JPH0361366A - レーザースパッタリング装置 - Google Patents
レーザースパッタリング装置Info
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- JPH0361366A JPH0361366A JP1197747A JP19774789A JPH0361366A JP H0361366 A JPH0361366 A JP H0361366A JP 1197747 A JP1197747 A JP 1197747A JP 19774789 A JP19774789 A JP 19774789A JP H0361366 A JPH0361366 A JP H0361366A
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/34—Sputtering
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Toxicology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は薄膜デバイス等の薄膜形成を行うレーザースパ
ッタリング装置に関する。
ッタリング装置に関する。
従来の技術
従来のこの種のレーザースパッタリング装置はコムラ他
、ジャパニーズ ジャーナル オブ アプライド フィ
ジックス ２７巻 １９８８．２３頁（Ｓ、 Ｋｏａ＋
ｕｒａ ｅｔ ａｌ ； Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ 、 ｖ
ｏｌ、 ２７ （１９８８）、 ｐ、Ｌ２３ ）に示さ
れているように、第６図に示すように構成されていた。
、ジャパニーズ ジャーナル オブ アプライド フィ
ジックス ２７巻 １９８８．２３頁（Ｓ、 Ｋｏａ＋
ｕｒａ ｅｔ ａｌ ； Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ 、 ｖ
ｏｌ、 ２７ （１９８８）、 ｐ、Ｌ２３ ）に示さ
れているように、第６図に示すように構成されていた。
即ち、真空排気系２９にて真空状態に保持可能な真空槽
２１内において、ターゲット２２とこのターゲット２２
に対向して基板台２３が配設されており、基板台２３上
には基板２４が取付けられている。２５は、可視光のＱ
−３Ｗ、ＹＡＧレーザーであり、その第２高調波（波長
５３２ｎｍ）レーザー光２６を光学系２７で集光し、真
空槽２１に設けられた真空封じ窓２８を通してターゲッ
ト２２に照射し、ターゲット２２の材料をスパッタさせ
、基板２４上にその薄膜を堆積させるように構成されて
いる。
２１内において、ターゲット２２とこのターゲット２２
に対向して基板台２３が配設されており、基板台２３上
には基板２４が取付けられている。２５は、可視光のＱ
−３Ｗ、ＹＡＧレーザーであり、その第２高調波（波長
５３２ｎｍ）レーザー光２６を光学系２７で集光し、真
空槽２１に設けられた真空封じ窓２８を通してターゲッ
ト２２に照射し、ターゲット２２の材料をスパッタさせ
、基板２４上にその薄膜を堆積させるように構成されて
いる。
発明が解決しようとする課題
しかし、このような構成のスパッタリング装置では、成
膜速度が遅いという問題があり、またターゲット２２か
らのスパッタ物が真空封じ窓２８に付着してレーザー光
２６の透過が阻害され、ターゲット２２へのレーザー光
２６の照射が妨げられるという問題があった。
膜速度が遅いという問題があり、またターゲット２２か
らのスパッタ物が真空封じ窓２８に付着してレーザー光
２６の透過が阻害され、ターゲット２２へのレーザー光
２６の照射が妨げられるという問題があった。
また、ターゲット２２は別工程で予め作成されるため、
酸化物や不純物が混入し易いという問題がある。また、
合金や化合物のターゲット２２を用いた場合すべての組
成元素が均等にスパッタされないために所定の組成の化
合物の薄膜を安定して形成することができないという問
題がある。これに対して複数種類のターゲットを並列し
て配置し、それぞれにレーザー光を照射して化合物の組
成に応じてスパッタすることも考えられるが、基板上の
位置によって組成が異なってしまうという問題がある。
酸化物や不純物が混入し易いという問題がある。また、
合金や化合物のターゲット２２を用いた場合すべての組
成元素が均等にスパッタされないために所定の組成の化
合物の薄膜を安定して形成することができないという問
題がある。これに対して複数種類のターゲットを並列し
て配置し、それぞれにレーザー光を照射して化合物の組
