JPH02276866A - 新規なテトラアザポルフイン及びその製造法並びにそれを用いた光記録媒体及びその光記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、新規なテトラアザポルフィン及びその製造法
並びにそれを用いた光記録媒体及びその光記録媒体の製
造方法に関する。

〔従来の技術〕

近年、コンパクトディスク、ビデオディスク。

液晶表示装置、光学文字読取機等における書込みあるい
は、読取りのためかつ電子写真用光源として半導体レー
ザー光を利用することが提案されている。特に、半導体
レーザーを用いた光記録媒体は、媒体と記録ないし再生
ヘッドが非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化しない
という特徴をもつもので、種々の記録媒体の開発、研究
が行われている。特にヒートモード記録方式の分野にお
いては、低融点金属、有機高分子化合物あるいは色素が
融解、蒸発あるいは昇華する物質として提案されている
。中でも有機高分子化合物や色素を含む有機薄膜は、熱
伝導率が小さく、また、融解ないし昇華温度が低いもの
となっている。そのため。

記録感度の点で好ましいシアニン色素、スクワリリウム
色素など種々の物質が記録層形成材として提案されてい
る。

そこで、色素を記録層として適用した光記録媒体が提案
されている（例えば、特開昭５６−１６９４８号）。

このような従来技術のうち１色素臼体の反射率が適度に
高いシアニン系色素を記録層に用い１色素薄膜記録層を
反射型の光記録媒体として利用するために金属反射膜を
必要とせず、媒体構成の複雑化の防止、情報の記録再生
特性の劣化の防止を図る提案がなされている（例えば特
開昭６０−７８７８号）。

しかしながら、シアニン系色素をはじめとする公知の色
素は一般に耐光堅ろう性が低いため、書き込み後の読み
出しの際、読み出し光の繰り返し照射によって色素が退
色し、読み出しのＣ／Ｎ比が低下してしまうという、い
わゆる再生劣化が大きいという問題がある。そこで、耐
光堅ろう性の優れた色素としてナフタロシアニン化合物
を記録層に用いることが提案されている（例えば、米国
特許筒４，７２５，５２５号明細書）。

〔発明が解決しようとする課題〕

情報記録媒体の記録層形成法としては、真空蒸着、スパ
ッタ、塗布法や浸漬法など種々の方法が知られているが
、一般に前２者のような真空技術を用いる形成法よりも
、後２者のような湿式法が経済的に有利であり、そのた
め、色素の有機溶剤への溶解性は、記録層形成過程の経
済性において重要な位置を占める。

一方、情報の記録・再生機器には、小型軽量化のために
半導体レーザーが使用されているが、＠近、記録密度の
向上を目的として、半導体レーザーの発振波長が従来の
８００ｎｍ付近から６００ｎｍ付近へと徐々に短波長化
されつつある。このような短波長化された半導体レーザ
ｉを使用する場合には、８１０ｎｍ付近に吸収極大を有
するが８００ｎｍ以下の波長領域において吸収が小さく
。

反射率も小さい従来のナフタロシアニン誘導体は使用で
きないという問題点があった０本発明は。

前記現状に鑑みてなされたもので、その目的は、８００
ｎｍ以下の波長領域の発振波長を有する半導体レーザー
に対しても吸収が大きく、反射率も大きく裕度をもって
適用可能で、高感度かつ有機溶媒に対して可溶な優れた
特性を示す化合物を見出し、光記録媒体として用いるこ
とにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者らは、上記問題点を解決するため鋭意検討を行
った結果、本発明に至ったものである。

仮に、請求項１の発明を第１の発明と呼ぶことにする。

すなわち第１の発明は、−散大（Ｉ）〔式中ＭはＳｉ、
Ｇｅ又はＳｎを示し、Ｙはアリールオキシル基、アルコ
キシル基、トリアルキルシロキシル基、トリアリールシ
ロキシル基、トリアルコキシシロキシル基、トリアリー
ルオキシシロキシル基、トリチルオキシル基又はアシロ
キシル基を示し、２個のＹは同一でも相違してもよく、
Ａ１．　ＡＭ　、　Ａ３及びＡ４で表わされる環は、有
機置換基が結合してもよい芳香環を示し、　Ａ”、　Ａ
”Ａ３及びＡ４は同一でも相違してもよく、Ａ’、　Ａ
”Ａ３及びＡ４の少なくとも１つは、含窒素芳香環であ
る〕で表わされる新規なテトラアザポルフィンに関する
。

一般式（Ｉ）で表わされるテトラアザポルフィンは、芳
香族系、ハロゲン系、エーテル系、ケトン系、飽和炭化
水素系及び脂環式炭化水素系溶媒に可溶であり、容易に
精製し純度を向上でき、溶媒の種類及び濃度等による吸
収の変化がなく、Ａｉ、Ａ”、Ａ３及びＡ４で表わされ
る環として適当な含窒素芳香環を選択することにより、
８００ｎｍ以下の波長領域の発振波長を有する半導体レ
ーザーにも適用できる。

７８０ｎｍ以下の波長領域の発振波長を有する半導体レ
ーザーに有効に適用できる。

７４０ｎｍ以下の波長領域の発振波長を有する半導体レ
ーザーにより有効に適用できる。

７００ｎｍ以下の波長領域の発振波長を有する半導体レ
ーザーに特に有効に適用できる。

６５０ｎｍ以下の波長領域の発振波長を有する半導体レ
ーザーに最大に有効に適用できる。

上記芳香族系溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリメチル
ベンゼン、１−クロロナフタレン。

キノリン等があり、上記ハロゲン系溶媒としては、塩（
ヒメチレン、クロロホルム、四塩化炭素、トリクロロエ
タン等があり、上記エーテル系溶媒としては、ジエチル
エーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、エ
チレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコ
ールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチ
ルエーテル。

ジエチレングリコールジメチルエーテル等があり、ケト
ン系溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メ
チルプロピルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサ
ノン、アセトンアルコール等があり、飽和炭化水素系溶
媒としては、ヘキサン。

ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ド
デカン等があり、脂環式炭化水素系溶媒としては、シク
ロオクタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン等がある。

前記−散大（Ｉ）において１Ｍとしては、Ｓｉ。

Ｇｅ及びＳｎがあげられ、Ｙとしては、アリールオキシ
ル基としてフェノキジル基、トリルオキシル基、アシロ
キシル基等があり、アルコキシル基としては、アミロキ
シル基、ヘキシロキシル基、オクチロキシル基、デシロ
キシル基、ドデシロキシル基、テトラゾシロキシル基、
ヘキサデシロキシル基、オクタデシロキシル基、エイコ
シロキシル基、トコシロキシル基等があり、トリアルキ
ルシロキシル基としては、トリメチルシロキシル基、ト
リエチルシロキシル基、トリプロピルシロキシル基、ト
リブチルシロキシル基、トリへキシルシロキシル基、ト
リベンジルシロキシル基。

トリシクロへキシルシロキシル基、ジメチルｔ−ブチル
シロキシル基、ジメチルオクチルシロキシル基、ジメチ
ルオクタデシルシロキシル基、ジメチルシクロへキシル
シロキシル基、ジメチルシクロペンチルシロキシル基、
ジエチルシクロへキシルシロキシル基、ジエチルシクロ
ペンチルシロキシル基、ジプロピルシクロへキシルシロ
キシル基。

ジプロピルシクロペンチルシロキシル基、ジブチルシク
ロへキシルシロキシル基、ジブチルシクロペンチルシロ
キシル基、ジシクロヘキシルメチルシロキシル基、ジシ
クロヘキシルエチルシロキシル基、ジシクロヘキシルプ
ロビルシロキシル基。

ジシクロヘキシルブチルシロキシル基、ジシクロペンチ
ルメチルシロキシル基、ジシクロペンチルエチルシロキ
シル基、ジシクロペンチルプロビルシロキシル基、ジシ
クロペンチルブチルシロキシル基、ジメチルフェニルシ
ロキシル基、ジメチルメトキシシロキシル基、ジメチル
オクトキシシロキシル基、ジメチルフェノキシシロキシ
ル基。

ＣＨ，ＣＨ，ＣＨ３ＣＨ。

等があり、トリアリールシロキシル基としては、トリフ
ェニルシロキシル基、ドリアニシルシロキシル基、トリ
トリルシロキシル基等があり、トリアルコキシシロキシ
ル基としては、トリメトキシシロキシル基、トリエトキ
シシロキシル基、トリプロポキシシロキシル基、トリブ
トキシシロキシル基等があり、トリアリールオキシシロ
キシル基としては、トリフエノキシシロキシル基、ドリ
アニシロキシシロキシル基、トリトリルオキシシロキシ
ル基等があり、アシロキシル基としては、アセトキシル
基、プロピオニルオキシル基、ブチリルオキシル基、バ
レリルオキシル基、ピバロイルオキシル基、ヘキサノイ
ルオキシル基、オクタノイルオキシル基等がある。

航記一般式（Ｉ）（ｉ’）Ａ’、Ａ’、Ａ’及びＡ’で
ｉわされる芳香環に結合した有機置換基におけるＲ１〜
Ｒ”のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、　５ｅｃ−プロピル基、ｎ−ブチ
ル基、　５ａｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−アミル
基、ｔ−アミル基、２−アミル基、３−アミル基、　ｎ
ｅｏ−ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデ
シル基、オクタデシル基、エイコシル基、トコシル基、
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基
。

シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル
基、２−メチルシクロペンチル基、３−メチルシクロペ
ンチル基、４−メチルシクロヘキシル基、１，１−ジシ
クロペンチルメチル店、シクロヘキシルメチル基、シク
ロプロピルメチル基。

２−シクロヘキシルエチル基、２−シクロペンチルエチ
ル基、２−シクロへキシルプロピル基、３−シクロへキ
シルプロピル基等がある。

置換基を有するアルキル基の例としては、エステル基を
有するアルキル基、アミド基を有するアルキル基、ヒド
ロキシル基を有するアルキル基。

アラルキル基、トリアルキルシリル基を有するアルキル
基、アルコキシアルキル基、ハロアルキル基等があり、
アリール基としては、フェニル基。

トリル基、アニシル基、ハロフェニル基等があり、Ｘｌ
で表わされるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子がある。

これら前記一般式（Ｉ）においてＹ並びにＡｌＡ”、Ａ
”及びＡ４で表わされる芳香環に結合した有機置換基中
のアルキル基の長さは、一般式（Ｉ）で表わされるテト
ラアザポルフィンを有機溶媒に溶解するときの溶解度だ
けでなく、この化合物の融点の値、さらにはこの化合物
を有機溶媒に溶かしその溶液をガラス板などの適当な基
板上にスピンコードして形成した非晶質膜のスペクトル
（吸光スペクトル、透過スペクトル及び反射スペクトル
）に大きな影響を及ぼす。

特に、中心金属Ｍに結合した置換基Ｙのアルキル基の長
さは、スピンコード膜のスペクトルを微小調節できる。

したがって、使用するレーザーの発振波長に合わせてＹ
のアルキル鎖長を変化させることができる（アルキル鎖
長が短いほど、極大吸収、極小透過率及び極大反射率は
、それぞれ長波長シフトする）。

一方　ｔ、１　、　ｐ、２　、　Ａ３及びＡ４で表わさ
れる芳香環に結合した有機置換基中のアルキル鎖長は、
前述のＹのアルキル鎖長を変化させたときのこの化合物
の有機溶媒に対する溶解度及び融点を調節するための機
能を有する。

前記一般式（Ｉ）において、Ａ１．Ａ”、Ａ３及びのス
ペクトルを大きく変化させることに役立つ。

したがって、使用するレーザーの発振波長に合わせて含
窒素芳香環の種類を最適となるように適当に選択するこ
とができる。

前記一般式（Ｉ）においてＭがＳｉ又はＧｅであるテト
ラアザポルフィンが好ましい。

前記一般式（Ｉ）において２個のＹがトリアルキルシロ
キシル基であるテトラアザポルフィンが好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてＡＸ、　ＡＺ、　Ａ３及びＡ
４で表わされる環が、すべて含窒素芳香環であるテトラ
アザポルフィンが好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてＡ”、Ａ”、Ａ３及びＡ４で
表わされる環が、すべて同一の含窒素芳香環であるテト
ラアザポルフィンが好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてＡ”、　Ａ”、　Ａ３及びＡ
４で表わされる環が。

特に、含窒素芳香環の種類は、スピンコード膜で表わさ
れる含窒素芳香環からなる群より選択される環であるテ
トラアザポルフィンが好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてＡ１．　ＡＲ，Ａ３及びＡ４
で表わされる環が で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択された環
であるテトラアザポルフィンが好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてＡ’、　Ａ”、　Ａ’及びＡ
４で表わされる芳香環の有する有機置換基が、以下の置
換基からなる群より選択され −Ｒ” 一〇Ｒ２ −Ｓ　ｉ　Ｒ”Ｒ’Ｒ’ 一８ｏ、ＮＲ’Ｒ’ −Ｃｏ−Ｒ” −ＣＯＯＲ’ 一〇・　ＣＯＲ” −Ｃｏ　−ＮＨＲｌｌ −Ｎ　Ｒ”Ｒ１３ −Ｓ　Ｒ１４ 一８ｏ、Ｒ”　　　及び Ｘ１ （式中、Ｒ１〜Ｒ”は、水素原子、アルキル基。

