JPH02138382A - アルキルフタロシアニン近赤外線吸収剤及びそれを用いた表示・記録材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕 本願発明は情報記録、表示、センサー、保護眼鏡などオ
プトエレクトロニクス関連に重要な役割を果す近赤外線
吸収剤及びそれを用いて作成される光記録媒体（光カー
ドを含む）、近赤外光の捕集、遮断に関するフィルター
（眼鏡を含ｔ３）、近赤外光を用いた液晶表示素子に関
する。 ］従来の技術ｊ 近赤外線吸収剤としては、シアニン色素（特開昭５６−
４６２２１．５８−１１２７９０）、フタロシアニン色
素（特開昭５８−３６４９０）　、ナフトキノン色素（
特開昭６０−１５４５８１　、アントラキノン色素（特
開昭６ｌ−２９１６５１）およびジチオール錯体（特開
昭５８−１７５６９３）などが知られている。 しかし、シアニン系色素は閉光、耐熱性などの堅牢度が
不充分であり、フタロシアニン色素では吸収領域が６０
０〜７００ｒ＋ｍと短波長であり、アントラキノンおよ
びナフトキノン色素ではモル吸光係数が敵方程度と小さ
い、またジチオール錯体では、熱安定性、モル吸光係数
が不充分であるなど大きな欠点を有していた。 〔発明が解決しようとする課題〕 本発明は、耐光性、耐熱性などの堅牢度が充分にあり、
モル吸光係数の充分に大きな近赤外線吸収剤を供給する
ことにより、従来技術の欠点を克服するものである０本
発明の目的は、近赤外領域７００〜８００ｎｍに吸収を
有する耐光性、耐候性、耐熱性に優れた近赤外線吸収剤
を提供することにある。 本発明の他の目的は、該近赤外線吸収剤を記録層に含有
する記録媒体、また、該近赤外線吸収剤を含有する近赤
外線吸収フィルター、更に液晶材料と混合して製造され
る表示材料を提供することにある。 ［課題を解決するための手段１ 本発明者らは、前項の課題を解決すべく鋭意検討の結果
、下式（Ｉ）で示される化合物を見出した。即ち本発明
は、

【式（Ｉ）中、１１．　Ｒ４、Ｒ′、Ｒ８、Ｂｅ、１６
１、ｉｌｌコ及びＲｉｓは、各々独立に水素原子、アル
キル、アリールメチル、アルコキシメチレン、アルキル
アミノメチル、ジアルキルアミノメチル、アリールオキ
シメチル、アリールチオメチル、アリールアミノメチル
、ジアリールアミノメチル、アルキルアリールアミノメ
チル基であるが、Ｒ’トＲ４、Ｒ’トＲ’、　Ｒ’トＲ
”、オヨヒＲ”　トＲ１６の組合せにおいて、両者が同
時に水素原子とはならない、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ６、Ｒフ、
Ｒ１０ＲＩＩＲ１４およびＲＩＢは、各々独立に水素原
子、アルキル、アリールメチル、アルコキシメチル、ア
ルキルアミノメチル、ジアルキルアミンメチル、アリー
ルオキシメチル、アリールチオメチル、アリールアミノ
メチル、ジアリールアミノメチル、アルキルアリールア
ミノメチル、アルキルチオ、アリールチオ、アルキルオ
キシ、アリールオキシ、アリール基、ハロゲン原子、を
あられし、 Ｎｅｔは２個の水素原子、２価の金属原子、３価又は４
価の置換金属原子を表わす、〕で示されるアルキルフタ
ロシアニン近赤外線吸収剤。 式（Ｉ）中、Ｒ′〜８１８で示されるアルキル基の例と
しては、メチル、エチル、ロープロピル、１ｓｏ−プロ
ピル、ｎ−ブチル、５ｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル
、ローペンチル、１ｓｏ−ペンチル、ｎｅｏ−ペンチル
、０−ヘキシル、シクロヘキシル、２−エチルヘキシル
、３．３．５−トリメチルヘキシル、ｎ−オクチル、ヘ
プチル、ノニル基などの炭素数１〜２ｏの直鎖、分枝ま
たは環状の炭化水素基が挙げられる。 特ニ、Ｒ’、Ｒ’、Ｒ’、Ｒ’、Ｒ”、Ｒ”、ＲＩ３オ
ヨヒＲ”　トして好ましいアルキル基としては、ｎ−ア
ミル、１ｓｏ−アミル、ｎｅｏ−ペンチル、ｎ−ヘキシ
ル、２−エチルブチル、ローへブチル、シクロヘキシル
メチル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキシル、ｎ−ノニ
