NL2007658C2 - Inrichting voor het verhitten van een substraat. - Google Patents

Inrichting voor het verhitten van een substraat. Download PDF

Info

Publication number
NL2007658C2
NL2007658C2 NL2007658A NL2007658A NL2007658C2 NL 2007658 C2 NL2007658 C2 NL 2007658C2 NL 2007658 A NL2007658 A NL 2007658A NL 2007658 A NL2007658 A NL 2007658A NL 2007658 C2 NL2007658 C2 NL 2007658C2
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
process chamber
flange
substrate
opening
housing
Prior art date
Application number
NL2007658A
Other languages
English (en)
Inventor
Gerard Kaper
Wiro Rudolf Zijlmans
Original Assignee
Smit Ovens Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Smit Ovens Bv filed Critical Smit Ovens Bv
Priority to NL2007658A priority Critical patent/NL2007658C2/nl
Priority to PCT/NL2012/050745 priority patent/WO2013062414A1/en
Priority to CN201280059925.2A priority patent/CN104011844B/zh
Priority to US14/354,730 priority patent/US10014433B2/en
Priority to EP12780877.2A priority patent/EP2771909B1/en
Priority to KR1020147014002A priority patent/KR102053471B1/ko
Priority to SG11201401758XA priority patent/SG11201401758XA/en
Priority to JP2014538745A priority patent/JP6202685B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of NL2007658C2 publication Critical patent/NL2007658C2/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1872—Recrystallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02568—Chalcogenide semiconducting materials not being oxides, e.g. ternary compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Furnace Details (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

