JPH04363290A - 光学記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光線によって
情報を書き込んだり、読み取ったりすることが可能な光
学記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、コンパクトディスク、ビデオディ
スク、液晶表示装置、光学文字読取機等における書込み
あるいは読み取りのため、また、電子写真用光源として
半導体レーザー光を利用することが提案されている。特
に、半導体レーザーを用いた光記録媒体は、媒体と記録
ないし再生ヘッドが非接触であるので、記録媒体が摩耗
劣化しないという特徴を持つもので、種々の記録媒体の
開発、研究が行われている。特に、ヒートモード記録方
式の分野においては、低融点金属、有機高分子化合物あ
るいは色素が融解、蒸発あるいは昇華する物質として提
案されている。このうち有機高分子化合物や色素を含む
有機薄膜は、熱伝導率が小さく、また、融解ないし昇華
温度が低いものとなっている。そのため、記録感度の点
では好ましいシアニン色素、スクワリリウム色素など種
々の物質が記録層形成材として提案されている。そこで
、色素を記録層として適用した光記録媒体が提案されて
いる（例えば、特開昭５６−１６９４８号公報）。

【０００３】このような従来技術のうち、色素自体の反
射率が適度に高いシアニン系色素を記録層に用い、色素
薄膜記録層を反射型の光記録媒体として利用するために
金属反射膜を必要とせず、媒体構成の複雑化の防止、情
報の記録再生特性の劣化の防止を図る提案がなされてい
る（例えば、特開昭６０−７８７８号公報）。

【０００４】しかしながら、シアニン系色素をはじめと
する公知の色素は、一般に、耐光堅牢性が低いため、書
込み後の読み出しの際、読み出し光の繰り返し照射によ
って色素が退色し、読み出しのＣ／Ｎ比が低下してしま
うという、いわゆる再生劣化が大きいという問題がある
。そこで、耐光堅牢性の優れた色素としてナフタロシア
ニン化合物を記録層に用いることが提案されている（例
えば、米国特許第４７２５５２５号明細書）。

【０００５】情報記録媒体の記録層形成法としては、真
空蒸着、スパッタ、塗布法、浸漬法など、種々の方法が
知られているが、一般に、前２者のような真空技術を用
いる形成法よりも、後２者のような湿式法が経済的に有
利であり、そのため、色素の有機溶剤への溶解性は、記
録層形成過程の経済性において重要な位置を占める。

【０００６】しかしながら、ナフタロシアニン類を溶解
できる有機溶媒は、芳香族炭化水素系溶媒、ハロゲン系
溶媒などが一般的であり、飽和炭化水素系溶媒やアルコ
ール系溶媒に対する溶解性が極めて低く、湿式塗布によ
りポリメチルメタクリレート基板上に耐溶剤性層を設け
ることなく、直接記録層を形成できないという問題があ
る。一般に、ナフタロシアニン類の溶解性を向上させる
手段としては、長鎖のアルキル基を有する何らかの置換
基を幾つか導入する方法が知られているが、所望の溶解
性を示すナフタロシアニンは融点が低く、長時間の再生
では記録時のように記録層が融解してしまうという問題
がある。したがって、ナフタロシアニン類の融点を低下
させることなく、飽和炭化水素系溶媒やアルコール系溶
媒に可溶化する手段の開発が求められている。

【０００７】また、一般に、ナフタロシアニン類は、平
面状の大きなπ共役系を有するため、分子間に働く会合
力が極めて強く、一旦形成された不安定状態にある非晶
質記録膜が高温高湿条件下で徐々に安定状態へ移行、即
ち、結晶化を起こすため、記録した情報が消失してしま
うという問題があり、このような結晶化を抑制すること
が求められている。

【０００８】また、最近、発振波長が異なる複数の半導
体レーザーに対する感度の向上や記録密度の向上を目的
として、従来の８００ｎｍ付近からより短波長領域に発
振波長を示す半導体レーザーに対して高感度な光学記録
媒体の開発が要求されるようになった。このような光学
記録媒体に用いる記録層としては、異なる波長に吸収を
示すフタロシアニン及びナフタロシアニンの混合物を用
いることが考えられる。しかしながら、このような混合
膜では、均質なアモルファス膜を得ることが難しく、ま
た、均質な膜が得られたとしても高温高湿条件下でミク
ロな相分離を起こし、微結晶が生成してしまうという問
題があった。

