TWI725538B

TWI725538B - 金屬箔積層板、印刷電路板、及金屬箔積層板之製法

Info

Publication number: TWI725538B
Application number: TW108132165A
Authority: TW
Inventors: 黃仕頴; 劉淑芬; 林楷翔
Original assignee: 台燿科技股份有限公司
Priority date: 2019-09-04
Filing date: 2019-09-04
Publication date: 2021-04-21
Also published as: US20210060900A1; US11840047B2; TW202110629A; CN112440534A; CN112440534B

Abstract

本發明提供一種金屬箔積層板、應用彼之印刷電路板及金屬箔積層板之製造方法，其中該金屬箔積層板包含：一第一介電層，包含第一介電材料且不包含補強布，其中第一介電材料包含20重量%至60重量%之第一氟高分子及40重量%至80重量%之第一填料；一第二介電層，設置於第一介電層之至少一側，且包含補強布及形成於該補強布表面之第二介電材料，其中該補強布的厚度係不大於65微米，且第二介電材料包含55重量%至100重量%之第二氟高分子及0至45重量%之第二填料；以及一金屬箔，設置於第二介電層之與第一介電層相對的另一側。

Description

金屬箔積層板、印刷電路板、及金屬箔積層板之製法

本發明係關於一種金屬箔積層板，特別是關於一種氟高分子(fluoropolymer)金屬箔積層板以及該氟高分子金屬箔積層板之製造方法。本發明之氟高分子金屬箔積層板特別適合作為高頻技術領域之電路基板，包括射頻(RF)應用、微波(microwave)、毫米波(mm wave)、天線(antenna)、雷達(radar)等技術領域，尤其能滿足第五代行動通訊(5G)、進階駕駛人輔助系統(ADAS)、人工智慧(AI)等先進應用對高階材料之要求。

隨著電子產品的應用逐漸朝高頻化、高速化、電子元件小型化、及基板線路高密度化等趨勢發展，對電子材料的物化性質要求也隨之提升，傳統的環氧樹脂介電材料之特性已不敷使用，取而代之的是以氟高分子(fluoropolymer)，例如聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE)，作為金屬箔積層板的介電材料。一般而言，以氟高分子作為金屬箔積層板中的介電(dielectric)材料時，所製金屬箔積層板除具備極佳的電性之外(介電常數(Dk)、介電耗損因子(Df)皆低)，其耐化學酸鹼性、耐溼性、難燃性亦佳。

US 3,556,161最早提出一種無玻布型氟高分子積層板，其中係使用PTFE粉末來製造介電層。隨後，US 4,335,180提出另一種積層板，其中係將氟高分子、陶瓷填料、短玻璃纖維(microfiber)、絮凝劑(flocculant)所組成的麵團狀(dough-like)材料加以擠壓(extrusion)成型而得到介電層，再進一步貼合銅箔而製成銅箔積層板。US 4,849,284進一步提出使用偶合劑對陶瓷填料進行表面處理，再將該陶瓷填料添加至氟高分子樹脂中，由此所製得的銅箔積層板具有低Dk、低Df等特性。如第1圖所示，上述積層板之製法係於介電層11上直接壓合金屬箔12，以形成金屬箔積層板1。然而，所製積層板由於不含玻璃纖維布作為補強材料，導致積層板的剛性不足，在後續印刷電路板(printed circuit board，PCB)的鑽孔製程中，積層板容易因鑽針下壓力而受壓變形，從而影響鑽孔位置的正確性。

因此，目前仍需要一種可提供具有良好剛性之氟高分子積層板的技術方案。

有鑑於上述技術問題，本發明提供一種金屬箔積層板，其係藉由在氟高分子積層板中組合使用不含補強布之介電層與含補強布之介電層，從而在不影響積層板外觀平整度之情況下，改良積層板整體的剛性，解決先前技術中無補強布之氟高分子積層板普遍存在之因剛性不足而導致積層板在後續印刷電路板鑽孔製程中容易變形而影響鑽孔位置正確性的問題。

因此，本發明之一目的在於提供一種金屬箔積層板，包含：一第一介電層，包含第一介電材料且不包含補強布，其中第一介電材料包含20重量%至60重量%之第一氟高分子及40重量%至80重量%之第一填料；一第二介電層，設置於第一介電層之至少一側，且包含補強布及形成於該補強布表面之第二介電材料，其中該補強布的厚度係不大於65微米，且第二介電材料包含55重量%至100重量%之第二氟高分子及0至45重量%之第二填料；以及一金屬箔，設置於第二介電層之與第一介電層相對的另一側。

