JPH11279748A - イオンプレーティング装置 - Google Patents
イオンプレーティング装置Info
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- JPH11279748A JPH11279748A JP8189198A JP8189198A JPH11279748A JP H11279748 A JPH11279748 A JP H11279748A JP 8189198 A JP8189198 A JP 8189198A JP 8189198 A JP8189198 A JP 8189198A JP H11279748 A JPH11279748 A JP H11279748A
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- vacuum vessel
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の元素からなる薄膜を精度良く形成する
イオンプレーティング装置を提供する。 【解決手段】 イオンプレーティング装置１０は真空容
器１１を有し、真空容器１１内に試料１４が配置されて
いる。真空容器１１にプラズマガン２０が設置され、真
空容器１１内に異なる材料を収納した複数のるつぼ１７
ａ，１７ｂ，１７ｃが設けらていいる。るつぼ１７ａ，
１７ｂ，１７ｃは搬送装置１６によって搬送され、所望
のるつぼ１７をプラズマガン２０からの放電プラズマビ
ームＰ内に配置することができる。
イオンプレーティング装置を提供する。 【解決手段】 イオンプレーティング装置１０は真空容
器１１を有し、真空容器１１内に試料１４が配置されて
いる。真空容器１１にプラズマガン２０が設置され、真
空容器１１内に異なる材料を収納した複数のるつぼ１７
ａ，１７ｂ，１７ｃが設けらていいる。るつぼ１７ａ，
１７ｂ，１７ｃは搬送装置１６によって搬送され、所望
のるつぼ１７をプラズマガン２０からの放電プラズマビ
ームＰ内に配置することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は試料面に複数の元素
からなる薄膜を形成するためのイオンプレーティング装
置に関する。
からなる薄膜を形成するためのイオンプレーティング装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】試料面に薄膜を形成するイオンプレーテ
ィング装置として、内部に試料が配置された真空容器
と、この真空容器内に配置され内部に同一材料を収納し
たるつぼと、を備えたものが知られている。
ィング装置として、内部に試料が配置された真空容器
と、この真空容器内に配置され内部に同一材料を収納し
たるつぼと、を備えたものが知られている。
【０００３】このようなイオンプレーティング装置にお
いて、真空容器に設置されたプラズマガンから放電プラ
ズマビームがるつぼに対して照射される。このように、
放電プラズマビームがるつぼに対して照射されると、る
つぼ内の材料が加熱されて蒸発し、試料面に蒸着され
る。
いて、真空容器に設置されたプラズマガンから放電プラ
ズマビームがるつぼに対して照射される。このように、
放電プラズマビームがるつぼに対して照射されると、る
つぼ内の材料が加熱されて蒸発し、試料面に蒸着され
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述のように試料面に
薄膜を形成する場合は、プラズマガンからの放電プラズ
マビームをるつぼに対して照射し、各るつぼ内の材料を
蒸発させ、試料面にこれらの材料を蒸着させている。
薄膜を形成する場合は、プラズマガンからの放電プラズ
マビームをるつぼに対して照射し、各るつぼ内の材料を
蒸発させ、試料面にこれらの材料を蒸着させている。
【０００５】しかしながら、従来のイオンプレーティン
グ装置では、複数の元素からなる薄膜を所望の膜厚で精
度良く形成することはむずかしい。
グ装置では、複数の元素からなる薄膜を所望の膜厚で精
度良く形成することはむずかしい。
【０００６】本発明はこのような点を考慮してなされた
ものであり、所望の組成を有する合金または化合物の薄
膜を所望の膜厚で形成することができるイオンプレーテ
ィング装置を提供することを目的とする。
