JP2010212430A - 原子層成長装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板以外に薄膜が広範囲に形成されずクリーニングおよびメンテナンスの容易な原子層成長装置を提供する。
【解決手段】原子層成長装置は、所定の圧力を維持する第１の内部空間２２を形成する成膜容器１２と、この第１の内部空間内２２に設けられ、設定された圧力を維持する、第１の内部空間２２と隔離された第２の内部空間１５を形成するリアクタ容器１４と、第１の内部空間２２内に設けられ、リアクタ容器１４に隣接して設けられたヒータ１６ａ，１６ｂと、第２の内部空間１５内に設けられ、薄膜を形成する基板Ｓを載置する載置機構１８と、載置される基板Ｓの上方に対向するように第２の内部空間１５内に設けられ、薄膜を形成する原料ガスを、ヒータ１６ａの加熱を受けた状態で、基板Ｓに向けて供給する原料ガス供給ヘッド２０と、を有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板上に薄膜を形成する原子層成長（以下、省略してＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）ともいう）装置に関する。

ＡＬＤ法は、形成しようとする膜を構成する元素を主成分とする２種類のガスを成膜対象基板上に交互に供給し、基板上に原子層単位で薄膜を形成することを複数回繰り返して所望厚さの膜を形成する薄膜形成技術である。例えば、基板上にＳｉＯ₂膜を形成する場合、Ｓｉを含む原料ガスとＯを含む酸化ガスが用いられる。また、基板上に窒化膜を形成する場合、酸化ガスの代わりに窒化ガスが用いられる。

ＡＬＤ法は、原料ガスを供給している間に１層あるいは数層の原料ガス成分だけが基板表面に吸着され、余分な原料ガスは成長に寄与しない、いわゆる成長の自己停止作用（セルフリミット機能）を利用する。

ＡＬＤ法は、一般的なＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法と比較して高い段差被覆性と膜厚制御性を併せ持ち、メモリ素子のキャパシタや、「high-kゲート」と呼ばれる絶縁膜の形成への実用化が期待されている。また、３００℃〜４００℃の温度で絶縁膜が形成可能であるため、液晶ディスプレイなどのように、ガラス基板を用いる表示装置の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の形成への適用なども期待されている。

下記特許文献１には、基板上に薄膜を形成するＡＬＤ装置であって、少なくとも一種類の原料ガスを基板に吸着させる原料ガス吸着室と、少なくとも一種類の反応性ガスを基板に照射する反応性ガス照射室と、上記原料ガス吸着室と反応性ガス照射室との間で基板を入れ替える手段と、を有するＡＬＤ装置が記載されている。
当該装置は、ＡＬＤ法による真空成膜において、成膜室の頻繁なメンテナンスが不要で効率良く成膜しうる装置を提供することを課題として実現されたものである。

特開２００８-２４００７７号公報

上記特許文献１では、必要な工程毎に成膜室を分けたことにより、原料ガス吸着室、反応性ガス照射室のいずれにおいても、室内の壁面に成膜されることがなく、従来のような成膜室のメンテナンスが不要になる。さらに、成膜室を分けたことにより、反応性の高いラジカルを有効に使うことが可能になる、と記載されている。しかし、このような装置は、装置自体が大掛かりになり、コストは増大する。特に、一辺が２ｍを超える第８世代以降のガラス板等を、薄膜を形成する対象基板とした場合、設置面積および設備コストは大幅に増大する。

一方、薄膜の形成を、１つの成膜室で行うことも可能であるが、成膜室の内壁面全体に薄膜が形成され、この薄膜が内壁面から剥離することによりパーティクルとなって薄膜に付着する場合もある。これにより薄膜形成の歩留まりに影響を与える。さらに、成膜室の内壁面全体に薄膜が形成されるので、装置クリーニング等のメンテナンスが増大する。クリーニングのために、成膜室内で生成したプラズマを用いてドライエッチングによりクリーニングすることも可能であるが、内壁面をきれいにクリーニングすることは難しい。特に、一辺が２ｍを超える第８世代以降のガラス板等を対象基板とする大型の装置では、成膜室の内壁面のクリーニングは困難である。

