JP7753339B2 - 銅張積層板及びその形成方法 - Google Patents

銅張積層板及びその形成方法

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Description

本開示は、銅張積層板及びその形成方法に関する。特に、本開示は、誘電体コーティングを有する銅張積層板及びその形成方法に関する。
銅張積層板（Copper-clad laminate、ＣＣＬ）は、導電性銅箔の２つの層の上又は間に積層された誘電体材料を含む。その後の作業によって、そのようなＣＣＬがプリント回路基板（printed circuit board、ＰＣＢ）に変換される。ＰＣＢを形成するために使用される場合、導電性銅箔は、選択的にエッチングされて、層間に穿孔されたスルーホールを有する回路を形成し、金属化、すなわちめっきされて、多層ＰＣＢ中の層間の導電性を確立する。したがって、ＣＣＬは、優れた熱機械的安定性を示さなければならない。ＰＣＢはまた、使用中だけでなく、はんだ付けなどの製造作業中にも過度に高い温度に日常的にさらされる。したがって、それらは、変形することなく２００℃を超える連続温度で機能しなければならず、吸湿に抵抗しながら劇的な温度変動に耐えなければならない。ＣＣＬの誘電体層は、導電層間のスペーサとして作用し、導電性を遮断することによって電気信号損失及びクロストークを最小限に抑えることができる。誘電体層の誘電率（絶対誘電率）が低いほど、層を通る電気信号の速度が高くなる。したがって、材料の分極率だけでなく、温度及び周波数に依存する低い誘電正接は、高周波用途にとって非常に重要である。したがって、ＰＣＢ及び他の高周波用途で使用することができる改善された誘電体材料及び誘電体層が望まれる。
第１の態様によれば、銅張積層板は、銅箔層と、銅箔層を覆う誘電体コーティングと、を含み得る。誘電体コーティングは、樹脂マトリックス成分と、セラミックフィラー成分と、を含み得る。セラミックフィラー成分は、第１のフィラー材料を含み得る。誘電体コーティングは、約２０ミクロン以下の平均厚さを有し得る。
別の態様によれば、銅張積層板は、銅箔層と、銅箔層を覆う誘電体コーティングと、を含み得る。誘電体コーティングは、樹脂マトリックス成分と、セラミックフィラー成分と、を含み得る。セラミックフィラー成分は、第１のフィラー材料を含み得る。第１のフィラー材料の粒径分布は、少なくとも約０．２ミクロンかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．５ミクロンかつ約２．７ミクロン以下のＤ５０、及び少なくとも約０．８ミクロンかつ約４．７ミクロン以下のＤ９０を有し得る。
更に別の態様によれば、銅張積層板は、銅箔層と、銅箔層を覆う誘電体コーティングと、を含み得る。誘電体コーティングは、樹脂マトリックス成分と、セラミックフィラー成分と、を含み得る。セラミックフィラー成分は、第１のフィラー材料を含み得る。第１のフィラー材料は、約５ミクロン以下の平均粒径、及び約５以下の粒径分布スパン（particle size distribution span、ＰＳＤＳ）を更に有し得、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、第１のフィラー材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１のフィラー材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１のフィラー材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい。
別の態様によれば、プリント回路基板は、銅張積層板を含み得る。銅張積層板は、銅箔層と、銅箔層を覆う誘電体コーティングと、を含み得る。誘電体コーティングは、樹脂マトリックス成分と、セラミックフィラー成分と、を含み得る。セラミックフィラー成分は、第１のフィラー材料を含み得る。誘電体コーティングは、約２０ミクロン以下の平均厚さを有し得る。
更に別の態様によれば、プリント回路基板は、銅張積層板を含み得る。銅張積層板は、銅箔層と、銅箔層を覆う誘電体コーティングと、を含み得る。誘電体コーティングは、樹脂マトリックス成分と、セラミックフィラー成分と、を含み得る。セラミックフィラー成分は、第１のフィラー材料を含み得る。第１のフィラー材料の粒径分布は、少なくとも約０．２ミクロンかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．５ミクロンかつ約２．７ミクロン以下のＤ５０、及び少なくとも約０．８ミクロンかつ約４．７ミクロン以下のＤ９０を有し得る。
別の態様によれば、プリント回路基板は、銅張積層板を含み得る。銅張積層板は、銅箔層と、銅箔層を覆う誘電体コーティングと、を含み得る。誘電体コーティングは、樹脂マトリックス成分と、セラミックフィラー成分と、を含み得る。セラミックフィラー成分は、第１のフィラー材料を含み得る。第１のフィラー材料は、約５ミクロン以下の平均粒径、及び約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を更に有し得、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、第１のフィラー材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１のフィラー材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１のフィラー材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい。
別の態様によれば、銅張積層板を形成する方法は、銅箔層を提供することと、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミックフィラー前駆体成分とを合わせて、形成混合物を形成することと、形成混合物を、銅箔を覆う誘電体コーティングに形成することと、を含み得る。セラミックフィラー前駆体成分は、第１のフィラー前駆体材料を含み得る。誘電体コーティングは、約２０ミクロン以下の平均厚さを有し得る。
更に別の態様によれば、銅張積層板を形成する方法は、銅箔層を提供することと、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミックフィラー前駆体成分とを合わせて、形成混合物を形成することと、形成混合物を、銅箔を覆う誘電体コーティングに形成することと、を含み得る。セラミックフィラー前駆体成分は、第１のフィラー前駆体材料を含み得る。第１のフィラー材料の粒径分布は、少なくとも約０．２ミクロンかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．５ミクロンかつ約２．７ミクロン以下のＤ５０、及び少なくとも約０．８ミクロンかつ約４．７ミクロン以下のＤ９０を有し得る。
別の態様によれば、銅張積層板を形成する方法は、銅箔層を提供することと、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミックフィラー前駆体成分とを合わせて、形成混合物を形成することと、形成混合物を、銅箔を覆う誘電体コーティングに形成することと、を含み得る。セラミックフィラー前駆体成分は、第１のフィラー前駆体材料を含み得る。第１のフィラー前駆体材料は、約５ミクロン以下の平均粒径、及び約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を更に有し得、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、第１のフィラー前駆体材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１のフィラー前駆体材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１のフィラー前駆体材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい。
別の態様によれば、プリント回路基板を形成する方法は、銅箔層を提供することと、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミックフィラー前駆体成分とを合わせて、形成混合物を形成することと、形成混合物を、銅箔を覆う誘電体コーティングに形成することと、を含み得る。セラミックフィラー前駆体成分は、第１のフィラー前駆体材料を含み得る。誘電体コーティングは、約２０ミクロン以下の平均厚さを有し得る。
更に別の態様によれば、プリント回路基板を形成する方法は、銅箔層を提供することと、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミックフィラー前駆体成分とを合わせて、形成混合物を形成することと、形成混合物を、銅箔を覆う誘電体コーティングに形成することと、を含み得る。セラミックフィラー前駆体成分は、第１のフィラー前駆体材料を含み得る。第１のフィラー材料の粒径分布は、少なくとも約０．２ミクロンかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．５ミクロンかつ約２．７ミクロン以下のＤ５０、及び少なくとも約０．８ミクロンかつ約４．７ミクロン以下のＤ９０を有し得る。
別の態様によれば、プリント回路基板を形成する方法は、銅箔層を提供することと、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミックフィラー前駆体成分とを合わせて、形成混合物を形成することと、形成混合物を、銅箔を覆う誘電体コーティングに形成することと、を含み得る。セラミックフィラー前駆体成分は、第１のフィラー前駆体材料を含み得る。第１のフィラー前駆体材料は、約５ミクロン以下の平均粒径、及び約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を更に有し得、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、第１のフィラー前駆体材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１のフィラー前駆体材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１のフィラー前駆体材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい。
実施形態は、例として示されており、添付の図面に限定されない。
本明細書に記載の実施形態による銅張積層板の形成方法を示す図を含む。 本明細書に記載の実施形態に従って形成された銅張積層板の構成を示す図解を含む。 本明細書に記載の実施形態によるプリント回路基板の形成方法を示す図を含む。 本明細書に記載の実施形態に従って形成されたプリント回路基板の構成を示す図解を含む。
当業者は、図中の要素が簡略化及び明瞭化を目的として示されており、必ずしも縮尺通りに描かれていないことを理解する。
以下の説明は、教示の特定の実施態様及び実施形態に焦点を当てている。詳細な説明は、特定の実施形態を説明するのを助けるために提供されており、本開示又は教示の範囲又は適用性に関する限定として解釈されるべきではない。本明細書で提供される本開示及び教示に基づいて、他の実施形態を使用することができることが理解されよう。
用語「備える（comprises）」、「備える（comprising）」、「含む（includes）」、「含む（including）」、「有する（has）」、「有する（having）」、又はそれらの任意の他の変形は、非排他的包含を網羅することを意図している。例えば、特徴のリストを含む方法、物品、又は装置は、必ずしもそれらの特徴に限定されるものではないが、明示的に列挙されていない他の特徴、あるいはそのような方法、物品、又は装置に固有の他の特徴を含み得る。更に、矛盾する記載がない限り、「又は」は、包含的なｏｒを指し、排他的なｏｒを指すのではない。例えば、条件Ａ又はＢは、以下のいずれか１つによって満たされる：Ａが真であり（又は存在し）、かつＢが偽である（又は存在しない）、Ａが偽であり（又は存在せず）、かつＢが真である（又は存在する）、並びにＡ及びＢの両方が真である（又は存在する）。
本明細書に記載される実施形態は、概して、銅箔層と、銅箔層を覆う誘電体コーティングと、を含み得る銅張積層板を対象とする。特定の実施形態によれば、誘電体コーティングは、樹脂マトリックス成分と、セラミックフィラー成分と、を含み得る。
最初に銅張積層板を形成する方法について言及すると、図１は、本明細書に記載の実施形態による銅張積層板を形成するための形成方法１００を示す図を含む。特定の実施形態によれば、形成方法１００は、銅箔層を提供する第１のステップ１１０と、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミックフィラー前駆体成分とを合わせて、形成混合物を形成する第２のステップ１２０と、形成混合物を、銅箔層を覆う誘電体コーティングに形成して銅張積層板を形成する第３のステップ１３０と、を含み得る。
特定の実施形態によれば、セラミックフィラー前駆体成分は、形成方法１００によって形成された銅張積層板の性能を改善し得る特定の特性を有し得る第１のフィラー前駆体材料を含み得る。
特定の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、特定の径分布を有し得る。本明細書に記載される実施形態の目的のために、材料の粒径分布、例えば、第１のフィラー前駆体材料の粒径分布は、粒径分布Ｄ値Ｄ１０、Ｄ５０、及びＤ９０の任意の組み合わせを使用して記載され得る。粒径分布からのＤ１０値は、粒子の１０％がその値よりも小さく、粒子の９０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ５０値は、粒子の５０％がその値よりも小さく、粒子の５０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ９０値は、粒子の９０％がその値よりも小さく、粒子の１０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。本明細書に記載される実施形態の目的のために、特定の材料の粒径測定は、レーザ回折分光法を使用して行われる。