ル、３．５．５−トリメチルヘキシル、ｎ−デシル、４
−ブチル−シクロヘキシルメチル基などの炭素数５〜１
２の炭化水素基である。 式（Ｉ）中、１ｌｉｌ〜１６１で示されるアリールメチ
ル基の例としては、ベンジル、４−メチルベンジル、４
−エチルベンジル、４−プロピルベンジル、４−ブチル
ベンジル、４−シクロへキシルベンジル、２−エチルベ
ンジル、２−へキシルベンジル、３−ブチルベンジル、
メトキシベンジル、メチルチオベンジル、クロルベンジ
ル、メチルアミノベンジル基なとの０〜５個の置換基を
有するベンジル基；エチルナフチルメチル基なとの０〜
９個の置換基を有するナフチルメチル基：置換基を有し
ていてよいチエニルメチル基、フルフリル基、インドリ
ルメチル基等のへテロアリールメチル基が挙げられる。 特に、Ｒ’、Ｒ’、Ｒ’、Ｒ’、Ｒ＠、Ｒ”、Ｒ”オヨ
ヒＲ”　トして好ましいアリールメチル基としては、ベ
ンジル、４−ブチルベンジル、ナフチルメチルなどの炭
素数７〜１２の炭化水素基である。 アルコキシメチル基の例としては、メトキシ、エトキシ
、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキシルオキシ
、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ基のような炭素数１
〜２０の分岐または直鎖の炭化水素オキシ基；メトキシ
エトキシ、エトキシエトキシ、プロポキシエトキシ、ブ
トキシエトキシ、フェノキシエトキシ、メトキシエトキ
シエトキシ、エトキシエトキシエトキシ、メトキシエト
キシエトキシエトキシ、ヒドロキシエチルオキシ、ヒド
ロキシエトキシエトキシ基などの一量大Ｒ−（ＯＣ）Ｉ
Ｙ’ＣＨＹ”）ｎＯ−［式中、Ｒは水素原子、炭素数１
〜６のアルキル基、Ｙ′およびＹ２は各々独立に水素原
子、メチル、クロルメチル、アルコキシメチル基、ｎは
１〜５を表わす］で示されるオリゴエチルオキシ誘導体
、Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノエトキシ、Ｎ、Ｎ−ジエチル
アミノエトキシ、Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノプロポキシ基
などのアルキルアミノアルコキシ基；エチルチオエトキ
シ、メチルチオエトキシ、フェニルチオエトキシ、メチ
ルチオプロポキシ、エチルチオプロポキシ基などのアル
キルチオアルコキシ基などで置換したメチル基が挙げら
れる。 アルキルチオメチル基の例としては、メチルチオ、エチ
ルチオ基などの炭素数１＝３０の直鎖または分岐の炭化
水素チオ基：メトキシメチルチブトキシエチルチオ、メ
トキシエトキシエチルチオ基などのオリゴアルコキシア
ルキルチオ基；Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノエチルチオ、Ｎ
、Ｎ−ジエチルアミノエチルチオ、Ｎ−メチルアミノプ
ロピルチオ基などのアルキルアミノアルキルチオ基；ク
ロルエチルチオ、ブロムエチルチオ、ヨウ化エチルチオ
、ジクロロエチルチオ基などのハロゲン化アルキルチオ
基なとで置換したメチル基が挙げられる。 アルキルアミノメチル基またはジアルキルアミノメチル
基の例としては、メチルアミノ、エチルアミノ、Ｎ、　
Ｎ−ジメチルアミノ、Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノ基などの
総炭素数１・−３０の直鎖または分岐のアルキル置換ア
ミノ基；Ｎ−（ヒドロキシエチル）アミノ％Ｎ、Ｎ−ジ
（ヒドロキシエチル）アミン、Ｎ。 Ｎ〜ジ（メトキシエチル）アミン、Ｎ、Ｎ−ジ（メトキ
シエトキシエチル）アミノ、Ｎ、Ｎ−ジ（アセトキシエ
チル）アミノ基などのヒドロキシアルキルアミノ基；ア
ルコキシアルキルアミノ基、アシルオキシアルキルアミ
ノ基が置換したメチル基があげられる。 アリールオキシメチル基の例としては、フェニルオキシ
、ナフチルオキシ、アルキルフェニルオキシ、アルキル
アミノフェニルオキシ、へロケン置換フェニルオキシ、
ニトロフェニルオキシ、アルコキシフェニルオキシ、ア