【０００９】さらに、近年、ポルフィラジン二核体化合
物を用いた光学記録媒体が提案されている（特開平１−
１７１９８７号公報）が、吸収がブロードであるため、
感度が低く、その上低い反射率しか示さないので、充分
なＣ／Ｎ比が得られないという問題があった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記現状に
鑑みてなされたもので、その第一の目的は、８００ｎｍ
以下の波長領域の発振波長を有する半導体レーザーに対
して吸収及び反射率が大きな光学記録媒体及びその記録
層成分として好適な化合物を提供することにある。さら
に、本発明の第二の目的は、発振波長が異なる二つの半
導体レーザーに対して優れた吸収及び反射特性を示す高
感度な光学記録媒体、即ち、発振波長が異なる二つの半
導体レーザーを用いて記録再生が可能であって、しかも
、長期間にわたって記録再生性能が劣化しない、耐久性
に優れた光学記録媒体を提供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、一
般式（Ｉ）

【化４】 〔式中、Ｍは、Ｓｉ　、Ｇｅ　又はＳｎ　を表し、環Ａ
１　〜Ａ８　はそれぞれ独立にベンゼン環、ナフタレン
環、アントラセン環、

【化５】

【化６】 を表し、置換基Ｘはそれぞれ独立にハロゲン原子、−Ｒ
１　、−ＯＲ２　、−ＳＲ３、−Ｓｉ　Ｒ４　Ｒ５　Ｒ
６　、−ＳＯ２　ＮＲ７　Ｒ８　、−ＳＯ２　Ｒ９　、
−ＣＯＲ１０、−ＣＯＯＲ１１、−ＣＯＮＨＲ１２、−
ＮＲ１３Ｒ１４、−Ｒ１５−ＯＲ１６、−ＮＯ２　、−
ＳＯ３　Ｈ、−ＣＮ及び−Ｎ＝Ｎ−Ｒ１７から成る群か
ら選択され、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは、そ
れぞれ独立に０〜８の整数を表し、置換基Ｘの個数を表
し、Ｙ１　及びＹ２　はそれぞれ独立に−Ｒ１８、−Ｏ
Ｒ１９又は−ＯＳｉ　Ｒ２０Ｒ２１Ｒ２２を表し、Ｒ１
　〜Ｒ２２は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基
、アリール基又はパーフルオロアルキル基を表す。〕で
示される化合物を少なくとも１種含有する記録層が形成
されていることを特徴とする光学記録媒体に関する。

【００１２】前記一般式（Ｉ）において、Ｙ１　及びＹ
２　の具体例としては、アリールオキシ基としてはフェ
ノキシ基、トリルオキシ基、アニシルオキシ基等があり
、アルコキシ基としてはアミロキシ基、ヘキシロキシ基
、オクチロキシ基、デシロキシ基、ドデシロキシ基、テ
トラデシロキシ基、ヘキサデシロキシ基、オクタデシロ
キシ基、エイコシロキシ基、ドコシロキシ基等があり、
トリアルキルシロキシ基としてはトリメチルシロキシ基
、トリエチルシロキシ基、トリプロピルシロキシ基、ト
リブチルシロキシ基、トリヘキシルシロキシ基、トリベ
ンジルシロキシ基、トリシクロヘキシルシロキシ基、ジ
メチルｔ−ブチルシロキシ基、ジメチルオクチルシロキ
シ基、ジメチルオクタデシルシロキシ基、ジメチルシク
ロヘキシルシロキシ基、ジメチルシクロペンチルシロキ
シ基、ジエチルシクロヘキシルシロキシ基、ジエチルシ
クロペンチルシロキシ基、ジプロピルシクロヘキシルシ
ロキシ基、ジプロピルシクロペンチルシロキシ基、ジブ
チルシクロヘキシルシロキシ基、ジブチルシクロペンチ
ルシロキシ基、ジシクロヘキシルメチルシロキシ基、ジ
シクロヘキシルエチルシロキシ基、ジシクロヘキシルプ
ロピルシロキシ基、ジシクロヘキシルブチルシロキシ基
、ジシクロペンチルメチルシロキシ基、ジシクロペンチ
ルエチルシロキシ基、ジシクロペンチルプロピルシロキ
シ基、ジシクロペンチルブチルシロキシ基、ジメチルフ
ェニルシロキシ基、ジメチルメトキシシロキシ基、ジメ
チルオクトキシシロキシ基、ジメチルフェノキシシロキ
シ基、