成に応じてスパッタすることも考えられるが、基板上の
位置によって組成が異なってしまうという問題がある。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、成膜速度を向上でき
るとともに真空封じ窓にスパッタ物が付着するのを防止
でき、また薄膜への酸化物や不純物の混入を防止でき、
さらに合金や化合物の薄膜も容易に形成することができ
るレーザースパッタリング装置を提供することを目的と
する。
るとともに真空封じ窓にスパッタ物が付着するのを防止
でき、また薄膜への酸化物や不純物の混入を防止でき、
さらに合金や化合物の薄膜も容易に形成することができ
るレーザースパッタリング装置を提供することを目的と
する。
課題を解決するための手段
本発明のレーザースパッタリング装置は、上記目的を達
成するために、真空槽と、レーザー光を出力するレーザ
ーと、レーザー光を真空槽内に導入するように真空槽に
設けられた真空封じ窓と、基板に形成すべき薄膜の材料
を蒸着されたレーザー透過率の高いフィルムを、その薄
膜材料側を真空封じ窓とは反対側に向けて真空封じ窓の
内側位置を通るように移送するフィルム移送手段と、前
記フィルムを間に挟んで前記真空封じ窓と対向するよう
に配置された基板台とを備えたことを特徴とする。
成するために、真空槽と、レーザー光を出力するレーザ
ーと、レーザー光を真空槽内に導入するように真空槽に
設けられた真空封じ窓と、基板に形成すべき薄膜の材料
を蒸着されたレーザー透過率の高いフィルムを、その薄
膜材料側を真空封じ窓とは反対側に向けて真空封じ窓の
内側位置を通るように移送するフィルム移送手段と、前
記フィルムを間に挟んで前記真空封じ窓と対向するよう
に配置された基板台とを備えたことを特徴とする。
又、合金や化合物の薄膜を形成する場合、材質の異なる
複数の材料が積層して蒸着されているフィルムを用いる
。
複数の材料が積層して蒸着されているフィルムを用いる
。
又、真空槽内に、フィルムに蒸着される材料の蒸発源を
配設し、真空槽内でフィルムに材料が蒸着するようにし
てもよく、さらに反応性レーザースパッタを行う場合、
真空槽内を、フィルムに材料を蒸着する蒸着室とフィル
ムに蒸着された材料にレーザー光を照射してスパッタを
行うスバ、ンタリング室とに、フィルムの通過を許す仕
切壁にて区画するとともに、各室に真空排気手段を設け
、スパッタリング室に反応性ガスの導入手段を設けても
よい。
配設し、真空槽内でフィルムに材料が蒸着するようにし
てもよく、さらに反応性レーザースパッタを行う場合、
真空槽内を、フィルムに材料を蒸着する蒸着室とフィル
ムに蒸着された材料にレーザー光を照射してスパッタを
行うスバ、ンタリング室とに、フィルムの通過を許す仕
切壁にて区画するとともに、各室に真空排気手段を設け
、スパッタリング室に反応性ガスの導入手段を設けても
よい。
作 用
本発明によると、レーザーから出力されたレーザー光は
真空封じ窓及びフィルムを透過してフィルム上の蒸着材
料をスパッタし、対向して位置する基板台上の基板に材
料が付着し、それと同時に蒸着材料の蒸発によってフィ
ルムを透過したレーザー光が基板の表面を照射して活性
化させることによって成膜が促進され、成膜速度が向上
する。
真空封じ窓及びフィルムを透過してフィルム上の蒸着材
料をスパッタし、対向して位置する基板台上の基板に材
料が付着し、それと同時に蒸着材料の蒸発によってフィ
ルムを透過したレーザー光が基板の表面を照射して活性
化させることによって成膜が促進され、成膜速度が向上
する。
また、真空封じ窓とは反対側のフィルム表面に蒸着され
た材料が真空封じ窓とは反対側にスパッタされるので、
スパッタ物が真空封じ窓に付着し難くなる。
た材料が真空封じ窓とは反対側にスパッタされるので、
スパッタ物が真空封じ窓に付着し難くなる。
又、フィルム上に異なった材質の成膜材料を積層して形
成しておくことによってこれらの材料が同時に確実にス
パッタされ、均一な組成の合金又は化合物を形成するこ
とができる。
成しておくことによってこれらの材料が同時に確実にス
パッタされ、均一な組成の合金又は化合物を形成するこ
とができる。
また、同一真空槽内で材料の蒸着と、その蒸着材料のス
パッタを行うことによって酸化物や不純物の混入を少な
くすることができ、品質のよい薄膜を形成でき、さらに
その蒸着室とスバッタリング室とを仕切り、スパッタリ
ング室に反応性ガスを導入するとともに各室毎にガス圧
力制御行うことによって反応性レーザースパッタを行う
こともできる。
パッタを行うことによって酸化物や不純物の混入を少な
