JP2007311442A - 有機薄膜トランジスタおよびその製造装置と製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】キャリア移動度の大きいTFTにより、トランジスタのスイッチング速度を高速化する。
【解決手段】有機薄膜トランジスタの製造装置100は、半導体材料2を塗布する塗布装置50と、塗布装置を収容する容器15とを有する。容器内にガス導入装置12から酸化防止のガスが導入される。塗布した半導体材料を光照射装置20で発生しフィルター21を経た光22で乾燥させる。有機薄膜トランジスタ(TFT)1は、ステージ10上に載置される。TFTの上面に、ドレイン電極4とソース電極5の膜を形成する。ドレイン電極とソース電極に同一波長の光を照射すると、これにより、有機薄膜トランジスタ上面に温度分布を発生させる。
【選択図】図1
【解決手段】有機薄膜トランジスタの製造装置100は、半導体材料2を塗布する塗布装置50と、塗布装置を収容する容器15とを有する。容器内にガス導入装置12から酸化防止のガスが導入される。塗布した半導体材料を光照射装置20で発生しフィルター21を経た光22で乾燥させる。有機薄膜トランジスタ(TFT)1は、ステージ10上に載置される。TFTの上面に、ドレイン電極4とソース電極5の膜を形成する。ドレイン電極とソース電極に同一波長の光を照射すると、これにより、有機薄膜トランジスタ上面に温度分布を発生させる。
【選択図】図1
Description
本発明は、有機薄膜トランジスタおよびその製造装置と製造方法に関する。
液晶や有機EL素子を用いた薄型表示装置では、画素駆動素子としてアモルファスシリコンや多結晶シリコン等の無機半導体を用いた薄膜トランジスタ(以下、TFTと称す)が使用されている。TFTを製造するに際しては、プラズマ化学気相成長(CVD)装置やスパッタ装置を用いて、半導体層や電極を形成している。しかし、TFTにさらなる低コスト化やフレキシブル化が求められており、インクジェットやスクリーン印刷等の手法により有機半導体を塗布してTFTを製造することが検討されている。
このようなTFTの製造方法の例が、特許文献1に記載されている。この公報に記載の無機TFTの製造方法では、無機TFTのキャリア移動度を高めるために半導体層にマスクをして局所的にレーザー光を照射している。このマスクにより、半導体内部に非一様な温度分布が発生し、結晶粒径が調節される。
上記特許文献1に記載のTFTの製造方法においては、有機絶縁膜を塗布した後に絶縁膜層をクリーンオーブンやホットプレートを用いて加熱している。この方法では、液体を塗布した直後に加熱することが望ましいが、塗布直後は液が流動するので装置間を移動させることは困難である。また、マスク等を用いて加熱しているが、パターンごとにマスクが必要となり、異なるパターンを作成するときには、マスクの費用が嵩む。
本発明は上記従来技術の不具合に鑑みなされたものであり、その目的は、塗布方式で
TFTを製造する際に、塗布膜での結晶成長を制御可能にすることにある。本発明の他の目的は、有機TFTの生産効率を向上させることにある。本発明のさらに他の目的は、有機TFTの生産の信頼性を向上させることにある。そして本発明は、これら目的の少なくともいずれかを達成することを目的とする。
TFTを製造する際に、塗布膜での結晶成長を制御可能にすることにある。本発明の他の目的は、有機TFTの生産効率を向上させることにある。本発明のさらに他の目的は、有機TFTの生産の信頼性を向上させることにある。そして本発明は、これら目的の少なくともいずれかを達成することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の特徴は、基板上に絶縁層が形成され、ソース電極とドレイン電極と半導体層を有し、ソース電極とドレイン電極との間に半導体層が形成された有機薄膜トランジスタにおいて、ソース電極とドレイン電極の材料は異なる材料で構成されており、ソース電極とドレイン電極に同一波長の光を照射したときに異なる温度上昇を示すことにある。そしてこの特徴において、ソース電極の材料をCuとし、ドレイン電極の材料をAgとし、照射する光の波長を0.4μm 近傍とするのがよい。
上記目的を達成する本発明の他の特徴は、有機薄膜を有する基板に半導体材料を塗布する塗布装置と、この塗布装置を収容し密閉状態に形成される容器と、この容器内を封止するガスを容器に導入するガス導入装置と、基板を載置する基板載置手段とを有する有機薄膜トランジスタの製造装置において、容器内に基板に塗布した半導体材料を乾燥させる光を照射する光照射装置を設け、この光照射装置は実質的に均一な波長の光を塗布装置が半導体材料を塗布した後の基板上に照射可能であり、この均一光を照射した半導体材料に温度勾配を発生させるものである。
