JPS62239727A - アバランシエホトダイオ−ドの利得制御方式 - Google Patents
アバランシエホトダイオ−ドの利得制御方式Info
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- JPS62239727A JPS62239727A JP61083551A JP8355186A JPS62239727A JP S62239727 A JPS62239727 A JP S62239727A JP 61083551 A JP61083551 A JP 61083551A JP 8355186 A JP8355186 A JP 8355186A JP S62239727 A JPS62239727 A JP S62239727A
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し産業上の利用分野〕
本発明ハアバランシェホトダイオード（以下ＡＰＤと記
す）の利得制御方式、特に、分散処理方式全採用し之情
報処理形態下における構内ネットワークや情報処理装置
内におけるユニット間接続機構による光データ通信に好
適なＡＰＤの利得制御方式に関する。
す）の利得制御方式、特に、分散処理方式全採用し之情
報処理形態下における構内ネットワークや情報処理装置
内におけるユニット間接続機構による光データ通信に好
適なＡＰＤの利得制御方式に関する。
ＡＰＤＨ１周知のように、ＰＮ接合ま′ｆｃＨＰＩＮ接
合に逆電圧を十分印加して空乏層を広げておき、光の照
射により空乏層中に発生させｔ電子や正孔を空乏層の高
電界によって加速し原子との衝突により新たな電子嗜正
孔対倉なだれ的に発生して元１１流の増幅を行なうもの
であり、その利得に逆バイアス電圧や動作温度等に依存
する。
合に逆電圧を十分印加して空乏層を広げておき、光の照
射により空乏層中に発生させｔ電子や正孔を空乏層の高
電界によって加速し原子との衝突により新たな電子嗜正
孔対倉なだれ的に発生して元１１流の増幅を行なうもの
であり、その利得に逆バイアス電圧や動作温度等に依存
する。
この＝うなＡＰＤは、その高利得性の故に、上記産業上
の利用分野において元ファイバを介して送られてきた元
信号を電気信号に変換するときに好適な手段として使用
されるが、一方、温度変化等による利得変化を抑止して
動作に誤り無きことを期す必要がある。
の利用分野において元ファイバを介して送られてきた元
信号を電気信号に変換するときに好適な手段として使用
されるが、一方、温度変化等による利得変化を抑止して
動作に誤り無きことを期す必要がある。
従来のこの種のＡＰＤの利得制御方式に、その−例を第
４図に示すように、光信号１３を入力しこれを電流に変
換して受信回路１１に供給するＡＰＤＩＯと、光信号２
３を入力しこれを電流に変換して受信回路２１に供給す
るＡＰＤ２０と、ＡＰＤＩＯからの出力電流を入力゛し
電圧に変換・増幅して外部に供給する受信回路１１と、
ＡＰＤ２０からの出力ｗ流を入力し電圧に変換Φ増幅し
て外部に供給する受信回路２１と、受信回路１１からの
出力電圧を入力しその尖頭値に応答してＡＰＤＩＯの逆
バイアス電圧値を制御する逆バイアス電圧制御回路１２
と、受信回路２１からの出力電圧を入力しその尖頭値に
応答してＡＰＤ２０の逆バイアス電圧値を制御する逆バ
イアス電圧制御回路２２とから構成されている。
４図に示すように、光信号１３を入力しこれを電流に変
換して受信回路１１に供給するＡＰＤＩＯと、光信号２
３を入力しこれを電流に変換して受信回路２１に供給す
るＡＰＤ２０と、ＡＰＤＩＯからの出力電流を入力゛し
電圧に変換・増幅して外部に供給する受信回路１１と、
ＡＰＤ２０からの出力ｗ流を入力し電圧に変換Φ増幅し