Inrichting voor het verhitten van een substraat
De uitvinding heeft betrekking op een inrichting voor het verhitten van een substraat volgens een voorafbepaald temperatuursverloop voor het kristalliseren van een 5 materiaal op het substraat.
Een dergelijke inrichting is bekend uit US 5,578,503en wordt ook aangeduid als Rapid Thermal Processor (RTP).
De bekende inrichting wordt gebruikt voor het achtereenvolgens verhitten en afkoelen van een substraat volgens een bepaald temperatuursverloop bijvoorbeeld voor het 10 kristalliseren van een materiaal op het substraat. Een vooraf aangebrachte seleniumlaag wordt o.a. gebruikt voor het verkrijgen van een lichtabsorberende filmlaag welke koper( Cu), indium (I), gallium (Ga) en/of selenium (Se) omvat, die bijvoorbeeld gebruikt wordt om de foto-elektrische efficiency van zonnecellen te verbeteren. De bekende inrichting kan worden gebruikt om dit basismateriaal dat 15 bijvoorbeeld, koper, indium,gallium en/ of selenium omvat te kristalliseren in een gecontroleerd atmosfeer van metaaldamp De bekende inrichting kan meerdere proceskamers bevatten die ieder een bepaald temperatuursverloop opgelegd krijgen door deze proceskamers te verhitten door middel van verwarmingselementen.
De bekende inrichting kan tevens voorzien van een gasinlaat voor het in de behuizing 20 laten stromen van een inert gas, bijvoorbeeld stikstof (N2) voor het verkrijgen van een zuurstofarme omgeving. In een volgende proceskamer kan een volgende temperatuur zijn ingesteld overeenkomstig het te volgen temperatuurprofiel dat gewenst is om een rekristallatie uit te voeren.
Verder bevatten de proceskamers een gecontroleerde atmosfeer, van bijvoorbeeld 25 seleniumdamp, om de rekristallisatie bij een bepaalde faseovergang te doen plaatsvinden. De bekende inrichting is verder voorzien van transportmiddelen voor het transporteren van het substraat in en uit de proceskamer via respectievelijke de eerste en de tweede opening. Deze transportmiddelen kunnen een box omvatten welke het substraat bevat. In deze box kan een bepaalde omgeving van het substraat, van 30 bijvoorbeeld seleniumdamp bij een bepaalde druk of dampspanning eenvoudig gehandhaafd worden. Een probleem van de bekende inrichting is het controleren van de omgeving van het substraat in de proceskamer.
2
Het is een doel van de uitvinding om te voorzien in een inrichting waarin een verbeterde kristallisatie van het materiaal kan plaatsvinden.
5 Volgens een eerste aspect van de uitvinding wordt dit doel bereikt door een inrichting voor het verhitten van een substraat volgens een voorafbepaald temperatuursverloop voor het kristalliseren van een materiaal op het substraat omvattende een behuizing, ten minste een eerste proceskamer die zich binnen de behuizing bevinden, welke voorzien is van een eerste en tweede opening voor het doorvoeren van een substraat, een inlaat 10 voor het inlaten van het materiaal in een dampfase in de eerste proceskamer, ten minste twee transportrollen voor het transporten van het substraat in de eerste proceskamer, welke transportrollen draaibaar aan de behuizing zijn bevestigd en afdichtmiddelen voor het tegengaan van verlies van een materiaal in dampfase uit de proceskamer naar de behuizing. De afdichtmiddelen gaan het verlies tegen van het materiaal in de 15 dampfase van de proceskamer naar de behuizing. Deze damp kan weglekken via bijvoorbeeld de eerste en de tweede openingen of via een lagering van de transportrollen aan de behuizing. Door het tegengaan van verliezen kunnen de condities van de dampfase in de omgeving van het substraat beter beheerst worden, waardoor de rekristallisatie verbeterd wordt.Door toepassing van deze afdichtmiddelen wordt het 20 verder mogelijk om het substraat direct op de transportrollen te plaatsen. Omdat geen box meer aanwezig is, het substraat het gewenste temperatuursverloop beter kan volgen, omdat dan geen warmtecapaciteit van de box aanwezig is. Hierdoor worden de condities voor de rekristallisatie van het materiaal verder verbeterd.
Een verder voordeel is dat het verwerken van substraten vereenvoudigd kan worden 25 omdat de substraten niet meer in een box geplaatst behoeven te worden en rechtstreeks door de inrichting heen getransporteerd kunnen worden.
In een uitvoeringsvorm omvatten de afdichtmiddelen doorvoerkamers, welke zich nabij respectievelijke einden van de transportrollen in de eerste proceskamer bevinden, waarin de respectievelijke doorvoerkamers zijn voorzien van een eerste 30 doorvoeropening aan een binnenwand van de eerste proceskamer, een tweede doorvoeropening aan een buitenwand van de eerste proceskamer en een flens, welke vast aan de transportrol is bevestigd voor het tegengaan van verlies van het materiaal in de dampfase via de doorvoerkamers. Door het aanbrengen van de flens in de 3 doorvoerkamer, waarbij bijvoorbeeld de flens in axiale richting tegen één of beide binnenwanden gedrukt wordt, kan het weglekken van de damp van het aan te brengen materiaal via de doorvoer naar de ruimte tussen de proceskamer en de behuizing worden tegengegaan.
5 In een verdere uitvoeringsvorm van de inrichting omvatten de respectievelijke doorvoerkamers een tweede flens, die naast de eerste flens vast aan de transportrol is bevestigd, waarbij de eerste flens zich nabij de eerste doorvoeropening bevindt en de tweede flens zich nabij de tweede doorvoeropening bevindt. Door het gebruik van een tweede flens kunnen de zijkanten van de flens ten opzichte van de binnenwanden van 10 de doorvoerkamer onafhankelijk van elkaar worden ingesteld en kan een speling tussen de binnenwand van de doorvoerkamer en de flenzen op een eenvoudige manier worden opgevangen en een verbeterde afdichting worden verkregen..
