JPH09274732A - 光記録媒体及びその製造法 - Google Patents
光記録媒体及びその製造法Info
- Publication number
- JPH09274732A JPH09274732A JP8081398A JP8139896A JPH09274732A JP H09274732 A JPH09274732 A JP H09274732A JP 8081398 A JP8081398 A JP 8081398A JP 8139896 A JP8139896 A JP 8139896A JP H09274732 A JPH09274732 A JP H09274732A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- optical recording
- recording
- weight loss
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Thiazole And Isothizaole Compounds (AREA)
- Pyridine Compounds (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ６００〜７００ｎｍでの記録再生に適した光
記録媒体を提供する。 【解決手段】 記録層に下記構造式（１）又は（２）の
色素を含有する光記録媒体。 【化１】 【化２】 （式中、Ｘはジアゾ基と共役可能な電子吸引基からなる
置換基を示し、Ｙはヒドロキシル基、カルボキシル基、
又はスルホン酸誘導体より成る置換基を示し、Ｒ 1、Ｒ2
は炭素数１〜６のアルキル基を示し、Ｚは、水素、ハロ
ゲン原子、炭素数１〜３のアルキル基を示し、Ｍ2+はニ
ッケル、コバルト又は銅の２価のイオンを示す。）
記録媒体を提供する。 【解決手段】 記録層に下記構造式（１）又は（２）の
色素を含有する光記録媒体。 【化１】 【化２】 （式中、Ｘはジアゾ基と共役可能な電子吸引基からなる
置換基を示し、Ｙはヒドロキシル基、カルボキシル基、
又はスルホン酸誘導体より成る置換基を示し、Ｒ 1、Ｒ2
は炭素数１〜６のアルキル基を示し、Ｚは、水素、ハロ
ゲン原子、炭素数１〜３のアルキル基を示し、Ｍ2+はニ
ッケル、コバルト又は銅の２価のイオンを示す。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光記録媒体に関し、
詳しくはレーザー光により記録できる光記録媒体に関す
る。
詳しくはレーザー光により記録できる光記録媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、７８０ｎｍよりも短波長、例えば
６４０ｎｍ等、のレーザー光で記録再生可能な光記録媒
体が、高密度記録媒体として注目されている。かかる状
況では、波長依存性の小さい相変化媒体等、様々な記録
媒体があるが、その中で、有機色素系記録媒体は、安価
でプロセス上容易であるという特長を有する。
６４０ｎｍ等、のレーザー光で記録再生可能な光記録媒
体が、高密度記録媒体として注目されている。かかる状
況では、波長依存性の小さい相変化媒体等、様々な記録
媒体があるが、その中で、有機色素系記録媒体は、安価
でプロセス上容易であるという特長を有する。
【０００３】このような短波長用途の有機色素系媒体の
色素としては、シアニン色素等が提案されており、特開
平６ー３３６０８６号公報、特開平７ー７６１６９号公
報、特開平７ー１２５４４１号公報、特開平７ー２６２
６０４号公報等がある。記録部では、７８０ｎｍでのＣ
Ｄ−Ｒと同様に、色素の熱分解による光学定数吸と膜厚
の減少と基板の軟化による変形等が生じていると考えら
れる。
色素としては、シアニン色素等が提案されており、特開
平６ー３３６０８６号公報、特開平７ー７６１６９号公
報、特開平７ー１２５４４１号公報、特開平７ー２６２
６０４号公報等がある。記録部では、７８０ｎｍでのＣ
Ｄ−Ｒと同様に、色素の熱分解による光学定数吸と膜厚
の減少と基板の軟化による変形等が生じていると考えら
れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術におい
ては、記録時に色素の分解と基板の変形の両方により大
きな記録変調度を得ているが、記録部の変形が大きすぎ
るため、クロストークが大きな問題となる。また、ＣＤ
−Ｒの波長より短い波長で、しかも、高密度化のために
レーザー集束用レンズの開口数（ＮＡ）の大きいレンズ
をもちいて再生するため、レーザーのビーム径が、７８
０ｎｍーＮＡ０.５にくらべ、６４０ｎｍーＮＡ０.６で
は、再生ビーム径が１.４６倍集光の度合いが増す。そ
