JPH0625846A - 複合スパッタリング装置 - Google Patents
複合スパッタリング装置Info
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- JPH0625846A JPH0625846A JP4204283A JP20428392A JPH0625846A JP H0625846 A JPH0625846 A JP H0625846A JP 4204283 A JP4204283 A JP 4204283A JP 20428392 A JP20428392 A JP 20428392A JP H0625846 A JPH0625846 A JP H0625846A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、かかる従来品の課題を解決して試
料、例えば高速度鋼や超硬合金工具などの表面に安定し
た成膜をうることを可能とし、反応ガスや金属蒸気のイ
オン化を促進するためプラズマ電子銃によりプラズマを
形成する複合スパッタリング装置を提供することを目的
とする。 【構成】真空容器１内に反応ガスを導入し、さらにプラ
ズマ発生用電子銃３、該電子銃により蒸発される硬質被
膜形成用物質を容れる坩堝５、該硬質被膜が蒸着される
試料１２などの反応性イオンプレーティング装置として
の構成要素を具備する。さらに蒸発源としてマグネトロ
ンスパッタリングターゲット６を併設すると共に該マグ
ネトロンスパッタリングターゲット６の周囲にプラズマ
制御用コイル８を配置する。
料、例えば高速度鋼や超硬合金工具などの表面に安定し
た成膜をうることを可能とし、反応ガスや金属蒸気のイ
オン化を促進するためプラズマ電子銃によりプラズマを
形成する複合スパッタリング装置を提供することを目的
とする。 【構成】真空容器１内に反応ガスを導入し、さらにプラ
ズマ発生用電子銃３、該電子銃により蒸発される硬質被
膜形成用物質を容れる坩堝５、該硬質被膜が蒸着される
試料１２などの反応性イオンプレーティング装置として
の構成要素を具備する。さらに蒸発源としてマグネトロ
ンスパッタリングターゲット６を併設すると共に該マグ
ネトロンスパッタリングターゲット６の周囲にプラズマ
制御用コイル８を配置する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はイオンプレーティング及
びスパッタリングにより複合硬質薄膜を形成する装置に
関する。
びスパッタリングにより複合硬質薄膜を形成する装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来からＴｉＮなどの硬質材料のコーテ
ィング技術として、イオンプレーティングやスパッタリ
ングが用いられている。コーティング技術の発展に伴
い、例えば半導体製造分野や切削工具製造分野における
種々の要求に応じる必要が生じてきた。例えば近時ＮＣ
制御工作機械の普及に伴い、切削工具の切削能率の向上
と長寿命化が大きな課題となり、かかる要求に応じるべ
く上記のコーティング技術が利用されて来た。切削工具
においてはスローアウエイチップや金型などに代表され
る膜厚が１０μｍｍ程度の公差をもつものからエンドミ
ルやホブなどの精密工具への応用が進展し、それらの要
求精度も高められている。これらの処理にはＨＣＤ法や
アーク法に代表されるイオンプレーティング装置が用い
られてきているが、操業上の安定性を得るための蒸発源
の安定性は従来、μｍｍオーダのものであった。
ィング技術として、イオンプレーティングやスパッタリ
ングが用いられている。コーティング技術の発展に伴
い、例えば半導体製造分野や切削工具製造分野における
種々の要求に応じる必要が生じてきた。例えば近時ＮＣ
制御工作機械の普及に伴い、切削工具の切削能率の向上
と長寿命化が大きな課題となり、かかる要求に応じるべ
く上記のコーティング技術が利用されて来た。切削工具
においてはスローアウエイチップや金型などに代表され
る膜厚が１０μｍｍ程度の公差をもつものからエンドミ
ルやホブなどの精密工具への応用が進展し、それらの要
求精度も高められている。これらの処理にはＨＣＤ法や
アーク法に代表されるイオンプレーティング装置が用い
られてきているが、操業上の安定性を得るための蒸発源
の安定性は従来、μｍｍオーダのものであった。
【０００３】さらに、反応性を高め安定した複合物、例
