JPH06228532A - フタロシアニン化合物及びそれを用いた光記録媒体 - Google Patents
フタロシアニン化合物及びそれを用いた光記録媒体Info
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- JPH06228532A JPH06228532A JP5013506A JP1350693A JPH06228532A JP H06228532 A JPH06228532 A JP H06228532A JP 5013506 A JP5013506 A JP 5013506A JP 1350693 A JP1350693 A JP 1350693A JP H06228532 A JPH06228532 A JP H06228532A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 下記一般式（Ｉ）
【化１】
〔式（Ｉ）中、Ｒ基は、窒素原子を含有し、炭素数２か
ら２０の直鎖または分岐した基であり、ＯＲ基の置換位
置は１または４位、５または８位、９または１２位、１
３または１６位である。Ｍｅｔは、２価の金属原子、３
価または４価の金属誘導体またはオキシ金属を表す。Ｘ
はハロゲン原子を表し、ｎはＸの置換数を表すもので０
から４である。〕で表されるフタロシアニン化合物及び
前記化合物のＯＲ基の１から４個が４級アンモニウム塩
である化合物、更にこれらの化合物を記録層に含有して
なる光記録媒体を開示する。 【効果】 本発明の化合物は、反射率、感度、記録特
性、再生光安定性、保存安定性等に優れた特性を有する
光記録媒体を提供することが可能である。
ら２０の直鎖または分岐した基であり、ＯＲ基の置換位
置は１または４位、５または８位、９または１２位、１
３または１６位である。Ｍｅｔは、２価の金属原子、３
価または４価の金属誘導体またはオキシ金属を表す。Ｘ
はハロゲン原子を表し、ｎはＸの置換数を表すもので０
から４である。〕で表されるフタロシアニン化合物及び
前記化合物のＯＲ基の１から４個が４級アンモニウム塩
である化合物、更にこれらの化合物を記録層に含有して
なる光記録媒体を開示する。 【効果】 本発明の化合物は、反射率、感度、記録特
性、再生光安定性、保存安定性等に優れた特性を有する
光記録媒体を提供することが可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、情報記録、表示センサ
ー、保護眼鏡等のオプトエレクトロニクス関連に重要な
役割を果たす近赤外線吸収剤として有用な化合物である
フタロシアニン化合物、及びそれを記録層中に含有して
なる光ディスク、光カード等の光記録媒体に関する。
ー、保護眼鏡等のオプトエレクトロニクス関連に重要な
役割を果たす近赤外線吸収剤として有用な化合物である
フタロシアニン化合物、及びそれを記録層中に含有して
なる光ディスク、光カード等の光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクや光カード等の光記録媒体の
記録層にフタロシアニン色素、特に、アルコキシフタロ
シアニンを利用する技術は、特開昭61-154888号公報（E
P 186404）、同61-197280号公報、同61-246091号公報、
同62-39286号公報（USP 4,769,307）、同63-37991号公
報、同63-39888号公報等により広く知られているが、フ
タロシアニン類は会合し易いためにその吸収能が充分で
なかった。そのためにそれを用いた光記録媒体において
は、780〜830nmでの反射率が低く、感度、記録特性にお
いても充分な性能を有しているとは言い難かった。
記録層にフタロシアニン色素、特に、アルコキシフタロ
シアニンを利用する技術は、特開昭61-154888号公報（E
P 186404）、同61-197280号公報、同61-246091号公報、
同62-39286号公報（USP 4,769,307）、同63-37991号公
報、同63-39888号公報等により広く知られているが、フ
タロシアニン類は会合し易いためにその吸収能が充分で
なかった。そのためにそれを用いた光記録媒体において
は、780〜830nmでの反射率が低く、感度、記録特性にお
いても充分な性能を有しているとは言い難かった。
【０００３】これらの点を改良したのが特開平3-62878
号公報記載の発明であるが、その改良化合物において
も、レーザー光による記録時の誤差が大きく、いまだ実
用上十分ではなかった。
号公報記載の発明であるが、その改良化合物において
も、レーザー光による記録時の誤差が大きく、いまだ実
用上十分ではなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】フタロシアニン類は、
上述の欠点である感度（Ｃ／Ｎ比、最適記録パワー）、
記録特性（ジッター、デビエイション）の他に、欠陥の
無い塗布膜の作製が困難であるし、また、有機溶剤等へ
の溶解性に乏しく、溶液塗工による薄膜形成が行えない
ために、真空蒸着に頼らざるを得ず、大型設備が必要に
なり、そのため、加工コストも高くなるという問題があ
った。
上述の欠点である感度（Ｃ／Ｎ比、最適記録パワー）、
記録特性（ジッター、デビエイション）の他に、欠陥の
無い塗布膜の作製が困難であるし、また、有機溶剤等へ
の溶解性に乏しく、溶液塗工による薄膜形成が行えない
ために、真空蒸着に頼らざるを得ず、大型設備が必要に
なり、そのため、加工コストも高くなるという問題があ
った。
【０００５】従って、本発明の目的は、上記欠点がない
新規のフタロシアニン化合物を提供し、更にそれを用い
た光記録媒体を提供することである。
新規のフタロシアニン化合物を提供し、更にそれを用い
た光記録媒体を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前項の課
題を解決すべく鋭意検討の結果、上述の目的に合う新規
なフタロシアニン化合物を見出し、本発明を完成させ
た。
題を解決すべく鋭意検討の結果、上述の目的に合う新規
なフタロシアニン化合物を見出し、本発明を完成させ
た。
【０００７】即ち、本発明は、下記一般式（Ｉ）
【０００８】
【化４】 〔式（Ｉ）中、Ｒ基は、炭素数２から２０の直鎖または
分岐したアミノアルキル基、アルキルアミノアルキル
基、ジアルキルアミノアルキル基、アミノアルコキシア
ルキル基、アルキルアミノアルコキシアルキル基あるい
はジアルキルアミノアルコキシアルキル基であり、ＯＲ
基の置換位置は１または４位、５または８位、９または
１２位、１３または１６位である。Ｍｅｔは、２価の金
属原子、３価または４価の金属誘導体またはオキシ金属
を表す。Ｘはハロゲン原子を表し、ｎはＸの置換数を表
すもので０から４である。〕で表されるフタロシアニン
化合物、それを記録層に含有してなる光記録媒体であ
り、あるいは下記一般式（II）
分岐したアミノアルキル基、アルキルアミノアルキル
基、ジアルキルアミノアルキル基、アミノアルコキシア
ルキル基、アルキルアミノアルコキシアルキル基あるい
はジアルキルアミノアルコキシアルキル基であり、ＯＲ
基の置換位置は１または４位、５または８位、９または
１２位、１３または１６位である。Ｍｅｔは、２価の金
属原子、３価または４価の金属誘導体またはオキシ金属
