JP3106437B2 - 光電子集積回路素子 - Google Patents
光電子集積回路素子Info
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- JP3106437B2 JP3106437B2 JP03227267A JP22726791A JP3106437B2 JP 3106437 B2 JP3106437 B2 JP 3106437B2 JP 03227267 A JP03227267 A JP 03227267A JP 22726791 A JP22726791 A JP 22726791A JP 3106437 B2 JP3106437 B2 JP 3106437B2
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- Japan
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- power supply
- channel
- integrated circuit
- circuit device
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ファイバ通信の受光部
等に用いる光電子集積回路素子に関するものである。
等に用いる光電子集積回路素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の光電子集積回路素子（以
下、ＯＥＩＣアレイという）としては、以下に記す文献
に開示されたものがあり、その概略の回路図を図４に示
す。
下、ＯＥＩＣアレイという）としては、以下に記す文献
に開示されたものがあり、その概略の回路図を図４に示
す。
【０００３】Optical Fiber Communication Conferenc
e, Tuesday,February 19, Lecture No.TuB2 「High-speed eight-channel optoelectronic
integrated receiver arrays comprising GalnAs pin PDs and AllnAs/GalnA
s HEMTs 」このＯＥＩＣアレイ４０は８チャネルの光受
信回路がモノリシックに集積されたものであり、各チャ
ネルは、受信した光信号を電気信号に変換するフォトダ
イオードＰＤ（ＰＤ1 〜ＰＤ8 ）と、この電気信号を増
幅するための抵抗及び高電子移動度トランジスタ等から
構成される増幅器ＡＭＰ（ＡＭＰ1 〜ＡＭＰ8 ）とで構
成される。
e, Tuesday,February 19, Lecture No.TuB2 「High-speed eight-channel optoelectronic
integrated receiver arrays comprising GalnAs pin PDs and AllnAs/GalnA
s HEMTs 」このＯＥＩＣアレイ４０は８チャネルの光受
信回路がモノリシックに集積されたものであり、各チャ
ネルは、受信した光信号を電気信号に変換するフォトダ
イオードＰＤ（ＰＤ1 〜ＰＤ8 ）と、この電気信号を増
幅するための抵抗及び高電子移動度トランジスタ等から
構成される増幅器ＡＭＰ（ＡＭＰ1 〜ＡＭＰ8 ）とで構
成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のＯＥ
ＩＣアレイ４０においては、各増幅器ＡＭＰの電源節点
４１が互いに接続されて同じ電位を持っており、このよ
うな回路構成のため、あるチャネルに入力された信号が
他のチャネルに漏洩するクロストークが -30デシベル程
度と大きいことが問題となっていた。
ＩＣアレイ４０においては、各増幅器ＡＭＰの電源節点
４１が互いに接続されて同じ電位を持っており、このよ
うな回路構成のため、あるチャネルに入力された信号が
他のチャネルに漏洩するクロストークが -30デシベル程
度と大きいことが問題となっていた。
【０００５】このクロストークが発生する原因は次のよ
うに考えられている。即ち、このＯＥＩＣアレイ４０の
内外の電源回路には交流成分に対するインピーダンスを
低減するために、コンデンサＣ1 及びＣ2 が挿入されて
おり、すべての電源回路はこのコンデンサＣ1 、Ｃ2 を
介して接地されている。一方、電源供給端子４２へは、
通常、有限な長さを持つ電源配線４４を介して電源４３
から電流が供給される。この電源配線４４は分布定数と
