JPH01130983A

JPH01130983A - 光学記録媒体

Info

Publication number: JPH01130983A
Application number: JP62291221A
Authority: JP
Inventors: Mare Sakamoto; 希坂本; Shuji Miyazaki; 修次宮崎; Yasumasa Suda; 康政須田; Takeshi Sato; 威佐藤
Original assignee: Toyo Ink Mfg Co Ltd
Current assignee: Toyo Ink SC Holdings Co Ltd
Priority date: 1987-11-18
Filing date: 1987-11-18
Publication date: 1989-05-23
Anticipated expiration: 2011-10-23
Also published as: JP2545558B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は、レーザー光線によって情報を書き込んだり、
読取ったりすることが可能な光学記録媒体に関するもの
である。

（従来の技術）従来、レーザー光線を用いて情報を記録する媒体には種
々のものがあるが、その一つにレーザー光線を基板上の
記録層に照射することによって、照射部分を局部的に加
熱し、融解、蒸発または分解等の物理的変化を起させ情
報を記録するものがある。

これまで基板上の記録層として、Ａｓ、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｔ
ｉ等の金属や合金の薄膜層が使用されてきた。

このような記録層を有する光学記録媒体は、一般に比較
的書き込み感度が高く９また記録再生の光学系が小型に
できる半導体レーザーにも適用することができるが、熱
伝導率が大きい９反射率が小さい等の理由で記録時にレ
ーザー光線のエネルギーを効率よく利用できず、高速走
査で記録するには大出力のレーザー光線が必要となる場
合がある。また、これらの記録層は化学的に不安定であ
り、空気中で劣化されることがある。

この様なことから、近年比較的長波長（例えば７８００
ｍ以上）のレーザー光線を用いて、基板上の有機薄膜層
に情報を書き込んだり読み取ったりする光記録媒体の研
究がなされている。

この様な有機薄膜層は、半導体レーザーを用いて融解、
蒸発または分解等によって容易に小さな凹部（ピット）
を形成できる利点を持っている。

有機薄膜層を基板の上に形成させ、レーザー光線を用い
て情報を記録、再生する光ディスクとして特開昭５７−
８２０９３．特開昭５８−５６８９２゜特開昭６０−８
９８４２．特開昭６（１−１５０２４３等の各号公報が
すでに公知である。しかしながら。

半導体レーザー光線に対して吸収係数が大きい、記録感
度の高い光記録媒体として完全に満足できるものは開発
されていないのが実情である。

（発明が解決しようとする問題点）本発明は、化学的、物理的に安定でレーザー光線で高感
度で記録再生できる安価な特定のフタロシアニン系化合
物を用いた光記録媒体を提供するものである。

〔発明の構成〕

（問題を解決するための手段）本発明者等は鋭意研究を行った結果、基板上に特定の構
造を有するフタロシアニン系化合物を含有する記録層を
有する光記録媒体が優れた種々の特性を有することを見
出し１本発明を完成するに到った。

即ち本発明は基板上に下記一般式〔Ｉ〕で示される特定
のフタロシアニン系化合物の少なくとも一種以上を含有
する記録層を形成させることを特徴とす（Ｘ４）ｎ式中、ＡＩ＋　ＡＸ、　　Ａ３＋　Ａ、は、それぞれ独
立にベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環または
下記式で示される含窒素複素環を表す。

但し、Ａ、、Ａ、、Ａ、またはＡ４のうち１〜３つは上
記含窒素複素環のうちの１つである。

ｘｌ、Ｘ２．Ｘ３＋　　Ｘ４は、それぞれ独立に、水素
原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボン酸
基、スルホン酸基、置換もしくは未置換の脂肪族炭化水
素基、置換もしくは未置換の芳香族炭化−〜＝ＮＲ＋＋
（ここで、Ｒ１ないしＲ１１は水素原子、置換もしくは
未置換の脂肪族炭化水素基または置換もしくは未置換の
芳香族複素環基を表す。）Ｍは水素原子、またはハロゲ
ン、酸素原子を有してもよい金属原子または（ＯＲ１□
）ｐ、　　（ＯＳ　ｉ　Ｒ＋ｆｆＲＩ４ＲＩＳ）ｑを有
してもよい金属原子を表す。（ここでＲ１□＋　Ｒ＋３
＋　ＲＩ４１　ＲＩＳはＲｏないしＲ１＋と同様。

