JPH0546973B2 - - Google Patents
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- H01L2224/48617—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
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Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、多層配線構造の半導体装置に関する
もので、特にボンデイング領域直下に介在する層
間絶縁層のクラツク防止に使用されるものであ
る。
もので、特にボンデイング領域直下に介在する層
間絶縁層のクラツク防止に使用されるものであ
る。
(従来の技術)
従来出力容量特性の低減、高出力化等の要求に
より電極を多層化し、能動領域の有効活用を図る
と共に、横方向の電極抵抗を減少し、動作効率の
向上を計つた多層配線構造の半導体装置が開発さ
れている。電極材料としてはアルミニウム又はア
ルミニウム合金等から成る比較的低融点材料のも
のが使用されている。
より電極を多層化し、能動領域の有効活用を図る
と共に、横方向の電極抵抗を減少し、動作効率の
向上を計つた多層配線構造の半導体装置が開発さ
れている。電極材料としてはアルミニウム又はア
ルミニウム合金等から成る比較的低融点材料のも
のが使用されている。
第3図はこのような半導体装置の一例である。
この半導体装置をバイポーラトランジスタとする
と、符号1はN型半導体基板で、コレクタ領域で
ある。基板1の所定領域にはP型のベース領域2
が形成されている。ベース領域2内にはN型のエ
ミツタ領域3が形成されている。基板1の主面に
は、厚さ0.5〜1.0μmの第1絶縁層4が形成され、
第1絶縁層4の所定領域にはベース領域2及びエ
ミツタ領域3のそれぞれに通じる第1コンタクト
ホール5が開口される。第1絶縁層4上には厚さ
0.5〜1.5μmのベース第1電極パターン6a及びエ
ミツタ第1電極パターン6bが積層され、その一
部分は第1コンタクトホール5を充填してベース
領域2及びエミツタ領域3にそれぞれオーム接触
をするベース第1コンタクト領域5a及びエミツ
タ第1コンタクト領域5bを形成する。ベース及
びエミツタの第1電極パターン6a,6b及び第
1絶縁層4上には、SiO2膜又はSi3N4膜から成る
厚さ1〜4μmの第2絶縁層7が例えば減圧CVD
(Chemical Vapour Deposition)法にて積層さ
れている。第2絶縁層7には第1電極パターン6
a及び6bにそれぞれ通ずる第2コンタクトホー
ル8が開口されている。第2絶縁層7上には厚さ
2〜5μmのベース第2電極パターン9a及びエミ
ツタ第2電極パターン9bが積層され、その一部
分は第2コンタクトホール8を充填して第1電極
パターン6a,6bに接続するベース第2コンタ
クト領域8a及びエミツタ第2コンタクト領域8
bを形成する。又第2電極パターンの他の一部分
はそれぞれ外部接続線(ボンデイグワイヤ)10
a及び10bを固着するベースボンデイング領域
11a及びエミツタボンデイング領域11bを形
成する。第2絶縁層7と、ボンデイング領域部分
を除く第2電極パターン9a,9bとを覆うよう
にパツシべーシヨン膜12が形成されている。第
4図は、第3図の破線で示すA部の拡大断面図で
ある。
この半導体装置をバイポーラトランジスタとする
と、符号1はN型半導体基板で、コレクタ領域で
ある。基板1の所定領域にはP型のベース領域2
が形成されている。ベース領域2内にはN型のエ
ミツタ領域3が形成されている。基板1の主面に
は、厚さ0.5〜1.0μmの第1絶縁層4が形成され、
第1絶縁層4の所定領域にはベース領域2及びエ
ミツタ領域3のそれぞれに通じる第1コンタクト
ホール5が開口される。第1絶縁層4上には厚さ
0.5〜1.5μmのベース第1電極パターン6a及びエ
ミツタ第1電極パターン6bが積層され、その一
部分は第1コンタクトホール5を充填してベース
領域2及びエミツタ領域3にそれぞれオーム接触
をするベース第1コンタクト領域5a及びエミツ
タ第1コンタクト領域5bを形成する。ベース及
びエミツタの第1電極パターン6a,6b及び第
1絶縁層4上には、SiO2膜又はSi3N4膜から成る
厚さ1〜4μmの第2絶縁層7が例えば減圧CVD
(Chemical Vapour Deposition)法にて積層さ
れている。第2絶縁層7には第1電極パターン6
a及び6bにそれぞれ通ずる第2コンタクトホー
ル8が開口されている。第2絶縁層7上には厚さ
2〜5μmのベース第2電極パターン9a及びエミ