の結果、再生光照射による温度上昇、光強度が短波長評
価機（ドライブ）使用の方が大きくなるため、耐再生光
劣化の色素が特に必要とされる。
ては、記録時に色素の分解と基板の変形の両方により大
きな記録変調度を得ているが、記録部の変形が大きすぎ
るため、クロストークが大きな問題となる。また、ＣＤ
−Ｒの波長より短い波長で、しかも、高密度化のために
レーザー集束用レンズの開口数（ＮＡ）の大きいレンズ
をもちいて再生するため、レーザーのビーム径が、７８
０ｎｍーＮＡ０.５にくらべ、６４０ｎｍーＮＡ０.６で
は、再生ビーム径が１.４６倍集光の度合いが増す。そ
の結果、再生光照射による温度上昇、光強度が短波長評
価機（ドライブ）使用の方が大きくなるため、耐再生光
劣化の色素が特に必要とされる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、高密度記
録を実現されるために良好な記録部を形成し、かつ、再
生劣化の小さい媒体を鋭意検討した結果、本発明に到達
した。本発明の要旨は、透明基板上に、少なくとも、有
機色素を含有する記録層、金属反射層、保護層の順に積
層した６００ｎｍ〜７００ｎｍ用の光記録媒体におい
て、記録層が下記の一般式１又は２で表される色素を１
種以上含むことを特徴とする光記録媒体、に存する。
録を実現されるために良好な記録部を形成し、かつ、再
生劣化の小さい媒体を鋭意検討した結果、本発明に到達
した。本発明の要旨は、透明基板上に、少なくとも、有
機色素を含有する記録層、金属反射層、保護層の順に積
層した６００ｎｍ〜７００ｎｍ用の光記録媒体におい
て、記録層が下記の一般式１又は２で表される色素を１
種以上含むことを特徴とする光記録媒体、に存する。
【０００６】
【化３】
【０００７】
【化４】
【０００８】（式中、Ｘはジアゾ基と共役可能な電子吸
引基からなる置換基を示し、Ｙはジドロキシル基、カル
ボキシル基、又はスルホン酸誘導体よりなる置換基を示
し、Ｒ 1、Ｒ2は炭素数１〜６のアルキル基を示し、Ｍ2+
はニッケル、コバルト又は銅の２価のイオンを示す。）
引基からなる置換基を示し、Ｙはジドロキシル基、カル
ボキシル基、又はスルホン酸誘導体よりなる置換基を示
し、Ｒ 1、Ｒ2は炭素数１〜６のアルキル基を示し、Ｍ2+
はニッケル、コバルト又は銅の２価のイオンを示す。）
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。本発明における記録層は、記録用のレーザ
ー光を吸収することによる昇温で減量し、膜厚が減少
し、光学特性が変化することにより、戻り光の位相が変
化し、反射率が変化したところを記録部とするものであ
る。
て説明する。本発明における記録層は、記録用のレーザ
ー光を吸収することによる昇温で減量し、膜厚が減少
し、光学特性が変化することにより、戻り光の位相が変
化し、反射率が変化したところを記録部とするものであ
る。
【００１０】本発明において、透明基板としてはポリカ
ーボネート、ポリメタクリレート、非晶質ポリオレフィ
ン等の樹脂やガラス等の公知のものが用いられ、サーボ
用の案内溝を有している。その溝は、深さは、通常１０
０〜２００ｎｍ、好ましくは、１４０〜２００ｎｍで、
溝幅は、通常０.３〜０.４μｍ、トラックピッチは、通
常０.７〜１.０μｍであり、溝形状はＵ字型溝が好まし
い。溝の深さは、１００ｎｍ未満の場合には記録時に十
分な変化がおきず、十分な記録変調度が得られない場合
がある。２００ｎｍを越えると、溝部と溝間部の反射率
差が大きすぎるため、溝上記録の場合には反射率が低く
なりすぎるので好ましくはない。溝幅は、０．３μｍ未
満には十分なトラッキングエラー信号強度を得ることが
困難となる恐れがある。また、０．４μｍを越える溝幅
の場合には、記録した時に記録部が横に広がりやすくな
るので好ましくない。トラックピッチは、高容量化の用
途には、０．７〜１．０μｍが好ましい。なお、溝形状
は、１μｍピッチの場合はＨｅーＣｄレーザーによる光
学測定で求め、それよりもトラックピッチが狭い場合に
は、ＳＴＭやＡＦＭでプロファイルを測定して求めるこ
とができる。なお、後述の実施例においては、ＳＴＭで
求めた。
ーボネート、ポリメタクリレート、非晶質ポリオレフィ
ン等の樹脂やガラス等の公知のものが用いられ、サーボ
用の案内溝を有している。その溝は、深さは、通常１０
０〜２００ｎｍ、好ましくは、１４０〜２００ｎｍで、
溝幅は、通常０.３〜０.４μｍ、トラックピッチは、通
常０.７〜１.０μｍであり、溝形状はＵ字型溝が好まし
い。溝の深さは、１００ｎｍ未満の場合には記録時に十
分な変化がおきず、十分な記録変調度が得られない場合
がある。２００ｎｍを越えると、溝部と溝間部の反射率
差が大きすぎるため、溝上記録の場合には反射率が低く
