JP3617135B2 - フタロシアニン化合物及びそれを用いた光学記録媒体 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フタロシアニン化合物及びそれを用いた光学記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
レーザーを用いる光学記録は、高密度の情報記録保存及びその再生を可能とするため、近年、特に開発が取り進められている。
光学記録媒体の一例としては光ディスクを挙げることができる。
一般に、光ディスクは、円形の基体に設けられた薄い記録層に、１μｍ程度に収束したレーザー光を照射し、高密度の情報記録を行うものである。その光ディスクの中でも最近注目を集めているものに書き込み型コンパクトディスク（ＣＤライトワンスディスク）がある。ＣＤライトワンスディスクは通常、案内溝を有するプラスチック基板上に色素を主成分とする記録層、金属反射膜、保護膜を順次積層することにより構成される。情報の記録は、照射されたレーザー光エネルギーの吸収によって、その箇所の記録層、反射層または基板に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形が生成することにより行われる。また、記録された情報の再生は、レーザー光により変形が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読み取ることにより行われる。したがって、光学記録媒体としてはレーザー光のエネルギーを効率よく吸収する必要があり、レーザー吸収色素が用いられる。
【０００３】
このようなＣＤライトワンスディスクの記録層に使用する色素としては、特開昭５８−１１２７９０号、同５８−１１４９８９号、同５９−８５７９１号、同６０−８３２３６号各公報にシアニン系色素を用いたものが開示されている。しかし、シアニン系色素は溶解性が高く、塗布によるコーティングが可能であるという利点を有する反面、耐光性に劣るという問題点を有している。この点に関して記録層用の色素としてフタロシアニン系色素を用いたものが提案されている。フタロシアニン系色素は一般に耐候性に優れていて好ましいが、有機溶媒に対する溶解性が低く、塗布によるコーティングに使用することができないという問題点を有していた。この点を改良するために特開昭６２−３９２８６号公報にフタロシアニンにアルコキシ基、置換フェノキシ基等の置換基を導入することが提案されているが、感度、記録特性において十分な性能を有しているとは言えなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の問題点を解決する記録層用色素およびそれを用いた光学記録媒体として、有機溶媒に対する溶解性に優れ、塗布によるコーティングに適したフタロシアニン化合物および該化合物を用いた光学記録媒体を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らはこの目的を達成するべく鋭意検討した結果、下記一般式［Ｉ］で示されるフタロシアニン化合物を見い出した。
すなわち本発明は下記一般式［Ｉ］で示されるフタロシアニン化合物、ならびに基板と記録層からなり、該記録層が下記一般式［Ｉ］で示されるフタロシアニン化合物を含有することを特徴とする光学記録媒体をその要旨とする。
【０００６】
【化３】
【０００７】
（式中、環Ａ1-4は、置換基を有していてもよいフェニル基を表わし、少なくとも環Ａ1-4のいずれか１つは置換基を有していてもよいフッ化アルキル基、置換基を有していてもよいフッ化アルコキシ基又は置換基を有していてもよいフッ化アルキルチオ基を有している。Ｚ1-4はハロゲン原子を表わす。ｎ1-4は０〜３の整数を表わす。Ｍは２価の金属原子、３価または４価の置換金属原子、酸化金属または２個の水素原子を表わす。但し、下記一般式［Ａ］のフタロシアニン化合物は除く。
【化５】
（一般式［Ａ］中、Ｘ 12 〜Ｘ 14 、Ｘ 16 〜Ｘ 18 、Ｘ 20 〜Ｘ 22 、及びＸ 24 〜Ｘ 26 は水素原子を表す。））
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
本発明の特徴は上記一般式［Ｉ］中の環Ａ１−４ の少なくとも１つ以上が、フッ化アルキル基、フッ化アルコキシ基又はフッ化アルキルチオ基で置換されていることにある。これらのフッ化アルキル基、フッ化アルコキシ基、フッ化アルキルチオ基は炭素数１〜６であることが好ましく、また置換基を有していてもよい。
【０００９】
これらの具体例としては、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のフッ化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、２−フルオロエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２Ｈ−テトラフルオロエチル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、１Ｈ，１Ｈ−ペンタフルオロプロピル基、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−テトラフルオロプロピル基、パーフルオロ−ｎ−ブチル基、１Ｈ，１Ｈ−ヘプタフルオロブチル基、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−ヘキサフルオロブチル基、パーフルオロ−ｎ−ペンチル基、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチル基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシル基、２−（パーフルオロブチル）エチル基等の炭素数１〜６の直鎖のフッ化アルキル基；１−（トリフルオロメチル）テトラフルオロエチル基、１−（トリフルオロメチル）−２，２，２−トリフルオロエチル基、１−（トリフルオロメチル）エチル基、１−（ジフルオロメチル）−２，２−ジフルオロエチル基、１−（フルオロメチル）−２−フルオロエチル基、パーフルオロ−１，１−ジメチルエチル基、１，１−ジ（トリフルオロメチル）エチル基、１−（トリフルオロエチル）−１−メチルエチル基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロプロピル基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロブチル基、２，２−ジ（トリフルオロメチル）プロピル基、２−メチル−４，４，４−トリフルオロブチル基、パーフルオロ−３−メチルブチル基、２−（パーフルオロ−１−メチルエチル）エチル基、３−（パーフルオロ−１−メチルエチル）プロピル基等の炭素数１〜６の分岐のフッ化アルキル基等が挙げられる。
【００１０】
置換基を有していてもよい炭素数１〜６のフッ化アルコキシ基としては、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、２−フルオロエトキシ基、２，２−ジフルオロエトキシ基、２，２，２−トリフルオロエトキシ基、２Ｈ−テトラフルオロエトキシ基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロポキシ基、３，３，３−トリフルオロプロポキシ基、１Ｈ，１Ｈ−ペンタフルオロプロポキシ基、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−テトラフルオロプロポキシ基、パーフルオロ−ｎ−ブトキシ基、１Ｈ，１Ｈ−ヘプタフルオロブトキシ基、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−ヘキサフルオロブトキシ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルオキシ基、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチルオキシ基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルオキシ基、２−（パーフルオロブチル）エトキシ基等の炭素数１〜６の直鎖のフッ化アルキル基；１−（トリフルオロメチル）テトラフルオロエトキシ基、１−（トリフルオロメチル）−２，２，２−トリフルオロエトキシ基、１−（トリフルオロメチル）エトキシ基、１−（ジフルオロメチル）−２，２−ジフルオロエトキシ基、１−（フルオロメチル）−２−フルオロエトキシ基、パーフルオロ−１，１−ジメチルエトキシ基、１，１−ジ（トリフルオロメチル）エトキシ基、１−（トリフルオロエチル）−１−メチルエトキシ基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロプロポキシ基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロブトキシ基、２，２−ジ（トリフルオロメチル）プロポキシ基、２−メチル−４，４，４−トリフルオロブトキシ基、パーフルオロ−３−メチルブトキシ基、２−（パーフルオロ−１−メチルエチル）エトキシ基、３−（パーフルオロ−１−メチルエチル）プロポキシ基等の炭素数１〜６の分岐のフッ化アルキル基等が挙げられる。
