TWI833095B

TWI833095B - 敷銅層板、含其之印刷電路基板及其形成方法

Info

Publication number: TWI833095B
Application number: TW110125935A
Authority: TW
Inventors: 珍妮弗亞當丘克; 杰拉德布斯; 特瑞莎貝索齊
Original assignee: 美商聖高拜塑膠製品公司
Priority date: 2020-07-28
Filing date: 2021-07-14
Publication date: 2024-02-21
Also published as: KR20230049640A; TW202205919A; WO2022026990A1; US20220039256A1; JP2023535754A; EP4190132A1

Abstract

本揭露係關於一種敷銅層板，其可包括銅箔層及覆蓋該銅箔層的介電塗層。該介電塗層可包括樹脂基體組件，以及陶瓷填料組件。該陶瓷填料組件可包括第一填料材料。該介電塗層可具有不大於約20微米的平均厚度。

Description

敷銅層板、含其之印刷電路板及其形成方法

本揭露係關於一種敷銅層板及其形成方法。特定而言，本揭露係關於具有介電塗層的敷銅層板及其形成方法。

敷銅層板(CCL)包含積層在兩層導電銅箔之上或之間的介電材料。在隨後的作業中將此等CCL轉換為印刷電路板(PCB)。當用於形成PCB時，導電銅箔被選擇性蝕刻以形成具有通孔的電路，這些通孔在層之間鑽孔並金屬化，即電鍍，以在多層PCB中的層之間建立傳導性。因此，CCL必須表現出卓越的熱機械穩定性。在製造作業(諸如焊接)以及使用期間，PCB還經常暴露於過高的溫度下。因此，它們必須在200露於過以上的持續溫度下正常工作而不變形，並且在抵抗吸濕的同時承受劇烈的溫度波動。CCL的介電層作為導電層之間的間隔物，並且可以藉由阻斷傳導性來最小化電子訊號損失和串擾。介電層的介電常數(電容率)越低，電子訊號通過該層的速度就越高。因此，取決於溫度和頻率以及材料極化性的低損耗因數對於高頻應用非常關鍵。因此，需要可用於PCB和其他高頻應用的經改進的介電材料和介電層。

根據第一方面，敷銅層板可包括銅箔層和覆蓋銅箔層的介電塗層。該介電塗層可包括樹脂基體組件，以及陶瓷填料組件。該陶瓷填料組件可包括第一填料材料。該介電塗層可具有不大於約20微米的平均厚度。

根據另一方面，敷銅層板可包括銅箔層和覆蓋銅箔層的介電塗層。該介電塗層可包括樹脂基體組件，以及陶瓷填料組件。該陶瓷填料組件可包括第一填料材料。第一填料材料的粒徑分佈可具有至少約0.2微米且不大於約1.6微米的D₁₀、至少約0.5微米且不大於約2.7微米的D₅₀和至少約0.8微米且不大於約4.7微米的D₉₀。

根據又一方面，敷銅層板可包括銅箔層和覆蓋銅箔層的介電塗層。該介電塗層可包括樹脂基體組件，以及陶瓷填料組件。該陶瓷填料組件可包括第一填料材料。第一填料材料可進一步具有不大於約5微米的平均粒徑和不大於約5的粒徑分佈跨度(PSDS)，其中PSDS等於(D₉₀-D₁₀)/D₅₀，其中D₉₀等於第一填料材料的D₉₀粒徑分佈測量，D₁₀等於第一填料材料的D₁₀粒徑分佈測量，且D₅₀等於第一填料材料的D₅₀粒徑分佈測量。

根據另一方面，印刷電路板可包括敷銅層板。敷銅層板可包括銅箔層和覆蓋銅箔層的介電塗層。該介電塗層可包括樹脂基體組件，以及陶瓷填料組件。該陶瓷填料組件可包括第一填料材料。該介電塗層可具有不大於約20微米的平均厚度。

根據再一方面，印刷電路板可包括敷銅層板。敷銅層板可包括銅箔層和覆蓋銅箔層的介電塗層。該介電塗層可包括樹脂基體組件，以及陶瓷填料組件。該陶瓷填料組件可包括第一填料材料。第一填料材料的粒徑分佈可具有至少約0.2微米且不大於約1.6微米的D₁₀、至少約0.5微米且不大於約2.7微米的D₅₀和至少約0.8微米且不大於約4.7微米的D₉₀。

根據另一方面，印刷電路板可包括敷銅層板。敷銅層板可包括銅箔層和覆蓋銅箔層的介電塗層。該介電塗層可包括樹脂基體組件，以及陶瓷填料組件。該陶瓷填料組件可包括第一填料材料。第一填料材料可進一步具有不大於約5微米的平均粒徑和不大於約5的粒徑分佈跨度(PSDS)，其中PSDS等於(D₉₀-D₁₀)/D₅₀，其中D₉₀等於第一填料材料的D₉₀粒徑分佈測量，D₁₀等於第一填料材料的D₁₀粒徑分佈測量，且D₅₀等於第一填料材料的D₅₀粒徑分佈測量。

根據另一方面，一種形成敷銅層板的方法可包括提供銅箔層，將樹脂基體前驅物組件和陶瓷填料前驅物組件組合以形成成形混合物，以及將成形混合物形成為覆蓋銅箔層的介電塗層。陶瓷填料前驅物組件可包含第一填料前驅物材料。該介電塗層可具有不大於約20微米的平均厚度。

根據又一方面，一種形成敷銅層板的方法可包括提供銅箔層，將樹脂基體前驅物組件和陶瓷填料前驅物組件組合以形成成形混合物，以及將成形混合物形成為覆蓋銅箔層的介電塗層。陶瓷填料前驅物組件可包含第一填料前驅物材料。第一填料材料的粒徑分佈可具有至少約0.2微米且不大於約1.6微米的D₁₀、至少約0.5微米且不大於約2.7微米的D₅₀和至少約0.8微米且不大於約4.7微米的D₉₀。

根據另一方面，一種形成敷銅層板的方法可包括提供銅箔層，將樹脂基體前驅物組件和陶瓷填料前驅物組件組合以形成成形混合物，以及將成形混合物形成為覆蓋銅箔層的介電塗層。陶瓷填料前驅物組件可包含第一填料前驅物材料。第一填料前驅物材料可進一步具有不大於約5微米的平均粒徑和不大於約5的粒徑分佈跨度(PSDS)，其中PSDS等於(D₉₀-D₁₀)/D₅₀，其中D₉₀等於第一填料前驅物材料的D₉₀粒徑分佈測量，D₁₀等於第一填料前驅物材料的D₁₀粒徑分佈測量，且D₅₀等於第一填料前驅物材料的D₅₀粒徑分佈測量。

根據另一方面，一種形成印刷電路板的方法可包括提供銅箔層，將樹脂基體前驅物組件和陶瓷填料前驅物組件組合以形成成形混合物，以及將成形混合物形成為覆蓋銅箔層的介電塗層。陶瓷填料前驅物組件可包含第一填料前驅物材料。該介電塗層可具有不大於約20微米的平均厚度。

根據又一方面，一種形成印刷電路板的方法可包括提供銅箔層，將樹脂基體前驅物組件和陶瓷填料前驅物組件組合以形成成形混合物，以及將成形混合物形成為覆蓋銅箔層的介電塗層。陶瓷填料前驅物組件可包含第一填料前驅物材料。第一填料材料的粒徑分佈可具有至少約0.2微米且不大於約1.6微米的D₁₀、至少約0.5微米且不大於約2.7微米的D₅₀和至少約0.8微米且不大於約4.7微米的D₉₀。

根據另一方面，一種形成印刷電路板的方法可包括提供銅箔層，將樹脂基體前驅物組件和陶瓷填料前驅物組件組合以形成成形混合物，以及將成形混合物形成為覆蓋銅箔層的介電塗層。陶瓷填料前驅物組件可包含第一填料前驅物材料。第一填料前驅物材料可進一步具有不大於約5微米的平均粒徑和不大於約5的粒徑分佈跨度(PSDS)，其中PSDS等於(D₉₀-D₁₀)/D₅₀，其中D₉₀等於第一填料前驅物材料的D₉₀粒徑分佈測量，D₁₀等於第一填料前驅物材料的D₁₀粒徑分佈測量，且D₅₀等於第一填料前驅物材料的D₅₀粒徑分佈測量。

100、300:形成方法

110、120、130、310、320、330、340:步驟

200、401:敷銅層板

202、402:銅箔層

205、405:介電塗層

210、410:樹脂基體組件

220、420:陶瓷填料組件

400:印刷電路板

實施例係藉由實例描繪且不受限於附圖。圖1係根據本文所述實施例之敷銅層板的形成方法圖表；圖2係根據本文所述實施例形成之敷銅層板的構造示意圖；圖3係根據本文所述實施例之印刷電路板的形成方法圖表；及圖4係根據本文所述的實施例形成的印刷電路板的構造示意圖。

熟習技術者理解圖式中的元件是為簡化和清楚明確而描繪且不一定按比例繪製。

以下討論將著重於教示的特定實施方式和實施例。詳述係提供以輔助描述某些實施例，並且不應將其解釋為對本公開或教示的範圍或應用性的限制。應理解的是，其他實施例可基於如本文中所提供之公開和教示來使用。

用語「包含/包括」(comprises/comprising/includes/including)、「具有」(has/having)或任何彼等之其他變體，係意欲涵蓋非排除性含括(non-exclusive inclusion)。例如，包含一系列特徵之方法、物件或設備不一定僅限於該些特徵，而是可包括未明確列出或此方法、物件或設備固有的其他特徵。進一步地，除非有相反的明確提及，否則「或」(or)係指包含性的或(inclusive-or)而非互斥性的或(exclusive-or)。例如，條件A或B滿足下列任一者：A為真(或存在)且B為假(或不存在)、A為假(或不存在)且B為真(或存在)、以及A和B均為真(或存在)。