In een verdere uitvoeringsvorm van een inrichting omvat de inrichting een veerelement welke tussen de eerste en de tweede flens is aangebracht voor het 15 uitoefenen van een eerste kracht door een axiale gerichte zijkant van de eerste flens op een deel van de doorvoerkamer rond de eerste doorvoeropening en een tweede kracht door een axiale gerichte zijkant van de tweede flens op een deel van de doorvoerkamer rond de tweede doorvoeropening. Door dit veerelement wordt een kracht uitgeoefend van respectievelijke de eerste en de tweede flens op de zijwanden van de 20 doorvoerkamer en wordt een effectieve afdichting van de doorvoer bereikt.
In een verdere uitvoeringsvorm van de inrichting omvat het veerelement een ring, die tussen de eerste en de tweede flens is aangebracht.
In een verdere uitvoeringsvorm van de inrichting zijn tegenover elkaar liggende zijden van de eerste en de tweede flens voorzien van radiaal gerichte ribben, waarbij 25 ingesloten hoeken a, welke gevormd worden door twee aanliggende ribben van respectievelijk de eerste flens en de tweede flens, aan elkaar gelijk zijn. Het aantal ribben op de eerste en de tweede flens kan bijvoorbeeld drie zijn. Door het gebruik van deze drie ribben op de eerste en de tweede flens kan de spanning van de veerring ingesteld worden. De ingesloten hoek is in dit geval 120 graden.
30 In een verdere uitvoeringsvorm van de inrichting is de eerste flens ten opzichte van de tweede flens zodanig gepositioneerd, dat de ribben van de eerste flens ten opzichte van ribben van de tweede flens zijn geroteerd over een vaste hoek p om de langsas van de transportrol, welke vaste hoek P gelijk is aan de helft van de ingesloten 4 hoek. Door de ribben van de eerste flens in het midden tussen de ribben van de tweede flens te positioneren kan de spanning van de veer op een effectieve wijze worden ingesteld. Indien gebruikt gemaakt wordt van de drie ribben op respectievelijk de eerste en tweede flens bedraagt de vaste hoek p om de langsas van de transportrol waarop de 5 eerste flens ten opzichte van de tweede flens is gepositioneerd ongeveerd 60 graden.
In een verdere uitvoeringsvorm omvat de ring koolstofhoudend materiaal, in het bijzonder, koolstofvezel versterkt koolstof ( Carbon Fiber reenforced Carbon). Dit koolstofvezel verstrekt koolstof is een hittebestendig materiaal met een voldoende sterkte.
10 In een verdere uitvoeringsvorm van de inrichting omvatten de respectievelijke eerste flens en de tweede flens grafiet, borosilicaat of fused silica. Grafiet, borosilicaat en fused silica zijn hittebestendig materialen met een voldoende grote stijfheid.
In een verdere uitvoeringsvorm van de inrichting is de buitenwand van de eerste proceskamer voorzien van een losneembaar deel rond de transportrol. Door het 15 losneembaar maken van een deel van de buitenwand van de eerste proceskamer kan op een eenvoudige manier de transportrol in de eerste proceskamer bevestigd worden.
Een andere uitvoeringsvorm van de inrichting is voorzien van een aandrijfinrichting die gekoppeld is met de transportrollen voor het roteren van de transportrollen. Hiermee kan het substraat in en uit de eerste proceskamer worden 20 getransporteerd.
In een verdere uitvoeringsvorm van de inrichting is de aandrijfinrichting ingericht voor het roteren van de transportrollen voor het verkrijgen van een oscillerende beweging van het substraat in de eerste proceskamer. Door de oscillerende beweging van het substraat over de transportrollen wordt de warmteoverdracht via het 25 contact tussen het substraat en de transportrollen over het substraat gespreid.
In een andere uitvoeringsvorm van de inrichting omvatten de afdichtmiddelen eerste proceskamerdeuren voor het afsluiten van de respectievelijke eerste en tweede opening van de eerste proceskamer. Door het toepassen van de proceskamerdeuren in plaats van de gebruikelijke stikstofgasgordijnen wordt een effectieve afdichting van de 30 proceskamers bereikt, waar lekkage van de seleniumdamp naar de ruimte tussen de eerste proceskamer en de behuizing verder wordt tegengegaan. De proceskamer deuren kunnen eveneens van grafiet,borosilicaat, fused silica zijn vervaardigd.
In een andere uitvoeringsvorm is de inrichting voorzien van een tweede 5 proceskamer, die zich binnen de behuizing bevindt, waarbij de tweede proceskamer is voorzien van een eerste opening en een tweede opening voor het doorvoeren van het substraat. Door het opstellen van twee proceskamers in een enkele behuizing kan op een simpele manier het substraat van de eerste proceskamer naar de tweede 5 proceskamer worden getransporteerd en kan een gewenst temperatuursverloop van het substraat snel gevolgd worden. De atmosfeer van de seleniumdamp in de tweede proceskamer kan verschillend zijn dan die van de eerste proceskamer.
In een verdere uitvoeringsvorm omvattende afdichtmiddelen twee verdere proceskamerdeuren voor het afsluiten van de respectievelijke eerste en tweede 10 openingen van de tweede proceskamer.
Een verdere uitvoeringsvorm van de inrichting is voorzien van actuatoren voor het openen en sluiten van de respectievelijke de eerste proceskamerdeuren en de verdere proceskamerdeuren. Door het gebruik van actuatoren kan het openen en sluiten van de proceskamer deuren geautomatiseerd worden.
15 Een verdere uitvoeringsvorm van de inrichting omvat een besturingsinrichting voor het aansturen van de actuatoren, waarin de besturinginrichting is ingericht voor het openen en sluiten van de eerste en de tweede openingen van de eerste en de tweede proceskamer voor het doorvoeren van het substraat van de eerste naar de tweede proceskamer.
20 Alhoewel de uitvinding beschreven zal worden aan de hand van een aantal voorkeursuitvoeringsvormen, is de uitvinding daartoe niet beperkt. De te bespreken uitvoeringsvormen zijn slechts voorbeelden van mogelijke interpretaties van de uitvinding en het zal de vakman duidelijk zijn dat de voordelen van de uitvinding ook op andere wijze kunnen worden bereikt.