ｐ、ｑはＯないし２の整数を表す。）ｋ、　　ｉｔ、　ｍおよびｎはそれぞれ独立に０ないし
４の整数を表す。

更に置換基について説明するとＸｌ＋　Ｘｚ、　Ｘ３Ｘ
４は水素原子または塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等
のハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボン酸基、
スルホン酸基またはメチル基、エチル基。

ｔ−ブチル基、ｎ−ステアリル基、トリクロルメチル基
、アミノメチル基、ヒドロキシメチル基等の置換もしく
は未置換の脂肪族炭化水素基、フェニル基。

ナフチル基、アントリル基、２−メチルフェニル基。

４−クロルメチル基、４−ジメチルアミノナフチル基等
の置換もしくは未置換の脂肪族炭化水素基、またはピリ
ジル基、カルバゾリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチ
アゾリル基、４−メチルピリジル基等の置換もしくは未
置換の芳香族複素環基、メトキシ基、エトキシ基、ステ
アリルオキシ基、フェノキシ基、ヘキシルチオ基、ｔ−
ブチルチオ基、フェニルチオ基、アミノ基、ｎ−ブチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジ
ベンジルアミノ基、　−Ｓ　０ｚＮ５ＨＩ′ＣａＨｑ、
Ｓ○２Ｎ　（ＣＨない。

Ｍは＋　　Ｈ＋　Ｎａ、Ｌ　ｉ＋　　Ｃｕ、Ｆ　ｅ、Ｃ
Ｏ，Ｎ　ｉ。

Ｚｎ、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ａｊ！−Ｃｊ！、Ｉｎ
−Ｃ１１，Ｔｉ＝Ｏ，Ｖ＝Ｏ，５ｔ−（−ＯＣｚＨｓ）
ｚ。

ＡＡ−０”ＣｓＨ＋＋、Ｓ　ｉ−＋Ｏ３ｉ　　（ＣＨ，
）ｌ）ｚ等を表すが、これらに限定されるものではない
。

ｋ、　　ＩＩ、　ｍおよびｎはそれぞれ独立にＯないし
４の整数を表すが好ましくは工ないし２である。

上記−最大（１〕で表されるフタロシアニン系化合物は
、可視から近赤外領域に大きな吸収を有し。

レーザー光線による記録再生に好適である。

本発明で使用する上記−最大ＣＩ）で表されるフタロシ
アニン系化合物は、一般には下記−最大〔■〕および（
Ｉ［［”）で示されるニトリル類を適当なモル比で混合
し、各種金属塩（無金属フタロシアニン系化合物の場合
は使用しない。）とを好ましくは有機溶媒中で加熱、す
ることにより製造することができる。

ントラセン環を表し、Ｘｉは一般式（Ｉ）中のＸ、。

Ｘｚ、ＸｓまたはＸ４と同様である。ｒはＯないし４の
整数を表す。

式中、Ａ、は下記式で示される含窒素複素環を表す。

これらのフタロシアニン系化合物の製造にはアルコール
類、グリコール類、キシレン、キノリン、α−クロルナ
フタレン、ニトロベンゼン、スルホラン。

Ｎ−Ｎジメチルホルムアミド等の一般の有機溶媒を広く
使用することができるが、無溶媒でも得られる。

また、触媒としてアルカリやジアザビシクロウンデセン
（ＤＢＵ）、　　シクロヘキシルアミン等の有機アミン
を使用した方が好ましい場合がある。

また、原料となる金属塩は種々の金属塩が使用できる。

本発明で使用する一般式（１）で表されるフタロシアニ
ン系化合物の代表例を更に具体的に数表に示＋Ｘ＋）ｍ
、：Ａ洞Ｘａ）ｎは一般式（１）中のも本発明において
、記録層を設ける基板材料としては２ガラス、プラスチ
ック、紙、金属板等種々の材料を使用することができる
。

プラスチックとしては、塩化ビニル樹脂２．アクリル酸
樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂。

ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂
、メタクリル酸樹脂、酢酸ビニル樹脂、ニトロセルロー
ス、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレンテレフタレート
樹脂、フェノール樹脂、およびこれらの共重合体などが
あげられる。

