JPH02296885A

JPH02296885A - 近赤外線吸収剤及びそれを用いた表示・記録材料

Info

Publication number: JPH02296885A
Application number: JP1117445A
Authority: JP
Inventors: Naoto Ito; 伊藤　尚登; Tsuyoshi Enomoto; 榎本　堅; Takahisa Oguchi; 貴久小口; Isao Nishizawa; 西沢　功
Original assignee: Yamamoto Chemicals Inc; Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Current assignee: Yamamoto Chemicals Inc; Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Priority date: 1989-05-12
Filing date: 1989-05-12
Publication date: 1990-12-07
Anticipated expiration: 2011-01-31
Also published as: JPH089714B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野］本発明は情報記録、表示、センサー、保護眼鏡などオプ
トエレクトロニクス関連に重要な役割を果す近赤外線吸
収剤及びそれを用いて作成される光記録媒体（光カード
を含む）、近赤外光の捕集、遮断に関するフィルター（
眼鏡を含む）、近赤外光を用いた液晶表示素子に関する
。〔従来の技術］ナフタロシアニン系色素を近赤外線吸収剤として利用す
ることは特開昭６０−４３６０５．６０−２３４５１゜
６１−２５８８６．６１−１６３８９２．６２−３９２
８６号公報などにより広く知られているが、公知文献〔
日本化学会第５６回春季年会予稿集ＩＩ、１３９２頁（
１９８８）　、同第５７回秋季年会予稿集ＩＩ、５６２
頁（１９８８）　）に記載されているように、ナフタロ
シアニン系色素は会合しやすいためにその吸収能が充分
でなかった。そのためにそれを用いた光記録媒体においては、反射率
が低く、感度が不充分であり、フィ、ルターにおいては
、吸収スペクトルがブロードとなり光の選択透過能およ
び吸収能が悪く、液晶表示素子においては、コントラス
トが悪いなどの欠点を有していた。

【発明が解決しようとする課題】

本発明の目的は、会合性が小さく、モル吸光係数の大き
な、また、樹脂または液晶に良く溶解し、高い光吸収、
表示特性を有するナフタロシアニン系色素を見出すとと
もに、それを用いて、高反射率、高感度な光記録媒体、
フィルター、液晶表示素子を得るものである。（課題を解決する手段］本発明者らは、前項の課題を解決すべく鋭意検討の結果
、下式（Ｉ）で示される化合物を見出した。即ち本発明は、〔式（Ｉ）中、ＡＩ％Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ１、Ａ６、
Ａ７及びＡ６は、水素原子、ハロゲン原子、置換または
未置換のアルキル基、置換または未置換のアリール基、
置換または未置換のアルコキシ基、置換または未置換の
７リールオキシ基、置換または未置換のアルキルチオ基
、置換または未置換のアリールチオ基な表ワスカ、ＡＩ
トＡ２、Ａ’トＡ’、　Ａ’トＡ’、およびＡ７とＡ″