【００１１】
置換基を有していてもよい炭素数１〜６のフッ化アルキルチオ基としては、トリフルオロメチルチオ基、ペンタフルオロエチルチオ基、２−フルオロエチルチオ基、２，２−ジフルオロエチルチオ基、２，２，２−トリフルオロエチルチオ基、２Ｈ−テトラフルオロエチルチオ基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピルチオ基、３，３，３−トリフルオロプロピルチオ基、１Ｈ，１Ｈ−ペンタフルオロプロピルチオ基、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−テトラフルオロプロピルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ブチルチオ基、１Ｈ，１Ｈ−ヘプタフルオロブチルチオ基、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−ヘキサフルオロブチルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルチオ基、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルチオ基、２−（パーフルオロブチル）エチルチオ基等の炭素数１〜６の直鎖のフッ化アルキルチオ基；１−（トリフルオロメチル）テトラフルオロエルチオ基、１−（トリフルオロメチル）−２，２，２−トリフルオロエチルチオ基、１−（トリフルオロメチル）エチルチオ基、１−（ジフルオロメチル）−２，２−ジフルオロエチルチオ基、１−（フルオロメチル）−２−フルオロエチルチオ基、パーフルオロ−１，１−ジメチルエチルチオ基、１，１−ジ（トリフルオロメチル）エチルチオ基、１−（トリフルオロエチル）−１−メチルエチルチオ基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロプロピルチオ基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロブチルチオ基、２，２−ジ（トリフルオロメチル）プロピルチオ基、２−メチル−４，４，４−トリフルオロブチルチオ基、パーフルオロ−３−メチルブチルチオ基、２−（パーフルオロ−１−メチルエチル）エチルチオ基、３−（パーフルオロ−１−メチルエチル）プロピルチオ基等の炭素数１〜６の分岐のフッ化アルキルチオ基等が挙げられる。
【００１２】
Ｚ１−４ で表わされるハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、特に臭素原子が好ましい。ｎ１−４ は０〜３の整数のいずれでもよいが、０又は１が特に好ましい。
Ｍで表わされる２価金属原子の例としては、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｃａ，Ｂａ，Ｃｄ，Ｈｇ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｂｅ，Ｃｒ等が挙げられる。１置換３価金属原子の例としては、ＡｌＦ，ＡｌＣｌ，ＡｌＢｒ，ＡｌＩ，ＧａＦ，ＧａＣｌ，ＧａＢｒ，ＧａＩ，ＩｎＦ，ＩｎＣｌ，ＩｎＢｒ，ＩｎＩ，ＴｌＦ，ＴｌＣｌ，ＴｌＢｒ，ＴｌＩ等が挙げられる。２置換４価金属の例としては、ＳｉＦ２ ，ＳｉＣｌ２ ，ＳｉＢｒ２ ，ＳｉＩ２ ，ＧｅＦ２ ，ＧｅＣｌ２ ，ＧｅＢｒ２ ，ＧｅＩ２ ，ＳｎＦ２ ，ＳｎＣｌ２ ，ＳｎＢｒ２ ，ＳｎＩ２ ，ＴｉＦ２ ，ＴｉＣｌ２ ，ＴｉＢｒ２ ，ＴｉＩ２ ，ＺｒＣｌ２ ，ＨｆＣｌ２ ，Ｓｉ（ＯＨ）２ ，Ｇｅ（ＯＨ）２ ，Ｓｎ（ＯＨ）２ ，Ｚｒ（ＯＨ）２ ，Ｈｆ（ＯＨ）２ ，ＳｉＲ２ ，ＧｅＲ２ ，ＳｎＲ２ ，ＴｉＲ２ （Ｒは置換基を有していてもよいアルキル基、アリール基を表わす。），Ｓｉ（ＯＲ′）２ ，Ｇｅ（ＯＲ′）２ ，Ｓｎ（ＯＲ′）２ ，Ｔｉ（ＯＲ′）２ （Ｒ′は置換基を有していてもよいアルキル基、アリール基、アシル基、トリアルキルシリルオキシ基を表わす。）等が挙げられる。酸化金属の例としてはＶＯ，ＴｉＯ，ＰｂＯ等が挙げられる。特に好ましい金属原子の例としてはＣｕ，Ｐｂ，ＳｎＣｌ２ ，ＳｎＢｒ２ ，ＳｎＲ２ ，Ｓｎ（ＯＲ′）２ ，ＶＯ，ＴｉＣｌ２ ，ＴｉＯである。
【００１３】
環Ａ１−４ はフッ化アルキル基、フッ化アルコキシ基又はフッ化アルキルチオ基以外の他の置換基を有していてもよい。他の置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基などが例示できる。
また、一つの環上に異なる２種以上のフッ化アルキル基、フッ化アルコキシ基又はフッ化アルキルチオ基を有していてもよく、また、一つの環上に異なる２種以上の他の置換基を有していてもよい。
上記一般式［Ｉ］で表わされるフタロシアニン化合物のうち、好ましいものは下記一般式［ＩＩ］で表わされるものである。
【００１４】
【化４】
【００１５】
（式中、Ｘ１−４ はそれぞれ独立して水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜６の直鎖または分岐のフッ化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜６の直鎖または分岐のフッ化アルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数１〜６の直鎖または分岐のフッ化アルキルチオ基を表わし、Ｘ１−４ がすべて水素原子になることはない。Ｙ１−４ はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数２〜１０のジアルキルアミノ基、置換基を有していてもよい炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基を表わす。Ｚ１−４ はハロゲン原子を表わす。ｌ１−４ は１〜５の整数、ｍ１−４ は０〜４の整数を表わし、ｌｉ ＋ｍｉ ≦５（ｉは１〜４の整数）である。ｎ１−４ は０〜３の整数を表わす。Ｍは２価の金属原子、３価または４価の置換金属原子、酸化金属または２個の水素原子を表す。）
【００１６】
上記一般式［ＩＩ］で、Ｘ１−４ の具体例は上述のフッ化アルキル基、フッ化アルコキシ基又はフッ化アルキルチオ基の例と同じである。また、Ｚ１−４ ，ｎ１−４ ，Ｍは一般式［Ｉ］と同じである。
Ｙ１ 〜Ｙ４ で表わされるハロゲン原子としてはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。炭素数２〜１０のジアルキルアミノ基としてはジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジ−ｉｓｏ−プロピルアミノ基、エチル−ｎ−プロピルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基、ｎ−プロピル−ｎ−ブチルアミノ基、ジ−ｎ−ペンチルアミノ基等が挙げられる。置換基を有していてもよい炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等が挙げられる。置換基を有していてもよい炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｉｓｏ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎｅｏ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
前記一般式［ＩＩ］で示されるフタロシアニン化合物は下記一般式［ＩＩＩ］
【００１７】
【化５】
【００１８】
（式中、Ｘ，Ｙ，Ｚ，ｌ，ｍ，ｎはそれぞれ上記一般式［ＩＩ］のＸ１−４ ，Ｙ１−４ ，Ｚ１−４ ，ｌ１−４ ，ｍ１−４ ，ｎ１−４ の定義と同じ）で示されるフタロニトリル化合物を１〜４種を混合して、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）等の有機塩基の存在下、金属誘導体とアルコール等の溶媒中で加熱反応する方法、あるいは金属誘導体、必要に応じて尿素の存在下、１−クロロナフタレン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等の溶媒中で加熱する方法により合成することができる。
また、下記一般式［ＩＶ］
【００１９】
【化６】
【００２０】
（式中、Ｘ，Ｙ，Ｚ，ｌ，ｍ，ｎは上記一般式［ＩＩＩ］の定義と同じ）で示されるフタル酸誘導体を１〜４種を混合して、金属誘導体とを尿素の存在下、１−クロロナフタレン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等の溶媒中で加熱する方法によっても合成することができる。
また、上記一般式［Ｉ］または［ＩＩ］において、ｎ１−４ が１以上の場合には、ｎ１−４ が０の、対応するフタロシアニン化合物を上述のようにして合成し、次いでハロゲン化剤を用いてハロゲン化することによっても得られる。
【００２１】