ものであり、所望の組成を有する合金または化合物の薄
膜を所望の膜厚で形成することができるイオンプレーテ
ィング装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、内部上方に試
料が配置された真空容器と、真空容器に設けられるとと
もに、放電プラズマビームを発生させるプラズマガン
と、真空容器内に配置され、内部に互いに異なる材料を
収納した複数のるつぼと、各るつぼを搬送可能に保持す
るとともに、いずれかのるつぼを放電プラズマビーム内
に配置する搬送装置と、を備えたことを特徴とするイオ
ンプレーティング装置である。
料が配置された真空容器と、真空容器に設けられるとと
もに、放電プラズマビームを発生させるプラズマガン
と、真空容器内に配置され、内部に互いに異なる材料を
収納した複数のるつぼと、各るつぼを搬送可能に保持す
るとともに、いずれかのるつぼを放電プラズマビーム内
に配置する搬送装置と、を備えたことを特徴とするイオ
ンプレーティング装置である。
【０００８】本発明によれば、プラズマガンから放電プ
ラズマビームを発生させる。次に搬送装置によりるつぼ
を搬送させていずれかのるつぼを放電プラズマビーム内
に配置させることにより、当該るつぼ内の材料を蒸発さ
せて試料表面に薄膜を形成することができる。次に搬送
装置によりるつぼを搬送させて他のるつぼ内の材料を蒸
発させる。このことにより試料表面に順次薄膜を積層す
ることができる。
ラズマビームを発生させる。次に搬送装置によりるつぼ
を搬送させていずれかのるつぼを放電プラズマビーム内
に配置させることにより、当該るつぼ内の材料を蒸発さ
せて試料表面に薄膜を形成することができる。次に搬送
装置によりるつぼを搬送させて他のるつぼ内の材料を蒸
発させる。このことにより試料表面に順次薄膜を積層す
ることができる。
【０００９】また、本発明は、真空容器内の放電プラズ
マビーム外方に位置するるつぼに対応して、当該るつぼ
の上方を覆うカバーを設けたことを特徴とする請求項１
記載のイオンプレーティング装置である。
マビーム外方に位置するるつぼに対応して、当該るつぼ
の上方を覆うカバーを設けたことを特徴とする請求項１
記載のイオンプレーティング装置である。
【００１０】本発明によれば、各プラズマガンから放電
プラズマビームを発生させる。このことにより各プラズ
マガンに対応するるつぼ内の材料を蒸発させて、試料表
面に薄膜を形成することができる。
プラズマビームを発生させる。このことにより各プラズ
マガンに対応するるつぼ内の材料を蒸発させて、試料表
面に薄膜を形成することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【００１２】図１は本発明によるイオンプレーティング
装置の第１の実施の形態を示す図である。
装置の第１の実施の形態を示す図である。
【００１３】図１に示すように、イオンプレーティング
装置１０は真空容器１１と、真空容器１１内に配置され
内部に互いに異なる材料を収納した複数のるつぼ１７
ａ，１７ｂ，１７ｃと、真空容器１１に設けられるとと
もに放電プラズマビームＰを発生させるプラズマガン２
０とを備えている。
装置１０は真空容器１１と、真空容器１１内に配置され
内部に互いに異なる材料を収納した複数のるつぼ１７
ａ，１７ｂ，１７ｃと、真空容器１１に設けられるとと
もに放電プラズマビームＰを発生させるプラズマガン２
０とを備えている。
【００１４】このうち真空容器１１は反応ガスが供給さ
れる反応ガス供給口１２と、真空排気口１３とを有し、
真空容器１１の内部上方には試料１４が配置されてい
る。またこの試料１４は、イオン集積電源１５に接続さ
れている。
れる反応ガス供給口１２と、真空排気口１３とを有し、
真空容器１１の内部上方には試料１４が配置されてい
る。またこの試料１４は、イオン集積電源１５に接続さ
れている。
【００１５】またるつぼ１７ａ，１７ｂ，１７ｃは、各
々搬送装置１６によって保持され、搬送装置１６は各る
つぼ１７ａ，１７ｂ，１７ｃを搬送して、るつぼ１７
ａ，１７ｂ，１７ｃのうちいずれか、例えばるつぼ１７
ａを放電プラズマビームＰ内に配置するようになってい
る。また、真空容器１１内には放電プラズマビームＰが
通過する開口１８ａを有するカバー１８が設けられ、こ
のカバー１８によって放電プラズマビームＰ外方に位置
するるつぼ、例えばるつぼ１７ｂ，１７ｃの上方を覆う