25
De uitvinding zal verder worden beschreven aan de hand van de bij gevoegde tekeningen, waarin:
Fig. 1 toont diagrammatisch een inrichting voor het verhitten van een substraat,
Fig. 2 toont schematisch een doorsnede van een detail van de proceskamer en een 30 doorvoer voor een transportrol,
Fig. 3 toont schematisch een aanzicht van een zijkant van een eerste flens,
Fig. 4 toont schematisch een doorsnede van een samenstel van de eerste flens en de tweede flens en een veer, 6
Fig. 5 toont schematisch een bovenaanzicht van een proceskamer en Fig. 6 toont schematisch zijaanzicht van een proceskamer.
In de figuren komen gelijke verwijzingscijfers overeen met identieke onderdelen.
5 Fig. 1 toont een inrichting 1 voor het verhitten van een substraat volgens een voorafbepaald temperatuursverloop voor het kristalliseren van een materiaal op het substraat. Een dergelijke inrichting 1 wordt ook aangeduid als Rapid Thermal Processor (RTP) en wordt bijvoorbeeld gebruikt voor het fabriceren van een aantal fotovoltaische zonnecellen uit een substraat. Het substraat kan bijvoorbeeld glas of 10 boorsilicaat bevatten met een afmeting van bijvoorbeeld 60 x 40 cm, 120x 60 cm,of 110 xl40 cm. De inrichting 1 omvat een behuizing 2 van gelaagd materiaal bijvoorbeeld een stapeling van plaatstaal, een hittebestendig isolatiemateriaal bijvoorbeeld steenwol, en een grafietlaag. De inrichting omvat verder een aantal,bijvoorbeeld drie, proceskamers 3,4,5, die zich allen binnen de behuizing 2 15 bevinden. De proceskamers zijn voorzien van een respectievelijke eerste 6,8,10 en tweede 7,9,11 openingen voor het doorvoeren van het substraat 12 in de inrichting via respectievelijke de eerste en de tweede openingen van de proceskamers. De proceskamers 3,4,5 kunnen vervaardigd zijn van grafiet, borosilicaat of fused silica. Verder kan de inrichting voorzien zijn van een inlaatpoort 13 en uitlaatpoort 14 20 waartussen de proceskamers 3,4,5 zijn geplaatst. De inlaatpoort en uitlaatpoort zijn voorzien van deuren voor het in en uitlaten van de substraten 12. De inlaatpoort en de uitlaatpoort kunnen eveneens uit grafiet,borosilicaat of fused silica vervaardigd zijn.
De proceskamers 3,4,5 kunnen verder zijn voorzien van elektrische verhittingselementen, bijvoorbeeld kwartselementen 15, voor het aanbrengen van een 25 gewenste temperatuurprofiel in de proceskamers. Het temperatuurbereik binnen het profiel kan daarbij ingesteld worden in een gebied van bijvoorbeeld 300 tot 550 “Celsius. De inrichting kan verder voorzien zijn van respectievelijke verdampers 16 die gekoppeld zijn met de respectievelijke proceskamers via respectievelijke inlaten 17.
De verdampers 16 zijn ingericht voor het smelten en verdampen van een op het 30 substraat aan te brengen materiaal, bijvoorbeeld selenium, en kunnen voorzien zijn van elektrische verhittingselementen voor het verhitten van het seleniummateriaal tot boven de smelttemperatuur van het selenium. De inrichting 1 kan tevens voorzien zijn van een gasinlaat 18 voor het in de behuizing laten stromen van een inert gas, bijvoorbeeld 7 stikstof (N2) voor het verkrijgen van een zuurstofarme omgeving binnen de behuizing 2 waardoor verbranding van het grafïetmateriaal van bijvoorbeeld de wanden van de proceskamers 3,4,5 wordt voorkomen.
Verder kan de inrichting voorzien zijn van een vacuümpomp 19 voor het aanbrengen 5 van een vacuüm binnen de behuizing 2. De druk binnen de inrichting kan in een gebied tussen 0,001 en 1000 mBar worden ingesteld.
Door het temperatuursverloop van het substraat en de gecontroleerde dampdruk van de seleniumdamp kan de rekristallisatie bij een gewenste faseovergang plaatsvinden.
De inrichting kan voorzien zijn van transportrollen 15 voor het verplaatsen van 10 het substraat van de inlaatpoort 13 naar de uitlaatpoort 14 via de respectievelijke eerste 6,8,10 en tweede openingen 7,9,11 in de achtereenvolgende proceskamers 3,4,5. De transportrollen 15 kunnen zijn vervaardigd van fused silica en hebben bijvoorbeeld een lengte van 80 cm en een diameter van 100 mm. De opbouw van de proceskamers 3,4 en 5 zijn identiek.
15 Voor het transport van de substraten 12 binnen de proceskamers 3,4,5 kunnen de transportrollen draaibaar aan de behuizing zijn bevestigd.
Voor het tegengaan van verliezen van de seleniumdamp uit de proceskamer naar een omgeving tussen de proceskamer en de behuizing, omvat de inrichting afdichtmiddelen. In een uitvoeringsvorm omvatten deze afdichtmiddelen 20 doorvoerkamers 20 die nabij respectievelijke einden van de transportrollen 15 in de wanden van de proceskamers zijn aangebracht.
Fig. 2 toont een schematisch een doorsnede van een detail van proceskamer met daarin de doorvoerkamer 20. De doorvoerkamer 20 kan voorzien zijn van eerste doorvoeropening 21 aan een binnenwand 23 van de proceskamer 3, een tweede 25 doorvoeropening 22 aan een buitenwand 24 van de proceskamer en een eerste 25 en een tweede 26 flens, welke vast aan de transportrol 15 zijn bevestigd voor het tegengaan van verlies van het materiaal in de dampfase via de doorvoerkamer. De tweede flens 26 kan naast de eerste flens 25 vast aan de transportrol zijn bevestigd, waarbij de eerste flens 25 zich nabij de eerste doorvoeropening 21 bevindt en de 30 tweede flens 26 zich nabij de tweede doorvoeropening 22 bevindt. De eerste en de tweede flenzen 25,26 kunnen van grafiet,borosilicaat of fused silica vervaardigd zijn. Verder kunnen de tegenover elkaar liggende zijden van de eerste en de tweede flens zijn voorzien van, bijvoorbeeld drie, radiaal gerichte ribben. Fig. 3 toont een aanzicht 8 van een zijkant van de eerste flens 25, en de drie daarop aangebrachte ribben 27,28,29. Verder is in Fig. 3 de projectie van de drie ribben 27’,28’,29’ van de tweede flens 26 op de eerste flens aangegeven., waarbij ingesloten hoeken a gevormd door twee aanliggende ribben van respectievelijk de eerste flens en de tweede flens aan elkaar 5 gelijk zijn en kan de eerste flens ten opzichte van de tweede flens zodanig gepositioneerd zijn dat de drie ribben van de eerste flens ten opzichte van de drie ribben van de tweede flens zijn geroteerd over een vaste hoek p om de langsas van de transportrol, welke vaste hoek gelijk is aan de helft van de ingesloten hoek. In het geval van 3 ribben per flens is deze vaste hoek 60 graden.
