JPH0342277A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
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- JPH0342277A JPH0342277A JP1093699A JP9369989A JPH0342277A JP H0342277 A JPH0342277 A JP H0342277A JP 1093699 A JP1093699 A JP 1093699A JP 9369989 A JP9369989 A JP 9369989A JP H0342277 A JPH0342277 A JP H0342277A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は光記録媒体、特に近赤外域に吸収を持つ半導体
レーザー用のイf機系記録崩を有する光記録媒体に関す
る。
レーザー用のイf機系記録崩を有する光記録媒体に関す
る。
(従来の技術)
近年、半導体レーザーの発展は目覚ましく小型で安定し
た発振器が安価に入手可能になり、各種記録装置の光源
として用いられはじめた。しかしながらこれら半導体レ
ーザーの波長は比較的長波長のものに限定されており短
波長光の発振が可能な半導体レーザーは寿命、出力など
に問題がある。
た発振器が安価に入手可能になり、各種記録装置の光源
として用いられはじめた。しかしながらこれら半導体レ
ーザーの波長は比較的長波長のものに限定されており短
波長光の発振が可能な半導体レーザーは寿命、出力など
に問題がある。
従って半導体レーザー用記録媒体としては近赤外域に吸
収を持つ素材を薄膜層として用いることが必須となり、
最大吸収波長が750u以下の素材では不適当な場合が
多い。従来この種の記録媒体としては基板上に形成せし
めた薄膜にレーザー光を照射し、ピットを形成せしめ、
ピットとピントでない部位の反射率の差で記録情報を読
みだすものがある。この記録および再生(読み出し)の
ための記録層の構成は、記録用薄膜形成層と反射膜から
なる2層以上のものもあるが、記録用薄膜層のみで前記
両機能を有するものが有利である。この記録用薄膜層の
単層膜の場合は該記録用薄膜層の素材はそれ自身で高い
反射率を有することが高いC/N比を得るために必要で
ある。この種の記録媒体としては、無機ではTeまたは
その合金の低融点金属を用いたものが知られ、有機系で
はシアニン系色素を用いたもの、フタロンアニン系化合
物を用いたものが知られている。
収を持つ素材を薄膜層として用いることが必須となり、
最大吸収波長が750u以下の素材では不適当な場合が
多い。従来この種の記録媒体としては基板上に形成せし
めた薄膜にレーザー光を照射し、ピットを形成せしめ、
ピットとピントでない部位の反射率の差で記録情報を読
みだすものがある。この記録および再生(読み出し)の
ための記録層の構成は、記録用薄膜形成層と反射膜から
なる2層以上のものもあるが、記録用薄膜層のみで前記
両機能を有するものが有利である。この記録用薄膜層の
単層膜の場合は該記録用薄膜層の素材はそれ自身で高い
反射率を有することが高いC/N比を得るために必要で
ある。この種の記録媒体としては、無機ではTeまたは
その合金の低融点金属を用いたものが知られ、有機系で
はシアニン系色素を用いたもの、フタロンアニン系化合
物を用いたものが知られている。
(発明が解決しようとする課題)
Te系合金を用いた無機系光記録媒体は比較的感度も高
く優れているが、毒性に問題があり、成膜方法もスパン
タリング等によるため設備コスト等が高く、生産性も低
い欠点を有している。7アニン系色素を用いた有機系の
薄膜光記録媒体の場合はスピンコード法等の比較的安価
な方法で生産できる利点を有しているが性能面、例えば
保存安定性(耐久性)で満足できる状態に達していない
のが現状である。またナフトキノン、アントラキノン系
の場合は溶剤溶解性に乏しく、また凝集構造の生成など
保存安定性に問題があった。さらにフタロンアニン系化
合物の場合にも溶剤溶解性、半導体レーザーマツチング
性、保存中の結晶変化等で不充分であった。
く優れているが、毒性に問題があり、成膜方法もスパン
タリング等によるため設備コスト等が高く、生産性も低
い欠点を有している。7アニン系色素を用いた有機系の
薄膜光記録媒体の場合はスピンコード法等の比較的安価
な方法で生産できる利点を有しているが性能面、例えば
保存安定性(耐久性)で満足できる状態に達していない
のが現状である。またナフトキノン、アントラキノン系
の場合は溶剤溶解性に乏しく、また凝集構造の生成など
保存安定性に問題があった。さらにフタロンアニン系化
合物の場合にも溶剤溶解性、半導体レーザーマツチング
性、保存中の結晶変化等で不充分であった。
(課題を解決するための手段)
近赤外域の光に高感度であり、溶剤溶解性が大きく、高
い反射率を示し毒性がなくかつ耐久性にも優れた光記録
媒体の記録再生のための薄膜材を提供し、もって優れた
光記録媒体を提供するために、鋭、!!′検討の結果本
発明に到達した。すなわち本発明は、下記一般式〔1〕
で示されるナフタロシアニン化合物を主成分とする有機
薄膜を基板上に形成せしめてなることを特徴とする光学
記録媒体である。
い反射率を示し毒性がなくかつ耐久性にも優れた光記録