してのインダクタンスＬを持っており、このインダクタ
ンスＬとコンデンサＣ2 とが特定の周波数において共振
し、この共振周波数において、電源供給端子４２とグラ
ンドとの間のインピーダンスは無限大となる。そこで、
１つのチャネルに信号が入力されると、その信号に対応
した出力電圧が出力端子４５に発生し、負荷４６に信号
電流が供給される。この信号電流は電源４３より供給さ
れるが、この時、電源供給端子４２には、この電源供給
端子４２とグランドとの間のインピーダンスと、ここを
流れる電流値との積に等しい電圧が発生する。
うに考えられている。即ち、このＯＥＩＣアレイ４０の
内外の電源回路には交流成分に対するインピーダンスを
低減するために、コンデンサＣ1 及びＣ2 が挿入されて
おり、すべての電源回路はこのコンデンサＣ1 、Ｃ2 を
介して接地されている。一方、電源供給端子４２へは、
通常、有限な長さを持つ電源配線４４を介して電源４３
から電流が供給される。この電源配線４４は分布定数と
してのインダクタンスＬを持っており、このインダクタ
ンスＬとコンデンサＣ2 とが特定の周波数において共振
し、この共振周波数において、電源供給端子４２とグラ
ンドとの間のインピーダンスは無限大となる。そこで、
１つのチャネルに信号が入力されると、その信号に対応
した出力電圧が出力端子４５に発生し、負荷４６に信号
電流が供給される。この信号電流は電源４３より供給さ
れるが、この時、電源供給端子４２には、この電源供給
端子４２とグランドとの間のインピーダンスと、ここを
流れる電流値との積に等しい電圧が発生する。
【０００６】従って、上述した共振周波数においては、
電源供給端子４２とグランド間のインピーダンスは無限
大となっているため、電源供給端子４２には、入力され
ている信号電流に対応した非常に大きな電圧変動が発生
する。一般に、増幅器ＡＭＰは電源電圧が変動するとそ
の変動に応じて出力電圧が変動する。そのため、この共
振周波数においては、１つのチャネルに入力された電気
信号が大きな電源電圧の変動を引き起こし、共通の電源
配線を介して他の全てのチャネルの出力電圧の変動を引
き起こすことになる。これがクロストークの発生する原
因となるものである。
電源供給端子４２とグランド間のインピーダンスは無限
大となっているため、電源供給端子４２には、入力され
ている信号電流に対応した非常に大きな電圧変動が発生
する。一般に、増幅器ＡＭＰは電源電圧が変動するとそ
の変動に応じて出力電圧が変動する。そのため、この共
振周波数においては、１つのチャネルに入力された電気
信号が大きな電源電圧の変動を引き起こし、共通の電源
配線を介して他の全てのチャネルの出力電圧の変動を引
き起こすことになる。これがクロストークの発生する原
因となるものである。
【０００７】本発明は、このようなＯＥＩＣアレイにお
いて発生するクロストークを低減することを目的とする
ものである。
いて発生するクロストークを低減することを目的とする
ものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の光電子集
積回路素子の発明は、受信した光信号を電気信号に変換
する受光素子と、この受光素子の出力信号を増幅する増
幅器とから構成されるチャネルを複数備え、各チャネル
が同一半導体基板上に集積された光電子集積回路素子に
おいて、各チャネルにおける増幅器の電源節点の少なく
とも２つが互いに接続された共通電源節点と、外部から
電源の供給を受ける電源供給端子と、電源供給端子と共
通電源節点とを接続する抵抗素子とを備える構成を採
る。また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の光電
子集積回路素子において、抵抗素子は、１Ωから１０Ω
の間のいずれかの抵抗値を有する構成を採る。
積回路素子の発明は、受信した光信号を電気信号に変換
する受光素子と、この受光素子の出力信号を増幅する増
幅器とから構成されるチャネルを複数備え、各チャネル
が同一半導体基板上に集積された光電子集積回路素子に
おいて、各チャネルにおける増幅器の電源節点の少なく
とも２つが互いに接続された共通電源節点と、外部から
電源の供給を受ける電源供給端子と、電源供給端子と共
通電源節点とを接続する抵抗素子とを備える構成を採
る。また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の光電
子集積回路素子において、抵抗素子は、１Ωから１０Ω