そこで、本発明は、上記問題点を解消するために、容易にクリーニングすることのできるメンテナンスの容易な原子層成長装置を提供することを目的とする。

上記目的は、基板上に薄膜を形成する以下の原子層成長装置により達成することができる。
すなわち、原子層成長装置は、
（Ａ）所定の圧力を維持する第１の内部空間を形成する成膜容器と、
（Ｂ）前記第１の内部空間内に設けられ、設定された圧力を維持する、前記第１の内部空間と隔離された第２の内部空間を形成するリアクタ容器と、
（Ｃ）前記第１の内部空間内に設けられ、前記リアクタ容器に隣接して設けられたヒータと、
（Ｄ）前記第２の内部空間内に設けられ、薄膜を形成する基板を載置する載置機構と、
（Ｅ）前記第２の内部空間に向けて、薄膜を形成する原料ガスを供給する原料ガス供給ヘッドと、を有する。

その際、前記リアクタ容器は筒形状で、前記原料ガス供給ヘッドは、前記筒形状の長手方向に沿って延びる面を有し、この面に複数のガス放射口を有し、原料ガスを前記ガス放射口から前記長手方向と直交する方向に向けて放射することにより、原料ガスを基板の面に向けて供給することが好ましい。
また、前記成膜容器は、前記成膜容器の底部を含む下側部分と、この下側部分以外の上側部分とに分離可能に構成され、前記リアクタ容器は、前記成膜容器の底部から延びる支持機構を用いて前記第１の内部空間内に支持され、前記成膜容器の底部は、前記成膜容器の前記上側部分に対して分離可能に上下方向に移動し、前記成膜容器の底部は下降して前記上側部分から分離することにより、前記リアクタ容器は前記成膜容器内から取り外されるように構成されていることが好ましい。

また、前記リアクタ容器は両端に開口を有する筒形状で、前記両端が水平方向に位置するように設けられ、前記載置機構は、前記基板が前記筒形状の長手方向に沿って配置されるように設けられ、前記リアクタ容器の前記筒状形状の一方の端の開口は、基板を搬入する搬入口であり、他方の端の開口は、余分な原料ガスを排気するとともに前記第２の内部空間の圧力を維持する排気部と接続された排気口である、ことが好ましい。

その際、前記ガス供給ヘッドは、前記リアクタ容器の天井面に筒状形状の長手方向に沿って配置され、前記ガス供給ヘッドの、前記一方の端の開口側には、原料ガスを供給するガス供給管が接続されていることが好ましい。

また、前記リアクタ容器の前記一方の端は、前記成膜容器の底部から前記第１の内部空間内を延びる立設部材を基準として位置決めされ、前記成膜容器の側壁には、前記第１の内部空間内を延び、前記他方の端から前記一方の端に向けて押さえることにより、前記リアクタ容器を前記成膜容器内の所定位置に固定する固定部材が設けられていることが好ましい。

その際、前記立設部材の、前記一方の端の開口側の部分には、基板を前記リアクタ容器内に搬入するときに基板を通すための孔と、この孔の開放を行うドア弁と、が設けられていることが好ましい。

また、前記支持機構は、前記成膜容器の底部の面上を移動する移動機構を備え、前記成膜容器の底部の面は、水平面に対して一方向に傾斜した傾斜面であることが好ましい。

上述の原子層成長装置では、薄膜を形成するための原料ガスを加熱するヒータは、第１の内部空間に配置され、リアクタ容器により形成される第２の内部空間には、原料ガス供給ヘッドと載置機構と基板が設けられるので、成膜時に基板以外の部分が汚染される範囲はリアクタ容器内に制限される。このため、基板以外に薄膜が広範囲に形成されず、クリーニングが容易にでき、メンテナンスが容易になる。
また、成膜容器の底部を含む下側部分は、上側部分と分離可能に構成されているので、下側部分を分離することにより、リアクタ容器を成膜容器内から容易に取り出すことができ、クリーニング等のメンテナンスを容易に行うことができる。

本発明の原子層成長装置の一実施形態の概略の装置構成を示す断面図である。 （ａ）は、図１に示す原子層成長装置のリアクタ容器の概略を示す側面図であり、（ｂ）は、リアクタ容器の概略を示す縦断面図である。 図１に示す原子層成長装置のリアクタ容器を成膜容器から取り外すときの状態を示す図である。