ようになっている。
々搬送装置１６によって保持され、搬送装置１６は各る
つぼ１７ａ，１７ｂ，１７ｃを搬送して、るつぼ１７
ａ，１７ｂ，１７ｃのうちいずれか、例えばるつぼ１７
ａを放電プラズマビームＰ内に配置するようになってい
る。また、真空容器１１内には放電プラズマビームＰが
通過する開口１８ａを有するカバー１８が設けられ、こ
のカバー１８によって放電プラズマビームＰ外方に位置
するるつぼ、例えばるつぼ１７ｂ，１７ｃの上方を覆う
ようになっている。
【００１６】さらに試料１４の下方近傍には、試料表面
に形成される薄膜の厚みを測定するための膜厚計３２が
設けられている。
に形成される薄膜の厚みを測定するための膜厚計３２が
設けられている。
【００１７】次に、プラズマガン２０について詳述す
る。プラズガン２０はタンタルＴａからなるパイプ２５
と、ＬａＢ６製の円盤状複合陰極２１とを有している。
このうちパイプ２５は、アルゴンＡｒなどの不活性ガス
からなるキャリアガスをプラズマガン２０内に導入する
ものである。
る。プラズガン２０はタンタルＴａからなるパイプ２５
と、ＬａＢ６製の円盤状複合陰極２１とを有している。
このうちパイプ２５は、アルゴンＡｒなどの不活性ガス
からなるキャリアガスをプラズマガン２０内に導入する
ものである。
【００１８】またプラズマビームを収束する為に、複合
陰極２１の下流側に中間電極２２が設けられている。ま
た、中間電極２２の周囲には複合陰極２１から生じた放
電プラズマビームＰを真空容器１１内に導くためのステ
アリングコイル２３が設けられている。また、プラズマ
ガン２０の複合陰極２１は放電電極２４の負側に接続さ
れている。
陰極２１の下流側に中間電極２２が設けられている。ま
た、中間電極２２の周囲には複合陰極２１から生じた放
電プラズマビームＰを真空容器１１内に導くためのステ
アリングコイル２３が設けられている。また、プラズマ
ガン２０の複合陰極２１は放電電極２４の負側に接続さ
れている。
【００１９】なお、中間電極２２は第１中間電極２２ａ
と、第１中間電極２２ａの下流側に位置する第２中間電
極２２ｂとからなっている。
と、第１中間電極２２ａの下流側に位置する第２中間電
極２２ｂとからなっている。
【００２０】また真空容器１１内の複数のるつぼ１７
ａ，１７ｂ，１７ｃ内には互いに異なる材料が収納さ
れ、例えばＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）ペレット
のような蒸発材料が入っている。また放電プラズマビー
ムＰが照射されるるつぼ１７ａの底部には、放電プラズ
マビームＰを引き込む為のアノード磁石１９が設置され
ている。また放電プラズマビームＰが照射されるるつぼ
１７ａは抵抗（図示せず）を介して、放電電極２４の正
側に接続され、プラズマガン２０に対して放電プラズマ
ビームＰが吸収される陽極を構成している。
ａ，１７ｂ，１７ｃ内には互いに異なる材料が収納さ
れ、例えばＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）ペレット
のような蒸発材料が入っている。また放電プラズマビー
ムＰが照射されるるつぼ１７ａの底部には、放電プラズ
マビームＰを引き込む為のアノード磁石１９が設置され
ている。また放電プラズマビームＰが照射されるるつぼ
１７ａは抵抗（図示せず）を介して、放電電極２４の正
側に接続され、プラズマガン２０に対して放電プラズマ
ビームＰが吸収される陽極を構成している。
【００２１】次に、このような構成からなる本実施の形
態の作用について説明する。まず、パイプ２５からＡｒ
を含むキャリアガスがプラズマガン２０内に導入され
る。次に放電電極２４によりプラズマガン２０の複合陰
極２６と真空容器１１内のるつぼ１７ａとの間に電圧が
印加されて、複合電極２１とるつぼ１８ａ間で放電が生
じ、これにより複合陰極２１から放電プラズマビームＰ
が生成される。この放電プラズマビームＰは中間電極２
２によって収束された後、ステアリングコイル２３とア
ノード磁石１９により決定される磁界に導かれて放電プ
ラズマビームＰが照射されるるつぼ１７ａに到達する。
この場合、るつぼ１７ａに入っている材料は、放電プラ
ズマビームＰにより加熱されて蒸発する。次に蒸発粒子
は、放電プラズマビームＰによりイオン化され、試料１
４の表面に付着し薄膜を形成する。
