JP3649062B2 - 光記録媒体及び光記録方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はレーザー光により記録可能な光記録媒体及び光記録方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光記録媒体の記録密度向上のため、記録／再生に用いるレーザー光の発振波長の短波長化が注目されている。
ＣＤ−ＲやＣＤ−ＲＷに使用する波長７８０ｎｍのレーザー光よりも、短波長のレーザー光で記録再生可能な光記録媒体が求められ、波長６４０ｎｍ〜６８０ｎｍの半導体レーザー光を用いて記録再生を行うＤＶＤ−ＲやＤＶＤ−ＲＷ等が、最近開発されている。
また、発振波長６００ｎｍ以下のレーザーについても、光記録媒体の更なる高密度化に不可欠の技術として、現在開発が進められている。
【０００３】
ところで光記録媒体にはさまざまな種類があるが、その中で有機色素系光記録媒体は、製造が容易で安価であるという特徴を有する。
有機色素系光記録媒体のうち、上述のような短波長レーザーによる記録再生用途の媒体に用いる色素としては、シアニンやフタロシアニン等が提案されており、特開平６−３３６０８６号公報、特開平７−１６１０６８号公報、特開平７−２６２６０４号公報、特開平７−１２５４４１号公報、特開平７−２６６７０５号公報等に記載されている。
【０００４】
また、７８０ｎｍと６４０ｎｍの２波長のレーザー光による記録再生が可能な光記録媒体として、ＣＤ−ＲIIも開発され、例えば特開平７−２７６８０４号公報、特開平７−１５６５５０号公報、特開平８−３１０１０号公報、特開平８−１１１０３４号公報、特開平８−１０８６２３号公報、特開平８−１０８６２４号公報、特開平１０−７４３３９号公報等に記載がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
これら有機色素系光記録媒体の記録部分では、色素の熱分解によって生じる光学定数の変化および膜厚の減少と、それにひき続き起こる基板の軟化と構造緩和による変形の両方により光学特性が変化し、記録信号の変調度を得ていると考えられる。
かかる記録原理はＣＤ−Ｒと同じである。しかし、より短波長のレーザー光を用いて、より高密度に情報を記録するには、記録再生に用いるビーム径より更に小さな記録部分を形成することが要求されている。この要求を満たすためには、特に、短マークのエッジが明瞭であり、かつ、光学的に大きなコントラストが得られる色素材料が必要である。
この様な色素材料を用いた光記録媒体として、本出願人らは、例えば特開平９−５８１２３号公報に記載した光記録媒体を提案している。
【０００６】
今後の光記録媒体の開発には、上記特性に加えて高速記録性が要求されることが明らかであり、記録光に対する高速応答性を有する色素材料が必要となる。しかし、高速応答性に優れた色素材料の提案は、今までほとんどなされていない。ＳＰＩＥ ｖｏｌ．２５１４，２４９（１９９５）では、ＣＤ−Ｒ用色素の高速応答性に関する検討結果が報告されており、フタロシアニン系色素がシアニン系色素より、高速応答性の点で優れている旨記載されている。具体的には、例えば２５４〜２５５頁には、低線速（線速度０．２ｍ／ｓ）で回転中のＣＤ−Ｒに対し、通常のマーク長のマークを記録した際の反射率の変化率（グラフの傾き）から、記録光に対する色素の反応速度を検証した例が示されている。
【０００７】
従来は、一般に、有機色素を含む記録層の、記録光に対する反応速度は一定であると考えられていた。つまり十分な長さの光を照射してやれば、反射率が変化し飽和レベルに達するに要する時間（以下、減衰時間と称する）は照射パルス長によらず一定であると考えられていた。
しかし本発明者らの測定によれば、照射パルス長を変化させると減衰時間は変化し、通常、照射パルス長が長くなるに従い減衰時間も長くなることが分かった。この理由は明らかではないが、反射率変化に樹脂基板の構造緩和が寄与しており、樹脂基板が変形を起こす臨界温度（ガラス転移温度など）が、照射パルスの周波数に依存することが原因と考えられる。
【０００８】
そして、高速応答性の評価には減衰時間そのものよりも、照射パルス長に対する減衰時間の比が重要であることを見いだし本発明に至った。
すなわち本願発明の目的は、波長７００ｎｍ以下で記録を行うための高密度光記録媒体であって、記録光に対する高速応答性を有し、高速記録性に優れた色素型光記録媒体及び光記録方法を提供することにある。
なお、前記のＳＰＩＥ ｖｏｌ．２５１４，２４９（１９９５）にて検討されている色素は、後述する比較例３に示すように、照射パルス長に対する減衰時間の比は本発明のレベルに達しない。また、本発明のような観点からの開発が行われていなかった従来の光記録媒体（市販のＤＶＤ−Ｒ）も、照射パルス長に対する減衰時間の比は、本発明のレベルに達していない。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、短波長レーザー光による高速記録の際、特にマルチパルス記録方式を採用する場合には、光記録媒体の、照射パルス長に対する減衰時間の比が或る特定の値以下である必要があることを見いだし、本発明に至った。
すなわち本発明の第一は、樹脂基板を有し、有機色素を主成分とする記録層を有し、さらに反射層を有し、波長が７００ｎｍ以下の記録光照射により反射率を変化させて記録を行うための光記録媒体であって、
記録光とほぼ同じ波長で、強度１〜４．５ｍＷより選ばれるいずれかの強度を有する、約３８２ナノ秒のパルス長の光を、
該光に対して、該媒体の光照射部を相対速度０．３ｍ／ｓで移動させながら照射した場合に、
反射率が変化し飽和レベルに達するに要する時間が該パルス長の１３０％以下であることを特徴とする光記録媒体に存する。
また本発明の第二は、樹脂基板を有し、有機色素を主成分とする記録層を有し、さらに反射層を有し、波長が７００ｎｍ以下の記録光照射により反射率を変化させて記録を行うための光記録媒体であって、
波長約６３５ｎｍで、強度１〜４．５ｍＷより選ばれるいずれかの強度を有する、約３８２ナノ秒のパルス長の光を、
該光に対して、該媒体の光照射部を相対速度０．３ｍ／ｓで移動させながら照射した場合に、
反射率が変化し飽和レベルに達するに要する時間が該パルス長の１３０％以下であることを特徴とする光記録媒体に存する。
本発明の第三は、これらの光記録媒体に、波長７００ｎｍ以下の記録光を照射し、反射率を変化させて記録を行う光記録方法に存する。
【００１０】
なお、以下の説明においては、「反射率が変化し飽和レベルに達するに要する時間」を「減衰時間」と称する。