【化７】 等があり、トリアリールシロキシ基としてはトリフェニ
ルシロキシ基、トリアニシルシロキシ基、トリトリルシ
ロキシ基等があり、トリアルコキシシロキシ基としては
トリメトキシシロキシ基、トリエトキシシロキシ基、ト
リプロポキシシロキシ基、トリブトキシシロキシ基等が
あり、トリアリールオキシシロキシ基としてはトリフェ
ノキシシロキシ基、トリアニシロキシシロキシ基、トリ
トリルオキシシロキシ基等がある。

【００１３】前記一般式（Ｉ）中のＡ１　〜Ａ８　で表
される芳香環に結合した有機置換基ＸにおけるＲ１　〜
Ｒ１７で示されるアルキル基としては、例えば、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｓｅｃ　−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ア
ミル基、ｔ−アミル基、２−アミル基、３−アミル基、
ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基
、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシ
ル基、オクタデシル基、エイコシル基、ドコシル基等が
あり、シクロアルキル基としては、例えば、シクロプロ
ピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘ
キシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、２−
メチルシクロペンチル基、３−メチルシクロペンチル基
、４−メチルシクロヘキシル基、

【化８】 １，１−ジシクロヘキシルメチル基、１，１−ジシクロ
ペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロプ
ロピルメチル基、２−シクロヘキシルエチル基、２−シ
クロペンチルエチル基、２−シクロヘキシルプロピル基
、３−シクロヘキシルプロピル基等がある。

【００１４】Ｒ１　〜Ｒ２２で示されるアリール基とし
ては、例えば、フェニル基、トリル基、ハロフェニル基
、ナフチル基等があり、パーフルオロアルキル基として
は、例えば、−ＣＦ３　、−Ｃ２　Ｆ５　、−Ｃ３　Ｆ
７　、−ｎ−Ｃ４　Ｆ９　、−ｔ−Ｃ４　Ｆ９　、−Ｃ
５　Ｆ１１、−Ｃ６　Ｆ１３、−Ｃ７　Ｆ１５等がある
。

【００１５】前記一般式（Ｉ）においてＡ１　〜Ａ８　
で表される芳香環は、記録膜が示す吸収及び反射の波長
を調整する役割を果たし、Ａ１　〜Ａ４　の芳香環とし
てＡ５　〜Ａ８　の芳香環とは異なる芳香環を選択する
ことにより任意の二つの波長に対して優れた吸収及び反
射を有する記録膜を形成することが可能となる。

【００１６】前記一般式（Ｉ）において、Ｙ１　及びＹ
２　並びに置換基Ｘ中のアルキル基の長さは、一般式（
Ｉ）で表される化合物を有機溶媒に溶解するときの溶解
度だけでなく、この化合物の融点、さらにはこの化合物
を有機溶媒に溶かし、その溶液をガラス板などの適当な
基板上にスピンコートして形成した非晶質膜のスペクト
ル（吸光スペクトル、透過スペクトル及び反射スペクト
ル）に大きな影響を及ぼし、充分な反射率を得るために
はＹ１　及びＹ２　は必要不可欠である。特に、中心金
属Ｍに結合した置換基Ｙ１　及びＹ２　のアルキル基の
長さは、スピンコート膜のスペクトルを微小調節できる
。したがって、使用するレーザーの発振波長に合わせて
Ｙ１　及びＹ２　のアルキル鎖長を変化させることがで
きる。

