JPH09193544A - 光学的記録媒体及び情報記録方法 - Google Patents
光学的記録媒体及び情報記録方法Info
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- JPH09193544A JPH09193544A JP8006083A JP608396A JPH09193544A JP H09193544 A JPH09193544 A JP H09193544A JP 8006083 A JP8006083 A JP 8006083A JP 608396 A JP608396 A JP 608396A JP H09193544 A JPH09193544 A JP H09193544A
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 比較的短波長のレーザー光を用いた光学的情
報記録に適した記録媒体を得る。 【解決手段】 基板上に下記一般式〔Ｉ〕で表わされる
インジゴ系化合物を含有する有機色素層を設けた光学的
記録媒体。 【化１】
報記録に適した記録媒体を得る。 【解決手段】 基板上に下記一般式〔Ｉ〕で表わされる
インジゴ系化合物を含有する有機色素層を設けた光学的
記録媒体。 【化１】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザー光により記
録可能な光学的記録媒体及びそれを用いた情報記録方法
に関する。
録可能な光学的記録媒体及びそれを用いた情報記録方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度記録のためレーザー光の発
振波長の短波長化が注目され、７８０ｎｍ、８３０ｎｍ
よりも短波長のレーザー光で記録再生可能な光記録媒体
が求められている。かかる状況において提案されている
光記録媒体としては、光磁気記録媒体、相変化記録媒
体、カルコゲン酸化物系光記録媒体、有機色素系光記録
媒体等がある。これらの中で、安価で、プロセス上容易
であるという点で、有機色素系光記録媒体は優位性を有
するものと考えられる。
振波長の短波長化が注目され、７８０ｎｍ、８３０ｎｍ
よりも短波長のレーザー光で記録再生可能な光記録媒体
が求められている。かかる状況において提案されている
光記録媒体としては、光磁気記録媒体、相変化記録媒
体、カルコゲン酸化物系光記録媒体、有機色素系光記録
媒体等がある。これらの中で、安価で、プロセス上容易
であるという点で、有機色素系光記録媒体は優位性を有
するものと考えられる。
【０００３】ところで、有機色素系光記録媒体には、記
録可能なコンパクトディスクとして、反射率の高い金属
層を薄い有機色素層の上に積層したタイプのものが広く
知られているが、この層構成では、記録感度が悪く、高
い線速度での記録には不利である。また、記録時に色素
以外に基板も変形するため、ビット長再生方式において
はビットの長さのばらつきが多くなり、ジッターが大き
くなるという問題がある。
録可能なコンパクトディスクとして、反射率の高い金属
層を薄い有機色素層の上に積層したタイプのものが広く
知られているが、この層構成では、記録感度が悪く、高
い線速度での記録には不利である。また、記録時に色素
以外に基板も変形するため、ビット長再生方式において
はビットの長さのばらつきが多くなり、ジッターが大き
くなるという問題がある。
【０００４】それに対し、有機色素単層での記録方式に
関しては、記録再生光の膜面入射方式を含め、非常に多
くの研究がなされ、一部は、７８０ｎｍ用光記録媒体と
して実用化されている。しかしながら、短波長用途につ
いては、特開平４−７４６９０号公報、特開平４−２３
８０３６号公報、特開平５−３８８７８号公報等の各種
の提案がなされているものの、耐光性、耐環境性等は全
く不十分であり、また短波長用途に固有の問題について
は何ら解決されていないのが現状である。
関しては、記録再生光の膜面入射方式を含め、非常に多
くの研究がなされ、一部は、７８０ｎｍ用光記録媒体と
して実用化されている。しかしながら、短波長用途につ
いては、特開平４−７４６９０号公報、特開平４−２３
８０３６号公報、特開平５−３８８７８号公報等の各種
の提案がなされているものの、耐光性、耐環境性等は全
く不十分であり、また短波長用途に固有の問題について
は何ら解決されていないのが現状である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来より有機色素系光
記録媒体に対して、記録により生じるリムの形成が短波
長用途、すなわち短ビット記録による高密度記録には不
利であるという問題があった。また、１０ｍ／ｓ以上の
高線速記録において、十分な記録密度と記録特性を得る
ことが困難であった。
記録媒体に対して、記録により生じるリムの形成が短波
長用途、すなわち短ビット記録による高密度記録には不
利であるという問題があった。また、１０ｍ／ｓ以上の
高線速記録において、十分な記録密度と記録特性を得る
ことが困難であった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、高密度記録
を実現するためにリムを持たない良好な微小記録部を形
成し、かつまた、高線速記録でも十分な特性を有する波
長６２０〜６９０ｎｍの短波長記録に好適な媒体と条件
を鋭意検討した結果、本発明に到達した。本発明の要旨
は、波長６２０〜６９０ｎｍのレーザー光で記録再生す
るのに適した、基板上に有機色素層を有する光記録媒体
であって、該有機色素層が、下記一般式〔Ｉ〕