の間のいずれかの抵抗値を有する構成を採る。
【０００９】外部の電源回路に存在するインダクタンス
ＬとコンデンサＣとが特定の周波数において共振する
が、一般に、インダクタンスと容量とが共振した場合、
抵抗分が存在すると、共振時のインピーダンスは低くな
る。そこで、本発明に係る光電子集積回路素子では、電
源供給端子と共通電源節点との間に抵抗素子を挿入し、
共振時のインピーダンスを低減させる。これにより、共
通電源節点によって互いに接続される他のチャネルの各
増幅器に加わる電源電圧の変動も抑えられるため、他の
チャネルの出力に与える影響は小さくなり、クロストー
クを低減することが可能となる。また、抵抗素子の抵抗
値を増大させると、周波数が１００ＭＨｚ以下における
クロストークが増大し、抵抗値が３０Ω以上となると２
ＭＨｚ付近におけるクロストークは−３０ｄＢに達す
る。このため、本発明では、抵抗素子は、１Ωから１０
Ωの間のいずれかの抵抗値を有する構成を採る。これに
より、クロストークの低減を図ることが可能となる。
ＬとコンデンサＣとが特定の周波数において共振する
が、一般に、インダクタンスと容量とが共振した場合、
抵抗分が存在すると、共振時のインピーダンスは低くな
る。そこで、本発明に係る光電子集積回路素子では、電
源供給端子と共通電源節点との間に抵抗素子を挿入し、
共振時のインピーダンスを低減させる。これにより、共
通電源節点によって互いに接続される他のチャネルの各
増幅器に加わる電源電圧の変動も抑えられるため、他の
チャネルの出力に与える影響は小さくなり、クロストー
クを低減することが可能となる。また、抵抗素子の抵抗
値を増大させると、周波数が１００ＭＨｚ以下における
クロストークが増大し、抵抗値が３０Ω以上となると２
ＭＨｚ付近におけるクロストークは−３０ｄＢに達す
る。このため、本発明では、抵抗素子は、１Ωから１０
Ωの間のいずれかの抵抗値を有する構成を採る。これに
より、クロストークの低減を図ることが可能となる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。
説明する。
【００１１】図１に本実施例に係る概略的な回路図を示
す。ＯＥＩＣアレイ１０は、チャネル数に特に制限はな
いが、用途に応じて４〜１２チャネルとするのが一般的
である。同図は、第１チャネルと最後の第ｎチャネル
（４〜１２）を図示しており、途中の第２〜第ｎ−１チ
ャネルは省略して図示している。これら各チャネルは同
一の半導体基板上にモノリシックに集積しており、各チ
ャネルは、受信した光信号を電気信号に変換するフォト
ダイオードＰＤ（ＰＤ1 〜ＰＤn ）と、この電気信号を
増幅するための抵抗及び高電子移動度トランジスタ等か
ら構成される増幅器ＡＭＰ（ＡＭＰ1 〜ＡＭＰn）とで
構成される。
す。ＯＥＩＣアレイ１０は、チャネル数に特に制限はな
いが、用途に応じて４〜１２チャネルとするのが一般的
である。同図は、第１チャネルと最後の第ｎチャネル
（４〜１２）を図示しており、途中の第２〜第ｎ−１チ
ャネルは省略して図示している。これら各チャネルは同
一の半導体基板上にモノリシックに集積しており、各チ
ャネルは、受信した光信号を電気信号に変換するフォト
ダイオードＰＤ（ＰＤ1 〜ＰＤn ）と、この電気信号を
増幅するための抵抗及び高電子移動度トランジスタ等か
ら構成される増幅器ＡＭＰ（ＡＭＰ1 〜ＡＭＰn）とで
構成される。
【００１２】各チャネルの増幅器ＡＭＰ1 〜ＡＭＰn 及
びフォトダイオードＰＤ1 〜ＰＤn は、同じ電位となる
共通電源節点１１で互いに接続されており、この共通電
源節点１１と電源供給端子１２との間は抵抗素子Ｒを介
して接続されている。なお、この電源供給端子１２は、
外部の電源回路に接続され、ＯＥＩＣアレイ１０内に電
源を供給するための入力端子となる。また、内外の電源
回路には交流成分に対するインピーダンスを低減するた
めに、コンデンサＣ1 及びＣ2 が挿入されており、各電
源回路はこのコンデンサＣ1 、Ｃ2 を介して接地されて
いる。また、各チャネルでは、フォトダイオードＰＤか
らの出力信号を増幅器ＡＭＰで増幅し、この増幅出力が
対応する各出力端子１５1 〜 １５n に与えられる。
びフォトダイオードＰＤ1 〜ＰＤn は、同じ電位となる
共通電源節点１１で互いに接続されており、この共通電
源節点１１と電源供給端子１２との間は抵抗素子Ｒを介
して接続されている。なお、この電源供給端子１２は、
外部の電源回路に接続され、ＯＥＩＣアレイ１０内に電
