JPS617643A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS617643A
JPS617643A JP59128232A JP12823284A JPS617643A JP S617643 A JPS617643 A JP S617643A JP 59128232 A JP59128232 A JP 59128232A JP 12823284 A JP12823284 A JP 12823284A JP S617643 A JPS617643 A JP S617643A
Authority
JP
Japan
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film
wiring
substrate
contact resistance
semiconductor device
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Pending
Application number
JP59128232A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP59128232A priority Critical patent/JPS617643A/ja
Publication of JPS617643A publication Critical patent/JPS617643A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/01—Manufacture or treatment
    • H10D64/011—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor

Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は半導体装置における電極配線構造に関する。
〔従来技術〕
従来、半導体装置における電極配線としては、主として
ａが用いられ、ａとＢｉとの接触抵抗を下げる目的で、
Ｍ配線下にＴｉ膜を形成する方法がとられていた。
しかし、上記従来技術によると、ＴｉとＳｉとの接触抵
抗は必ずしも充分に小さくならず、又、バラツキも大き
いという欠点があった。
〔目的〕
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくし、半導体装置
におけるａ電極配線のＢｉ　　との接触抵抗を小さく、
かつバラツ千少なくするための電極配線構造を提供する
ことを目的とする。
〔概要〕
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体装置に於て、少くともＵ配線とｓｊとの接触部には
バナジウム（Ｖ）膜が形成されて成ることを特徴とする
。
〔実施例〕
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は、本発明の一実施例を示す半導体装置の要部の
断面図である。
すなわち、Ｓｉ基板１の表面には拡散層２、酸化膜６が
設けられ、該酸化膜６にはコンタクト穴６が窓開けでれ
て、■膜４と該Ｖ膜４上に形成きれたａ電極配線５から
なる電極配線が拡散層２とコンタクト穴６を運して接続
されて成る。
第２図は本発明の他の実施例を示す半導体装置の要部の
断面図である。すなわち、Ｂｉ基板１１０表面には拡散
層１２、酸化膜１３が形成され、該酸化膜１３にはコン
タクト穴１６が窓開けられ、該コンタクト穴１６にけＶ
またけｖｓｊ（バナジウム、シリサイド）膜１６が形成
されて、ａ電極配＃１５が前記拡散層１２と接続されて
成る。
〔効果〕
効果、本発明の如く、■膜を少なくともｓｉとの接触部
に設けることにより、ａ電極配線とＳｉとの接触抵抗を
バラツキ少なく小さな値にすることができる効果がある
。
【図面の簡単な説明】
ｆｓ１図及び第２図は本発明の実施例を示す半導体装置
の要部の断面図である。 １．１１・・・・・・ｓｊ基板　２．１２・・・・・・
拡散層３．１３・・・・・・酸化膜　４．１４・・・・
・・Ｖ膜５．１５・・・・・・ａ電極配線 ６．１６・・・・・・コンタクト穴 場　　上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 少くともＡｌ配線とＳｉとの接触部にはバナジウム（Ｖ
    ）膜が形成されて成ることを特徴とする半導体装置。
JP59128232A 1984-06-21 1984-06-21 半導体装置 Pending JPS617643A (ja)

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JPS617643A true JPS617643A (ja) 1986-01-14

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