ツタ第2電極パターン9bが積層され、その一部
分は第2コンタクトホール8を充填して第1電極
パターン6a,6bに接続するベース第2コンタ
クト領域8a及びエミツタ第2コンタクト領域8
bを形成する。又第2電極パターンの他の一部分
はそれぞれ外部接続線(ボンデイグワイヤ)10
a及び10bを固着するベースボンデイング領域
11a及びエミツタボンデイング領域11bを形
成する。第2絶縁層7と、ボンデイング領域部分
を除く第2電極パターン9a,9bとを覆うよう
にパツシべーシヨン膜12が形成されている。第
4図は、第3図の破線で示すA部の拡大断面図で
ある。
このように構成された半導体装置では、例えば
ベースボンデイング領域11a上に外部接続線1
0aを熱圧着法により接続する際に圧力によつて
第2絶縁層7の段差部13に大きなストレスが加
わり、段差部13にクラツクが発生し易く、著し
い場合は絶縁層7の破壊を招く。このようなクラ
ツクは電気的な初期検査にて発見することが難し
く、半導体装置の信頼性を著しく低下する問題点
となつている。
ベースボンデイング領域11a上に外部接続線1
0aを熱圧着法により接続する際に圧力によつて
第2絶縁層7の段差部13に大きなストレスが加
わり、段差部13にクラツクが発生し易く、著し
い場合は絶縁層7の破壊を招く。このようなクラ
ツクは電気的な初期検査にて発見することが難し
く、半導体装置の信頼性を著しく低下する問題点
となつている。
(発明が解決しようとする問題点)
前述のように従来の多層配線構造の半導体装置
では、多層配線構造の上層のボンデイング領域面
直下に介在する絶縁層の段差部近傍がボンデイン
グ時の圧力によりクラツク等が発生し易く、多層
配線構造の層間絶縁性低下の原因となつている。
では、多層配線構造の上層のボンデイング領域面
直下に介在する絶縁層の段差部近傍がボンデイン
グ時の圧力によりクラツク等が発生し易く、多層
配線構造の層間絶縁性低下の原因となつている。
本発明の目的は、多層配線構造における層間絶
縁不良を防止し、信頼性の向上を計つた半導体装
置を提供するものである。
縁不良を防止し、信頼性の向上を計つた半導体装
置を提供するものである。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段と作用)
本発明は、半導体基板の所定領域に設けられた
能動領域と、該能動領域を含む半導体基板の主面
を覆うように形成された多層配線構造と、該多層
配線構造上層の電極パターンに含まれるボンデイ
ング領域と、該ボンデイング領域の下面から基板
主面にほぼ垂直に前記絶縁層を貫通して能動領域
に達する導電性コンタクト領域とを具備すること
を特徴とする半導体装置である。基板主面に接す
る側から第1絶縁層、第1電極パターン、第2絶
縁層及びボンデイング領域を含む第2電極パター
ンの順に積層された2層配線構造のバイポーラト
ランジスタを一例とし、第1図及び第2図を用い
以下説明する。N型半導体基板31の能動領域3
2,33を含む基板主面を覆うように、第1絶縁
層34、第1電極パターン36a,36b、第2
絶縁層37及び第2電極パターン39a,39b
から成る多層配線構造が形成されている。ベース
第2電極パターン39a(又はエミツタ第2電極
パターン39b)のボンデイング領41a又は4
1bの下面から基板主面にほぼ垂直に第2絶縁層
37及び第1絶縁層34を貫通して能動領域32
又は33に達する導電性(例えばAl)コンタク
ト領域38a,35a又は38b,35bが形成
される。なお( )内はエミツタ側に適用した場
合で、ベース側と同じ説明となるので以下ベース
側についてのべる。本発明においては、ベースボ
ンデイング領域41a直下に配設するベースコン
タクト領域38a及び35aの少なくとも一部分
が互いに衝合し一体化されたコンタクト領域とな
り、この領域の一端は基板のベース領域とオーム
接触し、他端はベースボンデイング領域裏面に合
体され、ボンデイング領域を保持する金属柱を形
成する。
能動領域と、該能動領域を含む半導体基板の主面
を覆うように形成された多層配線構造と、該多層
配線構造上層の電極パターンに含まれるボンデイ
ング領域と、該ボンデイング領域の下面から基板
主面にほぼ垂直に前記絶縁層を貫通して能動領域
に達する導電性コンタクト領域とを具備すること
を特徴とする半導体装置である。基板主面に接す
る側から第1絶縁層、第1電極パターン、第2絶
縁層及びボンデイング領域を含む第2電極パター
ンの順に積層された2層配線構造のバイポーラト
ランジスタを一例とし、第1図及び第2図を用い
以下説明する。N型半導体基板31の能動領域3
2,33を含む基板主面を覆うように、第1絶縁
層34、第1電極パターン36a,36b、第2
絶縁層37及び第2電極パターン39a,39b
