JPH0771869B2 - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
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- JPH0771869B2 JPH0771869B2 JP61154424A JP15442486A JPH0771869B2 JP H0771869 B2 JPH0771869 B2 JP H0771869B2 JP 61154424 A JP61154424 A JP 61154424A JP 15442486 A JP15442486 A JP 15442486A JP H0771869 B2 JPH0771869 B2 JP H0771869B2
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- optical recording
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/249—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing organometallic compounds
- G11B7/2492—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing organometallic compounds neutral compounds
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
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- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B7/2467—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes azo-dyes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザ光を用いて情報を記録・再生すること
のできる新規な高感度かつ高密度な光情報記録媒体に関
する。更に詳しくは高密度エネルギービームであるレー
ザ光を照射された部位が溶融、分解等により変形又は除
去されることにより生じる反射率或いは透過率の変化を
利用して情報を記録・再生するのに適したヒートモード
の光学記録媒体に関する。
のできる新規な高感度かつ高密度な光情報記録媒体に関
する。更に詳しくは高密度エネルギービームであるレー
ザ光を照射された部位が溶融、分解等により変形又は除
去されることにより生じる反射率或いは透過率の変化を
利用して情報を記録・再生するのに適したヒートモード
の光学記録媒体に関する。
レーザ光による光記録は書き込みないし読み出しヘツド
が非接触である為、記録材料が摩耗劣化しないという特
徴をもつことから、種々の光記録材料の研究開発が行わ
れている。特に光デイスク、レーザプリンタ、フアクシ
ミリ等の分野においてはレーザ光を用いた数多くの光記
録材料が知られている。その代表的なものとしては、T
e、Bi、In、Ge等の金属、合金又は酸化物に見られる金
属系物質を光吸収性物質として記録層に用いることが知
られている。しかしながら、金属系物質は熱伝導率や融
点が高いばかりでなく、表面反射率も大きい為、レーザ
光のエネルギーを有効に利用することができないという
欠点がある。又、これらの金属系物質は毒性の点で大き
な問題がある。
が非接触である為、記録材料が摩耗劣化しないという特
徴をもつことから、種々の光記録材料の研究開発が行わ
れている。特に光デイスク、レーザプリンタ、フアクシ
ミリ等の分野においてはレーザ光を用いた数多くの光記
録材料が知られている。その代表的なものとしては、T
e、Bi、In、Ge等の金属、合金又は酸化物に見られる金
属系物質を光吸収性物質として記録層に用いることが知
られている。しかしながら、金属系物質は熱伝導率や融
点が高いばかりでなく、表面反射率も大きい為、レーザ
光のエネルギーを有効に利用することができないという
欠点がある。又、これらの金属系物質は毒性の点で大き
な問題がある。
一方、前記金属系以外の光記録材料としては、フルオレ
セイン、スーダンブラツクＢ、コンゴーレツド、スーダ
ンブルー、ローダミン6G等の有機染料を光吸収性物質と
して記録層に用いることも知られている（例えば特開昭