本発明の第一においては、記録光とほぼ同じ波長の光を照射して、この減衰時間を測定する。高速応答性の評価に記録光とほぼ同じ波長の光を用いることで、使用する記録光における正確な高速応答性を評価することができる。
ここで、記録光と同じ波長とは、その媒体の記録光として推奨されている波長である。通常、市販されている光記録媒体は、記録用機器の仕様などから決められた特定の製品規格に準拠しており、該規格で定められた波長の光で好適に記録できるよう設計されている。
【００１１】
つまり、個々の光記録媒体の記録光の波長は、どの製品規格に準拠するかによって実質的に決まっており、例えば容量３．９５ＧＢのＤＶＤ−Ｒについては、製品規格により、記録光の波長は６３５±５ｎｍの範囲と定められている。
一般に、記録光の光源として用いられている半導体レーザーには個体差があり、また半導体レーザーの発振波長には温度依存性があることなどから、発振波長には±５ｎｍ程度のばらつきが生じる。このため、製品規格においても、記録光波長はある程度の幅を持って定められている。
従って容量３．９５ＧＢのＤＶＤ−Ｒの場合、記録光とほぼ同じ波長とは、ほぼ６３５±５ｎｍの範囲である。
【００１２】
本発明の第二においては、波長約６３５ｎｍの光を照射して、この減衰時間を測定する。約６３５ｎｍという波長の光で測定することで、その媒体を波長７００ｎｍ以下の記録光で記録したときの高速応答性を簡易に評価できる。
波長約６３５ｎｍとは、６３５±５ｎｍ程度の幅を持った値である。上述した理由により、レーザーの発振波長にはばらつきがあるためである。
また、減衰時間測定時に照射する光のパルス長は、通常は１５０〜４００ナノ秒、好ましくは３００〜４００ナノ秒の範囲のいずれか１点を選択すればよいが、本発明では約３８２ナノ秒と定めた。
約３８２ナノ秒とは、３８２±１０ナノ秒程度の幅を持った値である。信号発信器やドライブの仕様、半導体レーザーの立ち上がり時間、立ち下がり時間などによりパルス長は多少ばらつく。また、パルス長の測定誤差もなどを考慮して幅を持たせている。
さらに、光に対して、光記録媒体の光照射部を相対速度０．３ｍ／ｓで移動させながら光を照射するとは、例えば、光ディスクを線速度０．３ｍ／ｓで回転させながら、その一部領域に光ヘッドからの光を照射することを言う。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
本発明の光記録媒体に用いる記録層は有機色素を主成分とする。
該記録層は、波長が７００ｎｍ以下の記録光を吸収することにより昇温し、減量し、膜厚が減少し、光学特性が変化する。この変化した部分が記録部分となる。
光学特性が変化した部分に再生光が照射されると、再生光の戻り光の位相が変わるため、未記録部分とは反射率が変化する。反射率が変化した部分を検出することにより、再生を行う。
【００１４】
記録層に用いられる有機色素については、構造に制限はないが、高速記録用の色素として、記録光に対し十分な高速応答性（パルス応答性）を有しなければならない。
【００１５】
本発明における減衰時間の測定法においては、照射する光と媒体の光照射部との相対速度を０．３ｍ／ｓという超低速とすることで、記録光照射位置を実質的に同一箇所としたまま、ここに波長約６３５ｎｍの記録可能な強度の光を照射するとともに、反射率が変化し飽和レベルに達するに要する時間を測定する。
この測定方法は、一般的には”静特性評価用記録方法”として知られている方法に準拠する。そして、本発明の光記録媒体は、該記録光を約３８２ナノ秒のパルス長で照射した場合の減衰時間を該パルス長の１３０％以下とすることを必須の要件とする。減衰時間の、該パルス長に対する割合が本発明の特定値以下の場合に、当該光記録媒体は優れた高速応答性を有する。なお、先行技術における前記値は、例えば、１５０〜２００％と高いものばかりであった。
【００１６】
減衰時間が照射パルス長の１３０％を越える場合には、低速では正確な記録ができても、高速記録の際に短いマークのエッジの急峻性が失われ、マーク長による感度の差が大きくなりジッターが増大してしまう。また、高速記録時に十分な記録変調度が得られないため、Ｃ／Ｎ値が低速記録時よりもかなり減少してしまい、やはり、ジッター値を悪化させる原因となる。
【００１７】
好ましくは反射率が変化し飽和レベルに達するに要する時間が該パルス長の１００％以下であり、より好ましくは７０％以下である。
記録光強度は、反射率の飽和レベルを変動させるが減衰時間そのものにはあまり影響しないため、記録が可能な強度であればよい。本発明では１ｍＷ以上４．５ｍＷ以下から選ばれる強度と定めた。１ｍＷより小さいと記録ができない可能性がある。一方、４．５ｍＷを超えると０．３ｍ／ｓという超低速で照射した場合に記録層が破壊される可能性がある。
【００１８】
以下に、いわゆるＤＶＤ−Ｒを例として、測定方法の一例について説明する。なお、ＤＶＤ−Ｒにおいては、通常の記録線速度（１倍速）は３．５〜３．８ｍ／ｓである。記録マークの長さの基準となる基準クロック周期Ｔは３８．２ナノ秒であり、５Ｔパルスはほぼ１９１ナノ秒、１０Ｔパルスはほぼ３８２ナノ秒に相当する。
【００１９】
まず、記録レーザー評価機において、照射パルス長を、分割なしの１０Ｔパルス（約３８２ナノ秒）とし、線速度０．３ｍ／ｓの回転数に設定してディスクを回転させる。回転中のディスクにレーザーを照射し、そのときのディスクの反射率変化をストーレッジオシロスコープ（バンド幅５００ＭＨｚの仕様）にとりこむ。記録パワーは通常１〜４．５ｍＷのいずれか１点に定める。
【００２０】
得られる反射率変化の波形は、例えば図１の＜１＞のごとくである。この波形から、反射率が一定になるレベルを飽和レベルとし、レーザー照射開始時から飽和レベルに至るまでに要する時間（減衰時間）が得られる。この減衰時間と、図１＜２＞に示す、照射したパルス長に相当する時間とを比較する。
このディスクを１倍速（３．５〜３．８ｍ／ｓ）、２倍速（５〜１０ｍ／ｓ）、４倍速（１０〜２０ｍ／ｓ）で記録を行ったのち再生し、ジッター及び信号品質を測定することで記録特性の線速依存性を評価することができる。
【００２１】
本発明の光記録媒体は、例えば基板、有機色素を主成分とする記録層、反射層、保護層とからなる。基板を通して記録再生を行う場合には透明基板を用い、透明基板としてはポリカーボネート、ポリメタクリレート、非晶質ポリオレフィン等の樹脂からなるもの、ガラスからなるもの、ガラス上に光硬化性樹脂等の放射線硬化樹脂から成る樹脂層を設けたもの等を用いることができる。
【００２２】