くすることができ、品質のよい薄膜を形成でき、さらに
その蒸着室とスバッタリング室とを仕切り、スパッタリ
ング室に反応性ガスを導入するとともに各室毎にガス圧
力制御行うことによって反応性レーザースパッタを行う
こともできる。
実施例
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
本発明の第１実施例を示す第１図、第２図において、１
は真空槽で、真空排気系２にて例えばｉｏ−”〜１０−
″Ｔ ｏｒｒ程度の所定の真空圧に保持可能に構成され
ている。真空槽ｌの壁面の一部に真空封じ窓３が設けら
れ、レーザー光を真空槽ｌ内に導入するように構成され
ている。真空槽ｌ内の真空封じ窓３とは反対側に、この
真空封じ窓３と対向するように基板台４が配設され、薄
膜を形成すべき基板５を取付けるように構成されている
真空封じ窓３と基板台４の間の位置の両側に巻き戻しリ
ール６と巻き取りリール７が配設され、第２図に詳細に
示すように薄膜材料の蒸着層９を形成されたフィルム８
が、巻き戻しリール６から送り出されて真空封じ窓３の
内側を通過し、巻き取りリール７にて巻き取られるよう
に構成されている。フィルム８はレーザー透過率の高い
フィルムにて構成され、蒸着層９は真空封じ窓３とは反
対側の表面に形成されている。
は真空槽で、真空排気系２にて例えばｉｏ−”〜１０−
″Ｔ ｏｒｒ程度の所定の真空圧に保持可能に構成され
ている。真空槽ｌの壁面の一部に真空封じ窓３が設けら
れ、レーザー光を真空槽ｌ内に導入するように構成され
ている。真空槽ｌ内の真空封じ窓３とは反対側に、この
真空封じ窓３と対向するように基板台４が配設され、薄
膜を形成すべき基板５を取付けるように構成されている
真空封じ窓３と基板台４の間の位置の両側に巻き戻しリ
ール６と巻き取りリール７が配設され、第２図に詳細に
示すように薄膜材料の蒸着層９を形成されたフィルム８
が、巻き戻しリール６から送り出されて真空封じ窓３の
内側を通過し、巻き取りリール７にて巻き取られるよう
に構成されている。フィルム８はレーザー透過率の高い
フィルムにて構成され、蒸着層９は真空封じ窓３とは反
対側の表面に形成されている。
・１０は、例えばＫｒＦエキシマレーザ−（波長２４９
ｎｍ）等のレーザーで、例えばパルス幅が１７ ｎ５ｅ
ｃ、繰り返し周波数が１０Ｈｚのパルスレーザ−光を出
力するように構成されている。出力されたパルスレーザ
−光は光学系１１を介して集光されて、真空封じ窓３及
びフィルム８を透過して蒸着層９を照射し、さらに蒸着
層９がスパッタされるとフィルム８を透過したレーザー
光が基板５を照射するように構成されている。１２はフ
ィルムの走行位置を規制するように真空封じ窓３の両側
に対向する位置に配設されたガイドローラである。
ｎｍ）等のレーザーで、例えばパルス幅が１７ ｎ５ｅ
ｃ、繰り返し周波数が１０Ｈｚのパルスレーザ−光を出
力するように構成されている。出力されたパルスレーザ
−光は光学系１１を介して集光されて、真空封じ窓３及
びフィルム８を透過して蒸着層９を照射し、さらに蒸着
層９がスパッタされるとフィルム８を透過したレーザー
光が基板５を照射するように構成されている。１２はフ
ィルムの走行位置を規制するように真空封じ窓３の両側
に対向する位置に配設されたガイドローラである。
以上の構成において、レーザー１０から出力されたパル
スレーザ−光１３は、光学系１１にて集光され、真空封
し窓３を透過してフィルム８に照射される。フィルム８
はレーザー透過率が高いので、第２図に示すように、パ
ルスレーザ−光１３はフィルム８をそのまま透過して薄
膜材料の蒸着層９に集中して照射され、その薄膜材料が
基板５に向かってスパッタされ、基板５の表面に付着し
、同時に蒸着ｌ１ｌｉ９がスパッタされることによって
フィルム８を透過したパルスレーザ光１３が基板５の表
面に照射され、表面が活性化されて成膜が促進され、高
品質の薄膜が得られる。
スレーザ−光１３は、光学系１１にて集光され、真空封
し窓３を透過してフィルム８に照射される。フィルム８
はレーザー透過率が高いので、第２図に示すように、パ
ルスレーザ−光１３はフィルム８をそのまま透過して薄
膜材料の蒸着層９に集中して照射され、その薄膜材料が
基板５に向かってスパッタされ、基板５の表面に付着し
、同時に蒸着ｌ１ｌｉ９がスパッタされることによって
フィルム８を透過したパルスレーザ光１３が基板５の表
面に照射され、表面が活性化されて成膜が促進され、高
品質の薄膜が得られる。
又、真空封じ窓３とは反対側のフィルム表面に蒸着され
た材料が真空封じ窓３とは反対側にスパッタされるので