本発明のフタロシアニン化合物は、いずれも６００〜８００ｎｍ付近の近赤外領域に吸収を有し、耐光性、耐熱性が良好で、種々の着色剤（例えば光学フィルター）として使用できるが、特に光学記録媒体の記録材料として有用である。
本発明の光学記録媒体は、基本的には基板と前記フタロシアニン化合物または混合物を含む記録層とから構成されるものであるが、さらに必要に応じて基板上に下引き層を設けることができる。また、好ましい層構成の一例としては、記録層上に金、銀、アルミニウムの様な金属反射層および保護層を設けて高反射率の媒体とし、追記型のＣＤメディアとすることが挙げられる。
【００２２】
前記基板としては、使用するレーザー光に対して透明であるものが好ましく、ガラスや種々のプラスチックが用いられる。
プラスチックとしては、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられるが、高生産性、コスト、耐吸湿性の点から射出成型ポリカーボネート樹脂基板が特に好ましい。
【００２３】
本発明の光学記録媒体において、フタロシアニン化合物を含有する記録層の膜厚は、通常、１００Å〜５μｍ、好ましくは７００Å〜３μｍである。
記録膜の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法等一般に行われている薄膜形成法で成膜することができるが、量産性、コスト面からスピナー法が好ましい。
【００２４】
また、必要に応じてバインダーを使用することもできる。バインダーとしてはポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ケトン樹脂、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート等既知のものが用いられる。この場合本発明のフタロシアニン化合物は、樹脂中に１０重量％以上含有されていることが好ましい。
【００２５】
スピナー法による成膜の場合、回転数は５００〜５０００ｒｐｍが好ましく、スピンコートの後、場合によっては、加熱あるいは溶媒蒸気にあてる等の処理を行ってもよい。
また、記録層の安定や耐光性向上のために、一重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化合物（たとえば、アセチルアセトナートキレート、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α−ジケトン等）を含有していてもよい。さらに、必要に応じて他の色素を併用することもできる。他の色素としては別の種類の同系統の化合物でもよいし、トリアリールメタン系色素、アゾ色素、シアニン系色素、スクワリリウム系色素、含金属インドアニリン、含金属アゾ色素等他系統の色素でもよい。
【００２６】
ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法、特にスピナー法等の塗布方法により記録層を形成する場合の塗布溶媒としては、基板を侵さない溶媒なら特に限定されない。例えば、ジアセトンアルコール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン等のケトンアルコール系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン等の炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン等の炭化水素系溶媒、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のエーテル系溶媒、テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノール、ヘキサフルオロブタノール等のパーフルオロアルキルアルコール系溶媒、乳酸メチル、乳酸エチル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシエステル系溶媒等が挙げられる。
【００２７】
本発明の光学記録媒体の記録層は基板の両面に設けてもよいし、片面に設けてもよい。上記のようにして得られた光学記録媒体への記録は、基板の両面または片面に設けた記録層に１μｍ程度に集束したレーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあてることにより行う。レーザー光の照射された部分には、レーザー光エネルギーの吸収による、分解、発熱、溶融等の記録層の熱的変形が起こる。
【００２８】
記録された情報の再生は、レーザー光により、熱的変形が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読み取ることにより行う。
本発明の光学記録媒体について使用されるレーザー光はＮ２ 、Ｈｅ−Ｃｄ、Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ、ルビー、半導体、色素レーザー等が挙げられるが、特に、軽量性、取扱の容易さ、コンパクト性等の点から半導体レーザーが好適である。
【００２９】
【実施例】
以下実施例により本発明を具体的に説明するが、かかる実施例はその要旨を越えない限り本発明を限定するものではない。
【００３０】
実施例１
（ａ）製造例
乾燥したジメチルホルムアミド２０ｍｌ中に分散した６０％水素化ナトリウム２．８８ｇ（７２ｍｍｏｌ）を窒素気流下、攪拌し、１０℃で３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェノール１５．５３ｇ（６７．５ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下した。滴下終了後、下記構造式［Ｖ］
【００３１】
【化７】
【００３２】
で示される３−ニトロフタロニトリル１１．５０ｇ（６６．４ｍｍｏｌ）のジメチルホルムアミド３０ｍｌ溶液をゆっくり滴下した。２時間攪拌した後、氷水中に放出し、塩酸で中和し、析出した結晶をろ過、水洗、乾燥すると下記構造式［ＶＩ］
【００３３】
【化８】
【００３４】
で示される３−［３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェノキシ］フタロニトリル２２．７７ｇ（収率９６．２％）を得た。
上述の３−［３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェノキシ］フタロニトリル３．５４ｇ（９．９ｍｍｏｌ）、ＤＢＵ１．５５ｇ（１０．２ｍｍｏｌ）のｎ−アミルアルコール１０ｍｌ溶液を攪拌しながら９０〜９５℃に加熱し、同温度で塩化スズ（ＩＩ）０．５８ｇ（３．１ｍｍｏｌ）を添加した。９０〜１００℃で２．５時間加熱、攪拌し、放冷後、溶媒を減圧下除去し、シリカゲルカラム（クロロホルム）で精製し、乾燥すると下記構造式［ＶＩＩ］で示されるフタロシアニン化合物０．１７ｇ（収率４．２％）を得た。（得られた化合物は３，５−ジトリフルオロメチルフェノキシ基が１，５，９，１３位に置換した化合物、１，８，９，１６位に置換した化合物、１，５，９，１６位に置換した化合物、１，５，１２，１６位に置換した化合物の異性体を含むが代表的な構造を［ＶＩＩ］で示す。）この化合物のクロロホルム中でのλｍａｘは７１８ｎｍであり、分子吸光係数は２．１６×１０５ であった。この化合物のクロロホルム溶液中の可視部吸収スペクトルを図１に示す。また赤外吸収スペクトルを図２に示す。
【００３５】
【化９】
【００３６】
（ｂ）記録媒体例
前記製造例で得たフタロシアニン化合物のオクタフルオロペンタノール１．５ｗｔ％溶液を調整し、孔径０．２２μｍのフィルターでろ過し、溶解液を得た。この溶液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により５００ｒｐｍの回転数で塗布した。塗布後、８０℃で５分間乾燥した。塗布膜の最大吸収波長は７２４ｎｍであった。
次に、この塗布膜の上にスパッタリング法により、膜厚１０００Åの金膜を成膜し、反射層を形成した。さらにこの反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５μｍの保護層を形成した。
【００３７】
（ｃ）光記録法
上記記録媒体を１．４ｍ／ｓで回転させながら、中心波長７８０ｎｍの半導体レーザー光で、記録パワー７．８ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。次にこの記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体レーザーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良好な再生信号を得た。
実施例２
【００３８】
（ａ）製造例