えばＴｉＮやＴｉＡｌＮに代表される周期律表の４ａ、
５ａ、６ａ族の炭化物、窒化物、酸化物などを得ること
や３元系の膜を得るための開発も進められている。例え
ば母材の表面に異種の硬質材料をを複層状態にコーティ
ングすることによりかかる要求に応じるようにした切削
工具（例えば特公平１−３４７３８号公報参照）が発明
されており、かかる切削工具の製造には複数の蒸発源を
具えた複合スパッタリング装置を用いることができる。
例えば「Ｒ＆Ｄ神戸製鋼技報」Ｖｏｌ．３９、Ｎｏ．
１、１９８９年１月発行、第３７頁に開示されるよう
に、真空容器の上下２個所に硬質材料の蒸発源を設け、
基板を両蒸発源の中間に配置すると共に、上方に位置す
る蒸発源をアーク法により蒸発を行い、下方に位置する
蒸発源にはＨＣＤ（中空陰極放電）法による電子銃によ
り硬質被覆合金によって蒸発させるものが用いられてい
る。該電子銃からアルゴンガスを噴出させて、これによ
って蒸発原子を電離させている。これは蒸着前のイオン
ボンバードにアーク法における金属ボンバードを行うも
のである。
えばＴｉＮやＴｉＡｌＮに代表される周期律表の４ａ、
５ａ、６ａ族の炭化物、窒化物、酸化物などを得ること
や３元系の膜を得るための開発も進められている。例え
ば母材の表面に異種の硬質材料をを複層状態にコーティ
ングすることによりかかる要求に応じるようにした切削
工具（例えば特公平１−３４７３８号公報参照）が発明
されており、かかる切削工具の製造には複数の蒸発源を
具えた複合スパッタリング装置を用いることができる。
例えば「Ｒ＆Ｄ神戸製鋼技報」Ｖｏｌ．３９、Ｎｏ．
１、１９８９年１月発行、第３７頁に開示されるよう
に、真空容器の上下２個所に硬質材料の蒸発源を設け、
基板を両蒸発源の中間に配置すると共に、上方に位置す
る蒸発源をアーク法により蒸発を行い、下方に位置する
蒸発源にはＨＣＤ（中空陰極放電）法による電子銃によ
り硬質被覆合金によって蒸発させるものが用いられてい
る。該電子銃からアルゴンガスを噴出させて、これによ
って蒸発原子を電離させている。これは蒸着前のイオン
ボンバードにアーク法における金属ボンバードを行うも
のである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の如き、従来から
用いられているイオンプレーティング装置は、膜厚の制
御や安定性に欠けるものが多い。一方スパッタリング装
置は小規模なものが多く、特に平坦な形状の基板が対象
となっており、円筒形その他複雑な形状のものへの成膜
形成には不向きである。他方、イオンプレーティングに
用いられるアーク法やＨＣＤ法は複合化合物を容易に成
膜することが可能であるが、より複雑な複合物質や高融
点物質を安定して得るには不向きである。またアーク法
による場合には膜質は必ずしも良好とは言えない。ま
た、成膜速度の安定性が高く比較的膜質の良いものが得
られることが知られているが、密着性や操作性に難点が
あった。本発明は、かかる従来品の課題を解決して試
料、例えば高速度鋼や超硬合金工具などの表面に安定し
た成膜をうることを可能とし、反応ガスや金属蒸気のイ
オン化を促進するためプラズマ電子銃によりプラズマを
形成する複合スパッタリング装置を提供することを目的
とする。
用いられているイオンプレーティング装置は、膜厚の制
御や安定性に欠けるものが多い。一方スパッタリング装
置は小規模なものが多く、特に平坦な形状の基板が対象
となっており、円筒形その他複雑な形状のものへの成膜
形成には不向きである。他方、イオンプレーティングに
用いられるアーク法やＨＣＤ法は複合化合物を容易に成
膜することが可能であるが、より複雑な複合物質や高融
点物質を安定して得るには不向きである。またアーク法
による場合には膜質は必ずしも良好とは言えない。ま
た、成膜速度の安定性が高く比較的膜質の良いものが得
られることが知られているが、密着性や操作性に難点が
あった。本発明は、かかる従来品の課題を解決して試
料、例えば高速度鋼や超硬合金工具などの表面に安定し
た成膜をうることを可能とし、反応ガスや金属蒸気のイ
オン化を促進するためプラズマ電子銃によりプラズマを
形成する複合スパッタリング装置を提供することを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために、反応ガスを導入した真空容器内にプラ
ズマ発生用電子銃、該電子銃により蒸発される硬質被膜
形成用物質の蒸発源、該硬質被膜が蒸着される基板など