ルキルチオフェニルオキシ基などが置換したメチル基が
挙げられる。 アリールチオメチル基の例としては、フェニルチオ、ナ
フチルチオ、アルキルフェニルチオ、アミノフェニルチ
オ、アルキルアミノフェニルチオ、アルコキシフェニル
チオ基などが置換したメチル基が挙げられ、アリールア
ミノメチル基、ジアリールアミノメチル基の例としては
、フェニル、アルキルフェニル、アルコキシフェニル、
アミノフェニル、ジアルキルアミノフェニル、ハロゲン
化フェニル、ナフチル、ヘテロ芳香族基などのなかより
１〜２個を任意に置換したアミノ基を有するメチル基が
挙げられ、アルキルアリールアミノメチル基の例として
は、フェニルメチルアミノ、ナフチルエチルアミノ基な
どの芳香族および脂肪族の基が置換したアミノ基が置換
したメチル基が挙げられる。 また、Ｒ’、　Ｒ’、　Ｒ’、　Ｒ龜Ｂ’ａ、　ｐ＋２
．８１３およびＲｌｆｌで示される置換基において、炭
素、酸素、窒素および硫黄原子の数の和が５〜１２であ
るとき、本発明の近赤外線吸収剤は、溶剤溶解性が良く
、溶液のモル吸光係数が高く、かつ塗膜の反射率を高く
することができる。同様にＲｚ、Ｂｓ、Ｂｍ３ｔ３ｊｏ
、Ｂｘ１＋４および８１８で示される置換基において炭
素、酸素、窒素および硫黄原子の数の和が１〜６である
とき、本発明の近赤外線吸収剤は塗膜の反射率を高いも
のとする。 ハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げ
られる。 又、Ｍｅｔで表わされる２価金属の例としては、（、＋
１６、ｚｎｌｌｌ）、ｐｅ＋Ｉ１１、（ｏ（Ｉｌｌ、Ｎ
ｉ　（１６Ｒ，＋１６、Ｒ）、（＋１１、ｐｄ！ＩＩ）
、ｐｔ（Ｉｌｌ、Ｍｎ（１６Ｍｇ（＋１１　、　Ｔｉ（
ＩＩ１、　Ｂｅ（ＩＩ）、　　（’＋ａ＋Ｉｌｌ　、　
Ｂａ＋Ｉ＋）Ｃｄ（Ｉｌｌ、Ｈｇ（＋　１１　５ｎ（Ｉ
　１＋など、１置換３価金属の例としては、Ａｌ−Ｃ１
，Ａｌ−Ｂｒ、　Ａｔ−Ｆ、　Ａｌ−Ｉ。 Ｇａ−Ｃｌ、Ｇａ−Ｆ、Ｇａ−１，Ｇａ−０ｒ、Ｉｎ−
Ｃ１１［ｎ−Ｂｒ、Ｉｎ−Ｉ、Ｉｎ−Ｆ、Ｔｌ−Ｃｌ、
Ｔｌ−Ｂｒ、ＴＩ−Ｉ、ＴＩ−Ｆ％　ＡＩ−ＣａＨｓ、
Ａｌ−Ｃ５Ｈ＜　（Ｃ１ｌｓ）　、　　Ｉｎ−Ｃ６Ｈ５
、Ｉｎ−Ｃ５Ｈ４（ＣＨｓ）、Ｉｎ−ＣＩｏＨｔ、Ｍｎ
　（ＯＨ）、Ｍｎ（ＯＣａＨａ）、Ｍｎ［０Ｓｉ（ＣＨ
ｌ）ｓｌ。 ＦｅＣ１，ＲｕＣ１などが挙げられる。２置換の４価金
属の例としては、ＣｒＣ１，，５ｉＣ１ｚ、　５ｔａｒ
、、ＳｉＦ２．５ｉｆｔ、ＺｒＣ１，、ＧｅＣ１ｚ、Ｇ
ｅＢｒｚ、Ｇｅ１ｚ、ＧｅＦ　ｚ、５ｎＣ１ｉ、５ｎＢ
ｒ　２、Ｓｎ１．．５ｎＦｚ、ＴｉＣ１ｚ、ＴｉＢｒａ
、ＴｉＦｚ、Ｓｉ　（Ｏ）ｌ）　ｔ、Ｇｅ　（Ｏ）Ｉ）
　２、Ｚｒ　（Ｏ旧ｚ、Ｍｎ（ＯＨ）ｚ、Ｓｎ　（Ｑｔ
（）　２、ＴｉＲｚ、ＣｒＬ、ＳｉＲ，，５ｎＲｚ、Ｇ
ｅＲｚ　［Ｒはアルキル基、フェニル基、ナフチル基及
びその誘導体を表わす１．３１（ＯＲ’）２、釦（ＯＲ
’）　ｚ、　Ｇｅ　（ＯＲ’）　２％Ｔｉ（ＯＲ’ｈ、
Ｃｒ（ＯＲ’ｈ　［Ｒ’はアルキルル基、ナフチル基、
トリアルキルシリル基、ジアルキルアルコキシシリル基
、アシル基の誘導体を表わす］　、Ｓｎ（ＳＲ”）ａ、
Ｇｅ　（ＳＲ”）　２［　Ｒ　”はアルキル基、フェニ
ル基、ナフチル基及びその誘導体を表わす］などが挙げ
られる。 オキシ金属の例としては、■０、ＭｎＯ、ＴｆＯなどが
挙げられる。 これらＭｅｔで示される中心金属は、Ｒ　１，ＲＩ　６
か水素原子以外のものが８個以上あるときには酸化バナ
ジル（ＴＶ）　、　Ｒ’−Ｒ”が水素原子以外のものが
４個以上あるときには鉛またはマンガン（ｍ）の誘導体
であるとき、半導体レーザーの波長（７５０〜８５０ｎ
ｍ　）に対応するものとして好ましい．マンガン誘導体
としては、Ｍｎ（ＯＨ）。 Ｍｎ［ＯＳｉ　（ＣＨ３）ｓＪ．Ｍｎ［Ｏｓｉ（Ｃｚ）
Ｉｓ）ｓｌ、Ｍｎ［ＯＳｉ　（ＣＪｔ）ａｌ，Ｍｎ［Ｏ
Ｓｉ　（Ｃ４１Ｌ）　ｓｌ。 Ｍｎ（ＯＳｉ（Ｃ８貼ｔ）ｓｌ．Ｍｎ［ＯＳｎ（ＣｓＨ
ｅ）ｓｌ。 Ｍｎ［ＯＧｅ（ＣＨｓ）＋Ｉ，Ｍｎ　（ＯＣＨ３）。 Ｍ　ｎ　（Ｏ　Ｃ　ｅ　Ｈ　ｓ　）　、　Ｍｎ　（ＯＣ
ｚＨ４０ＣＪ４０ＣｚＨｓ）。 Ｍｎ［ＯＣ２Ｈ４Ｎ（ＣＨ３）２１などＭｎＯＹで示さ