特定の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、特定の径分布Ｄ１０値を有し得る。例えば、第１のフィラー前駆体材料のＤ１０は、少なくとも約０．２ミクロン、例えば、少なくとも約０．３ミクロン、又は少なくとも約０．４ミクロン、又は少なくとも約０．５ミクロン、又は少なくとも約０．６ミクロン、又は少なくとも約０．７ミクロン、又は少なくとも約０．８ミクロン、又は少なくとも約０．９ミクロン、又は少なくとも約１．０ミクロン、又は少なくとも約１．１ミクロン、又は更には少なくとも約１．２ミクロンであり得る。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料のＤ１０は、約１．６ミクロン以下、例えば、約１．５ミクロン以下、又は更には約１．４ミクロン以下であり得る。第１のフィラー前駆体材料のＤ１０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー前駆体材料のＤ１０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、特定の径分布Ｄ５０値を有し得る。例えば、第１のフィラー前駆体材料のＤ５０は、少なくとも約０．５ミクロン、例えば、少なくとも約０．６ミクロン、又は少なくとも約０．７ミクロン、又は少なくとも約０．８ミクロン、又は少なくとも約０．９ミクロン、又は少なくとも約１．０ミクロン、又は少なくとも約１．１ミクロン、又は少なくとも約１．２ミクロン、又は少なくとも約１．３ミクロン、又は少なくとも約１．４ミクロン、又は少なくとも約１．５ミクロン、又は少なくとも約１．６ミクロン、又は少なくとも約１．７ミクロン、又は少なくとも約１．８ミクロン、又は少なくとも約１．９ミクロン、又は少なくとも約２．０ミクロン、又は少なくとも約２．１ミクロン、又は更には少なくとも約２．２ミクロンであり得る。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料のＤ５０は、約２．７ミクロン以下、例えば、約２．６ミクロン以下、又は約２．５ミクロン以下、又は更には約２．４ミクロン以下であり得る。第１のフィラー前駆体材料のＤ５０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー前駆体材料のＤ５０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、特定の径分布Ｄ９０値を有し得る。例えば、第１のフィラー前駆体材料のＤ９０は、少なくとも約０．８ミクロン、例えば、少なくとも約０．９ミクロン、又は少なくとも約１．０ミクロン、又は少なくとも約１．１ミクロン、又は少なくとも約１．２ミクロン、又は少なくとも約１．３ミクロン、又は少なくとも約１．４ミクロン、又は少なくとも約１．５ミクロン、又は少なくとも約１．６ミクロン、又は少なくとも約１．７ミクロン、又は少なくとも約１．８ミクロン、又は少なくとも約１．９ミクロン、又は少なくとも約２．０ミクロン、又は少なくとも約２．１ミクロン、又は少なくとも約２．２ミクロン、又は少なくとも約２．３ミクロン、又は少なくとも約２．４ミクロン、又は少なくとも約２．５ミクロン、又は少なくとも約２．６ミクロン、又は更には少なくとも約２．７ミクロンであり得る。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料のＤ９０は、約８．０ミクロン以下、例えば、約７．５ミクロン以下、又は約７．０ミクロン以下、又は約６．５ミクロン以下、又は約６．０ミクロン以下、又は約５．５ミクロン以下、又は約５．４ミクロン以下、又は約５．３ミクロン以下、又は約５．２ミクロン以下、又は更には約５．１ミクロン以下であり得る。第１のフィラー前駆体材料のＤ９０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー前駆体材料のＤ９０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、レーザ回折分光法を使用して測定される特定の平均粒径を有し得る。例えば、第１のフィラー前駆体材料の平均粒径は、約１０ミクロン以下、例えば、約９ミクロン以下、又は約８ミクロン以下、又は約７ミクロン以下、又は約６ミクロン以下、又は約５ミクロン以下、又は約４ミクロン以下、又は約３ミクロン以下、又は更には約２ミクロン以下であり得る。第１のフィラー前駆体材料の平均粒径は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー前駆体材料の平均粒径は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、特定の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を有するものとして記載されてもよく、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、第１のフィラー前駆体材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１のフィラー前駆体材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１のフィラー前駆体材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい。例えば、第１のフィラー前駆体材料のＰＳＤＳは、約５以下、例えば、約４．５以下、又は約４．０以下、又は約３．５以下、又は約３．０以下、又は更には約２．５以下であり得る。第１のフィラー前駆体材料のＰＳＤＳは、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー前駆体材料のＰＳＤＳは、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、ブルナウアー－エメット－テラー（Brunauer-Emmett-Teller、ＢＥＴ）表面積分析（窒素吸着）を使用して測定される特定の平均表面積を有するものとして記載され得る。例えば、第１のフィラー前駆体材料は、約１０ｍ２／ｇ以下、例えば、約９．９ｍ２／ｇ以下、又は約９．５ｍ２／ｇ以下、又は約９．０ｍ２／ｇ以下、又は約８．５ｍ２／ｇ以下、又は約８．０ｍ２／ｇ以下、又は約７．５ｍ２／ｇ以下、又は約７．０ｍ２／ｇ以下、又は約６．５ｍ２／ｇ以下、又は約６．０ｍ２／ｇ以下、又は約５．５ｍ２／ｇ以下、又は約５．０ｍ２／ｇ以下、又は約４．５ｍ２／ｇ以下、又は約４．０ｍ２／ｇ以下、又は更には約３．５ｍ２以下の平均表面積を有し得る。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、少なくとも約１．２ｍ２／ｇ、例えば、少なくとも約２．２ｍ２／ｇの平均表面積を有し得る。第１のフィラー前駆体材料の平均表面積は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー前駆体材料の平均表面積は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、特定の材料を含み得る。特定の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、シリカ系化合物を含み得る。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、シリカ系化合物からなり得る。他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、シリカを含み得る。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料は、シリカからなり得る。
更に他の実施形態によれば、形成混合物は、特定の含有量のセラミックフィラー前駆体成分を含み得る。例えば、セラミックフィラー前駆体成分の含有量は、第１の形成混合物の総体積に対して少なくとも約３０体積％、例えば、少なくとも約３１体積％、又は少なくとも約３２体積％、又は少なくとも約３３体積％、又は少なくとも約３４体積％、又は少なくとも約３５体積％、又は少なくとも約３６体積％、又は少なくとも約３７体積％、又は少なくとも約３８体積％、又は少なくとも約３９体積％、又は少なくとも約４０体積％、又は少なくとも約４１体積％、又は少なくとも約４２体積％、又は少なくとも約４３体積％、又は少なくとも約４４体積％、又は少なくとも約４５体積％、又は少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は更には少なくとも約５４体積％であり得る。更に他の実施形態によれば、セラミックフィラー前駆体成分の含有量は、形成混合物の総体積に対して約５７体積％以下、例えば、約５６体積％以下、又は更には約５５体積％以下であり得る。セラミックフィラー前駆体成分の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。セラミックフィラー前駆体成分の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、セラミックフィラー前駆体成分は、特定の含有量の第１のフィラー前駆体材料を含み得る。例えば、第１のフィラー前駆体材料の含有量は、セラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して少なくとも約８０体積％、例えば、少なくとも約８１体積％、又は少なくとも約８２体積％、又は少なくとも約８３体積％、又は少なくとも約８４体積％、又は少なくとも約８５体積％、又は少なくとも約８６体積％、又は少なくとも約８７体積％、又は少なくとも約８８体積％、又は少なくとも約８９体積％、又は更には少なくとも約９０体積％であり得る。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー前駆体材料の含有量は、セラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して約１００体積％以下、例えば、約９９体積％以下、又は約９８体積％以下、又は約９７体積％以下、又は約９６体積％以下、又は約９５体積％以下、又は約９４体積％以下、又は約９３体積％以下、又は更には約９２体積％以下であり得る。第１のフィラー前駆体材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー前駆体材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、セラミックフィラー前駆体成分は、第２のフィラー前駆体材料を含み得る。
他の実施形態によれば、第２のフィラー前駆体材料は、特定の材料を含み得る。例えば、第２のフィラー前駆体材料は、高誘電率セラミック材料、例えば、少なくとも約１４の誘電率を有するセラミック材料を含み得る。特定の実施形態によれば、第２のフィラー前駆体材料は、任意の高誘電率セラミック材料、例えば、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。
更に他の実施形態によれば、第２のフィラー前駆体材料は、ＴｉＯ２を含み得る。更に他の実施形態によれば、第２のフィラー前駆体材料は、ＴｉＯ２からなり得る。
更に他の実施形態によれば、セラミックフィラー前駆体成分は、特定の含有量の第２のフィラー前駆体材料を含み得る。例えば、第２のフィラー前駆体材料の含有量は、セラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して少なくとも約１体積％、例えば、少なくとも約２体積％、又は少なくとも約３体積％、又は少なくとも約４体積％、又は少なくとも約５体積％、又は少なくとも約６体積％、又は少なくとも約７体積％、又は少なくとも約８体積％、又は少なくとも約９体積％、又は少なくとも約１０体積％であり得る。更に他の実施形態によれば、第２のフィラー前駆体材料の含有量は、セラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して約２０体積％以下、例えば、約１９体積％以下、又は約１８体積％以下、又は約１７体積％以下、又は約１６体積％以下、又は約１５体積％以下、又は約１４体積％以下、又は約１３体積％以下、又は約１２体積％以下であり得る。第２のフィラー前駆体材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。第２のフィラー前駆体材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、セラミックフィラー前駆体成分は、特定の含有量の非晶質材料を含み得る。例えば、セラミックフィラー前駆体成分は、少なくとも約９８％、又は更には少なくとも約９９％などの少なくとも約９７％の非晶質材料を含み得る。非晶質材料の含有量は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。非晶質材料の含有量は、上記の値のいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、樹脂マトリックス前駆体成分は、特定の材料を含み得る。例えば、樹脂マトリックス前駆体成分は、パーフルオロポリマーを含み得る。更に他の実施形態によれば、樹脂マトリックス前駆体成分は、パーフルオロポリマーからなり得る。