を表す。Ｘはハロゲン原子を表し、ｎはＸの置換数を表
すもので０から４である。〕で表されるフタロシアニン
化合物、それを記録層に含有してなる光記録媒体であ
り、あるいは下記一般式（II）
【０００９】
【化５】 ｛式（II）中、Ｒ’基の１から４個が下記式（III）
【００１０】
【化６】 〔式（III）中、Ａはアルキル基またはアルコキシアル
キル基である連結基を表し、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立
に水素原子あるいは炭素数１から８の直鎖または分岐の
アルキル基を表し、Ｙはハロゲン原子を表す。〕で表さ
れる４級アンモニウム塩であり、残りの基が炭素数２か
ら２０の直鎖または分岐したアミノアルキル基、アルキ
ルアミノアルキル基、ジアルキルアミノアルキル基、ア
ミノアルコキシアルキル基、アルキルアミノアルコキシ
アルキル基あるいはジアルキルアミノアルコキシアルキ
ル基であり、ＯＲ’基の置換位置は１または４位、５ま
たは８位、９または１２位、１３または１６位である。
Ｍｅｔは、２価の金属原子、３価または４価の金属誘導
体またはオキシ金属を表す。Ｘはハロゲン原子を表し、
ｎはＸの置換数を表すもので０から４である。｝で表さ
れるフタロシアニン化合物、それを含有してなる光記録
媒体である。
キル基である連結基を表し、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立
に水素原子あるいは炭素数１から８の直鎖または分岐の
アルキル基を表し、Ｙはハロゲン原子を表す。〕で表さ
れる４級アンモニウム塩であり、残りの基が炭素数２か
ら２０の直鎖または分岐したアミノアルキル基、アルキ
ルアミノアルキル基、ジアルキルアミノアルキル基、ア
ミノアルコキシアルキル基、アルキルアミノアルコキシ
アルキル基あるいはジアルキルアミノアルコキシアルキ
ル基であり、ＯＲ’基の置換位置は１または４位、５ま
たは８位、９または１２位、１３または１６位である。
Ｍｅｔは、２価の金属原子、３価または４価の金属誘導
体またはオキシ金属を表す。Ｘはハロゲン原子を表し、
ｎはＸの置換数を表すもので０から４である。｝で表さ
れるフタロシアニン化合物、それを含有してなる光記録
媒体である。
【００１１】本発明のフタロシアニン化合物は、650〜9
00nmにシャープな吸収を有し、分子吸光係数は、150,00
0以上と高く、半導体レーザーを用いる光記録媒体（光
ディスク、光カード等）に有効である。
00nmにシャープな吸収を有し、分子吸光係数は、150,00
0以上と高く、半導体レーザーを用いる光記録媒体（光
ディスク、光カード等）に有効である。
【００１２】また、本発明のフタロシアニンは、一般式
（Ｉ）中、ＯＲで示される置換基の導入により、その立
体障害を利用し、フタロシアニンの会合性を小さくする
と共に、有機溶媒への溶解性、樹脂への相溶性が良好な
フタロシアニン化合物である。更に、置換基中の窒素原
子により、光記録媒体とした時に反射層である金属層と
の密着性が向上し、アルキルアミノ基の効果により、感
度、記録特性及び耐久性に優れた特性を持つ化合物であ
る。そして、一般式（II）で表され、基Ｒ’の１から４
が４級アンモニウム塩であるフタロシアニン化合物は、
スピンコート溶媒であるアルコール類、セロソルブ類に
特に溶解性が良好である。
（Ｉ）中、ＯＲで示される置換基の導入により、その立
体障害を利用し、フタロシアニンの会合性を小さくする
と共に、有機溶媒への溶解性、樹脂への相溶性が良好な
フタロシアニン化合物である。更に、置換基中の窒素原
子により、光記録媒体とした時に反射層である金属層と
の密着性が向上し、アルキルアミノ基の効果により、感
度、記録特性及び耐久性に優れた特性を持つ化合物であ
る。そして、一般式（II）で表され、基Ｒ’の１から４
が４級アンモニウム塩であるフタロシアニン化合物は、
スピンコート溶媒であるアルコール類、セロソルブ類に
特に溶解性が良好である。
【００１３】以下に、本発明の好ましい態様を詳述す
る。
る。
【００１４】一般式（Ｉ）及び（II）中、基Ｒ及びＲ’
で表される炭素数２から２０の直鎖または分岐したアミ
ノアルキル基、アルキルアミノアルキル基、ジアルキル
アミノアルキル基、アミノアルコキシアルキル基、アル
キルアミノアルコキシアルキル基あるいはジアルキルア
ミノアルコキシアルキル基の具体例としては、置換基の
立体障害が大きく、フタロシアニン環の垂直方向へ張り
出し易く、且つ、近赤外線吸収剤の単位重量当たりの光
の吸収量が大きくできる基、また、光記録媒体とした
時、感度向上に有効な基、更にスピンコート溶媒への溶
解性向上に有効な基であり、特に１−ｎ−ブトキシメチ
ル−２−ジイソブチルアミノ−１−エチル基、１−メト
キシメチル−２−ジイソブチルアミノ−１−エチル基、
１−イソプロポキシメチル−２−ジエチルアミノ−１−
エチル基、２−ジメチルアミノ−２−メチル−１−プロ
ピル基、２−ジイソプロピルアミノ−１−エチル基、２
−（２’−ジエチルアミノエトキシ）エチル基、１−ジ
エチルアミノ−イソプロピル基、２−ｔｅｒｔ−ブチル
アミノ−１−エチル基、２−ジ−ｎ−ブチルアミノ−１
−エチル基、２−ジエチルアミノ−１−エチル基、３−
ジエチルアミノ−１−プロピル基、２−イソプロピルア
ミノ−１−エチル基等が挙げられる。また、式（III）
で表される４級アンモニウム塩である場合の基Ｒ’の具
体例としては、１−ｎ−ブトキシメチル−２−ジイソブ
チルアンモニウムクロリド−１−エチル基、１−ｎ−ブ
トキシメチル−２−ジイソブチルアンモニウムブロミド
−１−エチル基、１−メトキシメチル−２−ジイソブチ
ルアンモニウムクロリド−１−エチル基、１−メトキシ
メチル−２−ジイソブチルアンモニウムブロミド−１−
エチル基、１−イソプロポキシメチル−２−ジエチルア
ンモニウムクロリド−１−エチル基、１−イソプロポキ
シメチル−２−ジエチルアンモニウムブロミド−１−エ
チル基、２−ジメチルアンモニウムクロリド−２−メチ
ル−１−プロピル基、２−ジメチルアンモニウムブロミ
ド−２−メチル−１−プロピル基、２−ジイソプロピル
アンモニウムクロリド−１−エチル基、２−ジイソプロ
ピルアンモニウムブロミド−１−エチル基、２−（２’
−ジエチルアンモニウムクロリドエトキシ）エチル基、
２−（２’−ジエチルアンモニウムブロミドエトキシ）
エチル基、１−ジエチルアンモニウムクロリド−イソプ
ロピル基、１−ジエチルアンモニウムブロミド−イソプ
ロピル基、２−ｔｅｒｔ−ブチルアンモニウムクロリド
−１−エチル基、２−ｔｅｒｔ−ブチルアンモニウムブ
ロミド−１−エチル基、２−ジ−ｎ−ブチルアンモニウ
ムクロリド−１−エチル基、２−ジ−ｎ−ブチルアンモ
ニウムブロミド−１−エチル基、２−ジエチルアンモニ
ウムクロリド−１−エチル基、２−ジエチルアンモニウ
ムブロミド−１−エチル基、３−ジエチルアンモニウム
クロリド−１−プロピル基、３−ジエチルアンモニウム
ブロミド−１−プロピル基、２−イソプロピルアンモニ
ウムクロリド−１−エチル基及び２−イソプロピルアン
モニウムブロミド−１−エチル基等が挙げられる。
で表される炭素数２から２０の直鎖または分岐したアミ
ノアルキル基、アルキルアミノアルキル基、ジアルキル
アミノアルキル基、アミノアルコキシアルキル基、アル