て外部に供給する受信回路２１と、受信回路１１からの
出力電圧を入力しその尖頭値に応答してＡＰＤＩＯの逆
バイアス電圧値を制御する逆バイアス電圧制御回路１２
と、受信回路２１からの出力電圧を入力しその尖頭値に
応答してＡＰＤ２０の逆バイアス電圧値を制御する逆バ
イアス電圧制御回路２２とから構成されている。
［発明が解決しようとする問題点〕
このような従来のアバランシェホトダイオードの利得制
御方式においてに、ＡＰＤＩＯとＡＰＤ２０とは同一の
半導体基板上に形成されていないために、ＡＰＤＩＯと
ＡＰＤ２０の特性の相異を配慮して、ＡＰＤＩｏ、２０
対応にそれぞれ逆バイアス電圧制御回路１２．２２を備
える必要があり、さらに、逆バイアス電圧制御回路１２
．２２においてに 尖頭値の検出を行なって逆バイアス
電圧を制御するのでそれだけ回路が複雑になり、これら
の結果として、ＡＰＤの利得制御に要するハードウェア
量が多くなるという問題点がある。
御方式においてに、ＡＰＤＩＯとＡＰＤ２０とは同一の
半導体基板上に形成されていないために、ＡＰＤＩＯと
ＡＰＤ２０の特性の相異を配慮して、ＡＰＤＩｏ、２０
対応にそれぞれ逆バイアス電圧制御回路１２．２２を備
える必要があり、さらに、逆バイアス電圧制御回路１２
．２２においてに 尖頭値の検出を行なって逆バイアス
電圧を制御するのでそれだけ回路が複雑になり、これら
の結果として、ＡＰＤの利得制御に要するハードウェア
量が多くなるという問題点がある。
本発明の方式は、それぞれが光信号を入力して電流に変
換しかつ同一半導体基板上に形成され九１つ以上の第１
のＡＰＤと、前記半導体基板上に形成された第２のＡＰ
Ｄと、前記第２のＡＰＤの暗′ｇＬ流が一定となるよう
前記第２のＡＰＤの第１の逆バイアス電圧を制御する第
１の逆バイアス電圧制御回路と、前記第１のＡＰＤの逆
バイアス電圧を前記第１の逆バイアス電圧に対応した電
圧に制御する第２の逆バイアス電圧制御回路とを含んで
構成される。
換しかつ同一半導体基板上に形成され九１つ以上の第１
のＡＰＤと、前記半導体基板上に形成された第２のＡＰ
Ｄと、前記第２のＡＰＤの暗′ｇＬ流が一定となるよう
前記第２のＡＰＤの第１の逆バイアス電圧を制御する第
１の逆バイアス電圧制御回路と、前記第１のＡＰＤの逆
バイアス電圧を前記第１の逆バイアス電圧に対応した電
圧に制御する第２の逆バイアス電圧制御回路とを含んで
構成される。
次に本発明の実施例につりで図面を参照して説明する。
一般に、ＡＰＤの利得が変動する主な要因としては、Ａ
ＰＤｉ形成する半導体基板の特性のバラツキ、各種製造
条件のバラツキ、動作温度の変動および逆バイアス電圧
等が挙げられる。本発明におけるＡＰＤＨ同一の半導体
基板上に形成することによって、各ＡＰＤに対する上記
要因の前三者の影響を同一化しておき、ＡＰＤの１つを
逆バイアス電圧の制御専用として他のすべてのＡＰＤの
利得が一定［Ｌｋ保つように逆バイアス電圧値を制御す
るようにしている。
ＰＤｉ形成する半導体基板の特性のバラツキ、各種製造
条件のバラツキ、動作温度の変動および逆バイアス電圧
等が挙げられる。本発明におけるＡＰＤＨ同一の半導体
基板上に形成することによって、各ＡＰＤに対する上記
要因の前三者の影響を同一化しておき、ＡＰＤの１つを
逆バイアス電圧の制御専用として他のすべてのＡＰＤの
利得が一定［Ｌｋ保つように逆バイアス電圧値を制御す
るようにしている。
すなわち、半導体基板の特性のバラツキや各種製造条件
のバラツキがあっても同一の半導体基板内では各ＡＰＤ
に同じく一様に影響倉与えるので、ＡＰＤ相互の特性の
バラツキは少ない。また、同一半導体基板内では基板の
熱抵抗が小さく基板を小形にできるため、各ＡＰＤは熱
的に強く結合しＡＰＤ相互の温度差はほとんど生じない
ようにできる。