更に他の実施形態によれば、樹脂マトリックス前駆体成分のパーフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（tetrafluoroethylene、ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（hexafluoropropylene、ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。他の実施形態によれば、樹脂マトリックス前駆体成分のパーフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせからなり得る。
更に他の実施形態によれば、樹脂マトリックス前駆体成分のパーフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（polytetrafluoroethylene、ＰＴＦＥ）、パーフルオロアルコキシポリマー樹脂（perfluoroalkoxy、ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（fluorinated ethylene propylene、ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。更に他の実施形態によれば、樹脂マトリックス前駆体成分のパーフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、パーフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせからなり得る。
更に他の実施形態によれば、形成混合物は、特定の含有量の樹脂マトリックス前駆体成分を含み得る。例えば、樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、形成混合物の総体積に対して少なくとも約４５体積％、例えば、少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は少なくとも約５４体積％、又は更には少なくとも約５５体積％であり得る。更に他の実施形態によれば、樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、形成混合物の総体積に対して約６３体積％以下、又は約６２体積％以下、又は約６１体積％以下、又は約６０体積％以下、又は約５９体積％以下、又は約５８体積％以下、又は更には約５７体積％以下である。樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。樹脂マトリックス前駆体成分の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、形成混合物は、特定の含有量のパーフルオロポリマーを含み得る。例えば、パーフルオロポリマーの含有量は、形成混合物の総体積に対して少なくとも約４５体積％、例えば、少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は少なくとも約５４体積％、又は更には少なくとも約５５体積％であり得る。更に他の実施形態によれば、パーフルオロポリマーの含有量は、形成混合物の総体積に対して約６３体積％以下、例えば、約６２体積％以下、又は約６１体積％以下、又は約６０体積％以下、又は約５９体積％以下、又は約５８体積％以下、又は更には約５７体積％以下であり得る。パーフルオロポリマーの含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。パーフルオロポリマーの含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
ここで、形成方法１００に従って形成された銅張積層板の実施形態について言及すると、図２は、銅張積層板２００の図を含む。図２に示すように、銅張積層板２００は、銅箔層２０２と、銅箔層２０２の表面を覆う誘電体コーティング２０５と、を含み得る。特定の実施形態によれば、誘電体コーティング２０５は、樹脂マトリックス成分２１０及びセラミックフィラー成分２２０を含み得る。
特定の実施形態によれば、セラミックフィラー成分２２０は、銅張積層板２００の性能を改善し得る特定の特性を有し得る第１のフィラー材料を含み得る。
特定の実施形態によれば、セラミックフィラー成分２２０の第１のフィラー材料は、特定の径分布を有し得る。本明細書に記載される実施形態の目的のために、材料の粒径分布、例えば、第１のフィラー材料の粒径分布は、粒径分布Ｄ値Ｄ１０、Ｄ５０、及びＤ９０の任意の組み合わせを使用して記載され得る。粒径分布からのＤ１０値は、粒子の１０％がその値よりも小さく、粒子の９０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ５０値は、粒子の５０％がその値よりも小さく、粒子の５０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。粒径分布からのＤ９０値は、粒子の９０％がその値よりも小さく、粒子の１０％がその値よりも大きい粒径値として定義される。本明細書に記載される実施形態の目的のために、特定の材料の粒径測定は、レーザ回折分光法を使用して行われる。
特定の実施形態によれば、セラミックフィラー成分２２０の第１のフィラー材料は、特定の径分布Ｄ１０値を有し得る。例えば、第１のフィラー材料のＤ１０は、少なくとも約０．２ミクロン、例えば、少なくとも約０．３ミクロン、又は少なくとも約０．４ミクロン、又は少なくとも約０．５ミクロン、又は少なくとも約０．６ミクロン、又は少なくとも約０．７ミクロン、又は少なくとも約０．８ミクロン、又は少なくとも約０．９ミクロン、又は少なくとも約１．０ミクロン、又は少なくとも約１．１ミクロン、又は更には少なくとも約１．２ミクロンであり得る。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料のＤ１０は、約１．６ミクロン以下、例えば、約１．５ミクロン以下、又は更には約１．４ミクロン以下であり得る。第１のフィラー材料のＤ１０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー材料のＤ１０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、セラミックフィラー成分４２０の第１のフィラー材料は、特定の径分布Ｄ５０値を有し得る。例えば、第１のフィラー材料のＤ５０は、少なくとも約０．５ミクロン、例えば、少なくとも約０．６ミクロン、又は少なくとも約０．７ミクロン、又は少なくとも約０．８ミクロン、又は少なくとも約０．９ミクロン、又は少なくとも約１．０ミクロン、又は少なくとも約１．１ミクロン、又は少なくとも約１．２ミクロン、又は少なくとも約１．３ミクロン、又は少なくとも約１．４ミクロン、又は少なくとも約１．５ミクロン、又は少なくとも約１．６ミクロン、又は少なくとも約１．７ミクロン、又は少なくとも約１．８ミクロン、又は少なくとも約１．９ミクロン、又は少なくとも約２．０ミクロン、又は少なくとも約２．１ミクロン、又は更には少なくとも約２．２ミクロンであり得る。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料のＤ５０は、約２．７ミクロン以下、例えば、約２．６ミクロン以下、又は約２．５ミクロン以下、又は更には約２．４ミクロン以下であり得る。第１のフィラー材料のＤ５０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー材料のＤ５０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、セラミックフィラー成分４２０の第１のフィラー材料は、特定の径分布Ｄ９０値を有し得る。例えば、第１のフィラー材料のＤ９０は、少なくとも約０．８ミクロン、例えば、少なくとも約０．９ミクロン、又は少なくとも約１．０ミクロン、又は少なくとも約１．１ミクロン、又は少なくとも約１．２ミクロン、又は少なくとも約１．３ミクロン、又は少なくとも約１．４ミクロン、又は少なくとも約１．５ミクロン、又は少なくとも約１．６ミクロン、又は少なくとも約１．７ミクロン、又は少なくとも約１．８ミクロン、又は少なくとも約１．９ミクロン、又は少なくとも約２．０ミクロン、又は少なくとも約２．１ミクロン、又は少なくとも約２．２ミクロン、又は少なくとも約２．３ミクロン、又は少なくとも約２．４ミクロン、又は少なくとも約２．５ミクロン、又は少なくとも約２．６ミクロン、又は更には少なくとも約２．７ミクロンであり得る。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料のＤ９０は、約８．０ミクロン以下、例えば、約７．５ミクロン以下、又は約７．０ミクロン以下、又は約６．５ミクロン以下、又は約６．０ミクロン以下、又は約５．５ミクロン以下、又は約５．４ミクロン以下、又は約５．３ミクロン以下、又は約５．２ミクロン以下、又は更には約５．１ミクロン以下であり得る。第１のフィラー材料のＤ９０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー材料のＤ９０は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、セラミックフィラー成分２２０の第１のフィラー材料は、レーザ回折分光法を使用して測定される特定の平均粒径を有し得る。例えば、第１のフィラー材料の平均粒径は、約１０ミクロン以下、例えば、約９ミクロン以下、又は約８ミクロン以下、又は約７ミクロン以下、又は約６ミクロン以下、又は約５ミクロン以下、又は約４ミクロン以下、又は約３ミクロン以下、又は更には約２ミクロン以下であり得る。第１のフィラー材料の平均粒径は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー材料の平均粒径は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、セラミックフィラー成分２２０の第１のフィラー材料は、特定の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を有するものとして記載されてもよく、ＰＳＤＳは、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０は、第１のフィラー材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０は、第１のフィラー材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０は、第１のフィラー材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい。例えば、第１のフィラー材料のＰＳＤＳは、約５以下、例えば、約４．５以下、又は約４．０以下、又は約３．５以下、又は約３．０以下、又は更には約２．５以下であり得る。第１のフィラー材料のＰＳＤＳは、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー材料のＰＳＤＳは、上記の値のいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、セラミックフィラー成分２２０の第１のフィラー材料は、ブルナウアー－エメット－テラー（ＢＥＴ）表面積分析（窒素吸着）を使用して測定される特定の平均表面積を有するものとして記載され得る。例えば、第１のフィラー材料は、約１０ｍ２／ｇ以下、例えば、約９．９ｍ２／ｇ以下、又は約９．５ｍ２／ｇ以下、又は約９．０ｍ２／ｇ以下、又は約８．５ｍ２／ｇ以下、又は約８．０ｍ２／ｇｍ２／ｇ以下、又は約７．５ｍ２／ｇ以下、又は約７．０ｍ２／ｇ以下、又は約６．５ｍ２／ｇ以下、又は約６．０ｍ２／ｇ以下、又は約５．５ｍ２／ｇ以下、又は約５．０ｍ２／ｇ以下、又は約４．５ｍ２／ｇ以下、又は約４．０ｍ２／ｇ以下、又は更には約３．５ｍ２以下の平均表面積を有し得る。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料は、少なくとも約１．２ｍ２／ｇ、例えば、少なくとも約２．２ｍ２／ｇの平均表面積を有し得る。第１のフィラー材料の平均表面積は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー材料の平均表面積は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、セラミックフィラー成分２２０の第１のフィラー材料は、特定の材料を含み得る。特定の実施形態によれば、第１のフィラー材料は、シリカ系化合物を含み得る。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料は、シリカ系化合物からなり得る。他の実施形態によれば、第１のフィラー材料は、シリカを含み得る。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料は、シリカからなり得る。