【００１７】一方、Ａ１　〜Ａ８　で表される芳香環に
結合した有機置換基Ｘ中のアルキル鎖長は、前述のＹ１
　及びＹ２　のアルキル鎖長を変化させたときのこの化
合物の有機溶媒に対する溶解度及び融点を調節する機能
を有する。

【００１８】本発明に用いる一般式（Ｉ）で示される化
合物は、特定の方法に限らず、様々な方法で製造するこ
とができ、例えば、公知の方法で合成された一般式（Ｉ
Ｉ）

【化９】 〔式中、Ａ１　〜Ａ４　、Ｍ、Ｘ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、ｋ
、ｌ、ｍ及びｎは前記のものを表し、Ｚ１　及びＺ２　
はそれぞれ独立にハロゲン原子又はＯＨ基を示す〕で表
される化合物同士を縮合させ、得られた一般式（ＩＩＩ
）

【化１０】 〔式中、Ａ１　〜Ａ４　、Ｍ、Ｘ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、ｋ
、ｌ、ｍ、ｎ、Ｚ１　及びＺ２　　は前記のものを表す
〕で示される化合物を従来公知の方法により一般式（Ｉ
Ｖ）　　　　　　Ｒ２０Ｒ２１Ｒ２２ＳｉＣｌ　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　（ＩＶ） 〔式中、Ｒ２０、Ｒ２１及びＲ２２は前記のものを表す
〕で示されるクロロシラン、一般式（Ｖ） Ｒ２０Ｒ２１Ｒ２２ＳｉＯＨ 〔式中、Ｒ２０、Ｒ２１及びＲ２２は前記のものを表す
〕で示されるシラノール又は一般式（ＶＩ） 　　　　　　Ｒ１９ＯＨ　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　（ＶＩ） 〔式中、Ｒ１９は前記のものを表す〕で示されるアルコ
ールと反応させることにより得ることができる。

【００１９】また、一般式（Ｉ）の化合物は、他の方法
として、従来公知の方法により合成された一般式（ＶＩ
Ｉ）

【化１１】 〔式中、Ａ１　〜Ａ４　、Ｍ、Ｘ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、ｋ
、ｌ、ｍ、ｎ、Ｙ１　及びＹ２　は前記のものを表す〕
で示される化合物同士を縮合させることによって製造す
ることができる。

【００２０】前記の一般式（ＩＩＩ）で示される化合物
は、上記縮合による方法の他に、公知の方法により合成
可能な一般式（ＶＩＩＩ）

【化１２】 〔式中、Ａ１　、Ｘ及びｇは前記のものを表す〕で示さ
れる化合物と一般式（ＩＸ） Ｚ３Ｍ−Ｏ−ＭＺ３　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　（ＩＸ）〔式中、Ｍは前記のものを
表し、Ｚ３　はハロゲン原子を表す〕で示される化合物
と反応させることにより合成することができる。

【００２１】一般式（Ｉ）で示される化合物としては、
表１〜表７に示すようなものが挙げられるが、これらに
限定されるものではない。

【００２２】なお、表１〜表７中のＡ１　〜Ａ８　の欄
中に記載された数字は、芳香環の種類を表し、それぞれ
下記の芳香環を表す。

【化１３】

【００２３】

【表１】

【００２４】

【表２】

【００２５】

【表３】

【００２６】

【表４】

【００２７】

【表５】

【００２８】

【表６】

【００２９】

【表７】

【００３０】本発明に係る光学記録媒体は、基板上に本
発明の一般式（Ｉ）で示される化合物を少なくとも１種
含有する記録層を設けたものであるが、必要に応じてさ
らに下地層、保護層、反射層などの他の層を設けること
ができる。