そしてこの特徴において、基板の上面にソース電極とドレイン電極とが形成された有機薄膜トランジスタを製造する有機薄膜トランジスタの製造装置であって、ソース電極とドレイン電極の材料は、銀,銅,クロム,アルミニウム,ニッケルのいずれかであり、ソース電極とドレイン電極の材料は互いに異なるのが好ましい。また、光照射装置が照射する光の波長は、半導体材料に吸収される割合よりも反射される割合が多い波長であるのがよく、光照射装置が照射する光の波長は、ソース電極とドレイン電極とおいて、一方は反射率が吸収率よりも大きく、他方は吸収率が反射率よりも大きいことが好ましい。さらに、光照射装置は、光を発生するランプと、このランプで発生した光を均一波長に揃えるフィルターとを有し、均一化した光を基板上に照射して半導体材料に温度勾配を発生させるものであってもよい。または、光照射装置は、キセノンランプと高圧水銀ランプと低圧水銀ランプの少なくともいずれかのランプであり、このランプはほぼ均一な特定波長の光を照射可能であってもよい。
上記目的を達成する本発明のさらに他の特徴は、基板上にソース電極およびドレイン電極、半導体層を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、基板を密封容器内に搬送し、搬送した基板に半導体層を塗布手段を用いて塗布し、半導体層が塗布された基板に実質的に均一な波長の光を照射して半導体層に温度勾配を発生させるものである。そしてこの特徴において、有機薄膜トランジスタのドレイン電極とソース電極を異なる金属材料で構成し、この異なる金属材料に実質的に均一な光を照射したとき反射率が異なるのがよく、有機薄膜トランジスタの基板がフィルム状のシートであり、この基板を密封容器内に配置した複数のローラーで搬送可能にしてもよい。
本発明によれば、半導体膜を塗布した後の半導体膜の乾燥工程において、塗布した半導体材料が温度勾配を発生した状態で乾燥させるので、結晶成長を制御できる。その結果、有機TFTの生産効率が向上する。また、結晶成長を温度勾配で制御しているので、複雑かつ高価な装置が不要となり、生産の信頼性が向上する。
以下、本発明に係る有機薄膜トランジスタ(TFT)1の製造方法を、図面を用いて説明する。図1に、TFT製造装置100の一実施例の正面断面図を示す。TFT1は、基板6上に、複数の薄膜層が堆積されて形成されている。基板6の直ぐ上には、ところどころにゲート電極3が形成されており、ゲート電極3の周囲にはゲート絶縁膜7が形成されている。これらのゲート関連薄膜上には、詳細を後述するように、ドレイン電極4やソース電極5,半導体層2が互いに異なる位置に形成されている。
TFT1の下面は、TFT1を載置するステージ10で支持されている。ステージ10には、TFT1の温度を調節するための図示しない温度調節手段が備えられている。ステージ10および基板6を、容器15が収容しており、容器15の内部を外気と遮断している。容器15の内部を、基板6の表面に処理する各種半導体材料と反応しない窒素等のガス14が満たしている。容器15にはこのガスを導く導入口が形成されており、この導入口にガスボンベ12が流量調節弁13を介して接続されている。流量調節弁13は、容器15に導入するガス量を調整するのに用いられる。
基板6の上方であって容器15内の中頃には、基板6の表面に半導体膜2を塗布するのに用いる塗布装置50が設けられている。また、容器6の内部であって上方には、基板6に塗布した半導体を乾燥させる複数のランプ20が取り付けられている。ランプ20の近くであって基板6の上方には、ランプ20から放射された光の波長を制御するフィルター21が設けられている。このフィルター21は、ランプ20で発光した光22をTFT1全体に均一に照射する役目も果たす。なお、基板6は、半導体層2が塗布されていない状態で、容器15の側面に設けた搬送扉16から、図示しない搬送手段を用いてステージ
10上に搬送される。
10上に搬送される。
このように構成したTFT製造装置100を用いて、TFT1を製造する方法を、以下に説明する。TFT1を製造する際には、半導体の塗布装置50から塗布液を放出して基板6上に半導体膜2を塗布する。このときステージ10の温度を、基板6に塗布された半導体膜2が乾燥しない温度か、または乾燥の進みが遅くなる温度とする。基板6上に半導体膜を2塗布したら、ステージ10が備える温度制御手段を用いてステージ10の温度を昇温させる。さらに、ランプ20を点灯して、TFT1上に均一化した光22を照射する。
このとき、ドレイン電極4とソース電極5の材質、これら電極4,5に照射する光22の波長を適宜選択する。そして、ステージ10の温度を調整し、半導体層の温度勾配と平均温度を制御して、キャリア移動度の大きいTFT1を製作する。マスクレスで、ドレイン電極4およびソース電極5を作成する詳細を、図2および図3を用いて説明する。
図2に、図1に示した容器15の内部を示す。上述したように、TFT1は、基板6と、この基板6上に形成されたゲート電極3およびゲート絶縁膜7と、ゲート絶縁膜7のさらに上面に形成されたドレイン電極4およびソース電極5、半導体層2とを有している。図3に、図2の上面図を示す。予め別工程で半導体層2が塗布されており、乾燥工程に入る状態にある。