媒体の記録再生のための薄膜材を提供し、もって優れた
光記録媒体を提供するために、鋭、!!′検討の結果本
発明に到達した。すなわち本発明は、下記一般式〔1〕
で示されるナフタロシアニン化合物を主成分とする有機
薄膜を基板上に形成せしめてなることを特徴とする光学
記録媒体である。
(但し、
式
%式%
から還ばれた一種の元素を示し、Xはハロゲン、アルキ
ル基、アリール基、アシール基、アミノ基、置換アミ7
基、ニトロ基、アルコキシ基、スルホン酸基、スルホニ
ルアミド基、ヒドロキシ基から選ばれた、同一でも異種
でもよい一種または二種以上の基を示し、pは0〜2の
数を、qは0〜4の数を示し、YIとY2は、同一でも
異種でもよいがY、とY2のうち少くとも一種が、式〔
2〕で示される基であることを示し、但し式〔2〕にわ
いて、nは3〜10の数を示し、R’、R2,R3は同
一でも異種でもよい R′ +OS 、 +−nR3 2 〔2〕 炭素数1〜12のアルキル基、アルコキシ基、炭素数6
〜12のアリール基、炭素数4以上のシクロアルキル基
、ハロゲン、ヒドロキシ基ヲ示す。)本発明の特定のナ
フタロシアニン化合物を薄膜として基板上に形成した光
学記録媒体は、近赤外域における感度、反射率、耐久性
のいずれも満足するものであり、光ディスク、光カード
、テープなどの各種の光を用いた記録、再生のための媒
体として有用である。
ル基、アリール基、アシール基、アミノ基、置換アミ7
基、ニトロ基、アルコキシ基、スルホン酸基、スルホニ
ルアミド基、ヒドロキシ基から選ばれた、同一でも異種
でもよい一種または二種以上の基を示し、pは0〜2の
数を、qは0〜4の数を示し、YIとY2は、同一でも
異種でもよいがY、とY2のうち少くとも一種が、式〔
2〕で示される基であることを示し、但し式〔2〕にわ
いて、nは3〜10の数を示し、R’、R2,R3は同
一でも異種でもよい R′ +OS 、 +−nR3 2 〔2〕 炭素数1〜12のアルキル基、アルコキシ基、炭素数6
〜12のアリール基、炭素数4以上のシクロアルキル基
、ハロゲン、ヒドロキシ基ヲ示す。)本発明の特定のナ
フタロシアニン化合物を薄膜として基板上に形成した光
学記録媒体は、近赤外域における感度、反射率、耐久性
のいずれも満足するものであり、光ディスク、光カード
、テープなどの各種の光を用いた記録、再生のための媒
体として有用である。
本発明の目的を損わないかぎりにおいて、ナフタロシア
ニン化合物に安定剤、滑剤、帯電防止剤、バインダーと
しての高分子化合物、他の染料、増感剤を併用してもよ
い。本発明において使用される基板材料は、使用レーザ
ー光に透明、不透明のいずれでもよいが、基板側からの
レーザー光でHきこみ記録を行なう場合はレーザー光に
対して透明でなければならない。
ニン化合物に安定剤、滑剤、帯電防止剤、バインダーと
しての高分子化合物、他の染料、増感剤を併用してもよ
い。本発明において使用される基板材料は、使用レーザ
ー光に透明、不透明のいずれでもよいが、基板側からの
レーザー光でHきこみ記録を行なう場合はレーザー光に
対して透明でなければならない。
これらの基板材料としてはガラス、アクリル樹脂、メタ
アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ニトロセルローズ樹
脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリメチ
ルペンテン−1樹脂、エポキシ樹脂、塩化ビニール樹脂
、ポリバラフェニレン樹脂等が挙げられる。これらの樹
脂は、シート、フィルム、円板等の形状物であり、また
これ等の形状物には必要に応じて下塗り層や、特定の金
属の蒸着を施した層を有するものであってもよい。
アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ニトロセルローズ樹
脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリメチ
ルペンテン−1樹脂、エポキシ樹脂、塩化ビニール樹脂
、ポリバラフェニレン樹脂等が挙げられる。これらの樹
脂は、シート、フィルム、円板等の形状物であり、また
これ等の形状物には必要に応じて下塗り層や、特定の金
属の蒸着を施した層を有するものであってもよい。
以ト、実施例によりさらに詳しく説明する。
なお、実施例における特性の測定と評価は下記によった
。
。
スペ トル
ナフタロシアニン化合物をエタノールに1.5%に溶解
してスピンコーターにてガラス基板上に70nmの薄膜
を形成した。これをUV−V I Sスペクトロメータ
ー(島2JUV21OA)にて吸収および反射スペクト
ルを測定した。これより830 nmの反射率(R%)
を求めた。
してスピンコーターにてガラス基板上に70nmの薄膜
を形成した。これをUV−V I Sスペクトロメータ
ー(島2JUV21OA)にて吸収および反射スペクト
ルを測定した。これより830 nmの反射率(R%)
を求めた。
記−録一特一性一
以上により得られた記録媒体に830 nmの半導体レ
ーザーを光パワー 7鵬Wで、レンズ径をtuに絞って
照射し、トラックの凹部に書き込みを行った。
ーザーを光パワー 7鵬Wで、レンズ径をtuに絞って
照射し、トラックの凹部に書き込みを行った。
次いで、同じレーザー光#(0,5itlりを読み出し