前述の３−［３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェノキシ］フタロニトリル３．５６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の１−クロロナフタレン１０ｍｌ溶液を攪拌しながら２００℃に加熱し、同温度で臭化スズ（ＩＩ）０．８４ｇ（３．０ｍｍｏｌ）を添加した。２００℃で１２．５時間加熱、攪拌し、放冷後、シリカゲルカラム（酢酸エチル）で精製し、メタノールを加え、析出した結晶をろ別し、洗浄、乾燥することにより下記構造式［ＶＩＩＩ］で示されるフタロシアニン化合物０．８７ｇ（収率２０．５％）を得た。（得られた化合物は実施例１と同様に異性体を含むが代表的な構造を下記構造式［ＶＩＩＩ］で示す。）この化合物のクロロホルム中でのλｍａｘは７２１ｎｍであり、分子吸光係数は２．０２×１０５ であった。この化合物のクロロホルム溶液中の可視部吸収スペクトルを図３に示す。また赤外吸収スペクトルを図４に示す。
【００３９】
【化１０】
【００４０】
（ｂ）記録媒体例
前記製造例で得たフタロシアニン化合物のオクタフルオロペンタノール１．５ｗｔ％溶液を調整し、孔径０．２２μｍのフィルターでろ過し、溶解液を得た。この溶液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により５００ｒｐｍの回転数で塗布した。塗布後、８０℃で５分間乾燥した。塗布膜の最大吸収波長は７２７ｎｍであった。
次に、この塗布膜の上にスパッタリング法により、膜厚１０００Åの金膜を成膜し、反射層を形成した。さらにこの反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５μｍの保護層を形成した。
【００４１】
（ｃ）光記録法
上記記録媒体を１．４ｍ／ｓで回転させながら、中心波長７８０ｎｍの半導体レーザー光で、記録パワー７．８ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。次にこの記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体レーザーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良好な再生信号を得た。
【００４２】
実施例３
（ａ）製造例
乾燥したジメチルスルホキシド７５ｍｌ中に３−ニトロフタロニトリル８．６５ｇ（５０ｍｍｏｌ）と３−（１，１，２，２−テトラフルオロエトキシ）フェノール１０．５１ｇ（５０ｍｍｏｌ）を加え、攪拌し、窒素気流下で乳鉢で粉砕した炭酸カリウム５ｇを１８〜２２℃で、３〜５時間おきに１ｇずつ５回に分けて添加した。８０時間攪拌した後、氷水中に放出し、析出した結晶をろ過、水洗、乾燥すると下記構造式［ＩＸ］で示される３−［３−（１，１，２，２−テトラフルオロエトキシ）フェノキシ］フタロニトリル１５．１ｇ（収率８９．８％）を得た。
【００４３】
【化１１】
【００４４】
三塩化バナジウム０．５９ｇ（３．７ｍｍｏｌ）をキノリン５ｍｌ中に分散させたものの中に上述の３−［３−（１，１，２，２−テトラフルオロエトキシ）フェノキシ］フタロニトリル３．３６ｇ（１０ｍｍｏｌ）を加えた。
１８０〜２００℃で５時間攪拌した後、放冷し、メタノール５０ｍｌを加えた。生成した沈殿をろ別し、ろ液を３．５％塩酸溶液中に加えた。得られた沈殿をろ過、水洗、乾燥し、得られた化合物をシリカゲルカラム（トルエン−酢酸エチル）で精製し、下記構造式［Ｘ］で示されるフタロシアニン化合物０．５２ｇ（収率１９．６％）を得た。（得られた化合物は実施例１と同様に異性体を含むが代表的な構造を［Ｘ］で示す。）この化合物のクロロホルム中でのλｍａｘは７２１ｎｍであり、分子吸光係数は１．６５×１０５ であった。この化合物のクロロホルム溶液中の可視部吸収スペクトルを図５に示す。また赤外吸収スペクトルを図６に示す。
【００４５】
【化１２】
【００４６】
（ｂ）記録媒体例
前記製造例で得たフタロシアニン化合物の２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブタノール１．５ｗｔ％溶液を調整し、孔径０．２２μｍのフィルターでろ過し、溶解液を得た。この溶液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により５００ｒｐｍの回転数で塗布した。塗布後、８０℃で５分間乾燥した。塗布膜の最大吸収波長は７２９ｎｍであった。
次に、この塗布膜の上にスパッタリング法により、膜厚１０００Åの金膜を成膜し、反射層を形成した。さらにこの反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５μｍの保護層を形成した。
【００４７】
（ｃ）光記録法
上記記録媒体を１．４ｍ／ｓで回転させながら、中心波長７８０ｎｍの半導体レーザー光で、記録パワー７．８ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。次にこの記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体レーザーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良好な再生信号を得た。
【００４８】
実施例４−２５
実施例１において用いた化合物の代わりに主な異性体が下記構造式［ＸＩ］で表わされる化合物を合成した。最大吸収波長、分子吸光係数を示す。
また、それらのフタロシアニン化合物を用いて実施例１と同様に基板上に塗布して、表−１に示す塗布膜の最大吸収波長を持つ光学記録媒体を製造した。
得られた光学記録媒体に、光源として半導体レーザーを用いて記録を行ったところ、記録感度が良好であった。
【００４９】
【化１３】
【００５０】
（式中、Ｘ１−４ ，Ｙ１−４ ，Ｚ１−４ ，Ｍは表−１に示された置換基を表わす。表−１中、例えば３，５−ＣＦ３ とあるのは、３位と５位それぞれにＣＦ３ 基があることを意味する。）
【００５１】
【表１】
【００５２】
比較例１
（ａ）記録媒体例
下記構造式［ＸＩＩ］で示されるフタロシアニン化合物（この化合物は実施例１と同様に異性体を含むが代表的な構造を［ＸＩＩ］に示す。）のエチルシクロヘキサン１．７ｗｔ％溶液を調整し、孔径０．２２μｍのフィルターでろ過し、溶解液を得た。この溶液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により５００ｒｐｍの回転数で塗布した。塗布後、８０℃で５分間乾燥した。塗布膜の最大吸収波長は７１４ｎｍであった。
次に、この塗布膜の上にスパッタリング法により、膜厚１０００Åの金膜を成膜し、反射層を形成した。さらにこの反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５μｍの保護層を形成した。
【００５３】
【化１４】
【００５４】
（ｂ）光記録法
上記記録媒体を１．４ｍ／ｓで回転させながら、中心波長７８０ｎｍの半導体レーザー光で記録したところ、ＥＦＭ信号を記録するために記録パワーとして１０．５ｍＷが必要であり、この場合でも実施例１に示した本発明の光記録媒体と比べ記録感度、反射率ともに劣るものであった。
【００５５】
比較例２
（ａ）記録媒体例
下記構造式［ＸＩＩＩ］で示されるフタロシアニン化合物（この化合物は実施例１と同様に異性体を含むが代表的な構造を［ＸＩＩＩ］に示す。）のエチルシクロヘキサン１．７ｗｔ％溶液を調整し、孔径０．２２μｍのフィルターでろ過し、溶解液を得た。この溶液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により５００ｒｐｍの回転数で塗布した。塗布後、８０℃で５分間乾燥した。塗布膜の最大吸収波長は７１８ｎｍであった。
次に、この塗布膜の上にスパッタリング法により、膜厚１０００Åの金膜を成膜し、反射層を形成した。さらにこの反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５μｍの保護層を形成した。
【００５６】
【化１５】
【００５７】
（ｂ）光記録法
上記記録媒体を１．４ｍ／ｓで回転させながら、中心波長７８０ｎｍの半導体レーザー光で記録したところ、ＥＦＭ信号を記録するために１１．２ｍＷが必要であり、この場合でも実施例１に示した本発明の光記録媒体と比べ記録感度、反射率ともに劣るものであった。
【００５８】
【発明の効果】
本発明のフタロシアニン化合物は、有機溶媒に対する溶解性が高く、塗布によるコーティングが可能であり、しかも感度が良好で、該フタロシアニン化合物を用いた光学記録媒体は工業的に極めて有用なものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１で得られたフタロシアニン化合物のクロロホルム溶液中の可視部吸収スペクトルを表わす図。
【図２】本発明の実施例１で得られたフタロシアニン化合物の赤外吸収スペクトルを表わす図。
【図３】本発明の実施例２で得られたフタロシアニン化合物のクロロホルム溶液中の可視部吸収スペクトルを表わす図。
【図４】本発明の実施例２で得られたフタロシアニン化合物の赤外吸収スペクトルを表わす図。
【図５】本発明の実施例３で得られたフタロシアニン化合物のクロロホルム溶液中の可視部吸収スペクトルを表わす図。
【図６】本発明の実施例３で得られたフタロシアニン化合物の赤外吸収スペクトルを表わす図。
【発明の属する技術分野】
本発明は、フタロシアニン化合物及びそれを用いた光学記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