態の作用について説明する。まず、パイプ２５からＡｒ
を含むキャリアガスがプラズマガン２０内に導入され
る。次に放電電極２４によりプラズマガン２０の複合陰
極２６と真空容器１１内のるつぼ１７ａとの間に電圧が
印加されて、複合電極２１とるつぼ１８ａ間で放電が生
じ、これにより複合陰極２１から放電プラズマビームＰ
が生成される。この放電プラズマビームＰは中間電極２
２によって収束された後、ステアリングコイル２３とア
ノード磁石１９により決定される磁界に導かれて放電プ
ラズマビームＰが照射されるるつぼ１７ａに到達する。
この場合、るつぼ１７ａに入っている材料は、放電プラ
ズマビームＰにより加熱されて蒸発する。次に蒸発粒子
は、放電プラズマビームＰによりイオン化され、試料１
４の表面に付着し薄膜を形成する。
【００２２】次に搬送装置１６によって、各るつぼ１７
ａ，１７ｂ，１７ｃが搬送され、例えばるつぼ１７ｂが
放電プラズマビームＰ内に配置される。その後、るつぼ
１７ｂ内の材料が、前述と同様にして試料１４の表面に
付着し、るつぼ１７ａ内の材料からなる薄膜上に、るつ
ぼ１７ｂ内の材料からなる薄膜が積層される。このよう
にして、試料１４の表面に積層された薄膜を形成するこ
とができる。
ａ，１７ｂ，１７ｃが搬送され、例えばるつぼ１７ｂが
放電プラズマビームＰ内に配置される。その後、るつぼ
１７ｂ内の材料が、前述と同様にして試料１４の表面に
付着し、るつぼ１７ａ内の材料からなる薄膜上に、るつ
ぼ１７ｂ内の材料からなる薄膜が積層される。このよう
にして、試料１４の表面に積層された薄膜を形成するこ
とができる。
【００２３】この間、放電プラズマビームＰの外方に配
置されたるつぼ１７ａ，１７ｂ，１７ｃはカバー１８に
よって覆われるため、るつぼ１７ａ，１７ｂ，１７ｃ内
に他の材料が混入することはない。
置されたるつぼ１７ａ，１７ｂ，１７ｃはカバー１８に
よって覆われるため、るつぼ１７ａ，１７ｂ，１７ｃ内
に他の材料が混入することはない。
【００２４】次に本発明の第２の実施の形態について、
図２乃至図４により説明する。
図２乃至図４により説明する。
【００２５】図２乃至図４に示す第２の実施の形態は、
真空容器１１内に、内部に互いに異なる材料を収納した
複数のるつぼ１７ａ，１７ｂを固定配置するとともに、
真空容器１１に各るつぼ１７ａ，１７ｂに対応して放電
プラズマビームＰを発生させるプラズマガン２０ａ，２
０ｂを設けたものである。図２乃至図４において、図１
に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付し
て詳細な説明を省略する。
真空容器１１内に、内部に互いに異なる材料を収納した
複数のるつぼ１７ａ，１７ｂを固定配置するとともに、
真空容器１１に各るつぼ１７ａ，１７ｂに対応して放電
プラズマビームＰを発生させるプラズマガン２０ａ，２
０ｂを設けたものである。図２乃至図４において、図１
に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付し
て詳細な説明を省略する。
【００２６】図２乃至図４において、プラズマガン２０
ａ，２０ｂは、第１の実施の形態のプラズマガン２０と
同様の構成を有している。また、各るつぼ１７ａ，１７
ｂの近傍には、磁石３１ａ，３１ｂが各々設けられ、さ
らに真空容器１１内には真空容器１１内を各るつぼ１７
ａ，１７ｂ毎に区画する遮へい板３０が垂直方向に設け
られている。さらにこの遮へい板３０には、磁石３３が
接続されている。
ａ，２０ｂは、第１の実施の形態のプラズマガン２０と
同様の構成を有している。また、各るつぼ１７ａ，１７
ｂの近傍には、磁石３１ａ，３１ｂが各々設けられ、さ
らに真空容器１１内には真空容器１１内を各るつぼ１７
ａ，１７ｂ毎に区画する遮へい板３０が垂直方向に設け
られている。さらにこの遮へい板３０には、磁石３３が
接続されている。
【００２７】また、各るつぼ１７ａ，１７ｂの上方に
は、プラズマガン２０ａ，２０ｂからの放電プラズマビ
ームＰが通過する開口１８ａを有するカバー１８が設け
られ、るつぼ１７ａ，１７ｂ内への不純物の混入を防止
している。
は、プラズマガン２０ａ，２０ｂからの放電プラズマビ
ームＰが通過する開口１８ａを有するカバー１８が設け
られ、るつぼ１７ａ，１７ｂ内への不純物の混入を防止
している。
【００２８】また遮へい板３０の上端部の両側には、各
