JP2011005458A - 紫外線照射装置用フランジ部材および紫外線照射装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 59
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 61
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】フランジ部材20は、窓部材支持部524およびプロセスガス案内部を備える。プロセスガス案内部は、下側フランジ板52における各窓部材支持部524の周囲に形成された溝520と、溝520と処理チャンバ14内部とを連通するように鉛直方向に形成された複数のプロセスガス噴出孔522と、上側フランジ板54に設けられガス供給装置22から導入されたプロセスガスを溝520に導入するための導入孔542によって構成される。
【選択図】図1
Description
の配置位置には、開口540および開口526がそれぞれ形成されているため、発光ユニット11からのエキシマ光はフランジ20を通過して成膜ウェハ16の上面に到達する。
11−発光ユニット
12−エキシマ照射部
14−処理チャンバ
20−フランジ
50−窓部材
52−下側フランジ板
54−上側フランジ板
520−溝
522−プロセスガス噴出孔
542−プロセスガス導入孔
Claims (4)
- 処理されるべきワークが配置される処理チャンバの上方に配置され、紫外線を放射するように構成された発光ユニットを下から支持するように構成された紫外線照射装置用フランジ部材であって、
前記ワークに照射されるべき紫外線を透過させる複数の窓部材をそれぞれ所定の位置にて支持するように構成された複数の窓部材支持部と、
上側から導入されたプロセスガスを、前記複数の窓部材支持部のそれぞれの周囲に配置された複数のプロセスガス噴出孔を介して前記処理チャンバ内に案内するように構成されたプロセスガス案内部と、
を備えた紫外線照射装置用フランジ部材。 - 前記紫外線照射装置用フランジ部材は、上側フランジ板および下側フランジ板から構成されており、
前記プロセスガス案内部は、
下側フランジ板における前記複数の窓部材支持部のそれぞれの周囲に形成された溝と、
前記溝と前記処理チャンバ内部とを連通するように鉛直方向に形成された複数の貫通孔と、
前記上側フランジ板に設けられ前記上側フランジ板の上面から前記溝にプロセスガスを導入するための導入部と、
を含む請求項1に記載の紫外線照射装置用フランジ部材。 - 請求項1または2に記載の紫外線照射装置用フランジ部材と、
紫外線を放射するように構成された発光ユニットと、
前記紫外線照射装置用フランジ部材に支持され、前記ワークに照射されるべき紫外線を透過させる複数の窓部材と、を少なくとも備え、
前記複数の窓部材は、紫外線を透過する合成石英またはフッ化マグネシウム、フッ化リチウム、またはフッ化カルシウムからなる紫外線照射装置。 - 前記窓部材は、円形状または多角形状を呈しており、前記ワークの上面に対向するように分散して複数配置された請求項3に記載の紫外線照射装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009153805A JP5317852B2 (ja) | 2009-06-29 | 2009-06-29 | 紫外線照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009153805A JP5317852B2 (ja) | 2009-06-29 | 2009-06-29 | 紫外線照射装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011005458A true JP2011005458A (ja) | 2011-01-13 |
JP5317852B2 JP5317852B2 (ja) | 2013-10-16 |
Family
ID=43562758
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009153805A Active JP5317852B2 (ja) | 2009-06-29 | 2009-06-29 | 紫外線照射装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5317852B2 (ja) |
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