56−55289号および特公昭57−209191号など）。
セイン、スーダンブラツクＢ、コンゴーレツド、スーダ
ンブルー、ローダミン6G等の有機染料を光吸収性物質と
して記録層に用いることも知られている（例えば特開昭
56−55289号および特公昭57−209191号など）。
一般に有機物の熱伝導率は金属の1/10〜1/100と小さい
ことから、光熱変換により発生した熱が有効に利用でき
るばかりでなく、水平方向への熱の散逸が低減されるこ
とから、忠実な信号の記録即ち高密度記録が可能とな
る。しかしながら、これら公知の有機物は主に可視公領
域に吸収を示すことから、記録用レーザ光源はAr+レー
ザ（488nmf）或いはHe−Neレーザ（633nm）等に限定さ
れ、近赤外光領域（〜800nm）に発振波長を有し、装置
全体の小型化、軽量化が計れる半導体レーザによる記録
には適していない。
ことから、光熱変換により発生した熱が有効に利用でき
るばかりでなく、水平方向への熱の散逸が低減されるこ
とから、忠実な信号の記録即ち高密度記録が可能とな
る。しかしながら、これら公知の有機物は主に可視公領
域に吸収を示すことから、記録用レーザ光源はAr+レー
ザ（488nmf）或いはHe−Neレーザ（633nm）等に限定さ
れ、近赤外光領域（〜800nm）に発振波長を有し、装置
全体の小型化、軽量化が計れる半導体レーザによる記録
には適していない。
近赤外光領域に吸収を示す有機化合物としてはシアニン
色素等が例えば特開昭58−114989号にて知られている。
しかしながらシアニン色素は水分、酸素または光等に対
する安定性が悪いので記録状態が安定に保てないという
欠点がある。
色素等が例えば特開昭58−114989号にて知られている。
しかしながらシアニン色素は水分、酸素または光等に対
する安定性が悪いので記録状態が安定に保てないという
欠点がある。
以上説明したように従来提案されている有機系の光記録
材料は十分な光吸収能或いは光反射能を有しないが、或
いは耐久性、保存安定性等に問題があり光記録材料とし
ての必要性能を満足するものはないのが現状である。
材料は十分な光吸収能或いは光反射能を有しないが、或
いは耐久性、保存安定性等に問題があり光記録材料とし
ての必要性能を満足するものはないのが現状である。
本発明者らは上記の従来技術の欠点を改良すべく広範に
亘る研究をした結果、モノアゾ化合物の金属錯体群の中
に可視光及び近赤外光領域に於て大きな分子吸光係数を
有するものを見い出した。そして該金属錯体を含む記録
層にレーザ光を照射したところ、効率良く光熱変換を起
こし、レーザ光を照射した部位が反射率或は透過率に大
きな変化を生じることを認め、先に特許出願を行つた
（特願昭60−297944号）。
亘る研究をした結果、モノアゾ化合物の金属錯体群の中
に可視光及び近赤外光領域に於て大きな分子吸光係数を
有するものを見い出した。そして該金属錯体を含む記録
層にレーザ光を照射したところ、効率良く光熱変換を起
こし、レーザ光を照射した部位が反射率或は透過率に大
きな変化を生じることを認め、先に特許出願を行つた
（特願昭60−297944号）。
本発明は上記発明を一層改良することを目的としてなさ
れた。
れた。
本発明者らは先の発明の金属錯体を含む記録材料におい
てポリアミドを配合したところ、長期間放置後において
も、記録層の状態変化が極めて少なく、記録部の安定性
並びに長期間放置後の記録特性の低下が少ない光学記録
媒体が得られることを認めた。
てポリアミドを配合したところ、長期間放置後において
も、記録層の状態変化が極めて少なく、記録部の安定性
並びに長期間放置後の記録特性の低下が少ない光学記録
媒体が得られることを認めた。
即ち、本発明の光学記録媒体は、基本的には支持体及び
記録層からなり、該記録層が、下記の一般式（１）で表
わされるモノアゾ化合物の金属錯体及びポリアミドを含
有することを特徴とするものである。
記録層からなり、該記録層が、下記の一般式（１）で表
わされるモノアゾ化合物の金属錯体及びポリアミドを含
有することを特徴とするものである。
（式中、Ｘは、それが結合している窒素原子及び炭素原
子と一緒になつて電子供与性基又は電子吸引性基で置換
されていてもよい複素環を形成する残基であり、Ｙは、
それが結合している二つの炭素原子と一緒になつて電子
供与性基で置換されていてもよい芳香環を形成する残基
である。また、Ｚはヒドロキシル基またはカルボキシル
基である。） 上記式中、電子供与性基としては、モノメチルアミノ、