10 Fig. 3 toont een aanzicht van een zijkant van een flens 25, en de drie daarop aangebrachte ribben 27,28,29. Verder is in Fig. 3 de projectie van de drie ribben 27’,28’,29’ van de tweede flens 26 op de eerste flens aangegeven.
De doorvoerkamer kan verder een ringvormig veerelement 30 omvatten welke tussen de eerste en de tweede flens 25,26 is aangebracht voor het uitoefenen van een eerste 15 kracht door een axiale gerichte zijkant van de eerste flens 25 op een deel van de doorvoerkamer rond de eerste doorvoeropening 21 en een tweede kracht door een axiale gerichte zijkant van de tweede flens 26 op een deel van de doorvoerkamer rond de tweede doorvoeropening. Het ringvormig element 30 kan vervaardigd zijn van koolstof vezel versterkt koolstof ( Carbon Fiber reenforceerd Fiber).
20 Fig. 4 toont een doorsnede van een samenstel van de eerste en de tweede flens 25,26 met de ring 30 door de ribben 28,29 van de eerste flens 25 en de rib 28’ van de tweede flens 26. Doordat de ring 30 wordt geklemd door de opeenvolgende ribben 27,28,29 van respectievelijke de eerste en de opeenvolgende ribben 27’,28’,29’ van de tweede flens kan de ring 30 onder een voorspanning worden gezet voor het uitoefenen 25 van de eerste kracht door een axiale gerichte zijkant van de eerste flens 25 op een deel van de doorvoerkamer rond de eerste doorvoeropening en de tweede kracht door een axiale gerichte zijkant van de tweede flens op een deel van de doorvoerkamer rond de tweede doorvoeropening. Hierdoor wordt een afdichting van de doorvoer bereikt die lekkage van het verdampte materiaal door de doorvoer tegengaat.
30 Eventueel kunnen meerdere ringen 30 worden aangebracht voor het vergroten van de voorspanning.
In radiale richting van de eerste en de tweede flens 25,26 kan een speling 31 aanwezig zijn tussen de rand van de flens 25,26 en de wand van de doorvoerkamer 20 voor het 9 opvangen van uitzettingsverschillen tussen de materiaal van de flenzen 25,26 en het materiaal van de wanden van de proceskamer ten gevolge van het opwarmen of afkoelen van de inrichting.
Voor het monteren van de transportrollen 15 in de proceskamer 3 kan de buitenwand 5 24 van de doorvoerkamer zijn voorzien van een losneembaar deel 32 rond de transportrol 15. De transportrollen 15 kunnen verder voorzien van in radiale richting gerichte ribben 34 voor het verkleinen van de warmtegeleiding tussen het substraat 3 en de transportrollen 15 voor het verkrijgen van een meer uniforme temperatuursverdeling op het substraat.
10 In een uitvoeringsvorm omvatten de afdichtmiddelen proceskamerdeuren voor het afsluiten van respectievelijke de eerste en de tweede openingen van de proceskamer waardoor het weglekken van seleniumdamp uit de proceskamer wordt tegengegaan.
Fig. 5 toont een bovenaanzicht van een proceskamer 3, waarbij de proceskamer is voorzien van een eerste proceskamerdeur 31 voor het afsluiten van de eerste opening 15 6 van de proceskamer 3 en een tweede proceskamerdeur 32 voor het afsluiten van de tweede opening 7 van de eerste proceskamer 3 en actuatoren 33 voor het openen en sluiten van de respectievelijke proceskamerdeuren. De proceskamerdeuren 31,33 kunnen eveneens van grafiet, borosilicaat of fused silica zijn ververvaardigd.
Fig. 6 toont een zijaanzicht van een proceskamer 3 met de proceskamerdeur 31 20 en de opening 6 van de proceskamer 3. Verder toont Fig. 6 de actuator 33 voor het openen en sluiten van de proceskamer deur 31. Verder kan de inrichting voorzien zijn van een besturingsinrichting die elektrisch gekoppeld is met de actuatoren voor het aansturen van de actuatoren, waarin de besturinginrichting is ingericht voor het openen en sluiten van de eerste en de tweede openingen van de proceskamers voor het 25 doorvoeren van het substraat van een eerste naar een tweede proceskamer.
De inrichting 1 kan verder zijn voorzien van een aandrijfinrichting 34, die is gekoppeld met de transportrollen 15 voor het roteren van de transportrollen voor het transporteren van het substraat 12. Verder toont Fig. 6 het substraat 12, de transportrollen 15 en de aandrijfinrichting 34. De aandrijfinrichting 34 kan zijn ingericht voor het transport van 30 het substraat van de inlaatpoort 13 naar de uitlaatpoort 14, via de proceskamers 3,4,6. De maximale transportsnelheid is hierbij in het gebied tussen de 50 en 100 mm/s.
De aandrijfinrichting 34 kan verder zijn ingericht voor het uitvoeren van een oscillerende beweging of een horizontale heen en weer gaande beweging van het 10 substraat 12 binnen een proceskamers 3,4,5. De maximale horizontale beweging van het substraat 12 ligt in het gebied tussen de 50 en 100 mm. De periode van deze oscillerende beweging ligt in het gebied tussen 10 en 20 sec. Hierdoor wordt een meer uniforme temperatuursverdeling op het substraat 12 bereikt en wordt het doorzakken 5 van het substraat 12 voorkomen.
De onderhavige uitvinding is niet beperkt tot de hierin beschreven voorkeursuitvoeringsvormen daarvan. De gevraagde rechten worden veeleer bepaald door de navolgende conclusies, binnen de strekking waarvan velerlei modificaties denkbaar zijn.
10