の各組合せにおいてその両方が同時に水素原子またはハ
ロゲン原子になることはない。Ｙ　ｌ、　Ｙ　Ｉ　ＩＩは各々独立に水素原子、ハロゲ
ン原子、置換または未置換のアルキル基、置換または未
置換のアリール基、置換または未置換のアルコキシ基、
置換または未置換のアリールオキシ基、置換または未置
換のアルキルチオ基、置換または未置換のアリールチオ
基、置換または未置換のアルキルアミノ基、置換または
未置換のジアルキルアミノ基、置換または未置換のアリ
ールアミノ基、置換または未置換のジアリールアミノ基
、置換または未置換のアルキルアリールアミノ基、ヒド
ロキシ基、メルカプト基、ニトロ基、ニトリル基、オキ
シカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオ
キシカルボニル基、アミノカルボニル基、モノまたはジ
置換アミノカルボニル基をあられし、Ｍｅｔは２個の水
素原子、２価の金属原子、３価又は４価の置換金属原子
を表わす。】で示される近赤外線吸収剤であり、それを
用いて作成される光記録媒体、フィルターおよび液晶表
示素子である。本発明の近赤外線吸収剤の特徴は、Ａ１〜Ａ８で示され
るナフタロシアニンのα位に置換基を有している点であ
り、これらの置換基のうち同一のナフタレン環に置換し
ている置換基、すなわちＡ１とＡ２、Ａ３とＡ４、Ａ６
とＡ６、およびＡ？とＡ８の各組合せにおいてその両方
が同時に水素原子またはハロゲン原子になることはない
点である。特に、０位の置換基に嵩高い基、好ましくは炭素、酸素
、硫黄または窒素原子の原子数の和が４以上、より好ま
しくは４〜１２である置換基を選択することによりナフ
タロシアニン分子の分子同志の会合を防ぎ、その結果と
して高いモル吸光係数と、高い反射率を得ることに成功
した。これらの化合物による膜は、高い反射率を有する
とともに、膜厚を薄くしても必要な光エネルギーを吸収
できるので、それを用いた光記録媒体は当然高感度とな
る。また、同様に樹脂、液晶と混合しても、これらの化
合物は少量で大きな光吸収を有するために、それを用い
たフィルター、液晶表示素子の性能も良好なものとなる
。ＡＩ、、、　Ａ　ａで示されるハロゲン原子としては、
フッ素、塩素、臭素およびヨウ素原子が挙げられる。置換または未置換のアルキル基の例としては、メチル、
エチル、プロピル、ｎ−ブチル、１ｓｏ−ブチル、ｔｅ
ｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、１ｓｏ−ペンチル、ｎｅ
ｏ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、ｎ−へ
ブチル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキシル、ｎ−ノニ
ル、３，５．５−トリメチルヘキシル、ｎ−デシル、４
−ｔｅｒｔ−ブチルオクチル、セチル等の炭化水素基、
クロルメチル、クロルエチル、トリクロロプロピル、ヘ
キサフロロアミル等のハロゲン化アルキル基、メトキシ
メチル、ブトキシメチル、メトキシエチル、エトキシエ
チル、ブトキシエチル、メトキシエトキシメチル、エト
キシエトキシエトキシエチル、フェノキシエチル、エト
キシプロポキシプロビル等のアルコキシまたはアリール
オキシアルキル基、メチルチオメチル、ブチルチオメチ
ル、２．３−ジメトキシプロピルチオメチル、エチルチ
オエチル、ブチルチオエチル、フェニルチオエチル等の
アルキルチオまたはアリールチオアルキル基、ヒドロキ