本発明の特定のナフタロシアニン化合物を含有する記録
層を基板上に形成する方法としては、真空蒸着法、スパ
ッタリング法、イオンプレート法、キャスト法、スピナ
ー法、スプレーコート法、ブレードコーティング法、Ｌ
Ｂ法等の化学的１機械的方法がある。

本発明ではスピナー法が最も好ましい。また必要に応じ
て高分子バインダーと混合することもできる。

高分子バインダーとしては、上記基板材料に使用するプ
ラスチック類を使用することができる。

スピナー法で塗工する場合には、フタロシアニン化合物
をアルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類
、エーテル類、エステル類、脂肪族ハロゲン化炭化水素
類、芳香族炭化水素類等の一般の有機溶媒に分散または
溶解して塗布する。この時場合によっては高分子バイン
ダーを加える。基板上に形成するナフタロシアニンを含
む記録層を、１０μｍ以下で、好ましくは５００人〜２
μｍ以下である。

塗布した後、クロロホルム、テトラヒドロフラン。

トルエン等の有機溶媒の蒸気にさらすことによって。

薄膜の吸収波長を長波長にシフトして、レーザー光に対
する感度を著しく向上することができる場合もある。

また、これらの記録層を保護するために、　　ＡＪ、０
３＋　ＳｉＯ□ＨＳｔＯ＋　Ｓｎｕｇ等の無機化合物を
蒸着して保護層を設けてもよい。保護層として基板材料
に用いるポリマーを塗布してもよい。

本発明で得られる光記録媒体は、Ｈｅ−Ｎｅレーザー光
線は勿論、ルビー、　Ａｒ、半導体レーザー光線等の各
種レーザー光線によって書込み、読み出しの記録再生が
できる。

次に９本発明を実施例により、更に具体的に説明するが
９本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。

例中部は重量部である。

（実　施　例）〔合成例１　化合物阻１の合成〕ニトロベンゼン３５重量部に上式で示されるニトリル（
ＩＶ）２．３部、　　（Ｖ）１．３部、塩化第一銅０．
５部を加え１８０〜２００℃で６時間加熱、攪拌後。

冷却、メタノール５００部で希釈１．生成物を０別し。

メタノールで洗浄後乾燥して化合物阻１粗製物２．４部
が得られる。粗製物をアルミナカラムで分離精製して化
合物磁１精製物１．２部が得られる。

ｎ−アミルアルコール９０部に上式で示されるニトリル
（Ｖｆ）３．６部、　（■）２．５部、三塩化バナジウ
ム０．８部、ＤＢＵ３．０部を加え８時間還流した後。

冷却、メタノール５００部で希釈、生成物を０別し。

メタノールで洗浄、乾燥すると化合物隘６粗製物４゜４
部が得られる。粗製物をアルミナカラムで分離精製して
化合物隘６精製物２．９部が得られる。

〔合成例３　化合物１１ｈ２の合成〕合成例２において、ニトリル（ＩＶ）、（■）をそれぞ
れ上式で示されるニトリル（■）２．９部、　（ＩＸ）
１．３部に変え、同様に合成すると化合物階２粗製物３
．０部が得られる。粗製物をアルミナカラムで分離精製
して化合物階２精製物１．６部が得ら一翁、る。

〔合成例４　化合物患９の合成〕２．９部、（ＸＩ）２．０部、塩化ニラ’ｙ−ル０．７
部を加え１８０℃で６時間加熱、攪拌した後、冷却、メ
タノール５００部で希釈、生成物を０別し、メタノール
で洗浄、乾燥すると化合物磁９粗製物４．１部が得られ
る。粗製物をアルミナカラムで分離精製すると化合物Ｎ
ｃＬ９精製物２．５部が得られる。

実施例１メチルセロソルブ１００部に化合物患１３重量部を溶解
し、この溶液をポリカーボネート樹脂基板上に５０Ｏｒ
ｐｍスピナーコーティング法で塗布した後、９０〜１０
０℃で１時間乾燥して約７００人の記録層を得た。

この様にして制作した光学記録媒体をターンテーブルに
取りつけターンテーブルを１６０Ｏｒｐｍで回転しなが
ら、スポットサイズ０．６μに集束した５ｍＷおよび８
ＭＨｚのガリウムーアルミニウムーヒ素半導体レーザー
光線（８３０ｎｍ）を記録層にトラック状に照射して記
録を行った。記録を完了した記録層は、鮮明なピントが
電子顕微鏡で観察された。

