JPS631594A - 光学式情報記録担体 - Google Patents
光学式情報記録担体Info
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- JPS631594A JPS631594A JP61144249A JP14424986A JPS631594A JP S631594 A JPS631594 A JP S631594A JP 61144249 A JP61144249 A JP 61144249A JP 14424986 A JP14424986 A JP 14424986A JP S631594 A JPS631594 A JP S631594A
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- Organic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
皮亙且１
本発明は、有機色素薄膜を有する追記型光学式情報記録
担体に関する。
担体に関する。
１旦弦薯
従来から、追記型光学式情報記録担体としては、円形基
板上に設けられたＴｅ等の金属）１ｇ膜の記録層にレー
ザ光を利用して信号を記録するものがあり、追記型光デ
ィスクとして実用化されている。
板上に設けられたＴｅ等の金属）１ｇ膜の記録層にレー
ザ光を利用して信号を記録するものがあり、追記型光デ
ィスクとして実用化されている。
−方、他の追記型光ディスクでは、記録図に有機系色素
、特にシアニン色素をＳんだ薄膜を用いるもの６特開昭
６０−１０３５３２に開示されている。かかる光ディス
クは第２図の概略断面図に示されるものである。すなわ
ち、サブストレート１は、ＰＭＭ△等のアクリル酸樹脂
より形成された円形基板であって、その上に同心円状又
は渦巻状に整列した微細なブリアドレス及びプリグルー
プが形成されている。シアニン色素を含ｌυだ溶液をサ
ブストレート１のブリアドレス、プリグループ面上にス
ピンコード法により均一に被膜し、被膜面を乾燥させ記
録層２を形成する。記録層２を保護するために記録層２
を有したサブストレート１上に間隙３を保ってスペーサ
６を介して保護板４を貼り合わせて追記型光ディスクを
得る。
、特にシアニン色素をＳんだ薄膜を用いるもの６特開昭
６０−１０３５３２に開示されている。かかる光ディス
クは第２図の概略断面図に示されるものである。すなわ
ち、サブストレート１は、ＰＭＭ△等のアクリル酸樹脂
より形成された円形基板であって、その上に同心円状又
は渦巻状に整列した微細なブリアドレス及びプリグルー
プが形成されている。シアニン色素を含ｌυだ溶液をサ
ブストレート１のブリアドレス、プリグループ面上にス
ピンコード法により均一に被膜し、被膜面を乾燥させ記
録層２を形成する。記録層２を保護するために記録層２
を有したサブストレート１上に間隙３を保ってスペーサ
６を介して保護板４を貼り合わせて追記型光ディスクを
得る。
また、第３図の如き記録層２を有する一対のサブストレ
ート１を補強板７で担持したエアーサンドインチ密閉構
造の両面光ディスクも提案されている。
ート１を補強板７で担持したエアーサンドインチ密閉構
造の両面光ディスクも提案されている。
かかる従来の光ディスクの記録層２はシアニン色素から
なる７１１Ｇであって、その表面はブロンズ光沢若しく
は金属光沢を有し再生時の弱いレーザ光を反射するのに
都合が良い記録層である。シアニン色素の薄膜は所定パ
ワーの半導体レーザ光を吸収して昇華する故に、記録時
のレーザ光ビームの照射によるビットの形成する記録層
としての機能を有覆る。また、シアニン色素の薄膜は可
撓性に優れ、金属膜のように温度変化によるひびが入り
にくい。このような利点を有する故にシアニン色素単成
分による甲−薄膜の記録層が形成された光ディスクが開
発されていた。
なる７１１Ｇであって、その表面はブロンズ光沢若しく
は金属光沢を有し再生時の弱いレーザ光を反射するのに
都合が良い記録層である。シアニン色素の薄膜は所定パ
ワーの半導体レーザ光を吸収して昇華する故に、記録時
のレーザ光ビームの照射によるビットの形成する記録層
としての機能を有覆る。また、シアニン色素の薄膜は可
撓性に優れ、金属膜のように温度変化によるひびが入り
