JP3704176B2 - フタロシアニン化合物及びそれを含有してなる光記録媒体 - Google Patents

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、新規な光ディスク用記録材料、情報記録、表示センサー、保護眼鏡等のオプトエレクトロニクス関連に重要な役割を果たす近赤外線吸収剤として有用な化合物と、それを記録層に含有して形成される光ディスク及び光カード等の光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ディスク、光カ−ド装置等における書き込み及び読み取りのためにレーザー光が利用されている。特にこれらの装置で用いられる光記録媒体の記録方式は、実用レベルとしては通常、光・熱変換を経たヒートモード記録（熱記録）が採用されており、そのために記録層としては低融点金属、有機高分子、さらには融解、蒸発、分解、あるいは昇華等の物理変化または化学変化を起こす有機色素が種々提案されている。なかでも融解、分解等の温度が低い有機色素系は記録感度上好ましいことから、シアニン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、アゾ系色素などを中心に記録層として開発されてきている。
【０００３】
例えば、特開平2-147286号公報において、記録層にシアニン系色素を含む光記録媒体が提案されている。しかしながら、この媒体系は長期保存性および耐光性に劣り、さらには記録特性も不十分であった。
【０００４】
アントラキノン色素（例えば、特開昭58-224448号公報）、ナフトキノン色素（例えば、特開昭58-224793号公報）を記録層に含む光記録媒体も提案されているが、いずれもシアニン系色素と同様に長期保存性および耐光性に劣り、さらには記録特性も不十分であった。
【０００５】
特開昭61-25886号公報、特開平2-43269号公報(USP4960538)、特開平2-296885号公報等においては、記録層にナフタロシアニン色素を含む光記録媒体が提案されている。この媒体系では、耐光性は優れるが、記録層の反射率が低く、記録特性も不十分であった。
【０００６】
また、光記録媒体の記録層に、フタロシアニン色素、特にアルコキシ置換フタロシアニンを利用する技術は、特開昭61-154888号公報(EP186404)、同61-197280号公報、同61-246091号公報、同62-39286号公報(USP4769307)、同63-37991号公報、同63-39388号公報、特表平2-502099号公報等により広く知られている。これらの特許に開示されているフタロシアニン色素を用いた光記録媒体においては、感度、記録特性において十分な性能を有しているとは言い難かった。それを改良したのが特開平3-62878号公報(USP5124067)であるが、その改良化合物においても、レーザー光による高速記録及び高密度記録時の誤差が大きく未だ実用上十分ではなかった。
【０００７】
特開平2-43269号公報(USP4960538)及び特開平2-296885号公報においてアルコキシ置換ナフタロシアニン、特開昭63-37991号公報において脂肪族炭化水素オキシ置換フタロシアニン、特開昭63-39388号公報においてはアルケニルチオ置換フタロシアニンの、光記録媒体への利用を提案しているが、感度、記録特性に効果があるということは記載されていない。
【０００８】
尚、その他の公知の色素を用いた光記録媒体の記録特性においても十分な性能を有しているものは見出されていない。
【０００９】
光記録媒体への書き込み及び読み出しは４００〜９００ｎｍのレーザー光を利用するので、記録材料の使用レーザー発振波長近傍における吸収係数、屈折率等の制御及び書き込み時における精度の良いピット形成が重要である。そのため、構造安定性が高く、レーザー発振波長近傍の光に対して屈折率が高く、分解特性が良好で、かつ感度の高い光記録媒体用色素の開発が必要となる。しかし、従来開発された光記録媒体用色素は、感度（Ｃ／Ｎ比、最適記録パワー）、記録特性（ジッター、デビエイション）について欠点を有するという問題があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記欠点を改善し、感度が高く、記録特性並びに耐久性の良好な光記録媒体を提供しうる新規フタロシアニン色素を供給することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前項の課題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明を完成するに至った。即ち、本発明は、
▲１▼ 下記一般式（１）で表されるフタロシアニン化合物、
【００１２】
【化３】