キルアミノアルコキシアルキル基あるいはジアルキルア
ミノアルコキシアルキル基の具体例としては、置換基の
立体障害が大きく、フタロシアニン環の垂直方向へ張り
出し易く、且つ、近赤外線吸収剤の単位重量当たりの光
の吸収量が大きくできる基、また、光記録媒体とした
時、感度向上に有効な基、更にスピンコート溶媒への溶
解性向上に有効な基であり、特に１−ｎ−ブトキシメチ
ル−２−ジイソブチルアミノ−１−エチル基、１−メト
キシメチル−２−ジイソブチルアミノ−１−エチル基、
１−イソプロポキシメチル−２−ジエチルアミノ−１−
エチル基、２−ジメチルアミノ−２−メチル−１−プロ
ピル基、２−ジイソプロピルアミノ−１−エチル基、２
−（２’−ジエチルアミノエトキシ）エチル基、１−ジ
エチルアミノ−イソプロピル基、２−ｔｅｒｔ−ブチル
アミノ−１−エチル基、２−ジ−ｎ−ブチルアミノ−１
−エチル基、２−ジエチルアミノ−１−エチル基、３−
ジエチルアミノ−１−プロピル基、２−イソプロピルア
ミノ−１−エチル基等が挙げられる。また、式（III）
で表される４級アンモニウム塩である場合の基Ｒ’の具
体例としては、１−ｎ−ブトキシメチル−２−ジイソブ
チルアンモニウムクロリド−１−エチル基、１−ｎ−ブ
トキシメチル−２−ジイソブチルアンモニウムブロミド
−１−エチル基、１−メトキシメチル−２−ジイソブチ
ルアンモニウムクロリド−１−エチル基、１−メトキシ
メチル−２−ジイソブチルアンモニウムブロミド−１−
エチル基、１−イソプロポキシメチル−２−ジエチルア
ンモニウムクロリド−１−エチル基、１−イソプロポキ
シメチル−２−ジエチルアンモニウムブロミド−１−エ
チル基、２−ジメチルアンモニウムクロリド−２−メチ
ル−１−プロピル基、２−ジメチルアンモニウムブロミ
ド−２−メチル−１−プロピル基、２−ジイソプロピル
アンモニウムクロリド−１−エチル基、２−ジイソプロ
ピルアンモニウムブロミド−１−エチル基、２−（２’
−ジエチルアンモニウムクロリドエトキシ）エチル基、
２−（２’−ジエチルアンモニウムブロミドエトキシ）
エチル基、１−ジエチルアンモニウムクロリド−イソプ
ロピル基、１−ジエチルアンモニウムブロミド−イソプ
ロピル基、２−ｔｅｒｔ−ブチルアンモニウムクロリド
−１−エチル基、２−ｔｅｒｔ−ブチルアンモニウムブ
ロミド−１−エチル基、２−ジ−ｎ−ブチルアンモニウ
ムクロリド−１−エチル基、２−ジ−ｎ−ブチルアンモ
ニウムブロミド−１−エチル基、２−ジエチルアンモニ
ウムクロリド−１−エチル基、２−ジエチルアンモニウ
ムブロミド−１−エチル基、３−ジエチルアンモニウム
クロリド−１−プロピル基、３−ジエチルアンモニウム
ブロミド−１−プロピル基、２−イソプロピルアンモニ
ウムクロリド−１−エチル基及び２−イソプロピルアン
モニウムブロミド−１−エチル基等が挙げられる。
【００１５】Ｍｅｔで表される２価の金属原子の例とし
ては、Ｃｕ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐ
ｄ，Ｐｔ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｂａ，Ｐ
ｂ，Ｓｎ等が挙げられ、３価の金属誘導体の例として
は、Ａｌ−Ｃｌ，Ａｌ−Ｂｒ，Ａｌ−Ｆ，Ａｌ−Ｉ，Ｇ
ａ−Ｃｌ，Ｇａ−Ｉ，Ｇａ−Ｂｒ，Ｉｎ−Ｃｌ，Ｉｎ−
Ｂｒ，Ｉｎ−Ｆ，Ｉｎ−Ｉ，Ｔｌ−Ｃｌ，Ｔｌ−Ｂｒ，
Ｔｌ−Ｆ，Ｔｌ−Ｉ，Ａｌ−Ｒ4，Ｉｎ−Ｒ4，Ｍｎ（Ｏ
Ｒ4）［Ｒ4はアルキル基、フェニル基及びその誘導体を
表す。］，Ｍｎ（ＯＨ），ＦｅＣｌ，ＲｕＣｌ等が挙げ
られる。４価の金属誘導体の例としては、ＳｉＣｌ2，
ＳｉＢｒ2，ＳｉＦ2，ＳｉＩ2，ＳｎＣｌ2，ＳｎＢ
ｒ2，ＳｎＦ2，ＳｎＩ2，ＴｉＣｌ2，ＴｉＢｒ2，Ｔｉ
Ｆ2，Ｓｉ（ＯＨ） 2，Ｍｎ（ＯＨ）2，Ｓｎ（ＯＨ）2，
Ｇｅ（ＯＨ）2，ＳｉＲ5 2，ＳｎＲ5 2，ＴｉＲ5 2，Ｇｅ
Ｒ5 2，Ｓｉ（ＯＲ5）2，Ｓｎ（ＯＲ5）2，Ｔｉ（Ｏ
Ｒ5）2，Ｇｅ（ＯＲ5）2，Ｓｎ（ＳＲ5）2，Ｇｅ（ＳＲ
5）2［Ｒ5はアルキル基、フェニル基及びその誘導体を
表す。］等が挙げられる。オキシ金属の例としては、Ｖ
Ｏ，ＭｎＯ，ＴｉＯなどが挙げられる。
ては、Ｃｕ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐ
ｄ，Ｐｔ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｂａ，Ｐ
ｂ，Ｓｎ等が挙げられ、３価の金属誘導体の例として
は、Ａｌ−Ｃｌ，Ａｌ−Ｂｒ，Ａｌ−Ｆ，Ａｌ−Ｉ，Ｇ
ａ−Ｃｌ，Ｇａ−Ｉ，Ｇａ−Ｂｒ，Ｉｎ−Ｃｌ，Ｉｎ−
Ｂｒ，Ｉｎ−Ｆ，Ｉｎ−Ｉ，Ｔｌ−Ｃｌ，Ｔｌ−Ｂｒ，
Ｔｌ−Ｆ，Ｔｌ−Ｉ，Ａｌ−Ｒ4，Ｉｎ−Ｒ4，Ｍｎ（Ｏ
Ｒ4）［Ｒ4はアルキル基、フェニル基及びその誘導体を
表す。］，Ｍｎ（ＯＨ），ＦｅＣｌ，ＲｕＣｌ等が挙げ
られる。４価の金属誘導体の例としては、ＳｉＣｌ2，
ＳｉＢｒ2，ＳｉＦ2，ＳｉＩ2，ＳｎＣｌ2，ＳｎＢ
ｒ2，ＳｎＦ2，ＳｎＩ2，ＴｉＣｌ2，ＴｉＢｒ2，Ｔｉ
Ｆ2，Ｓｉ（ＯＨ） 2，Ｍｎ（ＯＨ）2，Ｓｎ（ＯＨ）2，
Ｇｅ（ＯＨ）2，ＳｉＲ5 2，ＳｎＲ5 2，ＴｉＲ5 2，Ｇｅ
Ｒ5 2，Ｓｉ（ＯＲ5）2，Ｓｎ（ＯＲ5）2，Ｔｉ（Ｏ
Ｒ5）2，Ｇｅ（ＯＲ5）2，Ｓｎ（ＳＲ5）2，Ｇｅ（ＳＲ
5）2［Ｒ5はアルキル基、フェニル基及びその誘導体を
表す。］等が挙げられる。オキシ金属の例としては、Ｖ
Ｏ，ＭｎＯ，ＴｉＯなどが挙げられる。
【００１６】一般式（Ｉ）で表されるフタロシアニン化
合物の合成法としては、下式（IV）
合物の合成法としては、下式（IV）
【００１７】
【化７】 〔式（IV）中、Ｒ基は一般式（Ｉ）と同様の基を示
す。〕で表される化合物と、１，８−ジアザビシクロ
［５．４．０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）存在下に、
金属誘導体とアルコール中で加熱反応する。あるいは、
金属誘導体とクロロナフタレン、ブロモナフタレン、ト
リクロロベンゼン等の高沸点溶媒中で加熱反応する方法
が挙げられる。また、式（IV）で表される化合物を、ア
ルコール中、ナトリウムメチラートを触媒にアンモニア
と反応させて式（Ｖ）で表されるジイミノイソインドリ
ンを中間体として同様に反応させる方法等が挙げられ
る。
す。〕で表される化合物と、１，８−ジアザビシクロ
［５．４．０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）存在下に、
金属誘導体とアルコール中で加熱反応する。あるいは、
金属誘導体とクロロナフタレン、ブロモナフタレン、ト
リクロロベンゼン等の高沸点溶媒中で加熱反応する方法
が挙げられる。また、式（IV）で表される化合物を、ア
ルコール中、ナトリウムメチラートを触媒にアンモニア
と反応させて式（Ｖ）で表されるジイミノイソインドリ
ンを中間体として同様に反応させる方法等が挙げられ
る。
【００１８】
【化８】 〔式（Ｖ）中、Ｒ基は一般式（Ｉ）と同様の基を示
す。〕式（IV）で表される化合物の合成は、特開昭61-1
86384号公報（米国特許第4,769,307号）、NOUVEAU JOUR
NAL DE CHIMIE, VOL.6, NO.12, pp653-58, (1982)に記