好ましくは、記録層に接して樹脂基板または樹脂層を有する。例えば、樹脂基板やガラス上に放射線硬化樹脂層を設けた基板を用い、該基板に接して記録層を設けたり、あるいは記録層と基板との間に樹脂層を形成しても良い。記録時に、記録層の減量や退色による反射率変化に加えて、これら樹脂層の変形による反射率変化を利用できるので、より大きな反射率変化を得ることができ、変調度を大きくすることができる。
【００２３】
ただし、ガラス上に直接記録層を設けた場合、変調度は多少犠牲になるものの減衰時間は短くなり、高速応答性は非常に大きくなると考えられる。
また、樹脂基板または上記樹脂層上に記録再生光の案内溝を有していてもよい。
この場合、溝幅は０．２μｍ以上０．４μｍ以下とするのが好ましい。十分なトラッキングエラー信号振幅を得、かつ成形時の基板への溝転写率を高くするためには、溝幅０．２μｍ以上が好ましい。また、溝幅があまり広いと記録再生ビームスポットが溝内におさまってしまい、反射率が低くなり記録変調度も低くなるため、溝幅０．４μｍ以下が好ましい。また、溝が広いと基板の熱変形時の樹脂の流動移動が可能な空間が広いので、記録部の基板の陥没が著しくなって記録部再生信号の歪みが生じやすい。信号品質上、より好ましくは溝幅は０．２５μｍ〜０．３２μｍとする。なお、ここでいう溝幅は溝深さの半分の位置での溝幅、すなわち半値幅である。
【００２４】
なお、溝幅が狭いほど減衰時間が長くなる傾向があると考えられる。
溝深さは好ましくは１００〜１８０ｎｍが好ましい。溝深さは、記録時に十分な変化を起こし十分な記録変調度を得るためには１００ｎｍ以上が好ましい。成形時の基板への溝形状の転写性を高くし、かつ良好な平坦性を持たせるためには１８０ｎｍ以下が好ましい。
溝形状はＵ字溝が好ましい。Ｕ字溝とは、溝の底部が平坦となっており断面形状がＵ字形をしているものである。
【００２５】
トラックピッチは、十分な信号品質を保ちつつ高容量化するためには０．７〜１．０μｍが好ましい。
なお、溝形状は、トラックピッチが１μｍ以上の場合には、Ｈｅ−Ｃｄレーザーによる光学測定により求め、それよりもトラックピッチが狭い場合には、ＳＴＭやＡＦＭでプロファイルを測定して求めることができる。
【００２６】
記録層に用いられる有機色素は、本願発明の光記録媒体に求められる高速応答性を満たすものであれば特に限定されないが、フタロシアニン系色素、シアニン色素、含金属アゾ系色素や、ジベンゾフラノン系、含金属インドアニリン等が挙げられる。記録層は実質的に有機色素のみから成るものでもよいが、本発明の光記録媒体の性能を損わない範囲で各種添加剤等を含んでいてもよい。
光記録媒体が光ディスクである場合、記録層は、通常、有機色素等を溶媒に溶かした塗布液をディスク基板上にスピンコートして得られる。
【００２７】
この溶媒としては、エタノール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン、ジアセトンアルコール、フッ素系アルコール等が用いられるが、中でも、沸点が１００〜１５０℃である溶媒で炭素数が３以上のフッ素系アルコール、すなわち、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−テトラフルオロプロパノール、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンタノール、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−ヘキサフルオロブタノール等が好ましく用いられる。
あまり沸点が低いとスピンコート時に溶媒が速く気化しすぎてしまい、ディスク基板の外周側、例えば半径４０ｍｍより外周側に塗布液がゆきつかず、半径方向の膜厚分布が極めて大きくなり、良好な特性が得られないことがある。このため沸点が１００℃以上が好ましい。
また、逆に高すぎると蒸発に時間がかかるうえに膜中に溶媒が残留しやすく、この様な場合には、良好な記録ジッターが得られないことがあるため、沸点は１５０℃以下が好ましい。
【００２８】
大きな記録変調度を得るためには、溝間部（ランド部）、溝部の記録層膜厚をある程度厚くするのが好ましく、記録マークがトラック方向やランド方向に広がるのを防ぎジッターやクロストークを低く抑えるためには溝間部、溝部の記録層膜厚をある程度薄くするのが好ましい。従って、記録層膜厚は溝間部で３０〜１００ｎｍ程度が好ましく、溝部で８０ｎｍ〜１８０ｎｍが好ましい。
【００２９】
記録層上の溝深さは基板の溝深さの５０％〜８０％であることが好ましい。反射率とトラッキングエラー信号を十分に大きくするためには５０％以上が好ましく、また、記録変調度を十分に大きくするためには８０％以下が好ましい。
記録層の、記録再生光波長±５ｎｍにおける屈折率ｎと消衰係数ｋについては、屈折率ｎは好ましくは２．０〜３．０、より好ましくは２．３〜２．６である。消衰係数ｋは０．０３以上が好ましく、本願発明が特に効果を発揮する高線速記録仕様の場合は０．０３〜０．１０の範囲がより好ましい。
【００３０】
なお、本件での記録層のｎ、ｋの測定は以下の方法により行うことができる。鏡面レプリカに、盤面のおよそ半分の領域をカバーするように有機色素等を溶媒に溶かした塗布液を置き、スピンコートて記録層を形成し、この記録層の一部に反射層をスパッタして未塗布部分との段差を３次元表面荒さ計（キャノン製ＺＹＧＯ：Ｍａｘｉｍ５８００）で測定して膜厚を求め、反射層の付いていない記録層において日本分光製自動波長スキャンエリプソメータ（ＭＥＬ−３０Ｓ型）で多入射角測定後、前述の膜厚を参考に集束状況のよいｎ、ｋを求め、それを求める光学定数ｎ、ｋとする。
本発明の光記録媒体に用いられる、高速応答性を満たす色素としては、より大きな吸収と高い屈折率を併せ持つ、色素が好ましい。本発明の照射パルス長に対する減衰時間の比を満たすには、色素の選択がもっとも重要ではあるが、これに加えて、例えば膜厚や溝幅などの条件を適宜選択することによって、調整することができるものである。
【００３１】
本発明で使用可能な色素としては、例えば、色素骨格中のπ電子系構造部分の平面性に歪みを与えうる（つまり立体障害性の高い）置換基や、シクロヘキシル基、シクロプロペニル基、ピロリジル基等の飽和環状置換基を有するもの、または色素骨格中の芳香族環にシクロヘキサンやピペリジン等の飽和環が縮合したものが好ましい。これらの基および構造は、色素の励起状態の不安定性を増すため、分解しやすいと考えられるためである。
また、色素の基本骨格としては、例えばシアニン系、フタロシアニン系、または含金属アゾ系の色素が好ましく、特に、耐光性や膜の吸収の形の良さから含金属アゾ系色素が好ましい。
含金属アゾ系色素の中でも最も好ましいのは、下記一般式（１）、（２）、（Ｉ）、または（II）で表される化合物と金属との、金属キレート色素が挙げられる。
【００３２】
【化１】

