JPS63149189A - 光学記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 録媒体に関する。

（従来技術） 近年、半導体レーザーの発展は目覚ましく小型で安定し
た発振器が安価に入手可能になり、各種記録装置の光源
として用いられはじめた。しかしながらこれら半導体レ
ーザーの波長は比較的長波長のものに限定されており短
波長光の発振が可能な半導体レーザーは寿命、出力など
に問題がある。

従って半導体レーザー用記録媒体としては近赤外域に吸
収を持つ素材を薄膜層として用いることが必須となり、
最大吸収波長が７５０　ｎｍ以下の素材では不適当であ
る。従来この種の記録媒体としては基板上に形成せしめ
た薄膜にレーザー光を照射し、ピットを形成せしめ、ピ
ットとピットでない部位の反射率の差で記録情報を読み
だすものがある。

この記録および再生（読み出し）のための記録層の構成
は、記録用薄膜形成層と反射膜からなる２層以上のもの
もあるが、記録用薄膜層のみで前記両機能を有するもの
が有利である。この記録用薄膜層の単層膜の場合は該記
録用薄膜層の素材はそれ自身で高い反射率を有すること
が高いＳ／Ｎ比を得るために必要である。この種の記録
媒体としては、無機ではＴｅまたはその合金の低融点金
属を用いたものが知られ、有機系ではシアニン系色素を
用いたもの、フタロシアニン系化合物を用いたものが知
られている。

（発明が解決しようとする問題点） Ｔｅ系合金を用いた無機系光記録媒体は比較的感度も高
く優れているが、毒性に問題があり、成膜方法もスパッ
タリング等によるため設備コスト等が高く、生産性も低
い欠点を有している。シアニン系色素を用いた有機系の
薄膜光記録媒体の場合はスピンフート法等の比較的安価
な方法で生産で現状である。またナフトキノン、アント
ラキノン系の場合は溶剤溶解性に乏しく、また凝集構造
の生成など保存安定性に問題があった。さらに７タロシ
アニン系化合物の場合にも溶剤溶解性、半導体レーザー
マツチング性、保存中の結晶変化等で不充分であった。

（問題点を解決するための手段） 近赤外域の光に高感度であり、溶剤溶解性が大きく、高
い反射率を示し毒性がなくかつ耐久性にも優れた光記録
媒体の記録再生のための薄膜材を提供し、もって優れた
光学記録媒体を提供するために鋭意検討の結果本発明に
到達した。すなわち本発明は基板上に有機薄膜を形成せ
しめた光学記録媒体において、該有機薄膜が、下記一般
式（１）で表わされるフタロシアニン化合物を含有する
ことを特徴とする光学記録媒体、 （ただし、ｎｌ−ｎ４．町〜ｍ４はθ〜４の整数であり
かつ、１≦ｍｔ＋ｍｚ＋ｍｓ＋ｍ４≦４および、３≦耶
１　＋ｍ　２＋ｍ　３＋ｍ　４　＋ｎ　１　＋ｎ　２＋
ｎ　３＋ｎ　４≦８を満足すレレ る整数である。Ｙは周期律表のＶ善族または■−族の原
子を介して有機基の炭素原子に結合している基を示し、
Ｘは（ｚ）ｒＲで示される基を示し、２は−ＣＨ２−、
−ＣＯＮＨ−、−ＣＯＯ−＋７）　イずれかを示し、Ｒ
は炭素数４〜１８の直鎖または分枝のアルキル基、炭素
数６〜１８のアリル基または置換アリルのいずれかを示
し、Ｍは水素、金属、金属酸化物、金属ハロゲン化物の
いずれかを示す中ｒはＯか１の数である。）ブ°ある。

すなわち、フタロシアニンの周辺炭素原子が特定のＡ群
の基（Ｙ）と特定のＢ群の基（Ｘ）によって置換されて
おり、かつＡ群の基は１〜４個であり、Ａ群の基とＢ群
の基の和が３〜８個の数で置換されているフタロシアニ
ン置換体を含む有機薄膜を基板上に形成した光学記録媒
体である。ここでＡ群の基とは、フタロシアニンをＰｃ
と表わしたとき、ト　　　し 周期律表のＶｓ、ＶＩｔ族の原子（Ｅとして示す）例え
ばＰ　、　Ｏ、Ｎ　、Ｓｅ、Ｔｅによって、有機基（Ｆ
として示す）がＰｃ−ＥＦの形で結合しているＥＦであ
る。有機基とは脂肪族、脂環式、芳香族の基でありこれ
らのうち好ましいものは芳香族基であり、その例トシて
はフェニル、フェニレン、ナフチル、ナフチレン、ピリ
ジル、チオフェニル、フリル、ピリミジル、ベンゾチア
ゾリル、またはこれ等の置換基が挙げられる。Ｂ群の基
とはＰｃ　（ｚ）ｒＲで結合している（ｚ）ｒＲであり
、２は−ＣＨ２、−ＣＯＮＨ＋。

