JP2013503969A - 気相から基板を被覆するための方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
本発明は、真空被覆設備内で気化すべき材料によって基板1を被覆するための方法に関する。当該気化材料が、中間キャリア3を使用する二重気化によって前記基板1上に蒸着される。前記中間キャリア3が連続して移動される。
【解決手段】
当該課題は、連続被覆設備内での使用を保証する中間キャリアを提供することにある。この課題は、本発明により、シリンダ状の中間キャリア3によって解決される。
Description
2 基板搬送装置
3 シリンダ状の中間キャリア
4 シリンダ状の中間キャリアの回転軸
5 シリンダ状の中間キャリアの回転方向
6 第1気化装置の気化管
7 第2気化装置の気化管
8 遮蔽版
9 駆動ローラ
10 水冷面
11 加熱装置
12 冷却装置
13 加熱された気化ブラインド
Claims (22)
- 真空被覆設備内で基板を被覆するための方法であって、気化すべき材料が、気化装置内で加熱され、気化され、基板上に蒸着され、当該気化材料が、中間キャリア(3)を使用する二重気化によって前記基板(1)上に蒸着され、前記中間キャリア(3)が連続して移動される当該方法において、
前記気化材料が、シリンダ状に形成された中間キャリア(3)上に蒸着され、前記中間キャリア(3)が、駆動ローラ(9)と一緒に駆動システムによって回転方向(5)に回転軸(4)の周りを運動され、
前記中間キャリア(3)上に蒸着されている前記気化材料が、被覆すべき基板(1)と加熱装置(11)とに対して空間的に近くに存在する位置内に移動され、
前記中間キャリア(3)上に蒸着されている前記気化材料が、前記加熱装置(11)によってもう1回気化され、前記基板(1)上に蒸着されることを特徴とする方法。 - 前記気化材料が、第1回目に第1位置内で前記気化装置によって気化されて前記中間キャリア(3)上に蒸着され、この中間キャリア(3)は、前記気化装置に対して空間的に近くに場所を可変に配置されていて、
当該被覆された中間キャリア(3)が、被覆すべき基板(1)に対して空間的に近くに存在する第2位置内に移動され、前記中間キャリア(3)上に蒸着されている気化材料が、第2回目にこの第2位置内で気化されて前記基板(1)上に蒸着されることを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 第1気化材料が、第1回目に前記第1位置内で前記気化装置によって加熱され、気化され、前記中間キャリア(3)上に蒸着され、この中間キャリア(3)は、前記気化装置に対して空間的に近くに場所を可変に配置されていて、
引き続き、第2気化材料が、第1回目にもう1つの気化装置内で加熱され、気化され、前記中間キャリア(3)上の蒸着されている前記第1気化材料上に蒸着され、1つの層組織が、第1気化材料と第2気化材料とから構成され、
前記中間キャリア(3)が、第2位置内で、この中間キャリア(3)の蒸着されている気化材料に対向する側の加熱装置(11)によって、前記基板(1)の領域内で加熱され、当該蒸着されている気化材料が、第2回目に気化され、
主に気相状態にある当該両気化材料の混合物が発生し、
当該両気化材料の前記混合物の化学量論的に一定の組成にある蒸着が、前記基板(1)上で保証されることを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。 - 有機材料が、気化材料として気化されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 無機材料が、気化材料として気化されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 金属が、気化材料として気化されることを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記中間キャリア(1)上の蒸着される気化材料の層厚に比例する前記気化装置の気化室の長さが選択されることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
- 真空被覆設備内で有機材料を気化するための気化装置によって基板を有機材料によって被覆するための装置であって、
気化材料を気化するための前記気化装置が、第1位置内に配置されていて、
中間キャリア(3)の気化すべき側に対向して、加熱装置(11)が、前記基板(1)に空間的に近い第2位置内に配置されていて、
中間キャリア(3)が、第1位置と第2位置との間に可動に配置されていて、前記中間キャリア(3)を連続して運動させるための手段が設けられている当該装置において、
前記中間キャリア(3)は、シリンダとして構成されていて、このシリンダは、回転方向(5)に回転させるための回転軸を有することを特徴とする装置。 - 前記中間キャリア(3)は、水晶ドラムとして構成されていて且つ吸収層を有することを特徴とする請求項8に記載の装置。
- 前記中間キャリア(3)は、水晶ドラムとして構成されていて且つCrN/SiO2から成る吸収層を有することを特徴とする請求項9に記載の装置。
- 前記中間キャリア(3)は、水晶ドラムとして構成されていて且つモリブデンから成る吸収層を有することを特徴とする請求項9に記載の装置。