以下、本発明の原子層成長装置について詳細に説明する。
図１は、基板Ｓ上に薄膜を形成する原子層成長装置（以降、ＡＬＤ装置という）１０の概略の装置構成を示す断面図である。
原子層成長装置１０は、ＴＭＡ（Tri-Methyl-Aluminium）等の原料ガスと、オゾンＯ₃等の原料ガスを交互に供給して、原子単位で積層して薄膜を形成する装置である。

ＡＬＤ装置１０は、主に、成膜容器１２と、リアクタ容器１４と、ヒータ１６ａ，１６ｂと、載置機構１８と、シャワーヘッド（原料ガス供給ヘッド）２０と、を有する。成膜容器１２は、第１の内部空間２２を形成する外側容器であり、リアクタ容器１４は、第１の内部空間２２内に、第２の内部空間１５を形成する内側容器である。リアクタ容器１４は、第２の内部空間１５が一定の断面を持って一方向に延びた空間を有する筒形状を成している。
成膜容器１２はＳＵＳ等の金属材料で構成されている。成膜容器１２の上壁には、Ｎ₂ガス（あるいは不活性ガス）を導入するガス導入孔が設けられ、図示されないガス供給部に接続されている。また、成膜容器１２の上壁には、排気部２４に接続される排気孔２６が設けられ、導入されたＮ₂ガスの雰囲気を所定の圧力で維持するように構成されている。このように、第１の内部空間２２内で、Ｎ₂ガスの雰囲気を維持するのは、後述するリアクタ容器１４の第２の内部空間１５から原料ガスが漏れても、成膜容器１２の内壁面に原料ガスの成分が吸着して汚染され難いようにするためである。

成膜容器１２の図中左側の側壁には、貫通孔２５が設けられている。貫通孔２５には、排気部２６と接続する排気管が貫通している。この排気管は、後述するリアクタ容器１４と接続される。この排気管の内表面には、防着板２７が設けられている。一方、成膜容器１２の図中右側の側壁には、貫通孔２８が設けられている。この貫通孔２８は、側壁部材３０の開閉可能なシャッタ３０ａを備える孔３０ｂと対向する位置に設けられ、基板Ｓの搬入および搬出に用いられる。

成膜容器１２の図中左側の側壁内面には、この側壁からの第１の内部空間２２内に位置するリアクタ容器１４に向けて水平方向に延びる固定部材３２が設けられている。固定部材３２は、図中左側から順番に、角型ベローズ３２ａ、固定部本体３２ｂ、Ｏリング３２ｃ，スペーサ３２ｄ、Ｏリング３２ｅが配置されている。固定部材３２は、図示されないエアシリンダを用いて、図中左方向から右方向にリアクタ容器１４を押さえることにより、リアクタ容器１４を第１の内部空間２２内で所定位置に固定するように構成されている。

成膜容器１２の底部１２ａの、図中右側の側壁近傍には、底部１２ａから第１の内部空間２２内に部材（立設部材）３４が立設し、スペーサ３６を挟んでリアクタ容器１４の一方の端を位置決めしている。リアクタ容器１４と部材３４との間には、Ｏリング３６ａ、スペーサ３６、Ｏリング３６ｂが順番に配置されている。部材３４の、リアクタ容器１４の一方の開口と対応する位置には、開閉可能なドア弁３４ａが設けられている。ドア弁３４ａが閉じられた状態では、第１の内部空間２２からリアクタ容器１４内の第２の内部空間１５は隔離される。ドア弁３４ａは、基板Ｓの搬入、搬出の際、シャッタ３０ａと連動して開放され、基板Ｓは、孔３０ｂ、貫通孔２８を通り、リアクタ容器１４内の第２の内部空間１５に搬入されて載置される。また、貫通孔２８、孔３０ｂを通り、第２の内部空間１５から基板Ｓが搬出される。
このように、リアクタ容器１４の一方の端は、成膜容器１２の底部１２ａから第１の内部空間２２内を延びて立設する部材３４を基準として位置決めされ、成膜容器１２の側壁から第１の内部空間２２内を延びる固定部材３４が、リアクタ容器１４の他方の端（図中左側の端）から一方の端（図中右側の端）に向けて押さえることにより、リアクタ容器１４は成膜容器１２内の所定位置に位置決めされて固定される。