なりすぎるので好ましくはない。溝幅は、０．３μｍ未
満には十分なトラッキングエラー信号強度を得ることが
困難となる恐れがある。また、０．４μｍを越える溝幅
の場合には、記録した時に記録部が横に広がりやすくな
るので好ましくない。トラックピッチは、高容量化の用
途には、０．７〜１．０μｍが好ましい。なお、溝形状
は、１μｍピッチの場合はＨｅーＣｄレーザーによる光
学測定で求め、それよりもトラックピッチが狭い場合に
は、ＳＴＭやＡＦＭでプロファイルを測定して求めるこ
とができる。なお、後述の実施例においては、ＳＴＭで
求めた。
【００１１】記録層は、例えば、有機色素等をエタノー
ル、３ーヒドロキシー３ーメチルー２ーブタノン、ジア
セトンアルコール、フッ化アルコール等の溶媒に溶かし
た溶液をスピンコートして得られる。特に、この溶媒と
しては、沸点が１１０〜１５０℃のフッ化アルコールが
好ましく用いられる。沸点が１００℃未満の場合は、ス
ピンコート時に溶媒が気化するため、ディスクの半径４
０ｍｍより外周側に塗布液がゆきつかず、半径方向の膜
厚分布が極めて大きくなり、良好な特性が得られないこ
とがあるので好ましくない。また、１７０℃を越える場
合には、蒸発に時間がかかる上に、膜中に溶媒が残留し
やすく、その様な場合には、良好な記録感度が得られな
いことが多い。フッ化アルコール以外のよく使用される
溶媒、たとえば、ジアセトンアルコールやエチルセロソ
ルブ等は、基板のポリカーボネートとの接触角が３０度
以上であるのに対し、上記フッ化アルコールは１０度以
下であり、フッ化アルコールのこの様な濡れ性の良さの
故に、狭トラックピッチレプリカの溝内に十分塗布液が
入り込めるため、良好な記録特性を示す膜を形成するこ
とが可能となる。また、ケトン系あるいは、その他の極
性溶媒は、基板のポリカーボネートを溶かすため、基板
上に誘電体膜をスパッタしたり、高価なポリオレフィン
やガラスにする必要が生じ、有機系記録媒体の安価性、
プロセスの容易性というメリットが失われてしまうため
好ましくない。
ル、３ーヒドロキシー３ーメチルー２ーブタノン、ジア
セトンアルコール、フッ化アルコール等の溶媒に溶かし
た溶液をスピンコートして得られる。特に、この溶媒と
しては、沸点が１１０〜１５０℃のフッ化アルコールが
好ましく用いられる。沸点が１００℃未満の場合は、ス
ピンコート時に溶媒が気化するため、ディスクの半径４
０ｍｍより外周側に塗布液がゆきつかず、半径方向の膜
厚分布が極めて大きくなり、良好な特性が得られないこ
とがあるので好ましくない。また、１７０℃を越える場
合には、蒸発に時間がかかる上に、膜中に溶媒が残留し
やすく、その様な場合には、良好な記録感度が得られな
いことが多い。フッ化アルコール以外のよく使用される
溶媒、たとえば、ジアセトンアルコールやエチルセロソ
ルブ等は、基板のポリカーボネートとの接触角が３０度
以上であるのに対し、上記フッ化アルコールは１０度以
下であり、フッ化アルコールのこの様な濡れ性の良さの
故に、狭トラックピッチレプリカの溝内に十分塗布液が
入り込めるため、良好な記録特性を示す膜を形成するこ
とが可能となる。また、ケトン系あるいは、その他の極
性溶媒は、基板のポリカーボネートを溶かすため、基板
上に誘電体膜をスパッタしたり、高価なポリオレフィン
やガラスにする必要が生じ、有機系記録媒体の安価性、
プロセスの容易性というメリットが失われてしまうため
好ましくない。
【００１２】膜厚は溝部で６０〜１８０ｎｍ程度が好ま
しい。６０ｎｍ未満では薄すぎて良好な記録特性が得ら
れにくい恐れがある。また、１８０ｎｍを越えると、記
録部の横方向、スキャン方向への変形が大きくなるた
め、クロストークやジッターが大きくなるため好ましく
ない。また、塗布膜の溝深さが５０〜１８０ｎｍであ
り、Ｕ字型であることが好ましい。この溝深さが５０ｎ
ｍ未満であると、トラッキングエラー信号振幅が十分に
得られなくなり、また、１８０ｎｍを越える場合には溝
部の膜厚が薄すぎるため、十分な記録変調度が得られな
い恐れがある。
しい。６０ｎｍ未満では薄すぎて良好な記録特性が得ら
れにくい恐れがある。また、１８０ｎｍを越えると、記
録部の横方向、スキャン方向への変形が大きくなるた
め、クロストークやジッターが大きくなるため好ましく
ない。また、塗布膜の溝深さが５０〜１８０ｎｍであ
り、Ｕ字型であることが好ましい。この溝深さが５０ｎ
ｍ未満であると、トラッキングエラー信号振幅が十分に
得られなくなり、また、１８０ｎｍを越える場合には溝
部の膜厚が薄すぎるため、十分な記録変調度が得られな
い恐れがある。
【００１３】有機色素としては、シアニン色素、含金属
アゾ系色素や、ジベンゾフラノン系、含金属インドアニ
リン等があるが、本発明では、前記一般式［１］、