載の方法にて製造できる。すなわち、アミノアルコール
を水素化ナトリウムにて、ナトリウムアルコキシドと
し、続いて、３−ニトロフタロニトリルと０〜１００℃
で反応させて目的の式（IV）の化合物を得る。ここで、
原料として用いた３−ニトロフタロニトリルは、例え
ば、東京化成（株）等より入手できる。
す。〕式（IV）で表される化合物の合成は、特開昭61-1
86384号公報（米国特許第4,769,307号）、NOUVEAU JOUR
NAL DE CHIMIE, VOL.6, NO.12, pp653-58, (1982)に記
載の方法にて製造できる。すなわち、アミノアルコール
を水素化ナトリウムにて、ナトリウムアルコキシドと
し、続いて、３−ニトロフタロニトリルと０〜１００℃
で反応させて目的の式（IV）の化合物を得る。ここで、
原料として用いた３−ニトロフタロニトリルは、例え
ば、東京化成（株）等より入手できる。
【００１９】ハロゲン化フタロシアニンの合成は、上記
方法で得られたフタロシアニン化合物を、有機溶媒中あ
るいは水との混合溶媒中、２０〜９０℃で塩素、臭素等
のハロゲン化剤と反応させることにより行うことができ
る。
方法で得られたフタロシアニン化合物を、有機溶媒中あ
るいは水との混合溶媒中、２０〜９０℃で塩素、臭素等
のハロゲン化剤と反応させることにより行うことができ
る。
【００２０】一般式（II）の基Ｒ’の１から４が４級ア
ンモニウム塩であるフタロシアニン化合物は、上記のハ
ロゲン化中、副生するハロゲン化水素により必然的に合
成される。４級アンモニウム塩を含まないハロゲン化フ
タロシアニン（以下、フリーのハロゲン化フタロシアニ
ンと称す）は、この４級アンモニウム塩を含むハロゲン
化フタロシアニンを中和することにより得られる。
ンモニウム塩であるフタロシアニン化合物は、上記のハ
ロゲン化中、副生するハロゲン化水素により必然的に合
成される。４級アンモニウム塩を含まないハロゲン化フ
タロシアニン（以下、フリーのハロゲン化フタロシアニ
ンと称す）は、この４級アンモニウム塩を含むハロゲン
化フタロシアニンを中和することにより得られる。
【００２１】ハロゲン原子としては、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，
Ｉ等が挙げられ、好ましくはＢｒである。
Ｉ等が挙げられ、好ましくはＢｒである。
【００２２】本発明のフタロシアニンを用いて光り記録
媒体を製造する方法としては、透明基板上に本発明のフ
タロシアニンを含む１〜３種の化合物を１層または２層
に塗布あるいは蒸着する方法がある。塗布法としては、
バインダー樹脂２０重量％以下、好ましくは０％と、本
発明のフタロシアニン０．０５〜２０重量％、好ましく
は０．５〜２０重量％となるように溶剤に溶解し、スピ
ンコーターで塗布する方法等がある。また、蒸着法とし
ては、１０-5〜１０-7ｔｏｒｒ、１００〜３００℃にて
基板上に堆積させる方法等がある。
媒体を製造する方法としては、透明基板上に本発明のフ
タロシアニンを含む１〜３種の化合物を１層または２層
に塗布あるいは蒸着する方法がある。塗布法としては、
バインダー樹脂２０重量％以下、好ましくは０％と、本
発明のフタロシアニン０．０５〜２０重量％、好ましく
は０．５〜２０重量％となるように溶剤に溶解し、スピ
ンコーターで塗布する方法等がある。また、蒸着法とし
ては、１０-5〜１０-7ｔｏｒｒ、１００〜３００℃にて
基板上に堆積させる方法等がある。
【００２３】基板としては、光学的に透明な樹脂であれ
ばよく、例えば、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、塩
化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリカーボネート
樹脂、エチレン樹脂、ポリオレフィン共重合樹脂、塩化
ビニル共重合樹脂、塩化ビニリデン共重合樹脂、スチレ
ン共重合樹脂等が挙げられる。
ばよく、例えば、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、塩
化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリカーボネート
樹脂、エチレン樹脂、ポリオレフィン共重合樹脂、塩化
ビニル共重合樹脂、塩化ビニリデン共重合樹脂、スチレ
ン共重合樹脂等が挙げられる。
【００２４】また、基板は熱硬化性樹脂または紫外線硬
化性樹脂により表面処理が成されていても良い。
化性樹脂により表面処理が成されていても良い。
【００２５】光記録媒体（光ディスク、光カード等）を
作製する場合、コストの面、ユーザーの取扱い面より、
基板はアクリル樹脂またはポリカーボネート樹脂からな
る基板を用い、且つ、スピンコート法により塗布される
のが好ましい。
作製する場合、コストの面、ユーザーの取扱い面より、
基板はアクリル樹脂またはポリカーボネート樹脂からな
る基板を用い、且つ、スピンコート法により塗布される
のが好ましい。
【００２６】基板の耐溶剤性より、スピンコート法に用
いる溶剤は、ハロゲン化炭化水素（例えば、ジクロロメ
タン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエチレ
ン、ジクロロジフルオロエタン等）、エーテル類（例え
ば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジプロピ
ルエーテル、ジブチルエーテル、ジオキサン等）、アル
コール類（例えば、メタノール、エタノール、プロパノ
ール等）、セロソルブ類（例えば、メチルセロソルブ、
エチルセロソルブ等）、炭化水素類（例えば、ヘキサ
ン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、シクロオ
クタン、ジメチルシクロヘキサン、オクタン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等）が好適に用いられる。
いる溶剤は、ハロゲン化炭化水素（例えば、ジクロロメ
タン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエチレ
ン、ジクロロジフルオロエタン等）、エーテル類（例え
ば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジプロピ
ルエーテル、ジブチルエーテル、ジオキサン等）、アル
コール類（例えば、メタノール、エタノール、プロパノ
ール等）、セロソルブ類（例えば、メチルセロソルブ、
エチルセロソルブ等）、炭化水素類（例えば、ヘキサ
ン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、シクロオ
クタン、ジメチルシクロヘキサン、オクタン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等）が好適に用いられる。
【００２７】記録媒体として加工するには、上記のよう
に基板で覆う、あるいは２枚の記録層を設けた基板に、
エアーギャップを設けて対向させて張り合わせる、また
は、記録層上に反射層（アルミニウムまたは金）を設
け、熱硬化性（あるいは光硬化性）樹脂の保護層を積層
する方法などがある。