モノエチルアミノ等の炭素数４までの低級モノアルキル
アミノ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジ−ｎ−
ブチルアミノ等の炭素数４までの低級ジアルキルアミノ
基、メトキシ、エトキシ等の炭素数４までの低級アルコ
キシ基、メチル、エチル等の炭素数４までの低級アルキ
ル基、アミノ基又は水酸基等が挙げられる。尚上記アル
キル部位は例えばスルホン化されていてもよい。好まし
い電子供与性基は、Ｚがヒドロキシル基の場合はジメチ
ルアミノ基、ジエチルアミノ基、水酸基、メトキシ基ま
たはメチル基であり、Ｚがカルボキシ基の場合はジメチ
ルアミノ基、ジエチルアミノ基または水酸基である。
子と一緒になつて電子供与性基又は電子吸引性基で置換
されていてもよい複素環を形成する残基であり、Ｙは、
それが結合している二つの炭素原子と一緒になつて電子
供与性基で置換されていてもよい芳香環を形成する残基
である。また、Ｚはヒドロキシル基またはカルボキシル
基である。） 上記式中、電子供与性基としては、モノメチルアミノ、
モノエチルアミノ等の炭素数４までの低級モノアルキル
アミノ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジ−ｎ−
ブチルアミノ等の炭素数４までの低級ジアルキルアミノ
基、メトキシ、エトキシ等の炭素数４までの低級アルコ
キシ基、メチル、エチル等の炭素数４までの低級アルキ
ル基、アミノ基又は水酸基等が挙げられる。尚上記アル
キル部位は例えばスルホン化されていてもよい。好まし
い電子供与性基は、Ｚがヒドロキシル基の場合はジメチ
ルアミノ基、ジエチルアミノ基、水酸基、メトキシ基ま
たはメチル基であり、Ｚがカルボキシ基の場合はジメチ
ルアミノ基、ジエチルアミノ基または水酸基である。
一方、電子吸引性基としては塩素、臭素等のハロゲン原
子、ニトロ基、シアノ基、トリフツ化メチル基、カルボ
キシル基等が挙げられる。好ましい電子吸引性基は塩
素、臭素又はニトロ基である。
子、ニトロ基、シアノ基、トリフツ化メチル基、カルボ
キシル基等が挙げられる。好ましい電子吸引性基は塩
素、臭素又はニトロ基である。
これらの置換基は一種又は二種でも良い。
又、複素環としては、ビリジル、チアゾリル、ベンゾチ
アゾリル、キノリル、ピリミジル又はヒドロキシベゾチ
アゾリル等の複素環を例示することができる。好ましい
複素環はチアゾリル及びベンゾチアゾリルである。一方
芳香環としては、フエニル、ナフチル等を例示すること
ができる。ここで芳香環としてベンゼン環を選択した場
合、前記電子供与性基で置換されているのがよい。該電
子供与性基は助色効果及び錯体の安定性を増大させる効
果を有する。
アゾリル、キノリル、ピリミジル又はヒドロキシベゾチ
アゾリル等の複素環を例示することができる。好ましい
複素環はチアゾリル及びベンゾチアゾリルである。一方
芳香環としては、フエニル、ナフチル等を例示すること
ができる。ここで芳香環としてベンゼン環を選択した場
合、前記電子供与性基で置換されているのがよい。該電
子供与性基は助色効果及び錯体の安定性を増大させる効
果を有する。
本発明に於て錯体を形成するモノアゾ化合物の代表例と
しては、Ｚがヒドロキシル基の場合は次のものが挙げら
れる。
しては、Ｚがヒドロキシル基の場合は次のものが挙げら
れる。
１） チアゾリルアゾ化合物。
２） ヒドロキシベンゾチアゾリルアゾ化合物。
３） ベンゾチアゾリルアゾ化合物。
４） ピリジルアゾ化合物。
５） キノリルアゾ化合物。
６） ピリミジルアゾ化合物。
またＺがカルボキシル基の場合の代表例は次のものが挙
げられる。
げられる。
１） チアゾリルアゾ化合物。
２） ベンゾチアゾリルアゾ化合物。
３） ピリジルアゾ化合物。
これらの化合物は例えば、分析化学、Vol.11,P621−P62
8（1962）や日本化学雑誌、第83巻、第11号、P1185−P1
189（1962）に記載の方法等に準じて合成される。
8（1962）や日本化学雑誌、第83巻、第11号、P1185−P1
189（1962）に記載の方法等に準じて合成される。
本発明においてモノアゾ化合物と錯体を形成する金属と
しては、一般に該モノアゾ化合物と錯体を形成する能力
のある金属なら特に制限はないが鉄、コバルト、ニツケ
ルから選択される鉄族元素が特によく、銅、銀、金から
選択される銅族元素も用いられる。これらの金属からな
る錯体は一般にモノアゾ化合物自身の吸収極大波長より