の反応性イオンプレーティング装置としての構成要素を
具備し、さらに蒸発源としてマグネトロンスパッタリン
グターゲットを併設すると共に、該マグネトロンスパタ
リングターゲットの周囲にプラズマ制御用コイルを配置
したことにより、プラズマ領域を拡大してスパッタリン
グ装置の不具合いを解消し、高速度工具鋼や超硬合金な
どの表面に安定化した成膜を得るようにしたものであ
る。さらに成膜中の金属、ガス原子のイオン化を促進す
るために圧力勾配型のプラズマ電子銃を用いたのであ
る。
達成するために、反応ガスを導入した真空容器内にプラ
ズマ発生用電子銃、該電子銃により蒸発される硬質被膜
形成用物質の蒸発源、該硬質被膜が蒸着される基板など
の反応性イオンプレーティング装置としての構成要素を
具備し、さらに蒸発源としてマグネトロンスパッタリン
グターゲットを併設すると共に、該マグネトロンスパタ
リングターゲットの周囲にプラズマ制御用コイルを配置
したことにより、プラズマ領域を拡大してスパッタリン
グ装置の不具合いを解消し、高速度工具鋼や超硬合金な
どの表面に安定化した成膜を得るようにしたものであ
る。さらに成膜中の金属、ガス原子のイオン化を促進す
るために圧力勾配型のプラズマ電子銃を用いたのであ
る。
【０００６】
【作用】 本発明に係る複合スパッタリング装置は、真
空容器内に反応ガスを導入し、さらにプラズマ発生用電
子銃、該電子銃により蒸発される硬質被膜形成用物質を
容れる坩堝、該硬質被膜が蒸着される基板などの反応性
イオンプレーティング装置としての構成要素を具備し、
さらに蒸発源としてマグネトロンスパッタリングターゲ
ットを併設すると共に該マグネトロンスパッタリングタ
ーゲットの周囲にプラズマ制御用コイルを配置したので
あるから、上記のコイルによりプラズマ領域を拡大させ
て、通常のスパッタリング装置における電極間の距離の
制限を無くして良質の被膜の形成が行われる。また、電
子銃を用いたために反応ガスのイオン化が一層促進され
る。さらに、シャッタの開閉を行うことにより多層のコ
ーティング層や単層のコーティング層が任意に形成され
る。
空容器内に反応ガスを導入し、さらにプラズマ発生用電
子銃、該電子銃により蒸発される硬質被膜形成用物質を
容れる坩堝、該硬質被膜が蒸着される基板などの反応性
イオンプレーティング装置としての構成要素を具備し、
さらに蒸発源としてマグネトロンスパッタリングターゲ
ットを併設すると共に該マグネトロンスパッタリングタ
ーゲットの周囲にプラズマ制御用コイルを配置したので
あるから、上記のコイルによりプラズマ領域を拡大させ
て、通常のスパッタリング装置における電極間の距離の
制限を無くして良質の被膜の形成が行われる。また、電
子銃を用いたために反応ガスのイオン化が一層促進され
る。さらに、シャッタの開閉を行うことにより多層のコ
ーティング層や単層のコーティング層が任意に形成され
る。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面について説明す
る。円筒状の真空容器１には一側に図示しない真空ポン
プに連通する排気穴２が開口している。さらに真空容器
の頂上には負に印加したプラズマ電子銃が載置され、該
電子銃から電子ビーム１４が坩堝５内の硬質被覆用硬質
物質に１８に向けて電子ビーム１４が発射されて、これ
に対応して真空容器１の底部４の近傍に坩堝あるいはア
ノード５が位置する。反応ガスであるアルゴンは、電子
銃の直下から導入される。またその上方に３個のマグネ
トロンターゲット６が等配されており、その外周にター
ゲット用コイル７が配置されている。プラズマ電子銃用
コイル８がマグネトロンターゲット６の前方に位置する
と共に、アノード９及びシャッタ１０が位置する。プラ
ズマ電子銃に圧力勾配型を用いると、反応ガスのイオン
化が一層促進してプラズマ領域が拡大して膜質の向上が
図られる。
る。円筒状の真空容器１には一側に図示しない真空ポン
プに連通する排気穴２が開口している。さらに真空容器
の頂上には負に印加したプラズマ電子銃が載置され、該
電子銃から電子ビーム１４が坩堝５内の硬質被覆用硬質
物質に１８に向けて電子ビーム１４が発射されて、これ
に対応して真空容器１の底部４の近傍に坩堝あるいはア
ノード５が位置する。反応ガスであるアルゴンは、電子
銃の直下から導入される。またその上方に３個のマグネ
トロンターゲット６が等配されており、その外周にター
ゲット用コイル７が配置されている。プラズマ電子銃用