【００３１】使用される基板材料は、この分野で公知の
任意のものであってよく、使用されるレーザー光に対し
て透明又は不透明のいずれでもよい。しかし、基板側か
らレーザー光で書き込み、読み出しを行う場合は、その
レーザー光に対して透明でなければならない。一方、基
板と反対側、すなわち記録層側から書き込み、読み出し
を行う場合は、使用するレーザー光に対して透明である
必要はない。基板材料としては、ガラス、石英、マイカ
、セラミックス、板状又は箔状の金属などの無機材料の
他、紙、ポリカーボネート、ポリエステル、酢酸セルロ
ース、ニトロセルロース、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニリデン共重合体、ポリア
ミド、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート及びメ
チルメタクリレート共重合体等の有機高分子材料の板が
挙げられるが、これらに限定されるものではない。記録
時に熱損失が少なく、感度を上げるという意味で低熱伝
導率の有機高分子からなる支持体が好ましく、基板には
必要に応じて凹凸で形成される案内溝を設けることもで
きる。

【００３２】本発明の光学記録媒体のうち、前記一般式
（Ｉ）においてＭがＳｉ　又はＧｅ　である化合物を主
成分とする記録層が形成されている光学記録媒体が好ま
しい。

【００３３】また、前記一般式（Ｉ）においてＹ１　及
びＹ２　がトリアルキルシロキシ基である化合物を主成
分とする記録層が形成されている光学記録媒体が好まし
い。

【００３４】また、前記一般式（Ｉ）においてＡ１　〜
Ａ８　で表される環が

【化１４】 で表される芳香環からなる群から選択される環である化
合物を主成分とする記録層が形成されている光学記録媒
体が好ましい。

【００３５】本発明の光学記録媒体において、一般式（
Ｉ）で示される化合物を含有する記録層を基板上に形成
する方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリン
グ法、イオンプレーティング法などがあるが、これらの
方法は操作が煩雑であり、かつ生産性の点で劣るので、
いわゆる塗布による方法が最も好ましい。このような塗
布方法としては、スプレー、ローラーコーティング、ス
ピンコーティング、ディッピング等がある。塗布に使用
する有機溶媒としては、一般式（Ｉ）で示される化合物
を溶解する前記芳香族系、ハロゲン系、エーテル系、ケ
トン系、飽和炭化水素系及び脂環式炭化水素系などの溶
媒の中から選択され、単一でも混合された溶媒でもよい
。ただし、使用する基板を侵さない溶媒を用いるのが好
ましい。

【００３６】なお、記録層形成時に、必要に応じてポリ
マーバインダー等の結着剤、安定剤などを添加すること
もできる。ポリマーバインダーとしては、ポリイミド樹
脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂
、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、アクリル樹脂、ポリイ
ソプレン、ポリブタジエン、ポリビニルブチラール、ポ
リエステルなどを挙げることができるが、これらに限定
されない。

【００３７】上記のような記録層材料は、単独であるい
は１種以上の組合せで用いられ、２種以上の組合せの場
合は、積層構造でも、混合された単一層構造でもよい。 記録層の膜厚は、５０〜１００００Åの範囲が好ましく
、特に１００〜５０００Åの範囲が好ましい。

【００３８】また、記録された情報を光学的に再生する
時、反射光を利用することが多い。この場合にコントラ
ストを高める有効な方法として、基板側から書き込み、
読み出しを行う場合は、基板と反対側の記録層の表面に
、高い反射率を示す金属層を設けることもでき、基板と
反対側、すなわち記録層側から書き込み、読み出しを行
う場合は、基板と記録層の間に高い反射率を示す金属層
を設けることもできる。この高反射率の金属としては、
Ａｌ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎなどが用いられる。これ
らの膜は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ蒸着な
どの公知の薄膜形成技術で形成することができ、その膜
厚は１００〜１００００Åの範囲で選定される。

【００３９】また、基板自身の表面平滑性が問題になる
ときは、基板上に有機高分子化合物の均一な膜を設ける
とよい。有機高分子化合物としては、ポリエステル、ポ
リ塩化ビニルなどの市販のポリマーが適用可能である。