〔式（１）中、Ｍは２個の水素原子、２価の金属原子、３価１置換金属原子、４価２置換金属原子、オキシ金属原子を表し、Ｌは式（ａ）
【００１３】
【化４】

（式（ａ）中、Ｒ¹及びＲ²は、各々独立に水素原子及び炭素数１〜１５のアルキル基を表し、Ｒ¹とＲ²が結合して環を形成しても良い。Ｒ³及びＲ⁴は、各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、炭素数１〜８のアルキルアミノ基及び炭素数２〜５のアルケニル基を表す。）を表す。〕で示されるフタロシアニン化合物。
【００１４】
▲２▼ 一般式（１）において、Ｍで表される中心金属が、Ｐｄ，Ｃｕ，Ｒｕ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｚｎ，ＶＯ，ＴｉＯ，Ｓｉ（Ｙ）₂，Ｓｎ（Ｙ）₂，Ｇｅ（Ｙ）₂（Ｙはハロゲン原子、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、ヒドロキシ基、アルキル基、アリール基、アルキルチオ基、アリールチオ基、トリアルキルシリルオキシ基、トリアルキルスズオキシ基、またはトリアルキルゲルマニウムオキシ基を表す。）であるフタロシアニン化合物。
▲３▼ 一般式（１）のフタロシアニン化合物を含有してなる光記録媒体。
▲４▼ 基板上に、一般式（１）のフタロシアニン化合物を含有する記録層、その上に金またはアルミニウムからなる反射層、さらにその上に保護層を積層した構成である光記録媒体に関するものである。尚、一般式（１）は、以降、下記構造式の様に略記する。
【００１５】
【化５】