またこの光記録媒体を低出力ガリウムーアルミニウムー
ヒ素半導体レーザー光線を入射し１反射光の検知を行っ
たところ実用に十分なＳ／Ｎ比を有する波形を示した。

実施例２市販のニトロセルロース樹脂３重量部をメチルエチルケ
トン１０重量部に溶解し、化合物Ｔｈ６　５．０重量部
、およびエチルセロソルブ２００重（ＩＢを上記の樹脂
溶液と混合、溶解した。この溶液をパイレックス基板上
に５０Ｏｒｐｍスピナーコーティング法により塗布し、
１２０℃の温度で２時間乾燥し。

約８００人の記録層を得た。

この様にして制作した光学記録媒体を実施例１と同様に
記録を行ったところ、この記録層は鮮明なピントが電子
顕微鏡で観察され、また、実施例１と同様な入射レーザ
ー光線の反射光の検知を行ったところ実用に十分なＳ／
Ｎ比を有する波形を示した。

実施例３真空度１０−７Ｔｏ　ｒ　ｒで、厚さ１ｍｍのアクリル
基板上に基板温度を室温にし、化合物Ｎ１１２を蒸着し
膜厚を６００人とした。

この様にして制作した光記録媒体を実施例１と同様に記
録を行ったところ、この記録層は鮮明なピットが電子顕
微鏡で観察され、また、実施例１と同様な入射レーザー
光線の反射光の検知を行ったところ実用に十分なＳ／Ｎ
比を有する波形を示した。

実施例４エチルセロソルブ１００重量部に化合物Ｎａ９　３重量
部を溶解し、この溶液をポリカーボネート樹脂基板上に
ｓｏｏｒｐｍスピナーコーティング法で塗布した後、１
００〜１１０℃で２時間乾燥して約７００人の記録層を
得た。実施例１と同様に記録を行ったところ鮮明なピン
トが電子顕微鏡で観察され。

実用に十分なＳ／Ｎ比が得られた。

〔発明の効果〕

本発明は以上のような構成によりなり、化学的。

物理的に安定でレーザー光線で高感度で記録再生できる
特徴を有する。

Claims

【特許請求の範囲】１、基板上に下記一般式〔 I 〕で示されるフタロシア
ニン系化合物の少なくとも一種以上を含有する有機薄膜
層を有することを特徴とする光学記録媒体。一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ａ＿１、Ａ＿２、Ａ＿３、Ａ＿４は、それぞれ独
立にベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環または
下記式で示される含窒素複素環を表す、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼ 但し、Ａ＿１、Ａ＿２、Ａ＿３またはＡ＿４のうち１〜
３つは上記含窒素複素環のうちの１つである。Ｘ＿１、Ｘ＿２、Ｘ＿３、Ｘ＿４は、それぞれ独立に、
水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボ
ン酸基、スルホン酸基、置換もしくは未置換の脂肪族炭
化水素基、置換もしくは未置換の芳香族炭化水素基、置
換もしくは未置換の芳香族複素環基、−ＯＲ＿１、−Ｓ
Ｒ＿２、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼、−ＮＨＣＯＲ＿９
、−ＣＯ＿２Ｒ＿１＿０、−Ｎ＝Ｎ−Ｒ＿１＿１（ここ
で、Ｒ＿１ないしＲ＿１＿１は水素原子、置換もしくは
未置換の脂肪族炭化水素基または置換もしくは未置換の
芳香族複素環基を表す。）Ｍは水素原子、またはハロゲ
ン、酸素原子を有してもよい金属原子または（ＯＲ＿１
＿２）＿ｐ、（ＯＳｉＲ＿１＿３Ｒ＿１＿４Ｒ＿１＿５
）＿ｑを有してもよい金属原子を表す。（ここでＲ＿１
＿２、Ｒ＿１＿３、Ｒ＿１＿４、Ｒ＿１＿５はＲ＿１な
いしＲ＿１＿１と同様。ｐ、ｑは０ないし２の整数を表す。）ｋ、ｌ、ｍおよびｎはそれぞれ独立に０ないし４の整数
を表す。