JPH0243091A

JPH0243091A - 光学記録媒体

Info

Publication number: JPH0243091A
Application number: JP63193958A
Authority: JP
Inventors: Toshihiro Kashima; 鹿島　俊弘
Original assignee: Toyobo Co Ltd
Current assignee: Toyobo Co Ltd
Priority date: 1988-08-03
Filing date: 1988-08-03
Publication date: 1990-02-13

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は光学記録媒体、特に近赤外域に吸収を持つ゛１
′−導体レーザー用の有機系記録層を有する光学記録媒
体に関する。

（従来の技術）近年、゛１′、導体レーザーの発展は１−１覚ましく小
型で安定した発振器が安価に入丁可能になり、各種記録
装置の光源として用いられはじめた。しかしながらこれ
ら゛Ｆ導体レーザーの波長は比較的長波長のものに限定
されており短波長光の発振が１ｊ工能な半導体レーザー
は寿命、出力などに問題がある。従って゛ｉ導体レーザ
ー用記録媒体としては近赤外域に吸収を持つ素材を薄膜
層として用いることが必須となり、最大吸収波長が７５
０μｍ以ドの素材では不適当である。従来この種の記録
媒体としては基板トに形成せしめた薄膜にレーザー光を
照射し、ピットを形成せしめ、ピットとピットでない部
位の反射率の差で記録情報を読みだすものがある。この
記録および＋１’Ｉ（読み出し）のための記録層の構成
は、記録用薄膜形成層と反射膜からなる２層以１〕のも
のもあるが、記録用薄膜層のみで前記両機能を打するも
のが自利である。この記録用薄膜層のｌｉｔ層膜の場合
は該記録用薄膜層の素材はそれ自身で高い反射率を有す
ることが高いＣ／Ｎ比を得るために７安である。この種
の記録媒体としては、１！に機ではＴｅまたはその合金
の低融点金属を用いたものが知られ、有機系では７アニ
ン系色素を用いたもの、フタロンアニン系化合物を用い
たものが知られている。

（発明が解決しようとする課題）Ｔｅ系合金を用いた！！！−機系光学記録媒体は比較的
感度も高く優れているが、ｌ！ｉ’性に問題があり、成
膜方法もスパッタリング′５によるため設備コスト）・
が１１°ｊ１（、生産性も低い欠点を自している。シア
ニン系色素を用いた有機系の薄膜光学記録媒体の場合は
スピンコード法等の比較的安価な方法で生産できる利点
を有しているが性能面、例えば保存安定性（耐久性）で
満足できる状態に達していないのが現状である。またナ
フトキノン、アントラキノン系の場合は溶剤溶解性に乏
しく、また凝集構造の中成なと保存安定性に問題があっ
た。さらにフタロシアニン系化合物の場合にも溶剤溶解
性、丁導体し−ザーマンチング性、保存中の結晶変化等
で不充分であった。

（課題を解決するための手段）近赤外域の光に高感度であり、溶剤溶解性が大きく、高
い反射率を’Ｊ（Ｌ／　’ｉｊＬ性かなくかつ耐久性に
も優れた光学記録媒体の記録１４生のための薄膜材を提
供し、もって優れた光学記録媒体を提供するために、鋭
意検討の結果本発明に到達した。すなわち本発明は、下
記・般式（Ｉ）式で示されるナフタロシアニン化合物を
主成分とする有機薄膜を基板］・、に形成せしめてなる
ことを特徴とする光学記録媒体である。