【００１６】
本発明のフタロシアニン化合物は、６５０〜９００ｎｍにシャープな吸収を有し、分子吸光係数も高く、長期安定性および耐久性にも優れるため、半導体レザー光を用いる光記録媒体(光ディスク、光カード等)の記録材料に適している。これはフタロシアニン環に縮合したヘテロ環が記録時に感度の向上に寄与し、形成された信号の誤差の減少に効果を上げている。すなわち、光記録時に色素の溶融、分解を制御し、記録媒体の基板へのダメージの減少や、反射層を有する媒体の場合は反射層と記録層との密着性の改良である。
【００１７】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１８】
一般式（１）中、Ｒ¹及びＲ²で示される炭素数１〜１５のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プロピル基、n-ブチル基、iso-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、iso-ペンチル基、neo-ペンチル基、2-メチルブチル基、n-ヘキシル基、cyclo-ヘキシル基、2-エチルブチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基、2,3-ジメチルブチル基、n-ヘプチル基、2-メチルヘキシル基、3-メチルヘキシル基、4-メチルヘキシル基、5-メチルヘキシル基、2,4-ジメチルペンチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、2,5-ジメチルヘキシル基、2,5,5-トリメチルヘキシル基、2,4-ジメチルヘキシル基、2,2,4-トリメチルペンチル基、n-ノニル基、n-デシル基、4-エチルオクチル基、4-エチル-4,5-メチルヘキシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、1,3,5,7-テトラメチルオクチル基、4-ブチルオクチル基、6,6-ジエチルオクチル基、n-トリデシル基、6-メチル-4-ブチルオクチル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、3,5-ジメチルヘプチル基、2,6-ジメチルヘプチル基、2,4-ジメチルヘプチル基、2,2,5,5-テトラメチルヘキシル基、1-cyclo-ペンチル-2,2-ジメチルプロピル基、1-cyclo-ヘキシル-2,2-ジメチルプロピル基等が挙げられる。
【００１９】
一般式（１）中、Ｒ³及びＲ⁴で示されるハロゲン原子の具体例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子が挙げられ、炭素数１〜５のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プロピル基、n-ブチル基、iso-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、iso-ペンチル基、neo-ペンチル基、2-メチルブチル基等が挙げられ、炭素数１〜５のアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、iso-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペントキシ基、iso-ペントキシ基、neo-ペントキシ基、2-メチルブトキシ基等が挙げられ、炭素数１〜５のアルキルチオ基の具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、n-プロピルチオ基、iso-プロピルチオ基、n-ブチルチオ基、iso-ブチルチオ基、sec-ブチルチオ基、t-ブチルチオ基、n-ペンチルチオ基、iso-