にくい。このような利点を有する故にシアニン色素単成
分による甲−薄膜の記録層が形成された光ディスクが開
発されていた。
しかしながら、シアニン色素のみからなる薄膜の記録層
を用いた光ディスクでは、書込み記録後、読出し時の弱
いレーザ光で又は取扱時における日光などで光劣化が起
こるために、繰返し読出し再生に耐えられない。
を用いた光ディスクでは、書込み記録後、読出し時の弱
いレーザ光で又は取扱時における日光などで光劣化が起
こるために、繰返し読出し再生に耐えられない。
そこで、シアニン色素に光劣化を抑える物質を混合する
ことが考えられ、その物質としてベンゼンチオールニッ
ケル鏡体が挙げられる。ベンゼンチオールニッケル鏡体
は、特開昭５７−１１０９０号公報に示されているよう
に、８００〜９５０ｎｍの領域に吸収波長を有する物質
であり、記録に要するレーザ光を吸収して熱に変換する
作用の強い色素であるからである。従って、ベンゼンチ
オールニッケル錯体の記録ＪＩＢＩとして註合すること
は、有機系色素をレーザ光で昇華させることを補助する
のに適している。
ことが考えられ、その物質としてベンゼンチオールニッ
ケル鏡体が挙げられる。ベンゼンチオールニッケル鏡体
は、特開昭５７−１１０９０号公報に示されているよう
に、８００〜９５０ｎｍの領域に吸収波長を有する物質
であり、記録に要するレーザ光を吸収して熱に変換する
作用の強い色素であるからである。従って、ベンゼンチ
オールニッケル錯体の記録ＪＩＢＩとして註合すること
は、有機系色素をレーザ光で昇華させることを補助する
のに適している。
しかしながら、このベンゼンチオールニッケル鏡体及び
シアニン色素による従来の混合物を用いても、記録しビ
ットを形成した光ディスクでは、読出しを繰返す場合に
、その読出しが不可能となることがある。
シアニン色素による従来の混合物を用いても、記録しビ
ットを形成した光ディスクでは、読出しを繰返す場合に
、その読出しが不可能となることがある。
このことは、第４図の拡大断面図に示すように、光ディ
スクではレーザ光を案内するためのブリアドレス部ａ及
びプリグループ部すが予めサブストレート１に設けられ
、その上に信号記録層が被覆しである故に、ブリアドレ
ス部ａの反射率が低下してビット及び非ピットの反射光
の差が減少してしまうのでその反射光が十分でなく、ビ
ット及び非ビットが検出できなくなることに原因があっ
た。
スクではレーザ光を案内するためのブリアドレス部ａ及
びプリグループ部すが予めサブストレート１に設けられ
、その上に信号記録層が被覆しである故に、ブリアドレ
ス部ａの反射率が低下してビット及び非ピットの反射光
の差が減少してしまうのでその反射光が十分でなく、ビ
ット及び非ビットが検出できなくなることに原因があっ
た。
プリグループ部すでのビットは記録層が穿孔しているた
めに、反射率が減少しても反射の有無である程度までビ
ットを検出できる。
めに、反射率が減少しても反射の有無である程度までビ
ットを検出できる。
かかる読出し用レーザ光による既記緑光ディスクの繰返
し耐久性すなわち繰返し読出し可能回数を示すグラフを
第５図に示寸。グラフ縦軸には繰返し読出し可能回数を
、グラフ横軸にはレーザ光の再生パワーをとっている。
し耐久性すなわち繰返し読出し可能回数を示すグラフを
第５図に示寸。グラフ縦軸には繰返し読出し可能回数を
、グラフ横軸にはレーザ光の再生パワーをとっている。
ディスクの再生線速度は２．３６ｍ／秒であった。実線
Ａはブリアドレス部ａにおける記録層の耐久性を示し、
実線Ｂはプリグループ部すにおける記録層の耐久性を示
している。すなわち、プリグループ部すではシー１ｆ光
による記録層の破壊により、ブリアドレス部ａでは光劣
化による記録層の反射率の低下により読出し可能回数が
制限されている。従って、ビット列が形成されているプ
リグループ部すでは読出しパワーを低くおさえれば良い
が、ブリアドレス部ａでは約３００万回程度の読出し可
能回数で光劣化が始まっており、アドレス信号を識別す
るだけの反Ｉｎの差を確保できないことが明らかとなっ
た。
Ａはブリアドレス部ａにおける記録層の耐久性を示し、
実線Ｂはプリグループ部すにおける記録層の耐久性を示
している。すなわち、プリグループ部すではシー１ｆ光
による記録層の破壊により、ブリアドレス部ａでは光劣
化による記録層の反射率の低下により読出し可能回数が