Claims (17)

1. Inrichting (1) voor het verhitten van een substraat (12) volgens een voorafbepaald temperatuursverloop voor het kristalliseren van een materiaal op het substraat omvattende -een behuizing (2), -ten minste een eerste proceskamer (3,4,5) die zich binnen de behuizing (2) bevindt, 10 welke voorzien is van -een eerste en tweede opening (6,7 8,9; 10,1 l)voor het doorvoeren van een substraat (12), -een inlaat (17) voor het inlaten van het materiaal in een dampfase in de eerste proceskamer (13,14,15), 15 -ten minste twee transportrollen (15 ) voor het transporten van het substraat (12) in de eerste proceskamer (3), welke transportrollen draaibaar aan de behuizing (2) zijn bevestigd, en afdichtmiddelen (20;25,26;31,32)voor het tegengaan van verlies van het materiaal in de dampfase uit de proceskamer naar de behuizing. 20
2. Inrichting volgens conclusie 1 waarin de afdichtmiddelen doorvoerkamers omvatten, welke zich nabij respectievelijke einden van de transportrollen (15) in de eerste proceskamer (3) bevinden, waarin de respectievelijke doorvoerkamers (20) zijn voorzien van eerste doorvoeropening (21) aan een binnenwand (23) van de 25 eerste proceskamer (3), een tweede doorvoeropening (22) aan een buitenwand (24) van de eerste proceskamer (3) en een flens (25), welke vast aan de transportrol (15) is bevestigd. 1 Inrichting volgens conclusie 2, waarin de respectievelijke doorvoerkamers (20) een 30 tweede flens (26) omvatten die naast de eerste flens (25) vast aan de transportrol (15) is bevestigd, waarbij de eerste flens (25) zich nabij de eerste doorvoeropening (23) bevindt en de tweede flens (26) zich nabij de tweede doorvoeropening (22) bevindt.
4. Inrichting volgens conclusie 3, waarin de inrichting een veerelement (30) omvat welke tussen de eerste en de tweede flens (25,26) is aangebracht voor het 5 uitoefenen van een eerste kracht door een axiale gerichte zijkant van de eerste flens (25) op een deel van de doorvoerkamer rond de eerste doorvoeropening (21) en een tweede kracht door een axiale gerichte zijkant van de tweede flens (26) op een deel van de doorvoerkamer rond de tweede doorvoeropening (22).
5. Inrichting volgens een van de conclusies 3 of 4, waarin het veerelement een ring omvat die tussen de eerste en de tweede flens is aangebracht.
6. Inrichting volgens conclusie 5, waarin tegenover elkaar liggende zijden van de eerste en de tweede flens (25,26) zijn voorzien van radiaal gerichte ribben 15 27,28,29;27’28’29’), waarbij ingesloten hoeken a gevormd door twee aanliggende ribben van respectievelijk de eerste flens (25) en de tweede flens (26) aan elkaar gelijk zijn.
7. Inrichting volgens conclusie 6, waarin de eerste flens (25) ten opzichte van de 20 tweede flens (26) zodanig is gepositioneerd dat de ribben (26,27,28) van de eerste flens ten opzichte van ribben (26’, 27’, 28’) van de tweede flens (26) zijn geroteerd over een vaste hoek p om de langsas van de transportrol (15), welke vaste hoek gelijk is aan de helft van de ingesloten hoek a.
8. Inrichting volgens conclusie 4 ,56 of 7, waarin het veerelement (30) koolstofhoudend materiaal omvat, in het bijzonder, koolstofvezel versterkt koolstof.
9. Inrichting volgens een van de conclusies 3-8, waarin de respectievelijke eerste flens en de tweede flens (25,26) grafiet, fused silica, of borosilicaat omvatten. 30
10. Inrichting volgens een van de conclusies 2-9, waarin de buitenwand van de doorvoerkamer(20) voorzien is van een losneembaar deel 32 rond de transportrol.
11. Inrichting volgens één van de voorgaande conclusies, waarin de inrichting verder is voorzien van een aandrijfinrichting (34) die gekoppeld is met de transportrollen (15) voor het roteren van de transportrollen.
12. Inrichting volgens conclusie 11, waarin de aandrijfinrichting (34) is ingericht voor het roteren van de transportrollen (15) voor het verkrijgen van een oscillerende beweging van het substraat in de eerste proceskamer.
13. Inrichting volgens conclusie 1, waarin de afdichtmiddelen eerste 10 proceskamerdeuren (31,32) omvatten voor het afsluiten van de respectievelijke eerste en tweede opening (6,7) van de eerste proceskamer (3).
14. Inrichting volgens conclusie 13 waarin de eerste proceskamerdeuren grafiet, borosilicaat of fused silica omvatten. 15
15. Inrichting volgens conclusie 13 of 14, waarin de inrichting voorzien is van een tweede proceskamer (4), die zich binnen de behuizing (2) bevindt, waarbij de tweede proceskamer is voorzien van een eerste opening (8) en een tweede opening (9) voor het doorvoeren van het substraat (12). 20
16. Inrichting volgens conclusie 15, waarin de afdichtmiddelen twee verdere proceskamerdeuren (31,32) omvatten voor het afsluiten van de respectievelijke eerste en tweede openingen van de tweede proceskamer (4).
17. Inrichting volgens conclusie 16, waarin de inrichting is voorzien van actuatoren (33) voor het openen en sluiten van de respectievelijke de eerste proceskamerdeuren (31,32) en de tweede proceskamerdeuren (31,32).
18. Inrichting volgens conclusie 17, waarin de inrichting een besturingsinrichting 30 omvat voor het aansturen van de actuatoren (33), waarin de besturinginrichting is ingericht voor openen en sluiten van de eerste en de tweede openingen (6,7;8,9) van de eerste en de tweede proceskamer (3,4) voor het doorvoeren van het substraat (12) van de eerste naar de tweede proceskamer.
NL2007658A 2011-10-26 2011-10-26 Inrichting voor het verhitten van een substraat. NL2007658C2 (nl)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL2007658A NL2007658C2 (nl) 2011-10-26 2011-10-26 Inrichting voor het verhitten van een substraat.
PCT/NL2012/050745 WO2013062414A1 (en) 2011-10-26 2012-10-25 Device for heating a substrate
CN201280059925.2A CN104011844B (zh) 2011-10-26 2012-10-25 用于加热衬底的装置
US14/354,730 US10014433B2 (en) 2011-10-26 2012-10-25 Device for heating a substrate
EP12780877.2A EP2771909B1 (en) 2011-10-26 2012-10-25 Device for heating a substrate
KR1020147014002A KR102053471B1 (ko) 2011-10-26 2012-10-25 기판 가열 장치
SG11201401758XA SG11201401758XA (en) 2011-10-26 2012-10-25 Device for heating a substrate
JP2014538745A JP6202685B2 (ja) 2011-10-26 2012-10-25 基板加熱装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL2007658A NL2007658C2 (nl) 2011-10-26 2011-10-26 Inrichting voor het verhitten van een substraat.
NL2007658 2011-10-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL2007658C2 true NL2007658C2 (nl) 2013-05-01