−ＣＯＯ−のいずれかであり、ｒは０か１の数であり、
Ｒは炭素数４〜１８の直鎖または分枝のアルキル基、ま
たは炭素数６〜１８の置換または非置換のアリル基のい
ずれかである。Ｍは水素、金属、金属酸化物、金属ハロ
ゲン化物のいずれかであり、このときの金属としては、
Ｃｕ　＋　Ｍｇ　＋　Ｚｎ　＋　ＡＩ　＋　Ｇａ　＋Ｉ
ｔｚＳｎ　＋Ｐｂ　＋Ｔｉ　＋　Ｖ　ｒ　Ｃｒ　、Ｍｎ
　、Ｆｅ　、Ｃｏ　＋Ｎｉが好ましい。

本発明の置換フタロシアニンのうち、Ａ群の基（Ｙ）が
２〜４個の場合はそれら複数個のＹが周辺炭素原子の１
〜４．５〜８．９〜１２．１３〜１６、在 の群のうちの一つまたは二つに偏存して結合されている
方が好ましい。さらにＢ群の基（Ｘ）もまた、丘 同様に偏存して結合されている方が好ましい。これらの
Ｙはフタロシアニンの最大吸収波長を薄波長側にシフト
する作用が主であり、またＸは溶剤溶解性に寄与する作
用が主であり、両者のバランス（すなわち本発明）によ
り、溶剤溶解性と高波長側の最大吸収波長特性とを同時
にバランスよく満足さすフタロシアニン置換体を得るこ
とができる□　　ｍ　ｔ＋ｍ　ｚ＋ｎｉ　ａ＋ｍ　ｎ＋
ｎ　１＋ｎ　ｚ＋ｎ　ａ十ｎ　４　　が３に満たないと
き、または凡の炭素数が４に満たないときは、溶剤溶解
性が不充分であり、ｍｌ十ｍｚ＋ｍａ＋ｍ４十ｎ　１＋
ｎ　ｚ＋ｎ　ａ十ｎ　４が８をこえるとき、または凡の
炭素数が１８をこえるときは、近赤外感度および反射率
が低下する。これらＹ、Ｘは同一でもよく異種でもよい
。

本発明のナフタロシアニン化合物は、基板上に薄膜とし
て形成され、光ディスク、光カード、光テープなどの各
種の光を用いた記録、再生のための媒体として有用であ
る。これらの本発明のす７録媒体が得られる。さらに本
発明の目的を損わない範囲で、酸化安定剤、滑剤、帯電
防止剤、バインダーとしての高分子体、他の染料、増感
剤を併用してもよい。本発明において使用される基板材
料は、使用レーザー光に透明・不透明のいずれでもよい
が、基板側からレーザー光で書きこみ記録等を行なう場
合は書きこみレーザー光に対して透明でなければならな
い。これら基板材料としては、ガラス、アクリル樹脂、
メタアクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ニトロセルロー
ズ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ
メチル−ペンテン−１−エポキシ樹脂、塩ビ樹脂、ポリ
パラフェニレン樹脂等が挙げられさらにこれら樹脂の共
重合体からの樹脂も挙げられる。該樹脂は、シート、フ
ィルム、円板等の形状物であり、またこれら形状物には
必要に応じて下塗り層や特定の金属の蒸着を施した層を
有するものであってもよい。

以下、実施例および比較例によりさらに詳しく説明する
。なお実施例における特性の測定または評価は下記によ
った。

〔溶解性の測定〕

栓付き試験管にフタロシアニン化合物１．５２とトルエ
ン５−とを添加混合し、密栓後６０’Ｃで３０分間超音
波を加えて溶解した。次いで室温にて１時間放置して冷
却した後濾過した。可溶分より溶解度を求めた。

〔吸収スペクトルおよび反射率〕

ナフタロシアニン化合物をトルエンに溶解し、膜を形成
した。これをＵＶ−ＶＩＳスペクトロメーター（高滓Ｕ
Ｖ２１０Ａ）にて吸収および、反射スペクトルを測定し
た。これにより最大吸収波長（λｍａｘ　）および８３
０　ｎｍでの反射率（Ｒ％）を求めた。