れるマンガンの水酸化物誘導体が好ましい。 式（Ｉ）で示される化合物の合成法としては、下式（Ｉ
Ｉ）又は（　ＩＩＩ　） （ＩＩ）　　　　　　　ＮＨ（ｍ） 〔式（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）におけるベンゼン環は、前
述のＣＩ）式にて述べたような置換基を有していてよい
。】で示される化合物の１〜４種および金属誘導体、例
えばハロゲン化物、酢酸イオン化物、硫酸化物等と、溶
剤例えば尿素、クロルナフタレン、ハロゲン化ベンゼン
、ニトロベンゼン、アルコール類、アミノアルコール類
の存在下に加熱反応する方法が用いられる。 本発明の近赤外線吸収剤を用いて光記録媒体を製造する
方法には、透明基板上に近赤外線吸収剤を塗布或は蒸着
する方法があり、塗布法としては、バインダー樹脂２０
重量％以下、好ましくは０％と、近赤外線吸収剤０。０
５重量％〜２０重量％、好ましくは０．５重量％〜２０
重量％となるように溶媒に溶解し、スピンコーターで塗
布する方法などがある，また蒸着方法としては、１０”
’〜１０−’ｔｏｒｒ、１００〜３００℃にて基板上に
近赤外線吸収剤を堆積させる方法などがある。 基板としては、光学的に透明な樹脂であればよい。例え
ばアクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、塩化ビニール樹脂
、塩化ビニリデン樹脂、ポリカーボネート樹脂、エチレ
ン樹脂、ポリオレフィン共重合樹脂、塩化ビニール共重
合樹脂、塩化ビニリデン共重合樹脂、スチレン共重合樹
脂などが挙げられろ。 また基板は熱硬化性樹脂又は紫外線硬化性樹脂により表
面処理がなされていてもよい。 光記録媒体（光ディスク、光カード等）を作製する場合
、コストの面、ユーザーの取り扱い面より基板はポリア
クリレート基板又はポリカーボネート基板を用い、かつ
、スピンコード法により塗布されるのが好ましい。 基板の耐溶剤性よりスピンコードに用いる溶媒は、四塩
化炭素よりも極性が小さいものが好ましい。このような
溶媒としては、ハロゲン化炭化水素（例えば、ジクロロ
メタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエチ
レン、ジクロロジフロロエタンなど）、エーテル類（例
えば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジブチ
ルエーテルなど）、ケトン類（例えば、アセトン、メチ
ルエチルケトンなど）、アルコール類（例えば、メタノ
ール、エタノール、プロパツールなど）、セロソルブ類
（メチルセロソルブ、エチルセロソルブなど）、炭化水
素類（ヘキサン、シクロヘキサン、オクタン、ベンゼン
、トルエン、キシレンなど）が好適に用いられる。 式（Ｉ）及びその異性体を用いて近赤外線吸収フィルタ
ーを製造する方法は、樹脂と式（Ｉ）の近赤外線吸収剤
を混合し成型する、樹脂モノマーに式（Ｉ）の近赤外線
吸収剤を混ぜ注型重合する、樹脂成型物に式（Ｉ）の近
赤外線吸収剤を染色する、基板材料の表面に式（Ｉ）の
近赤外線吸収剤を塗布、蒸着する方法がある。 フィルター基材として用いる樹脂としては、透明であれ
ばよく、例えばポリスチレン、ポリメチルメタアクリレ
ート、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリプロピレ
ンなどの熱可塑性樹脂、ＣＲ−３９（ＰＰＧ味、商品名
）、ＭＲ−３（三井東圧化学、商品名）　、ＭＲ−６（
、三井東圧化学、商品名）などの熱硬化性樹脂が好まし
い。 又、表示材料を製造する場合は、液晶材料と式（Ｉ）の
近赤外線吸収剤を混合するが、これに用いられる液晶材
料としては、ネマチック液晶、スメクティック液晶、コ
レステリック液晶が挙げられ、表示方法の例としては、
ゲストホスト型表示、液晶パネル（液晶中に近赤外線吸
収剤を入れてレーザー光にて画面を書込む）などが挙げ
られる。 ［実施例］ 以下実施例により本発明を具体的に説明する。 但し、実施例中の部は全て重量部を示す。 Ｘ嵐皿ユ テトラメチルフタロニトリル７２部、バナジウム（［）
