JPH024865A

JPH024865A - 近赤外線吸収剤及びそれを用いた光記録媒体

Info

Publication number: JPH024865A
Application number: JP63152157A
Authority: JP
Inventors: Tsuyoshi Enomoto; 榎本　堅; Naoto Ito; 伊藤　尚登; Takahisa Oguchi; 貴久小口; Isao Nishizawa; 西沢　功
Original assignee: Yamamoto Chemicals Inc; Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Current assignee: Yamamoto Chemicals Inc; Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Priority date: 1988-06-22
Filing date: 1988-06-22
Publication date: 1990-01-09
Anticipated expiration: 2011-01-31
Also published as: JPH089690B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、オプトエレクトロニクス材料として近年性［
１を集めている近赤外線吸収剤及びそれを記録層に含有
することを特徴とする光記録媒体に関する。

更に詳しくは、オプトエレクトロニクス材料すなわち情
報記録材料としての光ディスク、光カード等、情報表示
材料としての液晶表示、感光体、レーザー光による転写
記録等、各神電気機器の駆動に関する近赤外光遮断又は
吸収フィルター、近赤外光受光素子、又は眼鏡用近赤外
光カットフィルター等に用いることの出来る近赤外線吸
収ｆｆｌに関する。

（従来の技術）近年、近赤外線吸収剤は、オプトエレクトロニクス材料
として光記録媒体、光カード、レーザープリンター、近
赤外線吸収フィルタ、保護眼鏡などに用いられている。

近赤外線吸収剤としては、シアニン色素（特開昭５６−
４６２２１．５８−１１２７９０）、テトラナフトポル
フィラジン色素（特開昭６１−２１５６６３．６２−３
９２８８）、ナフトキノン色素（特開昭５Ｏ−１５４５
８）　、アントラキノン色素（特開昭６１−２９１６５
１）及びジチオール錯体（特開昭５８−１７５６９３）
などが知られている。

しかし、シアニン系色素は耐光、耐熱性などの堅牢度が
不充分であり、アントラキノン及びナフトキノン色素で
はモル吸光係数が致方程度と小さい。またジチオール錯
体では、熱安定性、モル吸光係数が不充分であるなど大
きな欠点を有していた。

〔発明が解決しようとする３題〕本発明はＪ二重諸問題点を解決するためなされたもので
、近赤外領域７００〜８５０ｎｍに吸収を有し。

耐久性（耐光、耐較、耐熱性）にすぐれると共に種々の
打機溶媒への溶解性にもすぐれた近赤外線吸収剤及びそ
れを用いた光記録媒体を提供することを目的とする。

（課題を解決′１−るための手段）Ｒ８，ｌｉｔ、　１１Ｇ、　Ｒ１１，Ｒ１２は各々、独
立に水素原子、未置換又は置換アリール基、未置換又は
置換アルキル基を表わし、Ｍｅｔは２原子の水素、２価
金属原子、１置換の３価金属原子、２置換の４価金属原
子、オキシ金属原子を表わし、ｋ、　Ｉ、　ｔｎ、　ｎ
は０〜５の整数を表わす。〕で示されるテトラナフトポルフィラジン化合物及びその
異性体を含存する近赤外線吸収剤であり、他の発明はこ
の近赤外線吸収剤を記録層に含む光記録媒体である。上
記の近赤外線吸収剤が近赤外領域に大きな吸収を有し、
膜とした時その吸収信置が半導体レーザの波長とうまく
一致することによりすぐれた感度を有し、かつ耐久性に
すぐれていることを見い出すと共に、式（１）の化合物
を記録層に有する光記録媒体が、すぐれた感度、耐久性
等の性能を発揮することを見い出して本発明をなすに至
った。

式（１）中、Ｒ１，Ｒ１２は水素原子、置換又は未置換
のアルキル基、又は置換又は未置換のアリール基を表わ
す。

置換又は未置換のアルキル基としては、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基
、オクチル基などのアルキル基；メトキシメチル基、エ
トキシメチル基、プロポキシメチル基、メトキシエチル
基、メトキシブチル基、フェノキシエチル基などのアル
コキシアルキル基；クロルメチル基、クロルエチル基、
ブロムメチル基、トリクロロメチル基などのハロゲン化
アルキル基：メチルアミノメチル基、ジメチルアミノメ
チル基、ジメチルアミノエチル基などのアルキルアミノ
アルキル基；ヒドロキシエチル基ヒドロキシメチル基な
どのヒドロキシアルキル基；メチルチオメチル基、エチ
ルチオメチル基などのアルキルチオアルキル基；ベンジ
ル基、フェニルエチル基などのアリールアルキル基；ア
リル基、クロチル基などのアルケニル基などが挙げられ
る。