図中、第１の内部空間２２内のリアクタ容器１４の上方には、リアクタ容器１４に隣接してヒータ１６ａが設けられている。ヒータ１６ａは、リアクタ容器１４を通して第２の内部空間１５に供給される原料ガスを加熱する。ヒータ１６ａの配線等は、成膜容器１２の上部に設けられた貫通孔４０を通して外部に引き出され図示されない電源に接続されている。

図中、第１の内部空間２２内のリアクタ容器１４の下方には、リアクタ容器１４に隣接してヒータ１６ｂが設けられている。ヒータ１６ｂは、リアクタ容器１４を通して第２の内部空間１５に載置される基板Ｓを加熱する。ヒータ１６ｂの配線等は、成膜容器１２の図示されない貫通孔を通して外部に引き出され図示されない電源に接続されている。

ヒータ１６ｂの図中下方には、成膜容器１２の底部１２ａから延びる支持機構４２が設けられ、ヒータ１６ｂを介してリアクタ容器１４は第１の内部空間２２内の所定の高さに水平に配置されている。成膜容器１２の底部１２ａは、成膜容器１２の上側部分に対して、図示されない油圧シリンダ等の移動機構を介して分離可能に上下方向に移動する。図１は、底部１２ａが上昇したＡＬＤ装置１０の状態を示している。底部１２ａは、成膜容器１２の上側部分に対して、Ｏリング４４を境にして下降する。本実施形態では、底部１２ａのみが上側部分に分離可能に構成されている。しかし、底部１２ａを含む下側部分が、上側部分に分離して、成膜容器１２の内部にあるリアクタ容器１４を取り出すことができる限りにおいては、分離位置は特に制限されない。

一方、底部１２ａと接触する支持機構４２の先端部分には、車輪（キャスタ）等の移動機構４２ａが設けられている。成膜容器１２の底部１２ａの内壁面は、図中左方向が水平面に対してレベルの下がった傾斜面をなしている。このため、固定部材３２がリアクタ容器１４に対する押さえを解除して底部１２ａが下降すると、支持機構４２は図中左方向に転がり易くなり、リアクタ容器１４およびヒータ１６ｂは移動が容易になる。このように、成膜容器１２の底部１２ａは下降して成膜容器１２の上側部分から分離されることにより、リアクタ容器１４は成膜容器内１２から取り外されるように構成されている。

リアクタ容器１４は、第１の内部空間２２内に設けられ、設定された圧力を維持する第２の内部空間１５を形成する。第２の内部空間１５は、第１の内部空間１２と隔離されている。
リアクタ容器１４は、両端に開口を有する筒形状を成し、第１の内部空間２２内に水平に位置するように、支持機構４２により支持されている。リアクタ容器１４は、安定した材質の点から石英が好適に用いられる。また、基板Ｓをガラス基板とした場合、材料自体が略同じであるため、基板Ｓに異なる成分が付着する心配もない。
リアクタ容器１４内の第２の内部空間１５には、図中上側から順番に、原料ガス供給ヘッド２０、載置機構１８、および基板温度モニタ４６が設けられている。基板Ｓは、載置機構１８に載せられ、原料ガス供給ヘッド２０と対向するように配置される。

原料ガス供給ヘッド２０は、リアクタ容器１４の筒状形状の長手方向に沿って、リアクタ容器１４の内側の天井面に配置され、長手方向に沿って延びる、原料ガス供給ヘッド２０の面に、基板Ｓの面に向けて上方から下方に原料ガスを放射するための微細な多数の孔４８が設けられたシャワーヘッドを有する。原料ガスはヒータ１６ａで高温に加熱されて原料ガスの成分が基板Ｓに吸着されるように、シャワーヘッドから原料ガスが基板Ｓに向けて流れる。このように、原料ガス供給ヘッド２０は、載置された基板Ｓの面に対向するように第２の内部空間内に設けられ、薄膜を形成する原料ガスを、ヒータ１６ａから加熱を受けた状態で基板Ｓの面に向けて垂直方向に放射して供給する。