本文所述的實施例一般係關於一種可包括銅箔層和覆蓋銅箔層的介電塗層的敷銅層板。根據某些實施例，該介電塗層可包括樹脂基體組件，以及陶瓷填料組件。

首先參照一種形成敷銅層板之方法，圖1係根據本文所述實施例之用於形成敷銅層板的形成方法100的圖表。根據特定實施例，形成方法100可包括提供銅箔層的第一步驟110、將樹脂基體前驅物組件和陶瓷填料前驅物組件組合以形成成形混合物的第二步驟120、以及將成形混合物形成為覆蓋銅箔層的介電塗層以形成敷銅層板的第三步驟130。

根據特定實施例，陶瓷填料前驅物組件可包含第一填料前驅物材料，其可具有可改進由形成方法100形成的敷銅層板的效能的特定特性。

根據某些實施例，第一填料前驅物材料可具有特定的尺寸分佈。出於本文所述實施例之目的，材料的粒徑分佈，例如第一填料前驅物材料的粒徑分佈，可以使用粒徑分佈D-值D₁₀、D₅₀和D₉₀的任何組合來描述。來自粒徑分佈的D₁₀值定義為其中10%的粒子小於該值且90%的粒子大於該值的粒徑值。來自粒徑分佈的D₅₀值定義為其中50%的粒子小於該值且50%的粒子大於該值的粒徑值。來自粒徑分佈的D₉₀值定義為其中90%的粒子小於該值且10%的粒子大於該值的粒徑值。出於本文所述實施例之目的，特定材料的粒徑測量是使用雷射繞射光譜法進行的。

根據某些實施例，第一填料前驅物材料可具有特定的尺寸分佈D₁₀值。例如，第一填料前驅物材料的D₁₀可係至少約0.2微米，諸如至少約0.3微米、至少約0.4微米、至少約0.5微米、至少約0.6微米、至少約0.7微米、至少約0.8微米、至少約0.9微米、至少約1.0微米、至少約1.1微米或甚至至少約1.2微米。根據再一些實施例，第一填料材料的D₁₀可不大於約1.6微米，諸如不大於約1.5微米或甚至不大於約1.4微米。應理解的是，第一填料前驅物材料的D₁₀可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的任何值及包括該等最小值與最大值。應進一步理解的是，第一填料前驅物材料的D₁₀可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的範圍內及包括該等最小值與最大值。

根據其他實施例，第一填料前驅物材料可具有特定尺寸分佈D₅₀值。例如，第一填料前驅物材料的D₅₀可係至少約0.5微米，諸如至少約0.6微米、至少約0.7微米、至少約0.8微米、至少約0.9微米、至少約1.0微米、至少約1.1微米、至少約1.2微米、至少約1.3微米、至少約1.4微米、至少約1.5微米、至少約1.6微米、至少約1.7微米、至少約1.8微米、至少約1.9微米、至少約2.0微米、至少約2.1微米或甚至至少約2.2微米。根據再一些實施例，第一填料材料的D₅₀可不大於約2.7微米，諸如不大於約2.6微米、不大於約2.5微米或甚至不大於約2.4微米。應理解的是，第一填料前驅物材料的D₅₀可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的任何值及包括該等最小值與最大值。應進一步理解的是，第一填料前驅物材料的D₅₀可在介於上文所述之任何最小值與最大值之間的範圍內及包括該等最小值與最大值。

根據其他實施例，第一填料前驅物材料可具有特定尺寸分佈D₉₀值。例如，第一填料前驅物材料的D₉₀可係至少約0.8微米，諸如至少約0.9微米、至少約1.0微米、至少約1.1微米、至少約1.2微米、至少約1.3微米、至少約1.4微米、至少約1.5微米、至少約1.6微米、至少約1.7微米、至少約1.8微米、至少約1.9微米、至少約2.0微米、至少約2.1微米、至少約2.2微米、至少約2.3微米、至少約2.4微米、至少約2.5微米、至少約2.6微米或甚至至少約2.7微米。根據再一些實施例，第一填料材料的D₉₀可不大於約8.0微米，諸如不大於約7.5微米、不大於約7.0微米、不大於約6.5微米、不大於約6.0微米、不大於約5.5微米、不大於約5.4微米、不大於約5.3微米、不大於約5.2微米或甚至不大於約5.1微米。應理解的是，第一填料前驅物材料的D₉₀可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的任何值及包括該等最小值與最大值。應進一步理解的是，第一填料前驅物材料的D₉₀可在介於上文所述之任何最小值與最大值之間的範圍內及包括該等最小值與最大值。

根據再一些實施例，第一填料前驅物材料可具有使用雷射繞射光譜法測量的特定平均粒徑。根據其他實施例，第一填料前驅物材料的平均粒徑可係不大於約10微米，諸如不大於約9微米、不大於約8微米、不大於約7微米、不大於約6微米、不大於約5微米、不大於約4微米、不大於約3微米或甚至不大於約2微米。應理解的是，第一填料前驅物材料的平均粒徑可係介於上文所述之任何值之間的任何值及包括該等任何值。應進一步理解的是，第一填料前驅物材料的平均粒徑可在介於上文所述之任何值之間的範圍內及包括該等任何值。

根據再一些實施例，第一填料前驅物材料可描述為具有特定粒徑分佈跨度(PSDS)，其中PSDS等於(D₉₀-D₁₀)/D₅₀，其中D₉₀等於第一填料前驅物材料的D₉₀粒徑分佈測量，D₁₀等於第一填料前驅物材料的D₁₀粒徑分佈測量，且D₅₀等於第一填料前驅物材料的D₅₀粒徑分佈測量。例如，第一填料前驅物材料的PSDS可係不大於約5，諸如不大於約4.5、不大於約4.0、不大於約3.5、不大於約3.0或甚至不大於大約2.5。應理解的是，第一填料前驅物材料的PSDS可係介於上文所述之任何值之間的任何值及包括該等任何值。應進一步理解的是，第一填料前驅物材料的PSDS可在介於上文所述之任何值之間的範圍內及包括該等任何值。

根據再一些實施例，第一填料前驅物材料可描述為具有使用布魯諾-埃梅特-特勒(BET)表面積分析(氮吸附)測量的特定平均表面積。例如，第一填料前驅物材料可具有不大於約10m²/g，諸如不大於約9.9m²/g、不大於約9.5m²/g、不大於約9.0m²/g、不大於約8.5m²/g、不大於約8.0m²/g、不大於約7.5m²/g、不大於約7.0m²/g、不大於約6.5m²/g或不於約6.0m²/g、不大於約5.5m²/g、不大於約5.0m²/g、不大於約4.5m²/g、不大於約4.0m²/g或甚至不大於約3.5m²/g的平均表面積。根據再一些實施例，第一填料前驅物材料可具有至少約1.2m²/g，諸如至少約2.2m²/g的平均表面積。應理解的是，第一填料前驅物材料的平均表面積可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的任何值及包括該等最小值與最大值。應進一步理解的是，第一填料前驅物材料的平均表面積可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的範圍內及包括該等最小值與最大值。

根據其他實施例，第一填料前驅物材料可包含特定材料。根據特定實施例，第一填料前驅物材料可包含二氧化矽基化合物。根據再一些實施例，第一填料前驅物材料可由二氧化矽基化合物組成。根據其他實施例，第一填料前驅物材料可以包含二氧化矽。根據再一些實施例，第一填料前驅物材料可由二氧化矽組成。

根據又一些實施例，成形混合物可包含特定含量的陶瓷填料前驅物組件。例如，陶瓷填料前驅物組件之含量可係第一成形混合物的總體積的至少約30vol.%，諸如至少約31vol.%、至少約32vol.%、至少約33vol.%、至少約34vol.%、至少約35vol.%、至少約36vol.%、至少約37vol.%、至少約38vol.%、至少約39vol.%、至少約40vol.%、至少約41vol.%、至少約42vol.%、至少約43vol.%、至少約44vol.%、至少約45vol.%、至少約46vol.%、至少約47vol.%、至少約48vol.%、至少約49vol.%、至少約50vol.%、至少約51vol.%、至少約52vol.%、至少約53vol.%或甚至至少約54vol.%。根據再一些實施例，陶瓷填料前驅物組件之含量可係成形混合物的總體積的不大於約57vol.%，諸如不大於約56vol.%或甚至不大於約55vol.%。應理解的是，陶瓷填料前驅物組件之含量可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的任何值及包括該等最小值與最大值。應進一步理解的是，陶瓷填料前驅物組件之含量可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的範圍內及包括該等最小值與最大值。

根據再一些實施例，陶瓷填料前驅物組件可包含特定含量的第一填料前驅物材料。例如，第一填料前驅物材料之含量可係陶瓷填料前驅物組件的總體積的至少約80vol.%，諸如至少約81vol.%、至少約82vol.%、至少約83vol.%、至少約84vol.%、至少約85vol.%、至少約86vol.%、至少約87vol.%、至少約88vol.%、至少約89vol.%或甚至至少約90vol.%。根據再一些實施例，第一填料前驅物材料之含量可係陶瓷填料前驅物組件的總體積的不大於約100 vol.%，諸如不大於約99vol.%、不大於約98vol.%、不大於約97vol.%、不大於約96vol.%、不大於約95vol.%、不大於約94vol.%、不大於約93vol.%或甚至不大於約92vol.%。應理解的是，第一填料前驅物材料之含量可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的任何值及包括該等最小值與最大值。應進一步理解的是，第一填料前驅物材料之含量可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的範圍內及包括該等最小值與最大值。