【００３３】
（式中、環Ｅはそれぞれ結合している炭素原子及び窒素原子と一緒になって形成する複素環を表し、環Ａは５〜８員環を表し、環Ｂは置換されていてもよいベンゼン環を表す。Ｃ₁ は炭素原子を表わし、Ｒ₁ は水素原子、置換されていてもよい直鎖または分岐のアルキル基、またはＣ₁ の炭素原子と結合して形成する環を表す。Ｘ₁ かＸ₂ の少なくともいずれか一方がＮＨＳＯ₂ Ｙ基を表し、Ｙは少なくとも２つのフッ素原子で置換されている直鎖または分岐のアルキル基を表す。）
【００３４】
【化２】

【００３５】
（式中、環Ｆは、それが結合している炭素原子および窒素原子と一緒になって形成する複素環を表し、
環Ｂは上記式（１）および（２）におけると同義であり、
環Ｇは、それが結合している窒素原子と結合して形成する複素環を表し、
Ｘ₃ は−ＮＨＳＯ₂ Ｙ（Ｙは上記式（１）および（２）におけると同義）である。）
具体的には、例えば下記構造の色素が挙げられる。
【００３６】
【表１】

【００３７】
【表２】

【００３８】
【表３】

【００３９】
【表４】

【００４０】
【表５】

【００４１】
【表６】

【００４２】
本発明における減衰時間の長さには、記録層を構成する有機色素の熱的特性もある程度の関連がある。例えば、短波長用途として充分な特性を得るためには、熱重量分析における主減量過程での減量が、温度に対してシャープであるのが好ましい。
本発明において「主減量過程」とは、いくつかの減量過程のうちで、初期の色素質量の１５％以上が直線的に減量する過程をさし、該過程が２以上ある場合には、減量の傾きが最も大きな過程をさす。
また「総減量」とは、「主減量過程」における減量をさす。
以下、図２及び図３を用いて減量の傾きについて説明する。
【００４３】
質量Ｍ₀ の有機色素を窒素中で１０℃／分で昇温する。昇温に従って、質量は当初微量ずつ減少し、ほぼ直線ａ−ｂの減量線を描き、ついで急激に減量し始め、１５％以上の減量をほぼ直線ｄ₁ −ｄ₂ に沿って減量する。図２においてはこれが主減量過程であり、主減量開始温度とは、直線ｄ₁ −ｄ₂ と直線ａ−ｂとの交点における温度Ｔ₁ のことである。またこの時の、質量Ｍ₀ に対する色素の重量割合をｍ₁ とする。その後、ほぼ直線ｃ−ｃで示される減量過程におちつく。直線ｄ₁ −ｄ₂ と直線ｃ−ｃとの交点における温度をＴ₂ 、色素の重量割合をｍ₂ とすると、ここでいう減量の傾きとは
【００４４】
【数１】
（ｍ₁ −ｍ₂ ）（％）／（Ｔ₂ −Ｔ₁ ）（℃）
【００４５】
で示される値で、初期の色素質量Ｍ₀ に対する減量％（総減量％）は、
【００４６】
【数２】
（ｍ₁ −ｍ₂ ）（％）
【００４７】
で示される値である。なお、図３に示されるような減量曲線の場合には、主減量過程の減量の傾きは
【００４８】
【数３】
（ｍ₁ −ｍ₂ ）（％）／（Ｔ₂ −Ｔ₁ ）（℃）
【００４９】
で示される値で、総減量％は
【数４】
（ｍ₁ −ｍ₂ ）（％）
【００５０】
で示される値である。
【００５１】
記録時には、主減量過程の反応により、有機色素は分解し、記録層膜厚の減少と光学定数の変化をおこし、光学的な意味でのマーク（記録部）が形成される。多くの場合、記録マークの下の樹脂層又は基板が記録時の色素層の熱吸収による昇温で変形し、溝幅は広がる。
また、記録層である色素層が光を吸収してマークが形成されるので、主減量が温度に対して急激である場合、すなわち、狭い温度範囲で減量が起こる場合には、記録層の光学変化と膜厚の変化が狭い領域でのみ形成されることになる。従って、高密度のマーク長記録の場合にはマーク同士が重なりあいにくいためクロストークが小さく、ジッター、マークの分解能が良くなり、極めて有利である。それ故、温度に対して、急峻な減量を起こす色素を用いることが好ましい。
【００５２】
本発明で用いる色素としては、窒素中での熱重量分析において、好ましくは主減量過程での減量の傾きが２％／℃以上であり、その過程での総減量％が３０％以上、より好ましくは、減量の傾きは３０％／℃以上であり、総減量％は５０％以上である。
減量の傾きが２％／℃以上だと、十分小さくランド方向に広がらない細い記録部が形成しやすくなり、ジッター、マークの分解能が良くなり、高密度対応の短マーク長記録が行いやすい。また、総減量％が３０％以上の場合には記録前後の十分な反射率コントラストが得られやすく、記録変調度が大きいために十分な短マーク特性が得られやすい。
【００５３】
さらに、大気中での１０℃／分の昇温の場合の熱分解挙動（ＴＧ−ＤＴＡ特性）が、窒素中での１０℃／分の昇温の場合とあまり差がないような色素が好ましい。どの色素でも、窒素中の測定で観測された主減量過程は、大気中でもほとんど変わらず存在する。しかし、ある種の色素の場合には、大気中測定でのみ、該主減量過程よりさらに高温側に発熱を伴う第２の減量過程が存在し、その過程を経てほぼ総減量が１００％に達する（図４参照）。
【００５４】