図２（ａ），（ｂ）は、リアクタ容器１４の概略を示す側面図および正面から見た縦断面図である。
原料ガスとして、例えばＴＭＡのガス、Ｏ₃のガス（オゾンガス）が用いられ、アルミニウムの酸化膜が形成される場合、まず、ＴＭＡのガスを流し、このガスの成分を基板Ｓに吸着させた後、Ｏ₃のガスを流して基板Ｓに吸着された原料ガスの成分を酸化する。ＴＭＡのガス、Ｏ₃のガスを交互に流すとき、原料ガスの交換の切り替え時、Ｎ₂ガスをパージガスとして流して、原料ガスの交換を確実に行う。
リアクタ容器１４の部材３４が設けられている側の原料供給ヘッド２０の端には、原料ガスとＮ₂ガスを供給するためのガス供給管２０ａ，２０ｂ，２０ｃが設けられており、ガス供給管２０ａ，２０ｂ，２０ｃは、成膜容器１２の底部１２ａから外部に引き出され、図示されないガス供給部と接続されている。すなわち、原料ガス供給ヘッド２０は、リアクタ容器１４の天井面に筒状形状の長手方向に沿って延びるとともに、リアクタ容器１４の開口外側のスペーサ３６の位置まで延びた延長部２１を有し、この延長部２１に、原料ガスを供給するガス供給管２０ａ，２０ｂ，２０ｃが接続されている。

一方、リアクタ容器１４のガス供給管２０ａ，２０ｂ，２０ｃが設けられている側と反対の側の開口は、排気部２６に接続される排気口となっている。排気部２６は、第２の内部空間１５内の余分な原料ガスを排気するとともに第２の内部空間１５の圧力を維持するように機能する。

リアクタ容器１４の第２の内部空間１５の下部には、基板Ｓを載置する載置機構１８が設けられている。本実施形態では、基板Ｓを複数の箇所で支持する載置ピンで構成されているが、載置機構１８は載置ピンに制限されず、他の公知手段であってもよい。
載置機構１８では、基板Ｓは、リアクタ容器１４の筒形状の長手方向に平行に配置されるように設けられ、リアクタ容器１４の筒状形状の図１中、右側の端の開口から、基板Ｓを搬入する。

載置機構１８の下方には基板温度モニタ４６が設けられている。基板温度モニタ４６は、基板Ｓの温度を監視する熱電対で構成されている。モニタの信号は図示されない信号線を介して、成膜容器１４の外側に設けられたモニタ制御部に供給され、ヒータ１６ｂの制御を行う。

以上のように、リアクタ容器１４の第２の内部空間１５には、原料ガス供給ヘッド２０、基板Ｓ、載置機構１８、および基板温度モニタ４６が設けられているだけなので、基板Ｓ以外に薄膜が付着したクリーニングすべき領域は、リアクタ容器１４内に限られる。このため、メンテナンスが容易である。
また、リアクタ容器１４は、成膜容器１２から取り出し可能な構造になっているので、クリーニング等のメンテナンスを容易に行うことができる。

このようなＡＬＤ装置１０は、リアクタ容器１４のクリーニングを行う場合、底部１２ａが図示されない油圧シリンダ等の移動機構を介して下側に移動して、成膜容器１２の上側部分から分離される。このとき、固定部材３２によるリアクタ容器１４に対する押さえは除去される。これによりリアクタ容器１４の固定は解除され、底部１２ａに載っているリアクタ容器１４は、ヒータ１６ｂとともに下方に移動する。

図３は、リアクタ容器１４の底部１２ａが下降した状態を示している。この状態において、支持機構４２は、底部１２ａの傾斜面上にあるので、移動機構４２ａにより図３中左側（矢印方向）に容易に移動することができる。
こうして、底部１２ａとともに図中左に移動したリアクタ容器１４は、ヒータ１６ｂから取り外される。このように、成膜容器１２内に設けたリアクタ容器１４を容易にとりだすことができるので、リアクタ容器１４のクリーニングを容易に行うことができる。クリーニングは、例えばウェットエッチング等を行う。

なお、第１の内部空間２２を真空状態に減圧するのは、ヒータ１６ａの素子の酸化を防止するためであり、しかも低圧のＮ₂ガス雰囲気とすることによりいっそう酸化を防止することができる。

以上、本発明の原子層成長装置について詳細に説明したが、本発明の原子層成長装置は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。

