JP2890747B2 - フレキシブルプリント回路基板及びその製造方法 - Google Patents
フレキシブルプリント回路基板及びその製造方法Info
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Description
基板及びその製造方法に関するものである。
を有するプリント回路基板であって、近年、プリント回
路が納まるケース類がコンパクト化される等の傾向と相
俟って利用が増大している。このようなフレキシブルプ
リント回路基板は、従来、金属箔に電気絶縁性の耐熱性
フィルム(特にポリイミドフィルム)をフェノール系、
エポキシ系等の接着剤を用いて貼り合わせて製造されて
いる。
気特性及び機械特性に非常に優れているが、接着剤のそ
れらの特性が不充分であるため、耐熱性フィルムの特性
が充分に生かされていないという問題があった。
ント回路基板を種々検討した結果、フッ素樹脂を介して
ポリイミドフィルムと金属箔を重ね、使用したフッ素樹
脂の融点より高い温度と圧力をホットプレスや熱ロール
により加えることにより、耐熱性に優れたフレキシブル
プリント回路基板が製造できることを見い出し、本発明
に至った。
とがフッ素樹脂を介して接着され、且つ前記フッ素樹脂
の厚みが前記ポリイミドフィルムの厚みよりも小さいこ
とを特徴とするフレキシブルプリント回路基板を、 本発明の第2は、フィルム状のポリイミド樹脂に前記
ポリイミド樹脂よりも厚みの小さいフッ素樹脂を介して
金属箔を加熱圧着することを特徴とするフレキシブルプ
リント回路基板の製造方法を、 それぞれ内容とするものである。
%以上、好ましくは50〜76重量%のフッ素含有量のもの
が用いられる。代表的には、四フッ化エチレン−六フッ
化プロピレン共重合体、四フッ化エチレン、四フッ化エ
チレン−パーフルオロビニルエーテル共重合体、四フッ
化エチレン−エチレン共重合体、ポリビニリデンフルオ
ライド、三フッ化塩化エチレン等が挙げられ、これらは
単独又は2種以上組み合わせて用いられる。ポリイミド
フィルムは金属箔との接着強度を高くするために、上記
フッ素樹脂のフィルムの表面は、活性化されていること
が望ましい。活性化の方法としては、例えば、アセト
ン、メチルエチルケトン、酢酸等の有機溶媒雰囲気中で
コロナ処理を行う方法がある。コロナ処理条件は、20〜
500W・分/m2が好ましい。
ム等通常フレキシブルプリント回路基板に使用される金
属箔が使用できる。
方法としては、まずポリイミドフィルムとフッ素樹脂フ
ィルムを予めラミネートする方法、ポリイミドフィルム
上にフッ素樹脂を塗布する方法等もあるが、熱ロールや
ホットプレスの直前でポリイミドフィルムとフッ素樹脂
フィルムと金属箔とを重ねてもよい。
るフッ素樹脂の種類により異なってくるが、通常5〜12
5μmである。
用するフッ素樹脂の融点より高い温度であればよい。熱
ロールを使用する場合、ロールの通過時間は0.001〜1
秒が好ましく、ホットプレスを使用する場合、プレス時
間は5〜60分が好ましい。
は、接着する温度、使用するフッ素樹脂により変わって
くるが、0.5〜1000kg/cm2の範囲で使用される。
ロールにより接着しただけのフレキシブルプリント回路
基板の金属箔接着強度はあまり大きくない。しかし、こ
のフレキシブルプリント回路基板を200〜450℃の熱処理
炉に5〜20分入れ、アフターキュアを施すことにより金
属箔の接着強度を上げることが出来る。この際、熱処理
炉の温度が高すぎたり、処理時間が長すぎたりすると金
属箔自身が劣化してしまう。
着してフレキシブルプリント回路基板を得る場合は、ホ
ットプレスの直後に冷却プレスを行うのが好ましい。冷
却プレスは、0〜30℃の温度、0.5〜1000kg/cm2の圧力
にて5〜60分間行うのが好ましい。
説明するが、これらは本発明の範囲を何ら限定するもの
ではない。
μmの四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体
のフィルムを、260℃に加熱したロールに通すことによ
り(ラインスピード10m/分、圧力7kg/cm2)熱融着し
た。(このポリイミドフィルムとフッ素樹脂フィルムと
を貼り合わせた積層フィルムは、鐘淵化学工業(株)よ
り登録商標「アピカルAFタイプ019」として上市されて
いる。)次に、このフィルムのフッ素樹脂面を35μm電
解銅箔の粗面と向かい合わせ、290℃のロールを通して
(ラインスピード5m/分、圧力7kg/cm2)接着し、フレキ
シブルプリント回路基板を得た。
表に示す。
℃のオーブン中にて10分間のアフターキュアを行った。
示す。
の間に、厚さ12.5μmの四フッ化エチレン−六フッ化プ
ロピレン共重合体のフィルムを挟み、290℃のホットプ
レスにて(圧力50kg/cm2、プレス時間30分)接着し、フ
レキシブルプリント回路基板を得た。
表に示す。
(圧力50kg/cm2、プレス時間30分)を行い、フレキシブ
ルプリント回路基板を得た。
示す。
をエポキシ系の市販接着剤を用いて接着して厚み約80μ
mのフレキシブルプリント回路基板を作製した。
表に示す。
ェノール系市販接着剤を使用し、フレキシブルプリント
回路基板を作製した。
表に示す。
中に30秒浸漬したのち、「膨れ」、「ポリイミドフィル
ムの変形」を観察した。
イミドフィルムの特性を充分に生かし、耐熱性、電気特
性及び接着性に優れ、耐熱性、絶縁性、接着性の益々要
求される電子回路の分野において、極めて有用な回路基
板を提供するものである。