この第２の減量過程で起こっている反応は、保護層を積層した媒体や貼りあわせした媒体の形態においては、極端に大きな記録パワーを用いた場合に、記録特性に影響することがある。また、反射層の上の保護層が薄い場合、もしくは、反射層の上に何も積層しない層構成の場合には、通常の記録パワーでも色素と樹脂層又は基板の界面で非常に高温になりやすく、反射層を通して供給される酸素、基板中の酸素、あるいは色素の主減量過程により発生する微量の酸素と反応して、第２の減量過程で起こるものと同様の反応がおこり、ビットの形状がきたなくなり信号特性が不良となる恐れがある。
【００５５】
大気中での熱重量分析において、この様な２段階の減量過程を有する色素の場合は、第１の減量過程での減量が６０％以上であるか、あるいは、第１の減量過程よりも高温側で起こる、第２の減量過程の開始温度が５００℃以上であることが好ましい。なぜならば、高速記録の場合、記録層の最高到達温度は４００℃〜５００℃になり、基板界面からでる基板の酸素の影響で、記録層中は大気中での熱重量分析時に近い状況となる。従って、大気中で５００℃未満に第２の減量過程が生じる色素を記録層に使用した場合には、高速記録を行うことによって、結果的に色素の減量過程が２段階となり、記録部の変形が過剰になってジッターが悪化する恐れがあるからである。
【００５６】
なお本発明における減量の傾きは、色素を１０℃／分で昇温しつつ測定するので、例えば１３％／℃という減量の傾きを、１３０％／分という減量速度で表すこともできる。
【００５７】
本発明の光記録媒体における反射層は、記録層を透過したレーザー光を効率良く反射するＡｇ、Ａｌ、Ａｕなどの金属からなるのが好ましく、記録再生波長（５００ｎｍ〜７００ｎｍが好ましい）で反射率が低下しないために、記録再生波長±５ｎｍの波長領域の光の屈折率が０．１〜１．５、消衰係数ｋが３〜８であるものが好ましい。特に屈折率が０．１〜０．２、消衰係数が３〜５である場合は高反射率が得られる。しかし、さらに高速記録を目的とする場合には、反射層の反射率、熱伝導度がかかわってくる場合がある。Ａｇ及びＡｇ合金は、短波長での反射率及び熱伝導度が大きく最も好ましい。
【００５８】
なお、反射層のスパッタの際には、界面酸素量を極力低くしておく必要がある。なぜならば、前述のごとく酸素の存在により、熱分解の挙動が大きく変化する色素が多数あるからである。
本発明の光記録媒体においては、記録部の反射層の穴の発生を防止したり、変形の非対称性を抑制するために、反射層の上に保護層を積層するのが好ましい。保護層の材料としては、紫外線などの放射線硬化性の樹脂が好ましい。また通常は、１μｍ以上、好ましくは３μｍ以上の膜厚にして、酸素による硬化抑制等がおこらないようにする。さらにその上にホットメルトや紫外線など放射線硬化性の接着剤を１０〜２０μｍ設けて、他の光記録媒体あるいは単なる基板等と貼り合わせてもよい。
【００５９】
本発明の光記録方法においては、上述の光記録媒体に、波長７００ｎｍ以下の光を照射し反射率を変化させて記録を行う。これにより光記録媒体に対し高密度かつ高速に記録を行うことができる。より好ましくは波長５００〜７００ｎｍである。
【００６０】
【実施例】
本実施例において、ディスクの評価は以下のように行った。
ディスクを波長６４０ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡ＝０．６の光ヘッドを有する評価機（パルステック社製 ＤＤＵ−１０００）に装着し、線速度０．３ｍ／ｓで回転させ、このディスクにパルス長３８３ナノ秒のレーザーを照射し記録を行った。
なお、３８３ナノ秒は、いわゆるＤＶＤ−Ｒにおいて通常の記録線速度（３．５〜３．８ｍ／ｓ）での１０Ｔパルス（基準クロック周期Ｔは３８．２ナノ秒）にほぼ相当する。
照射パルス長の測定法はいくつかある。直接レーザーの出射光を高速パルス対応のパワーメーターに入れて測定する方法が最も正確であるが、もっと簡便な方法としては、レーザー駆動系に入射する信号のパルス幅をタイム・インターバル・アナライザーに入れて信号幅を測定し、その値にレーザー光の立ち上がりー立ち下がり時間を加算すると、ほぼ、レーザー出射パルス幅（照射パルス長）の値に近いものが得られる。また、さらに簡便には、信号波形の立ち上がり立ち下がりの台形の底辺に近い部分を測定してもほぼ実測の照射パルス長に近い値が得られる。本実施例では、以上すべての測定の結果の平均値を照射パルス長とした。
【００６１】
同時にディスクの反射光を検出し、５００ＭＨｚの帯域のストーレッジオシロスコープ（ＬｅＣｒｏｙ社製 ９３５４Ｘ）にとりこみ反射率の減衰時間を測定した。
なお、反射率の測定は溝上で、偏光ビームスプリッタ通過後に行った。
次に、このディスクに最短マーク長０．４４μｍに相当するマーク長になるように、デューティ比２５％の単一周波数の信号を線速度３．５ｍ／ｓ、７ｍ／ｓ、１４ｍ／ｓで記録した後３．５ｍ／ｓで再生し、それぞれの、バンド幅３０ｋＨｚでの飽和Ｃ／Ｎ（以下、単にＣ／Ｎと称する）を測定した。
以下、各実施例および比較例において、１倍速とは３．５ｍ／ｓ、２倍速は７ｍ／ｓ、４倍速は１４ｍ／ｓを意味する。評価結果は、表−１にまとめた。
【００６２】
実施例１
溝深さ１５０ｎｍ、溝幅０．２８μｍ、トラックピッチ０．８０μｍ（以上、ＡＦＭでの測定結果）のＵ字案内溝を有する厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に下記構造式
【００６３】
【化３】