、スパッタ物が真空封じ窓３に付着し難くなり、レーザ
ー光を安定して長時間フィルム８に照射することができ
る。
た材料が真空封じ窓３とは反対側にスパッタされるので
、スパッタ物が真空封じ窓３に付着し難くなり、レーザ
ー光を安定して長時間フィルム８に照射することができ
る。
上記第１実施例では、フィルム８に予め薄膜材料の蒸着
層９が形成されたものを例示したが、第３図に示す第２
実施例の如く、真空槽１内でフィルム８上に蒸着するよ
うにしてもよい。第３図において、第１図に示した構成
要素と実質的に同一のものについては、同一参照番号を
付してあり、以下の実施例についても同様である。
層９が形成されたものを例示したが、第３図に示す第２
実施例の如く、真空槽１内でフィルム８上に蒸着するよ
うにしてもよい。第３図において、第１図に示した構成
要素と実質的に同一のものについては、同一参照番号を
付してあり、以下の実施例についても同様である。
第３図において、真空槽ｌは横長に形成して巻キ戻しリ
ール６とパルスレーザ−光照射位置との間に距離を設け
るとともに巻き戻しリール６の近傍位置に薄膜材料の蒸
発ｉｌｌ！１４が配設されているこの蒸発源１４は容器
内に薄膜材料が収容されるとともに適宜加熱手段が設け
られている。
ール６とパルスレーザ−光照射位置との間に距離を設け
るとともに巻き戻しリール６の近傍位置に薄膜材料の蒸
発ｉｌｌ！１４が配設されているこの蒸発源１４は容器
内に薄膜材料が収容されるとともに適宜加熱手段が設け
られている。
この実施例では、蒸着層９を形成されていないフィルム
８が巻き戻しリール６から送り出されると、蒸発源１４
に対向する位置で薄膜材料が蒸着されて蒸着層９が形成
され、その後第１実施例と同様にその蒸着層９がスパッ
タされ、基板５上に薄膜が形成される。このように、同
一真空槽１内で蒸着とスパッタを行うことにより、基板
５上に形成される薄膜への酸化物や不純物の混入を少な
くできる。
８が巻き戻しリール６から送り出されると、蒸発源１４
に対向する位置で薄膜材料が蒸着されて蒸着層９が形成
され、その後第１実施例と同様にその蒸着層９がスパッ
タされ、基板５上に薄膜が形成される。このように、同
一真空槽１内で蒸着とスパッタを行うことにより、基板
５上に形成される薄膜への酸化物や不純物の混入を少な
くできる。
又、上記実施例ではフィルム８に単一組成の蒸着層９を
形成し、基板５上にそれと同一の組成の薄膜を形成する
例を示したが、本発明によるフィルム８上の蒸着層９を
ターゲットとするレーザースパッタリング装置において
は、第４図に示す第３実施例の如く、薄膜材料の第１の
組成物を蒸着した第１蒸着層９ａと第２の組成物を蒸着
した第２蒸着層９ｂとを積層して形成したフィルム８を
用いて同様にスパッタを行うことにより、これら組成物
の合金又は化合物からなる薄膜を基板５上に形成するご
とができる。例えば、第１蒸着層９ａをニッケル、第２
蒸着１ｉ９ｂをアルミニウムにて形成することにより、
基板５上にニッケルーアルミ合金から成る薄膜１５を安
定して形成することができる。
形成し、基板５上にそれと同一の組成の薄膜を形成する
例を示したが、本発明によるフィルム８上の蒸着層９を
ターゲットとするレーザースパッタリング装置において
は、第４図に示す第３実施例の如く、薄膜材料の第１の
組成物を蒸着した第１蒸着層９ａと第２の組成物を蒸着
した第２蒸着層９ｂとを積層して形成したフィルム８を
用いて同様にスパッタを行うことにより、これら組成物
の合金又は化合物からなる薄膜を基板５上に形成するご
とができる。例えば、第１蒸着層９ａをニッケル、第２
蒸着１ｉ９ｂをアルミニウムにて形成することにより、
基板５上にニッケルーアルミ合金から成る薄膜１５を安
定して形成することができる。
又、上記第１蒸着層９ａと第２蒸着層９ｂを形成するに
は、フィルム８の走行経路に沿って第１の組成物を収容
した第１蒸発源１４ａと、第２の組成物を収容した第２
蒸発５ｔ４ｂとを配設すればよく、この蒸着層９ａ、９
ｂの形成はスパッタを行う真空槽１内で行っても、別の
真空槽内で行うようにしてもよい。
は、フィルム８の走行経路に沿って第１の組成物を収容
した第１蒸発源１４ａと、第２の組成物を収容した第２
蒸発５ｔ４ｂとを配設すればよく、この蒸着層９ａ、９
ｂの形成はスパッタを行う真空槽１内で行っても、別の
真空槽内で行うようにしてもよい。
さらに、同一の真空［１内で蒸着と反応性レーザースパ
ッタを行う場合には、第５図に示す第４実施例の如く、
真空槽ｌ内を仕切壁１６にて蒸着室１７とスパッタリン
グ室１８に区画するとともに、各室毎に真空排気系２ａ