於本發明之部分實施態樣中，該第一氟高分子及該第二氟高分子係各自獨立選自以下群組：聚四氟乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer，FEP)、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(tetrafluoroethylene-perfluorinated alkyl vinyl ether copolymer)、及前述之組合。

於本發明之部分實施態樣中，該第二氟高分子之熔點係低於該第一氟高分子之熔點。

於本發明之部分實施態樣中，該補強布係玻璃纖維布。

於本發明之部分實施態樣中，該補強布係選自以下群組：E-玻璃纖維布(E-glass fabric)、NE-玻璃纖維布(NE-glass fabric)、S-玻璃纖維布(S-glass fabric)、L-玻璃纖維布(L-glass fabric)、D-玻璃纖維布(D-glass fabric)、石英玻璃纖維布(quartz glass fabric)、芳香族聚醯胺纖維布(如克維拉纖維布(Kevlar fabric))、聚四氟乙烯纖維布 (polytetrafluoroethylene fabric)、聚酯纖維布、及液晶高分子纖維布(liquid crystal polymer(LCP)fabric)。

於本發明之部分實施態樣中，該補強布的厚度係不大於40微米。

於本發明之部分實施態樣中，第一填料及第二填料係各自獨立選自以下群組：二氧化矽(包括球型二氧化矽、熔融態二氧化矽、非熔融態二氧化矽、多孔質二氧化矽、中空型二氧化矽、及奈米二氧化矽)、氧化鋁、氧化鎂、氫氧化鎂、碳酸鈣、滑石、黏土、氮化鋁、氮化硼、氫氧化鋁、碳化鋁矽、碳化矽、碳酸鈉、二氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯、石英、鑽石、類鑽石碳、石墨、煅燒高嶺土、白嶺土、雲母、水滑石、聚四氟乙烯粉末、玻璃珠、陶瓷晶鬚、奈米碳管、奈米級無機粉體、鈦酸鍶、及前述之組合。

於本發明之部分實施態樣中，該金屬箔積層板以動態機械分析儀在頻率1Hz及溫度70℃之條件下測得之儲存模數(storage modulus)係大於4000MPa。

本發明之另一目的在於提供一種印刷電路板，其係由如上所述之金屬箔積層板所製得。

本發明之又一目的在於提供一種金屬箔積層板之製造方法，包含：提供一第一介電層，其包含第一介電材料且不包含補強布，其中第一介電材料包含20重量%至60重量%之第一氟高分子及40重量%至80重量%之第一填料；提供一第二介電層並設置於第一介電層之至少一側，其中第二介電層包含補強布及形成於該補強布表面之第二介電材料，該補強布的厚度係不大於65微米，且第二介電材料包含55重量%至100重量%之第二氟高分子及0重量%至45重量%之第二填料；提供一金屬箔並設置於第二介電層之與第一介電層相對的另一側，以提供一層疊物(superimposed object)；以及對該層疊物進行一熱壓步驟，以提供一金屬箔積層板。

為使本發明之上述目的、技術特徵及優點能更明顯易懂，下文係以部分具體實施態樣進行詳細說明。

1、2‧‧‧金屬箔積層板

11‧‧‧介電層

12、23‧‧‧金屬箔

21‧‧‧第一介電層

22‧‧‧第二介電層

第1圖為先前技術之金屬箔積層板的示意圖。

第2圖為本發明金屬箔積層板之一實施態樣的示意圖。

以下將具體地描述根據本發明之部分具體實施態樣；惟，在不背離本發明之精神下，本發明尚可以多種不同形式之態樣來實踐，不應將本發明保護範圍解釋為限於說明書所陳述者。

除非文中有另外說明，於本說明書中(尤其是在後述專利申請範圍中)所使用之「一」、「該」及類似用語應理解為包含單數及複數形式。

除非文中有另外說明，於本說明書中描述溶液、混合物、組合物、或膠水(varnish)中所含之成分時，係以固含量(dry weight)計算，即，未納入溶劑之重量。

除非文中有另外說明，於本說明書中(尤其是在後述專利申請範圍中)，所使用之「第一」、「第二」及類似用語僅係用於區隔所描述之元件或成分，本身並無特殊涵義，且非意欲指代先後順序。