根據再一些實施例，陶瓷填料前驅物組件可包含第二填料前驅物材料。

根據又一些實施例，第二填料前驅物材料可包含特定材料。例如，第二填料前驅物材料可包含高介電常數陶瓷材料，諸如具有至少約14的介電常數的陶瓷材料。根據特定實施例，第二填料前驅物材料可包含任何高介電常數陶瓷材料，諸如TiO_2、SrTiO₃、ZrTi₂O₆、MgTiO₃、CaTiO₃、BaTiO₄或其任何組合。

根據又一些實施例，第二填料前驅物材料可包含TiO₂。根據再一些實施例，第二填料前驅物材料可由TiO₂組成。

根據再一些實施例，陶瓷填料前驅物組件可包含特定含量的第二填料前驅物材料。例如，第二填料前驅物材料之含量可係陶瓷填料前驅物組件的總體積的至少約1vol.%，諸如至少約2vol.%、至少約3vol.%、至少約4vol.%、至少約5vol.%、至少約6vol.%、至少約7vol.%、至少約8vol.%、至少約9vol.%或至少約10vol.%。根據再一些實施例，第二填料前驅物材料之含量可係陶瓷填料前驅物組件的總體積的不大於約20vol.%，諸如不大於約19vol.%、不大於約18vol.%、不大於約17vol.%、不大於約16vol.%、不大於約15vol.%、不大於約14vol.%、不大於約13vol.%或甚至不大於約12vol.%。應理解的是，第二填料前驅物材料之含量可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的任何值及包括該等最小值與最大值。應進一步理解的是，第二填料前驅物材料之含量可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的範圍內及包括該等最小值與最大值。

根據又一些實施例，陶瓷填料前驅物組件可包含特定含量的非晶質材料。例如，陶瓷填料前驅物組件可包含至少約97%的非晶質材料，諸如至少約98%或甚至至少約99%。應理解的是，非晶質材料的含量可係介於上文所述之任何值之間的任何值及包括該等任何值。應進一步理解的是，非晶質材料的含量可在介於上文所述之任何值之間的範圍內及包括該等任何值。

根據其他實施例，樹脂基體前驅物組件可包含特定材料。例如，樹脂基體前驅物組件可包含全氟聚合物。根據再一些實施例，樹脂基體前驅物組件可由全氟聚合物組成。

根據又一些實施例，樹脂基體前驅物組件的全氟聚合物可包含四氟乙烯(TFE)的共聚物；六氟丙烯(HFP)的共聚物；四氟乙烯(TFE)的三元共聚物；或其任何組合。根據其他實施例，樹脂基體前驅物組件的全氟聚合物可由四氟乙烯(TFE)的共聚物；六氟丙烯(HFP)的共聚物；四氟乙烯(TFE)的三元共聚物；或其任何組合組成。

根據又一些實施例，樹脂基體前驅物組件的全氟聚合物可包含聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物樹脂(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)或其任何組合。根據再一些實施例，樹脂基體前驅物組件的全氟聚合物可由聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物樹脂(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)或其任何組合組成。

根據又一些實施例，成形混合物可包含特定含量的樹脂基體前驅物組件。例如，樹脂基體前驅物組件之含量可係成形混合物的總體積的至少約45vol.%，諸如至少約46vol.%、至少約47vol.%、至少約48vol.%、至少約49vol.%、至少約50vol.%、至少約51vol.%、至少約52vol.%、至少約53vol.%、至少約 54vol.%或甚至至少約55vol.%。根據再一些實施例，樹脂基體前驅物組件之含量可係成形混合物的總體積的不大於約63vol.%、不大於約62vol.%、不大於約61vol.%、不大於約60vol.%、不大於約59vol.%、不大於約58vol.%或甚至不大於約57vol.%。應理解的是，樹脂基體前驅物組件之含量可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的任何值及包括該等最小值與最大值。應進一步理解的是，樹脂基體前驅物組件之含量可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的範圍內及包括該等最小值與最大值。

根據又一些實施例，成形混合物可包含特定含量的全氟聚合物。例如，全氟聚合物之含量可係成形混合物的總體積的至少約45vol.%，諸如至少約46vol.%、至少約47vol.%、至少約48vol.%、至少約49vol.%、至少約50vol.%、至少約51vol.%、至少約52vol.%、至少約53vol.%、至少約54vol.%或甚至至少約55vol.%。根據再一些實施例，全氟聚合物之含量可係成形混合物的總體積的不大於約63vol.%，諸如不大於約62vol.%、不大於約61vol.%、不大於約60vol.%、不大於約59vol.%、不大於約58vol.%或甚至不大於約57vol.%。應理解的是，全氟聚合物之含量可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的任何值及包括該等最小值與最大值。應進一步理解的是，全氟聚合物之含量可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的範圍內及包括該等最小值與最大值。

現在參考根據形成方法100形成的敷銅層板的實施例，圖2包括敷銅層板200的圖表。如圖2所示，敷銅層板200可包括銅箔層202和覆蓋銅箔層202表面的介電塗層205。根據某些實施例，介電塗層205可包含樹脂基體組件210和陶瓷填料組件220。

根據特定實施例，陶瓷填料組件220可包含第一填料材料，其可具有可改進敷銅層板200的效能的特定特性。

根據某些實施例，陶瓷填料組件220的第一填料材料可具有特定的尺寸分佈。出於本文所述實施例之目的，材料的粒徑分佈，例如第一填料材料的粒徑分佈，可以使用粒徑分佈D-值D₁₀,D₅₀ and D₉₀的任何組合來描述。來自粒徑分佈的D₁₀值定義為其中10%的粒子小於該值且90%的粒子大於該值的粒徑值。來自粒徑分佈的D₅₀值定義為其中50%的粒子小於該值且50%的粒子大於該值的粒徑值。來自粒徑分佈的D₉₀值定義為其中90%的粒子小於該值且10%的粒子大於該值的粒徑值。出於本文所述實施例之目的，特定材料的粒徑測量是使用雷射繞射光譜法進行的。

根據某些實施例，陶瓷填料組件220的第一填料材料可具有特定尺寸分佈D₁₀值。例如，第一填料材料的D₁₀可係至少約0.2微米，諸如至少約0.3微米、至少約0.4微米、至少約0.5微米、至少約0.6微米、至少約0.7微米、至少約0.8微米、至少約0.9微米、至少約1.0微米、至少約1.1微米或甚至至少約1.2微米。根據再一些實施例，第一填料材料的D₁₀可不大於約1.6微米，諸如不大於約1.5微米或甚至不大於約1.4微米。應理解的是，第一填料材料的D₁₀可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的任何值及包括該等最小值與最大值。應進一步理解的是，第一填料材料的D₁₀可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的範圍內及包括該等最小值與最大值。

根據其他實施例，陶瓷填料組件420的第一填料材料可具有特定尺寸分佈D₅₀值。例如，第一填料材料的D₅₀可係至少約0.5微米，諸如至少約0.6微米、至少約0.7微米、至少約0.8微米、至少約0.9微米、至少約1.0微米、至少約1.1微米、至少約1.2微米、至少約1.3微米、至少約1.4微米、至少約1.5微米、至少約1.6微米、至少約1.7微米、至少約1.8微米、至少約1.9微米、至少約2.0微米、至少約2.1微米或甚至至少約2.2微米。根據再一些實施例，第一填料材料的D₅₀可不大於約2.7微米，諸如不大於約2.6微米、不大於約2.5 微米或甚至不大於約2.4微米。應理解的是，第一填料材料的D₅₀可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的任何值及包括該等最小值與最大值。應進一步理解的是，第一填料前驅物材料的D₅₀可在介於上文所述之任何最小值與最大值之間的範圍內及包括該等最小值與最大值。

根據其他實施例，陶瓷填料組件420的第一填料材料可具有特定尺寸分佈D₉₀值。例如，第一填料材料的D₉₀可係至少約0.8微米，諸如至少約0.9微米、至少約1.0微米、至少約1.1微米、至少約1.2微米、至少約1.3微米、至少約1.4微米、至少約1.5微米、至少約1.6微米、至少約1.7微米、至少約1.8微米、至少約1.9微米、至少約2.0微米、至少約2.1微米、至少約2.2微米、至少約2.3微米、至少約2.4微米、至少約2.5微米、至少約2.6微米或甚至至少約2.7微米。根據再一些實施例，第一填料材料的D₉₀可不大於約8.0微米，諸如不大於約7.5微米、不大於約7.0微米、不大於約6.5微米、不大於約6.0微米、不大於約5.5微米、不大於約5.4微米、不大於約5.3微米、不大於約5.2微米或甚至不大於約5.1微米。應理解的是，第一填料材料的D₉₀可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的任何值及包括該等最小值與最大值。應進一步理解的是，第一填料材料的D₉₀可在介於上文所述之任何最小值與最大值之間的範圍內及包括該等最小值與最大值。

根據再一些實施例，陶瓷填料組件220的第一填料材料可具有使用雷射繞射光譜測量的特定平均粒徑。根據其他實施例，第一填料材料的平均粒徑可係不大於約10微米，諸如不大於約9微米、不大於約8微米、不大於約7微米、不大於約6微米、不大於約5微米、不大於約4微米、不大於約3微米或甚至不大於約2微米。應當理解的是，第一填料材料的平均粒徑可係介於上文所述之任何值之間的任何值及包括該等任何值。應進一步理解的是，第一填料材料的平均粒徑可在介於上文所述之任何值之間的範圍內及包括該等任何值。

根據再一些實施例，陶瓷填料組件220的第一填料材料可描述為具有特定粒徑分佈跨度(PSDS)，其中PSDS等於(D₉₀-D₁₀)/D₅₀，其中D₉₀等於第一填料材料的D₉₀粒徑分佈測量，D₁₀等於第一填料材料的D₁₀粒徑分佈測量，D₅₀等於第一填料材料的D₅₀粒徑分佈測量。例如，第一填料材料的PSDS可係不大於約5，諸如不大於約4.5、不大於約4.0、不大於約3.5、不大於約3.0或甚至不大於約2.5。應理解的是，第一填料材料的PSDS可係介於上文所述之任何值之間的任何值及包括該等任何值。應進一步理解的是，第一填料材料的PSDS可在介於上文所述之任何值之間的範圍內及包括該等任何值。