を実現するためにリムを持たない良好な微小記録部を形
成し、かつまた、高線速記録でも十分な特性を有する波
長６２０〜６９０ｎｍの短波長記録に好適な媒体と条件
を鋭意検討した結果、本発明に到達した。本発明の要旨
は、波長６２０〜６９０ｎｍのレーザー光で記録再生す
るのに適した、基板上に有機色素層を有する光記録媒体
であって、該有機色素層が、下記一般式〔Ｉ〕
【０００７】
【化３】
【０００８】（式中、環Ａおよび環Ｂは置換基を有して
いてもよい。Ｘ、Ｙは硫黄原子、セレン原子またはＮＲ
（Ｒは水素原子又はアルキル基を示す）を示す。ｎは
０、１、２の整数を示す。）で表わされるインジゴ系化
合物を含有することを特徴とする短波長記録用光学的記
録媒体に存する。
いてもよい。Ｘ、Ｙは硫黄原子、セレン原子またはＮＲ
（Ｒは水素原子又はアルキル基を示す）を示す。ｎは
０、１、２の整数を示す。）で表わされるインジゴ系化
合物を含有することを特徴とする短波長記録用光学的記
録媒体に存する。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の光記録媒体は、基板上に有機色素層を設けた構
成からなるが、目的に応じて、有機色素層の上に薄いセ
ラミック層を成膜したり、紫外線硬化性樹脂を積層して
もよい。また、基板上に有機色素層を設けた２枚の媒体
をその有機色素層を対向させスペーサーを介して貼り合
わせる、いわゆるエアーサンドイッチ方式の貼合わせを
してもよい。
本発明の光記録媒体は、基板上に有機色素層を設けた構
成からなるが、目的に応じて、有機色素層の上に薄いセ
ラミック層を成膜したり、紫外線硬化性樹脂を積層して
もよい。また、基板上に有機色素層を設けた２枚の媒体
をその有機色素層を対向させスペーサーを介して貼り合
わせる、いわゆるエアーサンドイッチ方式の貼合わせを
してもよい。
【００１０】基板としては、ポリカーボネート基板、非
晶質ポリオレフィン基板、ガラス基板等、公知の透明で
複屈折の小さいものが好ましく用いられる。有機色素層
は、通常、有機色素を溶媒に溶解したものを基板上に塗
布乾燥するか、有機色素を基板上に真空蒸着することに
より形成する。塗布法の場合の溶媒としては、例えば、
ポリカーボネート基板の場合は、エタノール、３−ヒド
ロキシ−３−メチル−２−ブタノン、ジアセトンアルコ
ール、フッ素系アルコール等のポリカーボネート基板を
侵さないものが好ましく使用され、ポリオレフィン基板
の場合には、クロロホルム、メチルエチルケトン等の極
性溶媒が好ましく使用される。
晶質ポリオレフィン基板、ガラス基板等、公知の透明で
複屈折の小さいものが好ましく用いられる。有機色素層
は、通常、有機色素を溶媒に溶解したものを基板上に塗
布乾燥するか、有機色素を基板上に真空蒸着することに
より形成する。塗布法の場合の溶媒としては、例えば、
ポリカーボネート基板の場合は、エタノール、３−ヒド
ロキシ−３−メチル−２−ブタノン、ジアセトンアルコ
ール、フッ素系アルコール等のポリカーボネート基板を
侵さないものが好ましく使用され、ポリオレフィン基板
の場合には、クロロホルム、メチルエチルケトン等の極
性溶媒が好ましく使用される。
【００１１】有機色素層は、その分光吸収極大が５１０
ｎｍ〜７３０ｎｍの範囲にあることが必要である。５１
０ｎｍよりも短波長領域に吸収極大があると、本発明の
層構成においては十分な感度が得られない。あるいは、
良好な再生信号が得られない。また、７３０ｎｍより長
波長側に吸収極大を有する有機色素層においても同様で
ある。
ｎｍ〜７３０ｎｍの範囲にあることが必要である。５１
０ｎｍよりも短波長領域に吸収極大があると、本発明の
層構成においては十分な感度が得られない。あるいは、
良好な再生信号が得られない。また、７３０ｎｍより長
波長側に吸収極大を有する有機色素層においても同様で
ある。
【００１２】また、有機色素層の膜厚は２０〜１００ｎ
ｍの範囲にあることが好ましい。有機色素層の膜厚が２
０ｎｍ未満になると塗膜が溝にのみ形成され、溝間記録
が困難となる。一方、１００ｎｍを超えると、リムが厚
くなったり、記録部のレーザー光走査方向の非対称性が
強調されるため、ビット長記録においてジッターが悪く
なり易くなる。本発明では、有機色素層に、前記一般式
〔Ｉ〕で表わされるインジゴ系化合物を含有する有機色
素を用いる。
ｍの範囲にあることが好ましい。有機色素層の膜厚が２
０ｎｍ未満になると塗膜が溝にのみ形成され、溝間記録
が困難となる。一方、１００ｎｍを超えると、リムが厚
くなったり、記録部のレーザー光走査方向の非対称性が
強調されるため、ビット長記録においてジッターが悪く
なり易くなる。本発明では、有機色素層に、前記一般式
〔Ｉ〕で表わされるインジゴ系化合物を含有する有機色
素を用いる。
【００１３】前記一般式〔Ｉ〕において、環Ａおよび環
Ｂは置換基を有していてもよく、かかる置換基としては
アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラル
キル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ
基、エステル基、カルバモイル基、アシル基、アシルア
ミノ基、スルファモイル基、スルホンアミド基、アミノ
基、ヒドロキシル基、フェニルアゾ基、ピリジノアゾ
基、ビニル基等が挙げられ、これらの置換基は更に置換
基を有してしてもよい。これらの置換基の中で好ましい
ものとしては、置換基を有していてもよい炭素数１〜２
５のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜
２５のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ
基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２５のアルキ
ルスルファモイル基、置換基を有していてもよい炭素数
６〜３０のフェニルスルファモイル基、置換基を有して
いてもよいフェニルアゾ基、置換基を有していてもよい
ピリジノアゾ基、炭素数２〜２６のエステル基、炭素数
２〜２６のカルバモイル基、炭素数２〜２６のアシル
基、炭素数２〜２６のアシルアミノ基、炭素数１〜２５
のスルホンアミド基、−ＮＲ5 Ｒ6 （Ｒ5 及びＲ6 はそ
れぞれ独立して水素原子、置換基を有していてもよい炭
素数１〜２５のアルキル基または置換基を有していても
よいフェニル基を示し、Ｒ5 及びＲ6 は一緒になって５
もしくは６員環を形成してもよい）、ヒドロキシル基、
Ｂは置換基を有していてもよく、かかる置換基としては
アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラル
キル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ
基、エステル基、カルバモイル基、アシル基、アシルア
ミノ基、スルファモイル基、スルホンアミド基、アミノ
基、ヒドロキシル基、フェニルアゾ基、ピリジノアゾ
基、ビニル基等が挙げられ、これらの置換基は更に置換
基を有してしてもよい。これらの置換基の中で好ましい
ものとしては、置換基を有していてもよい炭素数１〜２
５のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜
２５のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ
基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２５のアルキ
ルスルファモイル基、置換基を有していてもよい炭素数
６〜３０のフェニルスルファモイル基、置換基を有して
いてもよいフェニルアゾ基、置換基を有していてもよい
ピリジノアゾ基、炭素数２〜２６のエステル基、炭素数
２〜２６のカルバモイル基、炭素数２〜２６のアシル
基、炭素数２〜２６のアシルアミノ基、炭素数１〜２５
のスルホンアミド基、−ＮＲ5 Ｒ6 （Ｒ5 及びＲ6 はそ
れぞれ独立して水素原子、置換基を有していてもよい炭
素数１〜２５のアルキル基または置換基を有していても
よいフェニル基を示し、Ｒ5 及びＲ6 は一緒になって５
もしくは６員環を形成してもよい）、ヒドロキシル基、
【００１４】
【化４】
【００１５】（Ｒ7 は水素原子又は炭素数１〜６のアル
キル基を示し、Ｒ8 はシアノ基又は炭素数２〜７のアル
コキシカルボニル基を示す。）等が挙げられる。また、
Ｘ、Ｙ中のＮＲのＲは水素原子又はメチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基であ
り、特に水素原子が好ましい。これらのうち、本発明に
おける好ましいインジゴ系化合物としては、下記一般式
〔II〕
キル基を示し、Ｒ8 はシアノ基又は炭素数２〜７のアル
コキシカルボニル基を示す。）等が挙げられる。また、
Ｘ、Ｙ中のＮＲのＲは水素原子又はメチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基であ
り、特に水素原子が好ましい。これらのうち、本発明に
おける好ましいインジゴ系化合物としては、下記一般式
〔II〕
【００１６】
【化５】
【００１７】（式中、Ｘ、Ｙは硫黄原子、セレン原子ま
たはＮＨを示し、ｎは０、１、２の整数を示す。Ｒ1 、
Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 は、ハロゲン原子、シアノ基又は
置換されていてもよいアルキル基、アルコキシ基、アリ
ールオキシ基、アリール基、アルコキシカルボニル基、
アルキルカルボニルオキシ基若しくはアルコキシカルボ
ニルオキシ基を示す。） で表わされる化合物が挙げられる。
たはＮＨを示し、ｎは０、１、２の整数を示す。Ｒ1 、
Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 は、ハロゲン原子、シアノ基又は
置換されていてもよいアルキル基、アルコキシ基、アリ
ールオキシ基、アリール基、アルコキシカルボニル基、
アルキルカルボニルオキシ基若しくはアルコキシカルボ
ニルオキシ基を示す。） で表わされる化合物が挙げられる。
【００１８】Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 としては、メ
チル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、
ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル
基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、
ｎ−オクタデシル基等の炭素数１〜２０のアルキル基、
好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、より好ましく
は炭素数１〜６のアルキル基；メトキシ基、エトキシ
基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキ
シ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ
−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプ
チルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−デシルオキ
シ基等の炭素数１〜１０のアルコキシ基；メトキシメト
キシ基、エトキシメトキシ基、プロポキシメトキシ基、
メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシ
エトキシ基、メトキシプロポキシ基、エトキシプロポキ
シ基、メトキシブトキシ基、エトキシブトキシ基等の炭
素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基；メトキシメト
キシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、メトキ
シエトキシメトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、
エトキシメトキシメトキシ基、エトキシメトキシエトキ
シ基、エトキシエトキシメトキシ基、エトキシエトキシ
エトキシ基等の炭素数３〜１５のアルコキシアルコキシ
アルコキシ基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナ
フチル基等の炭素数６〜１２のアリール基；フェノキシ
基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキ
シ基等の炭素数６〜１２のアリールオキシ基；シアノ
基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原
子；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ
−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル
基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカ
ルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペン
チルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニ
ル基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；メチ
ルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ
−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニ
ルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ
−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニ
ルオキシ基、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、ｎ−ヘ
キシルカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルキル
カルボニルオキシ基；メトキシカルボニルオキシ基、エ
トキシカルボニルオキシ基、ｎ−プロポキシカルボニル
オキシ基、イソプロポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブ
トキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボ
ニルオキシ基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニルオキシ基、
ｎ−ペンチルオキシカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシル
オキシカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルコキ
シカルボニルオキシ基等で置換されていてもよい。本発
明で用いられるインジゴ系化合物の具体例は、例えば下
記の化合物が挙げられる。
チル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、
ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル
基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、
ｎ−オクタデシル基等の炭素数１〜２０のアルキル基、
好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、より好ましく
は炭素数１〜６のアルキル基；メトキシ基、エトキシ
基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキ
シ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ
−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプ
チルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−デシルオキ
シ基等の炭素数１〜１０のアルコキシ基；メトキシメト
キシ基、エトキシメトキシ基、プロポキシメトキシ基、
メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシ
エトキシ基、メトキシプロポキシ基、エトキシプロポキ
シ基、メトキシブトキシ基、エトキシブトキシ基等の炭
素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基；メトキシメト
キシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、メトキ
シエトキシメトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、
エトキシメトキシメトキシ基、エトキシメトキシエトキ
シ基、エトキシエトキシメトキシ基、エトキシエトキシ
エトキシ基等の炭素数３〜１５のアルコキシアルコキシ
アルコキシ基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナ
フチル基等の炭素数６〜１２のアリール基；フェノキシ
基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキ
シ基等の炭素数６〜１２のアリールオキシ基；シアノ
基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原
子；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ
−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル
基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカ
ルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペン
チルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニ
ル基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；メチ
ルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ
−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニ
ルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ
−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニ
ルオキシ基、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、ｎ−ヘ
キシルカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルキル
カルボニルオキシ基；メトキシカルボニルオキシ基、エ
トキシカルボニルオキシ基、ｎ−プロポキシカルボニル
オキシ基、イソプロポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブ
トキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボ
ニルオキシ基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニルオキシ基、
ｎ−ペンチルオキシカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシル
オキシカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルコキ
シカルボニルオキシ基等で置換されていてもよい。本発
明で用いられるインジゴ系化合物の具体例は、例えば下
記の化合物が挙げられる。
【００１９】
【化６】
【００２０】
【化７】
【００２１】
【化８】
【００２２】
【化９】
【００２３】
【化１０】
【００２４】
【化１１】
【００２５】
【化１２】
【００２６】
【化１３】
【００２７】これらの色素は単独で用いてもよく、ま
た、２種以上混合して用いてもよい。本発明の光記録媒
体を用いて記録、再生を行うには、基板側から波長６２
０〜６９０ｎｍのレーザー光を入射して行う。入射され
たレーザー光を有機色素層が吸収し発熱し、主減量開始
温度を超える温度に達した時に低分子量のフラグメント
に分解し始め、その結果凹部が形成される。この凹部に
は色素が若干残っているか殆どないため、再生光を照射
した時に反射率が低下し、記録部として検知される。
た、２種以上混合して用いてもよい。本発明の光記録媒
体を用いて記録、再生を行うには、基板側から波長６２
０〜６９０ｎｍのレーザー光を入射して行う。入射され
たレーザー光を有機色素層が吸収し発熱し、主減量開始
温度を超える温度に達した時に低分子量のフラグメント
に分解し始め、その結果凹部が形成される。この凹部に
は色素が若干残っているか殆どないため、再生光を照射
した時に反射率が低下し、記録部として検知される。
【００２８】記録部の形状は使用する色素により大きく
異なり、膜厚を薄くするとリムは薄くなるが、記録部の
非対称性は改善されるとは限らない。その中で、特に前
記一般式〔Ｉ〕または〔II〕で示されるインジゴ系色素
により構成された有機色素層を有する光記録媒体では、
リムがほとんど形成されず、高線速記録においても良好
なジッター特性を示すため好ましい。
異なり、膜厚を薄くするとリムは薄くなるが、記録部の