図3に示すように基板6上には、碁盤目状にほぼ矩形の半導体層2が配置されている。図3で半導体層2の右隣には、これもほぼ矩形状に形成され僅かに半導体層2より大きいソース電極5が形成されている。ソース電極5の右端側は、半導体層2と上下に重なり合っている。半導体層2の左端側には、上下方向に延び複数の半導体層2とその右端部で上下に重なるドレイン電極4が配置されている。
ところで本発明では、半導体層2が塗布された後の乾燥工程で、半導体層2に温度勾配を形成することを特徴としている。そのため、TFT1の上方に配置したランプ20から放射された光をフィルター21に通し、このフィルター21で波長を制御する。フィルター21で波長を制御された光22は、TFT1全体に均一に照射される。
均一化した光22により、温度勾配を発生させるために、ドレイン電極4とソース電極5を異なる金属材料で形成する。本実施例では、フィルター21から照射される光22の波長を0.4μm 近傍に設定し、ドレイン電極4をAg、ソース電極5をCuで形成した。図4に、各金属材料の波長と反射率の関係を示す。反射率100%は全反射の状態であり、反射率0%は全吸収状態である。
波長0.4μm の光は、Cu材料では70%程度吸収されるが、Ag材料では10%程度しか吸収されない。したがって、波長0.4μm の光を用いると、Cu材料では吸収が大きくなりCu材料の温度が大幅に上昇する。この同じ波長0.4μm の光をAg材料に照射すると、吸収が小さくAg材料の温度の上昇は小さい。このようにドレイン電極4とソース電極5の材質、および照射する光22の波長と強度を調整すれば、半導体層2の両端の温度差を制御することができる。同時に、TFT1を載置するステージ10の温度も制御すれば、半導体層2の平均温度を調整することができる。
半導体膜2の材料にペンタセンを用いたときには、半導体膜2の乾燥を遅らせるために、半導体膜2の温度を150℃以下にする。さらに、上記方法で半導体膜2に温度勾配を発生させるために、ドレイン電極4をAg、ソース電極5をCuで形成する。フィルター21から照射される光22の波長は、0.4μm 近傍とする。
このように構成したTFT1では、ドレイン電極4側が低温になり、ソース電極5側が高温になる。ステージ10の温度を制御して、ドレイン電極4の温度を150〜190℃、ソース電極5の温度を200℃程度とする。このような温度条件下では、結晶の成長が制御され、キャリア移動度の大きいTFT1を製造できる。なお、温度条件はTFT1のサイズにより変化する。
ところで、ペンタセンに0.4μm 以下の波長の紫外光を照射すると、劣化することが知られているので、フィルター21から照射する光22の波長を、0.4μm 以上の長さにする。本実施例では、ランプ20とランプ20から放射された光の波長を制御するフィルター21とを設け、半導体膜2に照射する光22の波長を調整したが、キセノンランプや、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ等の予め定められた波長を照射するランプを用いれば、フィルター21が不要となる。ただしその場合、ランプ20の波長に適合したソース電極5およびドレイン電極4の材料を選ぶ必要がある。
図5に、本発明に係るTFT1の製造装置の他の実施例を、正面断面図で示す。本実施例が図1に示した実施例と相違するのは、図1の実施例では固定ステージ10を用いていたのに対し、本実施例では基板6を移動可能な搬送用ローラー11を備えることにある。搬送用ローラー11は、基板6の下面を支持する基板6の幅より軸長の長いローラーであり、基板6の下側に複数本配置されている。半導体の塗布装置50はランプ20とともに容器15の上部に取り付けられており、基板6の移動方向に併置されている。基板6を容器15内で搬送可能にしたので、基板6として、フィルム状のシートを使用できる。
図示を省略したが、容器15の左側では、フィルム状に形成された基板6が繰り出しリールに巻かれており、容器15の右側では処理を終えた基板6が巻き取りリールに巻かれている。図示しないローラー駆動手段がローラー11を駆動すると、フィルム状の基板6は、図5の左側から右側に移動する。そして、基板6が塗布装置50の下方に到達すると、塗布装置50から半導体材料が放出され、基板6上に半導体層2が塗布される。所定領域に半導体層2を塗布し終えたら、ローラー11を駆動して塗布された半導体層2をランプ20の下方に位置決めする。図1に示した実施例と同様の方法で、半導体層2を乾燥させる。乾燥を終えた半導体層2を有するTFT1は、巻き取りリール側に送られる。
本実施例では、有機薄膜トランジスタをフィルム状のシートに形成することができるので、連続処理が可能になる。また、図1に示した実施例では、塗布装置50を用いて半導体材料を基板6上に塗布し、その後基板6全体を加熱して乾燥していたが、本実施例では塗布を終えたら搬送用ローラー11を駆動して直ぐに乾燥工程に入ることができる。本実施例によれば、フィルム状のTFT1を製造することができ、TFT1の製造タクトタイムが向上する。