１０ 原子層成長装置
１２ 成膜容器
１４ リアクタ容器
１５ 第２の内部空間
１６ａ，１６ｂ ヒータ
１８ 載置機構
２０ 原料ガス供給ヘッド
２１ 延長部
２０ａ，２０ｂ，２０ｃ ガス供給管
２２ 第１の内部空間
２４ 排気部
２５，２６，２８，４０ 貫通孔
２７ 防着版
３０ 側壁部材
３０ａ シャッタ
３０ｂ，４８ 孔
３２ 固定部材
３２ａ 角型ベローズ
３２ｂ 固定部本体
３２ｄ スペーサ
３２ｃ，３２ｅ，３６ａ，３６ｂ，４４ Ｏリング
３４ 部材
３４ａ ドア弁
４２ 支持機構
４２ａ 移動機構
４６ 基板温度モニタ

Claims (8)

1. 基板上に薄膜を形成する原子層成長装置であって、
   所定の圧力を維持する第１の内部空間を形成する成膜容器と、
   前記第１の内部空間内に設けられ、設定された圧力を維持する、前記第１の内部空間から隔離された第２の内部空間を形成するリアクタ容器と、
   前記第１の内部空間内に設けられ、前記リアクタ容器に隣接して設けられたヒータと、 前記第２の内部空間内に設けられ、薄膜を形成する基板を載置する載置機構と、
   前記第２の内部空間に向けて、薄膜を形成する原料ガスを供給する原料ガス供給ヘッドと、を有することを特徴とする原子層成長装置。
2. 前記リアクタ容器は筒形状で、
   前記原料ガス供給ヘッドは、前記筒形状の長手方向に沿って延びる面を有し、この面に複数のガス放射口を有し、原料ガスを前記ガス放射口から前記長手方向と直交する方向に向けて放射することにより、原料ガスを基板の面に向けて供給する、請求項１に記載の原子層成長装置。
3. 前記成膜容器は、前記成膜容器の底部を含む下側部分と、この下側部分以外の上側部分とに分離可能に構成され、
   前記リアクタ容器は、前記成膜容器の底部から延びる支持機構を用いて前記第１の内部空間内に支持され、
   前記成膜容器の底部は、前記成膜容器の前記上側部分に対して分離可能に上下方向に移動し、前記成膜容器の底部は下降して前記上側部分から分離することにより、前記リアクタ容器は前記成膜容器内から取り外されるように構成されている、請求項１または２に記載の原子層成長装置。
4. 前記リアクタ容器は筒形状の両端に開口を有し、前記両端が水平方向に位置するように設けられ、前記載置機構は、前記基板が前記筒形状の長手方向に沿って配置されるように設けられ、前記リアクタ容器の前記筒状形状の一方の端の開口は、基板を搬入する搬入口であり、他方の端の開口は、余分な原料ガスを排気するとともに前記第２の内部空間の圧力を維持する排気部と接続された排気口である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の原子層成長装置。
5. 前記原料ガス供給ヘッドは、前記リアクタ容器の天井面に前記筒状形状の長手方向に沿って延びるとともに、前記リアクタ容器の開口外側に延びた延長部を有し、前記原料ガス供給ヘッドの前記延長部には、原料ガスを供給するガス供給管が接続されている、請求項４に記載の原子層成長装置。
6. 前記リアクタ容器の前記一方の端は、前記成膜容器の底部から前記第１の内部空間内を延びる立設部材を基準として位置決めされ、
   前記成膜容器の側壁には、前記第１の内部空間内を延び、前記他方の端から前記一方の端に向けて押さえることにより、前記リアクタ容器を前記成膜容器内の所定位置に固定する固定部材が設けられている、請求項４または５に記載の原子層成長装置。
7. 前記立設部材の、前記一方の端の開口側の部分には、基板を前記リアクタ容器内に搬入するときに基板を通すための孔と、この孔の開閉を行うドア弁と、が設けられている、請求項６に記載の原子層成長装置。
8. 前記支持機構は、前記成膜容器の底部の面上を移動する移動機構を備え、前記成膜容器の底部の面は、水平面に対して一方向に傾斜した傾斜面である、請求項２に記載の原子層成長装置。