制限されている。従って、ビット列が形成されているプ
リグループ部すでは読出しパワーを低くおさえれば良い
が、ブリアドレス部ａでは約３００万回程度の読出し可
能回数で光劣化が始まっており、アドレス信号を識別す
るだけの反Ｉｎの差を確保できないことが明らかとなっ
た。
近年では、有機系色素を用いた追記用光ディスクの実用
に際しては、さらに高い読出し可能回数を維持するもの
、すなわち耐光劣化性を有する光ディスクが要求されて
いる。
に際しては、さらに高い読出し可能回数を維持するもの
、すなわち耐光劣化性を有する光ディスクが要求されて
いる。
ｌ用豊且１
本発明の目的は、上記した問題を解決し金属光沢を維持
しつつ耐光劣化性に優れた情報記録担体を提供すること
である。
しつつ耐光劣化性に優れた情報記録担体を提供すること
である。
本発明の光学式情報記録担体は、透明な円形基板と、前
記基板上に形成された信号記録層からなる光学式情報記
録担体であって、前記信号記録層は、一般式が、 で示され式中、ｎがＯｌｌ、２又は３であり、×１及び
×２がＳ１０．５ｅ１ＣＨ＝ＣＨ，Ｎ−Ｃ２１（５であ
り、ＲＩ 、Ｒ２及びＲ３がアルキル基であり、Ｗ＋及
びＷ２がＣＩ、アルキル基、アルコキシ基であり、ｍが
０，１又は２であり、Ｚがハロゲン原子であり、かつ半
導体発振波長領域に吸収特性を右するシアニン色素と、
化学式が、で示されるビス（４−ジエチルアミノジチオ
ベンジル）ニッケルとの混合物からなることを特徴とす
る。
記基板上に形成された信号記録層からなる光学式情報記
録担体であって、前記信号記録層は、一般式が、 で示され式中、ｎがＯｌｌ、２又は３であり、×１及び
×２がＳ１０．５ｅ１ＣＨ＝ＣＨ，Ｎ−Ｃ２１（５であ
り、ＲＩ 、Ｒ２及びＲ３がアルキル基であり、Ｗ＋及
びＷ２がＣＩ、アルキル基、アルコキシ基であり、ｍが
０，１又は２であり、Ｚがハロゲン原子であり、かつ半
導体発振波長領域に吸収特性を右するシアニン色素と、
化学式が、で示されるビス（４−ジエチルアミノジチオ
ベンジル）ニッケルとの混合物からなることを特徴とす
る。
尖−盪一１
本発明者は、上記した耐光劣化性を有する物質について
研究を行なった結果、半導体レーザ発振波長領域に吸収
特性を有するシアニン色素とその色素を溶解する溶媒と
に相容性があり、且かかる波長領域の光を吸収してシア
ニン色素の光劣化を妨げる効果を有するものを見出し、
本発明に至った。
研究を行なった結果、半導体レーザ発振波長領域に吸収
特性を有するシアニン色素とその色素を溶解する溶媒と
に相容性があり、且かかる波長領域の光を吸収してシア
ニン色素の光劣化を妨げる効果を有するものを見出し、
本発明に至った。
シアニン色素は、下記（Ｉ）式で示される。
ｎ ： ０．１．２．３、
ＸＩ Ｘ２ ：Ｓ、Ｏ，Ｓｅ、ＣＨ＝ＣＨ。
Ｎ０２Ｈ５等、
ＲＩ Ｒ２Ｒ３：アルキル基等、
ＷＩＷ２：Ｃ１、アルキル基、アルコキシ基等、ｍ：０
．１．２、 Ｚ：ハロゲン原子 特に、本実施例の場合は、半導体レーザ発蛋波長領域に
吸収特性を有するシアニン色素を使用する。
．１．２、 Ｚ：ハロゲン原子 特に、本実施例の場合は、半導体レーザ発蛋波長領域に
吸収特性を有するシアニン色素を使用する。
本実施例における波長領域の光を吸収してシアニン色素
の光劣化を妨げる効果有する物質は、下記（ｎ）式で示
されるビス（４−ジエチルアミノジチオベンジル）ニッ
ケルである。
の光劣化を妨げる効果有する物質は、下記（ｎ）式で示
されるビス（４−ジエチルアミノジチオベンジル）ニッ
ケルである。
ビス（４−ジエチルアミノジチオベンジル）ニッケルは
、８００〜９５０ｎｍの領域に吸収波長を有する物質で
あり、記録に要するレーザ光を吸収する作用の強い色素
である。従って、かかる物質をシアニン色素に混合する
ことは、シアニン色素の代わりにレーザ光を吸収してシ
アニン色素の光劣化を阻害するのに適している。このこ
とは、構造上、ビス（４−ジエチルアミノジチオベンジ
ル）ニッケルは、ベンゼンチオールニッケル錯体より６
光吸収、励起状態の脱活等の光学反応性が大であると考
えられるからである。
、８００〜９５０ｎｍの領域に吸収波長を有する物質で
あり、記録に要するレーザ光を吸収する作用の強い色素
である。従って、かかる物質をシアニン色素に混合する