非対称性は改善されるとは限らない。その中で、特に前
記一般式〔Ｉ〕または〔II〕で示されるインジゴ系色素
により構成された有機色素層を有する光記録媒体では、
リムがほとんど形成されず、高線速記録においても良好
なジッター特性を示すため好ましい。
【００２９】
【実施例】以下、実施例により本発明をより具体的に説
明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。 実施例１ 透明基板として、記録可能コンパクトディスク用に周期
的に蛇行したトラッキング溝を設けた直径１２０ｍｍ、
厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板を用いた。光吸
収層は、前記構造式（Ａ−５）で示されるインジゴ系化
合物を２．６重量％の濃度でテトラフルオロプロパノー
ルに溶解して、濾過した後、前記基板上にスピンコート
法により成膜した。なお、このインジゴ系化合物のクロ
ロホルム中の可視吸収スペクトルを図１に示す。色素塗
布の後、色素層中の溶媒を完全に蒸発させるために１０
０℃のオーブン中で３０分間乾燥を行った。
明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。 実施例１ 透明基板として、記録可能コンパクトディスク用に周期
的に蛇行したトラッキング溝を設けた直径１２０ｍｍ、
厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板を用いた。光吸
収層は、前記構造式（Ａ−５）で示されるインジゴ系化
合物を２．６重量％の濃度でテトラフルオロプロパノー
ルに溶解して、濾過した後、前記基板上にスピンコート
法により成膜した。なお、このインジゴ系化合物のクロ
ロホルム中の可視吸収スペクトルを図１に示す。色素塗
布の後、色素層中の溶媒を完全に蒸発させるために１０
０℃のオーブン中で３０分間乾燥を行った。
【００３０】次いで、光吸収層の上に光反射層として、
平均厚さ１００ｎｍの金をＤＣマグネトロンスパッタ法
により形成した。さらに、光反射層の上に紫外線硬化剤
ＳＤ−３１８ (大日本インキ化学（株）製）をスピンコ
ート法により３μｍの厚さで塗布し、紫外線照射装置で
紫外線を照射して硬化させて、保護層を形成した。得ら
れた記録可能コンパクトディスクについて、６３５ｎｍ
の半導体レーザーでＥＦＭ信号の記録及び初期特性評価
を行ったところビット長ジッターは良好であり、良好な
リム形状の記録部が得られた。温度８０℃、湿度９０％
の条件で５００時間の高温高湿試験の後に、ブロックエ
ラーレートの変化を測定したところ、わずかなエラーの
増加が見られるだけであった。
平均厚さ１００ｎｍの金をＤＣマグネトロンスパッタ法
により形成した。さらに、光反射層の上に紫外線硬化剤
ＳＤ−３１８ (大日本インキ化学（株）製）をスピンコ
ート法により３μｍの厚さで塗布し、紫外線照射装置で
紫外線を照射して硬化させて、保護層を形成した。得ら
れた記録可能コンパクトディスクについて、６３５ｎｍ
の半導体レーザーでＥＦＭ信号の記録及び初期特性評価
を行ったところビット長ジッターは良好であり、良好な
リム形状の記録部が得られた。温度８０℃、湿度９０％
の条件で５００時間の高温高湿試験の後に、ブロックエ
ラーレートの変化を測定したところ、わずかなエラーの
増加が見られるだけであった。
【００３１】なお、本評価で使用したドライブは、基本
的に現行のコンパクトディスク規格に基づいた評価可能
なドライブの光ヘッドのみを、６３５ｎｍレーザーに変
更したものである。ＥＦＭ信号変調方式等は現行コンパ
クトディスクと同様であり、ブロックエラーレートもこ
の変調方式にのっとって評価した。さらに、本コンパク
トディスクでは、クロック周波数及びトラックピッチを
あげることにより、現行のコンパクトディスクの約半分
のピッチ（０．８μｍ）、半分のマーク長でも良好な特
性が得られた。
的に現行のコンパクトディスク規格に基づいた評価可能
なドライブの光ヘッドのみを、６３５ｎｍレーザーに変
更したものである。ＥＦＭ信号変調方式等は現行コンパ
クトディスクと同様であり、ブロックエラーレートもこ
の変調方式にのっとって評価した。さらに、本コンパク
トディスクでは、クロック周波数及びトラックピッチを
あげることにより、現行のコンパクトディスクの約半分
のピッチ（０．８μｍ）、半分のマーク長でも良好な特
性が得られた。
【００３２】実施例２ 前記構造式（Ａ−１７）（クロロホルム溶液中でのλ
max ５５５ｎｍ）で示されるインジゴ系化合物を２．０
重量％の濃度でオクタフルオロペンタノールに溶解して
塗布液を調製したこと以外は、実施例１と同様にして記
録可能なコンパクトディスクを作製した。得られたディ
スクについて、実施例１と同様に試験したところ、６５
０ｎｍの半導体レーザーで、ＥＦＭ信号の記録及び初期
特性評価（ビット長ジッター）は良好であり、良好なリ
ム形状の記録部が得られた。また、実施例１と同様に試
験を行ったところ、わずかなエラーの増加が見られるだ
けであった。
max ５５５ｎｍ）で示されるインジゴ系化合物を２．０
重量％の濃度でオクタフルオロペンタノールに溶解して
塗布液を調製したこと以外は、実施例１と同様にして記
録可能なコンパクトディスクを作製した。得られたディ
スクについて、実施例１と同様に試験したところ、６５
０ｎｍの半導体レーザーで、ＥＦＭ信号の記録及び初期
特性評価（ビット長ジッター）は良好であり、良好なリ
ム形状の記録部が得られた。また、実施例１と同様に試
験を行ったところ、わずかなエラーの増加が見られるだ