、２ｂを設けて各別に真空度を制御するようにし、さら
にスパッタリング室１８に反応性ガス導入手段１９を設
ければよい。なお、仕切壁１６にはフィルム８の通過開
口１６ａが形成されている。
ッタを行う場合には、第５図に示す第４実施例の如く、
真空槽ｌ内を仕切壁１６にて蒸着室１７とスパッタリン
グ室１８に区画するとともに、各室毎に真空排気系２ａ
、２ｂを設けて各別に真空度を制御するようにし、さら
にスパッタリング室１８に反応性ガス導入手段１９を設
ければよい。なお、仕切壁１６にはフィルム８の通過開
口１６ａが形成されている。
この実施例では、蒸着室１７内は１０−’〜１０−’Ｔ
ｏｒｒに設定され、蒸発源１４からフィルム８上に蒸着
層９が形成され、この蒸着層９が形成されたフィルム８
が通過開口１６ａを通ってスパッタリング室１８に入る
。スパッタリング室１８内は反応性ガス導入手段１９に
て反応性ガスが満たされるとともに１０−２〜１０ ”
Ｔ ｏｒｒに設定された状態で真空封じ窓３からパル
スレーザ−光がフィルム８上に照射されて反応性レーザ
ースパッタが行われる。
ｏｒｒに設定され、蒸発源１４からフィルム８上に蒸着
層９が形成され、この蒸着層９が形成されたフィルム８
が通過開口１６ａを通ってスパッタリング室１８に入る
。スパッタリング室１８内は反応性ガス導入手段１９に
て反応性ガスが満たされるとともに１０−２〜１０ ”
Ｔ ｏｒｒに設定された状態で真空封じ窓３からパル
スレーザ−光がフィルム８上に照射されて反応性レーザ
ースパッタが行われる。
この実施例によれば、反応性レーザースパッタを行いな
がら同じ真空槽ｌ内でフィルム８上に安定して蒸着する
ことができる。
がら同じ真空槽ｌ内でフィルム８上に安定して蒸着する
ことができる。
発明の効果
本発明によれば、レーザーから出力されたレーザー光は
真空封じ窓及びフィルムを透過してフィルム上の蒸着材
料をスパッタし、対向して位置する基板台上の基板に材
料が付着し、それ同時に蒸着材料の蒸発によってフィル
ムを透過したレーザー光が基板の表面を照射して活性化
させることによって底膜が促進され、膜品質が向上する
。また、真空封じ窓とは反対側のフィルム表面に蒸着さ
れた材料が真空封じ窓とは反対側にスバ・ンタされるの
で、スパッタ物が真空封じ窓に付着し難くなり、レーザ
ー光を安定して長時間照射することができる。
真空封じ窓及びフィルムを透過してフィルム上の蒸着材
料をスパッタし、対向して位置する基板台上の基板に材
料が付着し、それ同時に蒸着材料の蒸発によってフィル
ムを透過したレーザー光が基板の表面を照射して活性化
させることによって底膜が促進され、膜品質が向上する
。また、真空封じ窓とは反対側のフィルム表面に蒸着さ
れた材料が真空封じ窓とは反対側にスバ・ンタされるの
で、スパッタ物が真空封じ窓に付着し難くなり、レーザ
ー光を安定して長時間照射することができる。
又、フィルム上に異なった材質の成膜材料を積層して形
成しておくことによってこれらの材料が同時に確実にス
パッタされ、均一な組成の合金又は化合物を形成するこ
とができる。
成しておくことによってこれらの材料が同時に確実にス
パッタされ、均一な組成の合金又は化合物を形成するこ
とができる。
また、同一真空槽内で材料の蒸着と、その蒸着材料のス
パッタリングを行うことによって酸化物や不純物の混入
を少なくすることができ、品質のよいｙｉ膜を形成でき
、さらにその蒸着室とスパッタリング室とを仕切り、ス
パッタリング室に反応性ガスを導入するとともに各室毎
にガス圧力制御行うことによって反応性レーザースパッ
タを行うこともできる等、大なる効果を発揮する。
パッタリングを行うことによって酸化物や不純物の混入
を少なくすることができ、品質のよいｙｉ膜を形成でき
、さらにその蒸着室とスパッタリング室とを仕切り、ス
パッタリング室に反応性ガスを導入するとともに各室毎
にガス圧力制御行うことによって反応性レーザースパッ
タを行うこともできる等、大なる効果を発揮する。
第１図は本発明の第１実施例の概略構成図、第２図は同
フィルムのレーザー光照財部の拡大断面図、第３図は本
発明の第２実施例の概略構成図、第４図は本発明の第３
実施例の要部の概略構成図、第５図は本発明の第４実施
例の概略構成図、第６図は従来例の概略構成図である。 １・・・・・・真空槽、２．２ａ、２ｂ・・・・・・真
空排気系３・・・・・・真空封じ窓、４・・・・・・基
板台、５・・・・・・基板６・・・・・・巻き戻しリー
ル、７・・・・・・巻き取りリール８・・・・・・フィ
ルム、９・・・・・・蒸着層、９ａ・・・・・・第１華
着層、９ｂ・・・・・・第２蒸着層、１０・・・・・・