ペンチルチオ基、neo-ペンチルチオ基、2-メチルブチルチオ基等が挙げられ、炭素数１〜８のアルキルアミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、n-プロピルアミノ基、iso-プロピルアミノ基、n-ブチルアミノ基、iso-ブチルアミノ基、sec-ブチルアミノ基、t-ブチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ（n-プロピル）アミノ基、ジ（iso-プロピル）アミノ基、ジ（n-ブチル）アミノ基、ジ（iso-ブチル）アミノ基、ジ（sec-ブチル）アミノ基、ジ（t-ブチル）アミノ基等が挙げられ、炭素数２〜５のアルケニル基の具体例としては、エテニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、1-メチル-1-プロペニル基、1-メチル-2-プロペニル基、1-エチル-1-プロペニル基、1-エチル-2-プロペニル基、1,1-ジメチル-2-プロペニル基、1-ブテニル基、2-ブテニル基、1-メチル-2-ブテニル基、1-メチル-1-ブテニル基、2-メチル-2-ブテニル基、2-メチル-1-ブテニル基、3-メチル-2-ブテニル基、3-メチル-1-ブテニル基等が挙げられる。
【００２０】
また、式（１）中、Ｍで示される２価金属の例としては、Ｃｕ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｍｎ，Ｓｎ，Ｍｇ，Ｐｂ，Ｈｇ，Ｃｄ，Ｂａ，Ｔｉ，Ｂｅ，Ｃａ等が挙げられ、１置換の３価金属の例としては、Ａｌ−Ｆ，Ａｌ−Ｃｌ，Ａｌ−Ｂｒ，Ａｌ−Ｉ，Ｇａ−Ｆ，Ｇａ−Ｃｌ，Ｇａ−Ｂｒ，Ｇａ−Ｉ，Ｉｎ−Ｆ，Ｉｎ−Ｃｌ，Ｉｎ−Ｂｒ，Ｉｎ−Ｉ，Ｔｌ−Ｆ，Ｔｌ−Ｃｌ，Ｔｌ−Ｂｒ，Ｔｌ−Ｉ，Ａｌ−Ｃ₆Ｈ₅，Ａｌ−Ｃ₆Ｈ₄（ＣＨ₃），Ｉｎ−Ｃ₆Ｈ₅，Ｉｎ−Ｃ₆Ｈ₄（ＣＨ₃），Ｍｎ（ＯＨ），Ｍｎ（ＯＣ₆Ｈ₅），Ｍｎ〔ＯＳｉ（ＣＨ₃）₃〕，Ｆｅ−Ｃｌ，Ｒｕ−Ｃｌ等が挙げられ、２置換の４価金属の例としては、ＣｒＣｌ₂，ＳｉＦ₂，ＳｉＣｌ₂，ＳｉＢｒ₂，ＳｉＩ₂，ＳｎＦ₂，ＳｎＣｌ₂，ＳｎＢｒ₂，ＺｒＣｌ₂，ＧｅＦ₂，ＧｅＣｌ₂，ＧｅＢｒ₂，ＧｅＩ₂，ＴｉＦ₂，ＴｉＣｌ₂，ＴｉＢｒ₂，Ｓｉ（ＯＨ）₂，Ｓｎ（ＯＨ）₂，Ｇｅ（ＯＨ）₂，Ｚｒ（ＯＨ）₂，Ｍｎ（ＯＨ）₂，ＴｉＡ₂，ＣｒＡ₂，ＳｉＡ₂，ＳｎＡ₂，ＧｅＡ₂〔Ａはアルキル基、フェニル基、ナフチル基およびその誘導体を表す〕，Ｓｉ（ＯＡ’）₂，Ｓｎ（ＯＡ’）₂，Ｇｅ（ＯＡ’）₂，Ｔｉ（ＯＡ’）₂，Ｃｒ（ＯＡ’）₂〔Ａ’はアルキル基、フェニル基、ナフチル基、トリアルキルシリル基、ジアルキルアルコキシシリル基およびその誘導体を表す〕，Ｓｉ（ＳＡ”）₂，Ｓｎ（ＳＡ”）₂，Ｇｅ（ＳＡ”）₂〔Ａ”はアルキル基、フェニル基、ナフチル基およびその誘導体を表す〕等が挙げられ、オキシ金属の例としては、ＶＯ，ＭｎＯ，ＴｉＯ等が挙げられる。好ましくは、Ｐｄ、Ｃｕ，Ｒｕ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｚｎ，ＶＯ，ＴｉＯ，Ｓｉ（Ｙ）₂，Ｓｎ（Ｙ）₂，Ｇｅ（Ｙ）₂（Ｙはハロゲン原子、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、ヒドロキシ基、アリキル基、アリール基、アルキルチオ基、アリールチオ基、トリアルキルシリルオキシ基、トリアルキルスズオキシ基またはトリアルキルゲルマニウムオキシ基を表す。）であり、特に好ましい例としては、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｐｄ，Ｐｔ，ＶＯ等である。
【００２１】
一般式（１）で示されるフタロシアニン化合物の合成法としては、下式（２）
【００２２】
【化６】