（たたし上式中置換基Ｘは異種または同一の−Ｚ’　−
Ｒ’−２２で示される基であり、Ｚｌは、−０−、−８
−、−８０２＋、−ＮＲ２−ＮＲ３ＣＯ−、−ＣＯＯ−
、−８ｏ。ＮＲ’から選ばれた有機基、Ｒ１は炭素数が
１〜１８の直鎖あるいは、分枝のアルキレン基、ポリオ
キシアルキレン基、炭素数６〜１４のアリーレン基、炭
素数４以上のシクロアルキレン基から選ばれた２価の有
機基、Ｚ２はハロゲン、炭素数１〜８のアルキル基、水
素、−ＯＲ５−８Ｒ６ −８Ｏ２ＮＲ７Ｒ’　、−ＮＲ”　Ｒ”から選ハレタ有
機基、Ｒ５〜ＲＩ（ｌは炭素数１〜１８の直鎖あるいは
分枝のアルキル基、炭素数６〜１４のアリル基、アルケ
ニル基、ポリオキシアルキル基、炭素数４以りのンクロ
アルキル基から選ばれた有機Ｊ、（、Ｒ２−Ｒ４は水素
、炭素数１〜１０の直鎖あるいは分枝のアルキル基、ア
ルケニル基、アシル基、アルキル硫酸基から選ばれた有
機基を示し、Ｍは水素、金属または金属の酸化物、金属
の〕＼ロゲン化物、金属の水酸化物を示し、ｍａｎはそ
れぞれ別個に各置換基Ｘの個数を表わし、ｍはＯ〜４、
ｎは０〜２の整数であり同一でも異なってもよく、ｍと
Ｈの総和は３〜１６の範囲である。さらにＺ′が、−〇
−１または−Ｓ−であり、かつＺ２が水素、−０Ｒ５、
または−８Ｒ１′のときはｍは全てＯである。）本発明の特定のナフタロシアニン化合物を薄膜として基
板１−に形成した光学記録媒体は、近赤外域における感
度、反射ヰく、耐久性のいずれも満足するものであり、
光ディスク、光カード、テープなどの各種の光を用いた
記録、ｔＩｉ生のための媒体としてｆ１゛用である。

本発明の］ｌ的を損オ）ないかぎりにおいて、ナフタロ
シアニン化合物に安定剤、滑剤、帯電防市剤、バインダ
ーとしての高分子化合物、他の染料、増感剤を併用して
もよい。本発明において使用されるＪ＾板材料は、使用
レーザー光に透明、不透明のいずれでもよいが、基板側
からのレーザー光で＋’Ｆきこみ記録を行なう場合はレ
ーザー光に対して透明でなければならない。

これらの基板材料としてはガラス、アクリル樹脂、メタ
アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ニトロセルローズ樹
脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリメチ
ルペンテン−１樹脂、エポキシ樹脂、塩化ビニール樹脂
、ポリパラフェニレン樹脂等が挙げられる。これらの樹
脂は、シート、フィルム、円板等の形状物であり、また
これ等の形状物には必要に応じてド塗り層や、特定の金
属の蒸着を施した層を自するものであってもよい。

以−ド、実施例によりさらに詳しく説明する。

なお、実施例における特性の測定上１；・ｒ価はド記に
よった。

スペクトルお上ナフタロシアニン化合物をエタノールに１．５屯１．（
％に溶解してスピンコーターにてガラス基板１“、に固
形分の厚さで７０ｎｍの薄膜を形成した。これをＵＶ−
Ｖ　Ｉ　Ｓスペクトロメーター（島１１象ＵＶ２１ＯＡ
）にて吸収および反射スペクトルを測定した。これより
８３０　ｎｍの反射率（Ｒ％）を求めた。

記二誌」１１Ｌ以−１〕により得られた記録媒体に８３０　ｎｍの゛＋
’＝導体レーザーを光パワー　７ｍＷで、レンズ径をｉ
ｐに絞って照射し、トラ、・Ｉりの凹部にｉＩ）き込み
を行った。

次いで、同じレーザー光ｉＴｈ；ｔ　（０、５ｍＷ）を
読み出し光とし、反射光のＣ／Ｎ比が５０ｄＢ以［−と
なる−↑き込み光パルス幅を測定し、感度の逆数を算出
した。