源を供給するための入力端子となる。また、内外の電源
回路には交流成分に対するインピーダンスを低減するた
めに、コンデンサＣ1 及びＣ2 が挿入されており、各電
源回路はこのコンデンサＣ1 、Ｃ2 を介して接地されて
いる。また、各チャネルでは、フォトダイオードＰＤか
らの出力信号を増幅器ＡＭＰで増幅し、この増幅出力が
対応する各出力端子１５1 〜 １５n に与えられる。
【００１３】次に、抵抗素子Ｒの作用について説明す
る。
る。
【００１４】電源供給端子１２には、通常、有限な長さ
を持つ電源配線１３を介して電源１４から電流が供給さ
れる。この電源配線１３は分布定数としてのインダクタ
ンスＬを持つものである。そこで、少なくとも１つのフ
ォトダイオードＰＤに光信号が入力されると、入力信号
を受けた各チャネルには、電源１４に接続された電源供
給端子１２から電源電流が供給される。この時、電源配
線１３のインダクタンスＬとコンデンサＣ2 とが特定の
周波数において共振することは前述した通りであるが、
本実施例では、電源供給端子１２と共通電源節点１１と
の間に抵抗素子Ｒを挿入している。一般に、インダクタ
ンスと容量とが共振した場合に、抵抗分が存在すると共
振時のインピーダンスは低くなる。そこで、共通電源節
点１１の電圧変動は、各電源節点とグランドとの間のイ
ンピーダンスに比例するので、上述のように電源供給端
子１２と共通電源節点１１との間に抵抗素子Ｒを挿入す
ることにより、共振時のインピーダンスを低く抑えるこ
とができる。従って、共通電源節点１１の電圧の変動、
即ち増幅器ＡＭＰの電源電圧の変動は低減され、他のチ
ャネルの出力に与える影響は小さくなり、これによりク
ロストークも低減されるものである。
を持つ電源配線１３を介して電源１４から電流が供給さ
れる。この電源配線１３は分布定数としてのインダクタ
ンスＬを持つものである。そこで、少なくとも１つのフ
ォトダイオードＰＤに光信号が入力されると、入力信号
を受けた各チャネルには、電源１４に接続された電源供
給端子１２から電源電流が供給される。この時、電源配
線１３のインダクタンスＬとコンデンサＣ2 とが特定の
周波数において共振することは前述した通りであるが、
本実施例では、電源供給端子１２と共通電源節点１１と
の間に抵抗素子Ｒを挿入している。一般に、インダクタ
ンスと容量とが共振した場合に、抵抗分が存在すると共
振時のインピーダンスは低くなる。そこで、共通電源節
点１１の電圧変動は、各電源節点とグランドとの間のイ
ンピーダンスに比例するので、上述のように電源供給端
子１２と共通電源節点１１との間に抵抗素子Ｒを挿入す
ることにより、共振時のインピーダンスを低く抑えるこ
とができる。従って、共通電源節点１１の電圧の変動、
即ち増幅器ＡＭＰの電源電圧の変動は低減され、他のチ
ャネルの出力に与える影響は小さくなり、これによりク
ロストークも低減されるものである。
【００１５】次に、この抵抗素子Ｒの抵抗値について検
討する。電源供給端子１２と共通電源節点１１との間に
抵抗素子Ｒを挿入すると、共振時のインピーダンスは低
くなるが、抵抗素子Ｒの値を一定の値を越えて増大させ
た場合には、共通電源節点１１とグランドの間のインピ
ーダンスが増大し、この結果、クロクトークが増大する
ことになる。従って、この抵抗素子Ｒの抵抗値には最適
な値の範囲が存在することになる。
討する。電源供給端子１２と共通電源節点１１との間に
抵抗素子Ｒを挿入すると、共振時のインピーダンスは低
くなるが、抵抗素子Ｒの値を一定の値を越えて増大させ
た場合には、共通電源節点１１とグランドの間のインピ
ーダンスが増大し、この結果、クロクトークが増大する
ことになる。従って、この抵抗素子Ｒの抵抗値には最適
な値の範囲が存在することになる。
【００１６】図２に抵抗素子Ｒの値をパラメータとした
クロストークの周波数特性を示す。図において、抵抗素
子Ｒの値を１［Ω］〜１０［Ω］とすると、５００［MH
z]以上でクロストークが改善されることがわかる。ま
た、この抵抗値を増大させると、１００［MHz] 以下で
のクロストークが増大し、抵抗値が３０［Ω］以上にな
ると２［MHz] 付近でのクロストークは−３０［dB］に
達する。以上の結果より、抵抗素子Ｒの抵抗値として
は、１［Ω］〜１０［Ω］の範囲が最適であることがわ
かる。
クロストークの周波数特性を示す。図において、抵抗素
子Ｒの値を１［Ω］〜１０［Ω］とすると、５００［MH
z]以上でクロストークが改善されることがわかる。ま
た、この抵抗値を増大させると、１００［MHz] 以下で