も長波長側に吸収極大波長を有し、同時にその分子吸光
係数（ε）も増大するので記録レーザ光を効率良く吸収
し、光熱変換を起こすことから好適に用いられる。特に
金属として二価の鉄を選択した錯体はその吸収極大波長
が長波長領域にあり、半導体レーザ発振波長領域に大き
な分子吸光係数を有するので、実用的に有利である。こ
の特性吸収帯の帰属は必ずしも明確ではないが、鉄→配
位子型電荷移動に因るものと考えられる。
しては、一般に該モノアゾ化合物と錯体を形成する能力
のある金属なら特に制限はないが鉄、コバルト、ニツケ
ルから選択される鉄族元素が特によく、銅、銀、金から
選択される銅族元素も用いられる。これらの金属からな
る錯体は一般にモノアゾ化合物自身の吸収極大波長より
も長波長側に吸収極大波長を有し、同時にその分子吸光
係数（ε）も増大するので記録レーザ光を効率良く吸収
し、光熱変換を起こすことから好適に用いられる。特に
金属として二価の鉄を選択した錯体はその吸収極大波長
が長波長領域にあり、半導体レーザ発振波長領域に大き
な分子吸光係数を有するので、実用的に有利である。こ
の特性吸収帯の帰属は必ずしも明確ではないが、鉄→配
位子型電荷移動に因るものと考えられる。
本発明で用いられるモノアゾ化合物と配位金属との比
は、通常化学量論的に1/1、2/1等に設定されるが、生成
物の光学特性を大きく左右する場合もあり、目的に応じ
適正比を選ぶことが望ましい。
は、通常化学量論的に1/1、2/1等に設定されるが、生成
物の光学特性を大きく左右する場合もあり、目的に応じ
適正比を選ぶことが望ましい。
本発明において用いられる上記モノアゾ化合物の金属錯
体は、任意の方法により合成される。例えば水及び／又
は有機溶媒中、前記式（１）で示されるモノアゾ化合物
の一種又は二種以上と金属塩の一種又は二種以上を反応
せしめることにより得られる。
体は、任意の方法により合成される。例えば水及び／又
は有機溶媒中、前記式（１）で示されるモノアゾ化合物
の一種又は二種以上と金属塩の一種又は二種以上を反応
せしめることにより得られる。
該金属錯体の合成に用いる金属塩としては、目的とする
金属の塩化物、水酸化物、硝酸塩、硫酸塩、リン酸塩、
硫酸アンモニウム塩、蓚酸塩、過塩素酸塩、酢酸塩、蟻
酸塩、ステアリン酸塩又はホウ酸塩等を挙げることがで
きる。
金属の塩化物、水酸化物、硝酸塩、硫酸塩、リン酸塩、
硫酸アンモニウム塩、蓚酸塩、過塩素酸塩、酢酸塩、蟻
酸塩、ステアリン酸塩又はホウ酸塩等を挙げることがで
きる。
本発明の光学記録媒体における記録層は、前記モノアゾ
化合物の金属錯体とポリアミドとの組み合わせからな
り、ガラス、アルミニウム、セラミツクス等の無機材料
やポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリ
エステル等の合成樹脂材料よりなる支持体上に設けられ
る。該支持体は透明或いは不透明であり、記録及び再生
レーザ光の入射方向により各々に適した光学特性を有す
る支持体が用いられる。特に透明な支持体両側からの入
射では、面上に付着した塵埃又はキズ等の欠陥に影響さ
れることなく、記録・再生が行なえることから、より好
適に用いられる。記録層を設けた円板状の２枚の透明な
支持体をそれぞれの記録層面を内側に配置し、空隙を有
するように貼り合せた所謂エアーサンドイツチ構造の記
録材料とすることもできる。支持体の形状は、その使用
目的により選択し得、円板状、テープ状、シート状等が
例示されるが、特に円板状の場合、トラツキングを円滑
に行なう為にプリグループを設けても良い。
化合物の金属錯体とポリアミドとの組み合わせからな
り、ガラス、アルミニウム、セラミツクス等の無機材料
やポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリ
エステル等の合成樹脂材料よりなる支持体上に設けられ
る。該支持体は透明或いは不透明であり、記録及び再生
レーザ光の入射方向により各々に適した光学特性を有す
る支持体が用いられる。特に透明な支持体両側からの入
射では、面上に付着した塵埃又はキズ等の欠陥に影響さ
れることなく、記録・再生が行なえることから、より好
適に用いられる。記録層を設けた円板状の２枚の透明な
支持体をそれぞれの記録層面を内側に配置し、空隙を有
するように貼り合せた所謂エアーサンドイツチ構造の記
録材料とすることもできる。支持体の形状は、その使用
目的により選択し得、円板状、テープ状、シート状等が
例示されるが、特に円板状の場合、トラツキングを円滑