Claims (6)
- 【請求項1】ポリイミドフィルムと金属箔とがフッ素樹
脂を介して接着され、且つ前記フッ素樹脂の厚みが前記
ポリイミドフィルムの厚みよりも小さいことを特徴とす
るフレキシブルプリント回路基板。 - 【請求項2】フッ素樹脂が四フッ化エチレン−六フッ化
プロピレン共重合体である請求項1記載のフレキシブル
プリント回路基板。 - 【請求項3】フィルム状のポリイミド樹脂に前記ポリイ
ミド樹脂よりも厚みの小さいフッ素樹脂を介して金属箔
を加熱圧着することを特徴とするフレキシブルプリント
回路基板の製造方法。 - 【請求項4】フッ素樹脂として四フッ化エチレン−六フ
ッ化プロピレン共重合体を用いる請求項3記載の製造方
法。 - 【請求項5】加熱圧着を熱ロールにより行った後、アフ
ターキュアを施す請求項3又は4記載の製造方法。 - 【請求項6】加熱圧着をホットプレスにより行った後、
冷却プレスを行う請求項3又は4記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22336590A JP2890747B2 (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | フレキシブルプリント回路基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP22336590A JP2890747B2 (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | フレキシブルプリント回路基板及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04105392A JPH04105392A (ja) | 1992-04-07 |
JP2890747B2 true JP2890747B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=16797005
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22336590A Expired - Lifetime JP2890747B2 (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | フレキシブルプリント回路基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2890747B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140118917A (ko) | 2013-03-29 | 2014-10-08 | 듀폰 도레이 컴파니, 리미티드 | 고주파 회로 기판용 커버레이 |
US9307638B2 (en) | 2012-07-11 | 2016-04-05 | Lg Chem, Ltd. | Flexible metal laminate |
US11549035B2 (en) | 2020-12-16 | 2023-01-10 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Dielectric substrate and method of forming the same |
US11596064B2 (en) | 2020-07-28 | 2023-02-28 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Dielectric substrate and method of forming the same |
-
1990
- 1990-08-24 JP JP22336590A patent/JP2890747B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20140118917A (ko) | 2013-03-29 | 2014-10-08 | 듀폰 도레이 컴파니, 리미티드 | 고주파 회로 기판용 커버레이 |
US11596064B2 (en) | 2020-07-28 | 2023-02-28 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Dielectric substrate and method of forming the same |
US11805600B2 (en) | 2020-07-28 | 2023-10-31 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Dielectric substrate and method of forming the same |
US11549035B2 (en) | 2020-12-16 | 2023-01-10 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Dielectric substrate and method of forming the same |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04105392A (ja) | 1992-04-07 |
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