シメチル、ヒドロキシエチル等のヒドロキシアルキル基
、アミノメチル、アミノエチル等のアミノアルキル基、
Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノエチル、Ｎ、Ｎ−ジプロピルア
ミノプロピル等のアルキルアミノアルキル基、ベンジル
、フェネチル等のアラルキル基、アリルノ、クロチル、
メタリル等のオレフィニックアルキル基などが挙げられ
る。置換または未置換のアリール基の例としては、フェニル
、ナフチル、トリル、メシチル、トリエチルフェニル、
アニリル、ジメトキシフェニル基などが挙げられる。置換または未置換のアルコキシ基の例としては、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ｎ−ペンチルオ
キシ、１ｓｏ−ペンチルオキシ、ｎｅｏ−ペンチルオキ
シ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチル
オキシ、オクチルオキシ、２−エチルへキシルオキシ、
ノニルオキシ、３、５．５−トリメチルへキシルオキシ
、デシルオキシ、セチルオキシ、アリルオキシ、クロチ
ルオキシ、Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノエチルオキシ、メト
キシエトキシ、エトキシ、エトキシ、ブトキシエトキシ
、フェノキシエトキシ、エトキシプロポキシ、エトキシ
エトキシエトキシ、メトキシエトキシエトキシエトキシ
、エチルチオエトキシ、クロルエトキシ、ヒドロキシエ
トキシ、ヒドロキシブトキシ、ヒドロキシへキシルオキ
シ、ベンジルオキシ基などが挙げられる。置換または未置換のアリールオキシ基の例としては、フ
ェノキシ、ナフチルオキシ、トルイルオキシ、メトキシ
フェニルオキシ基などが挙げられる。置換または未置換のアルキルチオ基の例としては、メチ
ルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、ブチルチオ、ペン
チルチオ、クロルプロピルチオ、メトキシエチルチオ、
Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノエチルチオ、２−エチルへキシ
ルチオ、３．５．５−トリメチルへキシルチオ、ベンジ
ルチオ、アリルチオ基などが挙げられる。置換または未置換のアリールチオ基の例としては、フェ
ニルチオ、ナフチルチオ、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニ
ルチオ、トルイルチオ、メトキシフェニルチオ、クロル
フェニルチオ基などが挙げられる。又、Ｙｌ〜Ｙ１６で示される置換基としては、ハロゲン
原子、置換または未置換のアルキル基、置換または未置
換のアリール基、置換または未置換のアルコキシ基、置
換または未置換のアリールオキシ基、置換または未置換
のアルキルチオ基および置換または未置換のアリールチ
オ基の例としては前述のＡＩ、　Ａ　ａの置換基として
例示したものが相当する。置換または未置換のアルキルアミノ基、ジアルキルアミ
ノ基の例としては、メチルアミノ、エチルアミノ、プロ
とルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ等の炭化
水素アミノ基、ベンジルアミノ、フェネチルアミノ等の
アラルキルアミノ基などが挙げられる。置換または未置換のアリールアミノ基、ジアリールアミ
ノ基の例としては、フェニルアミノ、ナフチルアミノ、