に行なう為にプリグループを設けても良い。
本発明で金属錯体と混合して用いられる樹脂は、ポソア
ミドである。一般に結晶性化合物を記録媒体とした場
合、熱や水分がトリガーとなり、経時的に結晶化を起こ
す。本発明の記録層においてはポリアミド樹脂は、本発
明で用いられる前述の金属錯体分子と強い相互作用を示
し、該金属錯体の結晶化を抑制する作用を有する。ポリ
アミド樹脂であれば、その種類は特には限定されなく、
溶剤に対する溶解性を考慮して任意に選択される。金属
錯体に対する樹脂の含有割合は特には限定されないが、
一般に0.1重量％以上50重量％の範囲である。本発明に
おいて、多量の樹脂を配合する程その安定化効果は顕著
となるが、それ自身、光吸収能を有しないので、多過ぎ
ると、感度が低下する。好ましい範囲は金属錯体に対し
て0.5〜20重量％、特には１〜10重量％である。
ミドである。一般に結晶性化合物を記録媒体とした場
合、熱や水分がトリガーとなり、経時的に結晶化を起こ
す。本発明の記録層においてはポリアミド樹脂は、本発
明で用いられる前述の金属錯体分子と強い相互作用を示
し、該金属錯体の結晶化を抑制する作用を有する。ポリ
アミド樹脂であれば、その種類は特には限定されなく、
溶剤に対する溶解性を考慮して任意に選択される。金属
錯体に対する樹脂の含有割合は特には限定されないが、
一般に0.1重量％以上50重量％の範囲である。本発明に
おいて、多量の樹脂を配合する程その安定化効果は顕著
となるが、それ自身、光吸収能を有しないので、多過ぎ
ると、感度が低下する。好ましい範囲は金属錯体に対し
て0.5〜20重量％、特には１〜10重量％である。
記録層に用いる金属錯体は、必要に応じて二種以上のモ
ノアゾ化合物及び／又は金属元素から構成されていても
良く、それらを、混合することによりレーザ光吸収波長
を選択或いは調整することも可能である。
ノアゾ化合物及び／又は金属元素から構成されていても
良く、それらを、混合することによりレーザ光吸収波長
を選択或いは調整することも可能である。
これらの記録層は、前記金属錯体を樹脂と組み合わせて
適当な溶媒に溶解し、スピンコート法、デイツピング
法、バーコート法、キヤスト法等の簡便な塗布方法にて
設層することができる。この際必要に応じて、更に別の
安定剤、界面活性剤、分散剤、レベリング剤等を併用し
ても良い。
適当な溶媒に溶解し、スピンコート法、デイツピング
法、バーコート法、キヤスト法等の簡便な塗布方法にて
設層することができる。この際必要に応じて、更に別の
安定剤、界面活性剤、分散剤、レベリング剤等を併用し
ても良い。
設層される記録層の膜厚は10〜500nmが好ましく、同時
に記録レーザ光に対する透過率が70％以下であることが
好ましい。透過率が70％よりも大きくなると充分な光吸
収能或いは光反射能を有さなくなる。
に記録レーザ光に対する透過率が70％以下であることが
好ましい。透過率が70％よりも大きくなると充分な光吸
収能或いは光反射能を有さなくなる。
本発明の光学記録媒体は、基本的には、第１図に示す様
に支持体10と記録層20から構成される。記録又は再生レ
ーザ光は矢印100又は200で示される。必要に応じて第２
図に示す様に支持体上に下引層30を、又、第３図及び第
４図に示す様に記録層上にSiO2や各種樹脂等の保護層40
を設けることができる。特に下引層としてはニトロセル
ロースが好ましい。更には、第５図及び第６図に示す様
にAl、Ag、Au等の金属の反射層50又は第６図に示す様に
SiO2、Si3N4等の透明誘電体層60を設けることも可能で
ある。一般に金属の反射層を設ける場合には、更に真空
蒸着法等の工程が必要となるばかりでなく、繰り返し反
射による光学記録媒体の光学特性が、記録層の膜厚に大
きく依存することから、膜厚を厳密に制御する必要が生
じる。本発明の光学記録媒体は金属の反射層を設けなく
とも、記録再生に必要な反射率或いは反射率変化が得ら
れるという特長を有する。
に支持体10と記録層20から構成される。記録又は再生レ
ーザ光は矢印100又は200で示される。必要に応じて第２
図に示す様に支持体上に下引層30を、又、第３図及び第
４図に示す様に記録層上にSiO2や各種樹脂等の保護層40
を設けることができる。特に下引層としてはニトロセル
ロースが好ましい。更には、第５図及び第６図に示す様
にAl、Ag、Au等の金属の反射層50又は第６図に示す様に
SiO2、Si3N4等の透明誘電体層60を設けることも可能で
ある。一般に金属の反射層を設ける場合には、更に真空