〔式（２）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は一般式（１）と同じ意味を表す。〕で示される化合物を、例えば１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）存在下に、金属誘導体とアルコール中で加熱反応させる、あるいは、金属化合物とクロルナフタレン、ブロムナフタレン、トリクロルベンゼン等の高沸点溶媒中で加熱反応させる方法等が挙げられる。また、一般式（２）で示される化合物を、アルコール中、ナトリウムメチラートを触媒にアンモニアと反応させて得られる一般式（３）で示されるジイミノイソインドリンを中間体として同様に反応させる方法等が挙げられる。
【００２３】
【化７】

〔式（３）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は一般式（１）と同じ意味を表す。〕
【００２４】
また、一般式（２）で示される化合物は、以下に示した経路で製造することができる。
【００２５】
【化８】

【００２６】
市販されている３−ニトロフタロニトリル（Ａ）を、塩基の存在下、Ｒ⁵ＯＨ〔Ｒ⁵はアルキニル基を表す。〕で示されるアルコール誘導体と反応させてアルコキシフタロニトリル（Ｂ）を得る。次に（Ｂ）をジアルキルアニリン類やＤＭＩ等の高沸点溶剤中で反応することで（Ｃ）を得る。更に（Ｃ）を接触水素添加還元、ハロゲン化、アルキル化、アルコキシ化、アルキルチオ化、アルキルアミノ化またはクロスカップリングによるアルケニル化反応することで、目的とする一般式（２）で示される化合物を得ることができる。
【００２７】
Ｒ⁵ＯＨで示されるアルコール誘導体の例としては、1-ブチン-3-オール、3-メチル-1-ブチン-3-オール、1-ペンチン-3-オール、1-ヘキシン-3-オール、3-メチル-1-ペンチン-3-オール、3,4-ジメチル-1-ペンチン-3-オール、1-ヘプチン-3-オール、3-エチル-1-ペンチン-3-オール、5-メチル-1-ヘキシン-3-オール、3-メチル-1-ヘキシン-3-オール、3-メチル-4-ヘキシン-3-オール、3,5-ジメチル-1-ヘキシン-3-オール、3,4,4-トリメチル-1-ペンテン-3-オール、4-エチル-1-ヘキシン-3-オール、1-エチニル-1-シクロヘキサノール、1-オクチン-3-オール、3,6-ジメチル-1-ヘプチン-3-オール、3-エチル-1-ヘプチン-3-オール、3-エチル-5-メチル-1-ヘプチン-3-オール、4-エチル-1-オクチン-3-オール、3-イソブチル-5-メチル-1-ヘキシン-3-オール、3-イソプロピル-4-メチル-1-ペンチン-3-オール等が挙げられる。
【００２８】
本発明のフタロシアニン化合物を用いて光記録媒体を製造する方法には、透明基板上に本発明のフタロシアニン化合物を含む１〜３種の化合物を１層または２層に塗布、あるいは蒸着する方法があり、塗布法としては、バインダー樹脂２０重量％以下、好ましくは０％と、本発明のフタロシアニン化合物０．０５〜２０重量％、好ましくは０．５〜２０重量％となるように溶媒に溶解し、スピンコーターで塗布する方法等がある。また蒸着方法としては１０^-5〜１０^-7ｔｏｒｒ、１００〜３００℃にて基板上にフタロシアニン化合物を堆積させる方法等がある。
【００２９】
基板としては、光学的に透明な樹脂であればよい。例えば、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン共重合樹脂、塩化ビニル共重合樹脂、塩化ビニリデン共重合樹脂、スチレン共重合樹脂等が挙げられる。また基板は熱硬化性樹脂または紫外線硬化性樹脂により表面処理がなされていてもよい。
【００３０】
光記録媒体（光ディスク、光カード等）を作製する場合、コストの面、ユーザーの取り扱いの面より、基板はポリアクリレート基板またはポリカーボネート基板を用い、かつスピンコート法により塗布されるのが好ましい。
【００３１】
基板の耐溶剤性より、スピンコートに用いる溶剤は、ハロゲン化炭化水素（例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエチレン、ジクロロジフルオロエタン等）、エーテル類（例えば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジオキサン等）、アルコール類（例えば、メタノール、エタノール、プロパノール等）、セロソルブ類（例えば、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等）、炭化水素類（例えば、ヘキサン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、シクロオクタン、ジメチルシクロヘキサン、オクタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等）、あるいはこれらの混合溶媒が好適に用いられる。
【００３２】
記録媒体として加工するには、上記の様に基板で覆う、あるいは２枚の記録層を設けた基板に、エアーギャップを設けて対向させて貼り合わせる、または、記録層上に反射層（アルミニウムまたは金）を設け、熱硬化性または光硬化性樹脂の保護層を積層する方法などがある。保護層として、Ａｌ₂Ｏ₃，ＳｉＯ₂，ＳｉＯ，ＳｎＯ₂等の無機化合物を利用してもよい。
【００３３】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明の実施の態様はこれにより限定されるものではない。
【００３４】
実施例１
下記構造式（２−１）
【００３５】
【化９】

で示されるフタロニトリル誘導体２９．６ｇ（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）及びｎ−アミルアルコール１２５ｇよりなる混合物を窒素雰囲気下で、１００℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化パラジウム５．３ｇ（０．０３モル）を添加し、９５〜１００℃で３０時間反応させた。反応終了後、冷却し、不溶物を濾別した。濾液を減圧濃縮して溶媒を回収した後、カラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）し、下記構造式（１−１）で示されるフタロシアニン化合物１４．５ｇ（収率４５％）を得た。
【００３６】
可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
可視吸収：
λ_max＝６９６．５ｎｍ
ε_g＝１．６９×１０⁵cm²g^-1（溶媒：トルエン）

【００３７】
【化１０】

【００３８】
上記フタロシアニン化合物のｎ−オクタン溶液（１０ｇ／ｌ）をスパイラルグルーブ（ピッチ１．６μｍ、溝幅０．６μｍ、溝深０．１８μｍ）付きの外形１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのＣＤ−Ｒ用ポリカーボネート基板上に５００〜１０００ｒｐｍでスピンコート成膜した。その上に３０ｎｍの金をスパッタ蒸着して反射層を形成し、続いて光硬化型ポリアクリル樹脂によりオーバーコート後光硬化させ保護層を形成してＣＤ−Ｒ媒体を作製した。この媒体の反射率は７１％（７７５〜７９０ｎｍ）であり、７８０ｎｍの半導体レーザーを用いて線速１．３ｍ／ｓｅｃでＥＦＭ信号を５．５ｍＷのパワーで書き込むことができ、その時のエラーレートは１０未満であった。
【００３９】
実施例２
下記構造式（２−２）
【００４０】
【化１１】