置換基を有するアルキル基又はアリール基を示し。

ｘｌはハロゲン原子を示す）、Ａ１．Ａ２．Ａ３及ヒ。

Ａ４で表わされる芳香環の置換可能な位置に少なくとも
１個置換されたテトラアザポルフィンが好ましい。

本発明に係るテトラアザポルフィンの具体例を以下に式
で示す。

テトラアザポルフィンは、一般式（Ｉ）で表わされるが
、　Ａ”、　Ａ”、　Ａ’及びＡ４で表わされる芳香環
の種類、その縮環方向及びそこに結合する有機置換基の
置換位置により多数の異性体が存在する。一般式（Ｉ）
は、それら多数の異性体すべてを含むものであり、また
、それらの混合物であっ仮に請求項９の発明を第２の発
明と呼ぶことにする。すなわち、第２の発明は、一般式
（ＩＩ）［式中Ｍ並びにＡ’、Ａ”、Ａ３及びＡ４で表
わされる環は、一般式（Ｉ）におけると同意義］で表わ
される新規なテトラアザポルフィンを一般式（ＩＩＩ）
（Ｒ”）ｘ　Ｓ　ｉＣＱ　　　　　　　　　　　（ｍ　
）で表わされるクロロシラン、一般式（ＩＶ）（Ｒ”）
３　Ｓ　ｘ　ＯＨ（■） ［式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）中、Ｒ”及びＲ１７は、そ
れぞれ、アルキル基、アリール基、アルコキシル基又は
アリールオキシル基である］で表わされるシラノール、
一般式（Ｖ） Ｒ”ＯＨ（Ｖ） ［式中Ｒ”は、アルキル基又はアリール基であるコで表
わされるアルコール又は一般式（ＶＩ）Ｒ１″ＣＯ・Ｘ
”　　　　　　　　　　　　　（ＶＩ）［式中Ｒ”はア
ルキル基　ｘ２　はハロゲン原子。

ヒドロキシル基又はアシロキシル基である］で表わされ
る化合物と反応させることを特徴とする一般式（Ｉ）で
表わされる新規なテトラアザポルフィンの製造法に関す
る。

一般式（Ｉ）で表わされるテトラアザポルフィンは、一
般式（Ｉｆ）で表わされる化合物と過剰の一般式（■）
、一般式（■）、一般式（Ｖ）又は−般式（ＶＩ）で表
わされる化合物とを加熱反応させることにより得ること
ができる。この場合１反応温度は８０〜２５０℃が好ま
しく１反応時間は３０分〜４０時間が好ましい、この反
応は、溶媒なしで反応させるか、あるいは溶媒として、
ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン。

クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼ
ン、１−クロロナフタレン、テトラリン。

ピリジン、β−ピコリン、キノリン等を使用し、必要に
応じてトリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブ
チルアミン、トリペンチルアミン。

トリヘキシルアミン等の脂肪族アミン存在下行うのが好
ましい。

一般式（Ｉ）で表わされるテトラアザポルフィンの反応
混合物からの単離、精製は１反応混合物をクロマトグラ
フィー法により分離した後、再結晶法により精製するな
どの方法によって行うことができる。

一般式（ＩＩ）で表わされるテトラアザポルフィンは、
一般式（■） ２はハロゲン原子を示し２個のＺは同一でも相違しても
よい］で表わされるテトラアザポルフィンを加熱上加水
分解反応をさせることにより得ることができる。この場
合、反応温度は５０〜１５０℃が好ましく、反応時間は
３０分〜３０時間が好ましい。このためには、ピリジン
／水、ピリジン／アンモニア水、メタノール／アンモニ
ア水、エタノール／アンモニア水、プロパツール／アン
モニア水などの混合溶媒中で反応させるのが好ましい、
　一般式（■）で表わされるテトラアザポルフィンは、
一般式（■） Ｈ 又は、一般式（ＩＸ） ［式中Ｍ並びにＡ’、　Ａ２．　Ａ３及びＡ４で表わさ
れる環は、一般式（Ｉ）におけると同意義であり、［た
だし、一般式（■）及び一般式（ＩＸ）中Ａで表わされ
る環は、有機置換基が結合してもよい芳香環又は含窒素
芳香環を示す］で表わされる化合物１モルに対して、一
般式（Ｘ） ＭＺ、　　　　　　　　　　　　　　　　（Ｘ）［式中
Ｚはハロゲン原子であり、Ｐは金属ＭへのＺの結合数を
示す正の整数であり１ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎを示す］
で表わされる金属ハロゲン化物を０．１　　モル以上の
比で共存させ加熱反応させることにより得ることができ
る。この場合、反応温度は１５０〜３００℃が好ましく
１反応時間は３０分〜１０時間が好ましい。この反応は
、溶媒なしで反応させてもよいし、また溶媒として尿素
。

テトラリン、キノリン、１−クロロナフタレン。

１−ブロモナフタレン、トリメチルベンゼン、ジクロロ
ベンゼン、トリクロロベンゼン等を使用してもよい、ま
た、この反応は、アミン類の存在下で行ってもよく、使
用するアミンとしては、トリエチルアミン、トリプロピ
ルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、ト
リヘキシルアミン等がある。上記金属ハロゲン化物とし
ては、５ｉＣｆｌ、、ＳｉＢｒ４．Ｓｉ　Ｉ、、ＧｅＣ
Ｑ。

ＧｅＢｒ、、５ｎＣＱ、、Ｓｎ　１．等がある。

一般式（■）で表わされる化合物は、一般式（ＩＸ）で
表わされる化合物をメタノール中、触媒としてナトリウ
ムメトキシド存在下アンモニアガスを吹き込みながら１
〜１０時間加熱還流することによって得ることができる
。

一般式（［）で表わされる化合物は、文献［リービツヒ
ス・アナーレン・デア・ヘミ−（ＬｉｅｂｊｇｓＡｎｎ
、Ｃｈｅｍ、）　３３３頁（Ｉ９８１年）、ヘミツシエ
・ベリヒテ（Ｃｈｅｍ、Ｂｅｒ、　）第１０８巻、８７
５頁（Ｉ９７５年）、ジャーナル・オブ・オーガニック
・ケミストリー（Ｊ、Ｏｒｇ、Ｃｈｅｍ、）第３７巻、
　４１３６頁（Ｉ９７２年）、キム・ゲテロツイクル・
ソエデイン（にｈｉｍ、Ｇｅｔｅｒｏｔｓｉｋｌ、５ｏ
ｅｄｉｎ）　２７３頁（Ｉ９７２年）、ジャーナル・オ
ブ・ヘテロサイクリック・ケミストリー（Ｊ、Ｈｅｔｅ
ｒｏｃｙｃｌ、Ｃｈｅｍ、　）第７巻、１４０３頁（Ｉ
９７０年）、ペテロサイクルズ（ｌｌｅｔｅｒｏｃｙｃ
ｌｅｓ）第２０巻、４８９頁（Ｉ９８３年）、シンセテ
イク・コミュニケーション（Ｓｙｎｔｈ。

Ｃｏｎ＋ｍｕｎ、　）第１６巻、１５７頁（Ｉ９８６年
）、ブリチン・ケミカル・ソサイエテイ・オブ・ジャパ
ン（Ｂｕｌｌ、Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、Ｊｐｎ、　）第４７
巻、１２９１頁（Ｉ９７４年）、ジャーナル・オブ・ヘ
テロサイクリック・ケミストリー（Ｊ、Ｈｅｔａｒｏｃ
ｙｃｌ、Ｃｈｅｍ、　）第１１巻、７９頁（Ｉ９７４年
）、ジャーナル・オブ・ケミカル・ソサイエテイ（Ｊ、
Ｃｈｅ■、Ｓｏｃ、）４０９２頁（Ｉ９６２年）、ジャ
ーナル・オブ・ケミカル・ソサイエテイ（Ｊ、Ｃｈｅｍ
、Ｓｏｃ、）　、　（Ｃ）。

２６１３頁（Ｉ９６７年）など］記載の方法を参考にし
て合成され、また一部の化合物はＡｌｄｒｉｃｈＣｈｅ
＋＋１ｃａ１社などから市販品として得ることもできる
。

前記第２の発明において、−散大（ＩＩ）、−散大（Ｉ
）、−散大（■）及び−散大（Ｘ）中ＭがＳｉ又はＧｅ
であるテトラアザポルフィンの製造法が好ましい。

前記第２の発明において、−散大（Ｉｆｆ）及び−散大
（ｍＶ）中Ｒ１５及びＲ”がアルキル基であり、−散大
（Ｉ）において２個のＹがトリアルキルシロキシル基で
ある。テトラアザポルフィンの製造法が好ましい。

前記第２の発明において、−散大（■）、−散大（■）
、−散大（■）中Ａ１．　Ａ”、　Ａ’及びＡ４で表わ
される環がすべて含窒素芳香環であり、−散大（■）及
び−散大（ＩＫ）中、Ａで表わされる環が含窒素芳香環
である、テトラアザポルフィンの製造法が好ましい。

前記第２の発明において、−散大（■）、−散大（Ｉ）
、−散大（■）中Ａ”、Ａ”、Ａ’及びＡ４で表わされ
ろ環がすべて同一の含窒素芳香環であり、−散大（■）
及び−散大（ＤＯ中Ａで表わされる環が単一の含窒素芳
香環である一般式（■）又は−散大（ＩＫ）を用いたテ
トラアザポルフィンの製造法が好ましい。

前記第２の発明において、−散大（■）、−散大（■）
、−散大（■）中Ａ１．　Ａ”、　Ａ”及びＡ４で表わ
される環が、以下に示す含窒素芳香環からなる群より選
択される環であり、−散大（■）及び−散大（Ｗ）中Ａ
で表わされる環が以下に示す含窒素芳香環からなる群よ
り選択される環である一般式（■）又は−散大（ＩＫ）
を用いたテトラアザポルフィンの製造法が好ましい。

前記第２の発明において、−散大（■）、−散大（■）
、−散大（■）中Ａ１．　Ａ”、　Ａ”及びＡ４で表わ
される環が以下に示す含窒素芳香環からなる群より選択
される環であり、−散大（■）及び−散大（ＩＫ）中Ａ
で表わされる環が以下に示す含窒素芳香環からなる群よ
り選択される環である一般式（■）又は−散大（ＩＫ）
を用いた、テトラアザポルフィンの製造法が好ましい。

前記第２の発明において、−散大（ＩＩ）、−散大（■
）、−散大（■）、−散大（■）及び−散大（ＩＸ）中
Ａ’、　Ａ”、　Ａ３．　Ａ’及びＡで表わされる芳香
環に結合した有機置換基が、以下の置換基からなる群よ
り選択され Ｒ１ 一〇Ｒ２ 一５ｉＲ”Ｒ’Ｒ’ 一８Ｏ□Ｎ　Ｒ’　Ｒ’ −Ｃｏ−Ｒ” −ＣＯＯＲ” −０−ＣＯＲ” −Ｃｏ　−ＮＨＲ” −ＮＲ’″Ｒ” 　Ｒ１４ −Ｓ　Ｏ，Ｒ”　　　　　及び ｘｌ （式中、Ｒ１〜Ｒ”は、水素原子、アルキル基。

置換基を有するアルキル基又はアリール基を示し。

Ｘｌはハロゲン原子を示す）、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ
４で表わされる芳香環の置換可能な位置に少なくとも１
個置換されたテトラアザポルフィンの製造法が好ましい
。

仮に請求項１７の発明を第３の発明と呼ぶことにする。

すなわち、第３の発明は、基板表面に、−散大（Ｉ） で表わされる新規なテトラアザポルフィンを主成分とす
る記録層を形成し、レーザー光線の照射により記録層を
変化させて情報を記録し、該変化させられた記録部分と
レーザー光線を照射されず変化させられなかった記録層
部分との光学濃度の差により情報を読みだすことを特徴
とする光デイスク用の光記録媒体に関する。

本発明に係る光記録媒体は、基板上に本発明の一般式（
Ｉ）で表わされるテトラアザポルフィンを主成分とする
記録層を設けたものであるが必要に応じて下地層や保護
層などの他の層を設けることができる。

使用される基板材料は、当業者には既知のものであり、
使用されるレーザー光に対して透明または不透明のいず
れでもよい。しかし、基板側からレーザー光で書き込み
、読出しを行う場合は、そのレーザー光に対して透明で
なければならない。

一方、基板と反対側すなわち記録層側から書き込み、読
出しを行う場合は、使用するレーザー光に対して透明で
ある必要はない。基板材料としては。

ガラス、石英、マイカ、セラミック、板状または箔状の
金属などの無機材料のほか、紙、ポリカーボネート、ポ
リエステル、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリ
エチレン、ポリプロピレン。