置換又は未置換のアリール基としては、置換又は未置換
のフェニル基又はナフチル基を表わす。

その例としてはメチルフェニル基、エチルフェニル基、
プロピルフェニル基、ブチルフェニル基。

ペンチルフェニル基、ヘキシルフェニル基、オクチルフ
ェニル基、メチルナフチル基などのアルキル置換体：Ｐ
−フルオロフェニル基、Ｐ−クロロフェニル基、Ｐ−ブ
ロモフェニル基、ブロモナフチル基などのハロゲン置換
体；メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロポ
キシフェニル基、エトキシエトキシフェニル基、エトキ
シエトキシエトキシフェニル基、エトキシエトキシエト
キシナフチル基などのアルコキシ置換体；メトキシメチ
ルフェニル基、メトキシエチルフェニル基、エトキジメ
チルフェニル基、エトキシエトキシメチルフェニル基、
エトキシエトキシエトキシメチルフェニル基、エトキシ
メチルナフチル基などのアルコキシアルキル置換体；メ
チルチオフェニル基、エチルチオフェニル基、エチルチ
オエチルチオフェニル基、エチルチオナフチル基などの
アルキルチオ置換体；メチルチオメチルフェニル基。

エチルチオメチルフェニル基、メチルチオエチルフェニ
ル基、エチルチオエチルチオメチルフェニル基、エチル
チオエチルチオエチルチオメチルフェニル基、エチルチ
オメチルナフチル基などのアルキルチオアルキル置換体
：メチルアミノフェニル基、ジメチルアミノフェニル基
、ジェトキシエトキシアミノフェニル基、ジェトキシエ
トキシエトキシアミノフェニル基、ジメチルアミノナフ
チル基などのアルキルアミノ置換体が挙げられる。

また、式（１）中、Ｎｅｔで示される中心金属の例とし
ては２価金属では（：ｕ＋ｌＩｌ　、　Ｚｎ（＋＋＋　
、　ｐＣ＋ｌ１ｌ（：０　（Ｉ　＋　１　、　Ｎ　ｉｌ
　Ｉ　＋　１　、　Ｒｕ　ｌ目＋、　１ｈｌｌ１１．　
ｐｄ＋目）ｐｉｆｌｌｌ、Ｈｎ＋ＩＩ１．ｙｇｆｌｌｌ
、Ｔｉ’夏＋１．Ｂｃｆ１口Ｃａ　Ｉ　＋　ｌ　１　、
９　Ｂ　’目１．　ｃｄ＋Ｉｌ＋、　１１ｇ＋Ｉ１１．
　　Ｉｌｌ、（ＩｌｌＳｎ’■）等；ｌ置換３価金属で
は＾ｌ−１’、Ａｌ−Ｃｌ。

八ｉ［ｌｒ、　　＾１１．　　八ｌ−０１１，Ｇａ−Ｆ
、Ｇａ−ＣＬ、Ｇａ−Ｂｒ。

Ｇａ−１，Ｉｎ−Ｆ、　　Ｉｎにｌ、　　Ｉｎ−１１ｒ
、　　Ｉｎ−１，Ｉｎ−０１ｌ。

ＴＩ−Ｆ、ＴｌＣｌ、Ｔｌ−０ｒ、’ｒｌ−１．ＡＩ−
にＣｒ、Ｉ１６．　　＾ｌ−Ｃ，，１１４（に１１３）
、　　Ｉｎ−（：ａｌｆ５．　　Ｉｎ−Ｃｇ）１４（ｃ
ｏ、）、　　Ｉｎ−Ｃ１６１１７゜Ｍｎ−０１１，Ｍｎ
−０５ｉＲｓ、　（Ｒはアルキル基、フェニル基、ナフ
チル基及びその誘導体を表わす）；２置換の４価金属の
例としては、ＣｒＧ１．、　ＳｉＦ２゜５ｉＣＩ、、　
５ｉＢｒ２．５ｉｒ２．　ＺｒＣｌ２．　ＧｅＦ２．　
ＧｅＣＩ２゜ＧｅＢｒ、、　　Ｇｅｌ、、　　ＳｎＦ、
、　　５ｎＣＩ２．　　ＳｎＢｒ２．　５ｎ１２．　　
ＴｉＦ４゜Ｔｉ（：ｌ□、ＴｉＢｒ４．５ｉ（ＯＨ）２
．Ｇｅ（Ｏｌｌ）、、Ｚｒ（橿０□。