除非文中有另外說明，於本說明書中提及「浸漬(impregnate)」作為一技術手段時，應理解，該技術手段包括含浸(dip)、塗佈(coat)、噴塗(spray)或其它具有實質上相同功能效果的技術手段。

如前文說明，本發明藉由在氟高分子積層板中組合使用不含補強布之介電層與含補強布之介電層，從而在不影響積層板外觀平整度之情況下，改良積層板整體的剛性。茲以部分實施態樣說明本發明相關技術特徵及功效如下。

1.金屬箔積層板

本發明之金屬箔積層板包含第一介電層、設置於第一介電層之至少一側之第二介電層、及設置於第二介電層之與該第一介電層相對之另一側的金屬箔。第2圖為本發明金屬箔積層板之一實施態樣的示意圖，為使各元件獨立且清晰地呈現，金屬箔積層板之堆疊結構係以分離形式表示。如第2圖所示，金屬箔積層板2係包含第一介電層21、第二介電層22、及金屬箔23，其中第一介電層21之二側分別設有一第二介電層22，且各該第二介電層22之與該第一介電層21相對之另一側分別設有金屬箔23。

於本發明之部分實施態樣中，金屬箔積層板以動態機械分析儀在頻率1Hz及溫度70℃之條件下測得之儲存模數係大於4000MPa，較佳大於5000Mpa，更佳大於11000Mpa。

1.1.金屬箔積層板之第一介電層

第一介電層包含第一介電材料且不包含補強布，其中「補強布」之定義將於下文第1.2.1點中詳細描述。於部分實施態樣中，第一介電層係實質上由第一介電材料所構成或由第一介電材料所構成。

第一介電材料包含第一氟高分子及第一填料。於部分實施態樣中，該第一介電材料係實質上由第一氟高分子及第一填料所構成、或由第一氟高分子及第一填料所構成。以第一介電材料之總重量計，第一氟高分子之含量為20重量%至60重量%，例如21重量%、22重量%、23重量%、24重量%、25重量%、26重量%、27重量%、28重量%、29重量%、30重量%、31重量%、32重量%、33重量%、34重量%、35重量%、36重量%、37重量%、38重量%、39重量%、40重量%、41重量%、42重量%、43重量%、44重量%、45重量%、46重量%、47重量%、48重量%、49重量%、50重量%、51重量%、52重量%、53重量%、54重量%、、55重量%、56重量%、57重量%、58重量%、或59重量%。以第一介電材料之總重量計，第一填料之含量為40重量%至80重量%，例如41重量%、42重量%、43重量%、44重量%、45重量%、46重量%、47重量%、48重量%、49重量%、50重量%、51重量%、52重量%、53重量%、54重量%、55重量%、56重量%、57重量%、58重量%、59重量%、60重量%、61重量%、62重量%、63重量%、64重量%、65重量%、66重量%、67重量%、68重量%、69重量%、70重量%、 71重量%、72重量%、73重量%、74重量%、75重量%、76重量%、77重量%、78重量%、或79重量%。若第一填料之含量低於所述範圍(例如低於40重量%)，將使得金屬箔積層板之尺寸安定性變差；反之，若第一填料之含量高於所述範圍(例如高於80重量%)，將使得金屬箔積層板之厚度均勻性及抗撕強度變差。

第一氟高分子及下文將描述之第二氟高分子係指含有氟原子的同元聚合物(homopolymer)或共聚物(copolymer)，特定言之，係指具有多重強碳-氟鍵之氟碳系(fluorocarbon-based)高分子。一般而言，含氟高分子具有耐溶劑性、耐酸性、耐鹼性等特性，且因具有強碳-氟鍵而具有優良的穩定性。此外，含氟高分子亦具有優良的介電特性及寬廣的使用溫度範圍，可應用於電子、化學、機械製造等多種工業或產業上。