蒸着法等の工程が必要となるばかりでなく、繰り返し反
射による光学記録媒体の光学特性が、記録層の膜厚に大
きく依存することから、膜厚を厳密に制御する必要が生
じる。本発明の光学記録媒体は金属の反射層を設けなく
とも、記録再生に必要な反射率或いは反射率変化が得ら
れるという特長を有する。
情報の記録は、高エネルギー密度のレーザ光を光記録材
料に照射し、記録層の一部に化学的変化又は物理的形状
変化を生じさせることによりなされる。即ち、レーザ光
を照射された部位が、光熱変換を経て発生した熱によ
り、溶融、分解等を受け、変形又は除去されることによ
り記録がなされる。尚、レーザ光によるビット形成は低
エネルギーで行うことができ、レーザ光のビーム径を１
μｍ程度に集光した場合、好ましくは記録層面上でのパ
ワーが１〜10mW、照射時間が50〜500n秒の範囲内でのビ
ツトが形成される。
料に照射し、記録層の一部に化学的変化又は物理的形状
変化を生じさせることによりなされる。即ち、レーザ光
を照射された部位が、光熱変換を経て発生した熱によ
り、溶融、分解等を受け、変形又は除去されることによ
り記録がなされる。尚、レーザ光によるビット形成は低
エネルギーで行うことができ、レーザ光のビーム径を１
μｍ程度に集光した場合、好ましくは記録層面上でのパ
ワーが１〜10mW、照射時間が50〜500n秒の範囲内でのビ
ツトが形成される。
一方、情報の読み出しは、出力を記録時の1/5〜1/10に
減衰させ、記録層が化学的変化又は物理的形状変化を引
き起こさないように設定された低出力レーザ光を連続光
として照射し、ビツトの有無による反射光量又は透過光
量の変化を検出することによりなされる。通常、単一の
光学系で記録・再生が可能な反射光により検出するのが
よい。
減衰させ、記録層が化学的変化又は物理的形状変化を引
き起こさないように設定された低出力レーザ光を連続光
として照射し、ビツトの有無による反射光量又は透過光
量の変化を検出することによりなされる。通常、単一の
光学系で記録・再生が可能な反射光により検出するのが
よい。
以下、実施例により、本発明を詳細に説明する。
尚、実施例中の部とは全て重量部を表わす。また実施例
中のモノアゾ化合物は前述の略称で示した。
中のモノアゾ化合物は前述の略称で示した。
実施例１ TAMの1,4−ジオキサン溶液に1/2当量の硫酸第一鉄アン
ムニウム塩水溶液を加え、pH調節した後、クロロホルム
抽出することにより、鉄錯体を得た。該錯体はクロロホ
ルム中でλmaxが760nm、εが2.7×104・mol-1・cm-1
の吸収を示した。
ムニウム塩水溶液を加え、pH調節した後、クロロホルム
抽出することにより、鉄錯体を得た。該錯体はクロロホ
ルム中でλmaxが760nm、εが2.7×104・mol-1・cm-1
の吸収を示した。
一方、ニトロセルロース（粘度1/2秒、窒素含量12％）
のDMF（ジメチルホルムアミド）溶液を３μｍのメンブ
ランフイルターにて過した後PMMA（ポリメチルメタク
リレート）デイスク上にスピンコートし、乾燥膜厚0.8
μｍの下引層を設けた。次に上記鉄錯体に対して５重量
部のトーマイド394（富士化成製ポリアミド）を含むク
ロロホルム溶液を調製し0.2μｍのメンブランフイルタ
ーにて過後、上記デイスク上にスピンコートして、乾
燥膜厚60nmの記録層を設けた。
のDMF（ジメチルホルムアミド）溶液を３μｍのメンブ
ランフイルターにて過した後PMMA（ポリメチルメタク
リレート）デイスク上にスピンコートし、乾燥膜厚0.8
μｍの下引層を設けた。次に上記鉄錯体に対して５重量
部のトーマイド394（富士化成製ポリアミド）を含むク
ロロホルム溶液を調製し0.2μｍのメンブランフイルタ
ーにて過後、上記デイスク上にスピンコートして、乾
燥膜厚60nmの記録層を設けた。
第２図は、この様にして作製された光学記録媒体を模式
的に示している。PMMA基板10上に記録層20を設層した光
学記録媒体を線速度11m/secで回転させ、矢印100の方向
から発振波長780nmの半導体レーザ光をビーム径1.2μｍ
に集光させてパルス状に照射した。
的に示している。PMMA基板10上に記録層20を設層した光
学記録媒体を線速度11m/secで回転させ、矢印100の方向
から発振波長780nmの半導体レーザ光をビーム径1.2μｍ
に集光させてパルス状に照射した。
この場合、レーザ光の照射面でのパワーは6mW、パルス
幅は500n sec、デューテイ比50％の条件で行なつた。こ
の照射により、記録層には図７に示す様なビツト列70が