上記各実施例によれば、ドレイン電極とソース電極の材質、およびこれら各電極に照射する光の波長を適切に選定することにより、半導体層の温度勾配と平均温度を自由に調整でき、半導体の乾燥工程を制御してキャリア移動度の大きいTFTを製作することが可能となる。また、均一な波長の光を照射するだけで、温度勾配を発生できるので、容易に所望のTFTを製造できる。
1…有機薄膜トランジスタ(TFT)、2…半導体層、3…ゲート電極、4…ドレイン電極、5…ソース電極、6…基板、7…絶縁層、10…ステージ、11…搬送ローラー、12…ガスボンベ、13…流量調節弁、14…ガス、15…容器、16…搬送扉、20…ランプ、21…フィルター、22…光、50…塗布装置、100…TFT製造装置。
Claims (11)
- 基板上に絶縁層が形成され、ソース電極とドレイン電極と半導体層を有し、ソース電極とドレイン電極との間に半導体層が形成された有機薄膜トランジスタにおいて、前記ソース電極とドレイン電極の材料は異なる材料で構成されており、前記ソース電極とドレイン電極に同一波長の光を照射したときに異なる温度上昇を示すことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
- 前記ソース電極の材料をCuとし、前記ドレイン電極の材料をAgとし、照射する光の波長を0.4μm 近傍としたことを特徴とする請求項1に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 有機薄膜を有する基板に半導体材料を塗布する塗布装置と、この塗布装置を収容し密閉状態に形成される容器と、この容器内を封止するガスを容器に導入するガス導入装置と、基板を載置する基板載置手段とを有する有機薄膜トランジスタの製造装置において、
前記容器内に基板に塗布した半導体材料を乾燥させる光を照射する光照射装置を設け、この光照射装置は実質的に均一な波長の光を前記塗布装置が半導体材料を塗布した後の基板上に照射可能であり、この均一光を照射した半導体材料に温度勾配を発生させることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造装置。 - 基板の上面にソース電極とドレイン電極とが形成された有機薄膜トランジスタを製造する有機薄膜トランジスタの製造装置であって、ソース電極とドレイン電極の材料は、銀,銅,クロム,アルミニウム,ニッケルのいずれかであり、ソース電極とドレイン電極の材料は互いに異なることを特徴とする請求項3に記載の有機薄膜トランジスタの製造装置。
- 前記光照射装置が照射する光の波長は、半導体材料に吸収される割合よりも反射される割合が多い波長であることを特徴とする請求項3に記載の有機薄膜トランジスタの製造装置。
- 前記光照射装置が照射する光の波長は、ソース電極とドレイン電極とおいて、一方は反射率が吸収率よりも大きく、他方は吸収率が反射率よりも大きいことを特徴とする請求項4に記載の有機薄膜トランジスタの製造装置。
- 前記光照射装置は、光を発生するランプと、このランプで発生した光を均一波長に揃えるフィルターとを有し、均一化した光を基板上に照射して半導体材料に温度勾配を発生させることを特徴とする請求項3に記載の有機薄膜トランジスタの製造装置。
- 前記光照射装置は、キセノンランプと高圧水銀ランプと低圧水銀ランプの少なくともいずれかのランプを有し、このランプはほぼ均一な特定波長の光を照射可能であることを特徴とした請求項3に記載の有機薄膜トランジスタの製造装置。
- 基板上にソース電極およびドレイン電極、半導体層を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、前記基板を密封容器内に搬送し、搬送した基板に半導体層を塗布手段を用いて塗布し、半導体層が塗布された基板に実質的に均一な波長の光を照射して前記半導体層に温度勾配を発生させることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記有機薄膜トランジスタのドレイン電極とソース電極を異なる金属材料で構成し、この異なる金属材料に前記実質的に均一な光を照射したとき反射率が異なることを特徴とする請求項9に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記有機薄膜トランジスタの基板がフィルム状のシートであり、この基板を密封容器内に配置した複数のローラーで搬送可能にしたことを特徴とする請求項9に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017188438A1 (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 国立大学法人東京工業大学 | テラヘルツ波検出装置およびアレイセンサ |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2458483B (en) * | 2008-03-19 | 2012-06-20 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic thin film transistor |