で示されるフタロニトリル誘導体２６．８ｇ（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）及びｎ−アミルアルコール１２５ｇよりなる混合物を窒素雰囲気下で、１００℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化パラジウム５．３ｇ（０．０３モル）を添加し、９５〜１００℃で３０時間反応させた。反応終了後、冷却し、不溶物を濾別した。濾液を減圧濃縮して溶媒を回収した後、カラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）し、下記構造式（１−２）で示されるフタロシアニン化合物１４．２ｇ（収率４８％）を得た。
【００４１】
可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
可視吸収：
λ_max＝６９６ｎｍ
ε_g＝１．８×１０⁵cm²g^-1（溶媒：トルエン）

【００４２】
【化１２】

【００４３】
上記フタロシアニン化合物のｎ−オクタン溶液（１０ｇ／ｌ）をスパイラルグルーブ（ピッチ１．６μｍ、溝幅０．６μｍ、溝深０．１８μｍ）付きの外形１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのＣＤ−Ｒ用ポリカーボネート基板上に５００〜１０００ｒｐｍでスピンコート成膜した。その上に３０ｎｍの金をスパッタ蒸着して反射層を形成し、続いて光硬化型ポリアクリル樹脂によりオーバーコート後光硬化させ保護層を形成してＣＤ−Ｒ媒体を作製した。７８０ｎｍの半導体レーザーで記録したとき、７ｍＷのパワーで６０ｄＢのＣＮ比を得た。０．５ｍＷの再生光で１０⁵回再生しても変化は見られなかった。また、８０℃／８０％ＲＨの条件で１０００時間経過後も記録に変化はなかった。
【００４４】
実施例３
構造式（２−１）で示されるフタロニトリル誘導体２９．６ｇ（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）及びｎ−アミルアルコール１２５ｇよりなる混合物を窒素雰囲気下で、１２５℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化第一銅３．０ｇ（０．０３モル）を添加し、１２５〜１３０℃で７時間反応させた。反応終了後、冷却し、不溶物を濾別した。濾液を減圧濃縮して溶媒を回収した後、カラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）し、下記構造式（１−３）で示されるフタロシアニン化合物２０．３ｇ（収率６５％）を得た。
【００４５】
可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
可視吸収：
λ_max＝７１２ｎｍ
ε_g＝１．７×１０⁵cm²g^-1（溶媒：トルエン）

【００４６】
【化１３】

【００４７】
上記フタロシアニン化合物のｎ−オクタン溶液（１０ｇ／ｌ）をスパイラルグルーブ（ピッチ１．６μｍ、溝幅０．６μｍ、溝深０．１８μｍ）付きの外形１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのＣＤ−Ｒ用ポリカーボネート基板上に５００〜１０００ｒｐｍでスピンコート成膜した。その上に３０ｎｍの金をスパッタ蒸着して反射層を形成し、続いて光硬化型ポリアクリル樹脂によりオーバーコート後光硬化させ保護層を形成してＣＤ−Ｒ媒体を作製した。この媒体の反射率は７３％（７７５〜７９０ｎｍ）であり、７８０ｎｍの半導体レーザーを用いて線速１．３ｍ／ｓｅｃでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込むことができ、その時のエラーレートは１０未満であった。
【００４８】
実施例４
下記構造式（２−３）
【００４９】
【化１４】

