JP7475123B2 - 光検出装置 - Google Patents

光検出装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7475123B2
JP7475123B2 JP2019175945A JP2019175945A JP7475123B2 JP 7475123 B2 JP7475123 B2 JP 7475123B2 JP 2019175945 A JP2019175945 A JP 2019175945A JP 2019175945 A JP2019175945 A JP 2019175945A JP 7475123 B2 JP7475123 B2 JP 7475123B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature compensation
apd
diode
diodes
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019175945A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020095015A (ja
Inventor
弘典 園部
隆裕 近藤
和晃 前北
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Priority to CN201980056994.XA priority Critical patent/CN113167640A/zh
Priority to PCT/JP2019/046900 priority patent/WO2020121854A1/ja
Priority to EP19897484.2A priority patent/EP3896412A4/en
Priority to US17/311,756 priority patent/US11513002B2/en
Publication of JP2020095015A publication Critical patent/JP2020095015A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7475123B2 publication Critical patent/JP7475123B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/44—Electric circuits
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/0214—Constructional arrangements for removing stray light
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/4228—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors arrangements with two or more detectors, e.g. for sensitivity compensation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
    • H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02027—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for devices working in avalanche mode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/44—Electric circuits
    • G01J2001/444—Compensating; Calibrating, e.g. dark current, temperature drift, noise reduction or baseline correction; Adjusting
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/44—Electric circuits
    • G01J2001/4446—Type of detector
    • G01J2001/446—Photodiode
    • G01J2001/4466—Avalanche

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Description

本発明は、光検出装置に関する。
温度に対して安定した光検出を行うために、アバランシェフォトダイオードに印加するバイアス電圧を制御する構成が知られている（たとえば、特許文献１）。特許文献１では、温度補償用ダイオードのブレークダウン電圧に応じた電圧を、アバランシェフォトダイオードにバイアス電圧として印加する。以下、本明細書では、「アバランシェフォトダイオード」を「ＡＰＤ」と称する。
特開平０７－２７６０７号公報
光検出装置では、ＡＰＤにおいて温度に対して安定して所望のゲインを得ることが求められている。しかし、ＡＰＤのゲインは、ＡＰＤに印加するバイアス電圧の変化に応じて変化する。一定のバイアス電圧がＡＰＤに印加されていたとしても、環境温度が変化すればＡＰＤのゲインは変化する。したがって、ＡＰＤのゲインを一定にするには、環境温度に応じてＡＰＤに印加するバイアス電圧を変化させることを要する。
ＡＰＤのブレークダウン電圧とＡＰＤに印加するバイアス電圧との差分電圧が一定に制御された場合、環境温度が変化してもＡＰＤのゲインの変化は少ない。しかし、ＡＰＤのブレークダウン電圧も環境温度によって変化するため、状況に応じた所望のゲインが得られるようにゲインを切り替えることは非常に困難であった。
本発明の一つの態様は、ＡＰＤにおいて状況に応じた所望のゲインが温度に対して安定して得られる光検出装置を提供することを目的とする。
本発明の一つの態様に係る光検出装置は、ＡＰＤと、複数の温度補償用ダイオードと、回路部とを備える。複数の温度補償用ダイオードの各々は、第一及び第二電極を有している。複数の温度補償用ダイオードは、ＡＰＤよりも低い互いに異なるブレークダウン電圧を有している。回路部は、複数の温度補償用ダイオードのいずれかをブレークダウン状態とする。回路部は、複数の第一端子と第二端子とを含む。複数の第一端子の各々は、互いに異なる温度補償用ダイオードの第二電極に接続される。第二端子は、ＡＰＤと各温度補償用ダイオードの第一電極とに電気的に接続される。
上記一つの態様では、回路部は、第二端子に対してＡＰＤと各温度補償用ダイオードとを電気的に並列に接続する。この構成において、複数の温度補償用ダイオードのいずれかがブレークダウン状態とされると、ブレークダウン状態となった温度補償用ダイオードのブレークダウン電圧に応じた電圧がＡＰＤにバイアス電圧として印加される。この結果、ＡＰＤのブレークダウン電圧とＡＰＤに印加するバイアス電圧との差分電圧が設定され、ＡＰＤは当該差分電圧に応じたゲインを有している。したがって、ブレークダウン状態とする温度補償用ダイオードに応じて、ＡＰＤにおいて状況に応じた所望のゲインが温度に対して安定して得られる。
上記一つの態様では、回路部は、少なくとも１つのスイッチを有してもよい。少なくとも１つのスイッチは、対応する温度補償用ダイオードに電気的に接続されていてもよい。少なくとも１つのスイッチは、対応する温度補償用ダイオードが通電可能な状態と通電不可能な状態とを切り替えてもよい。複数の温度補償用ダイオードは、第一温度補償用ダイオードと、第二温度補償用ダイオードとを含んでもよい。第二温度補償用ダイオードは、第一温度補償用ダイオードよりも高いブレークダウン電圧を有してもよい。スイッチは、第一温度補償用ダイオードに電気的に接続されていてもよい。この場合、第一温度補償用ダイオードがスイッチによって通電可能な状態にされると、第二温度補償用ダイオードが通電可能な状態であったとしても、第一温度補償用ダイオードが優先してブレークダウン状態となる。このため、第一温度補償用ダイオードに電気的に接続されたスイッチを切り替えるだけで、ＡＰＤに印加されるブレークダウン電圧が２つのブレークダウン電圧から選択され得る。したがって、容易な制御でＡＰＤにおいて状況に応じた所望のゲインを切り替えることができる。
上記一つの態様では、少なくとも１つのスイッチは、対応する第一端子に接続されていてもよい。各温度補償用ダイオードの第一電極とＡＰＤとの間には高電圧が印加される。このため、第一電極とＡＰＤとの間にスイッチを配置するよりも、第一端子を介して第二電極と電気的にスイッチを接続した方が容易な制御を実現できる。
上記一つの態様では、回路部は、第一温度補償用ダイオードが通電可能な状態であるか否かに関わらず、第二温度補償用ダイオードを通電可能な状態としてもよい。この場合、第一温度補償用ダイオードが損傷したり、第一温度補償用ダイオードが配置されている付近で局所的な温度変化が起こったとしても、第二温度補償用ダイオードがブレークダウン状態となる。このため、大きな電流がＡＰＤに流れることが防止され、光検出装置の故障が防止される。
上記一つの態様では、複数の温度補償用ダイオードは、第三温度補償用ダイオードをさらに含んでもよい。第三温度補償用ダイオードは、第一温度補償用ダイオードのブレークダウン電圧よりも高くかつ第二温度補償用ダイオードのブレークダウン電圧よりも低いブレークダウン電圧を有してもよい。スイッチは、第三温度補償用ダイオードに電気的に接続されてもよい。回路部は、第一温度補償用ダイオードが通電不可能な状態において、スイッチによって、第三温度補償用ダイオードを通電可能な状態と通電不可能な状態との間で切り替えてもよい。この場合、第一温度補償用ダイオードが通電可能な状態では、第一温度補償用ダイオードがブレークダウン状態となる。第一温度補償用ダイオードが通電不可能な状態において、第三温度補償用ダイオードが通電可能な状態となれば第三温度補償用ダイオードがブレークダウン状態となる。第一温度補償用ダイオードが通電不可能な状態において、第三温度補償用ダイオードが通電不可能な状態となれば第二温度補償用ダイオードがブレークダウン状態となる。このように、容易な制御でＡＰＤにおいて状況に応じた所望のゲインを切り替えることができる。
本発明の一つの態様は、ＡＰＤにおいて状況に応じた所望のゲインが温度に対して安定して得られる光検出装置を提供する。
本実施形態に係る光検出装置のブロック図である。 光検出装置の概略構成図である。 光検出部の概略断面図である。 ＡＰＤに印加するバイアス電圧と当該バイアス電圧が印加されたＡＰＤのゲインとの関係を示すデータのグラフである。 回帰直線の傾き及び切片の温度依存性を示すグラフである。 設定部による設定に応じたＡＰＤの出力特性を示すグラフである。 半導体基板の製造方法を示すフローチャートである。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有している要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
まず、図１を参照して、本実施形態に係る光検出装置の概要を説明する。図１は、光検出装置のブロック図である。光検出装置１は、図１に示されているように、検出動作部２と回路部３と電源部４とを備えている。
検出動作部２は、受光部１０と、温度補償部１５とを有している。受光部１０は、少なくとも１つのＡＰＤを有している。本実施形態では、受光部１０のＡＰＤは、リニアモードで動作するアバランシェフォトダイオードである。温度補償部１５は、受光部１０のＡＰＤのゲインの温度補償を行う。温度補償部１５は、受光部１０のＡＰＤに印加するバイアス電圧を制御する。温度補償部１５は、複数の温度補償用ダイオードを有している。
回路部３は、検出動作部２の受光部１０及び温度補償部１５に電圧を印加する。回路部３は、受光部１０のＡＰＤ及び温度補償部１５の温度補償用ダイオードの各電極に電気的に接続されている。本実施形態では、回路部３は、温度補償部１５に含まれる温度補償用ダイオードがブレークダウン状態となる電圧を受光部１０のＡＰＤに印加する。
電源部４は、検出動作部２を動作させる起電力を発生する。電源部４は、回路部３を介して、検出動作部２における受光部１０のＡＰＤ及び温度補償部１５の温度補償用ダイオードに電位を印加する。電源部４は、温度補償部１５に含まれる温度補償用ダイオードをブレークダウン状態とする。
温度補償部１５の温度補償用ダイオードのいずれかにブレークダウン電圧が印加されることで、当該ブレークダウン電圧に応じた電圧が受光部１０のＡＰＤにバイアス電圧として印加される。これらの温度補償用ダイオードとＡＰＤとは、ゲインとバイアス電圧との関係について同等の温度特性を有している。この場合、環境温度が変化すると、温度補償用ダイオードに印加されるブレークダウン電圧が変化する。温度補償用ダイオードに印加されるブレークダウン電圧の当該変化によって、上記ＡＰＤに印加されるバイアス電圧も上記ＡＰＤのゲインが維持されるように環境温度に応じて変化する。すなわち、温度補償部１５によって、受光部１０のＡＰＤのゲインの温度補償が行われる。
次に、図２を参照して、光検出装置１の物理的な構成の一例についてより詳細に説明する。図２は、光検出装置の概略構成図である。光検出装置１は、光検出部２０と、起電力発生部３１と、電流制限部３２と、バイアス電圧安定化部３３と、設定部４０と、を備えている。光検出部２０は、上述した受光部１０と温度補償部１５とを有している。起電力発生部３１は、光検出部２０を動作させる起電力を発生する。電流制限部３２は、光検出部２０に流れる電流を制限する。バイアス電圧安定化部３３は、電流制限部３２により制限される上限値以上の電流出力を可能とする。設定部４０は、光検出部２０の動作を制御する。光検出部２０の一部は、検出動作部２に含まれる。光検出部２０の一部とバイアス電圧安定化部３３と設定部４０とは、回路部３に含まれる。起電力発生部３１と電流制限部３２とは、電源部４に含まれる。
光検出部２０は、図２に示されているように、ＡＰＤ１１及び温度補償部１５に加えて、温度補償部１５とＡＰＤ１１とを電気的に接続する配線部２１と、複数の端子２２，２３，２４，２５と、を有している。たとえば、端子２２が第二端子であり、複数の端子２５が複数の第一端子である。本明細書において、「電気的に接続する」及び「電気的に接続される」は、スイッチ等によって一時的に経路が切断される構成も含む。本実施形態では、温度補償部１５は、上述した複数の温度補償用ダイオードとして、３つの温度補償用ダイオード２６，２７，２８を含む。温度補償部１５は、４つ以上の温度補償用ダイオードを含んでいてもよい。
ＡＰＤ１１及び温度補償用ダイオード２６，２７，２８は、検出動作部２に含まれる。配線部２１及び複数の端子２２，２３，２４，２５は、回路部３に含まれる。ＡＰＤ１１は、一対の電極１９ａ，１９ｂを有している。各温度補償用ダイオード２６，２７，２８は、一対の電極２９ａ，２９ｂを有している。たとえば、電極２９ａが第一電極である場合、電極２９ｂは第二電極である。たとえば、温度補償用ダイオード２８は第一温度補償用ダイオードであり、温度補償用ダイオード２６は第二温度補償用ダイオードであり、温度補償用ダイオード２７は第三温度補償用ダイオードである。
温度補償用ダイオード２６，２７，２８は、同一の環境温度において、それぞれ異なる電圧でブレークダウン状態となる。以下、温度補償用ダイオード２６，２７，２８がブレークダウン状態となる際に当該温度補償用ダイオードに印加される電圧、及び、ＡＰＤ１１がブレークダウン状態となる際にＡＰＤ１１に印加される電圧を「ブレークダウン電圧」という。以降の説明において、ブレークダウン電圧を比較する場合は、同一の環境温度におけるブレークダウン電圧を比較したものとする。
複数の温度補償用ダイオード２６，２７，２８は、互いに異なるブレークダウン電圧を有している。温度補償用ダイオード２６は、温度補償用ダイオード２７よりも高い電圧でブレークダウン電圧を有している。温度補償用ダイオード２７は、温度補償用ダイオード２６よりも低く温度補償用ダイオード２８よりも高い電圧でブレークダウン電圧を有している。温度補償用ダイオード２８は、温度補償用ダイオード２６，２７よりも低い電圧でブレークダウン電圧を有している。複数の温度補償用ダイオード２６，２７，２８のブレークダウン電圧は、いずれもＡＰＤ１１のブレークダウン電圧よりも低い。
配線部２１は、端子２２及び端子２３の双方に対して、ＡＰＤ１１の電極１９ａと温度補償用ダイオード２６の電極２９ａと温度補償用ダイオード２７の電極２９ａと温度補償用ダイオード２８の電極２９ａとを並列に接続する。配線部２１は、各温度補償用ダイオード２６，２７，２８のブレークダウン電圧に応じた電圧をＡＰＤ１１にバイアス電圧として印加する。
端子２２は、ＡＰＤ１１の電極１９ａと各温度補償用ダイオード２６，２７，２８の電極２９ａと電源部４の電流制限部３２とに電気的に接続される。端子２３は、ＡＰＤ１１の電極１９ａ及び各温度補償用ダイオード２６，２７，２８の電極２９ａとバイアス電圧安定化部３３とに電気的に接続される。端子２４は、ＡＰＤ１１の電極１９ｂと不図示の信号読出回路とに電気的に接続される。複数の端子２５は、各温度補償用ダイオード２６，２７，２８の電極２９ｂと設定部４０とに電気的に接続される。各端子２５は、互いに異なる温度補償用ダイオード２６，２７，２８の電極２９ｂに接続される。本実施形態では、電極１９ａはＡＰＤ１１のアノードであり、電極１９ｂはＡＰＤ１１のカソードである。電極２９ａは各温度補償用ダイオード２６，２７，２８のアノードであり、電極２９ｂは各温度補償用ダイオード２６，２７，２８のカソードである。
起電力発生部３１及び電流制限部３２は、電源部４として、光検出部２０に対して電圧を印加する。起電力発生部３１と電流制限部３２とは、端子２２に電気的に接続される。本実施形態では、起電力発生部３１の正極がグラウンド３６に接続され、起電力発生部３１の負極が電流制限部３２を介して端子２２に接続されている。
バイアス電圧安定化部３３は、ＡＰＤ１１から出力される検出信号の上限値を増加させる。バイアス電圧安定化部３３は、光検出部２０及び起電力発生部３１に対して電流制限部３２と並列に接続されている。バイアス電圧安定化部３３は、たとえば、コンデンサである。本実施形態では、コンデンサの一方の電極が起電力発生部３１の負極に接続され、他方の電極が端子２３に接続されている。光の入射によってＡＰＤ１１から出力されたパルス信号を検出する場合には、電流制限部３２によって制限される電流値以上の強度の出力が当該コンデンサの容量に応じて得られる。
設定部４０は、ＡＰＤ１１に設定するゲインに応じて、温度補償部１５を設定する。設定部４０は、複数の温度補償用ダイオード２６，２７，２８のうち動作させる温度補償用ダイオードを選択する。換言すれば、設定部４０は、複数の温度補償用ダイオード２６，２７，２８からバイアス電圧の制御に用いる温度補償用ダイオードを設定する。設定部４０は、複数の温度補償用ダイオード２６，２７，２８の通電状態を制御することで、動作させる温度補償用ダイオードを設定する。
設定部４０は、少なくとも１つのスイッチ４１を有している。少なくとも１つのスイッチ４１は、対応する端子２５に接続されている。本実施形態では、設定部４０は、２つのスイッチ４１を有している。一方のスイッチ４１は、対応する端子２５を通して、温度補償用ダイオード２７に電気的に接続されている。他方のスイッチ４１は、対応する端子２５を通して、温度補償用ダイオード２８に電気的に接続されている。スイッチ４１は、対応する温度補償用ダイオード２７，２８が通電可能な状態と通電不可能な状態とを切り替える。設定部４０は、スイッチ４１のオンオフを制御する。
本実施形態では、光検出部２０は、３つの端子２５を有している。３つの端子２５は、温度補償用ダイオード２６，２７，２８に１つずつ接続されている。温度補償用ダイオード２６に接続された端子２５は、グラウンド４６に接続されている。温度補償用ダイオード２７に接続された端子２５は、スイッチ４１を介してグラウンド４７に接続されている。温度補償用ダイオード２８に接続された端子２５は、スイッチ４１を介してグラウンド４８に接続されている。すなわち、１つの端子２５のみがスイッチ４１に接続されていない。グラウンド４６，４７，４８は、互いに接続されていてもよい。本実施形態の変形例として、全ての端子２５にスイッチ４１が接続されていてもよい。
次に、図３を参照して、光検出装置１における光検出部２０の構造について詳細に説明する。図３は、光検出部の概略断面図である。図３では、温度補償部１５として、温度補償用ダイオード２６，２７，２８のうち１つのみが示されている。本実施形態では、光検出部２０は、図３に示されているように、半導体基板５０を備える光学部材である。半導体基板５０は、互いに対向する主面５０ａ，５０ｂを有している。ＡＰＤ１１及び各温度補償用ダイオード２６，２７，２８は、主面５０ａに直交する方向から見て、互いに離間して半導体基板５０に形成されている。ＡＰＤ１１は、主面５０ａ側に光入射面５１ａを有している。温度補償用ダイオード２６，２７，２８は、遮光されたＡＰＤである。
半導体基板５０は、半導体領域５１及び半導体層５２，５３，５４，５５を含む。ＡＰＤ１１及び各温度補償用ダイオード２６，２７，２８は、それぞれ、半導体領域５１及び半導体層５２，５３，５５を含む。
半導体領域５１及び半導体層５３，５４，５５は第一導電型であり、半導体層５２は第二導電型である。半導体の不純物は、たとえば拡散法又はイオン注入法によって添加される。本実施形態では、第一導電型はＰ型であり、第二導電型はＮ型である。半導体基板５０がＳｉをベースとする場合、Ｐ型不純物としてはＢなどの１３族元素が用いられ、Ｎ型不純物としてはＮ、Ｐ又はＡｓなどの１５族元素が用いられる。
半導体領域５１は、半導体基板５０の主面５０ａ側に位置している。半導体領域５１は、主面５０ａの一部を構成している。半導体領域５１は、たとえばＰ－型である。
半導体層５２は、主面５０ａの一部を構成している。半導体層５２は、主面５０ａに直交する方向から見て、半導体領域５１に接し、半導体領域５１に囲まれている。半導体層５２は、たとえばＮ＋型である。本実施形態では、半導体層５２は、ＡＰＤ１１及び各温度補償用ダイオード２６，２７，２８のそれぞれにおいてカソードを構成する。
半導体層５３は、半導体領域５１と半導体層５２との間に位置している。換言すれば、半導体層５３は、主面５０ａ側で半導体層５２に接し、主面５０ｂ側で半導体領域５１に接している。半導体層５３は、半導体領域５１よりも不純物濃度が高い。半導体層５３は、たとえばＰ型である。本実施形態では、各温度補償用ダイオード２６，２７，２８の半導体層５３の不純物濃度は、ＡＰＤ１１の半導体層５３の不純物濃度よりも高い。半導体層５３は、ＡＰＤ１１及び各温度補償用ダイオード２６，２７，２８のそれぞれにおいてアバランシェ領域を構成する。
温度補償用ダイオード２７の半導体層５３の不純物濃度は、温度補償用ダイオード２６の半導体層５３の不純物濃度よりも高い。温度補償用ダイオード２８の半導体層５３の不純物濃度は、温度補償用ダイオード２７の半導体層５３の不純物濃度よりも高い。
半導体層５４は、主面５０ａの一部を構成している。半導体層５４は、主面５０ａに直交する方向から見て、半導体領域５１に接し、半導体領域５１に囲まれている。本実施形態では、半導体層５４は、半導体領域５１及び半導体層５３よりも不純物濃度が高い。半導体層５４は、たとえばＰ＋型である。半導体層５４は、図示されていない部分で半導体層５５に接続されている。半導体層５４は、光検出装置１のアノードを構成する。半導体層５４は、たとえば、ＡＰＤ１１、及び各温度補償用ダイオード２６，２７，２８のアノードを構成する。
半導体層５５は、半導体領域５１よりも半導体基板５０の主面５０ｂ側に位置している。半導体層５５は、主面５０ｂの全面を構成している。半導体層５５は、主面５０ａ側で半導体領域５１に接している。本実施形態では、半導体層５５は、半導体領域５１及び半導体層５３よりも不純物濃度が高い。半導体層５５は、たとえばＰ＋型である。半導体層５５は、光検出装置１のアノードを構成する。半導体層５５は、たとえば、ＡＰＤ１１及び各温度補償用ダイオード２６，２７，２８のアノードを構成する。
光検出装置１は、半導体基板５０の主面５０ａ上に設けられた、絶縁膜６１と、電極６２，６３，６４と、パッシベーション膜６６と、反射防止膜６７とをさらに備える。絶縁膜６１は、半導体基板５０の主面５０ａ上に積層されている。絶縁膜６１は、たとえばシリコン酸化膜である。電極６２，６３，６４は、それぞれ絶縁膜６１上に配置されている。パッシベーション膜６６は、絶縁膜６１及び電極６２，６３，６４上に積層されている。反射防止膜６７は、半導体基板５０の主面５０ａ上に積層されている。
電極６２は、絶縁膜６１を貫通して、ＡＰＤ１１の半導体層５２に接続されている。電極６２の一部は、パッシベーション膜６６から露出しており、ＡＰＤ１１の端子２４を構成する。電極６２は、端子２４においてＡＰＤ１１からの信号を出力する。
電極６３は、絶縁膜６１を貫通して、各温度補償用ダイオード２６，２７，２８の半導体層５２に接続されている。電極６３の一部は、パッシベーション膜６６から露出しており、各温度補償用ダイオード２６，２７，２８の端子２５を構成する。
電極６４は、絶縁膜６１を貫通して、半導体層５４に接続されている。すなわち、電極６４は、ＡＰＤ１１及び各温度補償用ダイオード２６，２７，２８に対して接続されている。換言すれば、ＡＰＤ１１及び各温度補償用ダイオード２６，２７，２８は、電極６４に対して互いに並列に接続されている。電極６４の一部は、パッシベーション膜６６から露出しており、たとえば、端子２２を構成する。
本実施形態では、端子２４は、ＡＰＤ１１のカソード用のパッド電極である。端子２５は、温度補償用ダイオード２６，２７，２８のカソード用のパッド電極である。端子２２は、ＡＰＤ１１及び各温度補償用ダイオード２６，２７，２８のアノード用のパッド電極である。
端子２２には、ＡＰＤ１１及び各温度補償用ダイオード２６，２７，２８が互いに並列に接続されている。ＡＰＤ１１及び各温度補償用ダイオード２６，２７，２８に逆方向バイアスをかける場合には、カソード用のパッド電極に正電圧が印加され、アノード用のパッド電極には負電圧が印加される。
反射防止膜６７は、ＡＰＤ１１の半導体層５２上に積層されている。反射防止膜６７の一部は、パッシベーション膜６６から露出している。このため、ＡＰＤ１１の半導体層５２には、反射防止膜６７を透過した光が入射し得る。各温度補償用ダイオード２６，２７，２８の半導体層５２は、絶縁膜６１で覆われており遮光されている。
次に、温度補償部１５についてさらに詳細に説明する。温度補償部１５の各温度補償用ダイオード２６，２７，２８とＡＰＤ１１とは、ゲインとバイアス電圧との関係について同等の温度特性を有している。光検出装置１では、各温度補償用ダイオード２６，２７，２８のブレークダウン電圧に応じた電圧がＡＰＤ１１にバイアス電圧として印加される。
温度補償部１５は、ＡＰＤ１１のブレークダウン電圧とＡＰＤ１１に印加するバイアス電圧との差分電圧が一定となるように当該バイアス電圧を制御する。この差分電圧は、以下のように決定されている。
ＡＰＤに印加するバイアス電圧を“Ｖｒ”とし、当該バイアス電圧が印加されたＡＰＤのゲインを“Ｍ”とした場合、以下の関係式が成り立つ。
Figure 0007475123000001
“ａ”及び“ｂ”は、定数である。式（１）から分かるように、“（１／Ｍ）×（ｄＭ／ｄＶｒ）”を目的変数とし“Ｍ”を説明変数とした場合に、ＡＰＤにおけるバイアス電圧とゲインとの関係を示すデータについて、傾きが“ａ”であり、切片が“ｂ”である回帰直線が成り立つ。図４及び図５に示されているように、傾き“ａ”と切片“ｂ”とは温度依存性が極めて低い。図４は、ＡＰＤに印加するバイアス電圧と当該バイアス電圧が印加されたＡＰＤのゲインとの関係を示すデータのグラフである。図４では、横軸はＡＰＤのゲインを示し、縦軸は“（１／Ｍ）×（ｄＭ／ｄＶｒ）”の値を示している。複数の線は、それぞれ異なる環境温度のデータを示している。具体的には、図４は、１００℃、８０℃、６０℃、４０℃、２０℃、０℃、－２０℃、－４０℃の８種の環境温度におけるデータを示している。図５は、取得された回帰直線の傾き“ａ”及び切片“ｂ”の温度依存性を示すグラフである。図５では、横軸が環境温度を示し、縦軸が“ａ”及び“ｂ”の値を示している。実線は“ａ”のデータを示し、破線は“ｂ”のデータを示している。
ＡＰＤに印加するバイアス電圧を“Ｖｒ”とし、当該バイアス電圧が印加されたＡＰＤのゲインを“Ｍ”とし、ＡＰＤのブレークダウン電圧を“Ｖｂｒ”とした場合、以下の関係式が成り立つ。
Figure 0007475123000002
ここで、式（１）及び式（２）における“ａ”は、互いに同一の物理量を示している。式（１）及び式（２）における“ｂ”は、互いに同一の物理量を示している。
したがって、式（１）から取得された“ａ”及び“ｂ”を式（２）の“ａ”及び“ｂ”に代入すれば、所望のゲインに対する“（Ｖｂｒ－Ｖｒ）”の値が一意に求まる。“（Ｖｂｒ－Ｖｒ）”は、ＡＰＤのブレークダウン電圧からＡＰＤに印加するバイアス電圧を減算した減算値である。すなわち、“（Ｖｂｒ－Ｖｒ）”は、上述した差分電圧である。
上記差分電圧を“ΔＶ”とした場合、式（２）は式（３）のように表される。
Figure 0007475123000003
したがって、式（３）におけるＡＰＤのゲイン“Ｍ”を所望のゲイン“Ｍｄ”とした式（４）を用いることで、所望のゲインに対応する“ΔＶ”が容易に演算される。
Figure 0007475123000004
具体的には、ＡＰＤに印加するバイアス電圧と当該バイアス電圧が印加されたＡＰＤのゲインとの関係を示すデータを任意の温度において取得する。取得されたデータおいて“（１／Ｍ）×（ｄＭ／ｄＶｒ）”を目的変数とし“Ｍ”を説明変数とした回帰直線の傾きを式（４）の“ａ”に、及び回帰直線の切片を式（４）の“ｂ”に、ＡＰＤ１１に設定する所望のゲインを式（４）の“Ｍｄ”に代入する。これによって、“ΔＶ”が演算される。温度補償部１５は、上記差分電圧が演算された“ΔＶ”となるように、ＡＰＤ１１に印加するバイアス電圧を制御する。ここで、取得されるバイアス電圧とゲインとの関係を示すデータは、ＡＰＤ１１と同一の材料及び構造を有するＡＰＤであれば、ＡＰＤ１１と同一個体のＡＰＤのデータでなくともよい。
本実施形態では、上記差分電圧は、ＡＰＤ１１のブレークダウン電圧からブレークダウン状態となった温度補償用ダイオード２６，２７，２８のブレークダウン電圧に応じた電圧を減算した減算値である。温度補償部１５では、ブレークダウン状態となった温度補償用ダイオード２６，２７，２８のブレークダウン電圧に応じた電圧がＡＰＤ１１にバイアス電圧として印加される。
本実施形態では、ＡＰＤ１１のブレークダウン電圧と各温度補償用ダイオード２６，２７，２８のブレークダウン電圧とは互いに異なる値を有している。各温度補償用ダイオード２６，２７，２８の半導体層５３の不純物濃度とＡＰＤ１１の半導体層５３の不純物濃度とが調整されることで、ＡＰＤ１１のブレークダウン電圧と温度補償用ダイオード２６，２７，２８のブレークダウン電圧との差分電圧が調整されている。本実施形態の変形例として、回路構成によって、上記差分電圧が調整されてもよい。端子２５に外部電圧を印加することで、上記差分電圧が調整されてもよい。これらの変形例の場合、ＡＰＤ１１のブレークダウン電圧と温度補償用ダイオード２６，２７，２８のいずれかのブレークダウン電圧とは同じでもよい。これらの複数の手法が組み合わされて、上記差分電圧が調整されてもよい。
本実施形態では、各温度補償用ダイオード２６，２７，２８の半導体層５３の不純物濃度は、ＡＰＤ１１の半導体層５３の不純物濃度よりも高い。この結果、ＡＰＤ１１のブレークダウン電圧の方が、各温度補償用ダイオード２６，２７，２８のブレークダウン電圧よりも“ΔＶ”だけ高い。３つの温度補償用ダイオード２６，２７，２８は、それぞれ異なるブレークダウン電圧を有している。３つの温度補償用ダイオード２６，２７，２８は、それぞれ異なるゲインを取得するものとして設計されている。式（４）によって温度補償用ダイオード２６，２７，２８ごとに“ΔＶ”が演算され、演算された各々の“ΔＶ”に応じて各温度補償用ダイオード２６，２７，２８の半導体層５３の不純物濃度が設計されている。温度補償用ダイオード２６，２７，２８のそれぞれについて“ΔＶ”を演算する際に、“ａ”には同一の値が代入される。同様に、温度補償用ダイオード２６，２７，２８のそれぞれについて“ΔＶ”を演算する際に、“ｂ”には同一の値が代入される。
光検出装置１では、温度補償用ダイオード２６，２７，２８のブレークダウン電圧が印加されることで、当該ブレークダウン電圧がＡＰＤ１１にバイアス電圧として印加される。本実施形態では、複数の温度補償用ダイオード２６，２７，２８のブレークダウン電圧のうち１つのブレークダウン電圧が、ＡＰＤ１１にバイアス電圧として印加される。複数の温度補償用ダイオード２６，２７，２８のブレークダウン電圧のうちいずれのブレークダウン電圧がＡＰＤ１１にバイアス電圧として印加されるかは、設定部４０によって制御される。
次に、本実施形態における光検出装置の動作について説明する。
本実施形態では、端子２２はＰ＋型の半導体層５４に接続されており、半導体層５４はＰ＋型の半導体層５５に接続されている。したがって、ＡＰＤ１１及び各温度補償用ダイオード２６，２７，２８のアノードは、端子２２に対して互いに並列に接続されている。この結果、ＡＰＤ１１及び各温度補償用ダイオード２６，２７，２８のアノードには、電源部４によってマイナスの電位が印加される。
回路部３は、複数の温度補償用ダイオード２６，２７，２８のいずれかをブレークダウン状態とする。設定部４０は、スイッチ４１によって、複数の温度補償用ダイオード２６，２７，２８のうち動作させる温度補償用ダイオードを選択する。設定部４０は、スイッチ４１のオンオフを切り替えることで、ＡＰＤ１１にバイアス電圧としてブレークダウン電圧を印加する温度補償用ダイオードを選択する。設定部４０は、ＡＰＤ１１に設定するゲインを式（４）の“Ｍｄ”に代入することで演算される“ΔＶ”が差分電圧となるように、複数の温度補償用ダイオード２６，２７，２８からバイアス電圧の制御に用いる温度補償用ダイオードを選択する。
選択された温度補償用ダイオードのブレークダウン電圧は、当該温度補償用ダイオードに対応する端子２５に印加される電位と、端子２２に印加される電位との電位差である。したがって、ＡＰＤ１１のアノードには、選択された温度補償用ダイオードのブレークダウン電圧に応じた電位が印加される。この結果、ＡＰＤ１１には、選択された温度補償用ダイオードのブレークダウン電圧に応じた電圧がバイアス電圧として印加される。
本実施形態では、設定部４０は、温度補償用ダイオード２８を動作させる場合には、温度補償用ダイオード２６，２７，２８を全て通電可能な状態とする。すなわち、設定部４０は、複数の端子２５に接続されたスイッチ４１の全てをオンとする。この場合、通電可能な状態にある温度補償用ダイオード２６，２７，２８において、温度補償用ダイオード２８が最も小さいブレークダウン電圧を有しているため、温度補償用ダイオード２８が動作する。すなわち、温度補償用ダイオード２８のブレークダウン電圧が、ＡＰＤ１１にバイアス電圧として印加される。
設定部４０は、温度補償用ダイオード２７を動作させる場合には、温度補償用ダイオード２６，２７を通電可能な状態とし、温度補償用ダイオード２８を通電不可能な状態とする。本実施形態では、設定部４０は、温度補償用ダイオード２７に対応する端子２５に接続されたスイッチ４１をオンとし、温度補償用ダイオード２８に対応する端子２５に接続されたスイッチ４１をオフとする。温度補償用ダイオード２６に対応する端子２５にはスイッチ４１が接続されていないため、通電可能な状態となっている。この場合、通電可能な状態にある温度補償用ダイオード２６，２７において、温度補償用ダイオード２７が最も小さいブレークダウン電圧を有しているため、温度補償用ダイオード２７が動作する。すなわち、温度補償用ダイオード２７のブレークダウン電圧が、ＡＰＤ１１にバイアス電圧として印加される。
設定部４０は、温度補償用ダイオード２６を動作させる場合には、温度補償用ダイオード２６を通電可能な状態とし、温度補償用ダイオード２７，２８を通電不可能な状態とする。本実施形態では、設定部４０は、温度補償用ダイオード２７，２８に対応する端子２５に接続されたスイッチ４１をオフとする。温度補償用ダイオード２６に対応する端子２５にはスイッチ４１が接続されていないため、通電可能な状態となっている。この場合、通電可能な状態にある温度補償用ダイオード２６が動作する。すなわち、温度補償用ダイオード２６のブレークダウン電圧が、ＡＰＤ１１にバイアス電圧として印加される。
以上の動作によれば、設定部４０によって、ＡＰＤ１１のゲインが選択される。図６は、設定部４０による設定に応じたＡＰＤ１１の出力特性を示すグラフである。図６では、縦軸がＡＰＤ１１の出力電圧を示し、横軸が時間を示している。データ７１，７２，７３は、それぞれ、同一の強度のパルス光がＡＰＤ１１に入射したときのＡＰＤ１１の出力特性を示している。データ７１は、温度補償用ダイオード２６が動作している状態におけるＡＰＤ１１の出力特性を示している。データ７２は、温度補償用ダイオード２７が動作している状態におけるＡＰＤ１１の出力特性を示している。データ７３は、温度補償用ダイオード２６が動作している状態におけるＡＰＤ１１の出力特性を示している。
図６に示されているように、温度補償用ダイオード２６が動作している状態におけるＡＰＤ１１の出力ピークは、温度補償用ダイオード２７が動作している状態におけるＡＰＤ１１の出力ピークよりも大きい。温度補償用ダイオード２７が動作している状態におけるＡＰＤ１１の出力ピークは、温度補償用ダイオード２８が動作している状態におけるＡＰＤ１１の出力ピークよりも大きい。このように、設定部４０によって動作する温度補償用ダイオード２６，２７，２８を切り替えることで、ＡＰＤ１１のゲインが選択されることが確認された。
本実施形態では、設定部４０は、温度補償用ダイオード２８が通電可能な状態であるか否かにかかわらず、温度補償用ダイオード２６を通電可能な状態とする。設定部４０は、温度補償用ダイオード２８が通電不可能な状態において、スイッチ４１によって、温度補償用ダイオード２７を通電可能な状態と通電不可能な状態との間で切り替える。以下では、一例として、設定部４０が動作させる温度補償用ダイオードとして、温度補償用ダイオード２８を選択した場合について説明する。
本実施形態では、起電力発生部３１と電流制限部３２との組み合わせが端子２２に接続されることによって、端子２２に選択された温度補償用ダイオード２８のブレークダウン電圧が印加される。本実施形態では、起電力発生部３１の出力電圧は、ＡＰＤ１１の動作電圧以上である。換言すれば、起電力発生部３１の出力電圧は、各温度補償用ダイオード２６，２７，２８のブレークダウン電圧の温度変動の上限以上である。たとえば、起電力発生部３１の出力電圧は、３００Ｖ以上である。電流制限部３２は、たとえばカレントミラー回路又は抵抗などで構成される。
選択された温度補償用ダイオード２８とＡＰＤ１１とのブレークダウン電圧差に応じて、ＡＰＤ１１のゲインは任意に設定され得る。ＡＰＤ１１のゲインがＳ／Ｎ比の高い最適増倍率Ｍｏｐｔに設定されれば、検出精度の向上を図られる。
本実施形態では、ＡＰＤ１１及び各温度補償用ダイオード２６，２７，２８のアノードは、半導体層５５で一体に構成されている。たとえば、２５℃の環境温度下において、端子２５に印加される電位が０Ｖであり、かつ、選択された温度補償用ダイオード２８のブレークダウン電圧が１３０Ｖである場合、ＡＰＤ１１のアノードには－１３０Ｖの電位が印加される。したがって、ＡＰＤ１１のブレークダウン電圧が２５℃の環境温度下において１５０Ｖである場合、ＡＰＤ１１はアノードとカソードとの電位差がブレークダウン電圧よりも２０Ｖ低い状態で動作する。
上述したように、ＡＰＤ１１と各温度補償用ダイオード２６，２７，２８とは、ゲインとバイアス電圧との関係について同等の温度特性を有している。このため、ＡＰＤ１１は、選択された温度補償用ダイオード２８がブレークダウン状態となっている限り、２５℃の環境温度下においてブレークダウン電圧よりも２０Ｖ低いバイアス電圧がされた場合のゲインを維持して動作する。換言すれば、光検出装置１では、選択された温度補償用ダイオード２８をブレークダウン状態とする電圧が当該温度補償用ダイオード２８に印加されることで、ＡＰＤ１１のゲインについて温度補償が実現される。
次に、上述した実施形態及び変形例における光検出装置の作用効果について説明する。従来、互いに同等の温度特性を有するＡＰＤと温度補償用ダイオードとを備えた光検出装置を製造する場合、ゲインとバイアス電圧との関係について所望の温度特性を有するＡＰＤを選定し組み合せるための検査が必要であった。このため、コスト削減は、困難であった。この点、光検出装置１では、同一の半導体基板５０にＡＰＤ１１及び各温度補償用ダイオード２６，２７，２８がそれぞれ形成されている。この場合、ゲインとバイアス電圧とに関する温度特性が広い温度範囲で互いに同等の温度補償用ダイオード２６，２７，２８とＡＰＤ１１とが、各温度補償用ダイオード２６，２７，２８とＡＰＤ１１とがそれぞれ異なる半導体基板に形成される場合よりも容易に高い精度で形成される。したがって、製造コストが抑えられながら、ＡＰＤ１１のゲインに対する温度補償が実現され得る。
半導体基板５０は、第一導電型の半導体領域５１を含んでいる。ＡＰＤ１１及び各温度補償用ダイオード２６，２７，２８は、それぞれ、半導体層５２と半導体層５３とを含んでいる。半導体基板５０では、半導体層５２は、第二導電型である。半導体層５３は、半導体領域５１よりも不純物濃度が高い第一導電型である。半導体層５３は、半導体領域５１と半導体層５２との間に位置している。このように、各温度補償用ダイオード２６，２７，２８は、ＡＰＤ１１と同様の構成である。このため、ゲインとバイアス電圧とに関する温度特性がＡＰＤ１１に酷似した複数の温度補償用ダイオード２６，２７，２８を容易に形成できる。
半導体基板５０では、各温度補償用ダイオード２６，２７，２８の半導体層５３における不純物濃度は、ＡＰＤ１１の半導体層５３における不純物濃度より高い。この場合、光検出装置１では、たとえば、ＡＰＤ１１のブレークダウン電圧の方が各温度補償用ダイオード２６，２７，２８のブレークダウン電圧よりも大きくなる。この結果、リニアモードで動作するＡＰＤ１１のゲインに対する温度補償が実現される。
光検出装置１では、“（１／Ｍ）×（ｄＭ／ｄＶｒ）”を目的変数とし“Ｍ”を説明変数とした回帰直線の傾きを式（４）の“ａ”に、切片を式（４）の“ｂ”に代入することで所望のゲインが得られる上記差分電圧が決定されている。このため、環境温度を厳密に考慮することなく、極めて容易に所望のゲインが得られる。
温度補償部１５は、温度補償用ダイオード２６，２７，２８を有している。温度補償部１５は、温度補償用ダイオード２６，２７，２８のいずれかに印加されるブレークダウン電圧に応じた電圧をＡＰＤ１１にバイアス電圧として印加する。たとえば、温度補償用ダイオード２８がブレークダウン状態とされる場合、差分電圧は、ＡＰＤ１１のブレークダウン電圧から温度補償用ダイオード２８のブレークダウン電圧に応じた電圧を減算した減算値である。このため、所望のゲインが得られる“ΔＶ”を導出し、上記減算値が“ΔＶ”となるように、ＡＰＤ１１及び温度補償用ダイオード２６，２７，２８の不純物濃度が設計され得る。
光検出装置１は、設定部４０と配線部２１とを備えている。設定部４０は、ＡＰＤ１１に設定するゲインに応じて、温度補償部１５を設定する。配線部２１は、温度補償部１５とＡＰＤ１１とを電気的に接続する。複数の温度補償用ダイオード２６，２７，２８は、互いに異なるブレークダウン電圧を有している。配線部２１は、各温度補償用ダイオード２６，２７，２８のブレークダウン電圧に応じた電圧をＡＰＤ１１にバイアス電圧として印加する。設定部４０は、ＡＰＤ１１に設定するゲインを式（４）の“Ｍｄ”に代入することで演算される“ΔＶ”が差分電圧となるように、複数の温度補償用ダイオード２６，２７，２８からバイアス電圧の制御に用いる温度補償用ダイオードを設定する。このため、設定部４０によって、複数の温度補償用ダイオード２６，２７，２８からバイアス電圧の制御に用いる温度補償用ダイオードが設定される。したがって、環境温度を厳密に考慮することなく、状況に応じた所望のゲインを極めて容易に得ることができる。換言すれば、所望のゲインを容易に切り替えることができると共に温度に安定して所望のゲインが得られる。
回路部３は、端子２２に対してＡＰＤ１１と各温度補償用ダイオード２６，２７，２８とを電気的に並列に接続する。この構成において、複数の温度補償用ダイオード２６，２７，２８のいずれかがブレークダウン状態とされると、ブレークダウン状態となった温度補償用ダイオードのブレークダウン電圧がＡＰＤ１１にバイアス電圧として印加される。この結果、ＡＰＤ１１のブレークダウン電圧とＡＰＤ１１に印加するバイアス電圧との差分電圧が設定され、ＡＰＤ１１は当該差分電圧に応じたゲインを有している。したがって、ブレークダウン状態とする温度補償用ダイオードに応じて、ＡＰＤ１１において状況に応じた所望のゲインが温度に対して安定して得られる。
回路部３は、少なくとも１つのスイッチ４１を有している。スイッチ４１は、対応する温度補償用ダイオード２７，２８に電気的に接続されている。スイッチ４１は、対応する温度補償用ダイオード２７，２８が通電可能な状態と通電不可能な状態とを切り替える。複数の温度補償用ダイオード２６，２７，２８は、温度補償用ダイオード２６と、温度補償用ダイオード２８とを含んでいる。温度補償用ダイオード２６は、温度補償用ダイオード２８よりも高いブレークダウン電圧を有している。スイッチ４１は、温度補償用ダイオード２８に電気的に接続されている。この場合、温度補償用ダイオード２８がスイッチ４１によって通電可能な状態にされると、温度補償用ダイオード２６が通電可能な状態であったとしても、温度補償用ダイオード２８が優先してブレークダウン状態となる。このように、容易な制御でＡＰＤ１１において状況に応じた所望のゲインを切り替えることができる。
少なくとも１つのスイッチ４１は、対応する端子２５に接続されている。各温度補償用ダイオード２６，２７，２８の電極２９ａとＡＰＤ１１との間には高電圧が印加される。このため、電極２９ａとＡＰＤ１１との間にスイッチ４１を配置するよりも、端子２５を介して電極２９ｂと電気的にスイッチ４１を接続した方が容易な制御を実現できる。
回路部３は、温度補償用ダイオード２８が通電可能な状態であるか否かに関わらず、温度補償用ダイオード２６を通電可能な状態とする。この場合、温度補償用ダイオード２８が損傷したり、温度補償用ダイオード２８が配置されている付近で局所的な温度変化が起こったとしても、温度補償用ダイオード２６がブレークダウン状態となる。このため、大きな電流がＡＰＤ１１に流れることが防止され、光検出装置１の故障が防止される。
複数の温度補償用ダイオード２６，２７，２８は、温度補償用ダイオード２７をさらに含んでいる。温度補償用ダイオード２７は、温度補償用ダイオード２８のブレークダウン電圧よりも高くかつ温度補償用ダイオード２６のブレークダウン電圧よりも低いブレークダウン電圧を有している。スイッチ４１は、温度補償用ダイオード２７に電気的に接続される。回路部３は、温度補償用ダイオード２８が通電不可能な状態において、スイッチ４１によって、温度補償用ダイオード２７を通電可能な状態と通電不可能な状態との間で切り替える。この場合、温度補償用ダイオード２８が通電可能な状態では、温度補償用ダイオード２８がブレークダウン状態となる。温度補償用ダイオード２８が通電不可能な状態において、温度補償用ダイオード２７が通電可能な状態となれば温度補償用ダイオード２７がブレークダウン状態となる。温度補償用ダイオード２８が通電不可能な状態において、温度補償用ダイオード２７が通電不可能な状態となれば温度補償用ダイオード２６がブレークダウン状態となる。このように、容易な制御でＡＰＤ１１において状況に応じた所望のゲインを切り替えることができる。
次に、図７を参照して、光検出装置の製造方法の一例について説明する。図７は、光検出装置１のうち半導体基板５０の製造方法を示すフローチャートである。
まず、半導体ウエハを準備する（工程Ｓ１）。半導体ウエハは、半導体基板５０として加工される前の基板であり、互いに対向する主面５０ａ，５０ｂを有している。半導体ウエハは、半導体領域５１に対応する第一導電型の半導体領域を含む。当該半導体領域は、半導体ウエハの主面５０ａ側に設けられ、主面５０ａの全面を構成する。たとえば、半導体ウエハの半導体領域は、Ｐ－型である。本実施形態では、半導体ウエハには、主面５０ｂ側から不純物を添加することによって、半導体ウエハの半導体領域よりも不純物濃度が高い第一導電型の半導体層５５が形成されている。たとえば、半導体層５５は、Ｐ＋型である。
続いて、ＡＰＤ１１のブレークダウン電圧とＡＰＤ１１に印加するバイアス電圧との差分電圧を決定する。決定方法は、以下の通りである。
まず、ＡＰＤに印加するバイアス電圧と当該ＡＰＤのゲインとの相関を示すデータにおける“（１／Ｍ）×（ｄＭ／ｄＶｒ）”を目的変数とし“Ｍ”を説明変数とした回帰直線の傾き及び切片を取得する（工程Ｓ２）。ここで、“Ｖｒ”はＡＰＤに印加するバイアス電圧であり、“Ｍ”は当該バイアス電圧が印加されたＡＰＤのゲインである。工程Ｓ２で用いられる上記データは、ＡＰＤ１１と同一の材料及び構造からなる別個体である。
次に、工程Ｓ２における取得結果と式（４）とを用いて、所望のゲインが得られる上記差分電圧を決定する（工程Ｓ３）。上記差分電圧は、取得された上記傾きを式（４）の“ａ”に、取得された上記切片を式（４）の“ｂ”に、ＡＰＤ１１に設定する所望のゲインを式（４）の“Ｍｄ”に、代入することで演算された“ΔＶ”に相当する。本実施形態では、ＡＰＤ１１に設定するゲインとして互いに異なる複数の値を決定し、これらの値について複数の上記差分電圧を決定する。互いに異なる複数の値を式（４）の“Ｍｄ”にそれぞれ代入することで演算された複数の“ΔＶ”が、複数の値のそれぞれに対応する上記差分電圧として決定される。
続いて、第一のイオン注入工程（工程Ｓ４）として、イオン注入法により、主面５０ａ側に不純物イオンを注入して不純物を添加することで、第二導電型の半導体層５２及び第一導電型の半導体層５３，５４を形成する。たとえば、半導体層５２はＮ＋型であり、半導体層５３はＰ型であり、半導体層５４はＰ＋型である。本実施形態では、半導体層５２は、一回のイオン注入処理で、互いに離間した異なる箇所に第二導電型の不純物イオンを注入することによって形成される。半導体層５３は、半導体層５２が形成された後に、第一導電型の不純物イオンを注入することで形成される。半導体層５３は、半導体層５２が形成される前に、第一導電型の不純物イオンを注入することで形成されてもよい。
半導体層５２，５３は、主面５０ａに直交する方向から見て、互いに重なる位置に形成される。半導体層５３は、主面５０ａ側から見て半導体層５２よりも深い位置に第一導電型の不純物を注入することで形成される。半導体層５２，５３は、１つの半導体基板５０となる領域内において、主面５０ａと直交する方向から見て互いに離間した複数の箇所に形成される。当該複数の箇所は、ＡＰＤ１１を配置する箇所と各温度補償用ダイオード２６，２７，２８を配置する箇所とを含む。第一のイオン注入工程では、半導体層５２の不純物濃度が同等となるように、第二導電型の不純物が各箇所に添加される。同様に、半導体層５３の不純物濃度が同等となるように、第一導電型の不純物が各箇所に添加される。
続いて、第二のイオン注入工程（工程Ｓ５）として、イオン注入方法により、上述した複数の箇所のうち一部の箇所の半導体層５３のみにさらに不純物を添加する。本実施形態では、各温度補償用ダイオード２６，２７，２８を配置する箇所のみにおいて、半導体層５３にさらに第一導電型の不純物が注入される。このため、光検出装置１では、各温度補償用ダイオード２６，２７，２８の半導体層５３における不純物濃度は、ＡＰＤ１１の半導体層５３における不純物濃度より高い。この場合、光検出装置１は、ＡＰＤ１１のブレークダウン電圧が各温度補償用ダイオード２６，２７，２８のブレークダウン電圧よりも大きくなるように構成される。
工程Ｓ４及び工程Ｓ５において各温度補償用ダイオード２６，２７，２８の半導体層５３に注入される第一導電型の不純物が注入される量は、工程Ｓ３で決定された差分電圧に応じる。本実施形態では、温度補償用ダイオード２８の半導体層５３に注入される第一導電型の不純物の量は、温度補償用ダイオード２７の半導体層５３に注入される第一導電型の不純物の量よりも多い。これにより、温度補償用ダイオード２７のブレークダウン電圧が温度補償用ダイオード２８のブレークダウン電圧よりも大きくなるように構成される。温度補償用ダイオード２７の半導体層５３に注入される第一導電型の不純物の量は、温度補償用ダイオード２６の半導体層５３に注入される第一導電型の不純物の量よりも多い。これにより、温度補償用ダイオード２６のブレークダウン電圧が温度補償用ダイオード２７のブレークダウン電圧よりも大きくなるように構成される。
第二のイオン注入工程では、各温度補償用ダイオード２６，２７，２８を配置する箇所ではなく、ＡＰＤ１１を配置する箇所のみにおいて、半導体層５３にさらに第一導電型の不純物が注入されてもよい。この場合、光検出装置１では、各温度補償用ダイオード２６，２７，２８の半導体層５３における不純物濃度は、ＡＰＤ１１の半導体層５３における不純物濃度より低い。この場合の光検出装置１では、ＡＰＤ１１のブレークダウン電圧は、各温度補償用ダイオード２６，２７，２８のブレークダウン電圧よりも小さくなるように構成される。
以上の工程によって、光検出装置１の半導体基板５０が形成される。工程Ｓ２及び工程Ｓ３は、工程Ｓ１の前に実行されてもよいし、工程Ｓ４の後に実行されてもよい。本実施形態では、既に半導体層５５が形成された状態から半導体層５２，５３，５４を形成した。しかし、半導体層５２，５３，５４が形成された後に、半導体層５５が形成されてもよい。
上記製造方法では、異なる複数の箇所にイオンを注入することで各箇所に半導体層５２と半導体層５３とが形成される。その後、さらに一部の箇所の半導体層５３にイオンが注入される。このため、ゲインとバイアス電圧とに関する温度特性が同等でありながら、それぞれ所望のブレークダウン電圧に設定された、複数の温度補償用ダイオード２６，２７，２８及びＡＰＤ１１が容易に製造され得る。この場合、各温度補償用ダイオード２６，２７，２８のブレークダウン電圧とＡＰＤ１１のブレークダウン電圧との差分電圧に応じて、ＡＰＤ１１のゲインが任意に設定され得る。このため、各温度補償用ダイオード２６，２７，２８とＡＰＤ１１とがそれぞれ所望のブレークダウン電圧に設定されれば、検出精度の向上が図られる。たとえば、上記差分電圧に応じて、ＡＰＤ１１のゲインがＳ／Ｎ比の高い最適増倍率Ｍｏｐｔに設定されれば、検出精度の向上が図られる。このように、上記製造方法では、製造コストが抑制されながら、ＡＰＤ１１のゲインに対する温度補償が実現され、検出精度の向上が図られる。
上記差分電圧の決定方法では、“（１／Ｍ）×（ｄＭ／ｄＶｒ）”を目的変数とし“Ｍ”を説明変数とした回帰直線の傾き及び切片が取得される。取得された傾きを式（４）の“ａ”に、取得された切片を式（４）の“ｂ”に代入することで所望のゲインが得られる上記差分電圧が決定される。このため、環境温度を厳密に考慮することなく、極めて容易に、所望のゲインが得られる上記差分電圧が決定される。
上記決定方法では、ＡＰＤ１１に設定するゲインとして互いに異なる複数の値を式（４）の“Ｍｄ”にそれぞれ代入することで演算された複数の“ΔＶ”が、上記複数の値のそれぞれに対応する差分電圧として決定される。このため、環境温度を厳密に考慮することなく、極めて容易に、複数の値のそれぞれに対応する複数の上記差分電圧が決定される。
以上、本発明の実施形態及び変形例について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態及び変形例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
本実施形態では、いわゆるリーチスルー型のＡＰＤ１１がリニアモードで動作する構成を説明した。光検出装置１は、リバース型のＡＰＤ１１がリニアモードで動作する構成であってもよい。
本実施形態では、起電力発生部３１、電流制限部３２、バイアス電圧安定化部３３、及び設定部４０を有する光検出装置１を説明した。しかし、本実施形態にかかる光検出装置は、起電力発生部３１、電流制限部３２、バイアス電圧安定化部３３、及び設定部４０の少なくとも１つが含まれない構成を有していてもよい。この場合、光検出装置に接続された外部装置が、起電力発生部３１、電流制限部３２、バイアス電圧安定化部３３、又は設定部４０として機能してもよい。光検出装置１は、不図示の信号読出回路を含んでいてもよい。
本実施形態では、スイッチ４１が光検出部２０の端子２５に接続され、このスイッチ４１が設定部４０によって制御される構成を説明した。しかし、スイッチ４１は、光検出部２０の内部に配置されてもよい。
本実施形態では、端子２２，２３，２４，２５は、パッド電極として説明された。しかし、端子２２，２３，２４，２５は、半導体基板５０内の半導体によって構成されたものであってもよい。
各温度補償用ダイオード２６，２７，２８とＡＰＤ１１との電気的な接続を切り替えるスイッチ４１が配線部２１に配置され、配線部２１内のスイッチ４１のオンオフが設定部４０によって制御されてもよい。この場合も、設定部４０によって、ＡＰＤ１１に対して印加されるバイアス電圧が制御される。ＡＰＤ１１と各温度補償用ダイオード２６，２７，２８との間には高電圧が印加されるため、配線部２１に配置されたスイッチを制御する場合よりも、端子２５に接続されたスイッチ４１を制御する方が容易である。
温度補償部１５には、互いに同一のブレークダウン電圧を有する複数の温度補償用ダイオードが含まれていてもよい。この構成によれば、温度補償用ダイオードの一部が損傷したり、温度補償用ダイオードの一部が配置されている付近で局所的な温度変化が起こったとしても、光検出装置１の正常な動作を実現できる。
１…光検出装置、３…回路部、１１…ＡＰＤ、２２，２５…端子、２６，２７，２８…温度補償用ダイオード、４１…スイッチ。

Claims (5)

  1. アバランシェフォトダイオードと、
    各々が第一及び第二電極を有すると共に、前記アバランシェフォトダイオードよりも低い互いに異なるブレークダウン電圧を有する複数の温度補償用ダイオードと、
    前記複数の温度補償用ダイオードのいずれかをブレークダウン状態とする回路部と、を備え、
    前記回路部は、各々が互いに異なる前記温度補償用ダイオードの前記第二電極に接続される複数の第一端子と、前記アバランシェフォトダイオードと各前記温度補償用ダイオードの前記第一電極とに電気的に接続される第二端子とを含む、光検出装置。
  2. 前記回路部は、対応する前記温度補償用ダイオードに電気的に接続されている共に、前記対応する温度補償用ダイオードが通電可能な状態と通電不可能な状態とを切り替える少なくとも１つのスイッチを有し、
    前記複数の温度補償用ダイオードは、第一温度補償用ダイオードと、前記第一温度補償用ダイオードよりも高いブレークダウン電圧を有する第二温度補償用ダイオードと、を含み、
    前記スイッチは、前記第一温度補償用ダイオードに電気的に接続されている、請求項１に記載の光検出装置。
  3. 前記少なくとも１つのスイッチは、対応する前記第一端子に接続されている、請求項２に記載の光検出装置。
  4. 前記回路部は、前記第一温度補償用ダイオードが通電可能な状態であるか否かに関わらず、前記第二温度補償用ダイオードを通電可能な状態とする、請求項２又は３に記載の光検出装置。
  5. 前記複数の温度補償用ダイオードは、前記第一温度補償用ダイオードのブレークダウン電圧よりも高くかつ前記第二温度補償用ダイオードのブレークダウン電圧よりも低いブレークダウン電圧を有する第三温度補償用ダイオードをさらに含み、
    前記スイッチは、前記第三温度補償用ダイオードに電気的に接続されており、
    前記回路部は、前記第一温度補償用ダイオードが通電不可能な状態において、前記スイッチによって、前記第三温度補償用ダイオードを通電可能な状態と通電不可能な状態との間で切り替える、請求項４に記載の光検出装置。
JP2019175945A 2018-12-12 2019-09-26 光検出装置 Active JP7475123B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201980056994.XA CN113167640A (zh) 2018-12-12 2019-11-29 光检测装置
PCT/JP2019/046900 WO2020121854A1 (ja) 2018-12-12 2019-11-29 光検出装置
EP19897484.2A EP3896412A4 (en) 2018-12-12 2019-11-29 LIGHT DETECTION DEVICE
US17/311,756 US11513002B2 (en) 2018-12-12 2019-11-29 Light detection device having temperature compensated gain in avalanche photodiode

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018232892 2018-12-12
JP2018232892 2018-12-12
JP2018232895 2018-12-12
JP2018232895 2018-12-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020095015A JP2020095015A (ja) 2020-06-18
JP7475123B2 true JP7475123B2 (ja) 2024-04-26

Family

ID=70166526

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019111529A Active JP7455520B2 (ja) 2018-12-12 2019-06-14 光検出装置
JP2019111528A Active JP7454917B2 (ja) 2018-12-12 2019-06-14 光検出装置
JP2019175945A Active JP7475123B2 (ja) 2018-12-12 2019-09-26 光検出装置
JP2019175948A Active JP6681509B1 (ja) 2018-12-12 2019-09-26 光検出装置
JP2019175941A Active JP6681508B1 (ja) 2018-12-12 2019-09-26 決定方法、及び光検出装置

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019111529A Active JP7455520B2 (ja) 2018-12-12 2019-06-14 光検出装置
JP2019111528A Active JP7454917B2 (ja) 2018-12-12 2019-06-14 光検出装置

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019175948A Active JP6681509B1 (ja) 2018-12-12 2019-09-26 光検出装置
JP2019175941A Active JP6681508B1 (ja) 2018-12-12 2019-09-26 決定方法、及び光検出装置

Country Status (8)

Country Link
US (2) US11561131B2 (ja)
EP (3) EP3988909A4 (ja)
JP (5) JP7455520B2 (ja)
KR (2) KR20210098524A (ja)
CN (5) CN113167641B (ja)
DE (2) DE112019006173T5 (ja)
TW (1) TW202044569A (ja)
WO (2) WO2020121855A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020121852A1 (ja) * 2018-12-12 2020-06-18 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
JP7455520B2 (ja) 2018-12-12 2024-03-26 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
JPWO2022269982A1 (ja) * 2021-06-21 2022-12-29

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002204149A (ja) 2000-12-28 2002-07-19 Sanken Electric Co Ltd 電子回路装置及びこれを使用したスィチング回路装置
JP7027607B1 (ja) 2021-10-01 2022-03-01 株式会社杉原クラフト ウエイトトレーニングマシン
JP7063854B2 (ja) 2019-07-03 2022-05-09 本田技研工業株式会社 ソフトウェア更新装置、サーバ装置、ソフトウェア更新方法、およびプログラム

Family Cites Families (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1582850A (ja) 1968-03-29 1969-10-10
JPS5062389A (ja) 1973-10-01 1975-05-28
GB1535824A (en) 1976-02-11 1978-12-13 Standard Telephones Cables Ltd Avalanche photodetector biassing system
GB1532262A (en) 1976-04-03 1978-11-15 Ferranti Ltd Photodiode circuit arrangements
US4181863A (en) * 1976-04-03 1980-01-01 Ferranti Limited Photodiode circuit arrangements
GB1503088A (en) 1976-07-22 1978-03-08 Standard Telephones Cables Ltd Avalanche photodetector
JPS5341280A (en) * 1976-09-27 1978-04-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Photodetecting system of multiplication constant control
JPS5916812Y2 (ja) * 1978-06-27 1984-05-17 キヤノン株式会社 カメラの測光回路
JPS6017051B2 (ja) * 1978-11-20 1985-04-30 東京光学機械株式会社 アバランシェ・ダイオ−ドの温度補償方法
JPS55127082A (en) 1979-03-23 1980-10-01 Nec Corp Bias voltage generating circuit of avalanche photodiode
SE417145B (sv) 1979-05-30 1981-02-23 Asea Ab Lavinfotodiodanordning med en lavindiod och med organ for styrning av diodens multiplikationsfaktor
US4464048A (en) 1981-03-25 1984-08-07 Barr & Stroud Limited Laser rangefinders
JPS60178673A (ja) 1984-02-24 1985-09-12 Nec Corp アバランシフオトダイオ−ド
JPS60180347A (ja) * 1984-02-28 1985-09-14 Fujitsu Ltd アバランシエフオトダイオ−ドの温度補償回路
JPS60211886A (ja) 1984-04-05 1985-10-24 Nec Corp アバランシフオトダイオ−ドの製造方法
JPS6138975U (ja) * 1984-08-09 1986-03-11 株式会社東芝 印刷配線板
JPH0799782B2 (ja) * 1985-06-18 1995-10-25 株式会社ニコン 半導体光検出装置
JPS62239727A (ja) 1986-04-11 1987-10-20 Nec Corp アバランシエホトダイオ−ドの利得制御方式
JPS62279671A (ja) * 1986-05-28 1987-12-04 Mitsubishi Electric Corp 固体撮像装置
JPH0828488B2 (ja) * 1987-07-07 1996-03-21 富士通株式会社 半導体装置
JPH01118714A (ja) 1987-10-30 1989-05-11 Omron Tateisi Electron Co 光学式位置検出センサ
US4948989A (en) 1989-01-31 1990-08-14 Science Applications International Corporation Radiation-hardened temperature-compensated voltage reference
JPH0321082A (ja) 1989-06-19 1991-01-29 Fujitsu Ltd 光受信回路
JP2838906B2 (ja) * 1989-08-04 1998-12-16 キヤノン株式会社 光電変換装置
JPH04111477A (ja) * 1990-08-31 1992-04-13 Sumitomo Electric Ind Ltd 受光素子
JPH04256376A (ja) * 1991-02-08 1992-09-11 Hamamatsu Photonics Kk アバランシェホトダイオード及びその製造方法
JPH05235396A (ja) * 1992-02-24 1993-09-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体受光装置
JP3121100B2 (ja) 1992-03-25 2000-12-25 株式会社日立製作所 固体撮像装置
JPH06224463A (ja) 1993-01-22 1994-08-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体受光装置
JPH0763854A (ja) 1993-06-16 1995-03-10 Kansei Corp レーザー送受光装置
JP2686036B2 (ja) 1993-07-09 1997-12-08 浜松ホトニクス株式会社 アバランシェフォトダイオードのバイアス回路
JP3421103B2 (ja) * 1993-12-20 2003-06-30 浜松ホトニクス株式会社 アバランシェフォトダイオードを用いた光検出回路
JPH07263653A (ja) 1994-03-17 1995-10-13 Hamamatsu Photonics Kk 固体撮像装置
JPH08207281A (ja) * 1995-02-06 1996-08-13 Canon Inc インクジェット記録ヘッド
JPH10247717A (ja) * 1997-03-04 1998-09-14 Matsushita Electron Corp 半導体装置
JPH11275755A (ja) 1998-03-19 1999-10-08 Fujitsu Ltd アバランシェフォトダイオード保護回路を有する光受信回路
JP2000171295A (ja) * 1998-12-03 2000-06-23 Nec Corp Ａｐｄバイアス回路
JP3668926B2 (ja) 1999-08-27 2005-07-06 株式会社ルネサステクノロジ 光インタコネクション受信モジュール
US6313459B1 (en) * 2000-05-31 2001-11-06 Nortel Networks Limited Method for calibrating and operating an uncooled avalanche photodiode optical receiver
US20030117121A1 (en) 2001-12-20 2003-06-26 Prescott Daniel C. High-side current-sense circuit for precision application
KR100566197B1 (ko) 2003-01-02 2006-03-29 삼성전자주식회사 Ａｐｄ 광수신기의 온도 보상 장치
JP2004281488A (ja) * 2003-03-13 2004-10-07 Renesas Technology Corp 半導体装置及びその製造方法
JP4223304B2 (ja) * 2003-03-19 2009-02-12 三菱電機株式会社 光受信器
JP2004303878A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Nippon Sheet Glass Co Ltd 受光素子アレイ
JP3956923B2 (ja) 2003-09-19 2007-08-08 住友電気工業株式会社 アバランシェフォトダイオードのバイアス電圧制御回路
JP4399337B2 (ja) * 2004-09-13 2010-01-13 株式会社フューチャービジョン 平面パターンを有する基板およびそれを用いた表示装置
JP2007266251A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光半導体装置
TWI443817B (zh) 2006-07-03 2014-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Photodiode array
CN200950235Y (zh) * 2006-09-25 2007-09-19 深圳飞通光电子技术有限公司 雪崩光电二极管的温度补偿偏压电路
CN200959101Y (zh) * 2006-10-12 2007-10-10 宁波中科集成电路设计中心有限公司 一种雪崩光电二极管的温度补偿装置
JP4791334B2 (ja) 2006-12-11 2011-10-12 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 光受信装置および光受信装置のバイアス電圧制御方法
JP4642047B2 (ja) * 2007-06-15 2011-03-02 三洋電機株式会社 半導体装置
JP2009038157A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Sumitomo Electric Ind Ltd 受光素子アレイ、一次元受光素子アレイおよび二次元受光素子アレイ
JP5483544B2 (ja) 2009-10-21 2014-05-07 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体受光装置
CN201601136U (zh) 2010-01-13 2010-10-06 山东交通职业学院 一种用于激光接收电路的温度补偿电路
US20120101614A1 (en) 2010-10-22 2012-04-26 Allan Ghaemi System and Method for Manufacturing Optical Network Components
JP5844580B2 (ja) 2011-09-05 2016-01-20 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像素子及び固体撮像素子の実装構造
JP5926921B2 (ja) 2011-10-21 2016-05-25 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
JP5791461B2 (ja) 2011-10-21 2015-10-07 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
JP2013164263A (ja) 2012-02-09 2013-08-22 Mitsubishi Electric Corp 受光装置及び距離測定装置及び形状測定装置
JP5984617B2 (ja) 2012-10-18 2016-09-06 浜松ホトニクス株式会社 フォトダイオードアレイ
DE102013100696B3 (de) 2013-01-24 2013-11-07 Sick Ag Optoelektronischer Sensor und Verfahren zur Erfassung von Objekten in einem Überwachungsbereich
KR101448393B1 (ko) * 2013-06-27 2014-10-08 단국대학교 천안캠퍼스 산학협력단 의료용 레이저 수신단의 apd 이득 안정화 방법
CN103728030A (zh) 2013-12-20 2014-04-16 中国科学院合肥物质科学研究院 Apd温度自适应近红外单光子探测装置
US9541656B2 (en) 2013-12-20 2017-01-10 General Electric Company System and method for compensating temperature gain variation in radiation detectors
JP2016061729A (ja) * 2014-09-19 2016-04-25 株式会社東芝 光子検出素子、光子検出装置、及び放射線分析装置
CN106033225B (zh) 2015-03-16 2017-08-25 苏州旭创科技有限公司 低功耗apd偏压控制器与偏压控制方法及光电接收器
US10203400B2 (en) * 2015-07-31 2019-02-12 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Optical measurement system incorporating ambient light component nullification
US9954124B1 (en) * 2016-01-08 2018-04-24 Board Of Trustees Of The University Of Alabama, For And On Behalf Of The University Of Alabama In Huntsville Thermo-compensated silicon photo-multiplier with on-chip temperature sensor
US11374043B2 (en) 2016-07-27 2022-06-28 Hamamatsu Photonics K.K. Photodetection device with matrix array of avalanche diodes
EP3339886B1 (de) * 2016-12-22 2019-02-13 Sick AG Lichtempfänger mit einer vielzahl von lawinenphotodiodenelementen und verfahren zur versorgung mit einer vorspannung
KR102306048B1 (ko) 2017-01-30 2021-09-29 메디비콘 아이엔씨. 확산 반사 보정을 갖는 형광 추적제의 비침습 모니터링 방법
JP6696695B2 (ja) * 2017-03-16 2020-05-20 株式会社東芝 光検出装置およびこれを用いた被写体検知システム
JP6741703B2 (ja) 2017-03-31 2020-08-19 株式会社デンソー 光検出器
KR102544296B1 (ko) 2018-09-13 2023-06-16 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 표면발광레이저 소자 및 이를 구비한 표면발광레이저 장치
JP7455520B2 (ja) 2018-12-12 2024-03-26 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
WO2020121854A1 (ja) * 2018-12-12 2020-06-18 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
CN113167643B (zh) 2018-12-12 2024-05-28 浜松光子学株式会社 光检测装置及光检测装置的制造方法
US20220020806A1 (en) 2018-12-12 2022-01-20 Hamamatsu Photonics K.K. Light detection device
WO2020121858A1 (ja) 2018-12-12 2020-06-18 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置及び光検出装置の製造方法
US20230083263A1 (en) 2021-09-15 2023-03-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Light detector, light detection system, lidar device, and mobile body

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002204149A (ja) 2000-12-28 2002-07-19 Sanken Electric Co Ltd 電子回路装置及びこれを使用したスィチング回路装置
JP7063854B2 (ja) 2019-07-03 2022-05-09 本田技研工業株式会社 ソフトウェア更新装置、サーバ装置、ソフトウェア更新方法、およびプログラム
JP7027607B1 (ja) 2021-10-01 2022-03-01 株式会社杉原クラフト ウエイトトレーニングマシン

Also Published As

Publication number Publication date
EP3988909A4 (en) 2022-11-16
JP2020096170A (ja) 2020-06-18
CN113167641A (zh) 2021-07-23
JP2020095016A (ja) 2020-06-18
JP2020096157A (ja) 2020-06-18
TW202044569A (zh) 2020-12-01
CN113167637B (zh) 2024-05-28
EP3988907B1 (en) 2023-09-20
EP3896412A1 (en) 2021-10-20
KR20210098524A (ko) 2021-08-10
WO2020121859A1 (ja) 2020-06-18
KR20210098523A (ko) 2021-08-10
CN113167637A (zh) 2021-07-23
US11561131B2 (en) 2023-01-24
US11927478B2 (en) 2024-03-12
CN113167641B (zh) 2024-03-19
WO2020121855A1 (ja) 2020-06-18
CN113167640A (zh) 2021-07-23
CN113167638A (zh) 2021-07-23
EP3988907A4 (en) 2022-12-14
CN113302462B (zh) 2024-03-26
CN113167638B (zh) 2024-06-11
DE112019006173T5 (de) 2021-09-16
US20220026269A1 (en) 2022-01-27
JP6681509B1 (ja) 2020-04-15
JP7455520B2 (ja) 2024-03-26
EP3896412A4 (en) 2022-12-28
EP3988909A1 (en) 2022-04-27
EP3988907A1 (en) 2022-04-27
JP6681508B1 (ja) 2020-04-15
CN113302462A (zh) 2021-08-24
DE112019006185T5 (de) 2021-09-02
US20220026270A1 (en) 2022-01-27
JP2020095015A (ja) 2020-06-18
JP7454917B2 (ja) 2024-03-25
JP2020096158A (ja) 2020-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7475123B2 (ja) 光検出装置
US8274334B2 (en) Detection circuit with improved anti-blooming circuit
JP2003037283A (ja) アバランシェフォトダイオードアレイ
WO2020121854A1 (ja) 光検出装置
US11888000B2 (en) Geiger-mode focal plane array with monolithically integrated resistors
US8921755B2 (en) Detection circuit with correlated double sampling with improved anti-blooming circuit
US20220020786A1 (en) Photodetector and method for manufacturing photodetector
WO2020121858A1 (ja) 光検出装置及び光検出装置の製造方法
US20230273299A1 (en) Photodetection device
JP5053978B2 (ja) ホールド回路
JP2024086953A (ja) 光検出装置及び光検出装置の製造方法
JPH06242176A (ja) 半導体素子用温度検出回路装置
JP7081508B2 (ja) 光検出器
JP2005191161A (ja) 半導体装置
KR20200126274A (ko) 듀얼포토다이오드의 제조방법, 그에 따른 듀얼포토다이오드, 듀얼포토다이오드를 이용한 파장 및 세기 측정방법
CN111128669A (zh) Cem组件和电子倍增设备
JP2018179912A (ja) センサ制御装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220831

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230912

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20231102

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240319

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240416

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7475123

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150