【００６４】
で示される含金属アゾ色素０．０４２ｇをオクタフルオロペンタノール（ＯＦＰ）４ｇに溶解し、１２００ｒｐｍでスピンコートし、８０℃のオーブンで３時間アニール処理し、記録層とした。
この色素の窒素中の主減量開始温度は２４６℃で、減量速度は４２２％／分、減量の傾きは４２％／℃で、この過程での総減量は５６％であった。一方、大気中では、第一の減量過程の減量％は７１％であった。熱重量分析はセイコー電子工業製の示差熱天秤（「ＳＳＣ５２００Ｈ」シリーズ「ＴＧ−ＤＴＡ−３２０」）を用いて測定した。
【００６５】
この色素単層の６４０ｎｍでの屈折率ｎ、消衰係数ｋはそれぞれ、２．４３、０．０７であり、吸収極大は５９２．５ｎｍであった。
この記録層の上に銀を１００ｎｍの厚さだけスパッタし、その状態で記録層上の溝深さをＡＦＭで測定したところ、基板の溝深さの６５％であった。なお、記録層の溝間部膜厚は３０ｎｍであった（従って、溝部膜厚は８５ｎｍ）。この反射層の上にＵＶ硬化樹脂（大日本インキ社製「ＳＤ−３１８」）をスピンコートして紫外線ランプで硬化して厚さ約３μｍの保護層を作製した。
【００６６】
なお、このディスクに用いた反射層の６４０ｎｍでのｎ、ｋは、０．０８、４．２８であった。
同じ様にして作製したディスク同士をホットメルト接着剤で接着し、この貼り合わせディスクを評価した。
その結果、記録パワー１．６ｍＷにおいて、反射率が変化し飽和レベルに達するに要する時間（減衰時間）は１６０ナノ秒であり、パルス長の４２％と、極めて良好な応答性を示した。
【００６７】
また、単一周波数記録を行った場合のＣ／Ｎは３．５ｍ／ｓ、７ｍ／ｓ、１４ｍ／ｓでそれぞれ、５８ｄＢ、５５ｄＢ、５４ｄＢといずれの線速における記録でも十分大きなＣ／Ｎを得た。また、マークジッターも、４〜７ナノ秒と極めて良好であった。
なお、ＤＶＤ−Ｒにおいては一般に、Ｃ／Ｎは４５ｄＢ以上が必要とされ、５５ｄＢ近傍以上が好ましいとされる。また、マークジッターは１０ナノ秒を越えると信号の品質が非常に悪く、９ナノ秒以下が特に好ましいとされる。
このディスクに、記録線速度７ｍ／ｓ、記録パワー１０．２ｍＷで、８／１６変調のランダム信号をＤＶＤ−Ｒの規格バージョン１．０にほぼ近い条件で記録したところ、マーク間補償を施した状態でのボトムジッター値は８．４％と極めて良好であり、正確な高速記録ができた。
【００６８】
このとき、反射率は４３％で変調度は７５％であった。
また、このディスクを反射層と記録層の間で溝がし、色素記録層をエタノールで流し取ったのち記録部の基板の変形をＡＦＭで観察したところ、凹凸はほとんどなく、どのマーク長の記録部も均一な形状であった。
【００６９】
実施例２
実施例１の色素を下記構造式の色素に変え、色素量を０．０４０ｇに変えた以外は全く同様にして貼り合わせディスクを作成した。
【００７０】
【化４】

【００７１】
この色素の窒素中の主減量開始温度は２７２℃で、減量速度は２１％／分、減量の傾きは２. １％／℃で、この過程での総減量は４７％であった。一方、大気中では、第一の減量過程の減量％は７３％であった。
この色素単層の６４０ｎｍでの屈折率ｎ、消衰係数ｋはそれぞれ、２．５０、０．０９であり、吸収極大は６０７ｎｍであった。
また、このディスクの溝間部の膜厚は３０ｎｍで、記録層上の溝深さは基板の溝深さの６５％であった。
【００７２】
このディスクに対して実施例１と同様に評価したところ、記録パワー２．０ｍＷにおいて、反射率が変化し飽和レベルに達するに要する時間（減衰時間）は２７０ナノ秒であり、パルス長の７０％であった。
また、単一周波数記録を行った場合のＣ／Ｎは３．５ｍ／ｓ、７ｍ／ｓ、１４ｍ／ｓでそれぞれ、５９ｄＢ、５６ｄＢ、５４ｄＢといずれの線速における記録でも十分大きなＣ／Ｎを得た。また、マークジッターも、記録線速度１倍速で５ナノ秒、４倍速で７ナノ秒と極めて良好であった。
【００７３】
このディスクに、記録線速度７ｍ／ｓ、記録パワー１０．４ｍＷで、８／１６変調のランダム信号をＤＶＤ−Ｒの規格バージョン１．０にほぼ近い条件で記録したところ、マーク間補償を施した状態でのボトムジッター値は９．２％であり、良好な高速記録ができた。
このとき、反射率は４２％で変調度は７３％であった。
【００７４】
実施例３
実施例１の色素を下記構造式の色素に変え、色素量を０．０４４ｇに変えた以外は全く同様にして貼り合わせディスクを作成した。
【００７５】
【化５】

【００７６】
この色素の窒素中の主減量開始温度は３４９℃で、減量速度は２２７％／分、減量の傾きは２２. ７％／℃で、この過程での総減量は４０％であった。一方、大気中では、第一の減量過程の減量％は２９％で、第２の減量開始温度は４５５℃であった。この過程より低温領域での減量は全くなかった。
この色素単層の６４０ｎｍでの屈折率ｎ、消衰係数ｋはそれぞれ、２．４０、０．０５であり、吸収極大は５８４ｎｍであった。
【００７７】
また、このディスクの溝間部の膜厚は３０ｎｍで、記録層上の溝深さは基板の溝深さの６３％であった。
このディスクに対して実施例１と同様に評価したところ、記録パワー２．６ｍＷにおいて、反射率が変化し飽和レベルに達するに要する時間（減衰時間）は３２０ナノ秒であり、パルス長の８４％であった。
また、単一周波数記録を行った場合のＣ／Ｎは記録線速度３．５ｍ／ｓ、７ｍ／ｓ、１４ｍ／ｓでそれぞれ、５７ｄＢ、５６ｄＢ、５３ｄＢであった。また、マークジッターは記録線速度１倍速で５ナノ秒、４倍速で９ナノ秒であった。
このディスクに、記録線速度７ｍ／ｓ、記録パワー１２．２ｍＷで、８／１６変調のランダム信号をＤＶＤ−Ｒの規格バージョン１．０にほぼ近い条件で記録したところ、マーク間補償を施した状態でのボトムジッター値は９．０％であった。
なお、反射率は５１％であった。
【００７８】
実施例４
実施例１の色素を下記構造式の色素に変え、色素量を０．０４４ｇに変えた以外は全く同様にして貼り合わせディスクを作成した。
【００７９】
【化６】

