JPH0546274Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 技術分野 この考案は、ａ−Si等倍光センサー等の多層配
線を用いる多層配線デバイスに関する。

従来技術 近年、等倍光センサー、薄膜トランジスタ、更
にはハイブリツドIC等の半導体デバイスにあつ
ては、高集積化に伴い、電極配線の多層化が図ら
れている。この多層配線の場合、配線間には層間
絶縁膜が設けられる。第７図及び第８図はこのよ
うな多層配線デバイスの従来例の基本構造を示す
ものである。これは、基板１上に下部電極２を形
成し、その上に層間絶縁膜３を形成し、この層間
絶縁膜３にコンタクトホール４を形成した後、上
部電極５を形成しているものである。このような
コンタクトホール４は正方形又は長方形の矩形状
に形成されている。

この場合、層間絶縁膜３が0.5〜1μ程度と薄い
ときには、配線用の上部電極５の膜厚がほぼ同等
であるため、コンタクトホール４の段差部分のス
テツプカバーが可能である。しかし、等倍光セン
サー等の大型デバイスにあつては、ピンホール対
策或いは高絶縁性を確保するために層間絶縁膜３
の膜厚を３〜5μ又はそれ以上にする処理が採ら
れている。このように層間絶縁膜３の膜厚が厚く
なると、コンタクトホール４の段差により上部電
極５に断線を生じやすい。この対策として、上部
電極５の膜厚を層間絶縁膜３と同等に厚くするこ
とが考えられるが、微細加工プロセス上、工程、
処理時間及びコストの点で不利となる。

一方、コンタクトホール４をテーパー状に形成
してステツプカバーを容易にすることも考えられ
る。しかし、コンタクトホール４の機能を考えた
場合、上部電極５の下部電極２に対する接触面で
は層間絶縁膜材料を完全に除去する必要がある。
このため、一般には、現像やドライエツチングに
より若干オーバー気味にプロセス加工するので、
コンタクトホール４の段差部におけるテーパー形
状が急峻となる。このため、やはり上部電極５が
この急峻な段差部で断線しやすいものとなつてし
まうものである。

目 的 この考案は、このような点に鑑みなされたもの
で、現像やドライエツチングによるオーバー気味
の通常のプロセス加工を採用して上部電極の断線
を生ずることのないコンタクトホールを作成で
き、歩留りを向上させることができる多層配線デ
バイスを得ることを目的とする。

構 成 この考案は、上記目的を達成するため、基板上
に少なくとも下部電極と層間絶縁膜と上部電極と
を有し、前記層間絶縁膜に形成したコンタクトホ
ールを介して下部電極と上部電極とを接続する多
層配線デバイスにおいて、前記コンタクトホール
を少なくともその一辺又は一部に段差部が緩やか
なテーパー部を含む形状に形成したことを特徴と
するものである。

以下、この考案の第一の実施例を第１図及び第
２図に基づいて説明する。第７図及び第８図に示
したものと同様に、基板１上に下部電極２、層間
絶縁膜３及び上部電極５を順次形成することによ
り構成される。ここで、この実施例では層間絶縁
膜３に形成するコンタクトホール６の形状に特徴
を持たせたものである。即ち、コンタクトホール
６を平面的に見た場合の４辺のうち、少なくとも
１辺、例えば対向する２辺を波形による凹凸状部
７を有する形状としたものである。

このような構成において、コンタクトホール６
は現像やドライエツチングによるオーバー気味の
通常のプロセス加工を採用して形成される。ここ
に、このような形状のコンタクトホール６の加工
の際、現像やドライエツチングによつて加工に方
向性があり、かつ、細部ではそのエツチンググレ
ートが遅いため、第１図に斜線を施して示す波状
の部分には第２図に示すように緩やかなテーパー
部８が残ることになる。よつて、上部電極５はこ
のテーパー部８では断線を生ずることがなく、下
部電極２との確実な接続が確保される。即ち、こ
の実施例では、コンタクトホール６を凹凸状部７
を有する形状とすることにより、通常のオーバー
気味の加工プロセスを採用しても、緩やかなテー
パー部８が残るようにしたものである。これによ
り、デバイスの歩留りが向上し、信頼性の高いデ
バイスとすることができる。

第３図はこの考案の第二の実施例を示すもの
で、鋭角のくさび状による凹凸状部９を有する形
状のコンタクトホール６としたものである。

第４図はこの考案の第三の実施例を示すもの
で、波状と鋭角のくさび状とを対とした凹凸状部
１０を有する形状のコンタクトホール６としたも
のである。

第５図はこの考案の第四の実施例を示すもの
で、コンタクトホール６の４辺に波状の凹凸状部
１１を有する形状としたものである。

第６図はこの考案の第五の実施例を示すもの
で、コンタクトホール６の４辺に鋭角のくさび状
の凹凸状部１２を有する形状としたものである。

これらの場合も、第３図ないし第６図に斜線を
施して示す部分には緩やかなテーパー部８が形成
されることになる。

効 果 この考案は、上述したようにコンタクトホール
を凹凸状部を含む形状としたので、現像やドライ
エツチングによるオーバー気味の通常の加工プロ
セスを採用しても、コンタクトホールの段差部に
緩やかなテーパー部を形成することができ、よつ
て、上部電極の断線をなくして歩留りがよくて信
頼性の高いデバイスとすることができるものであ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案の第一の実施例を示す平面
図、第２図はその断面図、第３図はこの考案の第
二の実施例を示す平面図、第４図はこの考案の第
三の実施例を示す平面図、第５図はこの考案の第
四の実施例を示す平面図、第６図はこの考案の第
五の実施例を示す平面図、第７図は従来例を示す
平面図、第８図はその断面図である。 １……基板、２……下部電極、３……層間絶縁
膜、５……上部電極、６……コンタクトホール、
７……凹凸状部、９〜１２……凹凸状部。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 基板上に少なくとも下部電極と層間絶縁膜と上
   部電極とを有し、前記層間絶縁膜に形成したコン
   タクトホールを介して下部電極と上部電極とを接
   続する多層配線デバイスにおいて、前記コンタク
   トホールを少なくともその一辺又は一部に段差部
   が緩やかなテーパー部となる凹凸状部を含む形状
   に形成したことを特徴とする多層配線デバイス。