ことは、シアニン色素の代わりにレーザ光を吸収してシ
アニン色素の光劣化を阻害するのに適している。このこ
とは、構造上、ビス（４−ジエチルアミノジチオベンジ
ル）ニッケルは、ベンゼンチオールニッケル錯体より６
光吸収、励起状態の脱活等の光学反応性が大であると考
えられるからである。
以下、本発明の一実施例を図面によって説明する。
シアニン色素及びビス（４−ジエヂルアミノジチオベン
ジル）ニッケルの溶液としてスピンコード法を用いてＰ
ＭＭＡ円形基板に信号記録層を形成する通常の製造方法
で種々の光ディスクを作成してその特性を調べた。シア
ニン色素はインドシアニングリーン（ＨＥＲＣＫ Ｎｏ
、４８３９ ９ｔｈ Ｅｄ、）を用いると良好な結果を
得られることが確認された。
ジル）ニッケルの溶液としてスピンコード法を用いてＰ
ＭＭＡ円形基板に信号記録層を形成する通常の製造方法
で種々の光ディスクを作成してその特性を調べた。シア
ニン色素はインドシアニングリーン（ＨＥＲＣＫ Ｎｏ
、４８３９ ９ｔｈ Ｅｄ、）を用いると良好な結果を
得られることが確認された。
実験を繰返した結果、通常の単一成分で使用する場合の
シアニン色素溶液に対して濃度０．４ｍｇ／ＣＣないし
１．３ｍＱ／ｃｃの範囲でビス（４−ジエチルアミノジ
チオベンジル）ニッケルを混合しである程度の効果がえ
られたが、１．０ｍＱ／ＣＣが最も好ましい濃度である
ことが確認された。０．４ｍａ／ｃｃ未満の混合では耐
光劣化性を示ざなっかた。１．３ｍＱ／ＣＣより大なる
の混合ではシアニン色素溶液に対する溶解度を越えビス
（４−ジエチルアミノジチオベンジル）ニッケルは不溶
となった。
シアニン色素溶液に対して濃度０．４ｍｇ／ＣＣないし
１．３ｍＱ／ｃｃの範囲でビス（４−ジエチルアミノジ
チオベンジル）ニッケルを混合しである程度の効果がえ
られたが、１．０ｍＱ／ＣＣが最も好ましい濃度である
ことが確認された。０．４ｍａ／ｃｃ未満の混合では耐
光劣化性を示ざなっかた。１．３ｍＱ／ＣＣより大なる
の混合ではシアニン色素溶液に対する溶解度を越えビス
（４−ジエチルアミノジチオベンジル）ニッケルは不溶
となった。
シアニン色素溶液に対してビス（４−ジエチルアミノジ
チオベンジル）ニッケルの濃度１．ＯｍＱ／ＣＣのもの
を信号記録層とした光ディスクに所定の信号を記録し、
その後、読出し用レーザ光による既記録光ディスクの繰
返し耐久性すなわち繰返し読出し可能回数を示すグラフ
を第１図に示す。グラフ縦軸には繰返し読出し可能回数
を、グラフ横軸にはレーザ光の再生パワーをとっている
。
チオベンジル）ニッケルの濃度１．ＯｍＱ／ＣＣのもの
を信号記録層とした光ディスクに所定の信号を記録し、
その後、読出し用レーザ光による既記録光ディスクの繰
返し耐久性すなわち繰返し読出し可能回数を示すグラフ
を第１図に示す。グラフ縦軸には繰返し読出し可能回数
を、グラフ横軸にはレーザ光の再生パワーをとっている
。
ディスクの再生線速度は２．３６ｍ／秒であった。
実線Δはブリアドレス部ａにおける信号記録層の耐久性
を示し、実線Ｂはプリグループ部すにおける記録層の耐
久性を示している。グラフから明らかなように、予め設
けられている案内用のビット列が形成されているブリア
ドレス部ａでは約１７００万回程度の読出し可能回数か
ら光劣化が始まっており、その信号記録層において？ド
レス信号を識別するだけの反射を確保されていることが
分る。
を示し、実線Ｂはプリグループ部すにおける記録層の耐
久性を示している。グラフから明らかなように、予め設
けられている案内用のビット列が形成されているブリア
ドレス部ａでは約１７００万回程度の読出し可能回数か
ら光劣化が始まっており、その信号記録層において？ド
レス信号を識別するだけの反射を確保されていることが
分る。
また、本実施例においてＰＭＭＡのサブストレートを使
用しているが、ガラス、アクリル樹脂、ビニル樹脂、ポ
リエーテル樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂
、ポリブチラール樹脂、セルロースアセテートブヂレー
ト樹脂、ニトロセルロース樹脂などから選ばれる材料に
よって成形されるサブストレーｈを使用しても良い。
用しているが、ガラス、アクリル樹脂、ビニル樹脂、ポ
リエーテル樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂
、ポリブチラール樹脂、セルロースアセテートブヂレー
ト樹脂、ニトロセルロース樹脂などから選ばれる材料に
よって成形されるサブストレーｈを使用しても良い。
旌−一里
上記したように本発明によれば、信号記録層として半導
体発振波長領域に吸収特性を有するシアニン色素とビス
（４−ジエチルアミノジチオベンジル）ニッケルとの混
合物の薄膜を使用している故に、耐光劣・化性に優れか
つ長期に亘って安定した有機系色素追記型光ディスクが
得られる。
体発振波長領域に吸収特性を有するシアニン色素とビス
（４−ジエチルアミノジチオベンジル）ニッケルとの混
合物の薄膜を使用している故に、耐光劣・化性に優れか
つ長期に亘って安定した有機系色素追記型光ディスクが
得られる。
第１図は本発明の光ディスクの読出し用レーザ光による
既記録光ディスクの繰返し耐久性を示すグラフであり、
第２図は従来の片面光ディスクの部分断面拡大図であり
、第３図は従来の両面光ディスクの部分断面拡大図であ
り、第４図は光ディスクのプリアドレス、プリグループ
を説明する説明図であり、第５図は従来の光ディスクの
読出し用レーザ光による既記録光ディスクの繰返し耐久
性を示すグラフである。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・ガイドラック付 ＰＭＭＡサブストレート ２・・・シアニン色素記録層 ３・・・・・・間隙 ４・・・・・・保護板 ６・・・・・・スペーサ
既記録光ディスクの繰返し耐久性を示すグラフであり、
第２図は従来の片面光ディスクの部分断面拡大図であり
、第３図は従来の両面光ディスクの部分断面拡大図であ
り、第４図は光ディスクのプリアドレス、プリグループ
を説明する説明図であり、第５図は従来の光ディスクの
読出し用レーザ光による既記録光ディスクの繰返し耐久
性を示すグラフである。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・ガイドラック付 ＰＭＭＡサブストレート ２・・・シアニン色素記録層 ３・・・・・・間隙 ４・・・・・・保護板 ６・・・・・・スペーサ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透明な円形基板と、前記基板上に形成された信号記録層
からなる光学式情報記録担体であつて、前記信号記録層
は、一般式が、 ▲数式、化学式、表等があります▼ で示され式中、ｎが０、１、２又は３であり、Ｘ＿１及
びＸ＿２がＳ、Ｏ、Ｓｅ、ＣＨ＝ＣＨ、Ｎ−Ｃ＿２Ｈ＿
５であり、Ｒ＿１、Ｒ＿２及びＲ＿３がアルキル基であ
り、Ｗ＿１及びＷ＿２がＣｌ、アルキル基、アルコキシ
基であり、ｍが０、１又は２であり、Ｚがハロゲン原子
であり、かつ半導体発振波長領域に吸収特性を有するシ
アニン色素と、構造式が、▲数式、化学式、表等があり
ます▼ で示されるビス（４−ジエチルアミノジチオべンジル）
ニッケルとの混合物からなることを特徴とする光学式情
報記録担体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61144249A JPH0725204B2 (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 光学式情報記録担体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61144249A JPH0725204B2 (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 光学式情報記録担体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS631594A true JPS631594A (ja) | 1988-01-06 |
| JPH0725204B2 JPH0725204B2 (ja) | 1995-03-22 |
Family