レーザーを用いる光学記録は、高密度の情報記録保存及びその再生を可能とするため、近年、特に開発が取り進められている。
光学記録媒体の一例としては光ディスクを挙げることができる。
一般に、光ディスクは、円形の基体に設けられた薄い記録層に、１μｍ程度に収束したレーザー光を照射し、高密度の情報記録を行うものである。その光ディスクの中でも最近注目を集めているものに書き込み型コンパクトディスク（ＣＤライトワンスディスク）がある。ＣＤライトワンスディスクは通常、案内溝を有するプラスチック基板上に色素を主成分とする記録層、金属反射膜、保護膜を順次積層することにより構成される。情報の記録は、照射されたレーザー光エネルギーの吸収によって、その箇所の記録層、反射層または基板に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形が生成することにより行われる。また、記録された情報の再生は、レーザー光により変形が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読み取ることにより行われる。したがって、光学記録媒体としてはレーザー光のエネルギーを効率よく吸収する必要があり、レーザー吸収色素が用いられる。
【０００３】
このようなＣＤライトワンスディスクの記録層に使用する色素としては、特開昭５８−１１２７９０号、同５８−１１４９８９号、同５９−８５７９１号、同６０−８３２３６号各公報にシアニン系色素を用いたものが開示されている。しかし、シアニン系色素は溶解性が高く、塗布によるコーティングが可能であるという利点を有する反面、耐光性に劣るという問題点を有している。この点に関して記録層用の色素としてフタロシアニン系色素を用いたものが提案されている。フタロシアニン系色素は一般に耐候性に優れていて好ましいが、有機溶媒に対する溶解性が低く、塗布によるコーティングに使用することができないという問題点を有していた。この点を改良するために特開昭６２−３９２８６号公報にフタロシアニンにアルコキシ基、置換フェノキシ基等の置換基を導入することが提案されているが、感度、記録特性において十分な性能を有しているとは言えなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の問題点を解決する記録層用色素およびそれを用いた光学記録媒体として、有機溶媒に対する溶解性に優れ、塗布によるコーティングに適したフタロシアニン化合物および該化合物を用いた光学記録媒体を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らはこの目的を達成するべく鋭意検討した結果、下記一般式［Ｉ］で示されるフタロシアニン化合物を見い出した。
すなわち本発明は下記一般式［Ｉ］で示されるフタロシアニン化合物、ならびに基板と記録層からなり、該記録層が下記一般式［Ｉ］で示されるフタロシアニン化合物を含有することを特徴とする光学記録媒体をその要旨とする。
【０００６】
【化３】
（式中、環Ａ1-4は、置換基を有していてもよいフェニル基を表わし、少なくとも環Ａ1-4のいずれか１つは置換基を有していてもよいフッ化アルキル基、置換基を有していてもよいフッ化アルコキシ基又は置換基を有していてもよいフッ化アルキルチオ基を有している。Ｚ1-4はハロゲン原子を表わす。ｎ1-4は０〜３の整数を表わす。Ｍは２価の金属原子、３価または４価の置換金属原子、酸化金属または２個の水素原子を表わす。但し、下記一般式［Ａ］のフタロシアニン化合物は除く。
【化５】
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
本発明の特徴は上記一般式［Ｉ］中の環Ａ１−４ の少なくとも１つ以上が、フッ化アルキル基、フッ化アルコキシ基又はフッ化アルキルチオ基で置換されていることにある。これらのフッ化アルキル基、フッ化アルコキシ基、フッ化アルキルチオ基は炭素数１〜６であることが好ましく、また置換基を有していてもよい。
【０００９】
これらの具体例としては、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のフッ化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、２−フルオロエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２Ｈ−テトラフルオロエチル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、１Ｈ，１Ｈ−ペンタフルオロプロピル基、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−テトラフルオロプロピル基、パーフルオロ−ｎ−ブチル基、１Ｈ，１Ｈ−ヘプタフルオロブチル基、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−ヘキサフルオロブチル基、パーフルオロ−ｎ−ペンチル基、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチル基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシル基、２−（パーフルオロブチル）エチル基等の炭素数１〜６の直鎖のフッ化アルキル基；１−（トリフルオロメチル）テトラフルオロエチル基、１−（トリフルオロメチル）−２，２，２−トリフルオロエチル基、１−（トリフルオロメチル）エチル基、１−（ジフルオロメチル）−２，２−ジフルオロエチル基、１−（フルオロメチル）−２−フルオロエチル基、パーフルオロ−１，１−ジメチルエチル基、１，１−ジ（トリフルオロメチル）エチル基、１−（トリフルオロエチル）−１−メチルエチル基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロプロピル基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロブチル基、２，２−ジ（トリフルオロメチル）プロピル基、２−メチル−４，４，４−トリフルオロブチル基、パーフルオロ−３−メチルブチル基、２−（パーフルオロ−１−メチルエチル）エチル基、３−（パーフルオロ−１−メチルエチル）プロピル基等の炭素数１〜６の分岐のフッ化アルキル基等が挙げられる。
【００１０】
置換基を有していてもよい炭素数１〜６のフッ化アルコキシ基としては、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、２−フルオロエトキシ基、２，２−ジフルオロエトキシ基、２，２，２−トリフルオロエトキシ基、２Ｈ−テトラフルオロエトキシ基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロポキシ基、３，３，３−トリフルオロプロポキシ基、１Ｈ，１Ｈ−ペンタフルオロプロポキシ基、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−テトラフルオロプロポキシ基、パーフルオロ−ｎ−ブトキシ基、１Ｈ，１Ｈ−ヘプタフルオロブトキシ基、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−ヘキサフルオロブトキシ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルオキシ基、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチルオキシ基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルオキシ基、２−（パーフルオロブチル）エトキシ基等の炭素数１〜６の直鎖のフッ化アルキル基；１−（トリフルオロメチル）テトラフルオロエトキシ基、１−（トリフルオロメチル）−２，２，２−トリフルオロエトキシ基、１−（トリフルオロメチル）エトキシ基、１−（ジフルオロメチル）−２，２−ジフルオロエトキシ基、１−（フルオロメチル）−２−フルオロエトキシ基、パーフルオロ−１，１−ジメチルエトキシ基、１，１−ジ（トリフルオロメチル）エトキシ基、１−（トリフルオロエチル）−１−メチルエトキシ基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロプロポキシ基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロブトキシ基、２，２−ジ（トリフルオロメチル）プロポキシ基、２−メチル−４，４，４−トリフルオロブトキシ基、パーフルオロ−３−メチルブトキシ基、２−（パーフルオロ−１−メチルエチル）エトキシ基、３−（パーフルオロ−１−メチルエチル）プロポキシ基等の炭素数１〜６の分岐のフッ化アルキル基等が挙げられる。
【００１１】