［２］で表される含金属アゾ系色素が特に好ましい。前
記式中のＸとしてはＢｒ、Ｃｌ、ＣＦ3等が例示でき
る。また、Ｒ1、Ｒ2は炭素数１〜６の直鎖アルキル基で
も炭素数３〜６の分岐アルキル基でもよい。たとえば、
次のような色素が例示できる。
アゾ系色素や、ジベンゾフラノン系、含金属インドアニ
リン等があるが、本発明では、前記一般式［１］、
［２］で表される含金属アゾ系色素が特に好ましい。前
記式中のＸとしてはＢｒ、Ｃｌ、ＣＦ3等が例示でき
る。また、Ｒ1、Ｒ2は炭素数１〜６の直鎖アルキル基で
も炭素数３〜６の分岐アルキル基でもよい。たとえば、
次のような色素が例示できる。
【００１４】
【化５】
【００１５】
【化６】
【００１６】特にこの系統の色素に関しては、広くは特
公平５ー６７４３８号公報等に記載されているが、その
中で、高密度記録用途に限定する場合には、熱特性、膜
としてのモル吸光係数等の要請から、上記の例示のよう
な特定の色素に限定されることがわかり、本発明に到達
した。前記化合物は、ジアゾ基と共役可能な位置に電子
吸引性基の置換をすることにより、ジアゾ結合が不安定
化すると考えられ、その結果、分解時の減量が急峻にな
るため、高密度記録用に優れた特性を示すものと考えら
れる。
公平５ー６７４３８号公報等に記載されているが、その
中で、高密度記録用途に限定する場合には、熱特性、膜
としてのモル吸光係数等の要請から、上記の例示のよう
な特定の色素に限定されることがわかり、本発明に到達
した。前記化合物は、ジアゾ基と共役可能な位置に電子
吸引性基の置換をすることにより、ジアゾ結合が不安定
化すると考えられ、その結果、分解時の減量が急峻にな
るため、高密度記録用に優れた特性を示すものと考えら
れる。
【００１７】記録層を構成する有機色素の熱的特性は記
録特性に大きく影響する。短波長用途として充分な特性
を得るためには、熱重量分析における、主減量過程での
減量が、温度に対してシャープであることが必要であ
り、１０℃／分の昇温速度で測定した場合の主減量過程
での減量の傾きが１０％/℃となる有機色素を用いるこ
とが好ましい。なお、本発明では、いくつかの減量過程
のうちで減量が１８％以上の過程を主減量過程と呼ぶ。
録特性に大きく影響する。短波長用途として充分な特性
を得るためには、熱重量分析における、主減量過程での
減量が、温度に対してシャープであることが必要であ
り、１０℃／分の昇温速度で測定した場合の主減量過程
での減量の傾きが１０％/℃となる有機色素を用いるこ
とが好ましい。なお、本発明では、いくつかの減量過程
のうちで減量が１８％以上の過程を主減量過程と呼ぶ。
【００１８】本発明において、減量の傾きは、以下の如
くして求める。（図１を参照。） 質量Ｍ0の有機色素を窒素中で１０℃/分の速度で昇温す
る。昇温に従って、質量は当初微量ずつ減少し、ほぼ直
線ａーｂの減量線を描き、ついで急激に減量し始め、１
８％以上の減量をほぼ直線ｄ1ーｄ2に沿って減量する。
これが主減量過程であり、主減量開始温度は、Ｔ1のこ
とである。その後、ほぼ直線ｃ−ｃで示される減量過程
におちつく。直線ｄ1ーｄ2と直線ｃ−ｃとの交点におけ
る温度をＴ2、重量をｍ2とし、初期重量をｍ1とすれ
ば、ここでいう減量の傾きとは、
くして求める。（図１を参照。） 質量Ｍ0の有機色素を窒素中で１０℃/分の速度で昇温す
る。昇温に従って、質量は当初微量ずつ減少し、ほぼ直
線ａーｂの減量線を描き、ついで急激に減量し始め、１
８％以上の減量をほぼ直線ｄ1ーｄ2に沿って減量する。
これが主減量過程であり、主減量開始温度は、Ｔ1のこ
とである。その後、ほぼ直線ｃ−ｃで示される減量過程
におちつく。直線ｄ1ーｄ2と直線ｃ−ｃとの交点におけ
る温度をＴ2、重量をｍ2とし、初期重量をｍ1とすれ
ば、ここでいう減量の傾きとは、
【００１９】
【数１】（ｍ1-ｍ2)（％）／（Ｔ2ーＴ1)（℃）
【００２０】で示される値である。この傾きが１０％/
℃未満である有機色素を用いると、記録部の横方向の広
がりが大きくなり、また、短ビットの形成が困難となる
ため、高容量化を目的とする短波長用途に向かない。さ
らに、この主減量過程での総減量は当初質量Ｍ０の好ま
しくは、３０％以上である。３０％未満であると、良好
な記録変調度、記録感度が得られない恐れがある。な
お、主減量開始温度は２４０℃〜３４０℃が好ましい。
℃未満である有機色素を用いると、記録部の横方向の広
がりが大きくなり、また、短ビットの形成が困難となる
ため、高容量化を目的とする短波長用途に向かない。さ
らに、この主減量過程での総減量は当初質量Ｍ０の好ま
しくは、３０％以上である。３０％未満であると、良好
な記録変調度、記録感度が得られない恐れがある。な
お、主減量開始温度は２４０℃〜３４０℃が好ましい。