更に他の実施形態によれば、誘電体コーティング２０５は、特定の含有量のセラミックフィラー成分２２０を含み得る。例えば、セラミックフィラー成分２２０の含有量は、誘電体コーティング２０５の総体積に対して少なくとも約３０体積％、例えば、少なくとも約３１体積％、又は少なくとも約３２体積％、又は少なくとも約３３体積％、又は少なくとも約３４体積％、又は少なくとも約３５体積％、又は少なくとも約３６体積％、又は少なくとも約３７体積％、又は少なくとも約３８体積％、又は少なくとも約３９体積％、又は少なくとも約４０体積％、又は少なくとも約４１体積％、又は少なくとも約４２体積％、又は少なくとも約４３体積％、又は少なくとも約４４体積％、又は少なくとも約４５体積％、又は少なくとも約４６体積％、又は少なくとも約４７体積％、又は少なくとも約４８体積％、又は少なくとも約４９体積％、又は少なくとも約５０体積％、又は少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は更には少なくとも約５４体積％であり得る。更に他の実施形態によれば、セラミックフィラー成分４２０の含有量は、誘電体コーティング４００の総体積に対して約５７体積％以下、例えば、約５６体積％以下、又は更には約５５体積％以下であり得る。セラミックフィラー成分２２０の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。セラミックフィラー成分２２０の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、セラミックフィラー成分２２０は、特定の含有量の第１のフィラー材料を含み得る。例えば、第１のフィラー材料の含有量は、セラミックフィラー成分２２０の総体積に対して少なくとも約８０体積％、例えば、少なくとも約８１体積％、又は少なくとも約８２体積％、又は少なくとも約８３体積％、又は少なくとも約８４体積％、又は少なくとも約８５体積％、又は少なくとも約８６体積％、又は少なくとも約８７体積％、又は少なくとも約８８体積％、又は少なくとも約８９体積％、又は更には少なくとも約９０体積％であり得る。更に他の実施形態によれば、第１のフィラー材料の含有量は、セラミックフィラー成分２２０の総体積に対して約１００体積％以下、例えば、約９９体積％以下、又は約９８体積％以下、又は約９７体積％以下、又は約９６体積％以下、又は約９５体積％以下、又は約９４体積％以下、又は約９３体積％以下、又は更には約９２体積％以下であり得る。第１のフィラー材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。第１のフィラー材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、セラミックフィラー成分２２０は、第２のフィラー材料を含み得る。
更に他の実施形態によれば、セラミックフィラー成分２２０の第２のフィラー材料は、特定の材料を含み得る。例えば、第２のフィラー材料は、高誘電率セラミック材料、例えば、少なくとも約１４の誘電率を有するセラミック材料を含み得る。特定の実施形態によれば、セラミックフィラー成分２２０の第２のフィラー材料は、任意の高誘電率セラミック材料、例えば、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。
更に他の実施形態によれば、セラミックフィラー成分２２０の第２のフィラー材料は、ＴｉＯ２を含み得る。更に他の実施形態によれば、第２のフィラー材料は、ＴｉＯ２からなり得る。
更に他の実施形態によれば、セラミックフィラー成分２２０は、特定の含有量の第２のフィラー材料を含み得る。例えば、第２のフィラー材料の含有量は、セラミックフィラー成分２２０の総体積に対して少なくとも約１体積％、例えば、少なくとも約２体積％、又は少なくとも約３体積％、又は少なくとも約４体積％、又は少なくとも約５体積％、又は少なくとも約６体積％、又は少なくとも約７体積％、又は少なくとも約８体積％、又は少なくとも約９体積％、又は少なくとも約１０体積％であり得る。更に他の実施形態によれば、第２のフィラー材料の含有量は、セラミックフィラー成分２２０の総体積に対して約２０体積％以下、例えば、約１９体積％以下、又は約１８体積％以下、又は約１７体積％以下、又は約１６体積％以下、又は約１５体積％以下、又は約１４体積％以下、又は約１３体積％以下、又は約１２体積％以下であり得る。第２のフィラー材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。第２のフィラー材料の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、セラミックフィラー成分２２０は、特定の含有量の非晶質材料を含み得る。例えば、セラミックフィラー成分２２０は、少なくとも約９８％、又は更には少なくとも約９９％などの少なくとも約９７％の非晶質材料を含み得る。非晶質材料の含有量は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。非晶質材料の含有量は、上記の値のいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
他の実施形態によれば、樹脂マトリックス成分２１０は、特定の材料を含み得る。例えば、樹脂マトリックス成分２１０は、パーフルオロポリマーを含み得る。更に他の実施形態によれば、樹脂マトリックス成分４１０は、パーフルオロポリマーからなり得る。
更に他の実施形態によれば、樹脂マトリックス成分４１０のパーフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。他の実施形態によれば、樹脂マトリックス成分４１０のパーフルオロポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせからなり得る。
更に他の実施形態によれば、樹脂マトリックス成分４１０のパーフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、パーフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。更に他の実施形態によれば、樹脂マトリックス成分４１０のパーフルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、パーフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせからなり得る。
更に他の実施形態によれば、誘電体コーティング２００は、特定の含有量の樹脂マトリックス成分２１０を含み得る。例えば、樹脂マトリックス成分２１０の含有量は、誘電体コーティング２００の総体積に対して少なくとも約５０体積％、例えば、少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は少なくとも約５４体積％、又は更には少なくとも約５５体積％であり得る。更に他の実施形態によれば、樹脂マトリックス成分２１０の含有量は、誘電体コーティング２００の総体積に対して約６３体積％以下、又は約６２体積％以下、又は約６１体積％以下、又は約６０体積％以下、又は約５９体積％以下、又は約５８体積％以下、又は更には約５７体積％以下である。樹脂マトリックス成分２１０の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。樹脂マトリックス成分２１０の含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体コーティング２０５は、特定の材料を含み得る。例えば、パーフルオロポリマーの含有量は、誘電体コーティング４０５の総体積に対して少なくとも約５０体積％、例えば、少なくとも約５１体積％、又は少なくとも約５２体積％、又は少なくとも約５３体積％、又は少なくとも約５４体積％、又は更には少なくとも約５５体積％であり得る。更に他の実施形態によれば、パーフルオロポリマーの含有量は、誘電体コーティング２００の総体積に対して約６３体積％以下、例えば、約６２体積％以下、又は約６１体積％以下、又は約６０体積％以下、又は約５９体積％以下、又は約５８体積％以下、又は更には約５７体積％以下であり得る。パーフルオロポリマーの含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。パーフルオロポリマーの含有量は、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体コーティング２０５は、Ｘ線回折を使用して測定される特定の気孔率を含み得る。例えば、基板２０５の気孔率は、約１０体積％以下、例えば、約９体積％以下、又は約８体積％以下、又は約７体積％以下、又は約６体積％以下、又は更には約５体積％以下であり得る。誘電体コーティング２０５の気孔率は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体コーティング２０５の気孔率は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
特定の実施形態によれば、誘電体コーティング２０５は、特定の平均厚さを有し得る。例えば、誘電体コーティング２０５の平均厚さは、少なくとも約０．１ミクロン、例えば、少なくとも約０．５ミクロン、又は少なくとも約１ミクロン、又は少なくとも約２ミクロン、又は少なくとも約３ミクロン、又は少なくとも約４ミクロン、又は更には少なくとも約５ミクロンであり得る。更に他の実施形態によれば、誘電体コーティング２０５の平均厚さは、約２０ミクロン以下、例えば、約１８ミクロン以下、又は約１６ミクロン以下、又は約１４ミクロン以下、又は約１２ミクロン以下、又は更には約１０ミクロン以下であり得る。誘電体コーティング２０５の平均厚さは、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体コーティング４０５の平均厚さは、上記の最小値及び最大値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体コーティング２０５は、５ＧＨｚ、２０％ＲＨの間の範囲で測定される特定の誘電正接（dissipation factor、Ｄｆ）を有し得る。例えば、誘電体コーティング２０５は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の誘電正接を有し得る。誘電体コーティング２０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体コーティング２０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体コーティング２０５は、５ＧＨｚ、８０％ＲＨの間の範囲で測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有し得る。例えば、誘電体コーティング２０５は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の誘電正接を有し得る。誘電体コーティング２０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体コーティング２０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体コーティング２０５は、１０ＧＨｚ、２０％ＲＨの間の範囲で測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有し得る。例えば、誘電体コーティング２０５は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の誘電正接を有し得る。誘電体コーティング２０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体コーティング２０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体コーティング２０５は、１０ＧＨｚ、８０％ＲＨの間の範囲で測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有し得る。例えば、誘電体コーティング２０５は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の誘電正接を有し得る。誘電体コーティング２０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体コーティング２０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体コーティング２０５は、２８ＧＨｚ、２０％ＲＨの間の範囲で測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有し得る。例えば、誘電体コーティング２０５は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の誘電正接を有し得る。誘電体コーティング２０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体コーティング２０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体コーティング２０５は、２８ＧＨｚ、８０％ＲＨの間の範囲で測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有し得る。例えば、誘電体コーティング２０５は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の誘電正接を有し得る。誘電体コーティング２０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体コーティング２０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体コーティング２０５は、３９ＧＨｚ、２０％ＲＨの間の範囲で測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有し得る。例えば、誘電体コーティング２０５は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の誘電正接を有し得る。誘電体コーティング２０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体コーティング２０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体コーティング２０５は、３９ＧＨｚ、８０％ＲＨの間の範囲で測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有し得る。例えば、誘電体コーティング２０５は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の誘電正接を有し得る。誘電体コーティング２０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体コーティング２０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体コーティング２０５は、７６～８１ＧＨｚ、２０％ＲＨの間の範囲で測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有し得る。例えば、誘電体コーティング２０５は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の誘電正接を有し得る。誘電体コーティング２０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体コーティング２０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。