【００８０】
この色素の窒素中の主減量開始温度は２６５℃で、減量速度は２０％／分、減量の傾きは２％／℃で、この過程での総減量は４９％であった。一方、大気中では、第一の減量過程の減量％は４３％で、第２の減量開始温度は４６４℃であった。
この色素単層の６４０ｎｍでの屈折率ｎ、消衰係数ｋはそれぞれ、２．４５、０．０７であり、吸収極大は６０１ｎｍであった。
【００８１】
また、このディスクの溝間部の膜厚は３０ｎｍで、記録層上の溝深さは基板の溝深さの６３％であった。
このディスクに対して実施例１と同様に評価したところ、記録パワー２．４ｍＷにおいて、反射率が変化し飽和レベルに達するに要する時間（減衰時間）は３４０ナノ秒であり、パルス長の８９％であった。
また、単一周波数記録を行った場合のＣ／Ｎは記録線速度３．５ｍ／ｓ、７ｍ／ｓ、１４ｍ／ｓでそれぞれ、５８ｄＢ、５７ｄＢ、５４ｄＢであった。また、マークジッターは記録線速度１倍速で６ｎｓ、４倍速で８ｎｓであった。
このディスクに、記録線速度７ｍ／ｓ、記録パワー１１．２ｍＷで、８／１６変調のランダム信号をＤＶＤ−Ｒの規格バージョン１．０にほぼ近い条件で記録したところ、マーク間補償を施した状態でのボトムジッター値は９．２％であった。
なお、反射率は４７％であった。
【００８２】
実施例５
実施例１の色素を下記構造式の色素に変え、色素量を０．０４８ｇに変え、反射層を銀合金（Ａｇ−Ｔｉ合金、Ｔｉは０．２原子％）とした以外は全く同様にして貼り合わせディスクを作成した。
【００８３】
【化７】

【００８４】
この色素の窒素中の主減量開始温度は２９７℃で、減量速度は１１８％／分、減量の傾きは１１. ８％／℃で、この過程での総減量は６７．５％であった。一方、大気中では、第一の減量過程の減量％は５４％で、第２の減量開始温度は４５０℃であった。
この色素単層の６４０ｎｍでの屈折率ｎ、消衰係数ｋはそれぞれ、２．３５、０．０５であり、吸収極大は５８８．５ｎｍであった。
【００８５】
また、このディスクの溝間部の膜厚は３０ｎｍで、記録層上の溝深さは基板の溝深さの６３％であった。
このディスクに用いた反射層の６４０ｎｍでのｎ、ｋは、０．１６５、４．１５９であった。
このディスクに対して実施例１と同様に評価したところ、記録パワー３．０ｍＷにおいて、反射率が変化し飽和レベルに達するに要する時間（減衰時間）は３４５ナノ秒であり、パルス長の９０％であった。
【００８６】
また、単一周波数記録を行った場合のＣ／Ｎは記録線速度３．５ｍ／ｓ、７ｍ／ｓ、１４ｍ／ｓでそれぞれ、５７ｄＢ、５４ｄＢ、５２ｄＢであった。また、マークジッターは記録線速度１倍速で５ナノ秒、４倍速で９ナノ秒であった。
このディスクに、記録線速度７ｍ／ｓ、記録パワー１２．０ｍＷで、８／１６変調のランダム信号をＤＶＤ−Ｒの規格バージョン１．０にほぼ近い条件で記録したところ、マーク間補償を施した状態でのボトムジッター値は９．４％であった。
なお、反射率は４８％であった。
【００８７】
比較例１
実施例１の色素を下記構造式の色素に変え、色素量を０．０４４ｇに変えた以外は全く同様にして貼り合わせディスクを作成した。
【００８８】
【化８】

【００８９】
この色素の窒素中の主減量開始温度は２４８℃で、減量速度は２２７％／分、減量の傾きは２２. ７％／℃で、この過程での総減量は４０％であった。一方、大気中では、第一の減量過程の減量％は２９％で、第２の減量開始温度は４４０℃であった。
この色素単層の６４０ｎｍでの屈折率ｎ、消衰係数ｋはそれぞれ、２．３５、０．０５であり、吸収極大は５８９．５ｎｍであった。
【００９０】
また、このディスクの溝間部の膜厚は３０ｎｍで、記録層上の溝深さは基板の溝深さの６３％であった。
このディスクに対して実施例１と同様に評価したところ、記録パワー３．０ｍＷにおいて、反射率が変化し飽和レベルに達するに要する時間（減衰時間）は８００ナノ秒であり、パルス長の２１０％であった。
【００９１】
また、線速度３．５ｍ／ｓ、７ｍ／ｓ、１０．５ｍ／ｓ（３倍速）で単一周波数記録を行った場合のＣ／Ｎはそれぞれ、５９ｄＢ、５４ｄＢ、５０ｄＢと、高線速になるに従い著しい劣化が見られた。また、マークジッターは記録線速度１倍速では５ナノ秒と良好であったにもかかわらず、３倍速で１１ナノ秒にも上った。
このディスクに、記録線速度７ｍ／ｓ、記録パワー１２．８ｍＷで、８／１６変調のランダム信号をＤＶＤ−Ｒの規格バージョン１．０にほぼ近い条件で記録したところ、マーク間補償を施した状態でのボトムジッター値は９．８％以下には下がらなかった。
【００９２】
また、このディスクを実施例１と同様にして基板の変形をＡＦＭで観察したところ、３Ｔから１１Ｔマークに亘ってマーク長により凹凸の高さ、ビーム走行方向の非対称性が異なっており、マーク間差が大きく見られ、好ましい記録状態ではなかった。
このディスクの反射率は５１％であった。
【００９３】
比較例２
実施例１の色素を下記構造式の色素に変え、色素量を０．０４８ｇに変えた以外は全く同様にして貼り合わせディスクを作成した。
【００９４】
【化９】

【００９５】
この色素の窒素中の主減量開始温度は３４９．８℃で、減量速度は１４８％／分、減量の傾きは１４. ８％／℃で、この過程での総減量は４１％であった。一方、大気中では、第一の減量過程の減量％は３０％で、第２の減量開始温度は４６７℃であった。
この色素単層の６４０ｎｍでの屈折率ｎ、消衰係数ｋはそれぞれ、２．４、０．０６であり、吸収極大は５９５．５ｎｍであった。
【００９６】
また、このディスクの溝間部の膜厚は３０ｎｍで、記録層上の溝深さは基板の溝深さの６３％であった。
このディスクに対して実施例１と同様に評価したところ、記録パワー２．６ｍＷにおいて、反射率が変化し飽和レベルに達するに要する時間（減衰時間）は６４０ナノ秒であり、パルス長の１７０％であった。
また、線速度３．５ｍ／ｓ、７ｍ／ｓで単一周波数記録を行った場合のＣ／Ｎはそれぞれ、５８ｄＢ、５３ｄＢと、高線速になるに従い著しい劣化が見られた。また、マークジッターは記録線速度７ｍ／ｓで１０ナノ秒に上った。
【００９７】
このディスクに、記録線速度７ｍ／ｓ、記録パワー１２．８ｍＷで、８／１６変調のランダム信号をＤＶＤ−Ｒの規格バージョン１．０にほぼ近い条件で記録したところ、マーク間補償を施した状態でのボトムジッター値は９. ８％以下にはならなかった。
また、このディスクを実施例１と同様にして基板の変形をＡＦＭで観察したところ、３Ｔから１１Ｔマークに亘ってマーク長により凹凸の高さ、ビーム走行方向の非対称性が異なっており、マーク間差が大きく見られ、好ましい記録状態ではなかった。
このディスクの反射率は５１％であった。
【００９８】
【表７】

