２中のＣｕの原子数が、化合物半導体薄膜１
２中のIII族元素の原子数よりも多くなる前に終了す
る。すなわち、上記製造方法によって形成される化合物
半導体薄膜１２は、「化合物半導体薄膜１２中のＣｕの
原子数／化合物半導体薄膜１２中のIII族元素の原子
数」の値が１以下である。上記構成によって、太陽電池
の光吸収層に好適な化合物半導体薄膜が得られる。
【００２５】なお、上記第２の工程の後、化合物半導体
薄膜１２を４００℃以上８００℃以下の温度で熱処理す
る第３の工程をさらに含んでもよい。さらに、その後、
化合物半導体薄膜１２を４００℃未満（好ましくは３０
０℃以下）になるまで冷却しながらVI族元素を化合物半
導体薄膜１２上に供給する第４の工程を含んでもよい。
【００２６】また、上記第２の工程の後、化合物半導体
薄膜１２上にVI族元素を供給する第３の工程をさらに含
んでもよい。このとき、前記基体の温度が４００℃以上
であることが好ましい。さらに、その後、化合物半導体
薄膜１２を４００℃以上８００℃以下の温度で熱処理す
る工程を含んでもよい。
【００２７】なお、上記工程において、化合物半導体薄
膜１２を５００℃以上の温度で熱処理する場合でも、処
理時間が短時間であるため、基体１０が変形することは
ない。
【００２８】上記実施形態１の製造方法によれば、基板
を含む基体の温度を長時間高温にすることなく良質な化
合物半導体薄膜を製造することができる。したがって、
実施形態１の製造方法によれば、基体の変形等を防止で
きる。
【００２９】（実施形態２）実施形態２では、本発明の
化合物半導体薄膜の製造方法について、他の一例を説明
する。なお、実施形態１で説明した部分と同様の部分に
ついては、重複する説明を省略する。
【００３０】実施形態２の製造方法では、まず、図２
（ａ）に示すように、基体１０上に、III族元素（Ｉｎ
およびＧａから選ばれる少なくとも一つの元素であり、
以下、同様である。）とVI族元素とを含む元素を供給す
ることによって第１の薄膜２１を形成する（第１の工
程）。元素の供給方法としては、たとえば、スパッタリ
ング法や蒸着法が挙げられる（以下において、同様であ
る）。第１の工程において、基体１０の温度は、２００
℃以上４００℃以下であることが好ましい。
【００３１】その後、図２（ｂ）に示すように、Ｃｕと
VI族元素（ＳｅおよびＳから選ばれる少なくとも一つの
元素であり、以下、同様である。）とを少なくとも含む
元素（III族元素をさらに含んでもよい）を、第１の薄
膜２１上に供給することによって、第２の薄膜２２を形
成する（第２の工程）。第２の工程において、基体１０
の温度は６００℃以下であり、２００℃以上４５０℃以
下であることが特に好ましい。
【００３２】その後、図３（ｂ）に示すように、第２の
薄膜２２上に少なくともVI族元素を供給することによっ
て、基体１０上に化合物半導体薄膜２３を形成する（第
３の工程）。
【００３３】第３の工程は、様々な条件で行うことがで
きる。たとえば、第１の方法として、基体１０の温度が
４００℃以上８００℃以下の条件で行うことができる。
この場合には、第３の工程の後、化合物半導体薄膜２３
の温度が４００℃未満（好ましくは３００℃以下）にな
るまで、VI族元素の雰囲気下で化合物半導体薄膜２３を
冷却する第４の工程を含んでもよい。また、第２の方法
として、第２の工程の後、化合物半導体薄膜２３を４０
０℃以上８００℃以下で熱処理した後、第３の工程にお
いて、化合物半導体薄膜２３の温度が４００℃未満（好
ましくは３００℃以下）になるまで化合物半導体薄膜２
３を冷却しながらVI族元素を化合物半導体薄膜２３上に
供給してもよい。
【００３４】なお、上記工程において、基体１０あるい
は化合物半導体薄膜２３の温度を５００℃以上に上昇さ
せる場合があるが、この工程は、短時間で行うことがで
きるため、基体１０の変形を防止することができる。
【００３５】上記実施形態２の製造方法によれば、基体
温度（基板温度）を長時間高温にすることなく、特性が
よい化合物半導体薄膜を製造できる。
【００３６】（実施形態３）実施形態３では、本発明の
太陽電池について、一例を説明する。
【００３７】図３を参照して、実施形態３の太陽電池３
０は、基板３１と、基板３１上に順次積層された裏面電
極３２、ｐ型化合物半導体薄膜３３、バッファ層３４、
窓層３５および透明導電膜３６と、ｐ側電極３７と、ｎ
側電極３８とを含む。
【００３８】基板３１には、たとえば、ガラス基板、ポ
リイミド膜、ステンレス板などを用いることができる。
裏面電極３２には、たとえばＭｏ膜を用いることができ
る。裏面電極３２が形成された基板３１が、実施形態１
および２で説明した基体に相当する。ｐ型化合物半導体
薄膜３３は、実施形態１または２で説明した製造方法に
よって製造された化合物半導体薄膜であり、光吸収層と
して機能する。ｐ型化合物半導体薄膜３３は、Ｃｕ／II
I族比が１以下であることが好ましい。ｐ型化合物半導
体薄膜３３の膜厚は、０．２μｍ以上３μｍ以下である
ことが好ましい。バッファ層３４には、たとえばＺｎ
（Ｏ，ＯＨ，Ｓ）膜やＣｄＳ膜を用いることができる。
窓層３５には、たとえばＺｎＯ膜を用いることができ