〔記録特性〕

各々フタロシアニン化合物から得られた記録媒体に８３
０　ｎｍの半導体レーザーを、光パワー１０ｍＷでレン
ズ径を１例に絞って照射しトラックの四部に書きこみを
行った。次いで、同じレーザー光源（０，２ｒｎＷ）を
読み出し光として反射光のＳ／Ｎ比が５０ｄＢ以上とな
る書きこみ光パルス幅を測定し、感度の逆数（ｎｓナノ
セカンド）を算出した。

〔耐久性〕

７０℃、８０％ＲＨにて３ケ月間、各サンプル（各実施
例の基板上薄膜）を保存した後の反射率、Ｓ／Ｎ比の劣
化を測定した。

（実施例） 〔実施例１〜７．比較例１〜４〕 表−■に示す各種フタロシアニン化合物を選定し、トル
エンに溶解しスピンコーターにてガラス基板上に７０ｎ
ｍの固形分厚さとなるように塗布し、薄膜を形成せしめ
各種特性と各種性能を測定した。

結果を表−■に示す。

以１・余白 表−■ Ｅｔ：エチル＋　Ｂｕ　：　ｔａｒｔ−ブチル＋　Ａｍ
　：　ｔ　ｓ　ｒ　ｔ−アミルＯｃ：オクチル、Ｄ！ニ
ドデシル （発明の効果） ｂ 本発明によるＶ＠　、　ＶＩｌ族の原子の介在により有
機基（Ｙ）が１〜４個と、−ＣＨｚ　、−Ｃｏｏ＋、−
ＣＯＭＨのいずれかの介在により炭素数４〜１８のアル
キル基または炭素数６〜１８のアリル・基（Ｘ）がＸと
Ｙの総和で３〜８個が、フタロシアニンの周辺炭素原子
に結合したフタロシアニン化合物が、溶剤溶解性にすぐ
れ、かつ近赤外域に高い感度と高い反射率を有するもの
であり、かつ耐久性にもすぐれており、該有機化合物の
薄膜を基板上に形成さすことで、近赤外域に高感度で、
経済的な高い反射率を有し毒性の少ない耐久性にすぐれ
た光学記録媒体が得られる。

手続補正書（自発） 昭和６２年３月１６日 １、　事件の表示 昭和６１年特許願第２９７３２８号 ２　発明の名称 光学記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 大阪市北区堂島浜二丁目２番８号 （３１６）東洋紡績株式会社 明細書の発明の詳細な説明の欄 ５、補正の内容 エポキシ樹脂」を「ンテンー１樹脂、エポキシ樹脂」と
訂正する。

■　明細書第９頁の下から１行目の「ナフタロシアニン
」を「フタロシアニン」と訂正する。

（３）　　明細書第１０頁の下から７行目のｒｎＳナノ
セカンド」をｒｎＳ、ナノセカンド」と訂正する。

（４）　　明細書第８頁の第７行目の「ナフタロシアニ
ン」を「フタロシアニン」と訂正すル。

（５）　　明細書第８頁の第１０行目の「本発明のナノ
」をｒ本発明のフ」と訂正する。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に有機薄膜を形成せしめた光学記録媒体に
   おいて、該有機薄膜が、下記一般式（ I ）で表わされ
   るフタロシアニン化合物を含有することを特徴とする光
   学記録媒体。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、ｎ＿１〜ｎ＿４、ｍ＿１〜ｍ＿４は０〜４の
   整数でありかつ、１≦ｍ＿１＋ｍ＿２＋ｍ＿３＋ｍ＿４
   ≦４および、３≦ｍ＿１＋ｍ＿２＋ｍ＿３＋ｍ＿４＋ｎ
   ＿１＋ｎ＿２＋ｎ＿３＋ｎ＿４≦８を満足する整数であ
   る。Ｙは周期律表のＶｂ族またはVIｂ族の原子を介して
   有機基の炭素原子に結合している基を示し、Ｘは（Ｚ）
   ＿ｒＲで示される基を示し、Ｚは−ＣＨ＿２−、−ＣＯ
   ＮＨ−、−ＣＯＯ−のいずれかを示し、Ｒは炭素数４〜
   １８の直鎖または分枝のアルキル基、炭素数６〜１８の
   アリル基または置換アリルのいずれかを示し、Ｍは水素
   、金属、金属酸化物、金属ハロゲン化物のいずれかを示
   す。ｒは０か１の数である。）