レーザー１３・・・・・・レーザー光、１４・・・・・
・蒸発源、１６・・・・・・仕切壁、１７・・・・・・
蒸着室、１日・・・・・・スパッタリング室、１９・・
・・・・反応性ガス導入手段。 第 １ 図 第 図 第 図 第 図 １
フィルムのレーザー光照財部の拡大断面図、第３図は本
発明の第２実施例の概略構成図、第４図は本発明の第３
実施例の要部の概略構成図、第５図は本発明の第４実施
例の概略構成図、第６図は従来例の概略構成図である。 １・・・・・・真空槽、２．２ａ、２ｂ・・・・・・真
空排気系３・・・・・・真空封じ窓、４・・・・・・基
板台、５・・・・・・基板６・・・・・・巻き戻しリー
ル、７・・・・・・巻き取りリール８・・・・・・フィ
ルム、９・・・・・・蒸着層、９ａ・・・・・・第１華
着層、９ｂ・・・・・・第２蒸着層、１０・・・・・・
レーザー１３・・・・・・レーザー光、１４・・・・・
・蒸発源、１６・・・・・・仕切壁、１７・・・・・・
蒸着室、１日・・・・・・スパッタリング室、１９・・
・・・・反応性ガス導入手段。 第 １ 図 第 図 第 図 第 図 １
Claims (4)
- （１）真空槽と、レーザー光を出力するレーザーと、レ
ーザー光を真空槽内に導入するように真空槽に設けられ
た真空封じ窓と、基板に形成すべき薄膜の材料を蒸着さ
れたレーザー透過率の高いフィルムを、その薄膜材料側
を真空封じ窓とは反対側に向けて真空封じ窓の内側位置
を通るように移送するフィルム移送手段と、前記フィル
ムを間に挟んで前記真空封じ窓と対向するように配置さ
れた基板台とを備えたことを特徴とするレーザースパッ
タリング装置。 - （２）フィルムに材質の異なる複数の材料が積層して蒸
着されていることを特徴とする請求項１記載のレーザー
スパッタリング装置。 - （３）真空槽内に、フィルムに蒸着される材料の蒸発源
を配設し、真空槽内でフィルムに材料が蒸着されるよう
にしたことを特徴とする請求項１又は２記載のレーザー
スパッタリング装置。 - （４）真空槽内を、フィルムに材料を蒸着する蒸着室と
フィルムに蒸着された材料にレーザー光を照射してスパ
ッタを行うスパッタリング室とに、フィルムの通過を許
す仕切壁にて区画するとともに、各室に真空排気手段を
設け、スパッタリング室に反応性ガスの導入手段を設け
たことを特徴とする請求項３記載のレーザースパッタリ
ング装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1197747A JPH0361366A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | レーザースパッタリング装置 |
| US07/559,270 US5065697A (en) | 1989-07-28 | 1990-07-27 | Laser sputtering apparatus |
| KR1019900011497A KR920004848B1 (ko) | 1989-07-28 | 1990-07-27 | 레이저 스퍼터링장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1197747A JPH0361366A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | レーザースパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0361366A true JPH0361366A (ja) | 1991-03-18 |
Family
ID=16379670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1197747A Pending JPH0361366A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | レーザースパッタリング装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5065697A (ja) |
| JP (1) | JPH0361366A (ja) |
| KR (1) | KR920004848B1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013503969A (ja) * | 2009-09-04 | 2013-02-04 | フオン・アルデンネ・アンラーゲンテヒニク・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング | 気相から基板を被覆するための方法及び装置 |