具體而言，第一氟高分子及下文將描述之第二氟高分子可各自獨立為選自以下群組之單體的同元聚合物、選自以下群組之單體之二或多者的共聚物、或選自以下群組之單體與其他共單體的共聚物：四氟乙烯、偏二氟乙烯(vinylidene fluoride)、氟乙烯、全氟醚(perfluoroether)、三氟氯乙烯(chlorotrifluoroethylene)、及六氟丙烯(hexafluoropropylene)。全氟醚包括含有烯基之全氟醚類，例如全氟烷基乙烯基醚。全氟烷基乙烯基醚之實例包括但不限於全氟甲基乙烯基醚(perfluoromethyl vinyl ether)。其他共單體之實例包括但不限於全氟丁基乙烯(perfluorobutyl ethylene)、乙烯、丙烯、及丁烯。

第一氟高分子或下文將描述之第二氟高分子之實例包括聚四氟乙烯(PTFE)、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP)、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)、四氟乙烯-六氟丙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物、聚三氟氯乙烯(PCTFE)、聚偏二氟乙烯、聚氟乙烯、及四氟乙烯-乙烯共聚物。各該氟高分子可單獨使用或任意組合使用。於本發明之部分實施態樣中，該第一氟高分子及該第二氟高分子係各自獨立為聚四氟乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物、或前述之任意組合。

第一填料及下文將描述第二填料之種類並無特殊限制，可由本發明所屬技術領域具通常知識者視需要選擇，以針對性改善金屬箔積層板之性質，如機械強度、導熱性或尺寸安定性，此外，第一填料及第二填料可相同或不同。第一填料及第二填料的實例包括但不限於二氧化矽(包括球型二氧化矽、熔融態二氧化矽、非熔融態二氧化矽、多孔質二氧化矽、中空型二氧化矽、及奈米二氧化矽)、氧化鋁、氧化鎂、氫氧化鎂、碳酸鈣、滑石、黏土、氮化鋁、氮化硼、氫氧化鋁、碳化鋁矽、碳化矽、碳酸鈉、二氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯、石英、鑽石、類鑽石碳、石墨、煅燒高嶺土、白嶺土、雲母、水滑石、中空二氧化矽、聚四氟乙烯粉末、玻璃珠、陶瓷晶鬚、奈米碳管、奈米級無機粉體、及鈦酸鍶。前述填料可單獨使用或任意組合使用。於後附實施例中，第一填料係二氧化矽。

1.2.金屬箔積層板之第二介電層

第二介電層包含補強布及形成於該補強布表面之第二介電材料。於部分實施態樣中，該第二介電層係實質上由補強布及第二介電材料所構成或由補強布及第二介電材料所構成。第二介電層係設置於第一介電層之至少一側，於部分實施態樣中，第二介電層係設置於第一介電層之二側。

1.2.1.補強布

補強布係指由纖維材料所構成的布狀(fabric)結構增強材，形式包括織布(woven fabric)及不織布(non-woven fabric)。補強布之實例包括但不限於E-玻璃纖維布、NE-玻璃纖維布、S-玻璃纖維布、L-玻璃纖維布、D-玻璃纖維布、石英玻璃纖維布、芳香族聚醯胺纖維布(如克維拉纖維布)、聚四氟乙烯纖維布、聚酯纖維布、芳香族聚酯纖維布、及液晶高分子纖維布等熱穩定性高的材料。

為避免金屬箔積層板太厚且外觀平整度不佳，補強布的厚度較佳不大於65微米，更佳不大於45微米。具體而言，補強布之實例包括以下型號之E-玻璃纖維布或NE-玻璃纖維布的織造玻璃纖維布(woven glass fabric)：1080型(64微米)、1086型(50微米)、1078型(40微米)、106型(32微米)、1067型(35微米)、1037型(30微米)、及1035型(30微米)。

1.2.2.第二介電材料

第二介電材料包含第二氟高分子及視需要之第二填料。於部分實施態樣中，該第二介電材料係實質上由第二氟高分子及第二填料所構成、或由第二氟高分子及第二填料所構成。以該第二介電材料之總重量計，第二氟高分子之含量為55重量%至100重量%，例如56重量%、57重量%、58重量%、59重量%、60重量%、61重量%、62重量%、63重量%、64重量%、65重量%、66重量%、67重量%、68重量%、69重量%、70重量%、71 重量%、72重量%、73重量%、74重量%、75重量%、76重量%、77重量%、78重量%、79重量%、80重量%、81重量%、82重量%、83重量%、84重量%、85重量%、86重量%、87重量%、88重量%、89重量%、90重量%、91重量%、92重量%、93重量%、94重量%、95重量%、96重量%、97重量%、98重量%、或99重量%。以該第二介電材料之總重量計，第二填料之含量為0至45重量%，例如1重量%、2重量%、3重量%、4重量%、5重量%、6重量%、7重量%、8重量%、9重量%、10重量%、11重量%、12重量%、13重量%、14重量%、15重量%、16重量%、17重量%、18重量%、19重量%、20重量%、21重量%、22重量%、23重量%、24重量%、25重量%、26重量%、27重量%、28重量%、29重量%、30重量%、31重量%、32重量%、33重量%、34重量%、35重量%、36重量%、37重量%、38重量%、39重量%、40重量%、41重量%、42重量%、43重量%、或44重量%。若第二填料之含量高於所述範圍(例如高於45重量%)，將使得金屬箔積層板之厚度均勻性及抗撕強度變差。