る。透明導電膜３６には、たとえばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕ
ｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を用いることができる。ｐ側
電極３７およびｎ側電極３８には、たとえばＮｉＣｒ膜
とＡｕ膜とを積層した金属膜を用いることができる。
【００３９】実施形態３の太陽電池では、光吸収層であ
るｐ型化合物半導体薄膜３３を実施形態１または２で説
明した方法で製造するため、特性が高く、基板３１の変
形が少ない太陽電池が得られる。すなわち、実施形態３
の太陽電池によれば、特性および製造歩留まりが高い太
陽電池が得られる。
【００４０】なお、実施形態３で説明した太陽電池は一
例であり、本発明の化合物半導体薄膜の製造方法によっ
て製造された化合物半導体薄膜を光吸収層として含む太
陽電池であれば、他の構造はいかなる構造であってもよ
い。
【００４１】
【実施例】以下、実施例により、本発明をさらに具体的
に説明する。
【００４２】スパッタリング法でＭｏ裏面電極を１μｍ
の厚さに堆積させたガラス基板を、基板移動機構によっ
て１ｃｍ／ｍｉｎの速度で水平に移動させ、下部開口部
からＩｎ，Ｇａ，Ｓｅを電離真空計で圧力を制御しなが
ら基板温度３５０℃で蒸着し、第１の薄膜（厚さ、略１
μｍ）を形成した。このとき、各元素の圧力は、Ｓｅが
２×１０-5Ｔｏｒｒ、Ｉｎが８×１０-7Ｔｏｒｒ、Ｇａ
が３×１０-7Ｔｏｒｒであった。さらに基板温度を４５
０℃に上げ、ガラス基板を移動させながら、Ｓｅの圧力
が２×１０-5Ｔｏｒｒ、Ｃｕの圧力が３×１０-7Ｔｏｒ
ｒ、Ｇａの圧力が２×１０-7Ｔｏｒｒの条件で蒸着を行
い第２の薄膜（厚さ、略４μｍ）を形成した。第２の薄
膜形成後、基板温度を一旦６００℃に上げ、１分間保持
したのち、基板温度が３００℃に低下するまでＳｅを供
給し続けた。このようにして、化合物半導体薄膜である
Ｃｕ(Ｉｎ，Ｇａ)Ｓｅ2膜（厚さ、略４μｍ）を形成し
た。
【００４３】得られたＣｕ(Ｉｎ，Ｇａ)Ｓｅ2膜の組成
について、２次イオン質量分析法を用いて分析した結果
を、図４に示す。図４の横軸は、薄膜表面からの深さを
示し、縦軸は、検出された２次イオン数を示している。
図４から明らかなように、第２の薄膜形成後に、Ｓｅを
供給し続けたことにより、表面近傍の組成が一定の化合
物半導体薄膜が得られた。
【００４４】また、得られた化合物半導体薄膜に、Ｃｄ
Ｓバッファ層、ＺｎＯ窓層、透明電極層を作製し、図３
に示す太陽電池を作製した。一方、比較のため、従来の
３段階法（第１段階を基板温度３５０℃で行い、第２段
階および第３段階を基板温度５３０℃で行った）を用い
て作製した化合物半導体薄膜を光吸収層として、同様に
太陽電池を作製した。これらの太陽電池について、ＡＭ
１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2の疑似太陽光を用いて特性
を測定した結果を、表１に示す。
【００４５】
【表１】
【００４６】表１から明らかなとおり、本発明によれ
ば、従来の３段階法とほぼ同等の結果が得られた。さら
に、従来の３段階法を用いた場合には基板の変形が生じ
たのに対し、本発明の方法を用いた場合には、基板の変
形が生じなかった。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の化合物半
導体の製造方法によれば、基板温度を長時間高温にする
ことなく良質な化合物半導体薄膜を製造できる。
【００４８】また、本発明の太陽電池によれば、本発明
の化合物半導体薄膜の製造方法を用いて光吸収層を形成
するため、特性が高い太陽電池を歩留まりよく製造する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の化合物半導体薄膜の製造方法につい
て一例を示す工程図である。
【図２】 本発明の化合物半導体薄膜の製造方法につい
て他の一例を示す工程図である。
【図３】 本発明の太陽電池について一例を示す断面図
である。
【図４】 本発明の製造方法で製造した化合物半導体薄
膜について２次イオン質量分析の結果を示すグラフであ
る。
【符号の説明】
１０ 基体 １１、２１ 第１の薄膜 １２、２３ 化合物半導体薄膜 ２２ 第２の薄膜 ３０ 太陽電池 ３３ ｐ型化合物半導体薄膜（光吸収層）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 泰宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 島川 伸一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 林 茂生 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 Ｃｕと、ＩｎおよびＧａから選ばれる少
    なくとも一つのIII族元素と、VI族元素とを含む化合物
    半導体薄膜の製造方法であって、 前記III族元素と前記VI族元素とを含む元素を基体上に