CN102289107A (zh) * | 2011-07-01 | 2011-12-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶面板预倾角的制作装置和方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6239068A (ja) * | 1985-08-14 | 1987-02-20 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO2003016599A1 (fr) * | 2001-08-09 | 2003-02-27 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Element a semi-conducteur organique |
JP2004055654A (ja) * | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Pioneer Electronic Corp | 有機半導体素子 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2233928B (en) * | 1989-05-23 | 1992-12-23 | Brother Ind Ltd | Apparatus and method for forming three-dimensional article |
DE10119047B4 (de) * | 2000-04-21 | 2010-12-09 | Tokyo Electron Ltd. | Thermische Bearbeitungsvorrichtung und thermisches Bearbeitungsverfahren |
US7520936B2 (en) * | 2003-02-12 | 2009-04-21 | Tokyo Electron Limited | Hardening processing apparatus, hardening processing method, and coating film forming apparatus |
JP3910603B2 (ja) * | 2004-06-07 | 2007-04-25 | 株式会社東芝 | 熱処理装置、熱処理方法及び半導体装置の製造方法 |
-
2006
- 2006-05-17 JP JP2006137220A patent/JP2007311442A/ja active Pending
-
2007
- 2007-05-15 US US11/748,567 patent/US20070284571A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6239068A (ja) * | 1985-08-14 | 1987-02-20 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO2003016599A1 (fr) * | 2001-08-09 | 2003-02-27 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Element a semi-conducteur organique |
JP2004055654A (ja) * | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Pioneer Electronic Corp | 有機半導体素子 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017188438A1 (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 国立大学法人東京工業大学 | テラヘルツ波検出装置およびアレイセンサ |
JPWO2017188438A1 (ja) * | 2016-04-28 | 2019-03-14 | 国立大学法人東京工業大学 | テラヘルツ波検出装置およびアレイセンサ |
US10969335B2 (en) | 2016-04-28 | 2021-04-06 | Tokyo Institute Of Technology | Terahertz wave detection device and array sensor |
Also Published As
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US20070284571A1 (en) | 2007-12-13 |
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