置換基を有していてもよい炭素数１〜６のフッ化アルキルチオ基としては、トリフルオロメチルチオ基、ペンタフルオロエチルチオ基、２−フルオロエチルチオ基、２，２−ジフルオロエチルチオ基、２，２，２−トリフルオロエチルチオ基、２Ｈ−テトラフルオロエチルチオ基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピルチオ基、３，３，３−トリフルオロプロピルチオ基、１Ｈ，１Ｈ−ペンタフルオロプロピルチオ基、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−テトラフルオロプロピルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ブチルチオ基、１Ｈ，１Ｈ−ヘプタフルオロブチルチオ基、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−ヘキサフルオロブチルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルチオ基、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルチオ基、２−（パーフルオロブチル）エチルチオ基等の炭素数１〜６の直鎖のフッ化アルキルチオ基；１−（トリフルオロメチル）テトラフルオロエルチオ基、１−（トリフルオロメチル）−２，２，２−トリフルオロエチルチオ基、１−（トリフルオロメチル）エチルチオ基、１−（ジフルオロメチル）−２，２−ジフルオロエチルチオ基、１−（フルオロメチル）−２−フルオロエチルチオ基、パーフルオロ−１，１−ジメチルエチルチオ基、１，１−ジ（トリフルオロメチル）エチルチオ基、１−（トリフルオロエチル）−１−メチルエチルチオ基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロプロピルチオ基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロブチルチオ基、２，２−ジ（トリフルオロメチル）プロピルチオ基、２−メチル−４，４，４−トリフルオロブチルチオ基、パーフルオロ−３−メチルブチルチオ基、２−（パーフルオロ−１−メチルエチル）エチルチオ基、３−（パーフルオロ−１−メチルエチル）プロピルチオ基等の炭素数１〜６の分岐のフッ化アルキルチオ基等が挙げられる。
【００１２】
Ｚ１−４ で表わされるハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、特に臭素原子が好ましい。ｎ１−４ は０〜３の整数のいずれでもよいが、０又は１が特に好ましい。
Ｍで表わされる２価金属原子の例としては、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｃａ，Ｂａ，Ｃｄ，Ｈｇ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｂｅ，Ｃｒ等が挙げられる。１置換３価金属原子の例としては、ＡｌＦ，ＡｌＣｌ，ＡｌＢｒ，ＡｌＩ，ＧａＦ，ＧａＣｌ，ＧａＢｒ，ＧａＩ，ＩｎＦ，ＩｎＣｌ，ＩｎＢｒ，ＩｎＩ，ＴｌＦ，ＴｌＣｌ，ＴｌＢｒ，ＴｌＩ等が挙げられる。２置換４価金属の例としては、ＳｉＦ２ ，ＳｉＣｌ２ ，ＳｉＢｒ２ ，ＳｉＩ２ ，ＧｅＦ２ ，ＧｅＣｌ２ ，ＧｅＢｒ２ ，ＧｅＩ２ ，ＳｎＦ２ ，ＳｎＣｌ２ ，ＳｎＢｒ２ ，ＳｎＩ２ ，ＴｉＦ２ ，ＴｉＣｌ２ ，ＴｉＢｒ２ ，ＴｉＩ２ ，ＺｒＣｌ２ ，ＨｆＣｌ２ ，Ｓｉ（ＯＨ）２ ，Ｇｅ（ＯＨ）２ ，Ｓｎ（ＯＨ）２ ，Ｚｒ（ＯＨ）２ ，Ｈｆ（ＯＨ）２ ，ＳｉＲ２ ，ＧｅＲ２ ，ＳｎＲ２ ，ＴｉＲ２ （Ｒは置換基を有していてもよいアルキル基、アリール基を表わす。），Ｓｉ（ＯＲ′）２ ，Ｇｅ（ＯＲ′）２ ，Ｓｎ（ＯＲ′）２ ，Ｔｉ（ＯＲ′）２ （Ｒ′は置換基を有していてもよいアルキル基、アリール基、アシル基、トリアルキルシリルオキシ基を表わす。）等が挙げられる。酸化金属の例としてはＶＯ，ＴｉＯ，ＰｂＯ等が挙げられる。特に好ましい金属原子の例としてはＣｕ，Ｐｂ，ＳｎＣｌ２ ，ＳｎＢｒ２ ，ＳｎＲ２ ，Ｓｎ（ＯＲ′）２ ，ＶＯ，ＴｉＣｌ２ ，ＴｉＯである。
【００１３】
環Ａ１−４ はフッ化アルキル基、フッ化アルコキシ基又はフッ化アルキルチオ基以外の他の置換基を有していてもよい。他の置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基などが例示できる。
また、一つの環上に異なる２種以上のフッ化アルキル基、フッ化アルコキシ基又はフッ化アルキルチオ基を有していてもよく、また、一つの環上に異なる２種以上の他の置換基を有していてもよい。
上記一般式［Ｉ］で表わされるフタロシアニン化合物のうち、好ましいものは下記一般式［ＩＩ］で表わされるものである。
【００１４】
【化４】
（式中、Ｘ１−４ はそれぞれ独立して水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜６の直鎖または分岐のフッ化アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜６の直鎖または分岐のフッ化アルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数１〜６の直鎖または分岐のフッ化アルキルチオ基を表わし、Ｘ１−４ がすべて水素原子になることはない。Ｙ１−４ はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数２〜１０のジアルキルアミノ基、置換基を有していてもよい炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基を表わす。Ｚ１−４ はハロゲン原子を表わす。ｌ１−４ は１〜５の整数、ｍ１−４ は０〜４の整数を表わし、ｌｉ ＋ｍｉ ≦５（ｉは１〜４の整数）である。ｎ１−４ は０〜３の整数を表わす。Ｍは２価の金属原子、３価または４価の置換金属原子、酸化金属または２個の水素原子を表す。）
【００１６】
上記一般式［ＩＩ］で、Ｘ１−４ の具体例は上述のフッ化アルキル基、フッ化アルコキシ基又はフッ化アルキルチオ基の例と同じである。また、Ｚ１−４ ，ｎ１−４ ，Ｍは一般式［Ｉ］と同じである。
Ｙ１ 〜Ｙ４ で表わされるハロゲン原子としてはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。炭素数２〜１０のジアルキルアミノ基としてはジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジ−ｉｓｏ−プロピルアミノ基、エチル−ｎ−プロピルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基、ｎ−プロピル−ｎ−ブチルアミノ基、ジ−ｎ−ペンチルアミノ基等が挙げられる。置換基を有していてもよい炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等が挙げられる。置換基を有していてもよい炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｉｓｏ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎｅｏ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
前記一般式［ＩＩ］で示されるフタロシアニン化合物は下記一般式［ＩＩＩ］
【００１７】
【化５】
（式中、Ｘ，Ｙ，Ｚ，ｌ，ｍ，ｎはそれぞれ上記一般式［ＩＩ］のＸ１−４ ，Ｙ１−４ ，Ｚ１−４ ，ｌ１−４ ，ｍ１−４ ，ｎ１−４ の定義と同じ）で示されるフタロニトリル化合物を１〜４種を混合して、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）等の有機塩基の存在下、金属誘導体とアルコール等の溶媒中で加熱反応する方法、あるいは金属誘導体、必要に応じて尿素の存在下、１−クロロナフタレン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等の溶媒中で加熱する方法により合成することができる。
また、下記一般式［ＩＶ］
【００１９】
【化６】
（式中、Ｘ，Ｙ，Ｚ，ｌ，ｍ，ｎは上記一般式［ＩＩＩ］の定義と同じ）で示されるフタル酸誘導体を１〜４種を混合して、金属誘導体とを尿素の存在下、１−クロロナフタレン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等の溶媒中で加熱する方法によっても合成することができる。
また、上記一般式［Ｉ］または［ＩＩ］において、ｎ１−４ が１以上の場合には、ｎ１−４ が０の、対応するフタロシアニン化合物を上述のようにして合成し、次いでハロゲン化剤を用いてハロゲン化することによっても得られる。
【００２１】
本発明のフタロシアニン化合物は、いずれも６００〜８００ｎｍ付近の近赤外領域に吸収を有し、耐光性、耐熱性が良好で、種々の着色剤（例えば光学フィルター）として使用できるが、特に光学記録媒体の記録材料として有用である。
本発明の光学記録媒体は、基本的には基板と前記フタロシアニン化合物または混合物を含む記録層とから構成されるものであるが、さらに必要に応じて基板上に下引き層を設けることができる。また、好ましい層構成の一例としては、記録層上に金、銀、アルミニウムの様な金属反射層および保護層を設けて高反射率の媒体とし、追記型のＣＤメディアとすることが挙げられる。