クロリド１１部、モリブデン酸アンモニウム１部と１−
クロルナフタレン１０００部を混合し、　２２０℃にて
３０時間加熱還流させた。反応混合物をメチルアルコー
ル３０００部中に排出し、結晶を析出させ、吸引ろ過を
行い、得られた結晶をカラム精製することにより、バナ
ジルオキシへキサデカメチルフタロシアニン３０部を得
た。 （λｍａｘ　：　７３２ｎｍ　／　ＣＨＣｌ５　）得ら
れたフタロシアニン誘導体の元素分析の結果を下記に示
す。 ＣＩ（Ｎ 計算値（％）　　７１．７１　６．０２　１３．９４実
測値（％）　　？１．０２　５．９１　１４．０１次に
得られたフタロシアニン誘導体のクロロホルム溶液（２
０ｇ／　１．　）をガラス上にスピンコードして得られ
た膜の反射率は２８％（ａｔ　８１０ｎｍ）であった、
また上記溶液をホトポリマーより作製した光デイスク基
板に塗布して光記録媒体を作製したところ、１８００ｒ
ｐｍの回転速度で７ｍＷの７８０ｎｍレーザー光（基板
面）で５０ｄＢの感度を得た。この光ディスクの耐再生
光安定性および保存安定性は良好であった。 実Ｊ１凱旦 液晶材料として一量大Ｒ−（）Σべζ）←ＣＮ（但しＲ
はアルキル基を示す）で表わされるアルキルシアノビフ
ェニール系の液晶を使用し、実施例１で得られたフタロ
シアニン誘導体を０．７重量％混合し液晶パネルを作製
した。また比較のためにフタロシアニン誘導体を混合し
ていない液晶パネルも作製した。なお、液晶層の厚みは
、両液晶パネルとも１０μとした。 本発明の液晶パネルは、従来の液晶パネルに比べ、書き
込み線幅が太くなる。また本発明の液晶パネルではレー
ザー出力が２０ｍＷのとき、ライトベンの移動速度が２
　ｃｍ／　ｓｅｃで１６０　％の線が書き込めた。 尚、前記フタロシアニン誘導体は、アルキルシアノビフ
ェニール系液晶材料に約２重量％まで溶解でき、また、
各種耐候性テストにより非常に良好な寿命を有すること
を確認した。 即ち、液晶材料をカプセルに注入し、直射日光下、　１
００時間放置した後、その吸光度および吸収スペクトル
の変化を調べたところ、全く変化なく、非常に安定であ
ることが判明した。 Ｘ血孤ユ 実施例１で得られたフタロシアニン誘導体１部をクロロ
ホルム１０部に溶解し、ガラス基板上に塗布し、近赤外
線吸収フィルターを得た。このフィルターは耐候性に優
れていた。 夾血１゜ テトラメチルフタロニトリル７２部、マンガン（ＩＩ　
）アセチルアセトナート２５部、ジアザビシクロウンデ
セン７０部、モリブデン酸アンモニウム１部とジエチレ
ングリコール１０００部を２５０℃にて４０時間反応さ
せた。水１ｏｏｏｏ部と濃塩酸１０００部の中へ上記反
応混合物を排出し、析出した結晶を濾別し、ヒドロキシ
マンガン（ｍ）へキサデカメチルフタロシアニン５０部
を得た。 このフタロシアニン誘導体の元素分析の結果を下記に示
す。 ＨＮ 計算値（％）　月、２７　６．１１　１３゜８５実測値
（％）　　７１．３０　６．０９　１３．５５上記フタ
ロシアニン誘導体ｌＯ部、トリイソプロピルシリルクロ
リド２５部とピリジン５００部を加熱還流下１０時間反
応した。溶媒を留去し、クロロホルムにて残渣を抽出し
た。抽出成分はトリイソプロピルシリルオキシマンガン
（ｍ）へキサデカメチルフタロシアニンで収量は８部で
あった。 （λｍａｘ　：　８００部ｍ　／　Ｃ）ＩＣ１３）得ら
れたフタロシアニン誘導体の元素分析の結果を下記に示
す。 ＣＩｔ　　　　　　Ｎ 計算値（％）　　７０．８４　７．２０　１１．７０実
測値（％）　　６９．９８　７．０２　１．１．５０得
られたフタロシアニン誘導体１部をベンゼン１００部に
溶解し、基板にスピンコードして、光記録媒体を作製し
た。７８０部ｍの半導体レーザーな用いて記録した時、
８ｍＷで６０ｄＢのＣＮ比を得、０、５ｍＷの再生光で
百万回再生を行なっても変化がなかった。また、８０℃
７８０％の条件で１０００時間経過後も記録再生に支障
がなかった。 また得られたフタロシアニン誘導体の５部をポリスチレ
ン樹脂１０００部と混合し、加熱成形した。 得られたフィルターは７００〜８５０ｎｍの光を良く吸
収した。 夫嵐旦玉 ３−ｎ−アミルフタロニトリル　８０部、マンガン（１