    供給することによって、前記基体上に第１の薄膜を形成
    する第１の工程と、 前記基体の温度が６００℃以下の状態で、Ｃｕと前記VI
    族元素とを含む元素を前記第１の薄膜上に供給すること
    によって、前記化合物半導体薄膜を形成する第２の工程
    とを含み、 前記第２の工程は、前記化合物半導体薄膜中のＣｕの原
    子数が前記化合物半導体薄膜中の前記III族元素の原子
    数よりも多くなる前に終了することを特徴とする化合物
    半導体薄膜の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記第１の工程において、前記基体の温
    度が２００℃以上４００℃以下である請求項１に記載の
    化合物半導体薄膜の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記第２の工程における前記基体の温度
    が、前記第１の工程における前記基体の温度以上の温度
    である請求項２に記載の化合物半導体薄膜の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記第２の工程ののち、前記化合物半導
    体薄膜を４００℃以上の温度で熱処理する第３の工程を
    さらに含む請求項１ないし３のいずれかに記載の化合物
    半導体薄膜の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記第３の工程ののち、前記化合物半導
    体薄膜を４００℃未満になるまで冷却しながら前記VI族
    元素を前記化合物半導体薄膜上に供給する第４の工程を
    含む請求項４に記載の化合物半導体薄膜の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記第２の工程ののち、前記化合物半導
    体薄膜上に前記VI族元素を供給する第３の工程をさらに
    含む請求項１ないし３のいずれかに記載の化合物半導体
    薄膜の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記第３の工程において、前記基体の温
    度が４００℃以上である請求項６に記載の化合物半導体
    薄膜の製造方法。
  8. 【請求項８】 Ｃｕと、ＩｎおよびＧａから選ばれる少
    なくとも一つのIII族元素と、VI族元素とを含む化合物
    半導体薄膜の製造方法であって、 前記III族元素と前記VI族元素とを含む元素を基体上に
    供給することによって、前記基体上に第１の薄膜を形成
    する第１の工程と、 前記基体の温度が６００℃以下の状態で、Ｃｕと前記VI
    族元素とを少なくとも含む元素を前記第１の薄膜上に供
    給することによって、前記基体上に第２の薄膜を形成す
    る第２の工程と、 前記第２の薄膜上に少なくとも前記VI族元素を供給する
    ことによって、前記基体上に前記化合物半導体薄膜を形
    成する第３の工程とを含むことを特徴とする化合物半導
    体薄膜の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記第１の工程において、前記基体の温
    度が２００℃以上４００℃以下である請求項８に記載の
    化合物半導体薄膜の製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記第２の工程において、前記基体の
    温度が２００℃以上である請求項８に記載の化合物半導
    体薄膜の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記第３の工程において、前記基体の
    温度が４００℃以上である請求項８ないし１０のいずれ
    かに記載の化合物半導体薄膜の製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記第３の工程ののち、前記化合物半
    導体薄膜の温度が４００℃未満になるまで、前記VI族元
    素の雰囲気下で前記化合物半導体薄膜を冷却する第４の
    工程を含む請求項１１に記載の化合物半導体薄膜の製造
    方法。
  13. 【請求項１３】 前記第２の工程の後、前記化合物半導
    体薄膜を４００℃以上の温度で熱処理する工程を含み、 前記第３の工程において、前記化合物半導体薄膜の温度
    が４００℃未満になるまで前記化合物半導体薄膜を冷却
    しながら前記VI族元素を前記化合物半導体薄膜上に供給
    する請求項８ないし１０のいずれかに記載の化合物半導
    体薄膜の製造方法。
  14. 【請求項１４】 光吸収層を備える太陽電池であって、 前記光吸収層が、請求項１ないし１３のいずれかに記載
    の化合物半導体薄膜の製造方法によって製造された化合
    物半導体薄膜からなることを特徴とする太陽電池。
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