トリルアミノ、トリエチルフェニルアミノ、ジメトキシ
フェニルアミノ、ジフェニルアミノ基などが挙げられる
。置換または未置換のアルキル−アリールアミノ基の例と
しては、メチルフェニルアミノ、エチルフェニルアミノ
、メチルナフチルアミノ、エチルナフチルアミノ基等が
挙げられる。又、Ｍｅｔで表わされる２価金属の例としては、（ｕ（
１１）、ｚｎ（１１１、Ｆｅ（１１）、（ｏ（Ｉｌｌ、
Ｎ１（ＩｌｌＲｕ（１１１、Ｈｈ（１１１、ｐｄ１＋１
１、ｐｔ（ＩＩ）、Ｍｏ（ＩｌｌＭｇ（ＩＩ）、　　７
ｉ（ＩＩ）、　　１３ｅ１１１１　、　　（ａ（ＩＩ）
、　　Ｂａｔｉｌｌｃｄ（１１１、Ｈｇ（ｌ冨）、ｐｂ
＋１１１．３ｎ（Ｉｌｌなど、１置換３価金属の例とし
ては、Ａｌ−Ｃｌ、　Ａｌ−Ｂｒ、　Ａｔ−Ｆ、ＡＩ−
Ｉ、Ｇａ−Ｃ１％Ｇａ−Ｆ、　Ｇａ−１％Ｇａ−Ｂｒ、
　Ｉｎ−Ｃ１゜Ｉｎ−Ｂｒ、Ｉｎ−１％Ｉｎ−Ｆ、　Ｔ
ｌ−Ｃ１、Ｔｌ−Ｂｒ、　ＴＩ−Ｉ、ＴＩ−Ｆ、　Ａｌ
−Ｃ５Ｈｓ、Ａｌ−ＣｌｌＨ４（ＣＨ３）、Ｉｎ−Ｃ５
Ｈｓ、Ｉｎ−Ｃ５Ｈｎ　（Ｃ）Ｉｓ）、　Ｉｎ−Ｃ＋ｏ
Ｈｔ、　　Ｍｎ（ＯＨ）、　Ｍｎ　（ＯＣＩＩＨＢ）。Ｍｎ［０３ｉ（ＣＨｓ）ｓｌ、ＦｅＣ１，ＲｕＣ１など
が挙げられる。２置換の４価金属の例としては、ＣｒＣｈ、５ｉＣ１２
，５ｉＢｒ雪、Ｓｉｈ、５ｉｌｔ、ＺｒＣ１＊、ＧｅＣ
１ｚ、ＧｅＢｒ＊、Ｇｅ１ｉ、ＧｅＦｚ、ＳｎＣｌ　ｚ
、５ｎＢｒ＊、５ｎｌｉ、５ｎＦ１、ＴｉＣ１ｉ、Ｔｉ
Ｂｒ＊、ＴｉＦ２、Ｓｉ　（ＯＨ）　＊、Ｇｅ　（ＯＨ
）　＊、Ｚｒ　（ＯＨ）、、Ｍｎ　（ＯＨ）　ｚ、Ｓｎ
　（ＯＨ）　、、ＴｉＲａ、ＣｒＲｔ、ＳｉＲ，、Ｓｎ
Ｒ＊、ＧｅＲａ［Ｒはアルキル基、フェニル基、ナフチ
ル基及びその誘導体を表わす］、Ｓｉ　（ＯＲ’）、、
５ｎ（ＯＲ’）ｚ、Ｇｅ（ＯＲ’）ｉ、Ｔｉ（ＯＲ’ｈ
、Ｃｒ（ＯＲ’ｈ　［Ｒ’はアルキル基、フェニル基、
ナフチル基、トリアルキルシリル基、ジアルキルアルコ
キシシリル基の誘導体を表わす］　、５ｎ（ＳＲ”）２
、Ｇｏ　（ＳＲ”）　ｓ　［Ｒ”はアルキル基、フェニ
ル基、ナフチル基及びその誘導体を表わす］などが挙げ
られる。オキシ金属の例としては、ｖＯｌＭｎＯｌＴｉＯなどが
挙げられる。一般式（Ｉ）で示される化合物の合成法としては、下式
（ＩＩ）又は（ｍ）（ＩＩ）　　　　　　　Ｎ）Ｉ（ｍ）〔式（ＩＩ　）及び（ＩＩＩ）におけるナフタレン環は
、前述の（Ｉ）式にて述べたような置換基を有していて
よい。）で示される化合物の１〜４種を混合して、例え
ば１．８−ジアザビシクロ　［５，４，Ｏ］−７−ウン
デセン（ＤＢＵ）存在下、金属誘導体とアルコール中加
熱反応する、金属誘導体と高沸点溶媒中、例えばクロル
ナフタレン、ブロムナフタレン、トリクロルベンゼン中
で反応する、あるいは金属誘導体と尿素の溶融条件下に
反応する方法が挙げられる。本発明の近赤外線吸収剤を用いて光記録媒体を製造する
方法には、透明基板上に近赤外線吸収剤を塗布或は蒸着
する方法があり、塗布法としては、バインダー樹脂２０
重量％以下、好ましくは０％と、近赤外線吸収剤０．０
５重量％〜２０重量％、好ましくは０．５重量％〜２０
重量％となるように溶媒に溶解し、スピンコーターで塗
布する方法などがある。また蒸着方法としては、１Ｏ−
６〜１Ｏ−７ｔｏｒｒ、１００〜３００℃にて基板上に
近赤外線吸収剤を堆積させる方法などがある。基板としては、光学的に透明な樹脂であればよい０例え
ばアクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、塩化ビニール樹脂