１）アセチルアセトナート２５部、ＤＢＵ７０部、モリ
ブデン酸アンモニウム１部とアミルアルコール１０００
部を還流下（１３８℃）で１０時間反応した。水１００
００部と濃塩酸ｌ０００部の中へ上記反応混合物を排出
し、析出したオイル状物をベンゼンにて抽出し、続いて
ｎ−ヘキサンで洗浄することによりヒドロキシマンガン
（ＩＩＩ）テトラアミルフタロシアニン５０部を得た。 （３部ｍａｘ　＋　７４０部ｍ／　Ｃ）ｌｃ１３　）得
られたフタロシアニン誘導体の元素分析の結果を下記に
示す。 Ｃ）ＩＮ 計算値（％）　　７２．２１　６．６４　１２．９５実
測値（％）　　７１．９５　６．３２　１３．０１上記
フタロシアニン誘導体のメタノール溶液（１０ｇ／ｊり
をポリカーボネート光デイスク基板に塗布した。反射率
２８％で良好な感度を示した。 夫胤皿旦 ３−ｒ＋−アミルフタロニトリル　８０部、−酸化鉛２
２部とアミルアルコール１０００部を混合し、還流下で
１０時間反応した。反応液を水中に排出し、析出した結
晶を濾過した後、カラムクロマトグラムで精製し、鉛（
ｎ）テトラアミルフタロシアニン２０部を得た。 （λｍａｘ　：　７３０部ｍ　／　Ｃ）（Ｃ１３）得ら
れたフタロシアニン誘導体の元素分析の結果を下記に示
す。 ＣＨＮ 計算値（％）　　６２．４５　５．６４　１１．２０実
測値Ｃ％）　　６２．１０　５．５３　１１．３０上記
フタロシアニン誘導体のｎ−オクタン溶液（ｔＯｇ＃）
をポリカーボネート基板上に塗布し光ディスクを作製し
た。この光ディスクの反射率は３０％（ａｔ　７８０〜
８３０ｎｍ　）　、回転速度１８００ｒｐｍ、　７ｍＷ
の７８０口ｍレーザー光（基板面）照射において５０ｄ
Ｂの感度を示した。 夫立勇ユ テトラ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルオキシメチル）
フタロニトリル４０部と酢酸銅５部、ＤＢＵＩＯ部をク
ロルナフタレン還流下で反応させ、メタノール中に排出
することにより、ヘキサデカ（ｐ−ｊｅｒｔ−ブチルフ
ェニルオキシメチル）フタロシアニン銅ｌＯ部を得た。 得られたフタロシアニン誘導体の元素分析の結果を下記
に示す。 ＣＨＮ 計算値（％）　　７８．７７　７．６３　３．５３実測
値（％）　　７９．０１　　？、４８　３．４３得られ
たフタロシアニン誘導体１部をベンゼン１００部に溶解
し、基板にスピンコードして、光記録媒体を作製した。 　ＣＮ比６０ｄＢで感度も良好であった。 Ｘ立盟溢 ヘキサデカりロルフタロシアニン銅　１０部とｐ−ｔｅ
ｒｔ−ブチルベンジルマグネシウムブロマイド１００部
を反応させ、ヘキサデカ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンジ
ル）フタロシアニン銅５部を得た。 （λｍａｘ　：　７３０口ｍ　／　ＣＨＣｂ　）得られ
たフタロシアニン誘導体の元素分析の結果を下記に示す
。 ＣＨＮ 計算値（％）　　６２．４５　５．６４　９、Ｒ１２。 ２０実測値（％）　　６２．１０　５．５３　１１．３
０夫立且旦 テトラ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルチオメチレン）
フタロニトリル４０部と、三塩化バナジル５部をクロル
ナフタレン中で反応させてメタノール中に排出し、バナ
ジルオキシへキサデカ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル
チオメチル）フタロシアニン５部を得た。 得られたフタロシアニン誘導体の元素分析の結果を下記
に示す。 ＣＨＮ 計算値（％）　　７２．７９　７．０５　３．２６実測
値（％）７２゜５０　６．９７　３．００大ＩＬ様 ｌ−アミル−４−メチルフタロニトリル２０部と三塩化
バナジウム（■）３部をクロルナフタレン６０部中、還
流上反応させた１反応液をメタノール３００部中に排出
し、続いて残渣を濾過、乾燥した。残渣をカラムクロマ
トグラム（シリカゲル／トルエン）により精製すること
により、バナジルオキシテトラアミルテトラメチルフタ
ロシアニン１０部を得た。 （λｍａｘ　：　７２０口ｍ／　　トルエン）得られた