【００２１】また、記録再生波長±５ｎｍの波長領域の
光に対する記録層単層の屈折率ｎが２〜３であり、消衰
係数ｋが０.０３から０.１５であるものが好ましい。ま
た、透明基板上の膜の状態での記録再生波長に最も近い
吸収極大が、記録再生波長よりも４０〜８０ｎｍ短波長
側にあることが好ましい。溶液での吸収極大が、基板上
のスピンコート膜の状態では長波長シフトすることが多
いので、透明基板上での吸収極大で判断することが必要
である。屈折率ｎが２よりも小さい場合には、十分な光
学的変化が得られにくいため、記録変調度が低くなるの
で好ましくない。また、消衰係数ｋが０．０３未満では
記録感度が悪くなる。消衰係数ｋが０.１５を越える
と、５０％以上の反射率を得ることが困難となるので好
ましくない。波長についても、上記範囲をはずれる場合
には、十分な記録変調度と感度を得にくくなる。吸収極
大についても、上記範囲をはずれると、記録再生波長近
傍での屈折率や消衰係数が適切でないために、十分な記
録変調度が得られなくなる。
光に対する記録層単層の屈折率ｎが２〜３であり、消衰
係数ｋが０.０３から０.１５であるものが好ましい。ま
た、透明基板上の膜の状態での記録再生波長に最も近い
吸収極大が、記録再生波長よりも４０〜８０ｎｍ短波長
側にあることが好ましい。溶液での吸収極大が、基板上
のスピンコート膜の状態では長波長シフトすることが多
いので、透明基板上での吸収極大で判断することが必要
である。屈折率ｎが２よりも小さい場合には、十分な光
学的変化が得られにくいため、記録変調度が低くなるの
で好ましくない。また、消衰係数ｋが０．０３未満では
記録感度が悪くなる。消衰係数ｋが０.１５を越える
と、５０％以上の反射率を得ることが困難となるので好
ましくない。波長についても、上記範囲をはずれる場合
には、十分な記録変調度と感度を得にくくなる。吸収極
大についても、上記範囲をはずれると、記録再生波長近
傍での屈折率や消衰係数が適切でないために、十分な記
録変調度が得られなくなる。
【００２２】金属反射層は、記録層を透過したレーザー
光を効率良く反射する金属膜であり、６００ｎｍ〜７０
０ｎｍで反射率が低下しないために、記録再生波長±５
ｎｍの波長領域の光の屈折率ｎが０.１〜０.２、消衰係
数ｋが３〜５であるものが好ましい。好ましい金属反射
膜として、金を主成分とした金属反射膜や、銀を主成分
とした金属反射膜が例示できる。特に銀を主成分とした
金属反射膜が好ましい。また、対候性の向上のために、
銀に、ロジウム、パラジウム、白金、チタン、モリブデ
ン、ジルコニウム、タンタル、タングステン、バナジウ
ム等の添加元素を５原子％以下の範囲で加えてもよい。
金属反射層の膜厚は、好ましくは１００ｎｍ以上で、記
録層の変形を抑制しすぎたり、記録感度を悪化させすぎ
ない程度の膜厚が好ましい。
光を効率良く反射する金属膜であり、６００ｎｍ〜７０
０ｎｍで反射率が低下しないために、記録再生波長±５
ｎｍの波長領域の光の屈折率ｎが０.１〜０.２、消衰係
数ｋが３〜５であるものが好ましい。好ましい金属反射
膜として、金を主成分とした金属反射膜や、銀を主成分
とした金属反射膜が例示できる。特に銀を主成分とした
金属反射膜が好ましい。また、対候性の向上のために、
銀に、ロジウム、パラジウム、白金、チタン、モリブデ
ン、ジルコニウム、タンタル、タングステン、バナジウ
ム等の添加元素を５原子％以下の範囲で加えてもよい。
金属反射層の膜厚は、好ましくは１００ｎｍ以上で、記
録層の変形を抑制しすぎたり、記録感度を悪化させすぎ
ない程度の膜厚が好ましい。
【００２３】反射層の上に、保護層を積層し、記録部の
金属反射層の穴の発生や、変形の非対称性を抑制する。
保護層としては紫外線硬化樹脂が好ましい。また、通常
は、１μｍ以上、好ましくは３μｍ以上の膜厚にして、
酸素による硬化抑制等がおこらないようにする。
金属反射層の穴の発生や、変形の非対称性を抑制する。
保護層としては紫外線硬化樹脂が好ましい。また、通常
は、１μｍ以上、好ましくは３μｍ以上の膜厚にして、
酸素による硬化抑制等がおこらないようにする。
【００２４】
実施例１ 溝深さ１８０ｎｍ、溝幅（溝の半値幅）０．３７μｍ
（０.９μｍピッチ）のＵ字案内溝を有するポリカーボ
ネート基板上に下記構造式［３］
（０.９μｍピッチ）のＵ字案内溝を有するポリカーボ
ネート基板上に下記構造式［３］
【００２５】
【化７】
【００２６】で示される含金属アゾ色素０.０３６ｇを
オクタフルオロペンタノール（ＯＦＰ（沸点１４０
℃））３ｇに溶解し、８００ｒｐｍでスピンコートし、
８０℃のオーブンで４５分アニール処理し、記録層とし
た。この色素の減量特性は主減量過程での総減量が３
９.８％（主減量開始温度は３１７℃）で、温度差が２.