Family

ID=47116238

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL2007658A NL2007658C2 (nl) 2011-10-26 2011-10-26 Inrichting voor het verhitten van een substraat.

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10014433B2 (nl)
EP (1) EP2771909B1 (nl)
JP (1) JP6202685B2 (nl)
KR (1) KR102053471B1 (nl)
CN (1) CN104011844B (nl)
NL (1) NL2007658C2 (nl)
SG (1) SG11201401758XA (nl)
WO (1) WO2013062414A1 (nl)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150118012A1 (en) * 2013-10-31 2015-04-30 Lam Research Corporation Wafer entry port with gas concentration attenuators
JP6316920B1 (ja) * 2016-12-07 2018-04-25 國家中山科學研究院 ガラス基板のセレン化及び硫化工程に用いる設備
KR101933612B1 (ko) * 2018-10-22 2019-03-15 (주)부영이엔지 친환경 변전소의 무인 관리시스템

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2863680A (en) * 1955-08-17 1958-12-09 Nat Lead Co Mechanical seal for pumps
GB1558425A (en) * 1978-01-13 1980-01-03 Bestobell Seals Ltd Sealing ring assemblies
US4809992A (en) * 1987-11-23 1989-03-07 Woodex Bearing Company, Inc. Rotary shaft seal assembly
WO2000003422A2 (en) * 1998-07-13 2000-01-20 Applied Komatsu Technology, Inc. Gas flow control in a substrate processing system
US20040083970A1 (en) * 2000-10-02 2004-05-06 Kosuke Imafuku Vacuum processing device
WO2011018226A1 (de) * 2009-08-14 2011-02-17 Leybold Optics Gmbh Vorrichtung und behandlungskammer zur thermischen behandlung von substraten