けであった。
【００３３】実施例３ 前記構造式（Ａ−１８）（クロロホルム溶液中でのλ
max ５４９ｎｍ）で示されるインジゴ系化合物を２．６
重量％の濃度でオクタフルオロペンタノールに溶解して
塗布液を調製したこと以外は、実施例１と同様にして記
録可能なコンパクトディスクを作製した。得られたディ
スクについて、実施例１と同様に試験したところ、６３
５ｎｍの半導体レーザーで、ＥＦＭ信号の記録及び初期
特性評価（ビット長ジッター）は良好であり、良好なリ
ム形状の記録部が得られた。また、実施例１と同様に試
験を行ったところ、わずかなエラーの増加が見られるだ
けであった。
max ５４９ｎｍ）で示されるインジゴ系化合物を２．６
重量％の濃度でオクタフルオロペンタノールに溶解して
塗布液を調製したこと以外は、実施例１と同様にして記
録可能なコンパクトディスクを作製した。得られたディ
スクについて、実施例１と同様に試験したところ、６３
５ｎｍの半導体レーザーで、ＥＦＭ信号の記録及び初期
特性評価（ビット長ジッター）は良好であり、良好なリ
ム形状の記録部が得られた。また、実施例１と同様に試
験を行ったところ、わずかなエラーの増加が見られるだ
けであった。
【００３４】実施例４ 前記構造式（Ａ−２１）（クロロホルム溶液中でのλ
max ５２５ｎｍ）で示されるインジゴ系化合物を１．２
重量％の濃度で３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタ
ノンに溶解して塗布液を調製したこと以外は、実施例１
と同様にして記録可能なコンパクトディスクを作製し
た。得られたディスクについて、実施例１と同様に試験
したところ、６３５ｎｍの半導体レーザーで、ＥＦＭ信
号の記録及び初期特性評価（ビット長ジッター）は良好
であり、良好なリム形状の記録部が得られた。また、実
施例１と同様に試験を行ったところ、わずかなエラーの
増加が見られるだけであった。
max ５２５ｎｍ）で示されるインジゴ系化合物を１．２
重量％の濃度で３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタ
ノンに溶解して塗布液を調製したこと以外は、実施例１
と同様にして記録可能なコンパクトディスクを作製し
た。得られたディスクについて、実施例１と同様に試験
したところ、６３５ｎｍの半導体レーザーで、ＥＦＭ信
号の記録及び初期特性評価（ビット長ジッター）は良好
であり、良好なリム形状の記録部が得られた。また、実
施例１と同様に試験を行ったところ、わずかなエラーの
増加が見られるだけであった。
【００３５】実施例５ 前記構造式（Ｂ−１２）（クロロホルム溶液中でのλ
max ５６２ｎｍ）で示されるインジゴ系化合物を２．６
重量％の濃度でテトラフルオロプロパノールに溶解して
塗布液を調製したこと以外は、実施例１と同様にして記
録可能なコンパクトディスクを作製した。得られたディ
スクについて、実施例１と同様に試験したところ、６５
０ｎｍの半導体レーザーで、ＥＦＭ信号の記録及び初期
特性評価（ビット長ジッター）は良好であり、良好なリ
ム形状の記録部が得られた。また、実施例１と同様に試
験を行ったところ、わずかなエラーの増加が見られるだ
けであった。
max ５６２ｎｍ）で示されるインジゴ系化合物を２．６
重量％の濃度でテトラフルオロプロパノールに溶解して
塗布液を調製したこと以外は、実施例１と同様にして記
録可能なコンパクトディスクを作製した。得られたディ
スクについて、実施例１と同様に試験したところ、６５
０ｎｍの半導体レーザーで、ＥＦＭ信号の記録及び初期
特性評価（ビット長ジッター）は良好であり、良好なリ
ム形状の記録部が得られた。また、実施例１と同様に試
験を行ったところ、わずかなエラーの増加が見られるだ
けであった。
【００３６】実施例６ 前記構造式（Ｂ−１５）（クロロホルム溶液中でのλ
max ５４５ｎｍ）で示されるインジゴ系化合物を２．０
重量％の濃度でジアセトンアルコールに溶解して塗布液
を調製したこと以外は、実施例１と同様にして記録可能
なコンパクトディスクを作製した。得られたディスクに
ついて、実施例１と同様に試験したところ、６３５ｎｍ
の半導体レーザーで、ＥＦＭ信号の記録及び初期特性評
価（ビット長ジッター）は良好であり、良好なリム形状
の記録部が得られた。また、実施例１と同様に試験を行
ったところ、わずかなエラーの増加が見られるだけであ
った。
max ５４５ｎｍ）で示されるインジゴ系化合物を２．０
重量％の濃度でジアセトンアルコールに溶解して塗布液
を調製したこと以外は、実施例１と同様にして記録可能
なコンパクトディスクを作製した。得られたディスクに
ついて、実施例１と同様に試験したところ、６３５ｎｍ
の半導体レーザーで、ＥＦＭ信号の記録及び初期特性評
価（ビット長ジッター）は良好であり、良好なリム形状
の記録部が得られた。また、実施例１と同様に試験を行
ったところ、わずかなエラーの増加が見られるだけであ
った。
【００３７】
【発明の効果】本発明の光記録媒体は、リムがほとんど
ない良好微小記録部が形成され、ビット長ジッターが小
さく、高線速度短波長記録用光記録媒体として十分な記
録感度と記録特性を達成することができるため、非常に
有用であり、ＳＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ等の規格に好適に使
用できる。
ない良好微小記録部が形成され、ビット長ジッターが小
さく、高線速度短波長記録用光記録媒体として十分な記
録感度と記録特性を達成することができるため、非常に