Ｍｎ（Ｏｉｌ）２，５ｎ（０１１）２．ＴｉＲ’２．Ｇ
ｒＲ’２．ＳｉＲ’２゜ＳｎＲ’２．　ＧｅＲ’２（Ｒ
’はアルキル基、フェニル基。

ナフチル基及びその誘導体を表わす）　、５ｉ（ＯＲ’
）ｚ。

５ｎ（ＯＲ”）２．　Ｇｅ（ＯＲ”）２．　Ｔｉ（ＯＲ
＠）２．　Ｃｒ（ＯＲ″）２　　（Ｒ”はアルキル基、
フェニル基、ナフチル基、トリアルキルシリル基、ジア
ルキルアルコキシシリル基の誘導体を表わす）　、　５
ｎ（ＳＲ”’）２．　Ｇｅ（Ｓｌｌ”’）ｚ〔１（°“
°はアルキル基、フェニル基、ナフチルＪ１チ及びその
誘導体を表わす）などが挙げられる。

オキシ金属の例としてはＶＯ，ＭｎＯ，ＴｉＯなどが挙
げられる。また、式（１）の異性体とは、以下に示す構
造を意味する。

式（Ｉ）で示される化合物の合成法としては、下式（Ｕ
）または　（ｍ）（■）　　　　　　　　（■）（式（！り及び（ＩＩＩ）における７、１．Ｉ２及びＩ
３は、前述の　（Ｉ１式の［１，Ｒ２，［３，＋＋＋　
Ｒ＋２にて定義された基と同一の基を表わし、ｎは０〜
５の整数を表わす。）で示される化合物の１〜４種を金属話導体、例えば酸化
物、ハロゲン化物、酢酸イオン化物、硫酸化物、アセチ
ルアセトナート塩等と溶媒、例えば、尿素、クロルナフ
タレン、ブロムナフタレン、ハロゲン化ベンゼン、ニト
ロベンゼン、アルコール類、ポリエチレングリコール、
アミノアルコール類存在下に加熱反応して得られる。こ
の時、触媒としてモリブデン酸アンモニウムまたはジア
ザビシクロウンデセン（ＯＯＵ）を共存させてもよい。

本発明の色素を用いて光記録媒体を製造する方法には、
透明Ｊフ板トに色素を塗布或いは蒸着する方法があり、
塗布法としては、バインダー樹脂２０ｆ１量％以下、好
ましくは０％と、色素０．０５重量％〜２０重量％、好
ましくは　０．５重量％〜２０重量％となるように溶媒
に溶解し、スピンコーターで塗布する方法などがある。

又蒸着方法としては、１０−５〜１０−フｔｏｒｒ、　
　１００〜３００℃にて基板上に色素をのせる方法など
がある。

基板としては、光学的に透明な樹脂であればよい。例え
ばアクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、塩化ビニール樹脂
、塩化ビニリデン樹脂、ポリカーボネイト樹脂、エチレ
ン樹脂、ポリオレフィン共ＩＩ′Ｕ合樹脂、塩化ビニー
ル共重合樹脂、塩化ビニリデン共重合樹脂、スチレン共
重合樹脂などが挙げられる。

又基板は熱硬化性樹脂又は紫外線硬化性樹脂により表面
処理がなされていてもよい。

塗布溶媒としては、ハロゲン化炭化水素（例えば、ジク
ロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロ
エチレン、ジクロロジフロロエタンなど）、エーテル類
（例えば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルなど
）、ケトン類（例えば、アセトン、メチルエチルケトン
など）、アルコール類（例えば、メタノール、エタノー
ル。

プロパツールなど）、セロソルブ類（メチルセロソルブ
、エチルセロソルブなど）、炭化水素類（ヘキサン、シ
クロヘキサン、オクタン、ベンゼン、トルエン、キシレ
ンなど）が好適に用いられる。

〔実施例〕

以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが１本
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例！下記構造式光安定性及び保存安定性は良好であった。

実施例２下記構造式で表わされるジニトリル２．８３ｇと塩化第一銅０．６
４ｇ　、モリブデン酸アンモニウム０．００６４ｇ　、
尿素４００ｇを加熱反応し、　２６０℃まで昇温した。

冷却後、固化した反応生成物にクロロホルムを加えて濾
過し、クロロホルム溶液を濃縮して　１５０ｍｇのナフ
タロシアニン化合物を得た。このもののクロロホルム溶
媒中のλｎ＋ａｘは８０６ｒ＋ｍであった。このナフタ
ロシアニン化合物のメチルセロソルブ溶液（２０ｇ／１
．濃度）をポリカーボネート・基板上にスピンコードし
て得られた膜の反射率は８３０ｎａ＋で２２％であった
。また上記方法で作成した光記録媒体は、１８０Ｑｒｐ
ｍの回転速度、８３１１ｎｍのレーザー光で、５０ｄＢ
の感度を得た。この光ディスクの耐再生で表わされるジ
ニトリル２．８３ｇと塩化バナジウム１．０１ｇ　、モ
リブデン酸アンモニウム０．００６４ｇ　、尿素４００
ｇを加熱反応し、　２６０℃まで昇温した。冷却後、固
化した反応生成物にクロロホルムを加えて濾過し、クロ
ロホルム溶液を濃縮して１３０＋ｉｇのナフタロシアニ
ン化合物を得た。このもののクロロホルム溶媒中のλｌ
１ｌａｘは８５０ｎｍであった。このナフタロシアニン
化合物のメチルセロソルブ溶液（２０ｇ／ｆｉ濃度）を
ポリカーボネート基板上にスピンコードして得られた膜
の反射率は８３０ｎｍで２５％であった。また上記方法
で作成した光記録媒体は、１８００ｒｐｍの回転速度、
　　８３０ｎａ＋のレーザー光で、５０ｄＢの感度を得
た。この光ディスクの耐再生光安定性及び保存安定性は
良好であった。