、塩化ビニリデン樹脂、ポリカーボネート樹脂、エチレ
ン樹脂、ポリオレフィン共重合樹脂、塩化ビニール共重
合樹脂、塩化ビニリデン共重合樹脂、スチレン共重合樹
脂などが挙げられる。また基板は熱硬化性樹脂又は紫外線硬化性樹脂により表
面処理がなされていてもよい。光記録媒体（光ディスク、光カード等）を作製する場合
、コストの面、ユーザーの取り扱い面より基板はポリア
クリレート基板又はポリカーボネート基板を用い、かつ
、スピンコード法により塗布されるのが好ましい。基板の耐溶剤性よりスピンコードに用いる溶媒は、四塩
化炭素よりも極性が小さいものが好ましい。このような
溶媒としては、ハロゲン化炭化水素（例えば、ジクロロ
メタン、クロロホルム、塩化炭素、テトラクロロエチレ
ン、ジクロロジフロロエタンなど）、エーテル類（例え
ば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルなど）、ケ
トン類（例えば、アセトン、メチルエチルケトンなど）
、アルコール類（例えば、メタノール、エタノール、プ
ロパツールなど）、セロソルブ類（メチルセロソルブ、
エチルセロソルブなど）、炭化水素類（ヘキサン、シク
ロヘキサン、オクタン、ベンゼン、トルエン、キシレン
など）が好適に用いられる。また、フィルターを作成する時のコスト面、作業性より
、化合物の重要な性質としては、樹脂と混線が出来る耐
熱性を有すること、ないしは樹脂基板を溶媒中より染色
出来ることが挙げられ、かつ、作製した成型物の光吸収
特性がシャープで、かつ高い吸収率を有する必要がある
。一般式（１）及びその異性体を用いて近赤外線吸収フィ
ルターを製造する方法は、樹・脂と一般式（Ｉ）の近赤
外線吸収剤を混合し成型する、樹脂モノマーに一般式（
Ｉ）の近赤外線吸収剤を混ぜ注型重合する、樹脂成型物
に一般式（Ｉ）の近赤外線吸収剤を染色する、基板材料
の表面に一般式ＣＩ）の近赤外線吸収剤を塗布、蒸着す
る方法がある。フィルター基材として用いる樹脂としては、透明であれ
ばよく、例えばポリスチレン、ポリメチルメタアクリレ
ート、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリプロピレ
ンなとの熱可塑性樹脂、ＣＲ−３９（ＰＰＧｅＭ、商品
名）、ＭＲ−３（三井東圧化学、商品名）、ＭＲ−６（
三井東圧化学、商品名）などの熱硬化性樹脂が好ましい
。又、表示材料として液晶と共に用いる場合、液晶への溶
解性が高い必要があり、かつ電界をかけたり、熱をかけ
て液晶の状態を変化させるに際して吸収剤がその変化を
妨げないことが必要である。表示材料として混合して用いる液晶としてはネマチック
液晶、スメクティック液晶、コレステリック液晶が挙げ
られ、表示方法の例としては、ゲストホスト型表示、液
晶パネル（液晶中に近赤外線吸収剤を入れてレーザー光
にて画面を書込む）などが挙げられる。［実施例Ｊ以下実施例により本発明を具体的に説明する。Ｘ置皿ユ下記構造式（ＩＩ−１）で示されるナフタロニド（ＩＩ
−１）リル誘導体２．５４部と塩化第一銅０．６４部とモリブ
デン酸アンモニウム０．００６４部と尿素４００部から
なる混合物を加熱し、２００〜２６０℃で１時間加熱攪
拌した０次に反応溶液にクロロホルムを加え吸引ろ過を
行い、ろ液を濃縮後、カラム精製（シリカゲル／トルエ
ン）し、０．２９部（収率１１％）の下記構造式（ｔ−