に基板で覆う、あるいは２枚の記録層を設けた基板に、
エアーギャップを設けて対向させて張り合わせる、また
は、記録層上に反射層（アルミニウムまたは金）を設
け、熱硬化性（あるいは光硬化性）樹脂の保護層を積層
する方法などがある。
【００２８】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明の実施の態様はこれらにより限定されるも
のではない。
るが、本発明の実施の態様はこれらにより限定されるも
のではない。
【００２９】実施例１ 攪拌器、還流冷却器及び窒素導入管を備えた容器に下記
式（VI）
式（VI）
【００３０】
【化９】 の３−（１’−ｎ−ブトキシメチル−２’−ジイソブチ
ルアミノ−１’−エトキシ）フタロニトリル３８．５ｇ
（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）及び
ｎ−アミルアルコール１２５ｇを装入し、窒素雰囲気下
で、１１０℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化パラ
ジウム５．３ｇ（０．０３モル）を添加し、１１０〜１
２０℃で８時間反応させた。
ルアミノ−１’−エトキシ）フタロニトリル３８．５ｇ
（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）及び
ｎ−アミルアルコール１２５ｇを装入し、窒素雰囲気下
で、１１０℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化パラ
ジウム５．３ｇ（０．０３モル）を添加し、１１０〜１
２０℃で８時間反応させた。
【００３１】反応終了後、冷却し、不溶物を濾過して除
去した。濾液を減圧濃縮した後、カラム精製（シリカゲ
ル５００ｇ、溶媒トルエン）して、目的とするフタロシ
アニンパラジウム化合物の濃緑色オイル状物を得た。収
量は２５．０ｇ（収率６１％）であった。高速液体クロ
マトグラフィーによる純度測定の結果は９９．０％であ
った。
去した。濾液を減圧濃縮した後、カラム精製（シリカゲ
ル５００ｇ、溶媒トルエン）して、目的とするフタロシ
アニンパラジウム化合物の濃緑色オイル状物を得た。収
量は２５．０ｇ（収率６１％）であった。高速液体クロ
マトグラフィーによる純度測定の結果は９９．０％であ
った。
【００３２】上記フタロシアニン化合物９．９ｇ（０．
００６モル）及び、１，１，２−トリクロロエタン４０
ｇを前記同様の容器に装入し、フタロシアニン化合物を
溶解させた後、水２０ｇを加え５０℃まで昇温し、これ
に、臭素３．８ｇ（０．０２４モル）を１０分で滴下
し、５０℃で５時間反応させた。反応終了後、１５％亜
硫酸水素ナトリウム水溶液２０ｇを加え洗浄し、水層を
分液した。有機層を減圧濃縮後、カラム精製（シリカゲ
ル１００ｇ、溶媒クロロホルム）して緑色結晶の置換基
に臭素化水素の配位した４級アンモニウム塩を有する臭
素化フタロシアニン化合物９．８ｇ（収率８２％）を得
た。液体クロマトグラフィーでの純度測定は９８％であ
った。
００６モル）及び、１，１，２−トリクロロエタン４０
ｇを前記同様の容器に装入し、フタロシアニン化合物を
溶解させた後、水２０ｇを加え５０℃まで昇温し、これ
に、臭素３．８ｇ（０．０２４モル）を１０分で滴下
し、５０℃で５時間反応させた。反応終了後、１５％亜
硫酸水素ナトリウム水溶液２０ｇを加え洗浄し、水層を
分液した。有機層を減圧濃縮後、カラム精製（シリカゲ
ル１００ｇ、溶媒クロロホルム）して緑色結晶の置換基
に臭素化水素の配位した４級アンモニウム塩を有する臭
素化フタロシアニン化合物９．８ｇ（収率８２％）を得
た。液体クロマトグラフィーでの純度測定は９８％であ
った。
【００３３】この臭素化フタロシアニン化合物５ｇをメ
タノール２００ｇに溶解後、１０％水酸化ナトリウム水
溶液で中和すると結晶が析出してくる。結晶を濾過洗浄
後、乾燥して、フリーの臭素化フタロシアニン化合物を
得た。それぞれの元素分析の結果から、４級アンモニウ
ム塩を有する臭素化フタロシアニン化合物は、置換基の
１．０個分が臭化水素の配位した４級アンモニウム塩
で、フタロシアニン核のベンゼン環に３．５個の臭素原
子が置換した化合物であり、フリーの臭素化フタロシア
ニン化合物はフタロシアニン核のベンゼン環に３．５個
の臭素原子が置換した化合物であった。４級アンモニウ
ム塩を有する臭素化フタロシアニン化合物の可視吸光ス
ペクトル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
タノール２００ｇに溶解後、１０％水酸化ナトリウム水
溶液で中和すると結晶が析出してくる。結晶を濾過洗浄
後、乾燥して、フリーの臭素化フタロシアニン化合物を
得た。それぞれの元素分析の結果から、４級アンモニウ
ム塩を有する臭素化フタロシアニン化合物は、置換基の
１．０個分が臭化水素の配位した４級アンモニウム塩
で、フタロシアニン核のベンゼン環に３．５個の臭素原
子が置換した化合物であり、フリーの臭素化フタロシア
ニン化合物はフタロシアニン核のベンゼン環に３．５個
の臭素原子が置換した化合物であった。４級アンモニウ
ム塩を有する臭素化フタロシアニン化合物の可視吸光ス
ペクトル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
【００３４】可視吸収：λmax＝７０５．０ｎｍ εg＝１．５×１０5ｍｌ／ｇ．Ｃｍ（溶媒：クロロホル
ム） 元素分析：Ｃ92Ｈ137.5Ｎ12Ｏ8Ｐｄ Ｂｒ4.5
ム） 元素分析：Ｃ92Ｈ137.5Ｎ12Ｏ8Ｐｄ Ｂｒ4.5
【００３５】
【表１】 フリーの臭素化フタロシアニン化合物の可視吸光スペク
トル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
トル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
【００３６】可視吸収：λmax＝７０４．５ｎｍ εg＝１．６×１０5ｍｌ／ｇ．Ｃｍ（溶媒：クロロホル
ム） 元素分析：Ｃ92Ｈ136.5Ｎ12Ｏ8Ｐｄ Ｂｒ3.5
ム） 元素分析：Ｃ92Ｈ136.5Ｎ12Ｏ8Ｐｄ Ｂｒ3.5
【００３７】
【表２】 上記の４級アンモニウム塩を有する臭素化フタロシアニ
ン化合物をメタノールに溶解し（１０ｇ／ｌ）、基板に
スピンコートして光記録媒体を作製した。反射率は７０
％（ａｔ７８０〜８３０ｎｍ）であり、波長７８５ｎｍ
のレーザーを用いて、線速１．３ｍ／ｓでＥＦＭ信号を
書き込んだ時のエラーレートは１０未満で良好であっ
た。また、０．５ｍＷの再生光で百万回再生を行っても
変化がなかった。
ン化合物をメタノールに溶解し（１０ｇ／ｌ）、基板に
スピンコートして光記録媒体を作製した。反射率は７０
％（ａｔ７８０〜８３０ｎｍ）であり、波長７８５ｎｍ
のレーザーを用いて、線速１．３ｍ／ｓでＥＦＭ信号を
書き込んだ時のエラーレートは１０未満で良好であっ
た。また、０．５ｍＷの再生光で百万回再生を行っても
変化がなかった。
【００３８】また、フリーの臭素化フタロシアニン化合
物をジブチルエーテル（１０ｇ／ｌ）に溶解した溶液を
ポリカーボネート基板に塗布し、金を反射層とした光デ
ィスクを作製した。この光ディスクの反射率は７４％
（ａｔ７８０〜８３０ｎｍ）であり、波長７８５ｎｍの