実施例３下記構造式下記構造式Ｏυ１゜で表わされるジニトリル３．１７ｇと臭化ニッケル１．
４０ｇ　、モリブデン酸アンモニウム０．００６４ｇ　
、尿素４００ｇを加熱反応し、２６０℃まで昇温した。

冷却後、固化した反応生成物にクロロホルムを加えて濾
過し、クロロホルム溶液を濃縮して　Ｉ　４０ｍｇのナ
フタロシアニン化合物を得た。このもののクロロホルム
溶媒中のλｌｌ１ａｘは８１０ｎｍであった。このナフ
タロシアニン化合物のメチルセロソルブ溶液（２０ｇ／
ｆｆｉ度）をポリカーボネート基板上にスピンコードし
て得られた膜の反射率は８：ｌＯｎｍで２０％であった
。また上記方法で作成した光記録媒体は、＋８００ｒｐ
ｍの回転速度、８３０ｎｍのレーザー光で、５０ｄＢの
感度を得た。この光ディスクの耐再生光安定性及び保存
安定性は良好であった。

で表わされるジニトリル３．５５ｇと一酸化鉛１．４３
ｇ　、モリブデン酸アンモニウム０．００６４ｇ　、尿
素４００ｇを加熱反応し、　２６０℃まで昇温した。冷
却後、固化した反応生成物にクロロホルムを加えて濾過
し、クロロホルム溶液を濃縮して１６０ｍｇのナフタロ
シアニン化合物を１：ｔた。このもののクロロホルム溶
媒中のλｌ１ｌａ×は８７０ｒ＋ｕ＋であった。このナ
フタロシアニン化合物のメチルセロソルブ溶液（２０ｇ
／４濃度）をポリカーボネート基板−ヒにスピンコード
して得られた膜の反射率は８３Ｑｎｍで１５％であった
。また上記方法で作成した光記録媒体は、１８００ｒｐ
ｍの回転速度、　８３０ｎｍのレーザー光で、５０ｄＢ
の感度を得た。この光ディスクの耐再生光安定性及び保
存安定性は良好であった。

実施例５〜２７表−１の１〜３０で表わされる下記−数式（ｒＶ）（Ｉ
Ｖ）の中間体を用いて実施例４と同様にして各種テトラナフ
トポルフィラジンを合成した。これらの製造に使用した
中間体、金属および反応条件の概略と、これら化合物の
溶液中のλｆｉＩａ×を表−２に示した。

〔発明の効果〕

本発明の近赤外吸収剤、テトラナフトポルフィラジン誘
導体は、置換基にポリエーテル型置換基を用いることに
より、溶媒、特にアルコール類、又は、セルソルブ類に
対する溶解性が大いに向上し、ポリカーボネートトに塗
布可能となった。またこのテトラナフトポルフィラジン
誘導体（２，３−ナフタロシアニン）は、１位に、ポリ
エーテル型置換基を有することから基板上においてその
吸収位置が半導体レーザーの７８０〜８：ｌＯｎｍに−
致し、感度を向上させることができた。これにより、感
度、耐久性に優れた光記録媒体がＣＪられた。

特許出願人　　三井東圧化学株式会社山本化成株式会社

Claims

【特許請求の範囲】１、式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（１）（式（１）中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾
５、Ｒ＾６、Ｒ＾７、Ｒ＾８、Ｒ＾９、Ｒ＾１＾０、Ｒ
＾１＾１、Ｒ＾１＾２は各々、独立に水素原子、未置換
又は置換アリール基、未置換又は置換アルキル基を表わし、Ｍｅｔは２原子の水素
、２価金属原子、１置換の３価金属原子、２置換の４価金属原子、オキシ金属原子を表わし、ｋ、ｌ、ｍ、ｎは０〜５の整数を表
わす。）で示されるテトラナフトポルフィラジン化合物はその異
性体である近赤外線吸収剤。２、請求項１記載の近赤外線吸収剤を記録層に含む光記
録媒体。