ポリ塩化ビニル、塩化ビニリデン共重合体、ポリアミド
、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート及びメチル
メタクリレート共重合体等の有機高分子材料の板が挙げ
られるが、これらに限定されない、記録時に熱損失が少
なく、感度をあげるという意味で低熱伝導率の有機高分
子からなる支持体が望ましく、基板には必要に応じて凹
凸で形成される案内溝を設けても良い。

また１、基板には必要に応じて下地膜を設けてもよい。

前記−散大（Ｉ）においてＭがＳｉ又はＧｅであるテト
ラアザポルフィンを主成分とする記録層が形成されてい
る光記録媒体が好ましい。

前記−散大（Ｉ）において２個のＹがトリアルキルシロ
キシル基であるテトラアザポルフィンを主成分とする記
録層が形成されている光記録媒体が好ましい。

前記−散大（Ｉ）においてＡ″、　Ａ”、　Ａ”及びＡ
４で表わされる環がすべて含窒素芳香環であるテトラア
ザポルフィンを主成分とする記録層が形成されている光
記録媒体が好ましい。

前記−散大（Ｉ）においてＡ１．Ａ”、Ａ３及びＡ４で
表わされる環がすべて同一の含窒素芳香環であるテトラ
アザポルフィンを主成分とする記録層が形成されている
光記録媒体が好ましい。

前記−散大（Ｉ）においてＡ”、Ａ”、Ａ３及びＡ４で
表わされる環が。

で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択される環
であるテトラアザポルフィンを主成分とする記録層が形
成されている光記録媒体が好ましい。

前記−絞入（Ｉ）においてＡ１．　Ａ”、　Ａ”及びＡ
４で表わされる環が で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択される環
であるテトラアザポルフィンを主成分とする記録層が形
成されている光記録媒体が好ましい。

前記−絞入（Ｉ）においてＡ１．　Ａ”、　Ａ”及びＡ
４で表わされる芳香環に結合した有機置換基が、以下の
置換基からなる群より選択され 　ＲＬ −ＯＲ” −Ｓ　ｉ　Ｒ３Ｒ’Ｒ’ 一３Ｏ，ＮＲ’Ｒ’ −Ｃ○・Ｒ１ −ＧＯＯＲ’ −０−ＣＯＲ” −Ｃｏ　−ＮＨＲ’″ −Ｎ　Ｒ”　Ｒ” −Ｓ　Ｒ１４ −Ｓ　Ｏ，Ｒ”　　　　　及び ｘ　１ （式中、Ｒ″〜Ｒ”は、水素原子、アルキル基。

置換基を有するアルキル基又はアリール基を示し、Ｘｌ
はハロゲン原子を示す）　、Ａ”、　Ａ”、　Ａ３及び
Ａ４で表わされる芳香環の置換可能な位置に少なくとも
１１１１換されたテトラアザポルフィンを主成分とする
記録層が形成されている光記録媒体が好ましい。

仮に請求項２５の発明を第４の発明と呼ぶことにする。

すなわち第４の発明は、−絞入（Ｉ）で表わされる新規
なテトラアザポルフィンを主として有機溶媒に溶解した
溶液を用いて基板表面に記録層を形成することを特徴と
する光デイスク用の光記録媒体の製造方法に関する。

上記有機溶媒としては、−絞入（Ｉ）で表わされるテト
ラアザポルフィンを溶解する前記芳香族系、ハロゲン系
、エーテル系、ケトン系、飽和炭化水素系及び脂環式炭
化水素系等の溶媒の中から選択され、単一でも混合され
た溶媒でもよい、ただし、使用する基板を浸さない溶媒
を用いるのが好ましい。

一般式（Ｉ）で表わされるテトラアザポルフィンを有機
溶媒に溶解した溶液を用いた記録膜層の形成方法として
は、塗布法、印刷法、浸漬法がある。具体的には１色素
を上記溶媒に溶解し、スプレー、ローラーコーティング
、スピンコーティング、ディッピング等で行う。なお、
記録膜層形成時に、必要に応じてポリマーバインダー等
の結着材、安定剤等を添加することもできる。ポリマー
バインダーとしては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂
、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、
フッ素樹脂、アクリル樹脂、ポリイソプレン、ポリブタ
ジェン、ポリビニルブチラール、ポリエステル等を挙げ
ることができるが、これらに限定されない。

該記録層材料は、単独あるいは２種以上の組み合わせで
用いられ、２種以上の組み合わせの場合は、積層構造で
も、混合された単一層構造でもよい、記録層の膜厚は５
０〜１００００人の範囲が好ましく、特に１００〜５０
００人の範囲が好ましい。

また、記録された情報を光学的に再生する時、反射光を
利用することが多い、この場合にはコントラストを高め
る有効な方法として、基板側から書き込み、読み出しを
行う場合は基板と反対側の記録層の表面に、高い反射率
を示す金属層を設けることもでき、基板と反対側すなわ
ち記録層側から書き込み、読み出しを行う場合は、基板
と記録層の間に高い反射率を示す金属層を設けることも
できる。この高反射率の金属としては、ＡＱ。

Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎなどが用いられる。これらの膜
は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ蒸着などの公
知の薄膜形成技術で形成することができ、その膜厚は１
００〜ｔｏｏｏｏ人の範囲で選ばれる。

ただし、該テトラアザポルフィンは、それ自身の反射率
が高く、金属反射層を設ける必要はない。

また、基板自身の表面平滑性が問題になるときは、基板
上に有機高分子の均一な膜を設けるとよい、これらのポ
リマーとしては、ポリエステル。

ポリ塩化ビニルなどの市販のポリマーが適用可能である
。

さらに、最外層に保ｆｆ１Ｆを設け、これにより安定性
、保護性を増し、さらに１表面反射率の低減による感度
増加を目的とする層を設けることもできる。このような
保護層に用いられる材料としては、ポリ塩化ビニリデン
、ポリ塩化ビニル、塩化ビニリデンとアクリロニトリル
共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリイミド、ポリメチルメ
タクリレート、ポリスチレン、ポリイソプレン、ポリブ
タジェン、ポリウレタン、ポリビニルブチラール、フッ
素ゴム、ポリエステル、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂
、酢酸セルロースなどがある。これらは、単独でまたは
ブレンドとして用いられる。保護層にシリコーンオイル
、帯電防止剤、架橋剤などを存在させることは、膜性能
の強化の点で好ましい。

また、保護層は２層に重ねることもできる。上述した保
護層用の材料は、適当な溶剤に溶解して塗布するか、薄
いフィルムとしてラミネートする方法が適用可能である
。このような保護層の膜厚は０．１〜１０μｍの厚みに
設けるが、好ましくは０．２〜２μｍで用いられる。

前記−散大（Ｉ）においてＭがＳｉ又はＧｅであるテト
ラアザポルフィンを用いた光記録媒体の製造方法が好ま
しい。

前記−散大（Ｉ）において２個のＹがトリアルキルシロ
キシル基であるテトラアザポルフィンを用いた光記録媒
体の製造方法が好ましい。

前記−散大（Ｉ）においてＡ’、Ａ”、Ａ３及びＡ４で
表おされる環がすべて含窒素芳香環であるテトラアザポ
ルフィンを用いた光記録媒体の製造方法が好ましい。

前記−散大（Ｉ）においてＡ”、　Ａ”、　Ａ３及びＡ
４で表わされる環がすべて同一の含窒素芳香環であるテ
トラアザポルフィンを用いた光記録媒体の製造方法が好
ましい、　　　　　　″前記一般式（Ｉ）においてＡ１
．　Ａ”、　Ａ’及びＡ４で表わされる環が で表わされる含窒素芳香環の中から選択された環である
テトラアザポルフィンを用いた光記録媒体の製造方法が
好ましい。

前記−散大（Ｉ）においてＡ”、　Ａ”、　Ａ３及びＡ
４で表わされる環が で表わされる含窒素芳香環の中から選択された環である
テトラアザポルフィンを用いた光記録媒体の製造方法が
好ましい。

前記−散大（Ｉ）においてＡ’、　Ａ”、　Ａ３及びＡ
４で表わされる芳香環に結合した有機置換基が、以下の
置換基からなる群より選択され −Ｒ’ 一〇Ｒ２ 一５ｉＲ”Ｒ’Ｒ’ −ＳＯ□Ｎ　Ｒ”　Ｒ’ 一〇〇・Ｒ１ −ＣＯＯＲ’ −０−ＣＯＲ” −ＣＯ・ＮＨＲ” −ＮＲ”Ｒ” 一５Ｒ” −ＳＯ□Ｒ”　　　　　及び −Ｘ１ （式中、Ｒ１〜Ｒ１Ｎ　は、水素原子、アルキル基。

置換基を有するアルキル基又はアリール基を示し、ｘｌ
はハロゲン原子ヲ示す）　、Ａ１、Ａ２、Ａ３　及びＡ
４で表わされる芳香環の置換可能な位置に少なくとも１
個置換されたテトラアザポルフィンを用いた光記録媒体
の製造方法が好ましい。

〔実施例〕

以下１本発明を実施例により説明するが、本発明は、こ
れらに制限されるものではない。

実施例１ ［例示化合物（３）の合成］ ２．３−ジシアノピリジン２．５ｇ　（Ｉ９，４ｍｍｏ
Ｑ）＊四塩化ケイ素４．５ｍＡ（３８，８ｍ園ｏＱ）。

モリブデン酸アンモニウム３９ｍｇ、及び尿素１９．４
ｇ　　を約２３０〜２４０℃で約３時間反応させた。放
冷後２同化した反応混合物に水を加え。

約５０℃で３０分間かくはんした。不溶の固体を吸引ろ
過し、水で洗浄した。さらに、この固体をメタノール中
、約５０℃で３０分間かくはんした後、不溶の固体を吸
引ろ過し、メタノールで洗浄することにより、青色の固
体が定量的に得られた。

ピリジン溶液中で、この青色固体の電子スペクトル（第
１図）を測定すると、６４２ｎｍに吸収ピークが観測さ
れ、−散大（■）（ただし、Ｚ＝ＣＱ、Ｍ＝Ｓｉであり
、　Ａ’、　Ａ”、　Ａ”及びＡ４３−Ｐｒｉｃ）　］
と略す、）が明らかに生成しているものと考えられる。

また、このＣＱｚＳｉ（２，３−Ｐｒ１ｃ　）のＩＲス
ベ゛クトルを第２図に示す。このスペクトルから、尿素
等の不純物の存在が認められるが、このＣｊｌ、　Ｓ　
ｉ　（２、３−Ｐｒｉｃ）は、これ以上精製せずに次の
反応に用いた。

ＣＱ、５ｉ（２，３−Ｐｒｉｃ）　１９　ｇ　（３０，
９ｍ謳ｏＱ）をエタノール５７ｍΩ中に加え、これにア
ンモニア水５７ｍＱ、さらに水２２４ｍ１２を添加し、
約５時間還流した。放冷後、この反応混合物を吸引ろ過
し、水、メタノールで洗浄した後、減圧乾燥すると、青
色の固体がｌ１ｇ得られた。この青色固体は、ピリジン
溶液中で電子スペクトル（第３図）を測定すると、６４
０ｎｍに吸収ピークが１１測されたことから、−ｍ式（
■）（ただし。

式中Ｍ＝Ｓｉであり、Ａ１．　Ａ”、　Ａ’（ＨＯ）、
　Ｓ　ｉ　（２、３−Ｐｒｉｃ）と略す、］と考えられ
る。また、この（ＨＯ）、　Ｓ　ｉ　（２、３−Ｐｒｉ
ｃ）のＩＲスペクトルを第４図に示す。このスペクトル
から、尿素等の不純物の存在が認められるが、この（Ｈ
Ｏ）ｚｓ　ｉ　（２、３−Ｐｒｉｃ）は、これ以上精製
せずに次の反応に用いた。

（ＨＯ）、５ｉ（２，３−Ｐｒｉｃ）　　３ｇ（５，２
ｍｍｏＱ）の無水ピリジン２４０ｍｎ懸濁液に窒素雰囲
気下、トリプロピルクロロシラン７．２ｍＱ　（３２，
９ｍ１１０１２）を加え、約６時間還流した。放冷後反
応溶媒のピリジンを減圧下、留去した。析出した沈殿に
クロロホルムを加え、クロロホルムに可溶なものだけろ
過することにより取り出した。そしてこれをシリカゲル
カラムクロマトグラフィーにより精製し、ヘキサン／ク
ロロホルム混合溶媒から再結晶することにより、紫色の
結晶が２４ｍｇ得られた。この紫色の結晶は、下記の分
析結果より例示化合物（３）であることを確認した。

（Ｉ）融点　〉３００℃ 、（２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　６１，９９　６，１１　１８．８６゜
分析値（％）　　６２，０５　６．１７　１８．７９（
３）ＮＭＲスペクトル（ＮＭＲスペクトルを第５図に示
す。