- 前記中間キャリア(3)は、水晶ドラムとして構成されていて且つタングステンから成る吸収層を有することを特徴とする請求項9に記載の装置。
- 中間キャリア(3)と基板(1)との間の距離は、50mm未満であることを特徴とする請求項8〜12のいずれか1項に記載の装置。
- 中間キャリア(3)と基板(1)との間の距離は、5mm未満であることを特徴とする請求項8〜12のいずれか1項に記載の装置。
- 前記中間キャリア(3)を冷却するための冷却装置(12)が、前記気化装置の領域内に配置されていることを特徴とする請求項8〜14のいずれか1項に記載の装置。
- 前記基板(1)を冷却するための冷却装置(12)が、配置されていることを特徴とする請求項8〜15のいずれか1項に記載の装置。
- 前記加熱装置(11)は、レーザーとして構成されていることを特徴とする請求項8〜16のいずれか1項に記載の装置。
- 前記加熱装置(11)は、ハロゲンランプとして構成されていることを特徴とする請求項11〜17のいずれか1項に記載の装置。
- 前記加熱装置(11)は、ハロゲンランプとして構成されていて且つ冷却されたシャッタを有することを特徴とする請求項11〜17のいずれか1項に記載の装置。
- 前記加熱装置(11)は、フラッシュランプとして構成されていて且つ冷却されたシャッタを有することを特徴とする請求項11〜17のいずれか1項に記載の装置。
- 第2気化材料を気化するためのもう1つの気化装置が、第1位置内の前記気化装置と第2位置内の前記基板(1)との間に配置されていることを特徴とする請求項11〜20のいずれか1項に記載の装置。
- 加熱された気化ブラインド(13)が、第1気化装置の気化管(6)と第2気化装置の気化管(7)との領域内に配置されていることを特徴とする請求項18に記載の装置。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4748313A (en) * | 1985-08-23 | 1988-05-31 | Elektroschmelzwerk Kempten Gmbh | Apparatus by the continuous vaporization of inorganic compositions by means of a photon-generating thermal source of radiation heat |
JPH0361366A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザースパッタリング装置 |
JPH0483871A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機薄膜の作製方法及びその作製装置 |
JPH10330920A (ja) * | 1997-06-05 | 1998-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蒸着方法および蒸着装置 |
JP2008163457A (ja) * | 2006-12-05 | 2008-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 成膜装置、成膜方法、製造装置、および発光装置の作製方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS579870A (en) * | 1980-06-17 | 1982-01-19 | Ricoh Co Ltd | Formation of vapor-deposited film consisting of two or more elements |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4748313A (en) * | 1985-08-23 | 1988-05-31 | Elektroschmelzwerk Kempten Gmbh | Apparatus by the continuous vaporization of inorganic compositions by means of a photon-generating thermal source of radiation heat |
JPH0361366A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザースパッタリング装置 |
JPH0483871A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機薄膜の作製方法及びその作製装置 |
JPH10330920A (ja) * | 1997-06-05 | 1998-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蒸着方法および蒸着装置 |
JP2008163457A (ja) * | 2006-12-05 | 2008-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 成膜装置、成膜方法、製造装置、および発光装置の作製方法 |
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