【００２２】
前記基板としては、使用するレーザー光に対して透明であるものが好ましく、ガラスや種々のプラスチックが用いられる。
プラスチックとしては、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられるが、高生産性、コスト、耐吸湿性の点から射出成型ポリカーボネート樹脂基板が特に好ましい。
【００２３】
本発明の光学記録媒体において、フタロシアニン化合物を含有する記録層の膜厚は、通常、１００Å〜５μｍ、好ましくは７００Å〜３μｍである。
記録膜の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法等一般に行われている薄膜形成法で成膜することができるが、量産性、コスト面からスピナー法が好ましい。
【００２４】
また、必要に応じてバインダーを使用することもできる。バインダーとしてはポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ケトン樹脂、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート等既知のものが用いられる。この場合本発明のフタロシアニン化合物は、樹脂中に１０重量％以上含有されていることが好ましい。
【００２５】
スピナー法による成膜の場合、回転数は５００〜５０００ｒｐｍが好ましく、スピンコートの後、場合によっては、加熱あるいは溶媒蒸気にあてる等の処理を行ってもよい。
また、記録層の安定や耐光性向上のために、一重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化合物（たとえば、アセチルアセトナートキレート、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α−ジケトン等）を含有していてもよい。さらに、必要に応じて他の色素を併用することもできる。他の色素としては別の種類の同系統の化合物でもよいし、トリアリールメタン系色素、アゾ色素、シアニン系色素、スクワリリウム系色素、含金属インドアニリン、含金属アゾ色素等他系統の色素でもよい。
【００２６】
ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法、特にスピナー法等の塗布方法により記録層を形成する場合の塗布溶媒としては、基板を侵さない溶媒なら特に限定されない。例えば、ジアセトンアルコール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン等のケトンアルコール系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン等の炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン等の炭化水素系溶媒、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のエーテル系溶媒、テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノール、ヘキサフルオロブタノール等のパーフルオロアルキルアルコール系溶媒、乳酸メチル、乳酸エチル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシエステル系溶媒等が挙げられる。
【００２７】
本発明の光学記録媒体の記録層は基板の両面に設けてもよいし、片面に設けてもよい。上記のようにして得られた光学記録媒体への記録は、基板の両面または片面に設けた記録層に１μｍ程度に集束したレーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあてることにより行う。レーザー光の照射された部分には、レーザー光エネルギーの吸収による、分解、発熱、溶融等の記録層の熱的変形が起こる。
【００２８】
記録された情報の再生は、レーザー光により、熱的変形が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読み取ることにより行う。
本発明の光学記録媒体について使用されるレーザー光はＮ２ 、Ｈｅ−Ｃｄ、Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ、ルビー、半導体、色素レーザー等が挙げられるが、特に、軽量性、取扱の容易さ、コンパクト性等の点から半導体レーザーが好適である。
【００２９】
【実施例】
以下実施例により本発明を具体的に説明するが、かかる実施例はその要旨を越えない限り本発明を限定するものではない。
【００３０】
実施例１
（ａ）製造例
乾燥したジメチルホルムアミド２０ｍｌ中に分散した６０％水素化ナトリウム２．８８ｇ（７２ｍｍｏｌ）を窒素気流下、攪拌し、１０℃で３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェノール１５．５３ｇ（６７．５ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下した。滴下終了後、下記構造式［Ｖ］
【００３１】
【化７】
で示される３−ニトロフタロニトリル１１．５０ｇ（６６．４ｍｍｏｌ）のジメチルホルムアミド３０ｍｌ溶液をゆっくり滴下した。２時間攪拌した後、氷水中に放出し、塩酸で中和し、析出した結晶をろ過、水洗、乾燥すると下記構造式［ＶＩ］
【００３３】
【化８】
で示される３−［３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェノキシ］フタロニトリル２２．７７ｇ（収率９６．２％）を得た。
上述の３−［３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェノキシ］フタロニトリル３．５４ｇ（９．９ｍｍｏｌ）、ＤＢＵ１．５５ｇ（１０．２ｍｍｏｌ）のｎ−アミルアルコール１０ｍｌ溶液を攪拌しながら９０〜９５℃に加熱し、同温度で塩化スズ（ＩＩ）０．５８ｇ（３．１ｍｍｏｌ）を添加した。９０〜１００℃で２．５時間加熱、攪拌し、放冷後、溶媒を減圧下除去し、シリカゲルカラム（クロロホルム）で精製し、乾燥すると下記構造式［ＶＩＩ］で示されるフタロシアニン化合物０．１７ｇ（収率４．２％）を得た。（得られた化合物は３，５−ジトリフルオロメチルフェノキシ基が１，５，９，１３位に置換した化合物、１，８，９，１６位に置換した化合物、１，５，９，１６位に置換した化合物、１，５，１２，１６位に置換した化合物の異性体を含むが代表的な構造を［ＶＩＩ］で示す。）この化合物のクロロホルム中でのλｍａｘは７１８ｎｍであり、分子吸光係数は２．１６×１０５ であった。この化合物のクロロホルム溶液中の可視部吸収スペクトルを図１に示す。また赤外吸収スペクトルを図２に示す。
【００３５】
【化９】
（ｂ）記録媒体例
前記製造例で得たフタロシアニン化合物のオクタフルオロペンタノール１．５ｗｔ％溶液を調整し、孔径０．２２μｍのフィルターでろ過し、溶解液を得た。この溶液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により５００ｒｐｍの回転数で塗布した。塗布後、８０℃で５分間乾燥した。塗布膜の最大吸収波長は７２４ｎｍであった。
次に、この塗布膜の上にスパッタリング法により、膜厚１０００Åの金膜を成膜し、反射層を形成した。さらにこの反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５μｍの保護層を形成した。
【００３７】
（ｃ）光記録法
上記記録媒体を１．４ｍ／ｓで回転させながら、中心波長７８０ｎｍの半導体レーザー光で、記録パワー７．８ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。次にこの記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体レーザーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良好な再生信号を得た。
実施例２
【００３８】
（ａ）製造例
前述の３−［３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェノキシ］フタロニトリル３．５６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の１−クロロナフタレン１０ｍｌ溶液を攪拌しながら２００℃に加熱し、同温度で臭化スズ（ＩＩ）０．８４ｇ（３．０ｍｍｏｌ）を添加した。２００℃で１２．５時間加熱、攪拌し、放冷後、シリカゲルカラム（酢酸エチル）で精製し、メタノールを加え、析出した結晶をろ別し、洗浄、乾燥することにより下記構造式［ＶＩＩＩ］で示されるフタロシアニン化合物０．８７ｇ（収率２０．５％）を得た。（得られた化合物は実施例１と同様に異性体を含むが代表的な構造を下記構造式［ＶＩＩＩ］で示す。）この化合物のクロロホルム中でのλｍａｘは７２１ｎｍであり、分子吸光係数は２．０２×１０５ であった。この化合物のクロロホルム溶液中の可視部吸収スペクトルを図３に示す。また赤外吸収スペクトルを図４に示す。