更に他の実施形態によれば、誘電体コーティング２０５は、７６～８１ＧＨｚ、８０％ＲＨの間の範囲で測定される特定の誘電正接（Ｄｆ）を有し得る。例えば、誘電体コーティング２０５は、約０．００５以下、例えば、約０．００４以下、又は約０．００３以下、又は約０．００２以下、又は約０．００１９以下、又は約０．００１８以下、又は約０．００１７以下、又は約０．００１６以下、又は約０．００１５以下、又は約０．００１４以下の誘電正接を有し得る。誘電体コーティング２０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む任意の値であり得ることが理解されよう。誘電体コーティング２０５の誘電正接は、上記の値のうちのいずれかの間かつそれらを含む範囲内であり得ることが更に理解されよう。更に他の実施形態によれば、誘電体コーティング２０５は、ＩＰＣ－ＴＭ－６５０ ２．４．２４ Ｒｅｖ．Ｃガラス転移温度及びＴＭＡによるＺ軸熱膨張に従って測定される特定の熱膨張係数を有し得る。例えば、誘電体コーティング２０５は、約８０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数を有し得る。
更に他の実施形態によれば、銅張積層板２０１は、ＩＰＣ－ＴＭ－６５０ ２．４．２４ Ｒｅｖ．Ｃガラス転移温度及びＴＭＡによるＺ軸熱膨張に従って測定される特定の熱膨張係数を有し得る。例えば、銅張積層板２０１は、約４５ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数を有し得る。
本明細書に記載される任意の銅張積層板は、銅張積層板のコーティングと任意の銅箔層との間に追加のポリマー系層を含み得ることが理解されよう。また本明細書に記載されるように、追加のポリマー系層は、本明細書に記載されるようなフィラーを含んでもよく（すなわち、充填ポリマー層）、又はフィラーを含まなくてもよい（すなわち、非充填ポリマー層）。
次に、プリント回路基板を形成する方法について言及すると、図３は、本明細書に記載の実施形態によるプリント回路基板を形成するための形成方法３００を示す図を含む。特定の実施形態によれば、形成方法３００は、銅箔層を提供する第１のステップ３１０と、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミックフィラー前駆体成分とを合わせて、形成混合物を形成する第２のステップ３２０と、形成混合物を、銅箔層を覆う誘電体コーティングに形成して、銅張積層板を形成する第３のステップ３３０と、銅張積層板をプリント回路基板に形成する第４のステップ３４０と、を含み得る。
形成方法１００に関連して本明細書で提供される全ての説明、詳細、及び特性は、形成方法３００の対応する態様に更に適用され得るか、又はそれを説明し得ることが理解されよう。
ここで、形成方法３００に従って形成されたプリント回路基板の実施形態について言及すると、図４は、プリント回路基板４００の図を含む。図４に示されるように、プリント回路基板４００は、銅箔層４０２と、銅箔層４０２の表面を覆う誘電体コーティング４０５と、を含み得る銅張積層板４０１を含み得る。特定の実施形態によれば、誘電体コーティング４０５は、樹脂マトリックス成分４１０及びセラミックフィラー成分４２０を含み得る。
この場合も、誘電体コーティング２０５及び／又は銅張積層板２００に関して本明細書で提供される全ての説明は、プリント回路基板２００の全ての構成要素を含むプリント回路基板４００の修正態様に更に適用され得ることが理解されよう。
多くの異なる態様及び実施形態が可能である。これらの態様及び実施形態のいくつかを本明細書に記載する。本明細書を読んだ後、当業者は、それらの態様及び実施形態が単なる例示であり、本発明の範囲を限定するものではないことを理解するであろう。実施形態は、以下に列挙される実施形態のうちのいずれか１つ以上に従うことができる。
実施形態１．銅張積層板であって、銅箔層と、銅箔層を覆う誘電体コーティングと、を含み、誘電体コーティングが、樹脂マトリックス成分と、セラミックフィラー成分と、を含み、セラミックフィラー成分が、第１のフィラー材料を含み、誘電体コーティングが、約２０ミクロン以下の平均厚さを有する、銅張積層板。
実施形態２．銅張積層板であって、銅箔層と、銅箔層を覆う誘電体コーティングと、を含み、誘電体コーティングが、樹脂マトリックス成分と、セラミックフィラー成分と、を含み、セラミックフィラー成分が、第１のフィラー材料を含み、第１のフィラー材料の粒径分布が、少なくとも約０．２ミクロンかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．５ミクロンかつ約２．７ミクロン以下のＤ５０、及び少なくとも約０．８ミクロンかつ約４．７ミクロン以下のＤ９０を含む、銅張積層板。
実施形態３．銅張積層板であって、銅箔層と、銅箔層を覆う誘電体コーティングと、を含み、誘電体コーティングが、樹脂マトリックス成分と、セラミックフィラー成分と、を含み、セラミックフィラー成分が、第１のフィラー材料を含み、第１のフィラー材料が、約５ミクロン以下の平均粒径及び約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を更に含み、ＰＳＤＳが、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０が、第１のフィラー材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０が、第１のフィラー材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０が、第１のフィラー材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、銅張積層板。
実施形態４．第１のフィラー材料の粒径分布が、少なくとも約０．２ミクロンかつ約１．６以下のＤ１０を含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態５．第１のフィラー材料の粒径分布が、少なくとも約０．５ミクロンかつ約２．７ミクロン以下のＤ５０を含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態６．第１のフィラー材料の粒径分布が、少なくとも約０．８ミクロンかつ約４．７ミクロン以下のＤ９０を含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態７．第１のフィラー材料が、約１０ミクロン以下の平均粒径を更に含む、実施形態１に記載の銅張積層板。
実施形態８．第１のフィラー材料が、約１０ミクロン以下の平均粒径を含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態９．第１のフィラー材料が、約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を含み、ＰＳＤＳが、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０が、第１のフィラー材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０が、第１のフィラー材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０が、第１のフィラー材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態１０．第１のフィラー材料が、約１０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態１１．第１のフィラー材料が、シリカ系化合物を含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態１２．第１のフィラー材料が、シリカを含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態１３．樹脂マトリックスが、パーフルオロポリマーを含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態１４．パーフルオロポリマーが、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせを含む、実施形態１３に記載の銅張積層板。
実施形態１５．パーフルオロポリマーが、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、パーフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせを含む、実施形態１３に記載の銅張積層板。
実施形態１６．パーフルオロポリマーが、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、パーフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせからなる、実施形態１３に記載の銅張積層板。
実施形態１７．樹脂マトリックス成分の含有量が、誘電体コーティングの総体積に対して少なくとも約５０体積％である、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態１８．樹脂マトリックス成分の含有量が、誘電体コーティングの総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態１９．パーフルオロポリマーの含有量が、誘電体コーティングの総体積に対して少なくとも約５０体積％である、実施形態１３に記載の銅張積層板。
実施形態２０．パーフルオロポリマーの含有量が、誘電体コーティングの総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態１３に記載の銅張積層板。
実施形態２１．セラミックフィラー成分の含有量が、誘電体コーティングの総体積に対して少なくとも約３０体積％である、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態２２．セラミックフィラー成分の含有量が、誘電体コーティングの総体積に対して約５７体積％以下である、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態２３．第１のフィラー材料の含有量が、セラミックフィラー成分の総体積に対して少なくとも約８０体積％である、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態２４．第１のフィラー材料の含有量が、セラミックフィラー成分の総体積に対して約１００体積％以下である、実施形態１、２及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態２５．セラミックフィラー成分が、第２のフィラー材料を更に含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態２６．第２のフィラー材料が高誘電率セラミック材料を含む、実施形態２５に記載の銅張積層板。
実施形態２７．高誘電率セラミック材料が、少なくとも約１４の誘電率を有する、実施形態２６に記載の銅張積層板。
実施形態２８．セラミックフィラー成分が、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４、又はそれらの任意の組み合わせを更に含む、実施形態２６に記載の銅張積層板。
実施形態２９．第２のフィラー材料の含有量が、セラミックフィラー成分の総体積に対して少なくとも約１体積％である、実施形態２５に記載の銅張積層板。
実施形態３０．第２のフィラー材料の含有量が、セラミックフィラー成分の総体積に対して約２０体積％以下である、実施形態２５に記載の銅張積層板。