のバラツキがあっても同一の半導体基板内では各ＡＰＤ
に同じく一様に影響倉与えるので、ＡＰＤ相互の特性の
バラツキは少ない。また、同一半導体基板内では基板の
熱抵抗が小さく基板を小形にできるため、各ＡＰＤは熱
的に強く結合しＡＰＤ相互の温度差はほとんど生じない
ようにできる。
本発明に、上述したようにして、はソ同−化されたＡＰ
Ｄの特性を利用するものである。すなわち、同一半導体
基板上に形成された複数個のＡＰＤのうちの一つに対し
て、このＡＰＤの出力ａｔ電流が常に一定値を保つよう
に逆バイアス電圧値を制御するようにして、全ＡＰＤへ
の共通的な利得変動要因に対して全ＡＰＤの利得の一定
化を図っている。
Ｄの特性を利用するものである。すなわち、同一半導体
基板上に形成された複数個のＡＰＤのうちの一つに対し
て、このＡＰＤの出力ａｔ電流が常に一定値を保つよう
に逆バイアス電圧値を制御するようにして、全ＡＰＤへ
の共通的な利得変動要因に対して全ＡＰＤの利得の一定
化を図っている。
第１図は本発明の一実施例を示すブロック図である。第
１図を参照すると、本実施例は同一半導体基板上に形成
され九３つのＡＰＤＩｏ、２０および３０と、２つの受
信回路１１お工び２１と、逆バイアス電圧制御回路３２
および４２とで構成されている。
１図を参照すると、本実施例は同一半導体基板上に形成
され九３つのＡＰＤＩｏ、２０および３０と、２つの受
信回路１１お工び２１と、逆バイアス電圧制御回路３２
および４２とで構成されている。
ＡＰＤＩＯとＡ Ｐ Ｄ ２０ ＫＴ４光チー タ’Ｄ
送信元から、それぞれ元信号１３と２３が入力している
。
送信元から、それぞれ元信号１３と２３が入力している
。
ＡＰＤｌｏとＡＰＤ２０は、それぞれ光イ言号１３と２
３倉所定の利得で１ＪＩＲ，に変換して、それぞれ受信
回路１１と２１に出力する。
３倉所定の利得で１ＪＩＲ，に変換して、それぞれ受信
回路１１と２１に出力する。
受信回路１１と２１に、それぞれＡＰＤＩＯとＡＰＤ２
０からの定流を所定の利得で電圧に変換することによっ
て、それぞｎ元信号１３と２３に応答した出力′び圧を
生成している。
０からの定流を所定の利得で電圧に変換することによっ
て、それぞｎ元信号１３と２３に応答した出力′び圧を
生成している。
−万、ＡＰＤ３０は元入力信号がないため増倍された暗
電流が流れる。逆バイアス嘗、圧制御回路３２にＡＰＤ
３０の暗電流を入力しこの電流を常に一定値に保つよう
に逆バイアス電圧■Ｂ１を制御する。
電流が流れる。逆バイアス嘗、圧制御回路３２にＡＰＤ
３０の暗電流を入力しこの電流を常に一定値に保つよう
に逆バイアス電圧■Ｂ１を制御する。
基本的に１ＡＰＤ３（ｌアンバランシエ効果の起こる領
域で動作させる九め、逆バイアス電圧ＶＢＩＨＡＰＤ３
Ｑのブレイクダウン電圧に近い値となる。ＡＰＤ３０の
暗ｌｉ流の設定！を大きくすればする程、′１ｔＮ、増
倍率は大きくなり逆バイアス電圧ＶＢ ｌｉブレイクダ
ウン電圧に近づく。また、ＡＰＤ３０の出力暗’Ｉ流が
大きければ、それに続く回路？簡単にすることができる
。
域で動作させる九め、逆バイアス電圧ＶＢＩＨＡＰＤ３
Ｑのブレイクダウン電圧に近い値となる。ＡＰＤ３０の
暗ｌｉ流の設定！を大きくすればする程、′１ｔＮ、増
倍率は大きくなり逆バイアス電圧ＶＢ ｌｉブレイクダ
ウン電圧に近づく。また、ＡＰＤ３０の出力暗’Ｉ流が
大きければ、それに続く回路？簡単にすることができる
。
逆バイアス電圧制御回路４２は、逆バイアス電圧■Ｂ１
に対応した逆バイアス重圧ＶＢ２’に作りＡＰＤＩＯお
よび２０のアノードに共通に供給する。
に対応した逆バイアス重圧ＶＢ２’に作りＡＰＤＩＯお
よび２０のアノードに共通に供給する。
一般にＡＰＤはｔ滝増倍率を大きくとりかつ雑音を大き
くしないために逆バイアス電圧をブレイクダウン電圧よ