レーザーを用いて、線速１．３ｍ／ｓでＥＦＭ信号を書
き込んだ時のエラーレートは１０未満で良好であった。
また、線速２ｍ／ｓ、０．８ｍＷのレーザー光により再
生可能で、再生光安定性を調べたところ、１０5回の再
生が可能であった。
物をジブチルエーテル（１０ｇ／ｌ）に溶解した溶液を
ポリカーボネート基板に塗布し、金を反射層とした光デ
ィスクを作製した。この光ディスクの反射率は７４％
（ａｔ７８０〜８３０ｎｍ）であり、波長７８５ｎｍの
レーザーを用いて、線速１．３ｍ／ｓでＥＦＭ信号を書
き込んだ時のエラーレートは１０未満で良好であった。
また、線速２ｍ／ｓ、０．８ｍＷのレーザー光により再
生可能で、再生光安定性を調べたところ、１０5回の再
生が可能であった。
【００３９】実施例２ 実施例１と同様の容器に下記式（VII）
【００４０】
【化１０】 の３−（１’−イソプロポキシメチル−２’−ジエチル
アミノ−１’−エトキシ）フタロニトリル３１．５ｇ
（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）及び
ｎ−アミルアルコール１２０ｇを装入し、窒素雰囲気下
で、１１０℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化パラ
ジウム５．３ｇ（０．０３モル）を添加し、１２０℃で
１０時間反応させた。
アミノ−１’−エトキシ）フタロニトリル３１．５ｇ
（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）及び
ｎ−アミルアルコール１２０ｇを装入し、窒素雰囲気下
で、１１０℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化パラ
ジウム５．３ｇ（０．０３モル）を添加し、１２０℃で
１０時間反応させた。
【００４１】反応終了後、冷却し、不溶物を濾過して除
去した。濾液を減圧濃縮した後、カラム精製（シリカゲ
ル３００ｇ、溶媒：トルエン）して、目的とするフタロ
シアニンパラジウム化合物の濃緑色オイル状物を得た。
収量は１９．５ｇ（収率５７．１％）であった。高速液
体クロマトグラフィーによる純度測定の結果は９９．９
％であった。
去した。濾液を減圧濃縮した後、カラム精製（シリカゲ
ル３００ｇ、溶媒：トルエン）して、目的とするフタロ
シアニンパラジウム化合物の濃緑色オイル状物を得た。
収量は１９．５ｇ（収率５７．１％）であった。高速液
体クロマトグラフィーによる純度測定の結果は９９．９
％であった。
【００４２】上記フタロシアニン化合物８．２ｇ（０．
００６モル）及び、１，１，２−トリクロロエタン４０
ｇを前記同様の容器に装入し、フタロシアニン化合物を
溶解後、水２０ｇを加え５０℃まで昇温し、これに、臭
素３．８ｇ（０．０２４モル）を１０分で滴下し、５０
℃で５時間反応させた。反応終了後、１５％亜硫酸水素
ナトリウム水溶液２０ｇを加え洗浄し、水層を分液し
た。有機層を減圧濃縮後、カラム精製（シリカゲル１０
０ｇ、溶媒クロロホルム）して緑色結晶の置換基に臭素
化水素の配位した４級アンモニウム塩を有する臭素化フ
タロシアニン化合物９．０ｇ（収率８５％）を得た。液
体クロマトグラフィーでの純度測定は９８％であった。
００６モル）及び、１，１，２−トリクロロエタン４０
ｇを前記同様の容器に装入し、フタロシアニン化合物を
溶解後、水２０ｇを加え５０℃まで昇温し、これに、臭
素３．８ｇ（０．０２４モル）を１０分で滴下し、５０
℃で５時間反応させた。反応終了後、１５％亜硫酸水素
ナトリウム水溶液２０ｇを加え洗浄し、水層を分液し
た。有機層を減圧濃縮後、カラム精製（シリカゲル１０
０ｇ、溶媒クロロホルム）して緑色結晶の置換基に臭素
化水素の配位した４級アンモニウム塩を有する臭素化フ
タロシアニン化合物９．０ｇ（収率８５％）を得た。液
体クロマトグラフィーでの純度測定は９８％であった。
【００４３】この臭素化フタロシアニン化合物５ｇをメ
タノール２００ｇに溶解後、１０％水酸化ナトリウム水
溶液で中和すると結晶が析出してくる。結晶を濾過洗浄
後、乾燥して、フリーの臭素化フタロシアニン化合物を
得た。それぞれの元素分析の結果から、４級アンモニウ
ム塩を有する臭素化フタロシアニン化合物は、置換基の
１．５個分が臭化水素の配位した４級アンモニウム塩
で、フタロシアニン核のベンゼン環に３．５個の臭素原
子が置換した化合物であり、フリーの臭素化フタロシア
ニン化合物はフタロシアニン核のベンゼン環に３．５個
の臭素原子が置換した化合物であった。４級アンモニウ
ム塩を有する臭素化フタロシアニン化合物の可視吸光ス
ペクトル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
タノール２００ｇに溶解後、１０％水酸化ナトリウム水
溶液で中和すると結晶が析出してくる。結晶を濾過洗浄
後、乾燥して、フリーの臭素化フタロシアニン化合物を
得た。それぞれの元素分析の結果から、４級アンモニウ
ム塩を有する臭素化フタロシアニン化合物は、置換基の
１．５個分が臭化水素の配位した４級アンモニウム塩
で、フタロシアニン核のベンゼン環に３．５個の臭素原
子が置換した化合物であり、フリーの臭素化フタロシア
ニン化合物はフタロシアニン核のベンゼン環に３．５個
の臭素原子が置換した化合物であった。４級アンモニウ
ム塩を有する臭素化フタロシアニン化合物の可視吸光ス
ペクトル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
【００４４】可視吸収：λmax＝７０６．５ｎｍ εg＝１．５×１０5ｍｌ／ｇ．Ｃｍ（溶媒：クロロホル
ム） 元素分析：Ｃ72Ｈ98Ｎ12Ｏ8Ｐｄ Ｂｒ5
ム） 元素分析：Ｃ72Ｈ98Ｎ12Ｏ8Ｐｄ Ｂｒ5
【００４５】
【表３】 フリーの臭素化フタロシアニン化合物の可視吸光スペク
トル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
トル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
【００４６】可視吸収：λmax＝７０６．０ｎｍ εg＝１．６×１０5ｍｌ／ｇ．Ｃｍ（溶媒：クロロホル
ム） 元素分析：Ｃ72Ｈ96.5Ｎ12Ｏ8Ｐｄ Ｂｒ3.5
ム） 元素分析：Ｃ72Ｈ96.5Ｎ12Ｏ8Ｐｄ Ｂｒ3.5
【００４７】
【表４】 上記の４級アンモニウム塩を有する臭素化フタロシアニ
ン化合物をメタノールに溶解し（１０ｇ／ｌ）、基板に
スピンコートして光記録媒体を作製した。反射率は７０
％（ａｔ７８０〜８３０ｎｍ）であり、波長７８５ｎｍ
のレーザーを用いて、線速１．３ｍ／ｓでＥＦＭ信号を
書き込んだ時のエラーレートは１０未満で良好であっ
た。また、０．５ｍＷの再生光で百万回再生を行っても
変化がなかった。
ン化合物をメタノールに溶解し（１０ｇ／ｌ）、基板に
スピンコートして光記録媒体を作製した。反射率は７０
％（ａｔ７８０〜８３０ｎｍ）であり、波長７８５ｎｍ
のレーザーを用いて、線速１．３ｍ／ｓでＥＦＭ信号を
書き込んだ時のエラーレートは１０未満で良好であっ
た。また、０．５ｍＷの再生光で百万回再生を行っても
変化がなかった。
【００４８】また、フリーの臭素化フタロシアニン化合
物１ｇをｎ−オクタン１００ｇに溶解した溶液をポリカ