この図は２，３−ピリジン環の縮環方向の違いにより生
じる数種類の異性体の混合物のスペクトルである。）：
　ＣＤＣＱ。

δ値　１０．１９〜９．９０（ＩＨ，ｍ）９．７９〜９
．７４（ＩＨ，ｍ） ８．３４〜８．２５（ＩＨ，ｍ） −０，３３（Ｉ８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．３３Ｈｚ）−１、Ｌ
　９　（Ｉ２Ｈ，５ｅｘｔａｔ−１ｉｋｅ　ｍ）−２，
５１（Ｉ２Ｈ，ｔ　−１ｉｋｅ　　ｍ）（Ｉ）電子スペ
クトル（ＣＨＣΩ、溶液）を第６図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢ　ｒ法）を第７図に示す。

実施例２ ［例示化合物（Ｉ）の合成、］ 実施例１と同様に合成した（ＨＯ）ｘ　Ｓ　ｘ　（２−
３−Ｐｒｉｃ）５　ｇ（８，７ｍｍｏｇ）の無水ピリジ
ン４００ｍｆｌ懸濁液に窒素雰囲気下、トリヘキシルク
ロロシラン２０ｍｊｌ　（５５ｍｓ＋ｏｊｌ）を加え、
６時間還流した。放冷後１反応溶媒のピリジンを減圧下
。

留去した。析出した沈殿にクロロホルムを加え。

クロロホルムに可溶なものだけろ過することにより取り
出した。そしてこれをシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーにより精製し、ヘキサン／クロロホルム混合溶媒か
ら再結晶することにより、紫色の結晶が２６ｍｇ得られ
た。この紫色の結晶は、下記の分析結果より例示化合物
（Ｉ）であることを確認した。

（Ｉ）融点　２３０〜２３２℃、２４０〜２４３℃。

２４８〜２５２℃。

［この例示化合物（Ｉ）は、３つの温度範囲で融点が観
測された。これは、例示化合物（Ｉ）の２．３−ピリジ
ン環における縮環方向の違いにより生じる数種類の異性
体の混合物であることに起因しているものと考えられる
。］（２）元素分析値 ＣＨＮ 計算値（％）　　６７．２０　７．９３　１４．７０分
析値（％）　　６７．３１　７．８９　１４．６６（３
）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペクトルを第８図に示
す、この図は例示化合物（Ｉ）の２゜３−ピリジン環に
おける縮環方向の違いにより生じる数種類の異性体の混
合物のスペクトルである。　）　　：　ＣＤ（Ｉ１゜ δ値　１０．１６〜９．９１（ＩＨ，ｍ）９．７９〜９
．７３（ＩＨ，ｍ） ８．３３〜８．２４（ＩＨ，ｍ） ０　、７７　（Ｉ２Ｈ，５ｅｘｔｅｔ−１ｉｋｅ　ｍ）
０．６５（Ｉ８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．６３Ｈｚ）０．２８（
Ｉ２Ｈ，ｑｕｉｎｔａｔ、Ｊ　＝７．６３Ｈｚ）０．０
０（Ｉ２Ｈ，ｑｕｉｎｔｅｔ、Ｊ＝７．６３Ｈｚ）−１
、３２（Ｉ２Ｈ，ｑｕｌｎｔｅｔ−１ｉｋｅ　ｍ）−２
，５２（Ｉ２Ｈ，ｔ−１ｉｋｅ　ｍ）（Ｉ）電子スペク
トル（ＣＨＣｆｌ、溶液）を第９図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢ　ｒ法）を第１０図に示す
。

試験例１ ガラス基板上に例示化合物（３）のクロロホルム（０，
３重量パーセント）溶液をスピンコード法で塗布し、約
８０℃で約１５分間乾燥し、有機膜を形成した。この化
合物の有機膜の透過スペクトル、スピンコード膜の膜側
及びその反対側であるガラス基板１から測定した５６正
反射スペクトルを、それぞれ第１１図、第１２図及び第
１３図に示す、６５０ｎｍ付近で高い光の吸収能力及び
高い反射率を示すことがわかった。

試験例２ ガラス基板上に例示化合物（Ｉ）のクロロホルム（０，
３重量パーセント）溶液をスピンコード法で塗布し、約
８０℃で約１５分間乾燥し、有機膜を形成した。この化
合物の有機膜の透過スペクトル、スピンコード膜の膜側
及びその反対側であるガラス基板側から測定した５６正
反射スペクトルを、それぞれ第１４図、第１５図及び第
１６図に示す＊　６５０ｎｍ付近で高い光の吸収能力及
び高い反射率を示すことがわかった。

実施例３ ［例示化合物（Ｉ５２）の合成］ ３．４−ジシアノピリジン２．５　ｇ　（Ｉ９，４ｍｍ
ｏｊｌ）、四塩化ケイ素４．５ｍＱ（３８，８ｍｍｏｎ
）。

モリブデン酸アンモニウム３９ｍｇ、及び尿素１９．４
．　　を約２３０〜２４０℃で約３時間反応させた。放
冷後、固化した反応混合物に水を加え、約５０℃で３０
分間かくはんした。不溶の固体を吸引ろ過し、水で洗浄
した。さらに、この固体をメタノール中、約５０℃で３
０分間かくはんした後、不溶の固体を吸引ろ過し、メタ
ノールで洗浄することにより、緑色の固体が定量的に得
られた９ピリジン溶液中で、この緑色固体の電子スペク
トル（第１７図）を測定すると、６６２〜６７１ｎｍに
吸収ピークが１！測され、−ｍ式（■）（ただし、Ｚ＝
Ｃｆｉ、Ｍ＝Ｓｉであり、Ａ１、Ａ２、Ａ３（３、４−
Ｐｒｉｃ）　］と略す、）が明らかに生成しているもの
と考えられる。また、このＣΩ２Ｓｉ（３、４−Ｐｒｉ
ｃ）のＩＲスペクトルを第１８図に示す、このスペクト
ルから、尿素等の不純物の存在が認められるが、このＣ
Ｑ、　Ｓ　ｉ　（３、４−Ｐｒｉｃ）は、これ以上精製
せずに次の反応に用いた。

ＣＱ、５ｉ（３，４４−Ｐｒ１ｃ）１８　（２９，２ｍ
鵬ｏｎ）をエタノール５７ｍΩ中に加え、これにアンモ
ニア水５７ｍＡ、さらに水２２４ｍＱを添加し、約５時
間還流した。放冷後、この反応混合物を吸引ろ過し、水
、メタノールで洗浄した後、減圧乾燥すると、緑色の固
体がＬｏｇ得られた。この緑色固体は、ピリジン溶液中
での電子スペクトル（第１９図）により、６６２〜６７
２ｎｍに吸収ピークが観測されたことから、−散大（Ｉ
Ｉ）（ただし、Ｍ＝Ｓｉであり、Ａ１　、　ＡＭ　、　
Ａ３（３、４−Ｐｒｉｃ）と略す、］と考えられる。ま
た。

この（ＨＯ）、　Ｓ　ｉ　（３、４−Ｐｒｉｃ）のＩＲ
スペクトルを第２０図に示す、このスベク、トルから、
尿素等の不純物の存在が認められるが、この（ＨＯ）、
　Ｓ　ｉ　（３、４−Ｐｒｉｃ）は、これ以上精製せず
に次の反応に用いた。

（ＨＯ）、Ｓ　ｉ（３，４−Ｐｒｉｃ）４．５　ｇ（７
，８ｍ■ｏＱ）の無水ピリジン３６０ｍＲ懸濁液に窒素
雰囲気下、トリブチルクロロシラン１３．２ｍ　Ｑ（Ｉ
９，３ｍｍｏＱ）を加え、約６時間還流した。放冷後、
反応溶媒のピリジンを減圧下、留去した。

析出した沈殿にクロロホルムを加え、クロロホルムに可
溶なものだけろ過することにより取り出した。そしてこ
れをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し
、ヘキサン／クロロホルム混゛合溶媒から再結晶するこ
とにより、紫色の結晶が５０ｍｇ得られた。この紫色の
結晶は、下記の分析結果より例示化合物（Ｉ５２）であ
ることを確認した。

（Ｉ）融点　２８９〜２９０”Ｃ，２９７℃以上［使用
した融点測定装置は、測定の上限が３００℃であるため
、３００℃以上の測定は行なっていないが、少なくとも
この例示化合物（Ｉ５２）は、２つ以上の温度範囲で融
点が観測される。これは、例示化合物（Ｉ５２）が３゜
４−ピリジン環における縮環方向の違いにより生じる異
性体の混合物であるため生じているものと考えられる。

］ （２）元素分析値 ＣＨＮ 計算計（％）　　６４．０２　６．８２　１７．２４分
析値（％）　　６４，１７　６．８８　１７．１９（３
）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペクトルを第２１図に
示す、この図は３，４−ピリジン環における縮環方向の
違いにより生じる数種類の異性体の混合物のスペクトル
である。）：ＣＤＣＱ。

δ値　１０．９６〜１０．９３（ＩＨ，ｒｎ）９．６５
〜９．５９（ＩＨ，ｍ） ９．５１〜９．４４（ＩＭ、ｍ） ０．０８　　（３０Ｈ，ｍ） −１，３２（Ｉ２Ｈ，ｑｕｉｎｔｅｔ−１ｉｋｅ　ｍ）
−２，４５（Ｉ２Ｈ，ｔ　−１ｉｋｅ　ｍ）（Ｉ）ｆｌ
電子スペクトルＣＨＣΩ、溶液）を第２２図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第２３図に示す。

試験例３ ガラス基板上に例示化合物（Ｉ５２）のクロロホルム（
０，３重量パーセント）溶液をスピンコード法で塗布し
、約８０℃で約１５分間乾燥し。

有機膜を形成した。この化合物の有機膜の透過スペクト
ル及び５°正反射スペクトルを、それぞれ第２４図及び
第２５図（□線は、スピンコード膜側から測定、−一−
−−−−−線は、ガラス基板側から測定）に示すａ　６
７Ｏｎｍ付近で高い光の吸収能力及び高い反射率を示す
ことがわかった。

実施例４ ［例示化合物（３０２）の合成］ ２．３−ジシアノピラジン１．３　ｇ（Ｉ０ｍｍｏｆｆ
）。

四塩化ケイ素１１．５ｍｆｌ　（Ｉ００ｍｍｏ１２）、
モリブデン酸アンモニウム２０ｍｇ及び尿素Ｌｏｇを約
２３０〜２４０℃で約２時間反応させた。放冷後、固化
した反応混合物に水を加え、約５０℃で３０分間かくは
んした。不溶の固体を吸引ろ過し、水で洗浄した。さら
に、この固体をメタノール中、約５０℃で３０分間かく
はんした後、不溶の固体を吸引ろ過し、メタノールで洗
浄することにより、緑色の固体が定量的に得られた。こ
の緑色の固体は、ピリジン溶液中で、電子スペクトル（
第２６図）を測定すると、６３０ｎｍに吸収ピークが観
測されたことから１．一般式（■）（ただし、Ｚ＝ＣＱ
、Ｍ＝Ｓｉであり、Ａ１．　Ａ＊、ｐ、３及びＡ４は、
す。］であるものと考えられる。また、このＣＱ　ｚＳ
　ｉ　（Ｐｒａｃ）のＩＲスペクトルを第２７図に示す
、このスペクトルから、尿素等の不純物の存在が認めら
れるが、このＣｎ　、　Ｓ　ｉ　（Ｐｒａｃ）は、これ
以上精製せずに次の反応に用いた。

Ｃｍ、Ｓ　　１（Ｐｒａｃ）　　９．４　　ｇ　　（Ｉ
５，９ｍｍｏｆｆｉ）　　をエタノール５０ｍＱ中に加
え、これにアンモニア水５０ｍＭ、さらに水２００ｍＱ
を添加し、約１８時間かくはん還流した。放冷後、この
反応混合物を吸引ろ過し、水、メタノールで洗浄した後
、減圧乾燥すると、緑色の固体が６ｇ得られた。この緑
色固体は、ピリジン溶液中の電子スペクトル（第２８図
）を測定すると、６２９ｎｍに吸収ピークが１１測され
たことから、一般式（■）（ただし。

Ｍ＝Ｓｉであり、Ａ”、Ａ”、Ａ３及びＡ４は、す、］
であると考られる。また、この （ＨＯ）、Ｓ　ｉ　（Ｐｒａｃ）のＩＲスペクトルを第
２９図に示す、このスペクトルから、尿素等の不純物の
存在が認められるが、この（ＨＯ）２Ｓ　ｉ　（Ｐｒａ
ｃ）は、これ以上精製せずに次の反応に用いた。

（Ｈ○）、Ｓｉ（Ｐｒａｃ）４００ｍｇ（０，６９ｍ＋
ｗｏ１２）の無水ピリジン４０ｍ　ｎ＠濁液に、窒素雰
囲気下、無水トリブチ／Ｌ＋７ミン２．５ｍＮ（Ｉ０，
４ｍｍｏＱ）ついでトリブチルクロロシラン２．８ｍ１
２　（Ｉ０，４ｍ■ｏＱ）を加え、約７時間還流した。