有用であり、ＳＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ等の規格に好適に使
用できる。
【図１】本発明の実施例１において使用した色素の溶液
（クロロホルム）中の可視吸収スペクトルを示す図。
（クロロホルム）中の可視吸収スペクトルを示す図。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０９Ｂ 23/00 Ｃ０９Ｂ 23/00 Ｌ Ｍ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６ 8721−5Ｄ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に有機色素層を有する光学的記録
媒体において、該有機色素層が、下記一般式〔Ｉ〕で表
わされるインジゴ系化合物を含有することを特徴とする
波長６２０〜６９０ｎｍのレーザー光で記録再生するた
めの短波長記録用光学的記録媒体。 【化１】 （式中、環Ａおよび環Ｂは置換基を有していてもよい。
Ｘ、Ｙは硫黄原子、セレン原子またはＮＲ（Ｒは水素原
子又はアルキル基を示す）を示し、ｎは０、１又は２を
示す。） - 【請求項２】 請求項１に記載されている光学的記録媒
体において、インジゴ系化合物が下記一般式〔II〕 【化２】 （式中、Ｘ、Ｙは硫黄原子、セレン原子またはＮＨを示
し、ｎは０、１又は２を示す。Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 および
Ｒ4 は、ハロゲン原子、シアノ基又は置換されていても
よいアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ア
リール基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニ
ルオキシ基若しくはアルコキシカルボニルオキシ基を示
す。）で表わされる化合物であることを特徴とする光学
的記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の光学的記録媒体
において、有機色素層上に金属反射層および保護層を設
けたことを特徴とする光学的記録媒体。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項に記載の光
学的記録媒体に波長６２０〜６９０ｎｍのレーザー光を
照射して記録部を形成させることを特徴とする情報記録
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8006083A JPH09193544A (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 光学的記録媒体及び情報記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8006083A JPH09193544A (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 光学的記録媒体及び情報記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09193544A true JPH09193544A (ja) | 1997-07-29 |
Family
ID=11628661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8006083A Pending JPH09193544A (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 光学的記録媒体及び情報記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09193544A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6162520A (en) * | 1997-09-17 | 2000-12-19 | Mitsui Chemicals, Inc. | Optical recording medium and dipyrromethene metal chelate compound for use therein |
-
1996
- 1996-01-17 JP JP8006083A patent/JPH09193544A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6162520A (en) * | 1997-09-17 | 2000-12-19 | Mitsui Chemicals, Inc. | Optical recording medium and dipyrromethene metal chelate compound for use therein |
| US6355327B1 (en) | 1997-09-17 | 2002-03-12 | Mitsui Chemicals, Inc. | Optical recording medium and dipyrromethene metal chelate compound for use therein |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040601 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041012 |