るつぼ１７ａ，１７ｂからの蒸発材料の飛散を防止する
ための開閉自在シャッター３６，３６が各々水平方向に
設けられている。
るつぼ１７ａ，１７ｂからの蒸発材料の飛散を防止する
ための開閉自在シャッター３６，３６が各々水平方向に
設けられている。
【００２９】なお真空容器１１内の遮へい板３０によっ
て区画された領域にるつぼ１７ａ，１７ｂが設けられ、
各るつぼ１７ａ，１７ｂに対してプラズマガン２０ａ，
２０ｂが設置されている。このプラズマガン２０ａ，２
０ｂは真空容器１１の一側に並んで配置されているが
（図３参照）、プラズマガン２０ａ，２０ｂを真空容器
１１の一側に並んで配置させることなく、真空容器１１
の側壁に互いに対向して配置してもよい（図４参照）。
図４に示すようにプラズマガン２０ａ，２０ｂを配置し
た場合、放電プラズマビームＰをシート状に形成するこ
とにより大面積の成膜が可能となる。
て区画された領域にるつぼ１７ａ，１７ｂが設けられ、
各るつぼ１７ａ，１７ｂに対してプラズマガン２０ａ，
２０ｂが設置されている。このプラズマガン２０ａ，２
０ｂは真空容器１１の一側に並んで配置されているが
（図３参照）、プラズマガン２０ａ，２０ｂを真空容器
１１の一側に並んで配置させることなく、真空容器１１
の側壁に互いに対向して配置してもよい（図４参照）。
図４に示すようにプラズマガン２０ａ，２０ｂを配置し
た場合、放電プラズマビームＰをシート状に形成するこ
とにより大面積の成膜が可能となる。
【００３０】また、図２に示すように真空容器１１の上
部には、ホルダ３４によって支持された試料１４が配置
されており、またホルダ３４には試料１４を加熱するヒ
ータ３５が取付けられている。さらにまた、試料１４の
下方近傍には、膜厚計３２が、各るつぼ１７ａ，１７ｂ
に対応して設けられている。
部には、ホルダ３４によって支持された試料１４が配置
されており、またホルダ３４には試料１４を加熱するヒ
ータ３５が取付けられている。さらにまた、試料１４の
下方近傍には、膜厚計３２が、各るつぼ１７ａ，１７ｂ
に対応して設けられている。
【００３１】次にこのような構成からなる実施の形態の
作用について図２乃至図４により説明する。まず試料１
４表面に合金または化合物の薄膜を作製する場合、２つ
のシャッター１６，１６を閉めた状態で、２つのプラズ
マガン２０ａ，２０ｂから同時に放電プラズマビームＰ
を発生させ、２つのるつぼ１７ａ，１７ｂ内の蒸発材料
に蒸発させる。
作用について図２乃至図４により説明する。まず試料１
４表面に合金または化合物の薄膜を作製する場合、２つ
のシャッター１６，１６を閉めた状態で、２つのプラズ
マガン２０ａ，２０ｂから同時に放電プラズマビームＰ
を発生させ、２つのるつぼ１７ａ，１７ｂ内の蒸発材料
に蒸発させる。
【００３２】このとき、遮へい板３０により、一方のる
つぼ１７ａの蒸発材料の粒子は試料１４に到達するが、
他方るつぼ１７ｂ側へは進入しない。
つぼ１７ａの蒸発材料の粒子は試料１４に到達するが、
他方るつぼ１７ｂ側へは進入しない。
【００３３】また、一方のるつぼ１７ａ側の膜厚計３２
には、他方のるつぼ１７ｂ内の蒸発材料が入射すること
はない。このように遮へい板３０の設置位置は、上記の
ように試料１４上には２つのるつぼ１７ａ，１７ｂから
の蒸発材料が到達するが、膜厚計３２にはそれに対応し
たるつぼ１７ａ，１７ｂ内の材料のみが到達するような
位置に調節される。これにより、各々のるつぼ１７ａ，
１７ｂ内の材料の蒸発速度を独立に制御することが可能
となる。
には、他方のるつぼ１７ｂ内の蒸発材料が入射すること
はない。このように遮へい板３０の設置位置は、上記の
ように試料１４上には２つのるつぼ１７ａ，１７ｂから
の蒸発材料が到達するが、膜厚計３２にはそれに対応し
たるつぼ１７ａ，１７ｂ内の材料のみが到達するような
位置に調節される。これにより、各々のるつぼ１７ａ，
１７ｂ内の材料の蒸発速度を独立に制御することが可能
となる。
【００３４】次に各々のるつぼ１７ａ，１７ｂ内の材料
の蒸発速度が所望の速度になったら、２つのシャッター
３６，３６を同時に開けて試料１４に対して成膜を行
う。これにより、所望の組成の合金または化合物の薄膜
を試料１４表面に形成することができる。
の蒸発速度が所望の速度になったら、２つのシャッター
３６，３６を同時に開けて試料１４に対して成膜を行
う。これにより、所望の組成の合金または化合物の薄膜