第二氟高分子之定義及實例如前文說明。第一氟高分子與第二氟高分子的種類可相同或不同。於本發明之部分實施態樣中，第二氟高分子係與第一氟高分子不同，且第二氟高分子之熔點係低於該第一氟高分子之熔點，例如第一氟高分子的熔點可為約325℃至約340℃，而第二氟高分子的熔點可為約250℃至約320℃，俾使得第二氟高分子在熱壓過程中的流膠(resin flow)特性優於第一氟高分子，由此可提高介電層與金屬箔之間的黏著性能。具體言之，第一氟高分子可為聚四氟乙烯(PTFE，熔點約330℃)，且第二氟高分子可為四氟乙烯-全氟甲基乙烯基醚共聚物(熔點約310℃)或四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP，熔點約260℃)，四氟乙烯-全氟甲基乙烯基醚共聚物與四氟乙烯-六氟丙烯共聚物在熱壓時可提供相較於聚四氟乙烯更佳之流膠特性。有關四氟乙烯-全氟甲基乙烯基醚共聚物與四氟乙烯-六氟丙烯共聚物之流膠特性及其他性質之資訊可參考生益科技公司之CN 101838431B、CN 103102627B等專利文獻，該等文獻全文併於此以供參考。

第二填料之定義及實例如前文說明。於後附實施例中，係使用二氧化矽作為第二填料。

1.3.金屬箔積層板之金屬箔

金屬箔之實例包括但不限於銅、不鏽鋼、鋁、鋅、鐵、鎳、金、銀、過渡金屬、或前述二或多者之合金等具有良好導電性的材料。於本發明部分實施態樣中係使用銅箔，所述銅箔之表面可經粗化或未經粗化。銅箔之實例包括但不限於高溫延展性(High Temperature Elongation，HTE)銅箔(表面粗糙度Ra：6微米至10微米)、反轉處理銅箔(Reverse Treatment Foil，RTF)(Ra：2微米至5微米)、超低稜線(Very Low Profile，VLP)銅箔(Ra：小於2微米)、極低稜線(Hyper Very Low Profile，HVLP)銅箔(Ra：小於1.5微米)。

2.印刷電路板

本發明金屬箔積層板可藉由進一步圖案化其外側之金屬箔，而形成印刷電路板，因此本發明亦提供一種印刷電路板，其係藉由進一步圖案化本發明積層板之外側的金屬箔所製得，其中圖案化金屬箔之方法並無特殊限制，其實例包括但不限於光蝕刻法、網版印刷法、及噴墨印刷法。

3.金屬箔積層板之製造方法

本發明金屬箔積層板之製造方法係包含如下步驟：提供一第一介電層，其包含第一介電材料且不包含補強布，其中第一介電材料包含20重量%至60重量%之第一氟高分子及40重量%至80重量%之第一填料；提供一第二介電層並設置於第一介電層之至少一側，其中第二介電層包含補強布及形成於該補強布表面之第二介電材料，該補強布的厚度係不大於65微米，且第二介電材料包含55重量%至100重量%之第二氟高分子及0至45重量%之第二填料；提供一金屬箔並設置於第二介電層之與第一介電層相對的另一側，以提供一層疊物(superimposed object)；以及對該層疊物進行一熱壓步驟，以提供一金屬箔積層板。