のクロストークが増大し、抵抗値が３０［Ω］以上にな
ると２［MHz] 付近でのクロストークは−３０［dB］に
達する。以上の結果より、抵抗素子Ｒの抵抗値として
は、１［Ω］〜１０［Ω］の範囲が最適であることがわ
かる。
【００１７】また、図３に本実施例に係るＯＥＩＣアレ
イ３０の具体的な回路構成の一例を示す。同図において
は、第１チャネルと最後の第ｎチャネルを図示してお
り、途中の第２〜第ｎ−１チャネルは省略して図示して
いる。これら各チャネルは同一の半導体基板上にモノリ
シックに集積しており、各チャネルの構成は、以下に記
す第１チャネルと同様な構成である。
イ３０の具体的な回路構成の一例を示す。同図において
は、第１チャネルと最後の第ｎチャネルを図示してお
り、途中の第２〜第ｎ−１チャネルは省略して図示して
いる。これら各チャネルは同一の半導体基板上にモノリ
シックに集積しており、各チャネルの構成は、以下に記
す第１チャネルと同様な構成である。
【００１８】第１チャネルは、フォトダイオードＰ
Ｄ1 、抵抗素子Ｒ11，Ｒ12、トランジスタＱ11〜Ｑ15、
レベルシフトダイオードＤ11〜Ｄ16から構成される。フ
ォトダイオードＰＤ1 には、ＩｎＰ基板上に形成された
ＧａＩｎＡｓ層を光吸収層とするＰＩＮ型フォトダイオ
ードが用いられ、トランジスタＱ11〜Ｑ15には、Ｎ型Ａ
ｌＩｎＡｓ層とＧａＩｎＡｓ層からなるＨＥＭＴ、接合
型トランジスタ或いはＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓヘテロ接合
を用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタ等が用いら
れる。また、抵抗素子Ｒ，Ｒ11，Ｒ12は、スパッタ法等
で形成した金属薄膜抵抗等が用いられる。
Ｄ1 、抵抗素子Ｒ11，Ｒ12、トランジスタＱ11〜Ｑ15、
レベルシフトダイオードＤ11〜Ｄ16から構成される。フ
ォトダイオードＰＤ1 には、ＩｎＰ基板上に形成された
ＧａＩｎＡｓ層を光吸収層とするＰＩＮ型フォトダイオ
ードが用いられ、トランジスタＱ11〜Ｑ15には、Ｎ型Ａ
ｌＩｎＡｓ層とＧａＩｎＡｓ層からなるＨＥＭＴ、接合
型トランジスタ或いはＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓヘテロ接合
を用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタ等が用いら
れる。また、抵抗素子Ｒ，Ｒ11，Ｒ12は、スパッタ法等
で形成した金属薄膜抵抗等が用いられる。
【００１９】フォトダイオードＰＤ1 及び抵抗素子Ｒ11
は光検出段を構成し、トランジスタＱ11及び抵抗素子Ｒ
12は、この光検出段で検出された入力信号を増幅する増
幅段を構成している。また、トランジスタＱ12、Ｑ13及
びレベルシフトダイオードＤ11〜Ｄ13はレベルシフト段
を構成し、レベルシフトダイオードＤ14〜Ｄ16及びトラ
ンジスタＱ14、Ｑ15はソースフォロワ段を構成してい
る。
は光検出段を構成し、トランジスタＱ11及び抵抗素子Ｒ
12は、この光検出段で検出された入力信号を増幅する増
幅段を構成している。また、トランジスタＱ12、Ｑ13及
びレベルシフトダイオードＤ11〜Ｄ13はレベルシフト段
を構成し、レベルシフトダイオードＤ14〜Ｄ16及びトラ
ンジスタＱ14、Ｑ15はソースフォロワ段を構成してい
る。
【００２０】以上のように構成されるＯＥＩＣアレイ３
０においても、電源供給端子３２と各チャネルの共通電
源節点３１とは、抵抗素子Ｒを介して接続されており、
この抵抗素子Ｒの働きによって、先に説明した図１に示
す回路と同様にクロストークを低減することができる。
０においても、電源供給端子３２と各チャネルの共通電
源節点３１とは、抵抗素子Ｒを介して接続されており、
この抵抗素子Ｒの働きによって、先に説明した図１に示
す回路と同様にクロストークを低減することができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明に係る光電子
集積回路素子は、各チャネルの増幅器の電源節点のう
ち、少なくとも２つが互いに接続されて同電位となる共
通電源節点を有し、この共通電源節点と前記光電子集積
回路素子に電源を供給するための電源供給端子との間を
抵抗素子を介して接続するので、前記電源供給端子に接
続される外部の電源回路が特定の周波数において共振し
た際に、この抵抗素子によって共振時のインピーダンス