５℃で、減量の傾きは１５.９％/℃であった。なお、熱
重量分析はセイコー電子工業製の示差熱天秤（「ＳＳＣ
５２００Ｈ」シリーズ「ＴＧ−ＤＴＡ−３２０」）を用
いて測定した。
オクタフルオロペンタノール（ＯＦＰ（沸点１４０
℃））３ｇに溶解し、８００ｒｐｍでスピンコートし、
８０℃のオーブンで４５分アニール処理し、記録層とし
た。この色素の減量特性は主減量過程での総減量が３
９.８％（主減量開始温度は３１７℃）で、温度差が２.
５℃で、減量の傾きは１５.９％/℃であった。なお、熱
重量分析はセイコー電子工業製の示差熱天秤（「ＳＳＣ
５２００Ｈ」シリーズ「ＴＧ−ＤＴＡ−３２０」）を用
いて測定した。
【００２７】この記録層の上に銀を１００ｎｍの厚さだ
けスパッタし、その上にＵＶ硬化樹脂（大日本インキ製
「ＥＸー３１８」）を約３μｍスピンコートして紫外線
ランプで硬化してディスクを作製した。このディスクを
６４０ｎｍ又は６８０ｎｍの半導体レーザー評価機（Ｎ
Ａ＝０.６）で、線速３ｍ/ｓで溝上に記録したところ、
再生パワー０.７ｍＷ、記録周波数を１.５ＭＨｚから
３.８ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比３０％で変化させ、３.８ＭＨ
ｚの記録時にマークジッターが最小となる記録パワー記
録で記録し、マークジッターが１０ｎｓをきる最小ビッ
ト長を求めて、その記録膜の高密度記録可能性を評価し
た（以下、ジッター特性という）。この色素の場合、こ
の記録パワー１４ｍＷで、ジッター特性は０.４μｍで
あった。さらに、この記録パワーで、ＣＤ−Ｒの４倍速
ＥＦＭ信号（ｎー１）Ｔを入力し、４.８ｍ／ｓ、３.８
ｍ／ｓ、３ｍ／ｓ、（以下、ＥＦＭ信号特性と示す）、
２.８ｍ／ｓでもジッターがＴの３０％以下で良好な短
ビット特性を示した。なお、記録部の膜厚は１２０ｎｍ
であり、塗布膜の溝深さはＳＴＭで１４０ｎｍのＵ字型
であった。この記録層の膜としての吸収極大は６００ｎ
ｍであった。このディスクの記録部の反射率が０.７ｍ
Ｗで６０％と十分高かったので、０.７ｍＷで１００万
回連続再生したところ、劣化はみられなかった。
けスパッタし、その上にＵＶ硬化樹脂（大日本インキ製
「ＥＸー３１８」）を約３μｍスピンコートして紫外線
ランプで硬化してディスクを作製した。このディスクを
６４０ｎｍ又は６８０ｎｍの半導体レーザー評価機（Ｎ
Ａ＝０.６）で、線速３ｍ/ｓで溝上に記録したところ、
再生パワー０.７ｍＷ、記録周波数を１.５ＭＨｚから
３.８ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比３０％で変化させ、３.８ＭＨ
ｚの記録時にマークジッターが最小となる記録パワー記
録で記録し、マークジッターが１０ｎｓをきる最小ビッ
ト長を求めて、その記録膜の高密度記録可能性を評価し
た（以下、ジッター特性という）。この色素の場合、こ
の記録パワー１４ｍＷで、ジッター特性は０.４μｍで
あった。さらに、この記録パワーで、ＣＤ−Ｒの４倍速
ＥＦＭ信号（ｎー１）Ｔを入力し、４.８ｍ／ｓ、３.８
ｍ／ｓ、３ｍ／ｓ、（以下、ＥＦＭ信号特性と示す）、
２.８ｍ／ｓでもジッターがＴの３０％以下で良好な短
ビット特性を示した。なお、記録部の膜厚は１２０ｎｍ
であり、塗布膜の溝深さはＳＴＭで１４０ｎｍのＵ字型
であった。この記録層の膜としての吸収極大は６００ｎ
ｍであった。このディスクの記録部の反射率が０.７ｍ
Ｗで６０％と十分高かったので、０.７ｍＷで１００万
回連続再生したところ、劣化はみられなかった。
【００２８】この色素の濃度を１ｗｔ％（対溶媒重量）
にした以外は上記と全く同じようにして評価した結果を
表−１の実施例１の欄に示す。この場合、溝部の膜厚は
約１００ｎｍであり、塗布膜の溝深さは１４７ｎｍであ
った。また、この記録層単層を、キセノンフェードメー
タで暴露４０時間試験したところ、シアニン系色素は吸
収極大の吸光度が０％まで退色したのに対し、この色素
は９０％と、良好な耐光性を示した。
にした以外は上記と全く同じようにして評価した結果を
表−１の実施例１の欄に示す。この場合、溝部の膜厚は
約１００ｎｍであり、塗布膜の溝深さは１４７ｎｍであ
った。また、この記録層単層を、キセノンフェードメー
タで暴露４０時間試験したところ、シアニン系色素は吸
収極大の吸光度が０％まで退色したのに対し、この色素
は９０％と、良好な耐光性を示した。
【００２９】実施例２〜５、比較例１〜４ 以下に色素の構造をかえて、実施例１と同様にしてディ
スクを作製し同じ実験をした例を表−１にまとめて示
す。各ディスクの溝部の膜厚、塗布膜の溝深さはいずれ
も、実施例１のそれぞれの値に１０〜２０ｎｍ増減する
程度であった。
スクを作製し同じ実験をした例を表−１にまとめて示
す。各ディスクの溝部の膜厚、塗布膜の溝深さはいずれ
も、実施例１のそれぞれの値に１０〜２０ｎｍ増減する
程度であった。
【００３０】
【表１】
【００３１】色素の一般式中のＭとしてはいずれもＮｉ
を用いた。いずれもＲ１とＲ２とが同じものを用いた。
分解温度は示差熱天秤で測定された主減量過程の開始温
度を示す。ジッター特性は１０ｎｓ以下になるビット長
を示す。ＥＦＭ解像度はＣＤ−Ｒの４倍速用のＥＦＭ信
号（ｎ−１）Ｔを入力し、線速４．８ｍ／ｓ、３．８ｍ
／ｓ、３．０ｍ／ｓと変えて記録した時、３．０ｍ／ｓ
でジッターがＴの３０％以上の場合に×印とした。＊は
下記構造式の化合物を示す。
を用いた。いずれもＲ１とＲ２とが同じものを用いた。
分解温度は示差熱天秤で測定された主減量過程の開始温
度を示す。ジッター特性は１０ｎｓ以下になるビット長
を示す。ＥＦＭ解像度はＣＤ−Ｒの４倍速用のＥＦＭ信
号（ｎ−１）Ｔを入力し、線速４．８ｍ／ｓ、３．８ｍ
／ｓ、３．０ｍ／ｓと変えて記録した時、３．０ｍ／ｓ
でジッターがＴの３０％以上の場合に×印とした。＊は
下記構造式の化合物を示す。
【００３２】
【化８】
【００３３】＊＊は単膜の吸光度が小さすぎて測定不能
であった。＊＊＊はどのビット長でもジッター２０ｎｓ
以上であった。
であった。＊＊＊はどのビット長でもジッター２０ｎｓ
以上であった。
【００３４】実施例６ 実施例１の色素の溶媒をテトラフルオロプロパノール
（沸点１１０℃）に変えた以外は全く同様にしてディス
クを作製した。色素濃度は溶媒重量に対し１ｗｔ％とし
たところ、溝部の膜厚は１２５ｎｍであり、塗布膜の溝
深さは１４５ｎｍであった。このディスクのジッター特
性は０.４μｍであり、ＥＦＭ特性は実施例１と同じで
あった。
（沸点１１０℃）に変えた以外は全く同様にしてディス
クを作製した。色素濃度は溶媒重量に対し１ｗｔ％とし
たところ、溝部の膜厚は１２５ｎｍであり、塗布膜の溝
深さは１４５ｎｍであった。このディスクのジッター特
性は０.４μｍであり、ＥＦＭ特性は実施例１と同じで
あった。
【００３５】比較例５ 実施例１の溶媒をジアセトンアルコール（沸点１６６
℃）に変えた以外は全く同様にして記録層を形成したと
ころ、記録パワー１４ｍＷでも十分な記録変調度が得ら
れなかった。
℃）に変えた以外は全く同様にして記録層を形成したと
ころ、記録パワー１４ｍＷでも十分な記録変調度が得ら
れなかった。
【００３６】
【発明の効果】本発明により、短ビット特性が良好で耐