【００３９】
【化１０】
（ｂ）記録媒体例
前記製造例で得たフタロシアニン化合物のオクタフルオロペンタノール１．５ｗｔ％溶液を調整し、孔径０．２２μｍのフィルターでろ過し、溶解液を得た。この溶液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により５００ｒｐｍの回転数で塗布した。塗布後、８０℃で５分間乾燥した。塗布膜の最大吸収波長は７２７ｎｍであった。
次に、この塗布膜の上にスパッタリング法により、膜厚１０００Åの金膜を成膜し、反射層を形成した。さらにこの反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５μｍの保護層を形成した。
【００４１】
（ｃ）光記録法
上記記録媒体を１．４ｍ／ｓで回転させながら、中心波長７８０ｎｍの半導体レーザー光で、記録パワー７．８ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。次にこの記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体レーザーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良好な再生信号を得た。
【００４２】
実施例３
（ａ）製造例
乾燥したジメチルスルホキシド７５ｍｌ中に３−ニトロフタロニトリル８．６５ｇ（５０ｍｍｏｌ）と３−（１，１，２，２−テトラフルオロエトキシ）フェノール１０．５１ｇ（５０ｍｍｏｌ）を加え、攪拌し、窒素気流下で乳鉢で粉砕した炭酸カリウム５ｇを１８〜２２℃で、３〜５時間おきに１ｇずつ５回に分けて添加した。８０時間攪拌した後、氷水中に放出し、析出した結晶をろ過、水洗、乾燥すると下記構造式［ＩＸ］で示される３−［３−（１，１，２，２−テトラフルオロエトキシ）フェノキシ］フタロニトリル１５．１ｇ（収率８９．８％）を得た。
【００４３】
【化１１】
三塩化バナジウム０．５９ｇ（３．７ｍｍｏｌ）をキノリン５ｍｌ中に分散させたものの中に上述の３−［３−（１，１，２，２−テトラフルオロエトキシ）フェノキシ］フタロニトリル３．３６ｇ（１０ｍｍｏｌ）を加えた。
１８０〜２００℃で５時間攪拌した後、放冷し、メタノール５０ｍｌを加えた。生成した沈殿をろ別し、ろ液を３．５％塩酸溶液中に加えた。得られた沈殿をろ過、水洗、乾燥し、得られた化合物をシリカゲルカラム（トルエン−酢酸エチル）で精製し、下記構造式［Ｘ］で示されるフタロシアニン化合物０．５２ｇ（収率１９．６％）を得た。（得られた化合物は実施例１と同様に異性体を含むが代表的な構造を［Ｘ］で示す。）この化合物のクロロホルム中でのλｍａｘは７２１ｎｍであり、分子吸光係数は１．６５×１０５ であった。この化合物のクロロホルム溶液中の可視部吸収スペクトルを図５に示す。また赤外吸収スペクトルを図６に示す。
【００４５】
【化１２】
（ｂ）記録媒体例
前記製造例で得たフタロシアニン化合物の２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブタノール１．５ｗｔ％溶液を調整し、孔径０．２２μｍのフィルターでろ過し、溶解液を得た。この溶液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により５００ｒｐｍの回転数で塗布した。塗布後、８０℃で５分間乾燥した。塗布膜の最大吸収波長は７２９ｎｍであった。
次に、この塗布膜の上にスパッタリング法により、膜厚１０００Åの金膜を成膜し、反射層を形成した。さらにこの反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５μｍの保護層を形成した。
【００４７】
（ｃ）光記録法
上記記録媒体を１．４ｍ／ｓで回転させながら、中心波長７８０ｎｍの半導体レーザー光で、記録パワー７．８ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。次にこの記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体レーザーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良好な再生信号を得た。
【００４８】
実施例４−２５
実施例１において用いた化合物の代わりに主な異性体が下記構造式［ＸＩ］で表わされる化合物を合成した。最大吸収波長、分子吸光係数を示す。
また、それらのフタロシアニン化合物を用いて実施例１と同様に基板上に塗布して、表−１に示す塗布膜の最大吸収波長を持つ光学記録媒体を製造した。
得られた光学記録媒体に、光源として半導体レーザーを用いて記録を行ったところ、記録感度が良好であった。
【００４９】
【化１３】
（式中、Ｘ１−４ ，Ｙ１−４ ，Ｚ１−４ ，Ｍは表−１に示された置換基を表わす。表−１中、例えば３，５−ＣＦ３ とあるのは、３位と５位それぞれにＣＦ３ 基があることを意味する。）
【００５１】
【表１】
比較例１
（ａ）記録媒体例
下記構造式［ＸＩＩ］で示されるフタロシアニン化合物（この化合物は実施例１と同様に異性体を含むが代表的な構造を［ＸＩＩ］に示す。）のエチルシクロヘキサン１．７ｗｔ％溶液を調整し、孔径０．２２μｍのフィルターでろ過し、溶解液を得た。この溶液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により５００ｒｐｍの回転数で塗布した。塗布後、８０℃で５分間乾燥した。塗布膜の最大吸収波長は７１４ｎｍであった。
次に、この塗布膜の上にスパッタリング法により、膜厚１０００Åの金膜を成膜し、反射層を形成した。さらにこの反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５μｍの保護層を形成した。
【００５３】
【化１４】
（ｂ）光記録法
上記記録媒体を１．４ｍ／ｓで回転させながら、中心波長７８０ｎｍの半導体レーザー光で記録したところ、ＥＦＭ信号を記録するために記録パワーとして１０．５ｍＷが必要であり、この場合でも実施例１に示した本発明の光記録媒体と比べ記録感度、反射率ともに劣るものであった。
【００５５】
比較例２
（ａ）記録媒体例
下記構造式［ＸＩＩＩ］で示されるフタロシアニン化合物（この化合物は実施例１と同様に異性体を含むが代表的な構造を［ＸＩＩＩ］に示す。）のエチルシクロヘキサン１．７ｗｔ％溶液を調整し、孔径０．２２μｍのフィルターでろ過し、溶解液を得た。この溶液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により５００ｒｐｍの回転数で塗布した。塗布後、８０℃で５分間乾燥した。塗布膜の最大吸収波長は７１８ｎｍであった。
次に、この塗布膜の上にスパッタリング法により、膜厚１０００Åの金膜を成膜し、反射層を形成した。さらにこの反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５μｍの保護層を形成した。
【００５６】
【化１５】
（ｂ）光記録法
上記記録媒体を１．４ｍ／ｓで回転させながら、中心波長７８０ｎｍの半導体レーザー光で記録したところ、ＥＦＭ信号を記録するために１１．２ｍＷが必要であり、この場合でも実施例１に示した本発明の光記録媒体と比べ記録感度、反射率ともに劣るものであった。
【００５８】
【発明の効果】
本発明のフタロシアニン化合物は、有機溶媒に対する溶解性が高く、塗布によるコーティングが可能であり、しかも感度が良好で、該フタロシアニン化合物を用いた光学記録媒体は工業的に極めて有用なものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１で得られたフタロシアニン化合物のクロロホルム溶液中の可視部吸収スペクトルを表わす図。
【図２】本発明の実施例１で得られたフタロシアニン化合物の赤外吸収スペクトルを表わす図。
【図３】本発明の実施例２で得られたフタロシアニン化合物のクロロホルム溶液中の可視部吸収スペクトルを表わす図。
【図４】本発明の実施例２で得られたフタロシアニン化合物の赤外吸収スペクトルを表わす図。
【図５】本発明の実施例３で得られたフタロシアニン化合物のクロロホルム溶液中の可視部吸収スペクトルを表わす図。
【図６】本発明の実施例３で得られたフタロシアニン化合物の赤外吸収スペクトルを表わす図。
Claims (5)
- 下記一般式［Ｉ］で示されるフタロシアニン化合物。
- 下記一般式［II］で示されるフタロシアニン化合物。
- 置換フェノキシ基のフタロシアニン環における置換位置がそれぞれ１又は４、５又は８、９又は１２、１３又は１６である請求項１〜２のいずれか１項に記載のフタロシアニン化合物。
- 基板上にレーザーによる情報の書き込み及び／または読み取りが可能な記録層が設けられた光学記録媒体において、該記録層が請求項１〜３のいずれか１項に記載のフタロシアニン化合物を含有することを特徴とする光学記録媒体。
- 記録層上に金属の反射層及び保護層が設けられている請求項４に記載の光学記録媒体。
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