根據再一些實施例，陶瓷填料組件220的第一填料材料可描述為具有使用布魯諾-埃梅特-特勒(BET)表面積分析(氮吸附)測量的特定平均表面積。例如，第一填料材料可具有不大於約10m²/g，諸如不大於約9.9m²/g、不大於約9.5m²/g、不大於約9.0m²/g、不大於約8.5m²/g、不大於約8.0m²/g、不大於約7.5m²/g、不大於約7.0m²/g、不大於約6.5m²/g、不大於約6.0m²/g、不大於約5.5m²/g、不大於約5.0m²/g、不大於約4.5m²/g、不大於約4.0m²/g或甚至不大於約3.5m²/g的平均表面積。根據再一些實施例，第一填料材料可具有至少約1.2m²/g，諸如至少約2.2m²/g的平均表面積。應理解的是，第一填料材料的平均表面積可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的任何值及包括該等最小值與最大值。應進一步理解的是，第一填料材料的平均表面積可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的範圍內及包括該等最小值與最大值。

根據其他實施例，陶瓷填料組件220的第一填料材料可包含特定材料。根據特定實施例，第一填料材料可包含二氧化矽基化合物。根據再一些實施例，第一填料材料可由二氧化矽基化合物組成。根據其他實施例，第一填料材料可包含二氧化矽。根據再一些實施例，第一填料材料可由二氧化矽組成。

根據又一些實施例，介電塗層205可包含特定含量的陶瓷填料組件220。例如，陶瓷填料組件220可係介電塗層205的總體積的至少約30vol.%，諸如至少約31vol.%、至少約32vol.%、至少約33vol.%、至少約34vol.%、至少約35vol.%、至少約36vol.%、至少約37vol.%、至少約38vol.%、至少約39vol.%、至少約40vol.%、至少約41vol.%、至少約42vol.%、至少約43vol.%、至少約44vol.%、至少約45vol.%、至少約46vol.%、至少約47vol.%、至少約48vol.%、至少約49vol.%、至少約50vol.%、至少約51vol.%、至少約52vol.%、至少約53vol.%或甚至至少約54vol.%。根據再一些實施例，陶瓷填料組件420之含量可係介電塗層400的總體積的不大於約57vol.%，諸如不大於約56vol.%或甚至不大於約55vol.%。應理解的是，陶瓷填料組件220之含量可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的任何值及包括該等最小值與最大值。應進一步理解的是，陶瓷填料組件220之含量可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的範圍內及包括該等最小值與最大值。

根據再一些實施例，陶瓷填料組件220可包含特定含量的第一填料材料。例如，第一填料材料之含量可係陶瓷填料組件220的總體積的至少約80vol.%，諸如至少約81vol.%、至少約82vol.%、至少約83vol.%、至少約84vol.%、至少約85vol.%、至少約86vol.%、至少約87vol.%、至少約88vol.%、至少約89vol.%或甚至至少約90vol.%。根據再一些實施例，第一填料材料之含量可係陶瓷填料組件220的總體積的不大於約100vol.%，諸如不大於約99vol.%、不大於約98vol.%、不大於約97vol.%、不大於約96vol.%、不大於約95vol.%、不大於約94vol.%、不大於約93vol.%或甚至不大於約92vol.%。應理解的是，第一填料材料之含量可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的任何值及包括該等最小值與最大值。應進一步理解的是，第一填料材料之含量可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的範圍內及包括該等最小值與最大值。

根據再一些實施例，陶瓷填料組件220可包含第二填料材料。

根據又一些實施例，陶瓷填料組件220的第二填料材料可包含特定材料。例如，第二填料材料可包含高介電常數陶瓷材料，諸如具有至少約14的介電常數的陶瓷材料。根據特定實施例，陶瓷填料組件220的第二填料材料可包含任何高介電常數陶瓷材料，諸如TiO_2,SrTiO₃,ZrTi₂O₆,MgTiO₃,CaTiO₃,BaTiO₄或其任何組合。

根據又一些實施例，陶瓷填料組件220的第二填料材料可包含TiO₂。根據再一些實施例，第二填料材料可由TiO₂組成。

根據再一些實施例，陶瓷填料組件220可包含特定含量的第二填料材料。例如，第二填料材料之含量可係陶瓷填料組件220的總體積的至少約1vol.%，諸如至少約2vol.%、至少約3vol.%、至少至少約4vol.%、至少約5vol.%、至少約6vol.%、至少約7vol.%、至少約8vol.%、至少約9vol.%或至少約10vol.%。根據再一些實施例，第二填料材料之含量可係陶瓷填料組件220的總體積的不大於約20vol.%，諸如不大於約19vol.%、不大於約18vol.%、不大於約17vol.%、不大於約16vol.%、不大於約15vol.%、不大於約14vol.%、不大於約13vol.%或甚至不大於約12vol.%。應理解的是，第二填料材料之含量可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的任何值及包括該等最小值與最大值。應進一步理解的是，第二填料材料之含量可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的範圍內及包括該等最小值與最大值。

根據又一些實施例，陶瓷填料組件220可包含特定含量的非晶質材料。例如，陶瓷填料組件220可包含至少約97%的非晶質材料，諸如至少約98%或甚至至少約99%。應理解的是，非晶質材料的含量可係介於上文所述之任何值之間的任何值及包括該等任何值。應進一步理解的是，非晶質材料的含量可在介於上文所述之任何值之間的範圍內及包括該等任何值。

根據其他實施例，樹脂基體組件210可包含特定材料。例如，樹脂基體組件210可包含全氟聚合物。根據再一些實施例，樹脂基體組件410可由全氟聚合物組成。

根據又一些實施例，樹脂基體組件410的全氟聚合物可包含四氟乙烯(TFE)的共聚物；六氟丙烯(HFP)的共聚物；四氟乙烯(TFE)的三元共聚物；或其任何組合。根據其他實施例，樹脂基體組件410的全氟聚合物可以由四氟乙烯(TFE)的共聚物；六氟丙烯(HFP)的共聚物；四氟乙烯(TFE)的三元共聚物；或其任何組合組成。

根據又一些實施例，樹脂基體組件410的全氟聚合物可包含聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物樹脂(PFA)、氟化乙丙烯(FEP)或其任何組合。根據再一些實施例，樹脂基體組件410的全氟聚合物可由聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物樹脂(PFA)、氟化乙丙烯(FEP)或其任何組合組成。

根據又一些實施例，介電塗層200可包含特定含量的樹脂基體組件210。例如，樹脂基體組件210之含量可係介電塗層200的總體積的至少約50vol.%，諸如至少約51vol.%、至少約52vol.%、至少約53vol.%、至少約54vol.%或甚至至少約55vol.%。根據再一些實施例，樹脂基體組件210之含量可係介電塗層200總體積的不大於約63vol.%、不大於約62vol.%、不大於約61vol.%、不大於約60vol.%、不大於約59vol.%、不大於約58vol.%或甚至不大於約57vol.%。應理解的是，樹脂基體組件210之含量可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的任何值及包括該等最小值與最大值。應進一步理解的是，樹脂基體組件210之含量可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的範圍內及包括該等最小值與最大值。

根據又一些實施例，介電塗層205可包含特定含量的全氟聚合物。例如，全氟聚合物之含量可以是介電塗層405總體積的至少約50vol.%，諸如至少約51vol.%、至少約52vol.%、至少約53vol.%、至少約54vol.%或甚至至少約55vol.%。根據再一些實施例，全氟聚合物之含量可係介電塗層200的總體積的不大於約63vol.%，諸如不大於約62vol.%、不大於約61vol.%、不大於約60vol.%、不大於約59vol.%、不大於約58vol.%或甚至不大於約57vol.%。應理解的是，全氟聚合物之含量可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的任何值及包括該等最小值與最大值。應進一步理解的是，全氟聚合物之含量可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的範圍內及包括該等最小值與最大值。

根據再一些實施例，介電塗層205可包含含使用x射線衍射測量的特定孔隙率。例如，基材205的孔隙率可不大於約10vol.%，諸如不大於約9vol.%、不大於約8vol.%、不大於約7vol.%、不大於約6vol.%或甚至不大於約5vol.%。應理解的是，介電塗層205的孔隙率可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的任何值及包括該等最小值與最大值。應進一步理解的是，介電塗層205的孔隙率可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的範圍內及包括該等最小值與最大值。

根據又一些實施例，介電塗層205可具有特定平均厚度。例如，介電塗層205的平均厚度可係至少約0.1微米，諸如至少約0.5微米、至少約1微米、至少約2微米、至少約3微米、至少約4微米或甚至至少約5微米。根據又一些實施例，介電塗層205的平均厚度可係不大於約20微米，諸如不大於約18微米、不大於約16微米、不大於約14微米、不大於約12微米或甚至不大於約10微米。應進理解的是，介電塗層205的平均厚度可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的任何值及包括該等最小值與最大值。應進一步理解的是，介電塗層405的平均厚度可係介於上文所述之任何最小值與最大值之間的範圍內及包括該等最小值與最大值。

根據又一些實施例，介電塗層205可具有在5GHz、20% RH之間的範圍內測量的特定的耗散因數(Df)。例如，介電塗層205可具有不大於約0.005，諸如不大於約0.004、不大於約0.003、不大於約0.002、不大於約0.0019、不大於約0.0018、不大於約0.0017、不大於約0.0016、不大於約0.0015或甚至不大於約0.0014的耗散因數。應理解的是，介電塗層205的耗散因數可係介於上文所述之任何值之間的任何值及包括該等任何值。應進一步理解的是，介電塗層205的耗散因數可在介於上文所述之任何值之間的範圍內及包括該等任何值。

根據再一些實施例，介電塗層205可具有在5GHz、80% RH之間的範圍內測量的特定的耗散因數(Df)。例如，介電塗層205可具有不大於約0.005，諸如不大於約0.004、不大於約0.003、不大於約0.002、不大於約0.0019、不大於約0.0018、不大於約0.0017、不大於約0.0016、不大於約0.0015或甚至不大於約0.0014的耗散因數。應理解的是，介電塗層205的耗散因數可係介於上文所述之任何值之間的任何值及包括該等任何值。應進一步理解的是，介電塗層205的耗散因數可在介於上文所述之任何值之間的範圍內及包括該等任何值。

根據又一些實施例，介電塗層205可具有在10GHz、20% RH之間的範圍內測量的特定的耗散因數(Df)。例如，介電塗層205可具有不大於約0.005，諸如不大於約0.004、不大於約0.003、不大於約0.002、不大於約0.0019、不大於約0.0018、不大於約0.0017、不大於約0.0016、不大於約0.0015或甚至不大於約0.0014的耗散因數。應理解的是，介電塗層205的耗散因數可係介於上文所述之任何值之間的任何值及包括該等任何值。應進一步理解的是，介電塗層205的耗散因數可在介於上文所述之任何值之間的範圍內及包括該等任何值。

根據又一些實施例，介電塗層205可具有在10GHz、80% RH之間的範圍內測量的特定的耗散因數(Df)。例如，介電塗層205可具有不大於約0.005，諸如不大於約0.004、不大於約0.003、不大於約0.002、不大於約0.0019、不大於約0.0018、不大於約0.0017、不大於約0.0016、不大於約0.0015或甚至不大於約0.0014的耗散因數。應理解的是，介電塗層205的耗散因數可係介於上文所述之任何值之間的任何值及包括該等任何值。應進一步理解的是，介電塗層205的耗散因數可在介於上文所述之任何值之間的範圍內及包括該等任何值。

根據又一些實施例，介電塗層205可具有在28GHz、20% RH之間的範圍內測量的特定的耗散因數(Df)。例如，介電塗層205可具有不大於約0.005，諸如不大於約0.004、不大於約0.003、不大於約0.002、不大於約0.0019、不大於約0.0018、不大於約0.0017、不大於約0.0016、不大於約0.0015或甚至不大於約0.0014的耗散因數。應理解的是，介電塗層205的耗散因數可係介於上文所述之任何值之間的任何值及包括該等任何值。應進一步理解的是，介電塗層205的耗散因數可在介於上文所述之任何值之間的範圍內及包括該等任何值。

根據又一些實施例，介電塗層205可具有在28GHz、80% RH之間的範圍內測量的特定的耗散因數(Df)。例如，介電塗層205可具有不大於約0.005，諸如不大於約0.004、不大於約0.003、不大於約0.002、不大於約0.0019、不大於約0.0018、不大於約0.0017、不大於約0.0016、不大於約0.0015或甚至不大於約0.0014的耗散因數。應理解的是，介電塗層205的耗散因數可係介於上文所述之任何值之間的任何值及包括該等任何值。應進一步理解的是，介電塗層205的耗散因數可在介於上文所述之任何值之間的範圍內及包括該等任何值。

根據又一些實施例，介電塗層205可具有在39GHz、20% RH之間的範圍內測量的特定的耗散因數(Df)。例如，介電塗層205可具有不大於約0.005，諸如不大於約0.004、不大於約0.003、不大於約0.002、不大於約0.0019、不大於約0.0018、不大於約0.0017、不大於約0.0016、不大於約0.0015或甚至不大於約0.0014的耗散因數。應理解的是，介電塗層205的耗散因數可係介於上文所述之任何值之間的任何值及包括該等任何值。應進一步理解的是，介電塗層205的耗散因數可在介於上文所述之任何值之間的範圍內及包括該等任何值。

根據又一些實施例，介電塗層205可具有在39GHz、80% RH之間的範圍內測量的特定的耗散因數(Df)。例如，介電塗層205可具有不大於約0.005，諸如不大於約0.004、不大於約0.003、不大於約0.002、不大於約0.0019、不大於約0.0018、不大於約0.0017、不大於約0.0016、不大於約0.0015或甚至不大於約0.0014的耗散因數。應理解的是，介電塗層205的耗散因數可係介於上文所述之任何值之間的任何值及包括該等任何值。應進一步理解的是，介電塗層205的耗散因數可在介於上文所述之任何值之間的範圍內及包括該等任何值。

根據又一些實施例，介電塗層205可具有在76-81GHz、20% RH之間的範圍內測量的特定的耗散因數(Df)。例如，介電塗層205可具有不大於約0.005，諸如不大於約0.004、不大於約0.003、不大於約0.002、不大於約0.0019、不大於約0.0018、不大於約0.0017、不大於約0.0016、不大於約0.0015或甚至不大於約0.0014的耗散因數。應理解的是，介電塗層205的耗散因數可係介於上文所述之任何值之間的任何值及包括該等任何值。應進一步理解的是，介電塗層205的耗散因數可在介於上文所述之任何值之間的範圍內及包括該等任何值。

根據再一些實施例，介電塗層205可具有在76-81GHz、80% RH之間的範圍內測量的特定的耗散因數(Df)。例如，介電塗層205可具有不大於約0.005，諸如不大於約0.004、不大於約0.003、不大於約0.002、不大於約0.0019、不大於約0.0018、不大於約0.0017、不大於約0.0016、不大於約0.0015或甚至不大於約0.0014的耗散因數。應理解的是，介電塗層205的耗散因數可係介於上文所述之任何值之間的任何值及包括該等任何值。應進一步理解的是，介電塗層205的耗散因數可在介於上文所述之任何值之間的範圍內及包括該等任何值。根據其他實施例，介電塗層205可具有根據IPC-TM-650 2.4.24 Rev.C Glass Transition Temperature and Z-Axis Thermal Expansion by TMA測量的特定的熱膨脹係數。例如，介電塗層205可具有不大於約80ppm/脹係的熱膨脹係數。

根據又一些實施例，敷銅層板201可具有根據IPC-TM-650 2.4.24 Rev.C Glass Transition Temperature and Z-Axis Thermal Expansion by TMA測量的特定的熱膨脹係數。例如，敷銅層板201可具有不大於約45ppm/脹係的熱膨脹係數。

應理解的是，本文所述的任何敷銅層板可包括介於塗層和敷銅層板的任何銅箔層之間的附加的基於聚合物的層。並且如本文所述，附加的基於聚合物的層可包含如本文所述的填料(即填充的聚合物層)或可不包含填料(即未填充的聚合物層)。

接下來參考形成印刷電路板的方法，圖3係根據本文所述實施例之用於形成印刷電路板的形成方法300的圖表。根據特定實施例，形成方法300可包括提供銅箔層的第一步驟310、將樹脂基體前驅物組件和陶瓷填料前驅物組件組合以形成成形混合物的第二步驟320、將成形混合物形成為覆蓋銅箔層的介電塗層以形成敷銅層板的第三步驟330，以及將敷銅層板形成印刷電路板的第四步驟340。

應理解的是，本文提供的關於形成方法100的所有描述、細節和特性可進一步應用於或描述形成方法300的相應方面。

現在參考根據形成方法300形成的印刷電路板的實施例，圖4包括印刷電路板400的圖表。如圖參考圖4，印刷電路板400可包括敷銅層板401，該敷銅層板401可包括銅箔層402和覆蓋銅箔層402的表面的介電塗層405。根據某些實施例，介電塗層405可包含樹脂基體組件410和陶瓷填料組件420。

同樣，應理解的是，本文提供的關於介電塗層205和/或敷銅層板200的所有描述可進一步應用於印刷電路板200的校正方面，包括印刷電路板400的所有組件。

許多不同態樣及實施例係可行的。一些該等方面及實施例已於本文中描述。在閱讀本說明書之後，熟習本技術者將理解該等態樣及實施例僅係說明性，且並不限制本發明的範圍。實施例可根據如下列實施例之任何一或多者。

實施例1.一種敷銅層板，包括：銅箔層和覆蓋銅箔層的介電塗層，其中所述介電塗層包含：樹脂基體組件；以及陶瓷填料組件，其中所述陶瓷填料組件包含第一填料材料，以及其中所述介電塗層具有不大於約20微米的平均厚度。

實施例2.一種敷銅層板，包括：銅箔層和覆蓋銅箔層的介電塗層，其中所述介電塗層包含：樹脂基體組件；以及陶瓷填料組件，其中所述陶瓷填料組件包含第一填料材料，並且其中所述第一填料材料的粒徑分佈包含：至少約0.2微米且不大於約1.6微米的D₁₀，至少約0.5微米且不大於約2.7微米的D₅₀，以及至少約0.8微米且不大於約4.7微米的D₉₀。

實施例3.一種敷銅層板，包括：銅箔層和覆蓋銅箔層的介電塗層，其中所述介電塗層包含：樹脂基體組件；以及陶瓷填料組件，其中所述陶瓷填料組件包含第一填料材料，以及其中所述第一填料材料進一步包含不大於約5微米的平均粒徑，以及不大於約5微米的粒徑分佈跨度(PSDS)，其中PSDS等於(D₉₀-D₁₀)/D₅₀，其中D₉₀等於第一填料材料的D₉₀粒徑分佈測量，D₁₀等於第一填料材料的D₁₀粒徑分佈測量，且D₅₀等於第一填料的D₅₀粒徑分佈測量。

實施例4.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中第一填料材料的粒徑分佈包含至少約0.2微米且不大於約1.6微米的D₁₀。

實施例5.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中第一填料材料的粒徑分佈包含至少約0.5微米且不大於約2.7微米的D₅₀。

實施例6.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中第一填料材料的粒徑分佈包含至少約0.8微米且不大於約4.7微米的D₉₀。

實施例7.如實施例1的敷銅層板，其中第一填料材料進一步包含不大於約10微米的平均粒徑。

實施例8.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中第一填料材料包含不大於約10微米的平均粒徑。

實施例9.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中第一填料材料包含不大於約5的粒徑分佈跨度(PSDS)，其中PSDS等於(D₉₀-D₁₀)/D₅₀，其中D₉₀等於第一填料材料的D₉₀粒徑分佈測量，D₁₀等於第一填料材料的D₁₀粒徑分佈測量，且D₅₀等於第一填料材料的D₅₀粒徑分佈測量。

實施例10.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中第一填料材料進一步包含不大於約10m²/g的平均表面積。

實施例11.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中第一填料材料包含二氧化矽基化合物。

實施例12.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中第一填料材料包含二氧化矽。

實施例13.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中樹脂基體包含全氟聚合物。

實施例14.如實施例13的敷銅層板，其中全氟聚合物包含四氟乙烯(TFE)的共聚物；六氟丙烯(HFP)的共聚物；四氟乙烯(TFE)的三元共聚物；或其任何組合。

實施例15.如實施例13的敷銅層板，其中全氟聚合物包括聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物樹脂(PFA)、氟化乙丙烯(FEP)或其任何組合。

實施例16.如實施例13的敷銅層板，其中全氟聚合物由聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物樹脂(PFA)、氟化乙丙烯(FEP)或其任何組合組成。

實施例17.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中樹脂基體組件之含量係介電塗層的總體積的至少約50vol.%。

實施例18.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中樹脂基體組件之含量係介電塗層的總體積的不大於約63vol.%。

實施例19.如實施例13的敷銅層板，其中全氟聚合物之含量係介電塗層的總體積的至少約50vol.%。

實施例20.如實施例13的敷銅層板，其中全氟聚合物之含量係介電塗層的總體積的不大於約63vol.%。

實施例21.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中陶瓷填料組件之含量係介電塗層的總體積的至少約30vol.%。

實施例22.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中陶瓷填料組件之含量係介電塗層的總體積的不大於約57vol.%。

實施例23.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中第一填料材料之含量係陶瓷填料組件的總體積的至少約80vol.%。

實施例24.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中第一填料材料之含量係陶瓷填料組件的總體積的不大於約100vol.%。

實施例25.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中陶瓷填料組件進一步包含第二填料材料。

實施例26.如實施例25的敷銅層板，其中第二填料材料包含高介電常數陶瓷材料。

實施例27.如實施例26的敷銅層板，其中高介電常數陶瓷材料具有至少約14的介電常數。

實施例28.實施例26的敷銅層板，其中陶瓷填料組件進一步包括TiO_2,SrTiO₃,ZrTi₂O₆,MgTiO₃,CaTiO₃,BaTiO₄或其任何組合。

實施例29.如實施例25的敷銅層板，其中第二填料材料之含量係陶瓷填料組件的總體積的至少約1vol.%。

實施例30.如實施例25的敷銅層板，其中第二填料材料之含量係陶瓷填料組件的總體積的不大於約20vol.%。

實施例31.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中陶瓷填料組件係至少約97%非晶質。

實施例32.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中介電塗層包含不大於約10vol.%的孔隙率。

實施例33.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中敷銅層板包含不大於約10vol.%的孔隙率。

實施例34.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中介電塗層包含至少約1微米的平均厚度。

實施例35.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中介電塗層包含不大於約20微米的平均厚度。

實施例36.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中介電塗層包含不大於約3.5的耗散因數(5GHz，20% RH)。

實施例37.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中介電塗層包含不大於約0.001的耗散因數(5GHz，20% RH)。

實施例38.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中介電塗層包含不大於約80ppm/包含的熱膨脹係數(所有軸)。

實施例39.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中敷銅層板包含介於至少約6 lb/in的銅箔層與介電塗層之間的剝離強度。

實施例40.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中介電塗層包含不大於約0.05%的吸濕性。

實施例41.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中銅箔層包含至少約6微米的平均厚度。

實施例42.如實施例1、2和3中任一項的敷銅層板，其中銅箔層包含不大於約36微米的平均厚度。

實施例43.一種印刷電路板，包括敷銅層板，其中所述敷銅層板包括：銅箔層，以及覆蓋銅箔層的介電塗層，其中所述介電塗層包含：樹脂基體組件；以及陶瓷填料組件，其中所述陶瓷填料組件包含第一填料材料，以及其中所述介電塗層具有不大於20微米的平均厚度。

實施例44.一種印刷電路板，包括敷銅層板，其中所述敷銅層板包括：銅箔層，以及覆蓋銅箔層的介電塗層，其中所述介電塗層包含：樹脂基體組件；以及陶瓷填料組件，其中所述陶瓷填料組件包含第一填料材料，以及其中所述第一填料材料的粒徑分佈包含：至少約0.2微米且不大於約1.6微米的 D₁₀，至少約0.5微米且不大於約2.7微米的D₅₀，以及至少約0.8微米且不大於約4.7微米的D₉₀。

實施例45.一種印刷電路板，包括敷銅層板，其中覆銅板包括：銅箔層，以及覆蓋銅箔層的介電塗層，其中所述介電塗層包括：樹脂基體組件；以及陶瓷填料組件，其中所述陶瓷填料組件包括第一填料材料，以及其中所述第一填料材料進一步包括不大於約5微米的平均粒徑，以及不大於約5微米的粒徑分佈跨度(PSDS)，其中PSDS等於(D₉₀-D₁₀)/D₅₀，其中D₉₀等於第一填料材料的D₉₀粒徑分佈測量，D₁₀等於第一填料材料的D₁₀粒徑分佈測量，D₅₀等於第一填料的D₅₀粒徑分佈測量。

實施例46.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中第一填料材料的粒徑分佈包含至少約0.2微米且不大於約1.6微米的D₁₀。

實施例47.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中第一填料材料的粒徑分佈包含至少約0.5微米且不大於約2.7微米的D₅₀。

實施例48.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中第一填料材料的粒徑分佈包含至少約0.8微米且不大於約4.7微米的D₉₀。

實施例49.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中第一填料材料進一步包含不大於約10微米的平均粒徑。

實施例50.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中第一填料材料包含不大於約10微米的平均粒徑。

實施例51.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中第一填料材料包含不大於約5的粒徑分佈跨度(PSDS)，其中PSDS等於(D₉₀-D₁₀)/D₅₀，其中D₉₀等於第一填料材料的D₉₀粒徑分佈測量，D₁₀等於第一填料材料的D₁₀粒徑分佈測量，且D₅₀等於第一填料材料的D₅₀粒徑分佈測量。

實施例52.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中第一填料材料進一步包含不大於約10m²/g的平均表面積。

實施例53.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中第一填料材料包含二氧化矽基化合物。

實施例54.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中第一填料材料包含二氧化矽。

實施例55.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中樹脂基體包含全氟聚合物。

實施例56.如實施例55的印刷電路板，其中全氟聚合物包含四氟乙烯(TFE)的共聚物；六氟丙烯(HFP)的共聚物；四氟乙烯(TFE)的三元共聚物；或其任何組合。

實施例57.如實施例55的印刷電路板，其中全氟聚合物包含聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物樹脂(PFA)、氟化乙丙烯(FEP)或其任何組合。

實施例58.如實施例55的印刷電路板，其中全氟聚合物由聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物樹脂(PFA)、氟化乙丙烯(FEP)或其任何組合組成。

實施例59.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中樹脂基體組件之含量係介電塗層的總體積的至少約50vol.%。

實施例60.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中樹脂基體組件之含量係介電塗層的總體積的不大於約63vol.%。

實施例61.如實施例55的印刷電路板，其中全氟聚合物之含量係介電塗層的總體積的至少約50vol.%。

實施例62.如實施例55的印刷電路板，其中全氟聚合物之含量係介電塗層的總體積的不大於約63vol.%。

實施例63.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中陶瓷填料組件之含量係介電塗層的總體積的至少約50vol.%。

實施例64.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中陶瓷填料組件之含量係介電塗層的總體積的不大於約57vol.%。

實施例65.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中第一填料材料之含量係陶瓷填料組件的總體積的至少約80vol.%。

實施例66.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中第一填料材料之含量係陶瓷填料組件的總體積的不大於約100vol.%。

實施例67.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中陶瓷填料組件進一步包含第二填料材料。

實施例68.如實施例67的印刷電路板，其中第二填料材料包含高介電常數陶瓷材料。

實施例69.如實施例68的印刷電路板，其中高介電常數材料具有至少約14的介電常數。

實施例70.實施例68的印刷電路板，其中陶瓷填料組件進一步包括TiO_2,SrTiO₃,ZrTi₂O₆,MgTiO₃,CaTiO₃,BaTiO₄或其任何組合。

實施例71.如實施例67的印刷電路板，其中第二填料材料之含量係陶瓷填料組件的總體積的至少約1vol.%。

實施例72.如實施例67的印刷電路板，其中第二填料材料之含量係陶瓷填料組件的總體積的不大於約20vol.%。

實施例73.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中陶瓷填料組件係至少約97%非晶質。

實施例74.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中介電塗層包含不大於約10vol.%的孔隙率。

實施例75.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中敷銅層板包含不大於約10vol.%的孔隙率。

實施例76.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中介電塗層包含至少約1微米的平均厚度。

實施例77.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中介電塗層包含不大於約20微米的平均厚度。

實施例78.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中介電塗層包含不大於約0.005的耗散因數(5GHz，20% RH)。

實施例79.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中介電塗層包含不大於約0.0014的耗散因數(5GHz，20% RH)。

實施例80.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中介電塗層包含不大於約80ppm/路板的熱膨脹係數(所有軸)。

實施例81.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中敷銅層板包含介於至少約6 lb/in的銅箔層和介電塗層之間的剝離強度。

實施例82.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中介電塗層包含不大於約0.05%的吸濕性。

實施例83.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中銅箔層包含至少約6微米的平均厚度。

實施例84.如實施例43、44和45中任一項的印刷電路板，其中銅箔層包含不大於約36的介電常數。

實施例85.一種形成敷銅層板的方法，其中該方法包括：提供銅箔層，將樹脂基體前驅物組件和陶瓷填料前驅物組件組合以形成成形混合物，將成形混合物形成為覆蓋銅箔層的介電塗層，其中介電塗層具有不大於約20微米的平均厚度。

實施例86.一種形成敷銅層板的方法，其中該方法包括：提供銅箔層，將樹脂基體前驅物組件和陶瓷填料前驅物組件組合以形成成形混合物，將成形混合物形成為覆蓋銅箔層的介電塗層，其中陶瓷填料前驅物組件包含第一填料前驅物材料，以及其中第一填料前驅物材料的粒徑分佈包含：至少約0.2微米且不大於約1.6微米的D₁₀，至少約0.5微米且不大於約2.7微米的D₅₀，以及至少約0.8微米且不大於約4.7微米的D₉₀。

實施例87.一種形成敷銅層板的方法，其中該方法包括：提供銅箔層，將樹脂基體前驅物組件和陶瓷填料前驅物組件組合以形成成形混合物，將成形混合物形成為覆蓋銅箔層的介電塗層，其中陶瓷填料前驅物組件包含第一填料前驅物材料，以及其中第一填料前驅物材料進一步包含不大於約5微米的平均粒徑和不大於約5微米的粒徑分佈跨度(PSDS)，其中PSDS等於(D₉₀-D₁₀)/D₅₀，其中D₉₀等於第一填料前驅物材料的D₉₀粒徑分佈測量，D₁₀等於第一填料前驅物材料的D₁₀粒徑分佈測量，並且D₅₀等於第一填料前驅物材料的D₅₀粒徑分佈測量。

實施例88.如實施例85、86和87中任一項之方法，其中第一填料前驅物材料的粒徑分佈包含至少約0.2微米且不大於約1.6微米的D₁₀。

實施例89.如實施例85、86和87中任一項之方法，其中第一填料前驅物材料的粒徑分佈包含至少約0.5微米且不大於約2.7微米的D₅₀。

實施例90.如實施例85、86和87中任一項之方法，其中第一填料前驅物材料的粒徑分佈包含至少約0.8微米且不大於約4.7微米的D₉₀。

實施例91.如實施例85的方法，其中第一填料前驅物材料進一步包含不大於約10微米的平均粒徑。

實施例92.如實施例85、86和87中任一項之方法，其中第一填料前驅物材料包含不大於約10微米的平均粒徑。

實施例93.如實施例85、86和87中任一項之方法，其中第一填料前驅物材料包含不大於約5的粒徑分佈跨度(PSDS)，其中PSDS等於(D₉₀-D₁₀)/D₅₀，其中D₉₀等於第一填料前驅物材料的D₉₀粒徑分佈測量，D₉₀等於第一填料前驅物材料的D₁₀粒徑分佈測量，且D₅₀等於第一填料前驅物材料的D₅₀粒徑分佈測量。

實施例94.如實施例85、86和87中任一項之方法，其中第一填料前驅物材料進一步包含不大於約10m²/g的平均表面積。

實施例95.如實施例85、86和87中任一項之方法，其中第一填料前驅物材料包含二氧化矽基化合物。

實施例96.如實施例85、86和87中任一項之方法，第一填料前驅物材料包含二氧化矽。

實施例97.如實施例85、86和87中任一項之方法，其中樹脂基體前驅物組件包含全氟聚合物。

實施例98.如實施例97之方法，其中全氟聚合物包含四氟乙烯(TFE)的共聚物；六氟丙烯(HFP)的共聚物；四氟乙烯(TFE)的三元共聚物；或其任何組合。

實施例99.如實施例97之方法，其中全氟聚合物包含聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物樹脂(PFA)、氟化乙丙烯(FEP)或其任何組合。

實施例100.如實施例97之方法，其中全氟聚合物由聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物樹脂(PFA)、氟化乙丙烯(FEP)或其任何組合組成。

實施例101.如實施例85、86和87中任一項之方法，其中樹脂基體前驅物組件之含量係介電塗層的總體積的至少約50vol.%。

實施例102.如實施例85、86和87中任一項之方法，其中樹脂基體前驅物組件之含量不大於介電塗層的總體積的約63vol.%。

實施例103.如實施例97之方法，其中全氟聚合物之含量係介電塗層的總體積的至少約50vol.%。

實施例104.如實施例97之方法，其中全氟聚合物之含量係介電塗層總體積的不大於約63vol.%。

實施例105.如實施例85、86和87中任一項之方法，其中陶瓷填料前驅物組件之含量係介電塗層的總體積的至少約50vol.%。

實施例106.如實施例85、86和87中任一項之方法，其中陶瓷填料前驅物組件之含量係介電塗層的總體積的不大於約57vol.%。

實施例107.如實施例85、86和87中任一項之方法，其中第一填料前驅物材料之含量係陶瓷填料前驅物組件的總體積的至少約80vol.%。

實施例108.如實施例85、86和87中任一項之方法，其中第一填料前驅物材料之含量係陶瓷填料前驅物組件的總體積的不大於約100vol.%。

實施例109.如實施例85、86和87中任一項之方法，其中陶瓷填料前驅物組件進一步包含第二填料前驅物材料。

實施例110.如實施例109之方法，其中第二填料前驅物材料包含高介電常數陶瓷材料。

實施例111.如實施例110之方法，其中高介電常數材料具有至少約14的介電常數。

實施例112.如實施例110之方法，其中陶瓷填料前驅物組件進一步包含TiO_2,SrTiO₃,ZrTi₂O₆,MgTiO₃,CaTiO₃,BaTiO₄或其任何組合。

實施例113.如實施例109之方法，其中第二填料前驅物材料之含量係陶瓷填料前驅物組件的總體積的至少約1vol.%。

實施例114.如實施例109之方法，其中第二填料前驅物材料之含量係陶瓷填料前驅物組件的總體積的不大於約20vol.%。

實施例115.如實施例85、86和87中任一項之方法，其中陶瓷填料前驅物組件係至少約97%非晶質。

實施例116.如實施例85、86和87中任一項之方法，其中介電塗層包含不大於約10vol.%的孔隙率。

實施例117.如實施例85、86和87中任一項之方法，其中敷銅層板包含不大於約10的孔隙率。

實施例118.如實施例85、86和87中任一項之方法，其中介電塗層包含至少約1微米的平均厚度。

實施例119.如實施例85、86和87中任一項之方法，其中介電塗層包含不大於約20微米的平均厚度。

實施例120.如實施例85、86和87中任一項之方法，其中所述介電塗層包含不大於約0.005的耗散因數(5GHz，20% RH)。

實施例121.如實施例85、86和87中任一項之方法，其中所述介電塗層包含不大於約0.0014的耗散因數(5GHz，20% RH)。

實施例122.如實施例85、86和87中任一項之方法，其中介電塗層包含不大於約80ppm/其中的熱膨脹係數(所有軸)。

實施例123.如實施例85、86和87中任一項之方法，其中敷銅層板包含介於至少約6 lb/in的銅箔層和介電塗層之間的剝離強度。

實施例124.如實施例85、86和87中任一項之方法，其中介電塗層包含包含不大於約0.05%的吸濕性。

實施例125.如實施例85、86和87中任一項之方法，其中銅箔層包含至少約6微米的平均厚度。

實施例126.如實施例85、86和87中任一項之方法，其中銅箔層包含不大於約36微米的平均厚度。

實施例127.一種形成印刷電路板之方法，其中該方法包括：提供銅箔層，將樹脂基體前驅物組件和陶瓷填料前驅物組件組合以形成成形混合物，將成形混合物形成為覆蓋銅箔層的介電塗層，其中介電塗層具有不大於約20微米的平均厚度。

實施例128.一種形成印刷電路板之方法，其中該方法包括：提供銅箔層，將樹脂基體前驅物組件和陶瓷填料前驅物組件組合以形成成形混合物，將成形混合物形成為覆蓋銅箔層的介電塗層，其中陶瓷填料前驅物組件包含第一填料前驅物材料，以及其中第一填料前驅物材料的粒徑分佈包含：至少約0.2微米且不大於約1.6微米的D₁₀，至少約0.5微米且不大於約2.7微米的D₅₀，以及至少約0.5微米且不大於約4.7微米的D₉₀。

實施例129.一種形成印刷電路板之方法，其中該方法包括：提供銅箔層，將樹脂基體前驅物組件和陶瓷填料前驅物組件組合以形成成形混合物，將成形混合物形成為覆蓋銅箔層的介電塗層，其中陶瓷填料前驅物組件包含第一填料前驅物材料，以及其中第一填料前驅物材料進一步包含不大於約5微米的平均粒徑和不大於約5微米的粒徑分佈跨度(PSDS)，其中PSDS等於(D₉₀-D₁₀)/D₅₀，其中D₉₀等於第一填料前驅物材料的D₉₀粒徑分佈測量，D₁₀等於第一填料前驅物材料的D₁₀粒徑分佈測量，D₅₀等於第一填料前驅物材料的D₅₀粒徑分佈測量。

實施例130.如實施例127、128和129中任一項之方法，其中第一填料前驅物材料的粒徑分佈包含至少約0.2微米且不大於約1.6微米的D₁₀。

實施例131.如實施例127、128和129中任一項之方法，其中第一填料前驅物材料的粒徑分佈包含至少約0.5微米且不大於約2.7微米的D₅₀。

實施例132.如實施例127、128和129中任一項之方法，其中第一填料前驅物材料的粒徑分佈包含至少約0.8微米且不大於約4.7微米的D₉₀。

實施例133.如實施例132的方法，其中第一填料前驅物材料進一步包含不大於約10微米的平均粒徑。

實施例134.如實施例127、128和129中任一項之方法，其中第一填料前驅物材料包含不大於約10微米的平均粒徑。

實施例135.如實施例127、128和129中任一項之方法，其中第一填料前驅物材料包含不大於約5的粒徑分佈跨度(PSDS)，其中PSDS等於(D₉₀-D₁₀)/D₅₀，其中D₉₀等於第一填料前驅物材料的D₉₀粒徑分佈測量，D₁₀等於第一填料前驅物材料的D₁₀粒徑分佈測量，以及D₅₀等於第一填料前驅物材料的D₅₀粒徑分佈測量。

實施例136.如實施例127、128和129中任一項之方法，其中第一填料前驅物材料進一步包含不大於約10m²/g的平均表面積。

實施例137.如實施例127、128和129中任一項之方法，其中第一填料前驅物材料包含二氧化矽基化合物。

實施例138.如實施例127、128和129中任一項之方法，第一填料前驅物材料包含二氧化矽。

實施例139.如實施例127、128和129中任一項之方法，其中樹脂基體前驅物組件包含全氟聚合物。

實施例140.如實施例139的方法，其中全氟聚合物包含四氟乙烯(TFE)的共聚物；六氟丙烯(HFP)的共聚物；四氟乙烯(TFE)的三元共聚物；或其任何組合。

實施例141.如實施例139的方法，其中全氟聚合物包含聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物樹脂(PFA)、氟化乙丙烯(FEP)或其任何組合。

實施例142.如實施例139的方法，其中全氟聚合物由聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基聚合物樹脂(PFA)、氟化乙丙烯(FEP)或其任何組合組成。

實施例143.如實施例127、128和129中任一項之方法，其中樹脂基體前驅物組件的含量為介電塗層的總體積的至少約50vol.%。

實施例144.如實施例127、128和129中任一項之方法，其中樹脂基體前驅物組件的含量不大於介電塗層的總體積的約63vol.%。

實施例145.如實施例139的方法，其中全氟聚合物的含量為介電塗層的總體積的至少約50vol.%。

實施例146.如實施例139的方法，其中全氟聚合物的含量為介電塗層總體積的不大於約63vol.%。

實施例147.如實施例127、128和129中任一項之方法，其中陶瓷填料前驅物組件的含量為介電塗層的總體積的至少約30vol.%。

實施例148.如實施例127、128和129中任一項之方法，其中陶瓷填料前驅物組件的含量為介電塗層的總體積的不大於約57vol.%。

實施例149.如實施例127、128和129中任一項之方法，其中第一填料前驅物材料的含量為陶瓷填料前驅物組件的總體積的至少約80vol.%。

實施例150.如實施例127、128和129中任一項之方法，其中第一填料前驅物材料的含量為陶瓷填料前驅物組件的總體積的不大於約100vol.%。

實施例151.如實施例127、128和129中任一項之方法，其中陶瓷填料前驅物組件進一步包含第二填料前驅物材料。

實施例152.如實施例151的介電塗層，其中第二填料前驅物材料包含高介電常數陶瓷材料。

實施例153.如實施例152的介電塗層，其中高介電常數材料具有至少約14的介電常數。

實施例154.如實施例152的介電塗層，其中所述陶瓷填料前驅物組件還包含TiO_2,SrTiO₃,ZrTi₂O₆,MgTiO₃,CaTiO₃,BaTiO₄或其任何組合。

實施例155.如實施例151的方法，其中第二填料前驅物材料的含量為陶瓷填料前驅物組件的總體積的至少約1vol.%。

實施例156.如實施例151的方法，其中第二填料前驅物材料的含量為陶瓷填料前驅物組件的總體積的不大於約20vol.%。

實施例157.如實施例127、128和129中任一項之方法，其中陶瓷填料前驅物組件為至少約97%非晶質。

實施例158.如實施例127、128和129中任一項之方法，其中介電塗層包含不大於約10vol.%的孔隙率。

實施例159.如實施例127、128和129中任一項之方法，其中敷銅層板包含不大於約10的孔隙率。

實施例160.如實施例127、128和129中任一項之方法，其中介電塗層包含至少約1微米的平均厚度。

實施例161.如實施例127、128和129中任一項之方法，其中介電塗層包含不大於約20微米的平均厚度。

實施例162.如實施例127、128和129中任一項之方法，其中所述介電塗層包含不大於約0.005的耗散因數(5GHz，20% RH)。

實施例163.如實施例127、128和129中任一項之方法，其中所述介電塗層包含不大於約0.0014的耗散因數(5GHz，20% RH)。

實施例164.如實施例127、128和129中任一項之方法，其中介電塗層包含不大於約80ppm/其中的熱膨脹係數(所有軸)。

實施例165.如實施例127、128和129中任一項之方法，其中敷銅層板包含介於至少約6 lb/in的銅箔層和介電塗層之間的剝離強度。

實施例166.如實施例127、128和129中任一項之方法，其中介電塗層包含不大於約0.05%的吸濕性。

實施例167.如實施例127、128和129中任一項之方法，其中銅箔層包含至少約6微米的平均厚度。

實施例168.如實施例127、128和129中任一項之方法，其中銅箔層包含不大於約36微米的平均厚度。

請注意，並非上文一般說明或實例中所述的所有行為均係需要，可能並不需要特定行為的一部分，並且除了所述者之外的一或多種進一步行為可予執行。又進一步地，所列出的行為之順序不一定是它們的執行順序。

益處、其他優點及解決問題之技術手段已於上文針對特定實施例而描述。然而，益處、優點、解決問題之技術手段以及可造成任何益處、優點、解決問題之技術手段發生或變得更加顯著之任何特徵不應被解釋為任何或所有請求項之關鍵、所需或必要特徵。

說明書及本文中所述之實施例的描繪係意欲提供各種實施例之結構的一般瞭解。說明書和描繪並非意欲用作使用本文中所述之結構或方法的裝置和系統之所有元件和特徵之詳盡和全面的描述。單獨的實施例亦可在單一實施例中組合提供，並且相反地，為了簡潔起見，在單一實施例的上下文中所述的各種特徵亦可單獨提供或以任何次組合來提供。進一步地，引用範圍中所述的值包括該範圍內的各個及每個值。只有在閱讀本說明書之後，許多其他實施例對於熟習本技術領域者才是清楚易見的。其他實施例可予使用並衍生自本公開，使得結構取代、邏輯性取代，或另外的改變可在不脫離本公開的範圍下進行。據此，本揭示應被視為說明性的而非限制性的。

100:形成方法

110、120、130:步驟

Claims

一種敷銅層板，其包含：銅箔層，以及覆蓋該銅箔層的介電塗層，其中該介電塗層包含：樹脂基體組件；及陶瓷填料組件，其中該陶瓷填料組件包含第一填料材料，其中該介電塗層具有不大於約20微米的平均厚度，且其中該第一填料材料包含不大於約5的粒徑分佈跨度(PSDS)，其中PSDS等於(D₉₀-D₁₀)/D₅₀，其中D₉₀等於該第一填料材料的D₉₀粒徑分佈測量，D₁₀等於該第一填料材料的D₁₀粒徑分佈測量，且D₅₀等於該第一填料材料的D₅₀粒徑分佈測量。
如請求項1之敷銅層板，其中該第一填料材料進一步包含不大於約10微米的平均粒徑。
如請求項1之敷銅層板，其中該第一填料材料包含二氧化矽基化合物。
如請求項1之敷銅層板，其中該樹脂基體組件包含全氟聚合物。
如請求項1之敷銅層板，其中該樹脂基體組件之含量係該介電塗層的總體積的至少約50vol.%且不大於約63vol.%。
如請求項1之敷銅層板，其中該陶瓷填料組件之含量係該介電塗層的總體積的至少約30vol.%且不大於約57vol.%。
如請求項1之敷銅層板，其中該介電塗層包含不大於約3.5的損耗因數(5GHz，20% RH)。
一種印刷電路板，其包含敷銅層板，其中該敷銅層板包含：銅箔層，以及覆蓋該銅箔層的介電塗層，其中該介電塗層包含：樹脂基體組件；及陶瓷填料組件，其中該陶瓷填料組件包含第一填料材料，其中該介電塗層具有不大於20微米的平均厚度，且其中該第一填料材料包含不大於約5的粒徑分佈跨度(PSDS)，其中PSDS等於(D₉₀-D₁₀)/D₅₀，其中D₉₀等於該第一填料材料的D₉₀粒徑分佈測量，D₁₀等於該第一填料材料的D₁₀粒徑分佈測量，且D₅₀等於該第一填料材料的D₅₀粒徑分佈測量。
一種形成敷銅層板之方法，其中該方法包含：提供銅箔層，結合樹脂基體前驅物組分及陶瓷填料前驅物組分以形成成形混合物，將該成形混合物形成為覆蓋該銅箔層的介電塗層，其中該陶瓷填料前驅物組分包含第一填料前驅物材料，其中該介電塗層具有不大於約20微米的平均厚度，且其中該第一填料前驅物材料包含不大於約5的粒徑分佈跨度(PSDS)，其中PSDS等於(D₉₀-D₁₀)/D₅₀，其中D₉₀等於該第一填料前驅物材料的D₉₀粒徑分佈測量，D₁₀等於該第一填料前驅物材料的D₁₀粒徑分佈測量，且D₅₀等於該第一填料前驅物材料的D₅₀粒徑分佈測量。