実施形態３１．セラミックフィラー成分が、少なくとも約９７％の非晶質である、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態３２．誘電体コーティングが、約１０体積％以下の気孔率を含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態３３．銅張積層板が、約１０体積％以下の気孔率を含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態３４．誘電体コーティングが、少なくとも約１ミクロンの平均厚さを含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態３５．誘電体コーティングが、約２０ミクロン以下の平均厚さを含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態３６．誘電体コーティングが、約０．００５以下の誘電正接（５ＧＨｚ、２０％ＲＨ）を含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態３７．誘電体コーティングが、約０．００１以下の誘電正接（５ＧＨｚ、２０％ＲＨ）を含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態３８．誘電体コーティングが、約８０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数（全軸）を含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態３９．銅張積層板が、銅箔層と誘電体コーティングとの間に少なくとも約６ｌｂ／ｉｎの剥離強度を含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態４０．誘電体コーティングが、約０．０５％以下の吸湿を含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態４１．銅箔層が、少なくとも約６ミクロンの平均厚さを含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態４２．銅箔層が、約３６ミクロン以下の平均厚さを含む、実施形態１、２、及び３のいずれか１つに記載の銅張積層板。
実施形態４３．銅張積層板を備えるプリント回路基板であって、銅張積層板が、銅箔層と、銅箔層を覆う誘電体コーティングと、を含み、誘電体コーティングが、樹脂マトリックス成分と、セラミックフィラー成分と、を含み、セラミックフィラー成分が、第１のフィラー材料を含み、誘電体コーティングが、２０ミクロン以下の平均厚さを有する、プリント回路基板。
実施形態４４．銅張積層板を備えるプリント回路基板であって、銅張積層板が、銅箔層と、銅箔層を覆う誘電体コーティングと、を含み、誘電体コーティングが、樹脂マトリックス成分と、セラミックフィラー成分と、を含み、セラミックフィラー成分が、第１のフィラー材料を含み、第１のフィラー材料の粒径分布が、少なくとも約０．２ミクロンかつ約１．６以下のＤ１０、少なくとも約０．５ミクロンかつ約２．７ミクロン以下のＤ５０、及び少なくとも約０．８ミクロンかつ約４．７ミクロン以下のＤ９０を含む、プリント回路基板。
実施形態４５．銅張積層板を備えるプリント回路基板であって、銅張積層板が、銅箔層と、銅箔層を覆う誘電体コーティングと、を含み、誘電体コーティングが、樹脂マトリックス成分と、セラミックフィラー成分と、を含み、セラミックフィラー成分が、第１のフィラー材料を含み、第１のフィラー材料が、約５ミクロン以下の平均粒径及び約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を更に含み、ＰＳＤＳが、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０が、第１のフィラー材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０が、第１のフィラー材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０が、第１のフィラー材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、プリント回路基板。
実施形態４６．第１のフィラー材料の粒径分布が、少なくとも約０．２ミクロンかつ約１．６以下のＤ１０を含む、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態４７．第１のフィラー材料の粒径分布が、少なくとも約０．５ミクロンかつ約２．７ミクロン以下のＤ５０を含む、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態４８．第１のフィラー材料の粒径分布が、少なくとも約０．８ミクロンかつ約４．７ミクロン以下のＤ９０を含む、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態４９．第１のフィラー材料が、約１０ミクロン以下の平均粒径を更に含む、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態５０．第１のフィラー材料が、約１０ミクロン以下の平均粒径を含む、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態５１．第１のフィラー材料が、約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を含み、ＰＳＤＳが、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０が、第１のフィラー材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０が、第１のフィラー材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０が、第１のフィラー材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態５２．第１のフィラー材料が、約１０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に含む、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態５３．第１のフィラー材料が、シリカ系化合物を含む、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態５４．第１のフィラー材料が、シリカを含む、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態５５．樹脂マトリックスが、パーフルオロポリマーを含む、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態５６．パーフルオロポリマーが、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせを含む、実施形態５５に記載のプリント回路基板。
実施形態５７．パーフルオロポリマーが、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、パーフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせを含む、実施形態５５に記載のプリント回路基板。
実施形態５８．パーフルオロポリマーが、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、パーフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせからなる、実施形態５５に記載のプリント回路基板。
実施形態５９．樹脂マトリックス成分の含有量が、誘電体コーティングの総体積に対して少なくとも約５０体積％である、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態６０．樹脂マトリックス成分の含有量が、誘電体コーティングの総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態６１．パーフルオロポリマーの含有量が、誘電体コーティングの総体積に対して少なくとも約５０体積％である、実施形態５５に記載のプリント回路基板。
実施形態６２．パーフルオロポリマーの含有量が、誘電体コーティングの総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態５５に記載のプリント回路基板。
実施形態６３．セラミックフィラー成分の含有量が、誘電体コーティングの総体積に対して少なくとも約５０体積％である、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態６４．セラミックフィラー成分の含有量が、誘電体コーティングの総体積に対して約５７体積％以下である、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態６５．第１のフィラー材料の含有量が、セラミックフィラー成分の総体積に対して少なくとも約８０体積％である、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態６６．第１のフィラー材料の含有量が、セラミックフィラー成分の総体積に対して約１００体積％以下である、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態６７．セラミックフィラー成分が、第２のフィラー材料を更に含む、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態６８．第２のフィラー材料が、高誘電率セラミック材料を含む、実施形態６７に記載のプリント回路基板。
実施形態６９．高誘電率セラミック材料が、少なくとも約１４の誘電率を有する、実施形態６８に記載のプリント回路基板。
実施形態７０．セラミックフィラー成分が、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４、又はそれらの任意の組み合わせを更に含む、実施形態６８に記載のプリント回路基板。
実施形態７１．第２のフィラー材料の含有量が、セラミックフィラー成分の総体積に対して少なくとも約１体積％である、実施形態６７に記載のプリント回路基板。
実施形態７２．第２のフィラー材料の含有量が、セラミックフィラー成分の総体積に対して約２０体積％以下である、実施形態６７に記載のプリント回路基板。
実施形態７３．セラミックフィラー成分が、少なくとも約９７％の非晶質である、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態７４．誘電体コーティングが、約１０体積％以下の気孔率を含む、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態７５．銅張積層板が、約１０体積％以下の気孔率を含む、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態７６．誘電体コーティングが、少なくとも約１ミクロンの平均厚さを含む、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態７７．誘電体コーティングが、約２０ミクロン以下の平均厚さを含む、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態７８．誘電体コーティングが、約０．００５以下の誘電正接（５ＧＨｚ、２０％ＲＨ）を含む、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態７９．誘電体コーティングが、約０．００１４以下の誘電正接（５ＧＨｚ、２０％ＲＨ）を含む、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態８０．誘電体コーティングが、約８０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数（全軸）を含む、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態８１．銅張積層板が、銅箔層と誘電体コーティングとの間に少なくとも約６ｌｂ／ｉｎの剥離強度を含む、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態８２．誘電体コーティングが、約０．０５％以下の吸湿を含む、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態８３．銅箔層が、少なくとも約６ミクロンの平均厚さを含む、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態８４．銅箔層が、約３６ミクロン以下の平均厚さを含む、実施形態４３、４４、及び４５のいずれか１つに記載のプリント回路基板。
実施形態８５．銅張積層板を形成する方法であって、銅箔層を提供することと、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミックフィラー前駆体成分とを合わせて、形成混合物を形成することと、形成混合物を、銅箔を覆う誘電体コーティングに形成することと、を含み、誘電体コーティングが、約２０ミクロン以下の平均厚さを有する、方法。
実施形態８６．銅張積層板を形成する方法であって、銅箔層を提供することと、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミックフィラー前駆体成分とを合わせて、形成混合物を形成することと、形成混合物を、銅箔を覆う誘電体コーティングに形成することと、を含み、セラミックフィラー前駆体成分が、第１のフィラー前駆体材料を含み、第１のフィラー前駆体材料の粒径分布が、少なくとも約０．２ミクロンかつ約１．６ミクロン以下のＤ１０、少なくとも約０．５ミクロンかつ約２．７ミクロン以下のＤ５０、及び少なくとも約０．８ミクロンかつ約４．７ミクロン以下のＤ９０を含む、方法。
実施形態８７．銅張積層板を形成する方法であって、銅箔層を提供することと、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミックフィラー前駆体成分とを合わせて、形成混合物を形成することと、形成混合物を、銅箔を覆う誘電体コーティングに形成することと、を含み、セラミックフィラー前駆体成分が、第１のフィラー前駆体材料を含み、第１のフィラー前駆体材料が、約５ミクロン以下の平均粒径及び約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を更に含み、ＰＳＤＳが、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０が、第１のフィラー前駆体材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０が、第１のフィラー前駆体材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０が、第１のフィラー前駆体材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、方法。