を試料１４表面に形成することができる。
【００３５】すなわち、各るつぼ１７ａ，１７ｂ内に収
納された異なる材料が試料１４表面に到達し、各材料の
粒子により合金または化合物からなる薄膜を試料１４表
面に形成することができる。
納された異なる材料が試料１４表面に到達し、各材料の
粒子により合金または化合物からなる薄膜を試料１４表
面に形成することができる。
【００３６】他方、材料１４表面に異なる材料からなる
薄膜を各層に形成する場合は、２つのシャッター１６を
交互に開閉する、このことにより、一方のるつぼ１７ａ
内の材料からなる薄膜と、他方のるつぼ１７ｂ内の材料
からなる薄膜を試料１４表面に積層した状態で形成する
ことができる。
薄膜を各層に形成する場合は、２つのシャッター１６を
交互に開閉する、このことにより、一方のるつぼ１７ａ
内の材料からなる薄膜と、他方のるつぼ１７ｂ内の材料
からなる薄膜を試料１４表面に積層した状態で形成する
ことができる。
【００３７】ところで図２に示すように、各るつぼ１７
ａ，１７ｂからの蒸発材料は、領域Ｍを通って上方へ蒸
発していく。この場合、遮へい板３０によって各るつぼ
１７ａ，１７ｂからの蒸発材料が到達する範囲はきわめ
て狭く、このため試料１４の形状はこの範囲内に収まる
ものとなっている。
ａ，１７ｂからの蒸発材料は、領域Ｍを通って上方へ蒸
発していく。この場合、遮へい板３０によって各るつぼ
１７ａ，１７ｂからの蒸発材料が到達する範囲はきわめ
て狭く、このため試料１４の形状はこの範囲内に収まる
ものとなっている。
【００３８】しかしながら、図５に示すように、各るつ
ぼ１７ａ，１７ｂの形状を細長状とし、細長状のるつぼ
１７ａ，１７ｂに対して直交する方向に試料１４をホル
ダ３４により真空容器１１内で搬送することにより、大
形状の試料１４に対しても薄膜を確実に形成することが
できる。また、試料１４をシート状に形成し、このシー
ト状試料を連続的に真空容器１１内に供給してもよい。
ぼ１７ａ，１７ｂの形状を細長状とし、細長状のるつぼ
１７ａ，１７ｂに対して直交する方向に試料１４をホル
ダ３４により真空容器１１内で搬送することにより、大
形状の試料１４に対しても薄膜を確実に形成することが
できる。また、試料１４をシート状に形成し、このシー
ト状試料を連続的に真空容器１１内に供給してもよい。
【００３９】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例について説明す
る。実施例１ 実施例１はＭｇＯ−ソーダガラス混合膜を同時蒸着によ
り作成するものであり、図２乃至図４に示す実施の形態
に対応する。 試料：コーニング社＃１７３７ガラス 成膜条件： プラズマガン１（対応するるつぼ内の材料：ソーダガラス） 放電電力：５ｋＷ Ａｒ流量：２０sccm 蒸発レート：９オングストローム／sec プラズマガン２（対応するるつぼ内の材料：ＭｇＯ） 放電電力：１０ｋＷ Ａｒ流量：２０sccm 蒸発レート：２１オングストローム／sec 蒸着レートが、ソーダガラス：ＭｇＯ＝３：７となったら、シャッター３６， ３６を同時にあけて成膜を行った。 膜厚：５０００オングストローム 成膜圧力：６×１０-4Torr 成膜時間：３分 基板加熱無し。 このようにして試料上に良好なＭｇＯ−ソーダガラス混
合膜が得られた。
る。実施例１ 実施例１はＭｇＯ−ソーダガラス混合膜を同時蒸着によ
り作成するものであり、図２乃至図４に示す実施の形態
に対応する。 試料：コーニング社＃１７３７ガラス 成膜条件： プラズマガン１（対応するるつぼ内の材料：ソーダガラス） 放電電力：５ｋＷ Ａｒ流量：２０sccm 蒸発レート：９オングストローム／sec プラズマガン２（対応するるつぼ内の材料：ＭｇＯ） 放電電力：１０ｋＷ Ａｒ流量：２０sccm 蒸発レート：２１オングストローム／sec 蒸着レートが、ソーダガラス：ＭｇＯ＝３：７となったら、シャッター３６， ３６を同時にあけて成膜を行った。 膜厚：５０００オングストローム 成膜圧力：６×１０-4Torr 成膜時間：３分 基板加熱無し。 このようにして試料上に良好なＭｇＯ−ソーダガラス混
合膜が得られた。
【００４０】実施例２ 実施例２は反射防止膜用ＩＴＯ−ＳｉＯ2 多層膜を作成
するものであり、図２乃至図４に示す実施の形態に対応