其中補強布、第一介電材料、第二介電材料及金屬箔之定義係如前文說明。

於本發明之部分實施態樣中，金屬箔積層板係以下述方法製備。

首先，將第一氟高分子、第一填料、及視需要之添加劑(如偶合劑、黏度調整劑)混合並攪拌均勻，使其成為一麵團狀(dough-like)混合物；之後，將該麵團狀混合物透過擠製(extrusion)方式成膜，得到膜狀或片狀之不含補強布的第一介電層。關於不含補強布的第一介電層之製備方法，另可參考US 3,556,161、US 4,335,180、及US 4,849,284，該等文獻全文併於此以供參考。

隨後，將第二氟高分子與第二填料混合並分散於溶劑中，以形成一膠水，並將補強布(如玻璃纖維布)浸漬該含膠水；之後，在不低於第二氟高分子之熔點的溫度下熟成(sintering)該經浸漬之補強布，以得到第二介電層膠片。

之後，將第一介電層、第二介電層膠片、及金屬箔(例如：銅箔)層疊以提供層疊物，並對該層疊物進行熱壓，以得到本發明之氟高分子金屬箔積層板，其中，熱壓溫度較佳係高於第一氟高分子與第二氟高分子之熔點，第一介電層可使用單片或預先疊合多片，第二介電層膠片及相應之金屬箔可設置於第一介電層之一側或二側(第2圖所示為二側設置之情形)。

4.實施例

4.1.量測方式說明

茲以下列具體實施態樣進一步例示說明本發明，其中，所採用之量測儀器及方法係如下：

[儲存模數之量測]

將本發明金屬箔金層板蝕刻去除銅層，得到不含銅之測試樣品。根據參照IPC-TM-650 2.4.24.4所述之方法，以動態機械分析儀(Dynamic Mechanical Analyzer，DMA)，在頻率1Hz及溫度70℃之條件下，進行儲存模數之量測，單位為MPa，儲存模數的值越高，代表基板的剛性越好(耐壓不變形)。

4.2.實施例與比較例所用之原物料資訊列表

表1：原物料資訊列表

4.3.金屬箔積層板之製備

[實施例1]

取PTFE分散液(PTFE固含量60重量%)666.67公克與SiO₂填料600公克混合均勻以形成第一膠水(即膠水固含量中，填料佔60重量%)。將第一膠水進一步攪拌形成麵糰狀(dough-like)，並進行擠壓成型製程而得到一片狀材料，經過烘除原先存在於PTFE分散液中的水分與界面活性劑，然後以高溫360℃進行烘烤，得到不含補強布的PTFE介電層(第一介電層)。

另外，取PTFE分散液(PTFE固含量60重量%)1333.33公克與SiO₂填料200公克混合均勻以形成第二膠水(即膠水固含量中，填料佔20重量%)。將1080型E-玻璃纖維布(厚度64微米)含浸該第二膠水，共進行二次含浸以達足夠量之樹脂，經高溫360℃烘烤後得到含補強布之PTFE介電層(第二介電層)。

於不含補強布的PTFE介電層(第一介電層)二側各疊置一含補強布之PTFE介電層(第二介電層)，最後在上下二側再各放1張半盎司(half-oz)之HTE銅箔，接著使用真空高溫熱壓機於380℃、3MPa條件下壓合90分鐘，製得實施例1之金屬箔積層板。

[實施例2]

另外，取PTFE分散液(PTFE固含量60重量%)1333.33公克與SiO₂填料200公克混合均勻以形成第二膠水(即膠水固含量中，填料佔20重量%)。將1067型之E-玻璃纖維布(厚度35微米)含浸第二膠水，共進行二次含浸以達足夠量之樹脂，經高溫360℃烘烤後得到含補強布之PTFE介電層(第二介電層)。

於不含補強布的PTFE介電層(第一介電層)二側各疊置一含補強布之PTFE介電層(第二介電層)，最後在上下二側再各放1張半盎司之HTE銅箔，接著使用真空高溫熱壓機於380℃、3MPa條件下壓合90分鐘，製得實施例2之金屬箔積層板。

[比較例1]

取PTFE分散液(PTFE固含量60重量%)666.67公克與SiO₂填料600公克混合均勻以形成第一膠水(即膠水固含量中，填料佔60重量%)。將第一膠水進一步攪拌形成麵糰狀(dough-like)，並進行擠壓成型製程而得到一片狀材料，經過烘除原先存在於PTFE分散液中的水分與界面活性劑，然後以高溫360℃進行烘烤，得到不含補強布的PTFE介電層。於該不含補強布的PTFE介電層上下二側各放1張半盎司之HTE銅箔，接著使用真空高溫熱壓機於380℃、3MPa條件下壓合90分鐘，製得比較例1之金屬箔積層板。