【００４０】さらに、最外層に保護層を設け、これによ
り安定性及び保護性を向上させるとともに表面反射率の
低減による感度増加を目的とする層を設けることもでき
る。このような保護層に用いられる材料としては、ポリ
塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン
とアクリロニトリル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリイ
ミド、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ
イソプレン、ポリブタジエン、ポリウレタン、ポリビニ
ルブチラール、フッ素樹脂、ポリエステル、エポキシ樹
脂、シリコーン樹脂、酢酸セルロースなどがある。これ
らは、単独で又はブレンドとして用いられる。保護層に
シリコーンオイル、帯電防止剤、架橋剤などを存在させ
ることは、膜性能の強化の点で好ましい。また、保護層
は２層に重ねることもできる。上述した保護層用の材料
は、適当な溶媒に溶解して塗布するか、薄いフィルムと
してラミネートする方法が適用可能である。このような
保護層の膜厚は、０．１〜１０μｍとされるが、０．２
〜２μｍとされることが好ましい。

【００４１】

【実施例】次に、本発明を実施例によりさらに具体的に
説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもので
はない。

【００４２】合成例１：表２の化合物　Ｎｏ．１４の合
成キノリン１００ｍｌにデシルチオ−１，３−ジイミノ
ベンゾイソインドリン５ｇ及び四塩化珪素１０ｍｌを加
え、１８０〜２００℃で３時間加熱攪拌した後、７０℃
まで冷却した。反応液中に水１０ｍｌを徐々に加え、２
００℃で１時間加熱攪拌した後、１８０℃まで放冷した
。反応液中にトリエチルシラノール５ｍｌを加え、１８
０℃で２時間加熱攪拌した後、冷却し、メタノール２０
０ｍｌを加え、析出した固体を濾取した。得られた固体
をエタノールで充分洗浄した後、減圧乾燥して得られた
結晶をシリカゲルフラッシュカラムクロマトグラフィー
を用いて精製することにより濃緑色結晶１．１ｇを得た
。

【００４３】得られた結晶は、下記の元素分析の結果か
ら、化合物　Ｎｏ．１４（但し、置換基Ｘの個数は各々
１個）であることが確認された。 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｃ　　
　　　　　　　　Ｈ　　　　　　　　　　Ｎ　　　　　
　　　　　Ｓ　　計算値（％）　　　　７１．９４　　
　　　　７．６４　　　　　　７．１４　　　　　　８
．１７　　分析値（％）　　　　７１．７２　　　　　
　７．８１　　　　　　７．１０　　　　　　８．０５

【００４４】合成例２：表７の化合物　Ｎｏ．４４の合
成キノリン１００ｍｌにトリメチルシリル−１，３−ジ
イミノベンゾイソインドリン５ｇ及び四塩化珪素１０ｍ
ｌを加え、１８０〜２００℃で３時間加熱攪拌した後、
７０℃まで冷却した。反応液中に水１０ｍｌを徐々に加
え、２００℃で１時間加熱攪拌した後、１５０℃まで放
冷した。 次に、反応液中にトリ（ｎ−ヘキシル）クロロシラン５
ｍｌを加え、１５０℃で１時間加熱攪拌した後、冷却し
た。次に、合成例１と同様の操作で精製を行い、濃緑色
結晶９７０ｍｇを得た。

【００４５】この結晶は、下記の元素分析の結果から、
化合物　Ｎｏ．４４（但し、置換基Ｘの個数は各々１個
）であることが確認された。

【００４６】合成例３：表２の化合物　Ｎｏ．１０の合
成尿素２０ｇに２，３−ジシアノピラジン５ｇ、モリブ
デン酸アンモニウム８０ｍｇ及び四塩化珪素１０ｍｌを
加え、２３０〜２４０℃で約３時間反応させた。放冷後
、固化した反応混合物にキノリン５０ｍｌ及び水５ｍｌ
を加え、約３時間還流し、１５０℃まで放冷した後、ト
リ（ｎ−ヘキシル）クロロシラン５ｍｌを加え、１５０
℃で１時間反応させた。放冷後、合成例１と同様な精製
を行い、濃青色結晶７４０ｍｇを得た。