放冷後、反応溶媒のピリジンを減圧下留去し、これにヘ
キサンを加え、析出した沈殿をろ過し、ヘキサンで洗浄
した。この沈殿をクロロホルムに溶解しシリカゲルカラ
ムクロマト°グラフィーにより精製した。

さらにヘキサン／クロロホルム混合溶媒がら再結晶する
ことにより、紫色の結晶が５ｍｇ得られた。

この紫色の結晶は、下記の分析結果より例示化合物（３
０２）であることを確認した。

（Ｉ）融点　＞−ａＯＯ℃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　５８，８６　６．３８　２２．８９分
析値（％）　　５８，７９　６．３０　２２．９５（３
）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペクトルを第３０図に
示す）：ＣＤＣＱ。

δ値　９　、７４　（８Ｈ，ｂｒ−ｓ）０　、０３　（
３０Ｈ，ｂｒ−ｓ） −１，２６〜−１，３９（Ｉ２Ｈ，ｍ）−２，５１（Ｉ
２Ｈ，ｔ　−１ｉｋｅ　　ｍ）（Ｉ）電子スペクトル（
ＣＨＣ（Ｉ，溶液）を第３１図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢ　ｒ法）を第３２図に示す
。

実施例５ ［例示化合物（３０１）の合成。］ 実施例４と同様に合成した（ＨＯ）２Ｓ　ｉ　（Ｐｒａ
ｃ）４００ｍｇ（０，６９ｍｍｏＡ）の無水ピリジン４
０ｍ　Ｑ　１！を濁液に、窒素雰囲気下、無水トリブチ
ルアミン２．５　ｍ　Ｑ　（Ｉ０，４ｍｍｏＱ　）つい
でトリへキシルクロロシラン３．８ｒｎＱ（Ｉ０，４ｍ
ｍｏｎ）を加え、約７時間還流した。放冷後、反応溶媒
のピリジンを減圧下、留去し、これにｌ＼キサンを加え
。

析出した沈殿をろ過し、ヘキサンで洗浄した。この沈殿
をクロロホルムに溶解し、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフイーにより精製した。ざらにヘキサン／クロロホル
ム混合溶媒から再結晶することにより、紫色の結晶が３
　ｍ　ｇ得られた。この紫色の結晶は、下記の分析結果
より例示化合物（３０１）であることを確認した。

（Ｉ）軟化点　２７０〜２７５℃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　６２．７９　７．５５　１９．５３分
析値（％）　　６２．６９　７．５１　１９．５８（３
）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペクトルを第３３図に
示す）：ＣＤＣＱ。

δ値　　９　、７２　（８Ｈ，ｓ） ０．８０〜０．６２（３０Ｈ，ｍ） ０．２８〜０．２２（Ｉ２Ｈ，ｍ） ０．０２〜−０．０５（Ｉ２Ｈ，ｂｒ−ｓ）−１，３２
〜−２，５６（Ｉ２Ｈ，ｍ）−２，５０〜−１，３３（
Ｉ２Ｈ，ｍ）（Ｉ）電子スペクトル（ＣＨＣＱ、溶液）
を第３４図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第３５図に示す。

試験例４ ガラス基板上に例示化合物（３０２）のクロロホルム（
０，３重量パーセント）溶液をスピンコード法で塗布し
、約８０℃で約１５分間乾燥し。

有機膜を形成した。この化合物の有機膜の透過スペクト
ル及び５１正反射スペクトルを、それぞれ第３６図及び
第３７図（□線は、スピンコード膜側から測定、−−−
−−−−一線は、ガラス基板側から測定）に示す、６４
０ｎｍ付近で高い光の吸収能力及び高い反射率を示すこ
とがわかった。

試験例５ ガラス基板上に例示化合物（３０１）のクロロホルム（
０，３重量パーセント）溶液をスピンコード法で塗布し
、約８０’Ｃで約１５分間乾燥し。

有機膜を形成した。この化合物の有機膜の透過スペクト
ル及び５°正反射スペクトルを、それぞれ第３８図及び
第３９図（□線は、スピンコード膜側から測定、−−−
−−−−一線は、ガラス基板側から測定）に示す、６４
０ｎｍ付近で高い光の吸収能力及び高い反射率を示すこ
とがわかった。

実施例６ ［例示化合物（Ｉ３１２）の合成］ 窒素雰囲気下、無水メタノール７２ｍΩに金属ナトリウ
ム１２３ｍｇ（５，４ｍｍｏＱ）を加えて調製したナト
リウムメトキシドのメタノール溶液に２．３−ジシアノ
キノキザリン５ｇ（２７，８＋ｎｓ＋ｏＱ）を加え、よ
くかくはんしながら室温下、無水アンモニアガスを約１
時間ゆっくりとバブルした。さらに無水アンモニアガス
をバブルしながら約３時間還流した。この１＠濁液を熱
ろ過し、得られた固体をメタノールで十分に洗浄し、減
圧乾燥すると上積製せずに次の反応に用いた。

窒素雰囲気下、一般式（■）（ただし、Ａは、ノリン１
０８ｍＡ懸濁液に四塩化ケイ素１０ｍＱ（９０ｍｍｏｆ
ｆ）を加え、約３時間還流した。放冷後。

メタノール３００ｍＱ中に注ぎ出し、放置した。

この反応混合物をろ過しメタノールで十分に洗浄した後
、減圧乾燥すると、黒色の固体が定量的に得られた。こ
の黒色固体は、一般式（■）（ただし、Ｚ＝ＣＱ、Ｍ＝
Ｓｉであり、Ａ１　、　Ａｍ　、　Ａ３が淡灰色固体と
して４．９ｇ得られた。この一般ＩＲスペクトルを第４
０図に示す、一般式（■）と略す。）であると考えられ
るが、これ以上情製せずに次の反応に用いた。ＣＱ、５
ｉＱｃのＩＲスペクトルを第４１図に示す。

ＣＱ、５ｉＱｃ９．５ｇ　（Ｉ１，６ｍｍｏ１２）をエ
タノール１２３ｍＱ中に加え、これにアンモニア水１２
３ｍＱ及び水４７５ｒｎＱを添加し、約５時間かくはん
還流した。放冷後、この反応混合物を吸引ろ過し、水、
メタノールで洗浄した後、減圧乾燥すると、黒色固体が
７．３ｇ得られた。この黒色固体は、−散大（■）（た
だし、Ｍ＝Ｓｉであり、後、（ＨＯ）□５ｉＱｃと略す
。］と考えられるが、これ以上精製せずに次の反応に用
いた。（ＨＯ）、５ｉＱｃのＩＲスペクトルを第４２図
に示す。

（ＨＯ）、　Ｓ　ｉ　Ｑｃｌ　ｇ　（Ｉ、３ｍｍｏｎ　
）の無水β−ピコリン１４１ｍＡＪ！ｉ濁液に窒素雰囲
気下、無水トリブチルアミン３．８ｍＱ　（Ｉ６，１ｍ
５ｏＱ）　ついでトリエチルクロロシラン２．７ｍｆｌ
　（Ｉ６，１ｍｍｏ１２）を加え約２時間還流した。放
冷後１反応混合物をエタノール／水（Ｉ／１）６００ｍ
Ｒ中へ注ぎ、よくかきまぜた後、放置した。析出した沈
殿をろ過し、水、メタノール、ヘキサンで洗浄した。テ
トラヒドロフランを用いて、この沈殿のうち溶けるもの
だけ溶かし出し、これをアルミナカラムグロマトグラフ
イーにより精製した。さらに、クロロホルム−メタノー
ル混合溶媒から再結晶することにより、濃緑色結晶が２
２ｍｇ得られた。この濃緑色の結晶は、下記の分析結果
より例示化合物（Ｉ３１２）であることを確認した。

（Ｉ）融点　〉３ｏＯ℃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　６１，７５　４，５８　２２．１７分
析値（％）　　６１，８１　４．６３　２２．１３（３
）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペクトルを第４３図に
示す）：ＣＤＣＱ。

δ値　９．１５（８Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝６．５６．３．５１
Ｈｚ）８．３５（８Ｈ，ｄｄ、Ｊ　＝６．５６．３．５
１　Ｈｚ）−１，１３（Ｉ８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．９４１−
ｆｚ）−２，２６（Ｉ２Ｈ，ｑ、Ｊ＝７．９４Ｈｚ）（
Ｉ）電子スペクトル（ＣＨＣＱ、溶液）を第４４図に示
す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第４５図に示す。

実施例７ ［例示化合物（Ｉ３１１）の合成］ 実施例６と同様に合成した（ＨＯ）２ＳｉＱｃ１ｇ（Ｉ
，３ｍｍｏｆｆ）の無水β−ピコリン１４１ｍＡ懸濁液
に窒素雰囲気下、無水トリブチルアミン３．８ｒｎＱ（
Ｉ６，１ｍｍｏＩ２）　、ついでトリプロピルクロロシ
ラン３．５ｍＡ　（Ｉ６，１ｍｍｏＱ）を加え、約２時
間還流した。放冷後１反応混合物を実施例６と同様に処
理し、クロロホルム−メタノール混合溶媒から再結晶す
ることにより濃緑色結晶が４７ｍｇ得られた。この濃緑
色結晶は、下記の分析結果より例示化合物（Ｉ３１１）
であることを確認した。

（Ｉ）融点　〉３００℃ （２）元素分析値： 計算値（％）　６ 分析値（％）　６ （３）ＮＭＲスペク ４６図に示す） ＣＨＮ ３．５９　　５．３４　　２０．４６ ３．６５　　５．２８　　２０．３５ トル値（ＮＭＲスペクトルを第 ：ＣＤＣＱ。

δ値　９．１６（８Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝６．５６．３．５１
Ｈｚ）８．３５（８Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝６．５６，３．５１
Ｈｚ）−０，４０（Ｉ８Ｈ，ｔ、Ｊ−”７．３３Ｈｚ）
−０，９５（Ｉ２Ｈ，５ｅｘｔｅｔ−１ｉｋｅ　ｍ）−
２，２４（Ｉ２Ｈ，ｔ−１ｉｋｅ　ｍ）（Ｉ）電子スペ
クトル（ＣＨＣＱ３溶液）を第４７図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第４８図に示す。

実施例８ ［例示化合物（Ｉ３１０）の合成］ 実施例６と同様に合成した（ＨＯ）２ＳｉＱｃ１ｇ（Ｉ
，３ｍｍｏｎ）の無水β−ピコリン１４１ｒｒ＋Ｑｉ韻
濁液に窒素雰囲気下、無水トリブチルアミン３．８ｍＱ
（Ｉ６，１ｍｍｏｎ）、ついでトリブチルクロロシラン
４，３ｍＩＪ、（Ｉ６，１ｍｍｏＱ）を加え、約２時間
還流した。放冷後、反応混合物を実施例６と同様に処理
し、クロロホルム−メタノール混合溶媒から再結晶する
ことにより濃緑色結晶を４８ｍｇ得た。この濃緑色結晶
は、下記の分析結果より例示化合物（Ｉ３１０）である
ことを確認した。

（Ｉ）融点　〉３００℃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　６５．１６　５．９８　１９．００分
析値（％）　　６５，１３　５．８８　１９．０７（３
）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペクトルを第４９図に
示す）：ＣＤＣｌ！３ δ値　９．１６（８Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝６．５６．３．５１
Ｈｚ）８．３４（８Ｈ，ｄｄ、Ｊ　＝６．５６．３．５
１　Ｈｚ）−０、０３（Ｉ２Ｈ，ｑｕｉｎｔｅｔ−１ｉ
ｋｅ　ｍ）−０，２１（Ｉ８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．１７Ｈｚ
）−１、０７（Ｉ２Ｈ，ｑｕｉｎｔｅｔ−１ｉｋｅ　ｍ
）−２，２３（Ｉ２Ｈ，ｔ　−１ｉｋｅ　ｍ）（Ｉ）電
子スペクトル（ＣＨＣＱ、溶液）を第５０図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第５１図に示す。

実施例９ ［例示化合物（Ｉ３０９）の合成］ 実施例６と同様に合成した（ＨＯ）、Ｓ　ｉ　Ｑｅｌ　
ｇ（Ｉ，３ｍｍｏＱ）の無水β−ピコリン１４１ｍＱｌ
ｌ濁液に無水トリブチルアミン３．８ｍｊ２　（Ｉ６，
１ｍｍｏｎ）、ついでトリへキシルクロロシラン５．９
ｍＡ（Ｉ６，１ｍ５ｏｎ）を加え、約２時間還流した。

放冷後１反応混合物を実施例６と同様に処理し、クロロ
ホルム−メタノール混合溶媒から再結晶することにより
濃緑色結晶を１０ｍｇ得た。この濃緑色結晶は、下記の
分析結果より例示化合物（Ｉ３０９）であることを確認
した。

（Ｉ）融点　〉３００℃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　６７．７２　７．０３　１６，６３分
析値（％）　　６７．７９　６．９５　１６．５９（３
）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペクトルを第５２図に
示す）：ＣＤＣＱ。