4.4.金屬箔積層板之性質量測

將實施例1至2與比較例1所製得之金屬箔積層板進行蝕刻以去除銅層，然後進行儲存模數之量測，量測結果如下表2所示。

如表2所示，根據本發明之實施例1及2之金屬箔積層板的儲存模數明顯高於比較例1之金屬箔積層板，顯示在剛性上獲得顯著改善。

上述實施例僅為例示性說明本發明之原理及其功效，並闡述本發明之技術特徵，而非用於限制本發明之保護範疇。任何熟悉本技術者在不違背本發明之技術原理及精神下，可輕易完成之改變或安排，均屬本發明所主張之範圍。因此，本發明之權利保護範圍係如後附申請專利範圍所列。

2‧‧‧金屬箔積層板

21‧‧‧第一介電層

22‧‧‧第二介電層

23‧‧‧金屬箔

Claims

一種金屬箔積層板，包含：一第一介電層，包含第一介電材料且不包含補強布，其中第一介電材料包含20重量%至60重量%之第一氟高分子及40重量%至80重量%之第一填料；一第二介電層，設置於第一介電層之至少一側，且包含補強布及形成於該補強布表面之第二介電材料，其中該補強布的厚度係不大於65微米，且第二介電材料包含55重量%至100重量%之第二氟高分子及0至45重量%之第二填料；以及一金屬箔，設置於第二介電層之與第一介電層相對的另一側。
如請求項1所述之金屬箔積層板，其中該第一氟高分子及該第二氟高分子係各自獨立選自以下群組：聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE)、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer，FEP)、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(tetrafluoroethylene-perfluorinated alkyl vinyl ether copolymer)、及前述之組合。
如請求項1所述之金屬箔積層板，其中該第二氟高分子之熔點係低於該第一氟高分子之熔點。
如請求項1中所述之金屬箔積層板，其中該補強布係玻璃纖維布。
如請求項1所述之金屬箔積層板，其中該補強布係選自以下群組：E-玻璃纖維布(E-glass fabric)、NE-玻璃纖維布(NE-glass fabric)、 S-玻璃纖維布(S-glass fabric)、L-玻璃纖維布(L-glass fabric)、D-玻璃纖維布(D-glass fabric)、石英玻璃纖維布(quartz glass fabric)、芳香族聚醯胺纖維布(aromatic polyamide fabric)、聚四氟乙烯纖維布(PTFE fabric)、聚酯纖維布、及液晶高分子纖維布(liquid crystal polymer fabric)。
如請求項1至5中任一項所述之金屬箔積層板，其中該補強布的厚度係不大於40微米。
如請求項1至5中任一項所述之金屬箔積層板，其中第一填料及第二填料係各自獨立選自以下群組：二氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氫氧化鎂、碳酸鈣、滑石、黏土、氮化鋁、氮化硼、氫氧化鋁、碳化鋁矽、碳化矽、碳酸鈉、二氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯、石英、鑽石、類鑽石碳、石墨、煅燒高嶺土、白嶺土、雲母、水滑石、聚四氟乙烯粉末、玻璃珠、陶瓷晶鬚、奈米碳管、奈米級無機粉體、鈦酸鍶、及前述之組合。
如請求項1至5中任一項所述之金屬箔積層板，其以動態機械分析儀在頻率1Hz及溫度70℃之條件下測得之儲存模數(storage modulus)係大於4000MPa。
一種印刷電路板，其係由請求項1至8中任一項所述之金屬箔積層板所製得。
一種金屬箔積層板之製造方法，包含：提供一第一介電層，其包含第一介電材料且不包含補強布，其中第一介電材料包含20重量%至60重量%之第一氟高分子及40重量%至80重量%之第一填料；提供一第二介電層並設置於第一介電層之至少一側，其中第二介電層包含補強布及形成於該補強布表面之第二介電材料，該補強布的厚度係不大於65微米，且第二介電材料包含55重量%至100重量%之第二氟高分子及0至45重量%之第二填料；提供一金屬箔並設置於第二介電層之與第一介電層相對的另一側，以提供一層疊物(superimposed object)；以及對該層疊物進行一熱壓步驟，以提供一金屬箔積層板。