【００４７】この結晶は、下記の元素分析の結果から、
化合物　Ｎｏ．１０であることが確認された。 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｃ　　
　　　　　　　　Ｈ　　　　　　　　　　Ｎ　　計算値
（％）　　　　５９．４９　　　　　　４．６４　　　
　　　２６．４３　　分析値（％）　　　　５９．２１
　　　　　　４．８２　　　　　　２６．３８

【００４
８】合成例４：表１の化合物　Ｎｏ．１の合成無水キノ
リン５０ｍｌにジクロロシリコンフタロシアニン４．２
ｇ（６．８７ミリモル）及びジヒドロキシシリコンナフ
タロシアニン５．４ｇ（　６．８７ミリモル）を加え、
３時間還流した。１５０℃まで冷却した後、トリ（ｎ−
ヘキシル）クロロシラン５ｍｌを加え、１５０℃で１時
間加熱攪拌した。放冷後、メタノール２００ｍｌを加え
、析出した固体を濾取した。合成例１と同様な精製を行
うことにより青緑色結晶　１．２ｇを得た。

【００４９】この結晶は、下記の元素分析の結果から、
化合物　Ｎｏ．１であることが確認された。 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｃ　　
　　　　　　　　Ｈ　　　　　　　　　　Ｎ　　計算値
（％）　　　　７３．７７　　　　　　５．８７　　　
　　　１１．８７　　分析値（％）　　　　７３．４９
　　　　　　５．９８　　　　　　１１．７７

【００５
０】合成例５：表７の化合物　Ｎｏ．４７の合成無水キ
ノリン５０ｍｌ中にテトラ（トリメチルシリル）ジクロ
ロシリコンナフタロシアニン５．０ｇ（　４．５４ミリ
モル）及びジヒドロキシシリコンピラゾシアニン２．６
４ｇ（　４．５４ミリモル）を加え、３時間還流した。 １５０℃まで冷却した後、トリ（ｎ−ヘキシル）クロロ
シラン５ｍｌを加え、１５０℃で１時間加熱攪拌した。 放冷後、メタノール２００ｍｌを加え、析出した固体を
濾取した。合成例１と同様な精製を行うことにより青緑
色結晶　１．１ｇを得た。

【００５１】この結晶は、下記の元素分析の結果から、
化合物　Ｎｏ．４７（但し、置換基Ｘの個数は各々１個
）であることが確認された。 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｃ　　
　　　　　　　　Ｈ　　　　　　　　　　Ｎ　　計算値
（％）　　　　６５．７２　　　　　　６．５３　　　
　　　１５．３３　　分析値（％）　　　　６５．５８
　　　　　　６．７１　　　　　　１５．２９

【００５
２】実施例１〜４２ 厚さ　１．２　ｍｍ　、直径１３０ｍｍのポリメチルメ
タクリレート２Ｐ基板上に、表２に示した化合物を有機
溶媒に溶解した溶液をスピンコート法で塗布し、約８０
℃で１５分間乾燥して記録層を形成した。この記録層の
厚さは、ＤＥＮＴＡＫ　３０３０　（Ｓｌｏａｎ社製）
を用いて測定した。

【００５３】このようにして作製した光学記録媒体を記
録層を上にしてターンテーブルに載せ、１８００ｒｐｍ
　の速度で回転させながら、アルゴンイオンレーザー、
色素レーザーなどを組み合わせて種々の発振波長に調整
したレーザー光を光学ヘッドを介して光学記録媒体の下
側、つまり基板側からレーザービームがポリメチルメタ
クリレート基板を通して記録層に集光するように制御し
ながら、中心から半径４０〜６０ｍｍの間で２ＭＨｚ　
のパルス記号の記録を行った。次に、同じ装置を用いて
出力を弱めてレーザー光（　０．５ｍＷ）により記録し
た信号の再生を行い、そのときのキャリヤー／ノイズ（
Ｃ／Ｎ）を測定した。