する。 試料：ＰＥＴフィルム（東レ ルミラーＴ６０ １００μｍ） 成膜条件： プラズマガン１（対応するるつぼ内の材料：ＩＴＯ） 放電電力：４ｋＷ Ａｒ流量：２０sccm Ｏ2 流量：２０sccm 蒸発レート：２５オングストローム／sec 基板加熱なし ＩＴＯ膜の屈折率：２ プラズマガン２（対応するるつぼ内の材料：ＳｉＯ2 ） 放電電力：５ｋＷ Ａｒ流量：２０sccm 蒸発レート：１０オングストローム／ｓ 基板加熱なし ＳｉＯ2 膜の屈折率：１．４８ 成膜圧力：９×１０-4Torr 成膜方法： プラズマガン１で、まずＩＴＯ膜を１００Ａ成膜する。 プラズマガン２で、ＳｉＯ2 膜を１００Ａ成膜する。 プラズマガン１で、ＩＴＯ膜を１２００Ａ成膜する。 プラズマガン２で、ＳｉＯ2 膜を８００Ａ成膜する。 このようにして、試料上に良好なＩＴＯ膜およびＳｉＯ
2 膜を多層に形成することができた。
するものであり、図２乃至図４に示す実施の形態に対応
する。 試料：ＰＥＴフィルム（東レ ルミラーＴ６０ １００μｍ） 成膜条件： プラズマガン１（対応するるつぼ内の材料：ＩＴＯ） 放電電力：４ｋＷ Ａｒ流量：２０sccm Ｏ2 流量：２０sccm 蒸発レート：２５オングストローム／sec 基板加熱なし ＩＴＯ膜の屈折率：２ プラズマガン２（対応するるつぼ内の材料：ＳｉＯ2 ） 放電電力：５ｋＷ Ａｒ流量：２０sccm 蒸発レート：１０オングストローム／ｓ 基板加熱なし ＳｉＯ2 膜の屈折率：１．４８ 成膜圧力：９×１０-4Torr 成膜方法： プラズマガン１で、まずＩＴＯ膜を１００Ａ成膜する。 プラズマガン２で、ＳｉＯ2 膜を１００Ａ成膜する。 プラズマガン１で、ＩＴＯ膜を１２００Ａ成膜する。 プラズマガン２で、ＳｉＯ2 膜を８００Ａ成膜する。 このようにして、試料上に良好なＩＴＯ膜およびＳｉＯ
2 膜を多層に形成することができた。
【００４１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、試料表面
に複数の元素からなる薄膜を所望の膜厚で精度良く形成
することができる。
に複数の元素からなる薄膜を所望の膜厚で精度良く形成
することができる。
【図１】本発明によるイオンプレーティング装置の第１
の実施の形態を示す側面図。
の実施の形態を示す側面図。
【図２】本発明によるイオンプレーティング装置の第２
の実施の形態を示す側面図。
の実施の形態を示す側面図。
【図３】図２に示すイオンプレーティング装置を示す平
面図。
面図。
【図４】イオンプレーティング装置の変形例を示す平面
図。
図。
【図５】イオンプレーティング装置の変形例を示す平面
図。
図。
１０ イオンプレーティング装置 １１ 真空容器 １４ 試料 １６ 搬送装置 １７ａ，１７ｂ，１７ｃ るつぼ １８ カバー ２０ プラズマガン ３０ 遮へい板
Claims (5)
- 【請求項１】内部上方に試料が配置された真空容器と、 真空容器に設けられるとともに、放電プラズマビームを
発生させるプラズマガンと、 真空容器内に配置され、内部に互いに異なる材料を収納
した複数のるつぼと、 各るつぼを搬送可能に保持するとともに、いずれかのる
つぼを放電プラズマビーム内に配置する搬送装置と、 を備えたことを特徴とするイオンプレーティング装置。 - 【請求項２】真空容器内の放電プラズマビーム外方に位
置するるつぼに対応して、当該るつぼの上方を覆うカバ
ーを設けたことを特徴とする請求項１記載のイオンプレ
ーティング装置。 - 【請求項３】内部上方に試料が配置された真空容器と、 真空容器内に配置され、内部に互いに異なる材料を収納
した複数のるつぼと、 真空容器に各るつぼに対応して設けられるとともに、放
電プラズマビームを発生させるプラズマガンと、 真空容器内を各るつぼ毎に区画する遮へい板と、 を備えたことを特徴とするイオンプレーティング装置。 - 【請求項４】真空容器内に、各るつぼ上方を開閉自在に
覆うシャッタを設けたことを特徴とする請求項３記載の
イオンプレーティング装置。 - 【請求項５】真空容器内に、各るつぼに対応して膜厚計
を設置したことを特徴とする請求項３記載のイオンプレ