実施形態８８．第１のフィラー前駆体材料の粒径分布が、少なくとも約０．２ミクロンかつ約１．６ミクロン以下のＤ１０を含む、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態８９．第１のフィラー前駆体材料の粒径分布が、少なくとも約０．５ミクロンかつ約２．７ミクロン以下のＤ５０を含む、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態９０．第１のフィラー前駆体材料の粒径分布が、少なくとも約０．８ミクロンかつ約４．７ミクロン以下のＤ９０を含む、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態９１．第１のフィラー前駆体材料が、約１０ミクロン以下の平均粒径を更に含む、実施形態８５に記載の方法。
実施形態９２．第１のフィラー前駆体材料が、約１０ミクロン以下の平均粒径を含む、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態９３．第１のフィラー前駆体材料が、約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を含み、ＰＳＤＳが、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０が、第１のフィラー前駆体材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０が、第１のフィラー前駆体材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０が、第１のフィラー前駆体材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態９４．第１のフィラー前駆体材料が、約１０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に含む、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態９５．第１のフィラー前駆体材料が、シリカ系化合物を含む、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態９６．第１のフィラー前駆体材料が、シリカを含む、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態９７．樹脂マトリックス前駆体成分が、パーフルオロポリマーを含む、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態９８．パーフルオロポリマーが、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせを含む、実施形態９７に記載の方法。
実施形態９９．パーフルオロポリマーが、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、パーフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせを含む、実施形態９７に記載の方法。
実施形態１００．パーフルオロポリマーが、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、パーフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせからなる、実施形態９７に記載の方法。
実施形態１０１．樹脂マトリックス前駆体成分の含有量が、誘電体コーティングの総体積に対して少なくとも約５０体積％である、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１０２．樹脂マトリックス前駆体成分の含有量が、誘電体コーティングの総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１０３．パーフルオロポリマーの含有量が、誘電体コーティングの総体積に対して少なくとも約５０体積％である、実施形態９７に記載の方法。
実施形態１０４．パーフルオロポリマーの含有量が、誘電体コーティングの総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態９７に記載の方法。
実施形態１０５．セラミックフィラー前駆体成分の含有量が、誘電体コーティングの総体積に対して少なくとも約５０体積％である、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１０６．セラミックフィラー前駆体成分の含有量が、誘電体コーティングの総体積に対して約５７体積％以下である、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１０７．第１のフィラー前駆体材料の含有量が、セラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して少なくとも約８０体積％である、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１０８．第１のフィラー前駆体材料の含有量が、セラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して約１００体積％以下である、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１０９．セラミックフィラー前駆体成分が、第２のフィラー前駆体材料を更に含む、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１１０．第２のフィラー前駆体材料が、高誘電率セラミック材料を含む、実施形態１０９に記載の方法。
実施形態１１１．高誘電率セラミック材料が、少なくとも約１４の誘電率を有する、実施形態１１０に記載の方法。
実施形態１１２．セラミックフィラー前駆体成分が、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４、又はそれらの任意の組み合わせを更に含む実施形態１１０の方法。
実施形態１１３．第２のフィラー前駆体材料の含有量が、セラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して少なくとも約１体積％である、実施形態１０９に記載の方法。
実施形態１１４．第２のフィラー前駆体材料の含有量が、セラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して約２０体積％以下である、実施形態１０９に記載の方法。
実施形態１１５．セラミックフィラー前駆体成分が少なくとも約９７％の非晶質である、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１１６．誘電体コーティングが、約１０体積％以下の気孔率を含む、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１１７．銅張積層板が、約１０体積％以下の気孔率を含む、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１１８．誘電体コーティングが、少なくとも約１ミクロンの平均厚さを含む、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１１９．誘電体コーティングが、約２０ミクロン以下の平均厚さを含む、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１２０．誘電体コーティングが、約０．００５以下の誘電正接（５ＧＨｚ、２０％ＲＨ）を含む、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１２１．誘電体コーティングが、約０．００１４以下の誘電正接（５ＧＨｚ、２０％ＲＨ）を含む、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１２２．誘電体コーティングが、約８０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数（全軸）を含む、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１２３．銅張積層板が、銅箔層と誘電体コーティングとの間に少なくとも約６ｌｂ／ｉｎの剥離強度を含む、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１２４．誘電体コーティングが、約０．０５％以下の吸湿を含む、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１２５．銅箔層が、少なくとも約６ミクロンの平均厚さを含む、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１２６．銅箔層が、約３６ミクロン以下の平均厚さを含む、実施形態８５、８６、及び８７のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１２７．プリント回路基板を形成する方法であって、銅箔層を提供することと、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミックフィラー前駆体成分とを合わせて、形成混合物を形成することと、形成混合物を、銅箔を覆う誘電体コーティングに形成することと、を含み、誘電体コーティングが、約２０ミクロン以下の平均厚さを有する、方法。
実施形態１２８．プリント回路基板を形成する方法であって、銅箔層を提供することと、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミックフィラー前駆体成分とを合わせて、形成混合物を形成することと、形成混合物を、銅箔を覆う誘電体コーティングに形成することと、を含み、セラミックフィラー前駆体成分が、第１のフィラー前駆体材料を含み、第１のフィラー前駆体材料の粒径分布が、少なくとも約０．２ミクロンかつ約１．６ミクロン以下のＤ１０、少なくとも約０．５ミクロンかつ約２．７ミクロン以下のＤ５０、及び少なくとも約０．５ミクロンかつ約４．７ミクロン以下のＤ９０を含む、方法。
実施形態１２９．プリント回路基板を形成する方法であって、銅箔層を提供することと、樹脂マトリックス前駆体成分とセラミックフィラー前駆体成分とを合わせて、形成混合物を形成することと、形成混合物を、銅箔を覆う誘電体コーティングに形成することと、を含み、セラミックフィラー前駆体成分が、第１のフィラー前駆体材料を含み、第１のフィラー前駆体材料が、約５ミクロン以下の平均粒径及び約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を更に含み、ＰＳＤＳが、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０が、第１のフィラー前駆体材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０が、第１のフィラー前駆体材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０が、第１のフィラー前駆体材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、方法。
実施形態１３０．第１のフィラー前駆体材料の粒径分布が、少なくとも約０．２ミクロンかつ約１．６ミクロン以下のＤ１０を含む、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１３１．第１のフィラー前駆体材料の粒径分布が、少なくとも約０．５ミクロンかつ約２．７ミクロン以下のＤ５０を含む、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１３２．第１のフィラー前駆体材料の粒径分布が、少なくとも約０．８ミクロンかつ約４．７ミクロン以下のＤ９０を含む、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１３３．第１のフィラー前駆体材料が、約１０ミクロン以下の平均粒径を更に含む、実施形態１３２に記載の方法。
実施形態１３４．第１のフィラー前駆体材料が、約１０ミクロン以下の平均粒径を含む、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１３５．第１のフィラー前駆体材料が、約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を含み、ＰＳＤＳが、（Ｄ９０－Ｄ１０）／Ｄ５０に等しく、Ｄ９０が、第１のフィラー前駆体材料のＤ９０粒径分布測定値に等しく、Ｄ１０が、第１のフィラー前駆体材料のＤ１０粒径分布測定値に等しく、Ｄ５０が、第１のフィラー前駆体材料のＤ５０粒径分布測定値に等しい、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１３６．第１のフィラー前駆体材料が、約１０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に含む、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１３７．第１のフィラー前駆体材料が、シリカ系化合物を含む、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１３８．第１のフィラー前駆体材料が、シリカを含む、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１３９．樹脂マトリックス前駆体成分が、パーフルオロポリマーを含む、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１４０．パーフルオロポリマーが、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）のターポリマー、又はそれらの任意の組み合わせを含む、実施形態１３９に記載の方法。