から成る多層配線構造が形成されている。ベース
第2電極パターン39a(又はエミツタ第2電極
パターン39b)のボンデイング領41a又は4
1bの下面から基板主面にほぼ垂直に第2絶縁層
37及び第1絶縁層34を貫通して能動領域32
又は33に達する導電性(例えばAl)コンタク
ト領域38a,35a又は38b,35bが形成
される。なお( )内はエミツタ側に適用した場
合で、ベース側と同じ説明となるので以下ベース
側についてのべる。本発明においては、ベースボ
ンデイング領域41a直下に配設するベースコン
タクト領域38a及び35aの少なくとも一部分
が互いに衝合し一体化されたコンタクト領域とな
り、この領域の一端は基板のベース領域とオーム
接触し、他端はベースボンデイング領域裏面に合
体され、ボンデイング領域を保持する金属柱を形
成する。
このような半導体装置ではワイヤボンデイング
時、ボンデイング領域直下の層間絶縁層のクラツ
ク等の破損が防止されることが試行結果より確認
された。これよりボンデイング圧力は主として金
属柱を形成するコンタクト領域に荷重され、層間
絶縁層に加えらえる圧力は小さくその段差部分の
ボンデイングストレスは大幅に緩和され、そのた
めクラツクの発生が防止されるものと推論され
る。したがつて金属柱を形成するコンタクト領域
(第2図の斜線部分)はベースボンデイング領域
41a直下にあるベースコンタクト領域35aの
全域にわたつて形成されることが望ましい。
時、ボンデイング領域直下の層間絶縁層のクラツ
ク等の破損が防止されることが試行結果より確認
された。これよりボンデイング圧力は主として金
属柱を形成するコンタクト領域に荷重され、層間
絶縁層に加えらえる圧力は小さくその段差部分の
ボンデイングストレスは大幅に緩和され、そのた
めクラツクの発生が防止されるものと推論され
る。したがつて金属柱を形成するコンタクト領域
(第2図の斜線部分)はベースボンデイング領域
41a直下にあるベースコンタクト領域35aの
全域にわたつて形成されることが望ましい。
(実施例)
以下図面を参照して本発明の2層配線構造
NPNトランジスタの一実施例について説明する。
第1図はこのトランジスタの模式的X−X線断面
図である。第2図は、その平面図であるが繁雑化
を避けるため絶縁層等を省略し、符号で表わす各
領域の輪郭のみを示す簡略化したものである。符
号31はN型半導体基板でコレクタとする。
NPNトランジスタの一実施例について説明する。
第1図はこのトランジスタの模式的X−X線断面
図である。第2図は、その平面図であるが繁雑化
を避けるため絶縁層等を省略し、符号で表わす各
領域の輪郭のみを示す簡略化したものである。符
号31はN型半導体基板でコレクタとする。
この基板31の所定領域には能動領域であるP
型ベース領域32、N型エミツタ領域33及び両
領域による接合43が形成されている。ベース領
域32及びエミツタ領域33を含む基板31の主
面を覆うように厚さ3000Åの第1絶縁層(シリコ
ン基板のときはシリコン酸化膜)34を形成す
る。第1絶縁層34にはベース領域32及びエミ
ツタ領域33の一部を取り出すため第1コンタク
トホール35が写真食刻法により開口される。第
1絶縁層34を含む基板主面に厚さ約1μmのAl
蒸着膜を積層し、写真食刻法によりベース第1電
極パターン36a及びエミツタ第1電極パターン
36bを形成する。第1電極パターンの一部分
は、コンタクトホール35を充填しP型ベース領
域32及びN型エミツタ領域33とそれぞれオー
ム接触をするベース第1コンタクト領域35a及
びエミツタ第1コンタクト領域35bを形成す
る。次に第1電極パターン36a,36bを含む
基板主面を覆うように厚さ約2μmの第2絶縁層3
7(酸化膜SiO2又は窒化膜Si3N4)をプラズマ
CVD等により積層する。第2絶縁層37には、
ベースボンデイング領域41a直下にあるコンタ
クト領域35aに又エミツタボンデイング領域4
1b直下にあるコンタクト領域35bにそれぞれ
当接するように第2コンタクトホール38を設け
る。次に第2絶縁層37及び第2コンタクトホー
ル38を覆うように厚さ約3μmのAl蒸着膜を積
層し写真食刻法によりベース第2電極パターン3
9a及びエミツタ第2電極パターン39bを形成
する。第2電極パターン39a,39bの一部分
はコンタクトホール38を充填し、それぞれベー
ス第2コンタクト領域38a及びエミツタ第2コ
ンタクト領域38bを形成する。
型ベース領域32、N型エミツタ領域33及び両
領域による接合43が形成されている。ベース領
域32及びエミツタ領域33を含む基板31の主
面を覆うように厚さ3000Åの第1絶縁層(シリコ
ン基板のときはシリコン酸化膜)34を形成す