で示されるフタロニトリル誘導体２８．０ｇ（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）及びｎ−アミルアルコール１２５ｇよりなる混合物を窒素雰囲気下で、１００℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化パラジウム５．３ｇ（０．０３モル）を添加し、９５〜１００℃で３５時間反応させた。反応終了後、冷却し、不溶物を濾別した。濾液を減圧濃縮して溶媒を回収した後、カラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）し、下記構造式（１−４）で示されるフタロシアニン化合物１４．４ｇ（収率４７％）を得た。
【００５０】
可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
可視吸収：
λ_max＝７０６ｎｍ
ε_g＝１．５６×１０⁵cm²g^-1（溶媒：トルエン）

【００５１】
【化１５】

【００５２】
上記フタロシアニン化合物を用いて実施例１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体に、波長７８０ｎｍのレーザーを用いて、線速１．３ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは、１０未満であった。
【００５３】
実施例５
下記構造式（２−４）
【００５４】
【化１６】

で示されるフタロニトリル誘導体３３．１ｇ（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）及びｎ−アミルアルコール１２５ｇよりなる混合物を窒素雰囲気下で、１２５℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化第一銅３．０ｇ（０．０３モル）を添加し、１２５〜１３０℃で７時間反応させた。反応終了後、冷却し、不溶物を濾別した。濾液を減圧濃縮して溶媒を回収した後、カラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）し、下記構造式（１−５）で示されるフタロシアニン化合物２２．９ｇ（収率６６％）を得た。
【００５５】
可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
可視吸収：
λ_max＝７２１ｎｍ
ε_g＝１．４×１０⁵cm²g^-1（溶媒：トルエン）

【００５６】
【化１７】

【００５７】
上記フタロシアニン化合物を用いて実施例１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体に、波長７８０ｎｍのレーザーを用いて、線速１．３ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは、１０未満であった。
【００５８】
実施例６
下記構造式（２−５）
【００５９】
【化１８】

で示されるフタロニトリル誘導体３１．６ｇ（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）及びｎ−アミルアルコール１２５ｇよりなる混合物を窒素雰囲気下で、１００℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化パラジウム５．３ｇ（０．０３モル）を添加し、９５〜１００℃で３５時間反応させた。反応終了後、冷却し、不溶物を濾別した。濾液を減圧濃縮して溶媒を回収した後、カラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）し、下記構造式（１−６）で示されるフタロシアニン化合物１６．６ｇ（収率４４％）を得た。
【００６０】
可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
可視吸収：
λ_max＝７０２ｎｍ
ε_g＝１．６×１０⁵cm²g^-1（溶媒：トルエン）

【００６１】
【化１９】

【００６２】
上記フタロシアニン化合物を用いて実施例１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体に、波長７８０ｎｍのレーザーを用いて、線速１．３ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは、１０未満であった。
【００６３】
実施例７
下記構造式（２−６）
【００６４】
【化２０】

で示されるフタロニトリル誘導体２８．４ｇ（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）及びｎ−アミルアルコール１２５ｇよりなる混合物を窒素雰囲気下で、１２５℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化第一銅３．０ｇ（０．０３モル）を添加し、１２５〜１３０℃で７時間反応させた。反応終了後、冷却し、不溶物を濾別した。濾液を減圧濃縮して溶媒を回収した後、カラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）し、下記構造式（１−７）で示されるフタロシアニン化合物２１．０ｇ（収率７０％）を得た。
【００６５】
可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
可視吸収：
λ_max＝７２８ｎｍ
ε_g＝１．９×１０⁵cm²g^-1（溶媒：トルエン）

【００６６】
【化２１】

【００６７】
上記フタロシアニン化合物を用いて実施例１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体に、波長７８０ｎｍのレーザーを用いて、線速１．３ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは、１０未満であった。
【００６８】
実施例８
下記構造式（２−７）
【００６９】
【化２２】