実施形態１４１．パーフルオロポリマーが、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、パーフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせを含む、実施形態１３９に記載の方法。
実施形態１４２．パーフルオロポリマーが、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、パーフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、又はそれらの任意の組み合わせからなる、実施形態１３９に記載の方法。
実施形態１４３．樹脂マトリックス前駆体成分の含有量が、誘電体コーティングの総体積に対して少なくとも約５０体積％である、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１４４．樹脂マトリックス前駆体成分の含有量が、誘電体コーティングの総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１４５．パーフルオロポリマーの含有量が、誘電体コーティングの総体積に対して少なくとも約５０体積％である、実施形態１３９に記載の方法。
実施形態１４６．パーフルオロポリマーの含有量が、誘電体コーティングの総体積に対して約６３体積％以下である、実施形態１３９に記載の方法。
実施形態１４７．セラミックフィラー前駆体成分の含有量が、誘電体コーティングの総体積に対して少なくとも約３０体積％である、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１４８．セラミックフィラー前駆体成分の含有量が、誘電体コーティングの総体積に対して約５７体積％以下である、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１４９．第１のフィラー前駆体材料の含有量が、セラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して少なくとも約８０体積％である、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１５０．第１のフィラー前駆体材料の含有量が、セラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して約１００体積％以下である、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１５１．セラミックフィラー前駆体成分が、第２のフィラー前駆体材料を更に含む、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１５２．第２のフィラー前駆体材料が、高誘電率セラミック材料を含む、実施形態１５１に記載の方法。
実施形態１５３．高誘電率セラミック材料が、少なくとも約１４の誘電率を有する、実施形態１５２に記載の方法。
実施形態１５４．セラミックフィラー前駆体成分が、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＺｒＴｉ２Ｏ６、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ４、又はそれらの任意の組み合わせを更に含む実施形態１５２の方法。
実施形態１５５．第２のフィラー前駆体材料の含有量が、セラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して少なくとも約１体積％である、実施形態１５１の方法。
実施形態１５６．第２のフィラー前駆体材料の含有量が、セラミックフィラー前駆体成分の総体積に対して約２０体積％以下である、実施形態１５１の方法。
実施形態１５７．セラミックフィラー前駆体成分が、少なくとも約９７％の非晶質である、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１５８．誘電体コーティングが、約１０体積％以下の気孔率を含む、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１５９．銅張積層板が、約１０体積％以下の気孔率を含む、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１６０．誘電体コーティングが、少なくとも約１ミクロンの平均厚さを含む、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１６１．誘電体コーティングが、約２０ミクロン以下の平均厚さを含む、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１６２．誘電体コーティングが、約０．００５以下の誘電正接（５ＧＨｚ、２０％ＲＨ）を備える、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１６３．誘電体コーティングが、約０．００１４以下の誘電正接（５ＧＨｚ、２０％ＲＨ）を備える、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１６４．誘電体コーティングが、約８０ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数（全軸）を含む、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１６５．銅張積層板が、銅箔層と誘電体コーティングとの間に少なくとも約６ｌｂ／ｉｎの剥離強度を含む、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１６６．誘電体コーティングが、約０．０５％以下の吸湿を含む、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１６７．銅箔層が、少なくとも約６ミクロンの平均厚さを含む、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
実施形態１６８．銅箔層が、約３６ミクロン以下の平均厚さを含む、実施形態１２７、１２８、及び１２９のいずれか１つに記載の方法。
一般的な説明又は実施例で上述した活動の全てが必要とされるわけではなく、特定の活動の一部が必要とされなくてもよく、記載した活動に加えて１つ以上の更なる活動が行われてもよいことに留意されたい。更に、活動が列挙される順序は、必ずしもそれらが行われる順序ではない。
利益、他の利点、及び問題の解決策は、特定の実施形態に関して上述されている。しかしながら、利益、利点、問題の解決策、及び任意の利益、利点、又は解決策をもたらすかより顕著にする可能性がある任意の特徴は、請求項のいずれか又は全ての重要な、必要な、又は本質的な特徴として解釈されるべきではない。
本明細書に記載の実施形態の明細書及び図解は、様々な実施形態の構造の一般的な理解を提供することを意図している。明細書及び図解は、本明細書に記載の構造又は方法を使用する装置及びシステムの全ての要素及び特徴の網羅的かつ包括的な説明として役立つことを意図するものではない。別個の実施形態が単一の実施形態中に組み合わせて提供されてもよく、逆に、簡潔にするために単一の実施形態の文脈において説明されている様々な特徴が、別々に又は任意の部分的組み合わせで提供されてもよい。更に、範囲で記載された値への言及は、その範囲内の各々の値全てを含む。本明細書を読んで初めて、当業者に明らかとなる場合がある。本開示の範囲から逸脱することなく、構造的置換、論理的置換、又は別の変更を行うことができるように、他の実施形態を使用し、本開示から導出することができる。したがって、本開示は、限定的ではなく例示的なものと見なされるべきである。

Claims (12)

  1. 銅張積層板であって、
    銅箔層と、前記銅箔層を覆う誘電体コーティングと、を含み、前記誘電体コーティングが、
    樹脂マトリックス成分と、
    セラミックフィラー成分と、を含み、
    前記セラミックフィラー成分が、第１のフィラー材料を含み、前記誘電体コーティングが、約２０ミクロン以下の平均厚さを有し、
    前記セラミックフィラー成分の含有量が、前記誘電体コーティングの総体積に対して少なくとも３０体積％であり、
    前記第１のフィラー材料がシリカを含み、かつ、少なくとも約０．５ミクロンかつ約２．７ミクロン以下のＤ５０粒径分布を有し、
    前記誘電体コーティングが、約８体積％以下の気孔率を含み、
    前記第１のフィラー材料が、約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を含み、ＰＳＤＳが、（Ｄ ９０ －Ｄ １０ ）／Ｄ ５０ に等しく、Ｄ ９０ が、前記第１のフィラー材料のＤ ９０ 粒径分布測定値に等しく、Ｄ １０ が、前記第１のフィラー材料のＤ １０ 粒径分布測定値に等しく、Ｄ ５０ が、前記第１のフィラー材料のＤ ５０ 粒径分布測定値に等しく、
    前記誘電体コーティングが、約０．００５以下の誘電正接（５ＧＨｚ、２０％ＲＨ）を含む、
    銅張積層板。
  2. 前記第１のフィラー材料が、約１０ミクロン以下の平均粒径を更に含む、
    請求項１に記載の銅張積層板。
  3. 前記第１のフィラー材料が、約１０ｍ２／ｇ以下の平均表面積を更に含む、
    請求項１に記載の銅張積層板。
  4. 前記第１のフィラー材料が、シリカ系化合物を含む、
    請求項１に記載の銅張積層板。
  5. 前記第１のフィラー材料が、シリカを含む、
    請求項１に記載の銅張積層板。
  6. 前記樹脂マトリックス成分が、パーフルオロポリマーを含む、
    請求項１に記載の銅張積層板。
  7. 前記樹脂マトリックス成分の含有量が、前記誘電体コーティングの総体積に対して少なくとも約５０体積％かつ約６３体積％以下である、
    請求項１に記載の銅張積層板。
  8. 前記セラミックフィラー成分の含有量が、前記誘電体コーティングの総体積に対して少なくとも約３０体積％かつ約５７体積％以下である、
    請求項１に記載の銅張積層板。
  9. 前記第１のフィラー材料の含有量が、前記セラミックフィラー成分の総体積に対して少なくとも約８０体積％かつ約１００体積％以下である、
    請求項１に記載の銅張積層板。
  10. 銅張積層板を備えるプリント回路基板であって、前記銅張積層板が、
    銅箔層と、前記銅箔層を覆う誘電体コーティングと、を含み、前記誘電体コーティングが、
    樹脂マトリックス成分と、
    セラミックフィラー成分と、を含み、
    前記セラミックフィラー成分が、第１のフィラー材料を含み、
    前記誘電体コーティングが、２０ミクロン以下の平均厚さを有し、
    前記セラミックフィラー成分の含有量が、前記誘電体コーティングの総体積に対して少なくとも３０体積％であり、
    前記第１のフィラー材料がシリカを含み、かつ、少なくとも約０．５ミクロンかつ約２．７ミクロン以下のＤ５０粒径分布を有し、
    前記誘電体コーティングが、約８体積％以下の気孔率を含み、
    前記第１のフィラー材料が、約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を含み、ＰＳＤＳが、（Ｄ ９０ －Ｄ １０ ）／Ｄ ５０ に等しく、Ｄ ９０ が、前記第１のフィラー材料のＤ ９０ 粒径分布測定値に等しく、Ｄ １０ が、前記第１のフィラー材料のＤ １０ 粒径分布測定値に等しく、Ｄ ５０ が、前記第１のフィラー材料のＤ ５０ 粒径分布測定値に等しく、
    前記誘電体コーティングが、約０．００５以下の誘電正接（５ＧＨｚ、２０％ＲＨ）を含む、
    プリント回路基板。
  11. 前記第１のフィラー材料が、約１０ミクロン以下の平均粒径を更に含む、
    請求項１０に記載のプリント回路基板。
  12. 銅張積層板を形成する方法であって、前記方法が、
    銅箔層を提供することと、
    樹脂マトリックス前駆体成分とセラミックフィラー前駆体成分とを合わせて、形成混合物を形成することと、
    前記形成混合物を、前記銅箔層を覆う誘電体コーティングに形成することと、を含み、
    前記誘電体コーティングが、約２０ミクロン以下の平均厚さを有し、
    前記セラミックフィラー前駆体成分が、第１のフィラー前駆体材料を含み、
    前記セラミックフィラー前駆体成分の含有量が、前記形成混合物の総体積に対して少なくとも３０体積％であり、
    前記第１のフィラー前駆体材料がシリカを含み、かつ、少なくとも約０．５ミクロンかつ約２．７ミクロン以下のＤ５０粒径分布を有し、
    前記誘電体コーティングが、約８体積％以下の気孔率を含み、
    前記第１のフィラー前駆体材料が、約５以下の粒径分布スパン（ＰＳＤＳ）を含み、ＰＳＤＳが、（Ｄ ９０ －Ｄ １０ ）／Ｄ ５０ に等しく、Ｄ ９０ が、前記第１のフィラー前駆体材料のＤ ９０ 粒径分布測定値に等しく、Ｄ １０ が、前記第１のフィラー前駆体材料のＤ １０ 粒径分布測定値に等しく、Ｄ ５０ が、前記第１のフィラー前駆体材料のＤ ５０ 粒径分布測定値に等しく、
    前記誘電体コーティングが、約０．００５以下の誘電正接（５ＧＨｚ、２０％ＲＨ）を含む、
    方法。
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