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1025384A (en) * 1962-04-25 1966-04-06 Nat Res Dev Improvements in or relating to seals
FR1355976A (fr) * 1962-04-25 1964-03-20 Nat Res Dev Dispositifs perfectionnés de joint étanche aux fluides, notamment pour un axe ou arbre animé d'un mouvement
GB1513547A (en) * 1975-05-16 1978-06-07 Nixon I Joint or seal or use in high temperature systems
US3988026A (en) * 1976-02-27 1976-10-26 Kemp Jr Dennis E Self-compensating rotary seal member
US4193756A (en) * 1978-03-08 1980-03-18 Tosco Corporation Seal assembly and method for providing a seal in a rotary kiln
DE3006114C2 (de) * 1980-02-19 1987-05-07 Ludwig Riedhammer GmbH & Co KG, 8500 Nürnberg Rollenherdofen für keramisches Brenngut
US5551670A (en) * 1990-10-16 1996-09-03 Bgk Finishing Systems, Inc. High intensity infrared heat treating apparatus
US5578503A (en) 1992-09-22 1996-11-26 Siemens Aktiengesellschaft Rapid process for producing a chalcopyrite semiconductor on a substrate
US5468002A (en) * 1993-10-25 1995-11-21 John Crane Inc. Mechanical end face seal having an improved mating ring
JP3335269B2 (ja) * 1995-10-31 2002-10-15 株式会社ニフコ ローラ及び該ローラの製造方法
JP3783366B2 (ja) * 1997-10-09 2006-06-07 松下電器産業株式会社 焼成炉
US6156167A (en) * 1997-11-13 2000-12-05 Novellus Systems, Inc. Clamshell apparatus for electrochemically treating semiconductor wafers
US6423565B1 (en) * 2000-05-30 2002-07-23 Kurt L. Barth Apparatus and processes for the massproduction of photovotaic modules
JP2003209064A (ja) * 2002-01-17 2003-07-25 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
WO2009130790A1 (ja) * 2008-04-25 2009-10-29 キヤノンアネルバ株式会社 トレイ搬送式インライン成膜装置
KR101045839B1 (ko) * 2008-10-02 2011-07-01 주식회사 엠에스 오토텍 핫스탬핑용 가열로 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2863680A (en) * 1955-08-17 1958-12-09 Nat Lead Co Mechanical seal for pumps
GB1558425A (en) * 1978-01-13 1980-01-03 Bestobell Seals Ltd Sealing ring assemblies
US4809992A (en) * 1987-11-23 1989-03-07 Woodex Bearing Company, Inc. Rotary shaft seal assembly
WO2000003422A2 (en) * 1998-07-13 2000-01-20 Applied Komatsu Technology, Inc. Gas flow control in a substrate processing system
US20040083970A1 (en) * 2000-10-02 2004-05-06 Kosuke Imafuku Vacuum processing device
WO2011018226A1 (de) * 2009-08-14 2011-02-17 Leybold Optics Gmbh Vorrichtung und behandlungskammer zur thermischen behandlung von substraten

Also Published As

Publication number Publication date
CN104011844A (zh) 2014-08-27
US10014433B2 (en) 2018-07-03
KR20140085553A (ko) 2014-07-07
JP6202685B2 (ja) 2017-09-27
US20140287373A1 (en) 2014-09-25
KR102053471B1 (ko) 2020-01-08
WO2013062414A1 (en) 2013-05-02
CN104011844B (zh) 2016-08-24
EP2771909A1 (en) 2014-09-03
JP2015503216A (ja) 2015-01-29
EP2771909B1 (en) 2021-05-05
SG11201401758XA (en) 2014-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10570516B2 (en) System and method for transport
JP5405562B2 (ja) 処理チャンバ内で物体を焼き戻しするための装置および方法
NL2007658C2 (nl) Inrichting voor het verhitten van een substraat.
US8821977B2 (en) Transporting device, in particular for transporting sheet-like substrates through a coating installation
Qu et al. Continuous roll-to-roll fabrication of organic photovoltaic cells via interconnected high-vacuum and low-pressure organic vapor phase deposition systems
US20100226629A1 (en) Roll-to-roll processing and tools for thin film solar cell manufacturing
EP2805358B1 (en) Systems for forming photovoltaic cells on flexible substrates
KR20140079294A (ko) 박막증착장치
JP6875386B2 (ja) Ｃｖｄ装置
JP2015530478A (ja) 基板を処理するためのシステムと方法
JP6257616B2 (ja) コーティングされた基板を処理するための、プロセスボックス、装置及び方法
JP2008516445A (ja) 太陽電池の製造装置および方法
JP6321785B2 (ja) 基板に材料を適用するための装置及び方法
JP2015503216A5 (nl)
US8778082B2 (en) Point source assembly for thin film deposition devices and thin film deposition devices employing the same
JP2006089782A (ja) 基板冷却装置及び基板の冷却方法
US20150206781A1 (en) Device and method for heat treating an object
JP2012153923A (ja) 真空蒸着装置
JPH05166725A (ja) 成膜装置用シャッター
KR20140063926A (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PD Change of ownership

Owner name: SMIT THERMAL SOLUTIONS B.V.; NL

Free format text: DETAILS ASSIGNMENT: CHANGE OF OWNER(S), ASSIGNMENT; FORMER OWNER NAME: SMIT OVENS B.V.

Effective date: 20161107

MM Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 20201101