り少し低目に設定する。逆バイアス電圧ＶＢ１がＡＰＤ
３０のブレイクダウン重圧に近い場合にはそれよりも少
し低い重圧に逆バイアス重圧ＶＢ２１設定する。逆バイ
アス重圧ＶＢ２１．ＡＰＤｌｏおよび２０のアノードに
共通して供給されており、かつＡＰＤＩｏ、２０および
３０は同一半導体基板上に形成されていて温度等の利得
変動要因は全ＡＰＤに等しく作用するため、上記のよう
な逆バイアス電圧■Ｂ１およびＶＢ２の制御は、ＡＰＤ
ＩＯおよび２０の利得を一定化することになる。
くしないために逆バイアス電圧をブレイクダウン電圧よ
り少し低目に設定する。逆バイアス電圧ＶＢ１がＡＰＤ
３０のブレイクダウン重圧に近い場合にはそれよりも少
し低い重圧に逆バイアス重圧ＶＢ２１設定する。逆バイ
アス重圧ＶＢ２１．ＡＰＤｌｏおよび２０のアノードに
共通して供給されており、かつＡＰＤＩｏ、２０および
３０は同一半導体基板上に形成されていて温度等の利得
変動要因は全ＡＰＤに等しく作用するため、上記のよう
な逆バイアス電圧■Ｂ１およびＶＢ２の制御は、ＡＰＤ
ＩＯおよび２０の利得を一定化することになる。
第２図に、第１図における逆バイアス電圧制御回路３２
の詳細回路図であり、反転増幅器１と、電圧比較器２と
、ＤＣ／ＤＣコンバータ３と、２つの抵抗器４お工び５
と、コンデンサ６とから構成てれている。
の詳細回路図であり、反転増幅器１と、電圧比較器２と
、ＤＣ／ＤＣコンバータ３と、２つの抵抗器４お工び５
と、コンデンサ６とから構成てれている。
ＡＰＤ３ Ｑからのｔｆｉは反転増幅器１と抵抗器４と
により電圧に変換されるとともに増幅される。
により電圧に変換されるとともに増幅される。
反転増幅器１の出力電圧は電圧比較器２の逆相入力端子
に入力し、設定したい＠電流値に対応する参照雪圧ｖＲ
と比較される。電圧比較器２の出力信号は抵抗器５とコ
ンデンサ６との積分効果により、ゆるやかにＤＣ／ＤＣ
コンバータ３に入力する。
に入力し、設定したい＠電流値に対応する参照雪圧ｖＲ
と比較される。電圧比較器２の出力信号は抵抗器５とコ
ンデンサ６との積分効果により、ゆるやかにＤＣ／ＤＣ
コンバータ３に入力する。
″もし、周囲温度の下降等により、ＡＰＤ３０のブレイ
クダウン電圧が小さくなった場合ｒ考えると、ＡＰＤ３
０の暗を流は増加し反転増幅器１の出力電圧は参照電圧
■凰より高くなり電圧比較器２の出力は低レベルになる
。すると、Ｌ）Ｃ／ＤＣコンバータ３はこの低レベルに
応答して逆バイアス電圧ＶＢ１２引き下げ、この結果に
よってＡＰＤ３０の暗電流は所定の値に戻る。ＡＰＤ３
０のブレイクダウン電圧の低下は、そのま＼逆バイアス
電圧ＶＢ１の低下となって現われ、又その変化は逆バイ
アス電圧制御回路４２を通ってＡＰＤＩＯおよびＡＰＤ
２０の逆バイアス電圧ＶＢ２１低下させる。
クダウン電圧が小さくなった場合ｒ考えると、ＡＰＤ３
０の暗を流は増加し反転増幅器１の出力電圧は参照電圧
■凰より高くなり電圧比較器２の出力は低レベルになる
。すると、Ｌ）Ｃ／ＤＣコンバータ３はこの低レベルに
応答して逆バイアス電圧ＶＢ１２引き下げ、この結果に
よってＡＰＤ３０の暗電流は所定の値に戻る。ＡＰＤ３
０のブレイクダウン電圧の低下は、そのま＼逆バイアス
電圧ＶＢ１の低下となって現われ、又その変化は逆バイ
アス電圧制御回路４２を通ってＡＰＤＩＯおよびＡＰＤ
２０の逆バイアス電圧ＶＢ２１低下させる。
ＡＰＤ３０のブレイクダウン重圧の低下する要因は、Ａ
ＰＤＩＯとＡＰＤ２０にも同じく作用するので、ＡＰＤ
ＩＯとＡＰＤ２０のブレイクダウン重圧も低下するが、
上述の工うにして逆バイアス電圧ＶＢ２に低下させるこ
とによりｔ流利得を一定に保つことができる。
ＰＤＩＯとＡＰＤ２０にも同じく作用するので、ＡＰＤ
ＩＯとＡＰＤ２０のブレイクダウン重圧も低下するが、