で示されるフタロニトリル誘導体２６．８ｇ（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）及びｎ−アミルアルコール１２５ｇよりなる混合物を窒素雰囲気下で、１２５℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化第一銅３．０ｇ（０．０３モル）を添加し、１２５〜１３０℃で７時間反応させた。反応終了後、冷却し、不溶物を濾別した。濾液を減圧濃縮して溶媒を回収した後、カラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）し、下記構造式（１−８）で示されるフタロシアニン化合物１９．６ｇ（収率６９％）を得た。
【００７０】
可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
可視吸収：
λ_max＝７１３ｎｍ
ε_g＝１．９×１０⁵cm²g^-1（溶媒：トルエン）

【００７１】
【化２３】

【００７２】
上記フタロシアニン化合物を用いて実施例１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体に、波長７８０ｎｍのレーザーを用いて、線速１．３ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは、１０未満であった。
【００７３】
比較例１
下記構造式（Ｄ）で示される特開平３−６２８７８号公報（ＵＳＰ５１２４０６７）の例示化合物を用いて実施例１と同様にして作製した媒体を評価した。
【００７４】
【化２４】

【００７５】
この媒体に７８０ｎｍの半導体レーザーを用いて、線速１．３ｍ／ｓでＥＦＭ信号を書き込むために１０ｍＷのパワーが必要であった。また、その時のエラーレートは１２であった。
【００７６】
実施例９〜２０
実施例１と同様にして下記第１表に示すフタロシアニン化合物を合成し、実施例１と同様にしてＣＤ−Ｒ媒体を作製し、７８０ｎｍの半導体レーザーを用いて、線速１．３ｍ／ｓでＥＦＭ信号を書き込むために必要なレーザーパワー（ｍｗ）を測定し、またその時のエラーレートを評価した。エラーレートの評価としては、○はエラーレートが１０未満、×はエラーレートが１０以上であることを示す。結果を第１表に示す。
【００７７】
【表１】

【００７８】
【表２】

【００７９】
【発明の効果】
本発明のフタロシアニン化合物は、ヘテロ環がフタロシアニン環に縮合した新規なフタロシアニン化合物であり、このヘテロ環の置換により、記録時に色素の分解・溶融が制御され精度の高いピット形成が行われたこと、分解発熱量の減少により記録媒体の樹脂基板へのダメージが減少したこと、反射層を有する記録媒体の場合は記録層と反射層である金属層との密着性が向上に寄与し、この化合物を用いた光記録媒体においては、光記録時の信号が正しく書き込めるようになり、感度、記録特性の向上に効果を上げた。

Claims (4)

1. 下記一般式（１）
   

   

   〔式（１）中、Ｍは２個の水素原子、２価の金属原子、３価１置換金属原子、４価２置換金属原子、オキシ金属原子を表し、Ｌは式（ａ）
   

   

   （式（ａ）中、Ｒ¹及びＲ²は、各々独立に水素原子及び炭素数１〜１５のアルキル基を表し、Ｒ¹とＲ²が結合して環を形成しても良い。Ｒ³及びＲ⁴は、各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、炭素数１〜８のアルキルアミノ基及び炭素数２〜５のアルケニル基を表す。）を表す。〕で示されるフタロシアニン化合物。
2. 一般式（１）において、Ｍで表される中心金属が、Ｐｄ，Ｃｕ，Ｒｕ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｚｎ，ＶＯ，ＴｉＯ，Ｓｉ（Ｙ）₂，Ｓｎ（Ｙ）₂，Ｇｅ（Ｙ）₂（Ｙはハロゲン原子、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、ヒドロキシ基、アルキル基、アリール基、アルキルチオ基、アリールチオ基、トリアルキルシリルオキシ基、トリアルキルスズオキシ基、またはトリアルキルゲルマニウムオキシ基を表す。）である請求項１記載のフタロシアニン化合物。
3. 請求項１または２に記載のフタロシアニン化合物を含有してなる光記録媒体。
4. 基板上に、請求項１または２記載のフタロシアニン化合物を含有する記録層、その上に金またはアルミニウムからなる反射層、さらにその上に保護層を積層した構成である請求項３記載の光記録媒体。