フタロシアニン誘導体の元素分析の結果を下記に示す。 ＣＨＮ 計算値（％）　　？３．４２　７．０４　１２．２３実
測値（％）　　７３．２１　７．１５　１２．３１得ら
れたフタロシアニン誘導体１０部をジブチルエーテル１
０００部に溶解した溶液を、ポリカーボネート製光カー
ド基板上に塗布し、塗布面に保護層を設けて光カードを
作製した。この光カードは、線速２ｍ／ｓｅｃ、　４ｍ
Ｗの７８０口ｍ半導体レーザー光により記録することが
可能で、その際のＣＮ比は５０ｄＢであった。また、線
速２ｍ／ｓｅｃ、　０．８ｍＷのレーザー光により再生
可能で、再生光安定性を調べたところ１０部回の再生が
可能であった。さらにこの光カードは保存安定性も良好
なものであった。 １匠旦 １．４−ジムキシルフタロニトリル２６．８部と三塩化
バナジル（■）３部を、クロルナフタレン中、３時間加
熱還流した０反応液をメタノール２０００部中に排出し
、析出した固体を濾過、乾燥した後、カラムクロマトグ
ラム（シリカゲル／トルエン）により精製し、バナジル
オキシオクタへキシルフタロシアニン１５部を得た。 （λｍａｘ　：　７２０ｎｍ　／　トルエン）得られた
フタロシアニン誘導体の元素分析の結果を下記に示す。 Ｃ）ＩＮ 計算値（％）　　７６．７０　９．０１　８．９４実測
値（％）　　７７．０１　８．９３　８．８７得られた
フタロシアニン誘導体１５部をオクタン１０００部に溶
解した溶液を、スピンコード法により基板上に塗布し、
光ディスクを作製した。この光ディスクは７８０ｎｍで
の反射率が３５％であり、感度は線速１１ｍ／ｓｅｃ、
　８ｎ＋Ｗのレーザー光での記録においてＣＮ比５０ｄ
Ｂであった。また、再生光安定性、保存安定性共に良好
なものであった。 夫直匠旦 テトラアミルフタロニトリル３６，４部と三塩化バナジ
ル（■）３部を、クロルナフタレン１５０部中、３時間
加熱還流した。反応液をメタノール３０００部中に排出
し、析出した結晶を濾過、乾燥した後、カラムクロマト
グラム（シリカゲル／トルエン）により精製し、バナジ
ルオキシへキサデカアミルフタロシアニン１０部を得た
。 （λｍａｘ　：　７４０ｎｍ　／　トルエン）得られた
フタロシアニン誘導体の元素分析の結果を下記に示す。 ＯＮ 計算値（％）　　７９，０５　１０．４３　６．５９実
測値（％）　　７８．９５　１０．１３　６．４９以上
の実施例によって得られたフタロシアニン誘導体の溶液
状態、膜状態におけるλｍａｘと膜状態における最大反
射、およびそれぞれの耐久性についての結果を表１に示
す。表中、比較例とじて既知の吸収剤の結果も示り、た
。 表−１ （注−１） （注−２） 特開昭６１−２５８８６記載吸収剤（実施例−１）特開
昭５８−１１２７９０記載の吸収剤（実施例Ｘ施１四と
ニュ辷 下記−量大で示される中間体（表−２）を表−３に示し
た金属類と反応させた。それらの反応条件と得られたフ
タロシアニン誘導体のλｍａｘを表−３に示した。各近
赤外線吸収剤を用いた光記録媒体は、感度、耐久性とも
良好であり、また、これらの吸収剤は樹脂または液晶化
合物との相溶性も良く、フィルターとしての分光特性、
液晶表示素子としてのコントラストも良好であった。 （注−３） 特開昭５８−３６４９０記載の吸収剤 （注−４）クロロホルム溶液 （注−５）クロロナフタレン溶液 （注−６）スピンコード膜において５°正反射法による （注−７）蒸着膜 【発明の効果］ 以上説明したように、本発明の近赤外線吸収剤は、熱安
定性が良好であり、また、溶媒、液晶への溶解性、樹脂
との相溶性が良好なものである。 更に本発明の近赤外線吸収剤を用いた表示記録材料は、
光記録媒体とした場合、成膜時の反射率が高く、膜の吸
収が光源の波長に対応しており、フィルターとした場合
、光吸収特性がシャープでかつ高い吸収率を示し、液晶
表示素子とした場合、コントラストが良好である。 特許出願人　三井東圧化学株式会社 山本化成株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式（ I ）中、Ｒ＾１、Ｒ＾４、Ｒ＾５、Ｒ＾８、Ｒ
   ＾９、Ｒ＾１＾２、Ｒ＾１＾３及びＲ＾１＾６は、各々