ID=15357706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61144249A Expired - Lifetime JPH0725204B2 (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 光学式情報記録担体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0725204B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5482822A (en) * | 1992-05-12 | 1996-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Infrared-absorptive compound and optical recording medium making use of the same |
| WO1998045838A1 (fr) * | 1997-04-08 | 1998-10-15 | Sony Corporation | Support d'enregistrement optique |
| US6063467A (en) * | 1997-02-24 | 2000-05-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Optical recording medium |
| US6103331A (en) * | 1997-09-26 | 2000-08-15 | Fuji Electric Co., Ltd. | Optical recording medium comprising organic dye thin film |
| US6165580A (en) * | 1997-11-11 | 2000-12-26 | Fuji Electric Co., Ltd. | Optical recording medium |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5983695A (ja) * | 1982-11-02 | 1984-05-15 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
-
1986
- 1986-06-20 JP JP61144249A patent/JPH0725204B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5983695A (ja) * | 1982-11-02 | 1984-05-15 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5482822A (en) * | 1992-05-12 | 1996-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Infrared-absorptive compound and optical recording medium making use of the same |
| US6063467A (en) * | 1997-02-24 | 2000-05-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Optical recording medium |
| WO1998045838A1 (fr) * | 1997-04-08 | 1998-10-15 | Sony Corporation | Support d'enregistrement optique |
| US6103331A (en) * | 1997-09-26 | 2000-08-15 | Fuji Electric Co., Ltd. | Optical recording medium comprising organic dye thin film |
| US6165580A (en) * | 1997-11-11 | 2000-12-26 | Fuji Electric Co., Ltd. | Optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0725204B2 (ja) | 1995-03-22 |
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