δ’ａ　　　９．１７（８Ｈ，ｄｄ、Ｊ　＝６．７１，
３．３６Ｈｚ）８．３４（８Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝６．７１．
３．３６Ｈｚ）０．４６　（Ｉ２Ｈ，ｑｕｉｎｔｅｔ−
１ｉｋｅ　ｍ）０．２５（Ｉ８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．１８Ｈ
ｚ）−０，０２（２４Ｈ，ｔ−１ｉｋｅ　ｍ）−１，０
３〜−１，１７（Ｉ２Ｈ，ｍ）−２，２３（Ｉ２Ｈ，ｔ
−１ｉｋｅ　ｍ）（Ｉ）電子スペクトル（ＣＨＣＱ、溶
液）を第５３図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第５４図に示す。

実施例１゜ ［例示化合物（Ｉ４６２）の合成］ 実施例６と同様に合成した（ＨＯ）、Ｓ　ｉ　Ｑｃｌ　
ｇ（Ｉ，３ｍｍｏＱ）のキノリン４０ｍＥ！懸濁液にト
リシクロへキシルシラノール０．７６　ｇ　（２，６ｍ
Ｉｌｏｇ）を加え、約７時間還流した。放冷後１反応混
合物を実施例６と同様に処理した結果、濃緑色結晶とし
て例示化合物（Ｉ４６２）を得た。この例示化合物（Ｉ
４６２）の電子スペクトル（ｃｕｃ　Ｑ　）　）を第５
５図に示す。

試験例６ 例示化合物（Ｉ３０９）を種々の溶媒に溶かし、電子ス
ペクトルを測定した。第５６図、第５７図。

第５８図、第５９図、第６０図及び第６１図にそれぞれ
クロロホルム中、テトラヒドロフラン中。

アセトン中、トルエン中、シクロヘキサン中及び四塩化
炭素中の電子スペクトルを示したが、溶媒の種類の違い
による吸収波形の変化及び溶液の濃度の違いによる吸収
波形の変化は、まったく観測されなかった。

試験例７ 例示化合物（Ｉ３１２）、（Ｉ３１１）及び（Ｉ３１０
）のクロロホルム（０，３重量パーセント）溶液を調製
した。これらの溶液をそれぞれスピンコード法でガラス
基板に塗布し、約８０℃で約１５分間乾燥し、有機膜を
形成した。これらの化合物の有機膜の透過スペクトル、
スピンコード膜の膜側及びその反対側であるガラス基板
側から７４０ｎｍ付近で高い光の吸収能力及び高い反射
率を示すことがわかった。

試験例８ ガラス基板上に例示化合物（Ｉ３０９）のクロロホルム
（０，５重量パーセント）溶液をスピンコード法で塗布
し、約８０℃で約１５分間乾燥し、有機膜を形成した。

この化合物の有機膜の透過スペクトル及び５°正反射ス
ペクトルをそれぞれ第７１図及び第７２図に示した。７
４Ｏｎｍ付近で高い光の吸収能力及び高い反射率を示す
ことがわかった。

実施例１１ ［例示化合物（Ｉ３４６）の合成］ ２．３−ジシアノ−６−メチルキノキザリン５ｇ（２５
，７ｍｍｏＱ）、四塩化ケイ素５．９ｍｇ（５１，４ｍ
ｍｏｎ）、モリブデン酸アンモニウム５２ｍｇ及び尿素
２６ｇを２３０〜２４０℃で約３時間反応させた。放冷
後、固化した反応混合物に水を加え、約５０℃で３０分
間かくはんした。

不溶の固体を吸引ろ過し、水で洗浄した。さらに。

この固体をメタノール中、約５０’Ｃで３０分間かくは
んした後、不溶の固体を吸引ろ過し、メタノールで洗浄
することにより、一般式（■）（ただし、Ｚ＝ＣＱ、Ｍ
＝Ｓｉであり、Ａ１．Ａ”、Ａ’ＣＱ　ｚＳ　ｉ　ＱＣ
（ＣＨａ）４と略す。］と考えられる茶色の固体が定量
的に得られた。この ＣＱ　ｚＳ　ｉ　Ｑｃ（ＣＨａ）、のＩＲスペクトルを
第７３図に示す、このスペクトルから尿素等の不純物の
存在が認められるが、このＣＱ　２　Ｓ　ｉ　Ｑｃ（Ｃ
Ｈ，）４は、これ以上精製せずに次の反応に用いた。

ＣＱｘ　Ｓ　ｘ　Ｑｃ（ＣＨｚＬ　１７−６　ｇ　（２
０−１ｍｍａｌｌりをエタノール７ＳｒｎＱ中に加え、
これにアンモニア水７６ｍΩ、さらに水３００ｍｕを添
加し、約５時間還流した。放冷後、この反応混合物を吸
引ろ過し、水、メタノールで洗浄した後、減圧乾燥する
と茶色の固体として、一般式（■）（たりり、ｒ、　Ｍ
＝Ｓ　ｉ　テア４Ｊ、　Ａ’、　Ａ２．　Ａ”（Ｈｏ　
）ｚ　ｓ　ｘ　Ｑｅ（ｃ　Ｈａ　）４と略す。］と考ら
れる固体が１２ｇ得られた。この（Ｈ０）２Ｓ　１Ｑｃ
（ＣＨ，）４のＩＲスペクトルを第７４図に示す、この
スペクトルから、尿素等の不純物の存在が認められるが
。

この（ＨＯ）ｚ　Ｓ　ｘ　Ｑｃ（ＣＨａ）４は、これ以
上精製せずに次の反応に用いた。

（ＨＯ）、５ｉＱｃ（ＣＨａＬ１２　ｇ（Ｉ４，３ｍｍ
ｏｎ）の無水β−ピコリン４００ｍｊ２懸濁液に、窒素
雰囲気下、無水トリブチルアミン１９．２ｍ（Ｉ（８０
，６ｍｍｏｆｆ）、ついでトリブチルクロロシラン２１
．５ｍｇ（８０，５ｍｗｏＱ）を加え、約６時間還流し
た。

放冷後１反応溶媒のβ−ピコリンを減圧上留去し。

これにメタノール／水の混合溶媒を加え、析出した沈殿
を吸引ろ過し、水、メタノール及びヘキサンで洗浄した
。この沈殿をクロロホルムに溶解し。

シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。

さらにヘキサン／クロロホルム混合溶媒から再結晶する
ことにより、緑色の結晶が８ｍｇ得られた。この緑色の
結晶は、下記の分析結果より例示化合物（Ｉ３４６）で
あることを確認した。

（Ｉ）融点　〉３００℃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　６６．０９　６．３６　１８．１４分
析値（％）　　６６．１８　６．３１　１８．０７（３
）ＮＭＲスペトトル値（ＮＭＲスペクトルを第７５図に
示す）：ＣＤＣＱ３ δ値　９．０２（ＩＨ，ｄ、Ｊ　＝８．８５Ｈｚ）８．
８９（ＩＨ，ｂｒ−ｓ） ８．１５（ＩＨ，ｄｄ、Ｊ＝８．８５，１．２２Ｈｚ）
２．９６　（Ｉ２Ｈ，５） −０，０２（Ｉ２Ｈ，５ｅｘｔｅｔ−１ｉｋｅ　ｍ）−
０，２０（Ｉ８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．３３Ｈｚ）−１，０９
（Ｉ２Ｈ，ｑｕｉｎｔｅｔ−１ｉｋｅ　ｍ）−２，２５
（Ｉ２Ｈ，ｔ−１ｉｋｅ　ｍ）（Ｉ）電子スペクトル（
ＣＨＣＱ、溶液）を第７６図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第７７図に示す。

試験例９ ガラス基板上に例示化合物（Ｉ３４６）のクロロホルム
（０，３重量パーセント）溶液をスピンコード法で塗布
し、約８０℃で約１５分間乾燥し、有機膜を形成した。

この化合物の有機膜の透過スペクトル、スピンコード膜
の膜側及びその反対側であるガラス基板側から測定した
５°正反射スペクトルを、それぞれ第７８図、第７９図
及び第８０図に示す、７４０ｎｍ付近で高い光の吸収能
力及び高い反射率を示すことがねかった。

実施例１２〜８６５ 厚さ１．２膿、直径１３０ｍｍのポリメチルメタクリレ
ート２Ｐ基板上に、実施例１〜１１で合成または、実施
例１〜１１に準じて合成した例示テトラアザポルフィン
と有機溶媒とからなる溶液をスピンコード法で塗布し、
約８０℃で約１５分間乾燥し、記録層を形成した。この
記録層の厚さは。

ＤＥＫＴＡＫ３０３０　（Ｓｌｏａｎ社製）によって測
定した。このようにして作成した光記録媒体を、記録層
を上にしてターンテーブルに乗せ、１８００ｒｐｗ＋の
速度で回転させながら、アルゴンイオンレーザ−９色素
レーザーなどを組み合わせて種々の発振波長に調整した
レーザー光を光学ヘッドを介して光記録媒体の下側つま
り基板側からレーザービームがポリメチルメタクリレー
ト基板を通して記録層に集光するように制御しながら、
中心から半径４０〜６０ｍの間で２　Ｍ　Ｈｚのパルス
記号の記録を行った０次に同じ装置を用いて出力を弱め
たレーザー光により記録した信号の再生を行い、そのと
きのキャリヤー／ノイズ（Ｃ／Ｎ）を測定した。

得られた結果を第２表にまとめて示すが１例示したテト
ラアザポルフィンは高いＣ／Ｎを示すこ比較例１ 文献〔ラニーナル・オブシェ・キミ（ＺｈｕｒｎａｌＯ
ｂｓｈｃｈｅｉ　Ｋｈｉｍｉｉ）　、第４２巻６９６頁
、１９７２年〕記載の方法により合成したバナジル−テ
トラ（ｔ−ブチル）ナフタロシアニンをクロロホルム溶
液中で電子スペクトルを測定した図を第８１図に、ベン
ゼン溶液中で測定したものを第８２図に示したようにこ
の化合物では、溶媒の種類及び濃度が変化すると吸収波
形が変化し、高濃度になるほど８００　ｒ、　ｍ付近の
吸収が低下し７２０〜７３０ｎｍの吸収が大きくなるこ
とがＩｌ’ｌされた。

バナジル−テトラ （ｔ−ブチル） ナフタロシア ニン。

比較例２ ガラス板上に、比較例１で用いたバナジル−テトラ（ｔ
−ブチル）ナフタロシアニンを試験例９と同様にして有
機膜を形成し、この透過スペクトル（第８３図）及び腹
側から測定した５ｍ正反射スペクトル（第８４図）を測
定した。６００〜８５０ｎｍの波長域であまり高い光の
吸収能力及び反射率（２０％以下）を示さなかった。

比較例３〜７ 厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｍのポリメチルメタクリレ
ート２Ｐ基板上にバナジル−テトラ（Ｉ−ブチル）ナフ
タロシアニンを用いて、実施例１２〜８６５と同様にし
て形成した光記録媒体のＣ／Ｎを測定した。得られた結
果を第３表にまとめて示すが、比較例２に示したように
バナジル−テトラ（ｔ−ブチル）ナフタロシアニンは、
６００〜８５０ｎｍいずれの波長範囲でも低反射率（〈
２０％）であり、そのためＣ／Ｎ値は本測定条件では小
さな値しか得られかなった。

比較例８ 米国特許第４，７２５，５２５号明細書における代表的
化合物ビス（Ｉリへキシルシロキシ）シリコン−ナフタ
ロシアニンのトルエン溶液（０，６重量パーセント）を
ガラス基板上にスピンコード法で塗布示す６本化合物は
、反射極大を８１０ｎｍ付近に示すが、７８０ｎｍ以下
の波長域では２０％以下の反射率しか示さなかった。

比較例９〜１３ 厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｍのポリメチルメタクリレ
ート２Ｐ基板上に米国特許第４，７２５，５２５号明細
書の代表的化合物ビス（Ｉリへキシルシロキシ）シリコ
ン−ナフタロシアニンを用いて、実施例１２〜８６５と
同様にして形成した光記録媒体のＣ／Ｎを測定した。得
られた結果を第４表にまとめて示すが、比較例８に示し
たように、この化合物は７８０ｎｍ以下の波長域では低
反射率であるために、低いＣ／Ｎ値を示した。

一ナフタロシアニン し、約８０℃で約１５分間乾燥し、有機膜を形成した。

この化合物の膜の透過スペクトル及び５゜正反射スペク
トル（実線は腹側から、点線は基板側から測定）を第８
５図及び第８６図にそれぞれ実施例８６６〜１３１０ 実施例１〜１１で合成または、実施例１〜１１に準じて
合成した例示テトラアザポルフィンを有機溶媒に溶解し
て調整した溶液を、回転塗布法によって、厚さ１．２ｍ
のガラス板上に塗布し、記録層を形成した。このように
して形成された記録媒体にアルゴンイオンレーザ−など
を用いて種々の発振波長に調整したレーザー光をガラス
基板側から照射して記録特性を評価した。記録・再生は
ビーム径１．６μｍで行った。