光性に優れた、波長６００〜７００ｎｍの短波長記録に
好適な光記録媒体を得ることができる。
光性に優れた、波長６００〜７００ｎｍの短波長記録に
好適な光記録媒体を得ることができる。
【図１】有機色素の主減量過程、主減量過程の総減量、
減量の傾きを求める方法を説明するための示差熱天秤の
チャート図。
減量の傾きを求める方法を説明するための示差熱天秤の
チャート図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｃ０７Ｄ 213/77 Ｃ０７Ｄ 213/77 213/85 213/85 277/50 277/50 277/56 277/56 (72)発明者 黒瀬 裕 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内 (72)発明者 前田 修一 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内
Claims (7)
- 【請求項１】 透明基板上に、少なくとも、有機色素を
含有する記録層、金属反射層、保護層の順に積層した６
００ｎｍ〜７００ｎｍ用の光記録媒体において、記録層
が下記一般式１又は２で表される色素を１種以上含むこ
とを特徴とする光記録媒体。 【化１】 【化２】 （式中、Ｘはジアゾ基と共役可能な電子吸引基からなる
置換基を示し、Ｙはヒドロキシル基、カルボキシル基、
又はスルホン酸誘導体より成る置換基を示し、Ｒ 1、Ｒ2
は炭素数１〜６のアルキル基を示し、Ｚは、水素、ハロ
ゲン原子、炭素数１〜３のアルキル基を示し、Ｍ2+はニ
ッケル、コバルト又は銅の２価のイオンを示す。） - 【請求項２】 記録層を形成する色素の熱重量分析で、
主減量過程での温度に対する減量の傾きが１０％/℃以
上であり、主減量過程での総減量が３０％以上である請
求項１に記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 記録層の溝部膜厚が６０ｎｍ〜１８０ｎ
ｍ、塗布膜の溝深さが５０ｎｍ〜２００ｎｍであり、か
つＵ字型溝であることを特徴とする請求項１又は２に記
載の光記録媒体。 - 【請求項４】 基板の案内溝が０.７〜１μｍトラック
ピッチであり、溝幅の半値幅が０.３〜０.４μｍあるこ
とを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光
記録媒体。 - 【請求項５】 金属反射層が銀を主成分であることを請
求項１〜４のいずれか１項に記載の光記録媒体。 - 【請求項６】 保護層が紫外線硬化樹脂である請求項１
〜５のいずれか１項に記載の光記録媒体。 - 【請求項７】 上記一般式１又は２で示される色素の１
種以上を、沸点が１１０℃〜１５０℃であるフッ化アル
コールに溶解して得られた溶液を塗布することにより記
録層を形成することを特徴とする光記録媒体の製造法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08139896A JP3731244B2 (ja) | 1996-04-03 | 1996-04-03 | 光記録媒体及びその製造法 |
| US09/033,654 US6214519B1 (en) | 1995-08-22 | 1998-03-03 | Optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08139896A JP3731244B2 (ja) | 1996-04-03 | 1996-04-03 | 光記録媒体及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09274732A true JPH09274732A (ja) | 1997-10-21 |
| JP3731244B2 JP3731244B2 (ja) | 2006-01-05 |
Family
ID=13745210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08139896A Expired - Fee Related JP3731244B2 (ja) | 1995-08-22 | 1996-04-03 | 光記録媒体及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3731244B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0849727A2 (en) * | 1996-12-18 | 1998-06-24 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording disk |
| US6162520A (en) * | 1997-09-17 | 2000-12-19 | Mitsui Chemicals, Inc. | Optical recording medium and dipyrromethene metal chelate compound for use therein |
| US6531261B1 (en) * | 1999-05-26 | 2003-03-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Preparation of optical information recording disc and dye solution |
| WO2003028019A1 (fr) * | 2001-09-20 | 2003-04-03 | Kabushiki Kaisha Hayashibara Seibutsu Kagaku Kenkyujo | Composition de solvant pour la production d'un support d'enregistrement optique |
| US6737143B2 (en) | 2001-06-14 | 2004-05-18 | Ricoh Company Ltd. | Optical recording medium, optical recording method and optical recording device |
| US6936323B2 (en) | 2003-04-30 | 2005-08-30 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium, and method and device using the same |
-
1996
- 1996-04-03 JP JP08139896A patent/JP3731244B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0849727A2 (en) * | 1996-12-18 | 1998-06-24 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording disk |
| EP0849727A3 (en) * | 1996-12-18 | 1998-08-26 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording disk |