【００５４】次に、再生光に対する安定性を評価するた
めに、記録時に用いたレーザーの出力を０．５ｍＷにし
て、１０６　回再生後のＣ／Ｎを測定した。次に、光学
記録媒体の耐環境性を評価するために、６５℃、相対湿
度９０％で３０００時間経過後のＣ／Ｎを測定した。こ
れらの結果をまとめて表８〜表１１に示す。使用した化
合物は、置換基Ｘを有するときその置換基の個数（ｇ，
ｈ，ｉ，ｊ，ｋ，ｌ，ｍ及びｎ）は各々１個である。ま
た、使用した化合物はすべて４０％以上の極大反射率を
示した。

【００５５】

【表８】

【００５６】

【表９】

【００５７】

【表１０】

【００５８】

【表１１】

【００５９】比較例１〜６ シアニン系色素（日本感光色素研究所製）を用いた光学
記録媒体を作製し、実施例１〜４２と同様にして記録再
生性能、再生レーザー光に対する安定性及び耐環境性を
評価した。これらの結果をまとめて表１２に示す。

【００６０】

【表１２】

【００６１】なお、表１２において化合物名の欄に示し
た記号は、下記の構造式を有する化合物を示す。 ＮＫ−２９０５

【化１５】 ＮＫ−１８０５

【化１６】 ＮＫ−１７５７

【化１７】 ＮＫ−１７６０

【化１８】 ＮＫ−１８４１

【化１９】 ＮＫ−２０２９

【化２０】

【００６２】比較例７及び８ 特開平１−１７１９８７号公報に記載の実施例にしたが
って下記構造式（ａ）及び（ｂ）の化合物を合成し、本
発明の実施例１〜４２と同様にして光学記録媒体を作成
し、記録再生性能・再生レーザー光に対する安定性及び
耐環境性を評価し、結果を表１３に示す。なお、これら
の化合物から成る記録層の反射率は３０％未満であった
。

【００６３】

【化２１】

【化２２】

【００６４】

【表１３】

【００６５】実施例１〜４２から明らかなように、本発
明の光学記録媒体は、一般式（Ｉ）中のＡ１　〜Ａ８　
を種々選択することにより、８００ｎｍ以下の波長領域
で任意の一つ又は二つの波長で優れた吸収及び反射を示
すように設定することが可能であり、優れた記録感度、
再生レーザー耐性及び耐久性を示した。

【００６６】

【発明の効果】本発明によれば、８００ｎｍ以下の複数
の波長で高感度な記録再生が可能で、耐久性に優れた光
学記録媒体が得られる。また、本発明の光学記録媒体は
、塗布法によって容易に大量生産することができる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　基板上に、一般式（Ｉ）【化１】 〔式中、Ｍは、Ｓｉ　、Ｇｅ　又はＳｎ　を表し、環Ａ
   １　〜Ａ８　はそれぞれ独立にベンゼン環、ナフタレン
   環、アントラセン環、 【化２】 【化３】 を表し、置換基Ｘはそれぞれ独立にハロゲン原子、−Ｒ
   １　、−ＯＲ２　、−ＳＲ３、−Ｓｉ　Ｒ４　Ｒ５　Ｒ
   ６　、−ＳＯ２　ＮＲ７　Ｒ８　、−ＳＯ２　Ｒ９　、
   −ＣＯＲ１０、−ＣＯＯＲ１１、−ＣＯＮＨＲ１２、−
   ＮＲ１３Ｒ１４、−Ｒ１５−ＯＲ１６、−ＮＯ２　、−
   ＳＯ３　Ｈ、−ＣＮ及び−Ｎ＝Ｎ−Ｒ１７から成る群か
   ら選択され、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは、そ
   れぞれ独立に０〜８の整数を表し、置換基Ｘの個数を表
   し、Ｙ１　及びＹ２　はそれぞれ独立に−Ｒ１８、−Ｏ
   Ｒ１９又は−ＯＳｉ　Ｒ２０Ｒ２１Ｒ２２を表し、Ｒ１
   　〜Ｒ２２は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基
   、アリール基又はパーフルオロアルキル基を表す。〕で
   示される化合物を少なくとも１種含有する記録層が形成
   されていることを特徴とする光学記録媒体。