形成された。図中では、ピツト底がPMMA基板に達してい
ないが、照射エネルギーが比較的大きい場合には、基板
が露出することもある。走査型電子顕微鏡による観察の
結果、ビツト周辺のリム80も小さく、ビツトの形状は良
好であつた。次に、同条件で回転する記録ピツト列上に
1mWの半導体レーザ光を連続光として照射し、反射光強
度変化による信号の再生を行なつた所、51dBのCNRが得
られた。一方、同様に作製した試料に記録膜面側から記
録・再生を行なつた所、良好な再生信号が得られた。
又、この光学記録媒体を40℃、95％RHの環境下に100時
間放置後に再生を行つたところ、CNRは49dBであり、実
質的な低下は認められず安定であつた。
幅は500n sec、デューテイ比50％の条件で行なつた。こ
の照射により、記録層には図７に示す様なビツト列70が
形成された。図中では、ピツト底がPMMA基板に達してい
ないが、照射エネルギーが比較的大きい場合には、基板
が露出することもある。走査型電子顕微鏡による観察の
結果、ビツト周辺のリム80も小さく、ビツトの形状は良
好であつた。次に、同条件で回転する記録ピツト列上に
1mWの半導体レーザ光を連続光として照射し、反射光強
度変化による信号の再生を行なつた所、51dBのCNRが得
られた。一方、同様に作製した試料に記録膜面側から記
録・再生を行なつた所、良好な再生信号が得られた。
又、この光学記録媒体を40℃、95％RHの環境下に100時
間放置後に再生を行つたところ、CNRは49dBであり、実
質的な低下は認められず安定であつた。
尚、半導体レーザに代え、発振波長633nmのHe−Neレー
ザ光を同条件で使用した際にも、良好な再生信号が得ら
れた。
ザ光を同条件で使用した際にも、良好な再生信号が得ら
れた。
実施例２ 実施例１において樹脂の種類及び配合量が変更して光学
記録媒体を作製した。結果を実施例１と併せて表１に示
した。表１よりポリアミド樹脂を金属錯体と併用するこ
とにより、記録特性の安定化が達成されることが認めら
れる。
記録媒体を作製した。結果を実施例１と併せて表１に示
した。表１よりポリアミド樹脂を金属錯体と併用するこ
とにより、記録特性の安定化が達成されることが認めら
れる。
反射型光学顕微鏡の観察によれば、樹脂を配合しない対
照例においては100時間放置後において記録層の結晶化
が起こつており、再生時にレーザ光の散乱を生記し、結
果としてノイズレベルが上昇したものと思われる。な
お、記録特性の安定な光学記録媒体は、100時間放置後
においても、記録部及び未記録部ともに記録層の結晶化
等による状態変化は認められなかつた。
照例においては100時間放置後において記録層の結晶化
が起こつており、再生時にレーザ光の散乱を生記し、結
果としてノイズレベルが上昇したものと思われる。な
お、記録特性の安定な光学記録媒体は、100時間放置後
においても、記録部及び未記録部ともに記録層の結晶化
等による状態変化は認められなかつた。
第１図〜６図は本発明の光学記録媒体の種々の実施態様
の構造を示す断面図である。 第７図は本発明の実施態様の光学記録媒体において記録
された状態における構造を示す断面図である。 図中100及び200は記録又は再生レーザ光の入射方向を示
す。また10は支持体、20は記録層、30は下引層、40は保
護層、50は反射層、そして60は透明誘電体層を示す。
の構造を示す断面図である。 第７図は本発明の実施態様の光学記録媒体において記録
された状態における構造を示す断面図である。 図中100及び200は記録又は再生レーザ光の入射方向を示
す。また10は支持体、20は記録層、30は下引層、40は保
護層、50は反射層、そして60は透明誘電体層を示す。
フロントページの続き (72)発明者 長田 司郎 岡山県倉敷市酒津青江山2045番地の１ 株 式会社クラレ内 (56)参考文献 特開 昭62−30090（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−9577（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−9578（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−11385（ＪＰ，Ａ)
Claims (13)
- 【請求項１】支持体及び記録層からなり、該記録層が一
般式 （式中、Ｘは、それが結合している窒素原子及び炭素原
子と一緒になつて複素環を形成する残基であり、Ｙは、