る。第1絶縁層34にはベース領域32及びエミ
ツタ領域33の一部を取り出すため第1コンタク
トホール35が写真食刻法により開口される。第
1絶縁層34を含む基板主面に厚さ約1μmのAl
蒸着膜を積層し、写真食刻法によりベース第1電
極パターン36a及びエミツタ第1電極パターン
36bを形成する。第1電極パターンの一部分
は、コンタクトホール35を充填しP型ベース領
域32及びN型エミツタ領域33とそれぞれオー
ム接触をするベース第1コンタクト領域35a及
びエミツタ第1コンタクト領域35bを形成す
る。次に第1電極パターン36a,36bを含む
基板主面を覆うように厚さ約2μmの第2絶縁層3
7(酸化膜SiO2又は窒化膜Si3N4)をプラズマ
CVD等により積層する。第2絶縁層37には、
ベースボンデイング領域41a直下にあるコンタ
クト領域35aに又エミツタボンデイング領域4
1b直下にあるコンタクト領域35bにそれぞれ
当接するように第2コンタクトホール38を設け
る。次に第2絶縁層37及び第2コンタクトホー
ル38を覆うように厚さ約3μmのAl蒸着膜を積
層し写真食刻法によりベース第2電極パターン3
9a及びエミツタ第2電極パターン39bを形成
する。第2電極パターン39a,39bの一部分
はコンタクトホール38を充填し、それぞれベー
ス第2コンタクト領域38a及びエミツタ第2コ
ンタクト領域38bを形成する。
又第2電極パターン39a,39bの他の一部
分はそれぞれベース及びエミツタのボンデイング
領域41a及び41bとなる。ボンデイング領域
41a及び41bを除く基板主面にはこれを保護
するパツシベーシヨン膜42が形成される。この
ように形成された半導体装置は、金ワイヤ40a
及び40b(第2図で図示を省略)をそれぞれボ
ンデイング領域41a及び41bにボールボンデ
イング法(ネールヘツドボンデイング法ともい
う)により熱圧着する。
分はそれぞれベース及びエミツタのボンデイング
領域41a及び41bとなる。ボンデイング領域
41a及び41bを除く基板主面にはこれを保護
するパツシベーシヨン膜42が形成される。この
ように形成された半導体装置は、金ワイヤ40a
及び40b(第2図で図示を省略)をそれぞれボ
ンデイング領域41a及び41bにボールボンデ
イング法(ネールヘツドボンデイング法ともい
う)により熱圧着する。
以上のようにコンタクト領域35aと38aと
を、又35bと38bとをそれぞれ衝合一体化し
た半導体装置(第1図)と従来の半導体装置(第
3図)とについて、第1電極パターン及び第1、
第2絶縁層を一定にし更にボンデイング条件を一
定にした場合、それぞれのクラツク発生率を調査
した。その結果の一例では、本発明の半導体装置
のクラツク発生率は15%(3/20)、従来の装置は
60%(12/20個)であり、明らかに本発明の装置
の方が従来に比しクラツク発生に対し有利である
ことが確認された。又発生した不良品について顕
微鏡写真等により調べてみると、層間絶縁層のク
ラツクは第1電極パターンのコーナー部分に集中
しておりボンデイング時のストレスによることが
わかる。
を、又35bと38bとをそれぞれ衝合一体化し
た半導体装置(第1図)と従来の半導体装置(第
3図)とについて、第1電極パターン及び第1、
第2絶縁層を一定にし更にボンデイング条件を一
定にした場合、それぞれのクラツク発生率を調査
した。その結果の一例では、本発明の半導体装置
のクラツク発生率は15%(3/20)、従来の装置は
60%(12/20個)であり、明らかに本発明の装置
の方が従来に比しクラツク発生に対し有利である
ことが確認された。又発生した不良品について顕
微鏡写真等により調べてみると、層間絶縁層のク
ラツクは第1電極パターンのコーナー部分に集中
しておりボンデイング時のストレスによることが
わかる。
以上によりボンデイング領域とその直下の能動
領域との間に衝合一体化されたコンタクト領域を
設けるとボンデイング時の層間絶縁層のクラツク
防止に効果があることがわかる。これはボンデイ
ング時のボンデイング圧力は主として金属柱を形
成するコンタクト領域に負荷されるためと推定さ
れる。
領域との間に衝合一体化されたコンタクト領域を
設けるとボンデイング時の層間絶縁層のクラツク
防止に効果があることがわかる。これはボンデイ
ング時のボンデイング圧力は主として金属柱を形
成するコンタクト領域に負荷されるためと推定さ
れる。
本実施例においては、ボンデイング領域直下の
対応する能動領域の全域にわたつて前記コンタク
ト領域を設け、更にベース第2電極パターン直下
にも設けてあり、これはボンデイング時の層間絶
縁層のクラツク防止及び配線抵抗低減に対し望ま
しいが、ボンデイング領域直下の対応する能動領
域の一部分に前記コンタクト領域を設けても有効