ーティング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8189198A JPH11279748A (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | イオンプレーティング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8189198A JPH11279748A (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | イオンプレーティング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11279748A true JPH11279748A (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=13759076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8189198A Pending JPH11279748A (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | イオンプレーティング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11279748A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010084153A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-04-15 | Mitsubishi Materials Corp | 成膜方法および成膜装置 |
| JP4511629B2 (ja) * | 2007-05-30 | 2010-07-28 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| JP5416351B2 (ja) * | 2006-03-01 | 2014-02-12 | 新明和工業株式会社 | プラズマガン成膜装置及びその運転方法 |
| WO2020128510A1 (en) * | 2018-12-21 | 2020-06-25 | Loughborough University | Cover sheet for photovoltaic panel |
-
1998
- 1998-03-27 JP JP8189198A patent/JPH11279748A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5416351B2 (ja) * | 2006-03-01 | 2014-02-12 | 新明和工業株式会社 | プラズマガン成膜装置及びその運転方法 |
| JP4511629B2 (ja) * | 2007-05-30 | 2010-07-28 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| JPWO2008146844A1 (ja) * | 2007-05-30 | 2010-08-19 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜装置 |
| JP2010084153A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-04-15 | Mitsubishi Materials Corp | 成膜方法および成膜装置 |
| WO2020128510A1 (en) * | 2018-12-21 | 2020-06-25 | Loughborough University | Cover sheet for photovoltaic panel |
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| A521 | Written amendment |
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| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Effective date: 20080807 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Effective date: 20080829 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 |