光とし、反射光のC/N比が50dB以上となる書き込
み光パルス幅を測定し、感度の逆数を算出した。
光とし、反射光のC/N比が50dB以上となる書き込
み光パルス幅を測定し、感度の逆数を算出した。
耐ニー光−−性一
以上の記録媒体にサイシャインカーボンアークフェード
メーターにより63℃で300時間照射した後の反射率
、C/N比を測定し、劣化を調べた。
メーターにより63℃で300時間照射した後の反射率
、C/N比を測定し、劣化を調べた。
耐−温二一」L
以上により得られた記録媒体を70℃、90%RHで3
ケ月間保存したときの反射率およびC/N比を測定した
。
ケ月間保存したときの反射率およびC/N比を測定した
。
溶−一解一一性一
栓付き試験管にナフタロシニアン化合物を1.5gとり
、エタノールを5 yaQ添加して、密栓後60℃で3
0分間超音波を加えて溶解した。次いで室温にして、1
時間放置後濾過して可溶分を測定して、溶解度を求めた
。
、エタノールを5 yaQ添加して、密栓後60℃で3
0分間超音波を加えて溶解した。次いで室温にして、1
時間放置後濾過して可溶分を測定して、溶解度を求めた
。
(実施例)
ド記する各実験坐に対応するナフタロシアニン化合物を
エタノールに溶解しスピンコーターにより、ガラス基板
上に7On+nの固形分厚さとなるように塗布した。得
られた各々の試料について、各種特性および性能を評価
した。結果を表−■に/)%す。
エタノールに溶解しスピンコーターにより、ガラス基板
上に7On+nの固形分厚さとなるように塗布した。得
られた各々の試料について、各種特性および性能を評価
した。結果を表−■に/)%す。
以下余白
にIII3
Nn6
m8(比較例)
CH,。
陽9(比較例)
1mlO(比較例)
H1
(発明の効果)
本発明の特定のナフタロシアニン化合物を主成分とする
薄膜を基板上に形成した光学記録媒体は、溶解性、反射
率、書き込み感度の逆数、読み出しC/N比がともに光
学記録媒体としての要求特性をバランスよく備えたもの
であり、さらに、該媒体は耐久性においても優れたもの
であることが判った。これに対して、同様のナフタロシ
アニン化合物であっても本発明の一般式で表わされる以
外のものであれば、上記、光学記録媒体としての緒特性
において、いずれかが劣るものであり実用性にとぼしい
ものであることが判った。
薄膜を基板上に形成した光学記録媒体は、溶解性、反射
率、書き込み感度の逆数、読み出しC/N比がともに光
学記録媒体としての要求特性をバランスよく備えたもの
であり、さらに、該媒体は耐久性においても優れたもの
であることが判った。これに対して、同様のナフタロシ
アニン化合物であっても本発明の一般式で表わされる以
外のものであれば、上記、光学記録媒体としての緒特性
において、いずれかが劣るものであり実用性にとぼしい
ものであることが判った。
Claims (1)
- (1)下記一般式〔1〕で示されるナフタロシアニン化
合物を主成分とする薄膜を基板上に形成せしめてなるこ
とを特徴とする光学記録媒体。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔1〕 (但し、式〔1〕において、Mは、Si、Sn、Geか
ら選ばれた一種の元素を示し、Xはハロゲン、アルキル
基、アリール基、アシール基、アミノ基、置換アミノ基
、ニトロ基、アルコキシ基、スルホン酸基、スルホニル
アミド基、ヒドロキシ基から選ばれた、同一でも異種で
もよい一種または二種以上の基を示し、pは0〜2の数
を、qは0〜4の数を示し、Y_1とY_2は、同一で
も異種でもよいがY_1とY_2のうち少くとも一種が
、式〔2〕で示される基であることを示し、但し式〔2
〕において、nは3〜10の数を示し、R^1、R^2
、R^3は同一でも異種でもよい ▲数式、化学式、表等があります▼〔2〕 炭素数1〜12のアルキル基、アルコキシ基、炭素数6
〜12のアリール基、炭素数4以上のシクロアルキル基
、ハロゲン、ヒドロキシ基を示す。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1093699A JPH0342277A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1093699A JPH0342277A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | 光学記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0342277A true JPH0342277A (ja) | 1991-02-22 |
Family
ID=14089652
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1093699A Pending JPH0342277A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0342277A (ja) |
-
1989
- 1989-04-12 JP JP1093699A patent/JPH0342277A/ja active Pending
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