再生光に対する安定性を評価するために、再生初期の反
射率（Ｒｏ）に対して０．５ｍＷ再生光により１０＠回
再生後の反射率（Ｒ）の比Ｒ／Ｒ０を測定した。結果を
第５表にまとめて示すが、例示したテトラアザポルフィ
ンは、再生光に対して高い安定性を示すことがわかった
。

比較例１４〜１９ シアニン系色素（日本感光色素研究所ＩＩ）を有機溶媒
に溶解し、実施例８６６〜１３１０と同様に記録層を形
成した後、実施例８６６〜１３１０と同様にして再生光
に対する安定性を評価した。

結果を第６表にまとめて示すが、シアニン系色素は、再
生光に対する安定性が極めて悪かった。

実施例１３１１〜１３６２ 実施例１〜１１で合成または実施例１〜１１に準じて合
成した例示テトラアザポルフィンとバインダーポリマー
を有機溶媒に溶解して調整した溶液を回転塗布法によっ
て、厚さ１．２■のガラス板上に塗布し記録層を形成し
た。このようにして形成した記録媒体を実施例８６６〜
１３１０と同様にして再生光に対する安定性を評価した
。結果を第７表にまとめて示すが例示したテトラアザポ
ルフィンとバインダーにより形成された記録層は高い安
定性を示すことがわかった。