上述の工うにして逆バイアス電圧ＶＢ２に低下させるこ
とによりｔ流利得を一定に保つことができる。
第３図に逆バイアス７圧回路４２の一例である。
入力する逆バイアス電圧ＶＢｌ［抵抗７おＬび８にＬり
分圧されて逆バイアス重圧■Ｂ２に出力する７この場合
、逆バイアス電圧ＶＢ２Ｈ逆バイアス重圧ＶＢＩよりも
必らず小さくなり、かつ圧倒した値となる。逆バイアス
重圧ＶＢＩがＡ Ｐ Ｉ）３０のブレイクダウン電圧に
近い値の場合には、逆バイアス重圧ＶＢ２１ＡＰＤ１０
および２０のブレイクダウン重圧よりも低くかつ適切な
電流増倍率の点で動作させることができる。
分圧されて逆バイアス重圧■Ｂ２に出力する７この場合
、逆バイアス電圧ＶＢ２Ｈ逆バイアス重圧ＶＢＩよりも
必らず小さくなり、かつ圧倒した値となる。逆バイアス
重圧ＶＢＩがＡ Ｐ Ｉ）３０のブレイクダウン電圧に
近い値の場合には、逆バイアス重圧ＶＢ２１ＡＰＤ１０
および２０のブレイクダウン重圧よりも低くかつ適切な
電流増倍率の点で動作させることができる。
以上に述べた実施例は、説明を単純化するために、光デ
ータ系列が２つの場合をとりあげたが、実際ににもつと
多くの元データ系列があり、たとえば、８ビット並列の
光データ通信を行なうにに８組のＡＰＤと受信回路が必
要になり、逆バイアス電圧制御回路４２で制御される逆
バイアス電圧ＶＢ２Ｈ，これら８つのＡＰＤのすべてに
供給されるようになる。
ータ系列が２つの場合をとりあげたが、実際ににもつと
多くの元データ系列があり、たとえば、８ビット並列の
光データ通信を行なうにに８組のＡＰＤと受信回路が必
要になり、逆バイアス電圧制御回路４２で制御される逆
バイアス電圧ＶＢ２Ｈ，これら８つのＡＰＤのすべてに
供給されるようになる。
本発明に工れば、以上に説明し友ように、同一半導体基
板上に形成さｎ７ＨＡＰＤのうちの１つを逆バイアス電
圧を制御するために専用化し、このＡＰＤの暗電流を逆
バイアス電圧制御回路３２に入力し、逆バイアス電圧制
御回路３２はこの電流が常に一定値となるように逆バイ
アス電圧ＶＢＩを制御し、又逆バイアス電圧制御口ｉｆ
！４２によシ逆バイアス雷圧■Ｂ１の変化に対応しｔ逆
バイアス電圧ＶＢ２１制御することによって、全ＡＰＤ
に共通して供給されている逆バイアス電圧ＶＢ２を介し
、全ＡＰＤに共通して作用する利得変動要因の補償がで
きるようになる之め、小量のハードウェア量でＡＰＤの
一括した利得制御を行うことができるという効果がある
。
板上に形成さｎ７ＨＡＰＤのうちの１つを逆バイアス電
圧を制御するために専用化し、このＡＰＤの暗電流を逆
バイアス電圧制御回路３２に入力し、逆バイアス電圧制
御回路３２はこの電流が常に一定値となるように逆バイ
アス電圧ＶＢＩを制御し、又逆バイアス電圧制御口ｉｆ
！４２によシ逆バイアス雷圧■Ｂ１の変化に対応しｔ逆
バイアス電圧ＶＢ２１制御することによって、全ＡＰＤ
に共通して供給されている逆バイアス電圧ＶＢ２を介し
、全ＡＰＤに共通して作用する利得変動要因の補償がで
きるようになる之め、小量のハードウェア量でＡＰＤの
一括した利得制御を行うことができるという効果がある
。
第１図は本発明の一実施例、第２図お：び第３図は本実
施例の詳細図および第４図は従来の一例をそれぞれ示す
。 １・・・・・・反転増幅器、２・・・・・・電圧比較器
、３・・・・・・Ｄ Ｃ／Ｄ Ｃコンバータ、４． ５
． ７． 訃・・・・・抵抗器、６・・・・・・コン
デンサ％１０，２０．３０・旧・・アバランシェホトダ
イオード、１１．２１・旧・・受信回路、１２，２２，
３２，４２・・・・・・逆バイアス電圧制御回路、１３
．２３・・・・・・光信号、Ｎツ＃Ｖ Ｂ １ 。 ＶＢ２・・・・・・逆バイアス電圧％ＶＲ・・・・・・
参照電圧。 −一＼ 代理人 弁理士 内 原 蓋′ Ｖ８ノ ８３ 区