である。
対応する能動領域の全域にわたつて前記コンタク
ト領域を設け、更にベース第2電極パターン直下
にも設けてあり、これはボンデイング時の層間絶
縁層のクラツク防止及び配線抵抗低減に対し望ま
しいが、ボンデイング領域直下の対応する能動領
域の一部分に前記コンタクト領域を設けても有効
である。
又本発明は、2層以上の多層配線構造の半導体
装置に適用できることは勿論である。
装置に適用できることは勿論である。
[発明の効果]
以上説明したように、多層配線構造を有する半
導体装置のボンデイング領域直下に、能動領域に
達する一体化されたコンタクト領域を設けること
で、層間絶縁層に印加されるボンデイング応力を
緩和し、電極パターンの段差部でのクラツク発生
を低減することができる。これにより信頼性の向
上を計つた半導体装置を提供できた。
導体装置のボンデイング領域直下に、能動領域に
達する一体化されたコンタクト領域を設けること
で、層間絶縁層に印加されるボンデイング応力を
緩和し、電極パターンの段差部でのクラツク発生
を低減することができる。これにより信頼性の向
上を計つた半導体装置を提供できた。
第1図は本発明の一実施例に係る半導体装置の
模式的断面図、第2図は第1図の半導体装置の簡
略化した平面図、第3図は従来の半導体装置の断
面図、第4図は第3図の半導体装置の一部拡大断
面図である。 1,31……半導体基板、2,3,32,33
……能動領域、4,34……第1絶縁層、5a,
5b,35a,35b……第1コンタクト領域、
6a,6b,36a,36b……第1電極パター
ン、7,37……第2絶縁層、8a,8b,38
a,38b……第2コンタクト領域、9a,9
b,39a,39b……第2電極パターン、11
a,11b,41a,41b……ボンデイング領
域。
模式的断面図、第2図は第1図の半導体装置の簡
略化した平面図、第3図は従来の半導体装置の断
面図、第4図は第3図の半導体装置の一部拡大断
面図である。 1,31……半導体基板、2,3,32,33
……能動領域、4,34……第1絶縁層、5a,
5b,35a,35b……第1コンタクト領域、
6a,6b,36a,36b……第1電極パター
ン、7,37……第2絶縁層、8a,8b,38
a,38b……第2コンタクト領域、9a,9
b,39a,39b……第2電極パターン、11
a,11b,41a,41b……ボンデイング領
域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 半導体基板の所定領域に設けられた能動領域
と、該能動領域を含む半導体基板の主面を覆うよ
うに複数層の電極パターンを無機の絶縁層を介在
させて積み重ねた多層配線構造と、該多層配線構
造上層の電極パターンに含まれるボンデイング領
域と、該ボンデイング領域の下面から基板主面に
ほぼ垂直に前記絶縁層を貫通して能動領域に達す
る導電性コンタクト領域とを具備することを特徴
とする半導体装置。 2 前記多層配線構造が、前記基板主面に接する
側から第1絶縁層、第1電極パターン、第2絶縁
層及びボンデイング領域を含む第2電極パターン
の順に積層された特許請求の範囲第1項記載の半
導体装置。 3 前記ボンデイング領域の下面から能動領域に
達する導電性コンタクト領域が当該能動領域に開
口するコンタクトホールの全域にわたり形成され
る特許請求の範囲第1項又は第2項記載の半導体
装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62116727A JPS63283040A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 半導体装置 |
US07/192,665 US4984061A (en) | 1987-05-15 | 1988-05-10 | Semiconductor device in which wiring layer is formed below bonding pad |
EP88107501A EP0291014B1 (en) | 1987-05-15 | 1988-05-10 | Semiconductor device in which wiring layer is formed below bonding pad |
DE8888107501T DE3880003T2 (de) | 1987-05-15 | 1988-05-10 | Halbleiteranordnung mit einer leiterschicht unter dem kontaktfleck. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62116727A JPS63283040A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63283040A JPS63283040A (ja) | 1988-11-18 |
JPH0546973B2 true JPH0546973B2 (ja) | 1993-07-15 |
Family
ID=14694302
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62116727A Granted JPS63283040A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4984061A (ja) |
EP (1) | EP0291014B1 (ja) |
JP (1) | JPS63283040A (ja) |
DE (1) | DE3880003T2 (ja) |
Families Citing this family (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2593965B2 (ja) * | 1991-01-29 | 1997-03-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
DK0573469T3 (da) * | 1991-02-25 | 1994-11-28 | Ake Gustafson | Fremgangsmåde til fiksering af en vikling på et elektronisk kredsløb |
US5223851A (en) * | 1991-06-05 | 1993-06-29 | Trovan Limited | Apparatus for facilitating interconnection of antenna lead wires to an integrated circuit and encapsulating the assembly to form an improved miniature transponder device |
US5281855A (en) * | 1991-06-05 | 1994-01-25 | Trovan Limited | Integrated circuit device including means for facilitating connection of antenna lead wires to an integrated circuit die |
US5149674A (en) * | 1991-06-17 | 1992-09-22 | Motorola, Inc. | Method for making a planar multi-layer metal bonding pad |
FR2687009B1 (fr) * | 1992-01-31 | 1994-04-29 | Sgs Thomson Microelectronics | Composant de protection pour circuit automobile. |
US5309025A (en) * | 1992-07-27 | 1994-05-03 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Semiconductor bond pad structure and method |
SE500523C2 (sv) * | 1992-10-09 | 1994-07-11 | Elsa Elektroniska Systems And | Halvledarkomponent med minst en första och en andra komponentelektrod innefattande ett flertal på en halvledarbricka integrerade halvledarelement, som vart och ett innefattar minst en första och en andra elementelektrod på samma sida av halvledarbrickan, varid de första elementelektroderna är förbundna med den första komponentelektroden och de andra elementelektroderna är förbundna med den andra komponentelektroden. |
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