〔発明の効果〕

発明によって、新規なテトラアザポルフィンが提供され
、この化合物は、光学記録媒体の記録層材料、光電変換
材料、液晶表示材料等に有用である。

特に８００ｎｍ以下の波長領域のレーザー光線を記録・
読み出しに使用する光学記録媒体、とりわけ追記型の光
学記録媒体の記録層材料として有用である。

米国特許第４，７１９，６１５号及び第４，７８０，８
６７号明細書で使用される書き換え型光ディスク用記録
時。

読み出し時及び消去時に有効な光吸収色素としても有用
である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、ＣＱ２Ｓｉ（２，３−Ｐｒｉｃ）の電子スペ
クトル（ピリジン溶液）であり、第２図は、ＣＨ３Ｓ　
ｉ（２，３−Ｐｒｉｃ）のＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）
であり、第３図は、（ＨＯ）ｚ　５ｉ（２、３−Ｐｒｉ
ｃ）の電子スペクトル（ピリジン溶液）であり、第４図
は１、（Ｈ０）２Ｓ　ｉ　（２、３−Ｐｒｉｃ）のＩＲ
スペクトル（ＫＢｒ法）であり、第５図は１例示化合物
（３）のＮＭＲスペクトルであり、第６図は、例示化合
物（３）の電子スペクトル（クロロホルム溶液）であり
、第７図は１例示化合物（３）のＩＲスペクトル（ＫＢ
ｒ法）であり、第８図は。 例示化合物（Ｉ）のＮＭＲスペクトルであり、第９図は
１例示化合物（Ｉ）の電子スペクトル（クロロホルム溶
液）であり、第１０図は、例示化合物（Ｉ）のＩＲスペ
クトル（ＫＢｒ法）であり。 第１１図は、例示化合物（３）のスピンコード膜の透過
スペクトルであり、第１２図は、例示化合物（３）のス
ピンコード膜の腹側から測定した５°正反射スペクトル
であり、第１３図は、例示化合物（３）のスピンコード
膜のガラス基板側から測定した５°正反射スペクトルで
あり、第１４図は、例示化合物（Ｉ）のスピンコード膜
の透過スペクトルであり、第１５図は１例示化合物（Ｉ
）のスピンコード膜の腹側から測定した５°正反射スペ
クトルであり、第１６図は、例示化合物（Ｉ）のスピン
コード膜のガラス基板側から測定した５＠正反射スペク
トルであり、第１７図は。 ＣＨ３Ｓ　ｉ（３，４−Ｐｒｉｃ）の電子スペクトル（
ピリジン溶液）であり、第１８図は、　ＣＱｚ　Ｓ　ｘ
　（３，４Ｐｒ１ｃ）のＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）で
あり、第１９図は、　　（ＨＯ）、５ｉ（３，４−Ｐｒ
ｉｃ）の電子スペクトル（ピリジン溶液）であり、第２
０図は、（ＨＯ）。 Ｓｉ　（３，４−Ｐｒｉｃ）のＩＲスペクトル（ＫＢｒ
法）であり、第２１図は、例示化合物（Ｉ５２）のＮＭ
Ｒスペクルであり、第２２図は１例示化合物（Ｉ５２）
の電子スペクトル（クロロホルム溶液）であり、第２３
図は、例示化合物（Ｉ５２）のＩＲスペクトル（ＫＢｒ
法）であり、第２４図は１例示化合物（Ｉ５２）のスピ
ンコード膜の透過スペクトルであり、第２５図は１例示
化合物（Ｉ５２）のスピンコード膜の腹側（実線）及び
ガラス基板側（点線）から測定した５°正反射スペクト
ルであり、第２６図は、　Ｃｆ１．５ｉ（Ｐｒａｃ）の
電子スペクトル（ピリジン溶液）であり、第２７図は。 ＣＱ　、Ｓ　ｉ　（Ｐｒａｃ）のＩＲスペクトル（ＫＢ
ｒ法）であり、第２８図は、（ＨＯ）２Ｓ　ｉ　（Ｐｒ
ａｃ）の電子スペクトル（ピリジン溶液）であり、第２
９図は。 （ＨＯ）、　Ｓ　ｉ　（Ｐｒａｃ）のＩＲスペクトル（
ＫＢｒ法）であり、第３０図は、例示化合物（３０２）
のＮＭＲスペクトルであり、第３１図は、例示化合物（
３０２）の電子スペクトル（クロロホルム溶液）であり
、第３２図は１例示化合物（３０２）の工Ｒスペクトル
（ＫＢｒ法）であり、第３３図は、例示化合物（３０１
）のＮＭＲスペク゛トルであり、第３４図は１例示化合
物（３０１）の電子スペクトル（クロロホルム溶液）で
あり、第３５図は。 例示化合物（３０１）のＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）で
あり、第３６図は、例示化合物（３０２）のスピンコー
ド膜の透過スペクトルであり、第３７図は、例示化合物
（３０２）のスピンコード膜の腹側（実線）及びガラス
基板側（点線）から測定した５°正反射スペクトルであ
り、第３８図は、例示化合物（３０１）のスピンコード
膜の透過スペクトルであり、第３９図は１例示化合物（
３０１）のスピンコード膜の腹側（実線）及びガラス基
板側（点線）から測定した５°正反射スぺクトルであり
、第４０図は、−散大（■）（ただし法）であり、第４
１図は、Ｃｆｆ１，５ｉＱｃのＩＲスペクトル（ＫＢｒ
法）であり、第４２図は、（ＨＯ）、５ｉＱｃのＩＲス
ペクトル（ＫＢｒ法）であり、第４３図は１例示化合物
（Ｉ３１２）のＮＭＲスペクトルであり、第４４図は、
例示化合物（Ｉ３１２）の電子スペクトル（クロロホル
ム溶液）であり。 第４５図は、例示化合物（Ｉ３１２）のＩＲスペクトル
（ＫＢｒ法）であり、第４６図は１例示化合物（Ｉ３１
１）のＮＭＲスペクトルであり、第４７図は１例示化合
物（Ｉ３１１）の電子スペクトル（クロロホルム溶液）
であり、第４８図は１例示化合物（Ｉ３１１）のＩＲス
ペクトル（ＫＢｒ法）であり、第４９図は、例示化合物
（Ｉ３１０）のＮＭＲスペクトルであり、第５０図は１
例示化合物（Ｉ３１０）の電子スペクトルであり、第５
１図は１例示化合物（Ｉ３１０）のＩＲスペクトル（Ｋ
Ｂｒ法）であり、第５２図は１例示化合物（Ｉ３０９）
ＮＭＲスペクトルであり、第５３図は１例示化合物（Ｉ
３０９）の電子スペクトル（クロロホルム溶液）であり
、第５４図は、例示化合物（Ｉ３０９）のＩＲスペクト
ル（ＫＢｒ法）であり、第５５図は、例示化合物（Ｉ４
６２）の電子スペクトル（クロロホルム溶液）であり、
第５６図は、クロロホルム中における例示化合物（Ｉ３
０９）の電子スペクトルであり、第５７図は、テトラヒ
ドロフラン中における例示化合物（Ｉ３０９）の電子ス
ペクトルであり、第５８図は、アセトン中における例示
化合物（Ｉ３０９）の電子スペクトルであり、第５９図
は、トルエン中における例示化合物（Ｉ３０９）の電子
スペクトルであり、第６０図は、シクロヘキサン中にお
ける例示化合物（Ｉ３Ｑ　９）の電子スペクトルであり
、第６１図は、四塩化炭素中における例示化合物（Ｉ３
０９）の電子スペクトルであり、第６２図は、例示化合
物（Ｉ３１２）のスピンコード膜の透過スペクトルであ
り、第６３図は１例示化合物（Ｉ３１２）のスピンコー
ド膜の膜側から測定した５°正反射スペクトルであり、
第６４図は、例示化合物（Ｉ３１２）のスピンコード膜
のガラス基板側から測定した５”正反射スペクトルであ
り、第６５図は、例示化合物（Ｉ３ｕ）のスピンコード
膜の透過スペクトルであり、第６６図は、例示化合物（
Ｉ３１１）のスピンコード膜の膜側から測定した５°正
反射スペクトルであり、第６７図は１例示化合物（Ｉ３
１１）のスピンコード膜のガラス基板側から測定した５
°正反射スペクトルであり、第６８図は、例示化合物（
Ｉ３１０）のスピンコード膜の透過スペクトルであり、
第６９図は、例示化合物（Ｉ３１０）のスピンコード膜
の膜側から測定した５°正反射スペクトルであり、第７
０図は、例示化合物（Ｉ３１０）のスピンコード膜のガ
ラス基板側から測定した５°正反射スペクトルであり、
第７１図は１例示化合物（Ｉ３０９）のスピンコード膜
の透過スペクトルであり、第７２図は、例示化合物（Ｉ
３０９）のスピンコード膜の膜側から測定した５°正反
射スペクトルであり、第７３図は、　（Ｉｔ　２５ｉＱ
ｃ　（ＣＨ３）４のＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）であり
、第７４図は。 （ＨＯ）、　Ｓ　ｉ　Ｑｃ（ＣＨ，）、のＩＲスペクト
ル（ＫＢｒ法）であり、第７５図は１例示化合物（Ｉ３
４６）のＮＭＲスペクトルであり、第７６図は、例示化
合物（Ｉ３４６）の電子スペクトル（クロロホルム溶液
）であり、第７７図は、例示化合物（Ｉ３４６）のＩＲ
スペクトル（ＫＢｒ法）であり、第７８図は、例示化合
物（Ｉ３４６）のスピンコード膜の透過スペクトルであ
り、第７９図は１例示化合物（Ｉ３４６）のスピンコー
ド膜のＩＥＩ＃から測定した５°正反射スペクトルであ
り、第８０図は、例示化合物（Ｉ３４６）のスピンコー
ド膜のガラス基板側から測定した５°正反射スペクトル
であり、第８１図は、バナジル−テトラ（ｔ−ブチル）
ナフタロシアニンのクロロホルム溶液中での電子スペク
トルで（ａ）は２．３７　Ｘ　１０″″′Ｍ濃度、（ｂ
）ハ１．８９　Ｘ　１０−’Ｍ濃度であり、ｍ８２［１
；ｉ、バナジル−テトラ（ｔ−ブチル）ナフタロシアニ
ンのベンゼン溶液中（９，５Ｘ１０″−ＩＭ濃度）での
電子スペクトルであり、第８３図は、バナジルーテトラ
（ｔ−ブチル）ナフタロシアニンのスピンコード膜の透
過スペクトルであり、第８４図は。 バナジル−テトラ（ｔ−ブチル）ナフタロシアニンのス
ピンコード膜の５°正反射スペクトルであり、第８５図
は、ビス（Ｉリへキシルシロキシ）シリコン−ナフタロ
シアニンのスピンコード膜の透過スペクトルであり、第
８６図は、ビス（Ｉリへキシルシロキシ）シリコン−ナ
フタロシアニンのスピンコード膜の反射スペクトルであ
る（実線は腹側から、点線は基板側から測定したもので
あ製条 （人員） 寮 らＬ−＆（７Ｌ凰） 第 ３な 叱 謳 掃 寧 第 図 弧長（７１ｍ） ７１１　　〜 米表（７Ｌ１） ＨＩ！ｌ　　＜い 製条（ｆｉｙｔ） 遣曇（Ｍ峨２ ０発 萩原 ０発 茨城県日立市東町４丁目１３番１号 茨城研究所内 茨城県日立市東町４丁目１３番１号 茨城研究所内 日立化成工業株式会社 日立化成工業株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中Ｍは、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎを示し、Ｙはアリール
   オキシル基、アルコキシル基、トリアルキルシロキシル
   基、トリアリールシロキシル基、トリアルコキシシロキ
   シル基、トリアリールオキシシロキシル基、トリチルオ
   キシル基又はアシロキシル基を示し、２個のＹは同一で
   も相違してもよく、Ａ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３及びＡ＾４
   で表わされる環は、有機置換基が結合してもよい芳香環
   を示し、Ａ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３及びＡ＾４は同一でも
   相違してもよく、Ａ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３及びＡ＾４の
   少なくとも１つは、含窒素芳香環である〕で表わされる
   新規なテトラアザポルフイン。 ２、一般式（ I ）においてＭがＳｉ又はＧｅである請
   求項１記載の新規なテトラアザポルフイン。 ３、一般式（ I ）において２個のＹがトリアルキルシ
   ロキシル基である請求項１又は２記載のテトラアザポル
   フイン。 ４、一般式（ I ）においてＡ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３及
   びＡ＾４で表わされる環が、すべて含窒素芳香環である
   請求項１、２又は３記載の新規なテトラアザポルフイン
   。 ５、一般式（ I ）においてＡ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３及
   びＡ＾４で表わされる環が、すべて同一の含窒素芳香環
   である請求項１、２又は３記載の新規なテトラアザポル
   フイン。 ６、一般式（ I ）においてＡ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３及
   びＡ＾４で表わされる環が、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
   、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
   ▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
   式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
   す▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、 及び▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択される環
   である請求項１、２、３、４又は５記載の新規なテトラ
   アザポルフイン。 ７、一般式（ I ）においてＡ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３及
   びＡ＾４で表わされる環が ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼及び▲数式、化学
   式、表等があります▼で表わされる含窒素芳香環からな
   る群より選択される環である請求項１、２、３、４又は
   ５記載の新規なテトラアザポルフイン。 ８、一般式（ I ）においてＡ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３及
   びＡ＾４で表わされる芳香環に結合した有機置換基が、
   以下の置換基からなる群より選択される少なくとも１つ
   の基であり、 −Ｒ＾１ −ＯＲ＾２ −ＳｉＲ＾３Ｒ＾４Ｒ＾５ −ＳＯ＿２ＮＲ＾６Ｒ＾７ −ＣＯ・Ｒ＾８ −ＣＯＯＲ＾９ −Ｏ・ＣＯＲ＾１＾０ −ＣＯ・ＮＨＲ＾１＾１ −ＮＲ＾１＾２Ｒ＾１＾３ −ＳＲ＾１＾４ −ＳＯ＿２Ｒ＾１＾５及び −Ｘ＾１ （式中、Ｒ＾１〜Ｒ＾１＾５は、水素原子、アルキル基
   、置換基を有するアルキル基又はアリール基を示し、Ｘ
   ＾１はハロゲン原子を示す）、Ａ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３
   及びＡ＾４で表わされる芳香環の置換可能な位置に少な
   くとも１個置換された請求項１、２、３、４、５、６又
   は７記載の新規なテトラアザポルフイン。 ９、一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 〔式中Ｍ並びにＡ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３及びＡ＾４で表
   わされる環は一般式（ I ）におけると同意義〕で表わ
   される新規なテトラアザポルフインを一般式（III） （Ｒ＾１＾６）＿３ＳｉＣｌ（III） で表わされるクロロシラン、一般式（IV） （Ｒ＾１＾７）＿３ＳｉＯＨ（IV） 〔式（III）及び（IV）中Ｒ＾１＾６及びＲ＾１＾７は
   それぞれ、アルキル基、アリール基、アルコキシル基又
   はアリールオキシル基である〕で表わされるシラノール
   、一般式（Ｖ） Ｒ＾１＾８ＯＨ（Ｖ） 〔式中Ｒ＾１＾８は、アルキル基又はアリール基である
   〕で表わされるアルコール又は一般式（VI）Ｒ＾１＾９
   ＣＯ・Ｘ＾２（VI） 〔式中Ｒ＾１＾９はアルキル基、Ｘ＾２はハロゲン原子
   、ヒドロキシル基又はアシロキシル基である〕で表わさ
   れる化合物と反応させることを特徴とする一般式（ I
   ）で表わされる新規なテトラアザポルフインの製造法。 １０、一般式（II）及び一般式（ I ）においてＭがＳ
   ｉ又はＧｅである請求項９記載の新規なテトラアザポル
   フインの製造法。 １１、一般式（III）及び一般式（IV）においてＲ＾１
   ＾５及びＲ＾１＾６がアルキル基であり、一般式（ I
   ）において２個のＹがトリアルキルシロキシル基である
   請求項９又は１０記載の新規なテトラアザポルフインの
   製造法。 １２、一般式（II）及び一般式（ I ）においてＡ＾１
   、Ａ＾２、Ａ＾３及びＡ＾４で表わされる環がすべて含
   窒素芳香環である請求項９、１０又は１１記載の新規な
   テトラアザポルフインの製造法。 １３、一般式（II）及び一般式（ I ）においてＡ＾１
   、Ａ＾２、Ａ＾３及びＡ＾４で表わされる環がすべて同
   一の含窒素芳香環である請求項９、１０又は１１記載の
   新規なテトラアザポルフインの製造法。 １４、一般式（II）及び一般式（ I ）においてＡ＾１
   、Ａ＾２、Ａ＾３及びＡ＾４で表わされる環が、▲数式
   、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等が
   あります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数
   式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等
   があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲
   数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、 及び▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択される環
   である請求項９、１０、１１、１２又は１３記載の新規
   テトラアザポルフインの製造法。 １５、一般式（II）及び一般式（ I ）においてＡ＾１
   、Ａ＾２、Ａ＾３及びＡ＾４で表わされる環が▲数式、
   化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があ
   ります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
   、化学式、表等があります▼及び▲数式、化学式、表等
   があります▼で表わされる含窒素芳香環からなる群より
   選択される環である請求項９、１０、１１、１２又は１
   ３記載の新規なテトラアザポルフインの製造法。 １６、一般式（ I ）においてＡ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３
   及びＡ＾４で表わされる芳香環の有する有機置換基が、
   以下の置換基からなる群より選択され −Ｒ＾１ −ＯＲ＾２ −ＳｉＲ＾３Ｒ＾４Ｒ＾５ −ＳＯ＿２ＮＲ＾６Ｒ＾７ −ＣＯ・Ｒ＾８ −ＣＯＯＲ＾９ −Ｏ・ＣＯＲ＾１＾０ −ＣＯ・ＮＨＲ＾１＾１ −ＮＲ＾１＾２Ｒ＾１＾３ −ＳＲ＾１＾４ −ＳＯ＿２Ｒ＾１＾５及び −Ｘ＾１ （式中、Ｒ＾１〜Ｒ＾１＾５は、水素原子、アルキル基
   、置換基を有するアルキル基又はアリール基を示し、Ｘ
   ＾１はハロゲン原子を示す）、Ａ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３
   及びＡ＾４で表わされる芳香環の置換可能な位置に少な
   くとも１個置換された請求項９、１０、１１、１２、１
   ３、１４又は１５記載の新規なテトラアザポルフインの
   製造法。 １７、基板表面に、一般式（ I ）で表わされる新規な
   テトラアザポルフインを主成分とする記録層を形成し、
   レーザー光線の照射により記録層を変化させて情報を記
   録し、該変化させられた記録層部分とレーザー光線を照
   射されず変化させられなかつた記録層部分との光学濃度
   の差により情報を読み出すことを特徴とする光デイスク
   用の光記録媒体。 １８、一般式（ I ）においてＭがＳｉ又はＧｅである
   新規なテトラアザポルフインを主成分とする記録層が形
   成されている請求項１７記載の光記録媒体。 １９、一般式（ I ）において２個のＹがトリアルキル
   シロキシル基である新規なテトラアザポルフインを主成
   分とする記録層が形成されている請求項１７又は１８記
   載の光記録媒体。 ２０、一般式（ I ）においてＡ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３
   及びＡ＾４で表わされる環が、すべて含窒素芳香環であ
   る新規なテトラアザポルフインを主成分とする記録層が
   形成されている請求項１７、１８又は１９記載の光記録
   媒体。 ２１、一般式（ I ）においてＡ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３
   及びＡ＾４で表わされる環が、すべて同一の含窒素芳香
   環である新規なテトラアザポルフインを主成分とする記
   録層が形成されている請求項１７、１８又は１９記載の
   光記録媒体。 ２２、一般式（ I ）においてＡ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３
   及びＡ＾４で表わされる環が、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
   、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
   ▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
   式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
   す▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、 及び▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択される環
   である新規なテトラアザポルフインを主成分とする記録
   層が形成されている請求項１７、１８、１９、２０又は
   ２１記載の光記録媒体。 ２３、一般式（ I ）においてＡ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３
   及びＡ＾４で表わされる環が ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、％式及び▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択される環
   である新規なテトラアザポルフインを主成分とする記録
   層が形成されている請求項１７、１８、１９、２０又は
   ２１記載の光記録媒体。 ２４、一般式（ I ）においてＡ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３
   及びＡ＾４で表わされる芳香環の有する有機置換基が、
   以下の置換基からなる群より選択され −Ｒ＾１ −ＯＲ＾２ −ＳｉＲ＾３Ｒ＾４Ｒ＾５ −ＳＯ＿２ＮＲ＾６Ｒ＾７ −ＣＯ・Ｒ＾８ −ＣＯＯＲ＾９ −Ｏ・ＣＯＲ＾１＾０ −ＣＯ・ＮＨＲ＾１＾１ −ＮＲ＾１＾２Ｒ＾１＾３ −ＳＲ＾１＾４ −ＳＯ＿２Ｒ＾１＾５及び −Ｘ＾１ （式中、Ｒ＾１〜Ｒ＾１＾５は、水素原子、アルキル基
   、置換基を有するアルキル基又はアリール基を示し、Ｘ
   ＾１はハロゲン原子を示す）、Ａ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３
   及びＡ＾４で表わされる芳香環の置換可能な位置に少な
   くとも１個置換された新規なテトラアザポルフインを主
   成分とする記録層が形成されている請求項１７、１８、
   １９、２０、２１、２２又は２３記載の光記録媒体。 ２５、一般式（ I ）で表わされる新規なテトラアザポ
   ルフインを含有する有機溶媒溶液を用いて基板表面に記
   録層を形成することを特徴とする光ディスク用の光記録
   媒体の製造方法。 ２６、一般式（ I ）においてＭがＳｉ又はＧｅである
   新規なテトラアザポルフインを用いた請求項２５記載の
   光記録媒体の製造方法。 ２７、一般式（ I ）において２個のＹがトリアルキル
   シロキシル基である新規なテトラアザポルフインを用い
   た請求項２５又は２６記載の光記録媒体の製造方法。 ２８、一般式（ I ）においてＡ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３
   及びＡ＾４で表わされる環がすべて含窒素芳香環である
   新規なテトラアザポルフインを用いた請求項２５、２６
   又は２７記載の光記録媒体の製造方法。 ２９、一般式（ I ）においてＡ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３
   及びＡ＾４で表わされる環が、すべて同一の含窒素芳香
   環である新規なテトラアザポルフインを用いた請求項２
   ５、２６又は２７記載の光記録媒体の製造方法。 ３０、一般式（ I ）においてＡ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３
   及びＡ＾４で表わされる環が、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
   、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
   ▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
   式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
   す▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、 及び▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる含窒素芳香環からなる群より選択される環
   である新規なテトラアザポルフインを用いた請求項２５
   、２６、２７、２８又は２９記載の光記録媒体の製造方
   法。 ３１、一般式（ I ）においてＡ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３
   及びＡ＾４で表わされる環が ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼及び▲数式、化学
   式、表等があります▼で表わされる含窒素芳香環からな
   る群より選択される環である新規なテトラアザポルフイ
   ンを用いた請求項２５、２６、２７、２８又は２９記載
   の光記録媒体の製造方法。 ３２、一般式（ I ）においてＡ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３
   及びＡ＾４で表わされる芳香環の有する有機置換基が、
   以下の置換基からなる群より選択され −Ｒ＾１ −ＯＲ＾２ −ＳｉＲ＾３Ｒ＾４Ｒ＾５ −ＳＯ＿２ＮＲ＾６Ｒ＾７ −ＣＯ・Ｒ＾８ −ＣＯＯＲ＾９ −Ｏ・ＣＯＲ＾１＾０ −ＣＯ・ＮＨＲ＾１＾１ −ＮＲ＾１＾２Ｒ＾１＾３ −ＳＲ＾１＾４ −ＳＯ＿２Ｒ＾１＾５及び −Ｘ＾１ （式中、Ｒ＾１〜Ｒ＾１＾５は、水素原子、アルキル基
   、置換基を有するアルキル基又はアリール基を示し、Ｘ
   ＾１はハロゲン原子を示す）、Ａ＾１、Ａ＾２、Ａ＾３
   及びＡ＾４で表わされる芳香環の置換可能な位置に少な
   くとも１個置換された新規なテトラアザポルフインを用
   いた請求項２５、２６、２７、２８、２９、３０又は３
   １記載の光記録媒体の製造方法。