| US6162520A (en) * | 1997-09-17 | 2000-12-19 | Mitsui Chemicals, Inc. | Optical recording medium and dipyrromethene metal chelate compound for use therein |
| US6355327B1 (en) | 1997-09-17 | 2002-03-12 | Mitsui Chemicals, Inc. | Optical recording medium and dipyrromethene metal chelate compound for use therein |
| US6531261B1 (en) * | 1999-05-26 | 2003-03-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Preparation of optical information recording disc and dye solution |
| US6737143B2 (en) | 2001-06-14 | 2004-05-18 | Ricoh Company Ltd. | Optical recording medium, optical recording method and optical recording device |
| WO2003028019A1 (fr) * | 2001-09-20 | 2003-04-03 | Kabushiki Kaisha Hayashibara Seibutsu Kagaku Kenkyujo | Composition de solvant pour la production d'un support d'enregistrement optique |
| US6936323B2 (en) | 2003-04-30 | 2005-08-30 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium, and method and device using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3731244B2 (ja) | 2006-01-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950013391B1 (ko) | 광기록매체 및 기록 방법 | |
| US6214519B1 (en) | Optical recording medium | |
| JP3648823B2 (ja) | 光学記録媒体及び情報記録方法 | |
| JPH09274732A (ja) | 光記録媒体及びその製造法 | |
| US5369321A (en) | Optical recording medium | |
| JPH0958123A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3666152B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3543464B2 (ja) | 光記録媒体及び情報記録方法 | |
| JP3168469B2 (ja) | 光学記録媒体 | |
| JP3649062B2 (ja) | 光記録媒体及び光記録方法 | |
| JPH10222884A (ja) | 光情報記録媒体の製造方法 | |
| JP2001067732A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH06150371A (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
| JP3783722B2 (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
| JPH106644A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH10208303A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3654398B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2006150856A (ja) | 光記録材料及び光記録媒体 | |
| US20030161987A1 (en) | Optical recording medium | |
| JPH05147356A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH06143821A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2006150855A (ja) | 光記録材料及び光記録媒体 | |
| JPH0567352A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH11134708A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3666166B2 (ja) | 金属キレート化合物を用いた光学記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040810 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040928 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050308 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050404 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050920 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051003 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081021 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091021 Year of fee payment: 4 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091021 Year of fee payment: 4 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091021 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101021 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |