JPS6290950A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS6290950A
JPS6290950A JP60231715A JP23171585A JPS6290950A JP S6290950 A JPS6290950 A JP S6290950A JP 60231715 A JP60231715 A JP 60231715A JP 23171585 A JP23171585 A JP 23171585A JP S6290950 A JPS6290950 A JP S6290950A
Authority
JP
Japan
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wirings
layer
aluminum wiring
layers
aluminum
Prior art date
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Pending
Application number
JP60231715A
Other languages
English (en)
Inventor
Toyoji Ohashi
大橋　豊治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Priority to KR1019860004893A priority patent/KR900001659B1/ko
Priority to GB8624497A priority patent/GB2181894B/en
Priority to DE19863635259 priority patent/DE3635259A1/de
Publication of JPS6290950A publication Critical patent/JPS6290950A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
    • H01L23/5283—Cross-sectional geometry
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Geometry (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置に関しとくにそのアルミ配線に
関するものである。
〔従来の技術〕
従来の技術では、１ｔｆｆの上にＰＳＧを配し、その上
にアルミニウムを配線する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のアルミニウム配線は、パッシペーションクラック
により、変形及び断線を生じ、伝達経路を断たれる問題
点があった０ 上記のような問題点を解消するためになされたもので、
アルミニウム配線の２層化を行い、パッシペーションク
ラック忙よる上層のアルミニウム配線の断線が生じた場
合、ＰＳＧに埋めこまれているアルミニウム配線によシ
、伝達経路を断たれることがないことを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
基板にＰＳＧの層を作るとき疋アルミ配線を埋め込み、
従来のアルミニウム配線を行う前に、先程配したアルミ
ニウム配線を覆うＰＳＧに、従来のアルミニウム配線（
ここでは上層のアルミニウム配線）と、連結できる穴を
あけ、従来の方法でアルミニウム配線を行う。
〔作用〕
アルミ配線の２層化は、パッシペーションクラックによ
る上層のアルミニウム配線の切断を生じた時、下層のア
ルミニウム配線と連結していることにより、伝達経路を
確保できる０ 〔発明の実施例〕 以下、この発明の一実施例を第１図、第２図により説明
する。図は配線の断面図であって図においテ、ＰＳＧｉ
（２＋中にアルミニウム配線（１）を設けこのＰＳ（）
層（２）の上に、アルミニウム配線（３）を設け、上層
のアルミニウム配線（３）と下層のアルミニウム配線（
１）とをＰＳＣ）層（２）に孔をあけることで図に示す
ように間隔を置いて連結する。（４）は半導体基板であ
る０ パッシペーションクラックによる上層のアルミニウム配
線（３）が切断されても、下層のアルミニウム配Ｈ（１
）を連結畜れていることで電流の伝達経路を確保できる
。
下層のアルミニウム配線（１１は、９８０層（２）に埋
め込まれているので何らかの内部応力に対し、影響を受
けない。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、アルミニウム配線の
２層化を行うことで、パッシペーションクラックでの伝
達経路の切断を防ぐことができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は、この発明の一実施例の断面図であり、第２図
は、第１図の横断面図である。 （１）は下層アルミニウム配線、（２）は９８０層、（
３）は上層アルミニウム配線、（４）は半導体基板であ
る。 図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. パッシペーションクラックを生じた時のアルミ配線のせ
    ん断を防ぐためにアルミ配線を上、下の２層に分け、下
    層をＰＳＧ内に埋め込むと共にこの２層のアルミ配線を
    間隔を置いて連結することを特徴とする半導体装置。
JP60231715A 1985-10-16 1985-10-16 半導体装置 Pending JPS6290950A (ja)

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JP60231715A JPS6290950A (ja) 1985-10-16 1985-10-16 半導体装置
KR1019860004893A KR900001659B1 (ko) 1985-10-16 1986-06-19 반도체 장치
GB8624497A GB2181894B (en) 1985-10-16 1986-10-13 Duplicate wiring in a semiconductor device
DE19863635259 DE3635259A1 (de) 1985-10-16 1986-10-16 Redundante verdrahtung in einer halbleitervorrichtung

Applications Claiming Priority (1)

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JPS6290950A true JPS6290950A (ja) 1987-04-25

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ID=16927878

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KR (1) KR900001659B1 (ja)
DE (1) DE3635259A1 (ja)
GB (1) GB2181894B (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2584986B2 (ja) * 1987-03-10 1997-02-26 三菱電機株式会社 半導体装置の配線構造
JPS63283040A (ja) * 1987-05-15 1988-11-18 Toshiba Corp 半導体装置
EP0394520A1 (de) * 1989-04-26 1990-10-31 Richard Nicolaus Verfahren zum Abtrennen von Rollenmaterialabschnitten von einem Rollenmaterial sowie Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens
JPH05283467A (ja) * 1992-03-30 1993-10-29 Nec Corp 半導体集積回路装置
US5835419A (en) * 1996-03-01 1998-11-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device with clamping circuit for preventing malfunction
EP0915421B1 (en) * 1996-03-01 2001-03-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device capable of preventing malfunction due to disconnection of column select line or word select line

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3518506A (en) * 1967-12-06 1970-06-30 Ibm Semiconductor device with contact metallurgy thereon,and method for making same
GB1596907A (en) * 1978-05-25 1981-09-03 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor devices
JPS55120150A (en) * 1979-03-09 1980-09-16 Toshiba Corp Semiconductor device
EP0048610B1 (en) * 1980-09-22 1986-01-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and its manufacture
JPS594050A (ja) * 1982-06-30 1984-01-10 Fujitsu Ltd 半導体装置
US4617193A (en) * 1983-06-16 1986-10-14 Digital Equipment Corporation Planar interconnect for integrated circuits

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Publication number Publication date
DE3635259A1 (de) 1987-04-16
KR900001659B1 (ko) 1990-03-17
GB2181894A (en) 1987-04-29
GB8624497D0 (en) 1986-11-19
GB2181894B (en) 1989-09-13
KR870004502A (ko) 1987-05-09

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