組−−Ｌ−」Ｌ以」−の記録媒体にサイシャインカーボンアークフェー
ドメーターにより６３°Ｃで３００時間照射した後の反
射率、Ｃ／Ｎ比を測定し、劣化を調へた。

鮭−醋ヨ１」Ｌ以東により得られた記録媒体を７０°Ｃ，９０％ＲＨで
３ケ月間保在したときの反射率およびＣ／Ｎ比を測定し
た。

溶−一解一一性一栓付き試験管にナフタロシニン化合物を１．５ｇとり、
エタノールを５□Ｑ添加して、密栓後６０℃で３０分間
超音波を加えて溶解した。次いで室温にして、１時間放
置後岡過してｕＩｍ分を測定して、溶解度を求めた。

（実施例）ド記する各実験Ｎ［Ｌに対応するナフタロシアニン化合
物をエタノールに溶解しスピンコーターにより、ガラス
ノ、（板］・、に７０ｎｍの固形分厚さとなるように学
布した。得られた各々の試料について、各種特性および
性能を評価した。

結果を表− ■　にノ」くす。

なお式中、Ｂｕは／ルマルブチル基を− ｕはターンヤリ一ブチル基を示す。

以ド余白Ｎ（Ｌ実施例−２ ■、−０−　（ＣＨ２）２−０☆ ＮＯ，比較例 ”ＳＯ２く運＝シーＮ（Ｂｕ）２Ｎｏ、比較例−９ ■−０−（ＣＨ２）Ｎ（ＣＨ３）２（■−ＮＨＣＯＣ２Ｈ５（発明の効果）本発明の特定のナフタロシアニン化合物を１：、成分と
する薄膜を基板］二に形成した光学記録媒体は、溶解性
、反射率、１１ｔき込み感度の逆数、読み出しＣ／Ｎ比
がともに光学記録媒体としての安求特性をバランスよく
備えたものであり、さらに、該媒体は耐久性においても
優れたものであることが判った。これに対して、同様の
ナフタロシアニン化合物であっても本発明の一般式で表
わされる以外のものであれば、Ｌ記、光学記録媒体とし
ての諸性性において、いずれかが劣るものであり実用性
にとぼしいものであることが判った。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）下記一般式〔 I 〕で示されるナフタロシアニン
化合物を主成分とする薄膜を基板上に形成せしめてなる
ことを特徴とする光学記録媒体。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕（ただし上式中置換基Ｘは異種または同一の−Ｚ＾１−
Ｒ＾１−Ｚ＾２で示される基であり、Ｚ＾１は、−Ｏ−
、−Ｓ−、−ＳＯ＿２−、−ＮＲ＾２−、−ＮＲ＾３Ｃ
Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＳＯ＿２ＮＲ＾４−から選ばれた
有機基、Ｒ＾１は炭素数が１〜１８の直鎖あるいは、分
枝のアルキレン基、ポリオキシアルキレン基、炭素数６
〜１４のアリーレン基、炭素数４以上のシクロアルキレ
ン基から選ばれた２価の有機基、Ｚ＾２はハロゲン、炭
素数１〜８のアルキル基、水素、−ＯＲ＾５、−ＳＲ＾
６、−ＳＯ＿２ＮＲ＾７Ｒ＾８、−ＮＲ＾９Ｒ＾１＾０
から選ばれた有機基、Ｒ＾５〜Ｒ＾１＾０は炭素数１〜
１８の直鎖あるいは分枝のアルキル基、炭素数６〜１４
のアリル基、アルケニル基、ポリオキシアルキル基、炭
素数４以上のシクロアルキル基から選ばれた有機基、Ｒ
＾２〜Ｒ＾４は水素、炭素数１〜１０の直鎖あるいは分
枝のアルキル基、アルケニル基、アシル基、アルキル硫
酸基から選ばれた有機基を示し、Ｍは水素、金属または
金属の酸化物、金属のハロゲン化物、金属の水酸化物を
示し、ｍ、ｎはそれぞれ別個に各置換基Ｘの個数を表わ
し、ｍは０〜４、ｎは０〜２の整数であり同一でも異な
ってもよく、ｍとｎの総和は３〜１６の範囲である。さ
らにＺ＾１が、−Ｏ−、または−Ｓ−であり、かつＺ＾
２が水素、−ＯＲ＾５、または−ＳＲ＾６のときはｍは
全て０である。）