施例の詳細図および第４図は従来の一例をそれぞれ示す
。 １・・・・・・反転増幅器、２・・・・・・電圧比較器
、３・・・・・・Ｄ Ｃ／Ｄ Ｃコンバータ、４． ５
． ７． 訃・・・・・抵抗器、６・・・・・・コン
デンサ％１０，２０．３０・旧・・アバランシェホトダ
イオード、１１．２１・旧・・受信回路、１２，２２，
３２，４２・・・・・・逆バイアス電圧制御回路、１３
．２３・・・・・・光信号、Ｎツ＃Ｖ Ｂ １ 。 ＶＢ２・・・・・・逆バイアス電圧％ＶＲ・・・・・・
参照電圧。 −一＼ 代理人 弁理士 内 原 蓋′ Ｖ８ノ ８３ 区
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 それぞれが光信号を入力して電流に変換しかつ同一半導
体基板上に形成された１つ以上の第１のアバランシェホ
トダイオードと、 前記半導体基板上に形成された第２のアバランシェホト
ダイオードと、 前記第２のアバランシェホトダイオードの暗電流が一定
となるよう前記第２のアバランシェホトダイオードの第
１の逆バイアス電圧を制御する第１の逆バイアス電圧制
御回路と、前記第１のアバランシェホトダイオードの逆
バイアス電圧を前記第１の逆バイアス電圧に対応した電
圧に制御する第２の逆バイアス電圧制御回路とを含むこ
とを特徴とするアバランシェホトダイオードの利得制御
方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61083551A JPS62239727A (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | アバランシエホトダイオ−ドの利得制御方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61083551A JPS62239727A (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | アバランシエホトダイオ−ドの利得制御方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62239727A true JPS62239727A (ja) | 1987-10-20 |
Family
ID=13805645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61083551A Pending JPS62239727A (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | アバランシエホトダイオ−ドの利得制御方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62239727A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020121858A1 (ja) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置及び光検出装置の製造方法 |
| WO2020121857A1 (ja) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置及び光検出装置の製造方法 |
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-
1986
- 1986-04-11 JP JP61083551A patent/JPS62239727A/ja active Pending
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