コイル８がマグネトロンターゲット６の前方に位置する
と共に、アノード９及びシャッタ１０が位置する。プラ
ズマ電子銃に圧力勾配型を用いると、反応ガスのイオン
化が一層促進してプラズマ領域が拡大して膜質の向上が
図られる。
【０００８】また、坩堝５の周囲にもアノード１１が配
置されている。なお、前記のアノード９、シャッタ１
０、及び坩堝５の周囲に設けられたアノード１１は、い
ずれも真空容器１の底部４に固定される。硬質被膜をコ
ーティングされる切削工具などの試料１２を取り付けた
指示台１５は、坩堝５の下方に設けられた回転板１３に
立設され、かつ自転可能に配置されているので、コーテ
ィング中には回転板１３の回転によって公転に伴って自
転する。
置されている。なお、前記のアノード９、シャッタ１
０、及び坩堝５の周囲に設けられたアノード１１は、い
ずれも真空容器１の底部４に固定される。硬質被膜をコ
ーティングされる切削工具などの試料１２を取り付けた
指示台１５は、坩堝５の下方に設けられた回転板１３に
立設され、かつ自転可能に配置されているので、コーテ
ィング中には回転板１３の回転によって公転に伴って自
転する。
【０００９】この発明に係る複合スパッタリング装置を
用いて試料に硬質被膜を形成するに際し、まず真空容器
１内を１０-4Ｔｏｒｒ以上になるまで排気する。坩堝５
にＴｉＮ、ＴｉＡｌＮ、ＴｉＣなどの硬質被膜形成物を
用意する。次にＡｒ、もしくはＨｅ、またはこれらの混
合ガスを後述するプラズマ電子銃３の直下から真空容器
内に導入する。プラズマ発生用の負に印加した圧力勾配
型電子銃３により正に印加した硬質被覆物を加熱して、
イオンボンバードを行い硬質被覆物を蒸発させる。次に
電子銃３を作動させてプラズマ状態を保持しつつ、スパ
ッタリングターゲット（マグネトロンターゲット）６を
作動させて、反応ガスを導入し、負に印加した基板１２
に１０Ｖ〜１０００Ｖの範囲でバイアス電圧を印加する
ことにより硬質膜を形成する。さらに、平板型マグネト
ロンターゲット６は、上記の坩堝５に収容された硬質被
覆材料とは別の材料を用い、その広い面積から蒸発する
硬質被膜形成物ガスが基板１２、例えば回転切削工具の
表面に満遍なく複合硬質膜のコーティングがなされる。
用いて試料に硬質被膜を形成するに際し、まず真空容器
１内を１０-4Ｔｏｒｒ以上になるまで排気する。坩堝５
にＴｉＮ、ＴｉＡｌＮ、ＴｉＣなどの硬質被膜形成物を
用意する。次にＡｒ、もしくはＨｅ、またはこれらの混
合ガスを後述するプラズマ電子銃３の直下から真空容器
内に導入する。プラズマ発生用の負に印加した圧力勾配
型電子銃３により正に印加した硬質被覆物を加熱して、
イオンボンバードを行い硬質被覆物を蒸発させる。次に
電子銃３を作動させてプラズマ状態を保持しつつ、スパ
ッタリングターゲット（マグネトロンターゲット）６を
作動させて、反応ガスを導入し、負に印加した基板１２
に１０Ｖ〜１０００Ｖの範囲でバイアス電圧を印加する
ことにより硬質膜を形成する。さらに、平板型マグネト
ロンターゲット６は、上記の坩堝５に収容された硬質被
覆材料とは別の材料を用い、その広い面積から蒸発する
硬質被膜形成物ガスが基板１２、例えば回転切削工具の
表面に満遍なく複合硬質膜のコーティングがなされる。
【００１０】さらにプラズマ電子銃３による成膜も同時
に可能である。例えばＴｉＡｌＮの成膜ではターゲット
にＴｉＡｌを用いても、ターゲットにＡｌを用い坩堝５
にＴｉを用いることもできる。まず試料１２の加熱はプ
ラズマ電子銃３を用いてプラズマを発生させ、電子照射
により行う。さらに、電子銃によるプラズマにより、イ
オンボンバードを行い、プラズマ電子銃と磁界強化型マ
グネトロンスパッタターゲットを作動させ、ターゲット
にＡｌを用いた場合には坩堝にＴｉを蒸発源として用い
る。この方式による全システムの動作範囲は１０-3〜１
０-4Ｔｏｒｒの領域であり、従来のスパッタリングの動
作範囲である１０-2とは異なる。これにより蒸発速度を
安定化できると同時に安定した金属ガスの反応性が得ら
れる。
に可能である。例えばＴｉＡｌＮの成膜ではターゲット
にＴｉＡｌを用いても、ターゲットにＡｌを用い坩堝５
にＴｉを用いることもできる。まず試料１２の加熱はプ
ラズマ電子銃３を用いてプラズマを発生させ、電子照射
により行う。さらに、電子銃によるプラズマにより、イ
オンボンバードを行い、プラズマ電子銃と磁界強化型マ
グネトロンスパッタターゲットを作動させ、ターゲット
にＡｌを用いた場合には坩堝にＴｉを蒸発源として用い