| US8911555B2 (en) | 2009-02-05 | 2014-12-16 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Method and device for coating substrates from the vapor phase |
| TWI551200B (zh) * | 2013-09-05 | 2016-09-21 | Fujikura Ltd | A printed circuit board and a connector for connecting the circuit board |
| TWI551203B (zh) * | 2013-09-05 | 2016-09-21 | Fujikura Ltd | A printed circuit board and a connector for connecting the circuit board |
| TWI551202B (zh) * | 2013-09-05 | 2016-09-21 | Fujikura Ltd | A printed circuit board and a connector for connecting the circuit board |
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| WO1991005342A1 (en) * | 1989-09-28 | 1991-04-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical data recording medium and method of producing the same |
| US5211824A (en) * | 1991-10-31 | 1993-05-18 | Siemens Solar Industries L.P. | Method and apparatus for sputtering of a liquid |
| DE4203631C2 (de) * | 1992-02-08 | 2000-06-08 | Leybold Ag | Vorrichtung für die Behandlung einer Oxidschicht |
| JPH05331632A (ja) * | 1992-06-01 | 1993-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザーアブレーション装置と薄膜形成方法 |
| DE4232373A1 (de) * | 1992-09-03 | 1994-03-10 | Deutsche Forsch Luft Raumfahrt | Verfahren zum Auftragen strukturierter Schichten |
| US5420437A (en) * | 1994-01-11 | 1995-05-30 | Siess; Harold E. | Method and apparatus for generation and implantation of ions |
| US5904961A (en) * | 1997-01-24 | 1999-05-18 | Eastman Kodak Company | Method of depositing organic layers in organic light emitting devices |
| US6709720B2 (en) * | 1997-03-21 | 2004-03-23 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Marking method and marking material |
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| US7581511B2 (en) | 2003-10-10 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes |
| US8133554B2 (en) * | 2004-05-06 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces |
| US7699932B2 (en) | 2004-06-02 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces |
| US7478637B2 (en) * | 2004-11-09 | 2009-01-20 | Philip Morris Usa Inc. | Continuous process for surface modification of cigarette filter materials |
| KR20060081015A (ko) * | 2005-01-06 | 2006-07-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 진공 증착기 |
| JP4849829B2 (ja) * | 2005-05-15 | 2012-01-11 | 株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメント | センタ装置 |
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| TW201205761A (en) * | 2010-05-17 | 2012-02-01 | Tno | Through silicon via treatment device and method arranged for treatment of TSVs in a chip manufacturing process |
Citations (2)
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| JPS63103031A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-07 | Chiyoe Yamanaka | レ−ザ−ウラン濃縮用のウラン原子蒸気発生方法とウラン原子蒸気発生装置及び金属ウランタ−ゲツト体 |
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|---|---|---|---|---|
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| US4588674A (en) * | 1982-10-14 | 1986-05-13 | Stewart Malcolm J | Laser imaging materials comprising carbon black in overlayer |
| DE3472574D1 (en) * | 1983-10-14 | 1988-08-11 | Hitachi Ltd | Process for forming an organic thin film |
-
1989
- 1989-07-28 JP JP1197747A patent/JPH0361366A/ja active Pending
-
1990
- 1990-07-27 KR KR1019900011497A patent/KR920004848B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-07-27 US US07/559,270 patent/US5065697A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
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| TWI551203B (zh) * | 2013-09-05 | 2016-09-21 | Fujikura Ltd | A printed circuit board and a connector for connecting the circuit board |
| TWI551202B (zh) * | 2013-09-05 | 2016-09-21 | Fujikura Ltd | A printed circuit board and a connector for connecting the circuit board |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920004848B1 (ko) | 1992-06-19 |
| US5065697A (en) | 1991-11-19 |
| KR910003141A (ko) | 1991-02-27 |
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