【００９９】
一般に、ＤＶＤ−Ｒにおいては、Ｃ／Ｎは４５ｄＢ以上が必要とされ、５５ｄＢ近傍以上が好ましいとされる。また、マークジッターは１０ナノ秒を越えると信号の品質が非常に悪く、９ナノ秒以下が特に好ましいとされる。
表−１から分かるように、本発明の規定値を満たす光記録媒体は、単一周波数記録において、３．５ｍ／ｓ、７ｍ／ｓ、１４ｍ／ｓと記録速度を上げていった場合のＣ／Ｎ値の低下が小さく（記録特性の線速依存性が小さく）、いずれの線速でも良好に記録できる。またマークジッターの値が、１４ｍ／ｓという高速で記録した場合にも９ナノ秒以下であることからも、高線速で良好に記録できることが分かる。
【０１００】
比較例３
文献ＳＰＩＥ ｖｏｌ．２５１４，２４９（１９９５）のFig.3(A)とFig.3(B)には、記録層にフタロシアニン系色素またはシアニン系色素を含むＣＤ−Ｒに対し、線速度０．２m/s で、パルス長６９４ｎｓおよび１７４ｎｓのレーザー光を照射した場合の反射率（反射光量）変化が、"the reflective voltages during recording"として記載されている。
これらのグラフは、いずれも反射光量の経時変化を表しており、そのデータから該文献では「フタロシアニン系色素の方が、より高速記録に適していると結論づけられている。
該文献の推奨している「フタロシアニン系色素」の、Fig.3(A)およびFig.3(B)におけるデータを、本出願と同様に、飽和に達した反射光レベルで反射光量の変化を規格化し、（時間）／（照射パルス長）に対してプロットし直したものが図５である。
図５から明らかなように、上記文献で推奨されている「フタロシアニン系色素」の減衰時間（図５において、企画化された反射率が０％になった時の、（時間）／（照射パルス長）の値）は、照射パルス長の２９０％（照射パルス長は１７４ｎｓ）、および３５０％（照射パルス長は６９４ｎｓ）であり、本願発明の要件を満たさないことは明らかである。
【０１０１】
【発明の効果】
本発明によれば、波長７００ｎｍ以下で記録再生可能で、記録密度が高く、記録光に対する高速応答性を有し、高速記録性に優れた色素型光記録媒体及び光記録方法を得ることができる。特に、従来困難であった線速度１０ｍ／ｓ以上の高速での記録も良好に行え、低線速から高線速までの幅広い線速度で記録可能な光記録媒体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の光記録媒体の反射率の減衰過程を示す波形および照射パルス長を示す図
【図２】 窒素中での熱重量分析における有機色素の主減量過程、主減量過程の総減量、減量の傾きの一例を示す示差熱天溝チャート図
【図３】 窒素中での熱重量分析における有機色素の主減量過程、主減量過程の総減量、減量の傾きの他の一例を示す示差熱天溝チャート図
【図４】 大気中での熱重量分析における有機色素の主減量過程、主減量過程の総減量、減量の傾きの一例を示す示差熱天溝チャート図
【図５】 ＳＰＩＥ ｖｏｌ．２５１４，２４９（１９９５）のFig.3(A)およびFig.3(B)のデータを、本発明の基準でプロットし直したもの
【符号の説明】
Ｔ₁ 主減量または第１の減量過程開始温度
Ｔ₂ 主減量または第１の減量過程終了温度
Ｔ₃ 第２の減量過程開始温度
ｍ₁ 初期の色素質量Ｍ₀ に対する、温度Ｔ₁ 時の色素の重量割合
ｍ₂ 初期の色素質量Ｍ₀ に対する、温度Ｔ₂ 時の色素の重量割合
ｍ₃ 初期の色素質量Ｍ₀ に対する、温度Ｔ₃ 時の色素の重量割合

Claims (8)

1. 樹脂基板を有し、有機色素を主成分とする記録層を有し、さらに反射層を有し、波長が７００ｎｍ以下の記録光照射により反射率を変化させて記録を行うための光記録媒体であって、
   記録光とほぼ同じ波長で、強度１〜４．５ｍＷより選ばれるいずれかの強度を有する、約３８２ナノ秒のパルス長の光を、
   該光に対して、該媒体の光照射部を相対速度０．３ｍ／ｓで移動させながら照射した場合に、
   反射率が変化し飽和レベルに達するに要する時間が該パルス長の１３０％以下であることを特徴とする光記録媒体。
2. 樹脂基板を有し、有機色素を主成分とする記録層を有し、さらに反射層を有し、波長が７００ｎｍ以下の記録光照射により反射率を変化させて記録を行うための光記録媒体であって、
   波長約６３５ｎｍで、強度１〜４．５ｍＷより選ばれるいずれかの強度を有する、約３８２ナノ秒のパルス長の光を、
   該光に対して、該媒体の光照射部を相対速度０．３ｍ／ｓで移動させながら照射した場合に、
   反射率が変化し飽和レベルに達するに要する時間が該パルス長の１３０％以下であることを特徴とする光記録媒体。
3. 反射率が変化し飽和レベルに達するに要する時間が、該パルス長の１００％以下である請求項１または２に記載の光記録媒体。
4. 溝幅が０．２〜０．４μｍの案内溝を有する請求項１乃至３のいずれかに記載の光記録媒体。
5. 溝深さが１００ｎｍ〜１８０ｎｍの案内溝を有する請求項１乃至４のいずれかに記載の光記録媒体。
6. 光記録媒体が、反射層上に保護層を有する請求項１に記載の光記録媒体。
7. 請求項１乃至６のいずれかに記載の光記録媒体に、波長７００ｎｍ以下の光を照射し反射率を変化させて記録を行う光記録方法。
8. 記録を行う際の線速度を１０ｍ／ｓ以上とする請求項７に記載の光記録方法。

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