る。この方式による全システムの動作範囲は１０-3〜１
０-4Ｔｏｒｒの領域であり、従来のスパッタリングの動
作範囲である１０-2とは異なる。これにより蒸発速度を
安定化できると同時に安定した金属ガスの反応性が得ら
れる。
【００１１】複層コーティングを実施する場合には、マ
グネトロンターゲットの遮蔽を行わずに、坩堝５とマグ
ネトロンターゲットの両方から硬質被膜形成物ガスが蒸
発して試料の表面に複合膜を形成する。さらにシャッタ
１０を移動させてマグネトロンターゲット６を遮蔽し
て、例えば坩堝５にＴｉＮを収容しておき、まずこれを
超硬合金工具母材の表面にコーティングした後に、例え
ばＴｉＣからなるマグネトロンターゲット６を遮蔽する
シャッタ１０を開き、該マグネトロンターゲット６から
該ターゲットからの試料に１２に対する蒸着を防止す
る。また、シャタ１０によりマグネトロンターゲットの
電子銃により蒸発した硬質膜材料による汚れが防止され
る。このために正確な薄膜が形成される。電子銃とマグ
ネトロンターゲットからの複合スパッタが可能となる。
さらに、プラズマ電子銃３を用いずに、マグネトロンタ
ーゲット６からの照射のみによることもできる。この場
合は、坩堝の５の蒸発源を用いずにアノード９に電子銃
３からのビームを照射し、シャッタ１０を開いて試料１
２に蒸着する事も出来る。
グネトロンターゲットの遮蔽を行わずに、坩堝５とマグ
ネトロンターゲットの両方から硬質被膜形成物ガスが蒸
発して試料の表面に複合膜を形成する。さらにシャッタ
１０を移動させてマグネトロンターゲット６を遮蔽し
て、例えば坩堝５にＴｉＮを収容しておき、まずこれを
超硬合金工具母材の表面にコーティングした後に、例え
ばＴｉＣからなるマグネトロンターゲット６を遮蔽する
シャッタ１０を開き、該マグネトロンターゲット６から
該ターゲットからの試料に１２に対する蒸着を防止す
る。また、シャタ１０によりマグネトロンターゲットの
電子銃により蒸発した硬質膜材料による汚れが防止され
る。このために正確な薄膜が形成される。電子銃とマグ
ネトロンターゲットからの複合スパッタが可能となる。
さらに、プラズマ電子銃３を用いずに、マグネトロンタ
ーゲット６からの照射のみによることもできる。この場
合は、坩堝の５の蒸発源を用いずにアノード９に電子銃
３からのビームを照射し、シャッタ１０を開いて試料１
２に蒸着する事も出来る。
【００１１】図３に斜線でもって示すように、アノード
９と電子銃のプラズマＡにより反応ガスのイオン化を促
進させる。また、複数配置されたマグネトロンターゲッ
ト６とアノード９から出たプラズマと、電子銃３から出
たプラズマが重畳して斜線で示すようにプラズマ領域が
拡大し、特に試料１２の近傍においてＢ及びＣとして示
すような強化部分が形成される。従って、従来のスパッ
タリング装置と異なりプラズマ領域に一定の距離が必要
であるという制限がなくなり、高速度工具鋼や超硬合金
などの材料からなる回転切削工具に代表される試料１２
の形状の如何を問わずに満遍なく硬質被膜の形成が可能
となった。
９と電子銃のプラズマＡにより反応ガスのイオン化を促
進させる。また、複数配置されたマグネトロンターゲッ
ト６とアノード９から出たプラズマと、電子銃３から出
たプラズマが重畳して斜線で示すようにプラズマ領域が
拡大し、特に試料１２の近傍においてＢ及びＣとして示
すような強化部分が形成される。従って、従来のスパッ
タリング装置と異なりプラズマ領域に一定の距離が必要
であるという制限がなくなり、高速度工具鋼や超硬合金
などの材料からなる回転切削工具に代表される試料１２
の形状の如何を問わずに満遍なく硬質被膜の形成が可能
となった。
【００１２】
【発明の効果】本発明は、上記のように真空容器内に反
応ガスを導入し、さらにプラズマ発生用電子銃、該電子
銃により蒸発される硬質被膜形成用物質を容れる坩堝、
該硬質被膜が蒸着される基板などの反応性イオンプレー
ティング装置としての構成要素を具備し、さらに蒸発源
としてマグネトロンスパッタリングターゲットを併設す
ると共に該マグネトロンスパッタリングターゲットの周
囲にプラズマ制御用コイルを配置したので、プラズマ領
域を拡大することができるために安定した成膜をうるこ
とが可能となった。従来のスパッタリング装置の欠点で
ある電極間距離の制限がある為に、平坦な試料にしか蒸
着できないという制約を克服し試料の形状の如何を問わ
ずコーティングが可能となった。さらに、シャッタの開
閉によりコーティング膜の複層化、換言すれば多元系の
蒸着がが極めて容易に実施できるようになった。
応ガスを導入し、さらにプラズマ発生用電子銃、該電子
銃により蒸発される硬質被膜形成用物質を容れる坩堝、
該硬質被膜が蒸着される基板などの反応性イオンプレー
ティング装置としての構成要素を具備し、さらに蒸発源
としてマグネトロンスパッタリングターゲットを併設す
ると共に該マグネトロンスパッタリングターゲットの周
囲にプラズマ制御用コイルを配置したので、プラズマ領
域を拡大することができるために安定した成膜をうるこ
とが可能となった。従来のスパッタリング装置の欠点で
ある電極間距離の制限がある為に、平坦な試料にしか蒸
着できないという制約を克服し試料の形状の如何を問わ
ずコーティングが可能となった。さらに、シャッタの開
閉によりコーティング膜の複層化、換言すれば多元系の
蒸着がが極めて容易に実施できるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る複合スパッタリング装置の実施例
の底部の俯瞰図である。
の底部の俯瞰図である。
【図２】図１の装置の内部を説明する概略図である。
【図３】本発明によるプラズマの拡がりと強化部示す説
明図である。
明図である。
１ 真空容器 ３ プラズマ電子銃 ５ 坩堝 ６ マグネトロンターゲット ７ マグネトロンターゲット用コイル ８ プラズマ電子銃用コイル ９ アノード １０ シャッタ １２ 試料
Claims (4)
- 【請求項１】 真空容器内に反応ガスを導入し、さらに
プラズマ発生用電子銃、該電子銃により蒸発される硬質
被膜形成用物質を容れる坩堝、該硬質被膜が蒸着される
試料などの反応性イオンプレーティング装置としての構
成要素を具備し、さらに蒸発源としてマグネトロンスパ
ッタリングターゲットを併設すると共に該マグネトロン
スパッタリングターゲットの周囲にプラズマ制御用コイ
ルを配置したことを特徴とするる複合スパッタリング装
置。 - 【請求項２】 前記マグネトロンターゲットを複数個設
けた請求項１記載の複合スパッタリング装置。 - 【請求項３】 周囲にプラズマ制御用のコイルを配置し
た前記マグネトロンターゲットの前方にアノードと開閉
可能のシャッタとを設けた請求項１または２記載の複合
スパッタリング装置。 - 【請求項４】 前記電子銃は圧力勾配型である請求項１
記載の複合スパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20428392A JP3311387B2 (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 複合スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20428392A JP3311387B2 (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 複合スパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0625846A true JPH0625846A (ja) | 1994-02-01 |
| JP3311387B2 JP3311387B2 (ja) | 2002-08-05 |
Family
ID=16487921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20428392A Expired - Fee Related JP3311387B2 (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 複合スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3311387B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0869535A2 (en) * | 1997-03-07 | 1998-10-07 | Applied Materials, Inc. | A method to generate ionized metal plasma using electron beams and magnetic field |
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