   独立に水素原子、アルキル、アリールメチル、アルコキ
   シメチル、アルキルアミノメチル、ジアルキルアミノメ
   チル、アリールオキシメチル、アリールチオメチル、ア
   リールアミノメチル、ジアリールアミノメチル、アルキ
   ルアリールアミノメチル基であるが、Ｒ＾１とＲ＾４、
   Ｒ＾５とＲ＾８、Ｒ＾９とＲ＾１＾２、およびＲ＾１＾
   ３とＲ＾１＾６の組合せにおいて、両者が同時に水素原
   子とはならない；Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾６、Ｒ＾７、Ｒ
   ＾１＾０、Ｒ＾１＾１、Ｒ＾１＾４およびＲ＾１＾５は
   、各々独立に水素原子、アルキル基、アリールメチル基
   、アルコキシメチル、アルキルアミノメチル、ジアルキ
   ルアミノメチル、アリールオキシメチル、アリールチオ
   メチル、アリールアミノメチル、ジアリールアミノメチ
   ル、アルキルアリールアミノメチル、アルキルチオ、ア
   リールチオ、アルキルオキシ、アリールオキシ、アリー
   ル基、ハロゲン原子をあらわし、Ｍｅｔは２個の水素原
   子、２価の金属原子、３価又は４価の置換金属原子を表
   わす。〕で示されるアルキルフタロシアニン近赤外線吸
   収剤。 ２、請求項１記載の近赤外線吸収剤を記録層中に含有し
   てなる光記録媒体。 ３、請求項１記載の近赤外線吸収剤を含有してなる近赤
   外線吸収フィルター。 ４、請求項１記載の近赤外線吸収剤を含有してなる液晶
   表示素子。 ５、式（ I ）中のＲ＾１、Ｒ＾４、Ｒ＾５、Ｒ＾８、
   Ｒ＾９、Ｒ＾１＾２、Ｒ＾１＾３及びＲ＾１＾６が水素
   原子以外である請求項１記載の近赤外線吸収剤。 ６、請求項５記載の近赤外線吸収剤を記録層中に含有し
   てなる光記録媒体。 ７、請求項５記載の近赤外線吸収剤を含有してなる近赤
   外線吸収フィルター。 ８、請求項５記載の近赤外線吸収剤を含有してなる液晶
   表示素子。 ９、式（ I ）中のＲ＾１、Ｒ＾４、Ｒ＾５、Ｒ＾８、
   Ｒ＾９、Ｒ＾１＾２、Ｒ＾１＾３及びＲ＾１＾６のそれ
   ぞれについて、炭素、酸素、窒素および硫黄原子の数の
   和が５〜１２である請求項５記載の近赤外線吸収剤。 １０、請求項９記載の近赤外線吸収剤を記録層中に含有
   してなる光記録媒体。 １１、請求項９記載の近赤外線吸収剤を含有してなる近
   赤外線吸収フィルター。 １２、請求項９記載の近赤外線吸収剤を含有してなる液
   晶表示素子。 １３、式（ I ）中のＲ＾１、Ｒ＾４、Ｒ＾５、Ｒ＾８
   、Ｒ＾９、Ｒ＾１＾２、Ｒ＾１＾３及びＲ＾１＾６が各
   々独立に炭素数５〜１２のアルキル基、アリールメチル
   基である請求項９記載の近赤外線吸収剤。 １４、請求項１３記載の近赤外線吸収剤を記録層中に含
   有してなる光記録媒体。 １５、請求項１３記載の近赤外線吸収剤を含有してなる
   近赤外線吸収フィルター。 １６、請求項１３記載の近赤外線吸収剤を含有してなる
   液晶表示素子。 １７、式（ I ）中のＲ＾１〜Ｒ＾１＾６が各々独立に
   、アルキル、アリールメチル、アルコキシメチル、アル
   キルアミノメチル、ジアルキルアミノメチル、アリール
   オキシメチル、アリールチオメチル、アリールアミノメ
   チル、ジアリールアミノメチル、アルキルアリールアミ
   ノメチル基である請求項５記載の近赤外線吸収剤。 １８、請求項１７記載の近赤外線吸収剤を記録層中に含
   有してなる光記録媒体。 １９、請求項１７記載の近赤外線吸収剤を含有してなる
   近赤外線吸収フィルター。 ２０、請求項１７記載の近赤外線吸収剤を含有してなる
   液晶表示素子。 ２１、式（ I ）中のＲ＾１〜Ｒ＾１＾６が各々独立に
   、炭素数５〜１２のアルキル基、アリールメチル基であ
   る請求項１記載の近赤外線吸収剤。 ２２、請求項２１記載の近赤外線吸収剤を記録層中に含
   有してなる光記録媒体。 ２３、請求項２１記載の近赤外線吸収剤を含有してなる
   近赤外線吸収フィルター。 ２４、請求項２１記載の近赤外線吸収剤を含有してなる
   液晶表示素子。