を低減することができる。従って、前記共通電源節点に
よって互いに接続される他のチャネルの各増幅器に加わ
る電源電圧の変動も抑えられ、これにより他のチャネル
の出力に与える影響は小さくなり、クロストークを低減
することが可能となる。
集積回路素子は、各チャネルの増幅器の電源節点のう
ち、少なくとも２つが互いに接続されて同電位となる共
通電源節点を有し、この共通電源節点と前記光電子集積
回路素子に電源を供給するための電源供給端子との間を
抵抗素子を介して接続するので、前記電源供給端子に接
続される外部の電源回路が特定の周波数において共振し
た際に、この抵抗素子によって共振時のインピーダンス
を低減することができる。従って、前記共通電源節点に
よって互いに接続される他のチャネルの各増幅器に加わ
る電源電圧の変動も抑えられ、これにより他のチャネル
の出力に与える影響は小さくなり、クロストークを低減
することが可能となる。
【図１】本発明の実施例に係るＯＥＩＣアレイの概略的
な構成を示す回路図である。
な構成を示す回路図である。
【図２】接続する抵抗素子の抵抗値をパラメータとした
クロストークの周波数特性を示すグラフである。
クロストークの周波数特性を示すグラフである。
【図３】本実施例に係るＯＥＩＣアレイの一例を示す回
路図である。
路図である。
【図４】従来のＯＥＩＣアレイの概略的な構成を示す回
路図である。
路図である。
１０…ＯＥＩＣアレイ（光電子集積回路素子）、１１…
共通電源節点、１２…電源供給端子、１３…電源配線、
Ｒ…抵抗素子、ＰＤ1 …第１チャネルのフォトダイオー
ド、ＡＭＰ1 …第１チャネルの増幅器。
共通電源節点、１２…電源供給端子、１３…電源配線、
Ｒ…抵抗素子、ＰＤ1 …第１チャネルのフォトダイオー
ド、ＡＭＰ1 …第１チャネルの増幅器。
Claims (2)
- 【請求項１】 受信した光信号を電気信号に変換する受
光素子と、この受光素子の出力信号を増幅する増幅器と
から構成されるチャネルを複数備え、前記各チャネルが
同一半導体基板上に集積された光電子集積回路素子にお
いて、 前記各チャネルにおける増幅器の電源節点の少なくとも
２つが互いに接続された共通電源節点と、 外部から電源の供給を受ける電源供給端子と、 前記電源供給端子と前記共通電源節点とを接続する抵抗
素子とを備えることを特徴とする光電子集積回路素子。 - 【請求項２】 前記抵抗素子は、１Ωから１０Ωの間の
いずれかの抵抗値を有することを特徴とする請求項１記
載の光電子集積回路素子。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03227267A JP3106437B2 (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 光電子集積回路素子 |
| US07/921,027 US5432470A (en) | 1991-08-02 | 1992-07-29 | Optoelectronic integrated circuit device |
| CA002074985A CA2074985C (en) | 1991-08-02 | 1992-07-30 | Optoelectronic integrated circuit device |
| DE69219687T DE69219687T2 (de) | 1991-08-02 | 1992-07-31 | Optoelektronische integrierte Schaltung |
| DE69231527T DE69231527T2 (de) | 1991-08-02 | 1992-07-31 | Optoelektronische integrierte Schaltung |
| KR1019920013846A KR960008579B1 (ko) | 1991-08-02 | 1992-07-31 | 광전자집적회로소자 |
| EP96113911A EP0751636B1 (en) | 1991-08-02 | 1992-07-31 | Optoelectronic integrated circuit |
| EP92113126A EP0525807B1 (en) | 1991-08-02 | 1992-07-31 | Opto-electronic integrated circuit |
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