１）で示されるナフタロシアニン化合物を得た。 λｍａｘ　：　８３１部ｍ／ヘキサンｃ　！２．　ＯＸ　１０’ １０００部に溶解し、ポリカーボネート光デイスク基板
に塗布した。この様にして製作した光ディスクは反射率
３０％（ａｔ　８３０部ｍ）、感度は８　ｍＷ、　８３
０部ｍ半導体レーザーにて線速１１ｍ／ｓｅｃにおいて
５０　ｄＢであった。夫立■ユ下記構造式（ＩＩ−２）で示されるナフタロニドＪｉ元素分析計算値（％）実測値（％）ＣＩ−１）Ｃｕ　　ＣａａＨ＋ｏ４Ｎｍ ■ ７９、０３７．８４７８、８９７．８Ｏ８，３８８，３１前記化合物（Ｉ−１）１５部をジブチルエーテル（ＩＩ−２）リル誘導体２．３２部、と塩化ニッケル０．８３部とモ
リブデン酸アンモニウム０．００６４部と尿素４００部
からなる混合物を加熱し、２００〜２６０℃で１時間加
熱攪拌した６次に反応溶液にクロロホルムを加え吸引ろ
過を行い、ろ液を濃縮後、カラム精製（シリカゲル／ト
ルエン）し、０．３７部（収率１５％）の下記構造式（
Ｉ−２）で示されるナフタロシアニン化合物およびその
異性体化合物を得た。 λｍａｘ　　：？９５ｎｍ／９５部ンＣ富２．３Ｘ　１０’ ト光カード基板に塗布した。この様にして製作した光カ
ードは反射率３５％（ａｔ　８３０部ｍ）、感度は５ｍ
Ｗ。８３０１半導体レーザーにて線速２．８ｍ／ｓｅｃにお
いて５０　ｄＢであった。このカードの耐久性は良好で
あった。塞１１肌旦下記構造式（ＩＩ−３）で示されるナフタロニドＣ）Ｉ
ｓ（Ｉ−２）元素分析ｉＣ・。ＨａａＮａ計算値（％）実測値（％）７８．７４７８、２８ ■ ７．２７７．１９９．１８９．１３前記化合物（Ｉ−２）またはその異性体化合物リル誘導体０．９６部と三塩化バナジウム０．３８部と
モリブデン酸アンモニウム０．００２４部と尿素１００
部からなる混合物を加熱し、２００〜２６０℃で１時間
加熱攪拌した０次に反応溶液にクロロホルムを加え吸引
ろ過を行い、ろ液を濃縮後、カラム精製（シリカゲル／
トルエン）し、０．１３部（収率１３％）の下記構造式
（Ｉ−３）で示されるナフタロシアニン化合物およびそ
の異性体化合物を得た。 λｍａｘ　　＝８３６ｎｍ ε＝２．２Ｘ１０″ し、押出機にてシート状にした後、２軸延伸して２００
μのフィルムとした。このフィルムは８００〜９００ｎ
ｍ光をよく吸収した。Ｘ血１下記構造式（ＩＩ　−４）で示されるナフタロニド（Ｉ
−３）元素分析ＶＯＣａ４ＮｓａＮａＯ４計算値（％）実測値（％）７４．８１７４．６５Ｎ７．１７　　８゜３１７．１４　　８．２３前記化合物（Ｅ−３）およびその異性体化合物の混合物
２部をポリエステル１００部と加熱混合（ＩＩ−４）リル誘導体２．２４部と塩化第一銅０．６４部とモリブ
デン酸アンモニウム０．００６４部と尿素４００部から
なる混合物を加熱し、２００〜２６０℃で１時間加熱攪
拌した０次に反応溶液にクロロホルムを加え吸引ろ過を
行い、ろ液を濃縮後、カラム精製（シリカゲル／クロロ
ホルム：メタノール＝５：１　）　Ｌ、、０．２８部（
収率１２％）の下記構造式（Ｉ−４）で示されるナフタ
ロシアニン化合物およびその異性体化合物を得た。 λｍａｘ　：　８４０部ｍ／ヘキサン ε：２゜ｌＸｌ０’ また比較のため、公知のナフタロシアニン化合物（Ｉ−
４）元素分析Ｃｕ　　ＣａａＨａ４ＮａＳ４計算値（％）実測値（％）６８．９２６８、８４ＮＳ５．４４　　９．４６　１Ｇ、８２５．４６　　９．４１　　１０．６８この化合物の１部を下記式で示されるスメステツク液晶
混合物１００部に混合して液晶パネルを作製した。を混合した液晶パネルの作製した。尚、液晶層の厚みは