ーボネート基板上に塗布し、金を反射層とした光ディス
クを作製した。この光ディスクの反射率は７４％（ａｔ
７８０〜８３０ｎｍ）であり、波長７８５ｎｍのレーザ
ーを用いて、線速１．３ｍ／ｓでＥＦＭ信号を書き込ん
だ時のエラーレートは１０未満で良好であった。また、
線速２ｍ／ｓ、０．８ｍＷのレーザー光により再生可能
で、再生光安定性を調べたところ、１０5回の再生が可
能であった。
物１ｇをｎ−オクタン１００ｇに溶解した溶液をポリカ
ーボネート基板上に塗布し、金を反射層とした光ディス
クを作製した。この光ディスクの反射率は７４％（ａｔ
７８０〜８３０ｎｍ）であり、波長７８５ｎｍのレーザ
ーを用いて、線速１．３ｍ／ｓでＥＦＭ信号を書き込ん
だ時のエラーレートは１０未満で良好であった。また、
線速２ｍ／ｓ、０．８ｍＷのレーザー光により再生可能
で、再生光安定性を調べたところ、１０5回の再生が可
能であった。
【００４９】実施例３ 実施例１と同様の容器に前記式（VI）の３−（１’−ｎ
−ブトキシメチル−２’−ジイソブチルアミノ−１’−
エトキシ）フタロニトリル３８．５ｇ（０．１モル）、
ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）及びｎ−アミルアルコ
ール１２５ｇを装入し、窒素雰囲気下で、１１０℃まで
昇温させた。次に、同温度で塩化銅３．０ｇ（０．０３
モル）を添加し、１２０℃で１０時間反応させた。
−ブトキシメチル−２’−ジイソブチルアミノ−１’−
エトキシ）フタロニトリル３８．５ｇ（０．１モル）、
ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）及びｎ−アミルアルコ
ール１２５ｇを装入し、窒素雰囲気下で、１１０℃まで
昇温させた。次に、同温度で塩化銅３．０ｇ（０．０３
モル）を添加し、１２０℃で１０時間反応させた。
【００５０】反応終了後、冷却し、不溶物を濾過して除
去した。濾液を減圧濃縮した後、カラム精製（シリカゲ
ル５００ｇ、溶媒：クロロホルム）して、目的とするフ
タロシアニン銅化合物の青緑色オイル状物を得た。収量
は２８ｇ（収率６８．８％）であった。
去した。濾液を減圧濃縮した後、カラム精製（シリカゲ
ル５００ｇ、溶媒：クロロホルム）して、目的とするフ
タロシアニン銅化合物の青緑色オイル状物を得た。収量
は２８ｇ（収率６８．８％）であった。
【００５１】上記フタロシアニン化合物９．６ｇ（０．
００６モル）及び、１，１，２−トリクロロエタン４０
ｇを前記同様の容器に装入し、フタロシアニン化合物を
溶解後、水２０ｇを加え５０℃まで昇温し、これに、臭
素２．９ｇ（０．０１８モル）を１０分で滴下し、５０
℃で５時間反応させた。反応終了後、１５％亜硫酸水素
ナトリウム水溶液２０ｇを加え洗浄し、水層を分液し
た。有機層を減圧濃縮後、カラム精製（シリカゲル１０
０ｇ、溶媒クロロホルム）して緑色結晶の置換基に臭素
化水素の配位した４級アンモニウム塩を有する臭素化フ
タロシアニン化合物８．５ｇ（収率７５％）を得た。液
体クロマトグラフィーでの純度測定は９９％であった。
００６モル）及び、１，１，２−トリクロロエタン４０
ｇを前記同様の容器に装入し、フタロシアニン化合物を
溶解後、水２０ｇを加え５０℃まで昇温し、これに、臭
素２．９ｇ（０．０１８モル）を１０分で滴下し、５０
℃で５時間反応させた。反応終了後、１５％亜硫酸水素
ナトリウム水溶液２０ｇを加え洗浄し、水層を分液し
た。有機層を減圧濃縮後、カラム精製（シリカゲル１０
０ｇ、溶媒クロロホルム）して緑色結晶の置換基に臭素
化水素の配位した４級アンモニウム塩を有する臭素化フ
タロシアニン化合物８．５ｇ（収率７５％）を得た。液
体クロマトグラフィーでの純度測定は９９％であった。
【００５２】この臭素化フタロシアニン化合物５ｇをメ
タノール２００ｇに溶解後、１０％水酸化ナトリウム水
溶液で中和すると結晶が析出してくる。結晶を濾過洗浄
後、乾燥して、フリーの臭素化フタロシアニン化合物を
得た。それぞれの元素分析の結果から、４級アンモニウ
ム塩を有する臭素化フタロシアニン化合物は、置換基の
１．３個分が臭化水素の配位した４級アンモニウム塩
で、フタロシアニン核のベンゼン環に２．２個の臭素原
子が置換した化合物であり、フリーの臭素化フタロシア
ニン化合物はフタロシアニン核のベンゼン環に２．２個
の臭素原子が置換した化合物であった。４級アンモニウ
ム塩を有する臭素化フタロシアニン化合物の可視吸光ス
ペクトル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
タノール２００ｇに溶解後、１０％水酸化ナトリウム水
溶液で中和すると結晶が析出してくる。結晶を濾過洗浄
後、乾燥して、フリーの臭素化フタロシアニン化合物を
得た。それぞれの元素分析の結果から、４級アンモニウ
ム塩を有する臭素化フタロシアニン化合物は、置換基の
１．３個分が臭化水素の配位した４級アンモニウム塩
で、フタロシアニン核のベンゼン環に２．２個の臭素原
子が置換した化合物であり、フリーの臭素化フタロシア
ニン化合物はフタロシアニン核のベンゼン環に２．２個
の臭素原子が置換した化合物であった。４級アンモニウ
ム塩を有する臭素化フタロシアニン化合物の可視吸光ス
ペクトル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
【００５３】可視吸収：λmax＝７１２．５ｎｍ εg＝１．６×１０5ｍｌ／ｇ．Ｃｍ（溶媒：クロロホル
ム） 元素分析：Ｃ92Ｈ139.1Ｎ12Ｏ8Ｃｕ Ｂｒ3.5
ム） 元素分析：Ｃ92Ｈ139.1Ｎ12Ｏ8Ｃｕ Ｂｒ3.5
【００５４】
【表５】 フリーの臭素化フタロシアニン化合物の可視吸光スペク
トル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
トル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
【００５５】可視吸収：λmax＝７１２．０ｎｍ εg＝１．６×１０5ｍｌ／ｇ．Ｃｍ（溶媒：クロロホル
ム） 元素分析：Ｃ92Ｈ137.8Ｎ12Ｏ8Ｃｕ Ｂｒ2.2
ム） 元素分析：Ｃ92Ｈ137.8Ｎ12Ｏ8Ｃｕ Ｂｒ2.2
【００５６】
【表６】 上記の４級アンモニウム塩を有する臭素化フタロシアニ
ン化合物をメタノールに溶解し（１０ｇ／ｌ）、基板に
スピンコートして光記録媒体を作製した。反射率は６７
％（ａｔ７８０〜８３０ｎｍ）であり、波長７８５ｎｍ
のレーザーを用いて、線速１．３ｍ／ｓでＥＦＭ信号を
書き込んだ時のエラーレートは１０未満で良好であっ
た。ＣＮ比６０ｄＢで感度も良好であった。
ン化合物をメタノールに溶解し（１０ｇ／ｌ）、基板に
スピンコートして光記録媒体を作製した。反射率は６７
％（ａｔ７８０〜８３０ｎｍ）であり、波長７８５ｎｍ
のレーザーを用いて、線速１．３ｍ／ｓでＥＦＭ信号を
書き込んだ時のエラーレートは１０未満で良好であっ
た。ＣＮ比６０ｄＢで感度も良好であった。
【００５７】また、フリーの臭素化フタロシアニン化合
物１ｇをｎ−オクタン１００ｇに溶解した溶液をポリカ
ーボネート基板上に塗布し、塗布面に保護層を設けて光
カードを作製した。この光カードは、線速２ｍ／ｓ、４
ｍＷの半導体レーザー光により記録することが可能で、
その際のＣＮ比は５５ｄＢであった。また、線速２ｍ／