それが結合している二つの炭素原子と一緒になつて芳香
環を形成する残基である。又、Ｚはヒドロキシル基又は
カルボキシル基である。） で示されるモノアゾ化合物と金属との錯体及びポリアミ
ドを含有することを特徴とする光学記録媒体。 - 【請求項２】複素環が少なくとも１つの電子供与性基又
は電子吸引性基で置換されているか、または芳香環が少
なくとも１つの電子供与性基で置換されていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学記録媒体。 - 【請求項３】該複素環がチアゾリル、ベンゾチアゾリ
ル、ピリジル、キノリル、ピリミジル及びヒドロキシベ
ンゾチアゾリルからなる群より選択された複素環である
特許請求の範囲第１項記載の光学記録媒体。 - 【請求項４】該芳香環がフエニル又はナフチルである特
許請求の範囲第１項記載の光学記録媒体。 - 【請求項５】該電子供与性基がアルキル基又はアルコキ
シ基から選択された一種以上の基である特許請求の範囲
第２項記載の光学記録媒体。 - 【請求項６】該電子供与性基が、アミノ基、置換アミノ
基、及び水酸基からなる群より選択された一種以上の基
である特許請求の範囲第２項記載の光学記録媒体。 - 【請求項７】該電子吸引性基がハロゲン原子、ニトロ
基、ニトリル基及びトリフツ化メチル基からなる群より
選択された一種以上の基である特許請求の範囲第２項記
載の光学記録媒体。 - 【請求項８】記録層がモノアゾ化合物と金属の錯体のみ
から構成される特許請求の範囲第１項記載の光学記録媒
体。 - 【請求項９】保護層で被覆されている特許請求の範囲第
１項記載の光学記録媒体。 - 【請求項１０】基板と記録層の間に反射層を設けた特許
請求の範囲第１項記載の光学記録媒体。 - 【請求項１１】記録層の上に反射層を設けた特許請求の
範囲第１項記載の光学記録媒体。 - 【請求項１２】反射層と記録層の間に透明誘電体層を設
けた特許請求の範囲第10項記載の光学記録媒体。 - 【請求項１３】基板と記録層との間に下引層を設けた特
許請求の範囲第１項記載の光学記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61154424A JPH0771869B2 (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61154424A JPH0771869B2 (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS639579A JPS639579A (ja) | 1988-01-16 |
| JPH0771869B2 true JPH0771869B2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
ID=15583865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61154424A Expired - Fee Related JPH0771869B2 (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 光学記録媒体 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0771869B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0757893B2 (ja) * | 1991-01-28 | 1995-06-21 | 川崎製鉄株式会社 | 耐食性に優れた深絞り用高張力冷延鋼板の製造方法 |
| TW340864B (en) | 1995-07-20 | 1998-09-21 | Mitsui Toatsu Chemicals | Optical recording medium |
| JP4276877B2 (ja) | 2003-04-22 | 2009-06-10 | 富士フイルム株式会社 | 光情報記録媒体および色素 |
-
1986
- 1986-06-30 JP JP61154424A patent/JPH0771869B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS639579A (ja) | 1988-01-16 |
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