両パネル共にｌＯμとした。本発明の液晶パネルは、従来の液晶パネルに比べ、書込
み線幅が鮮明になる。また本発明の液晶パネルではレー
ザー出力が２０ｍＷのとき、ライトベンの移動速度が２
ｃｍ／ｓｅｃで１６０μの線が書込めた。尚、このナフタロシアニン化合物は、ビフェニルエステ
ルまたはエステル系液晶材料に約２重量％まで溶解でき
、また、各種耐候性テストにより非常に良好な寿命を有
することを確認した。すなわち、液晶材料をカプセルに注入し、直射日光下、
　１００時間放置した後、その吸光度および吸収スペク
トルの変化を調べたところ、全く変化なく、非常に安定
であることが判明した。１血■互二ｌ亙下記一般式（ＩＩ）で示されるナフタロニトリル（表−
１）の１〜４種と金属類と反応することにより、表−２
に示すナフタロシアニンを合成した０表−２に示すナフ
タロシアニン化合物を用いて作製した光ディスク、光カ
ード、液晶パネル、フィルターは良好な性能を有してい
た。（ＩＩ）［発明の効果］以上説明したように、本発明の近赤外線吸収剤は、会合
性が小さいために吸収能が充分有り、また、溶媒、液晶
への溶解性、樹脂との相溶性が良好なものである。更に
本発明の近赤外線吸収剤を用いた表示記録材料は、光記
録媒体とした場合、成膜時の反射率が高く、膜の吸収が
光源の波長に対応しており、フィルターとした場合、光
吸収特性がシャープでかつ高い吸収率を示し、液晶表示
素子とした場合、コントラストが良好である。特許出願人　三井東圧化学株式会社山本化成株式会社

Claims

【特許請求の範囲】１、式（Ｉ） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｉ）〔式（Ｉ）中、Ａ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３、Ａ＾４、Ａ＾
５、Ａ＾６、Ａ＾７及びＡ＾８は、水素原子、ハロゲン
原子、置換または未置換のアルキル基、置換または未置
換のアリール基、置換または未置換のアルコキシ基、置
換または未置換のアリールオキシ基、置換または未置換
のアルキルチオ基、置換または未置換のアリールチオ基
を表わすが、Ａ＾１とＡ＾２、Ａ＾３とＡ＾４、Ａ＾５
とＡ＾６、およびＡ＾７とＡ＾８の各組合せにおいてそ
の両方が同時に水素原子またはハロゲン原子になること
はない。Ｙ＾１〜Ｙ＾１＾０は各々独立に水素原子、ハロゲン原
子、置換または未置換のアルキル基、置換または未置換
のアリール基、置換または未置換のアルコキシ基、置換
または未置換のアリールオキシ基、置換または未置換の
アルキルチオ基、置換または未置換のアリールチオ基、
置換または未置換のアルキルアミノ基、置換または未置
換のジアルキルアミノ基、置換または未置換のアリール
アミノ基、置換または未置換のジアリールアミノ基、置
換または未置換のアルキルアリールアミノ基、ヒドロキ
シ基、メルカプト基、ニトロ基、ニトリル基、オキシカ
ルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシ
カルボニル基、アミノカルボニル基、モノまたはジ置換
アミノカルボニル基をあられし、Ｍｅｔは２個の水素原
子、２価の金属原子、３価又は４価の置換金属原子を表
わす。〕で示される近赤外線吸収剤。２、特許請求の範囲第１項の近赤外線吸収剤を記録層に
含有してなる光記録媒体。３、特許請求の範囲第１項の近赤外線吸収剤を含有して
なる近赤外線吸収フィルター。４、特許請求の範囲第１項の近赤外線吸収剤を含有して
なる液晶表示素子。