ｓ、０．８ｍＷのレーザー光により再生可能で、さらに
この光カードは保存安定性も良好であった。
物１ｇをｎ−オクタン１００ｇに溶解した溶液をポリカ
ーボネート基板上に塗布し、塗布面に保護層を設けて光
カードを作製した。この光カードは、線速２ｍ／ｓ、４
ｍＷの半導体レーザー光により記録することが可能で、
その際のＣＮ比は５５ｄＢであった。また、線速２ｍ／
ｓ、０．８ｍＷのレーザー光により再生可能で、さらに
この光カードは保存安定性も良好であった。
【００５８】比較例１ 特開平３−６２８７８号公報記載、実施例９９の下記構
造式の化合物
造式の化合物
【００５９】
【化１１】 １ｇをメチルシクロヘキサン１００ｇに溶解し、ポリカ
ーボネート基板上にスピンコートして光ディスクを作製
した。この光ディスクの反射率は７０％（ａｔ７８０〜
８３０ｎｍ）であり、波長７８５ｎｍのレーザーを用い
て、線速１．３ｍ／ｓでＥＦＭ信号を書き込んだ時のエ
ラーレートは３５であった。
ーボネート基板上にスピンコートして光ディスクを作製
した。この光ディスクの反射率は７０％（ａｔ７８０〜
８３０ｎｍ）であり、波長７８５ｎｍのレーザーを用い
て、線速１．３ｍ／ｓでＥＦＭ信号を書き込んだ時のエ
ラーレートは３５であった。
【００６０】
【発明の効果】本発明のフタロシアニン化合物は、その
分子中のアルコキシル基、特にアミノアルキル基の効果
により、これを用いた光記録媒体においては、反射率が
高く、感度、記録特性においても優れた性能を有し、且
つ、再生光安定性、保存安定性共に優れ長期にわたる使
用が可能である。また、有機溶剤への溶解性、樹脂との
相溶性が良好な化合物であり、塗布法により容易に光記
録媒体の大量生産が可能となる。
分子中のアルコキシル基、特にアミノアルキル基の効果
により、これを用いた光記録媒体においては、反射率が
高く、感度、記録特性においても優れた性能を有し、且
つ、再生光安定性、保存安定性共に優れ長期にわたる使
用が可能である。また、有機溶剤への溶解性、樹脂との
相溶性が良好な化合物であり、塗布法により容易に光記
録媒体の大量生産が可能となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小口 貴久 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 梅原 英樹 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 伊藤 尚登 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 下記一般式（Ｉ） 【化１】 〔式（Ｉ）中、Ｒ基は、炭素数２から２０の直鎖または
分岐したアミノアルキル基、アルキルアミノアルキル
基、ジアルキルアミノアルキル基、アミノアルコキシア
ルキル基、アルキルアミノアルコキシアルキル基あるい
はジアルキルアミノアルコキシアルキル基であり、ＯＲ
基の置換位置は１または４位、５または８位、９または
１２位、１３または１６位である。Ｍｅｔは、２価の金
属原子、３価または４価の金属誘導体またはオキシ金属
を表す。Ｘはハロゲン原子を表し、ｎはＸの置換数を表
すもので０から４である。〕で表されるフタロシアニン
化合物。 - 【請求項２】 請求項１に記載のフタロシアニン化合物
を記録層に含有してなる光記録媒体。 - 【請求項３】 下記一般式（II） 【化２】 ｛式（II）中、Ｒ’基の１から４個が下記式（III） 【化３】 〔式（III）中、Ａはアルキル基またはアルコキシアル
キル基である連結基を表し、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立
に水素原子あるいは炭素数１から８の直鎖または分岐の
アルキル基を表し、Ｙはハロゲン原子を表す。〕で表さ
れる４級アンモニウム塩であり、残りの基が炭素数２か
ら２０の直鎖または分岐したアミノアルキル基、アルキ
ルアミノアルキル基、ジアルキルアミノアルキル基、ア
ミノアルコキシアルキル基、アルキルアミノアルコキシ
アルキル基あるいはジアルキルアミノアルコキシアルキ
ル基であり、ＯＲ’基の置換位置は１または４位、５ま
たは８位、９または１２位、１３または１６位である。
Ｍｅｔは、２価の金属原子、３価または４価の金属誘導
体またはオキシ金属を表す。Ｘはハロゲン原子を表し、
ｎはＸの置換数を表すもので０から４である。｝で表さ
れるフタロシアニン化合物。 - 【請求項４】 請求項３に記載のフタロシアニン化合物
を記録層に含有してなる光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5013506A JPH06228532A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | フタロシアニン化合物及びそれを用いた光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5013506A JPH06228532A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | フタロシアニン化合物及びそれを用いた光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06228532A true JPH06228532A (ja) | 1994-08-16 |
Family
ID=11835029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5013506A Pending JPH06228532A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | フタロシアニン化合物及びそれを用いた光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06228532A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113161494A (zh) * | 2021-04-23 | 2021-07-23 | 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司 | 光电人工突触的制备方法以及光电人工突触 |
-
1993
- 1993-01-29 JP JP5013506A patent/JPH06228532A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113161494A (zh) * | 2021-04-23 | 2021-07-23 | 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司 | 光电人工突触的制备方法以及光电人工突触 |
| CN113161494B (zh) * | 2021-04-23 | 2023-12-26 | 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司 | 光电人工突触的制备方法以及光电人工突触 |
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