JPH11127039A - 光受信回路と光受信方法 - Google Patents
光受信回路と光受信方法Info
- Publication number
- JPH11127039A JPH11127039A JP9292596A JP29259697A JPH11127039A JP H11127039 A JPH11127039 A JP H11127039A JP 9292596 A JP9292596 A JP 9292596A JP 29259697 A JP29259697 A JP 29259697A JP H11127039 A JPH11127039 A JP H11127039A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- feedback
- current
- output
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
- H04B10/693—Arrangements for optimizing the preamplifier in the receiver
- H04B10/6931—Automatic gain control of the preamplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
- H04B10/691—Arrangements for optimizing the photodetector in the receiver
- H04B10/6911—Photodiode bias control, e.g. for compensating temperature variations
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光受信回路におけるプレアンプの入力ダイナ
ミックレンジを確保し、フィードバック回路におけるゲ
イン−位相特性等を考慮する必要のない設計を可能にす
る。 【解決手段】 受光素子1に抵抗を接続して、入力光
レベルに比例した振幅をピーク検出回路3で検出し、検
出した振幅に応じて固定帰還抵抗5に並列接続されたF
ETトランジスタ6のゲート電圧を制御することによ
り、FETトランジスタ6の内部コンダクタンスを制御
して帰還抵抗を制御する。
ミックレンジを確保し、フィードバック回路におけるゲ
イン−位相特性等を考慮する必要のない設計を可能にす
る。 【解決手段】 受光素子1に抵抗を接続して、入力光
レベルに比例した振幅をピーク検出回路3で検出し、検
出した振幅に応じて固定帰還抵抗5に並列接続されたF
ETトランジスタ6のゲート電圧を制御することによ
り、FETトランジスタ6の内部コンダクタンスを制御
して帰還抵抗を制御する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】光伝送における光受信回路に
関する。
関する。
【0002】
【従来の技術】図3乃至図5はそれぞれ従来の光受信回
路の第1乃至第3の実施例である。従来、光受信器とし
ては図3に示す実施例1のような単純な帰還抵抗型のプ
リアンプを使用していた。
路の第1乃至第3の実施例である。従来、光受信器とし
ては図3に示す実施例1のような単純な帰還抵抗型のプ
リアンプを使用していた。
【0003】光受信器の光入力レベルの変動幅に対して
安定化するダイナミックレンジを確保するために、特許
公報昭62−115902や昭63−49839のよう
に、選択回路によりゲインの異なる回路を選択する方式
がある。
安定化するダイナミックレンジを確保するために、特許
公報昭62−115902や昭63−49839のよう
に、選択回路によりゲインの異なる回路を選択する方式
がある。
【0004】また、特許公報平6−120743に示さ
れているように、光入力の増加に対して増加するフォト
カレントを、帰還抵抗に流入する前段で電流を差し引き
する方式がある。平6−120743には帰還抵抗に流
入する電流を差し引きする回路を開示しており、一般に
図4に示す第2の実施例のようにプリアンプの出力のピ
ーク値を検出し、フィードバックを構成する制御方式が
用いられていた。
れているように、光入力の増加に対して増加するフォト
カレントを、帰還抵抗に流入する前段で電流を差し引き
する方式がある。平6−120743には帰還抵抗に流
入する電流を差し引きする回路を開示しており、一般に
図4に示す第2の実施例のようにプリアンプの出力のピ
ーク値を検出し、フィードバックを構成する制御方式が
用いられていた。
【0005】さらに、トランスインピーダンス(ここで
は帰還抵抗のインピーダンスを意味する)を入力レベル
に合わせて変化させる方式が、特許公報平8−2323
9に示されている。このような制御では、一般的に図5
に示す第3の実施例のように出力振幅を検出してAGC
回路にフィードバックする回路が用いられていた。
は帰還抵抗のインピーダンスを意味する)を入力レベル
に合わせて変化させる方式が、特許公報平8−2323
9に示されている。このような制御では、一般的に図5
に示す第3の実施例のように出力振幅を検出してAGC
回路にフィードバックする回路が用いられていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の技術では図3に示すように、単純な帰還抵抗型のプリ
アンプを使用した回路は、光素子に入力する光信号が増
加した場合に、帰還抵抗型のプリアンプが飽和して正常
に信号を再生できなくなり、ダイナミックレンジを確保
できないと言う問題があった。
の技術では図3に示すように、単純な帰還抵抗型のプリ
アンプを使用した回路は、光素子に入力する光信号が増
加した場合に、帰還抵抗型のプリアンプが飽和して正常
に信号を再生できなくなり、ダイナミックレンジを確保
できないと言う問題があった。
【0007】特許公報昭62−115902、および昭
63−49839は、受信器のダイナミックレンジを確
保するために選択回路によりゲインの異なる回路を選択
する方式であるが、高速の周波数においては選択回路の
構成が困難になり、また、受信回路を2回路構成するこ
とになって、1回路構成に比べてコストが高くなると言
う問題があった。
63−49839は、受信器のダイナミックレンジを確
保するために選択回路によりゲインの異なる回路を選択
する方式であるが、高速の周波数においては選択回路の
構成が困難になり、また、受信回路を2回路構成するこ
とになって、1回路構成に比べてコストが高くなると言
う問題があった。
【0008】また、特許公報平6−120743は、光
入力の増加に対して増加するフォトカレントを、帰還抵
抗に流入する前段で電流を差し引きする方式で、この方
式では、帰還抵抗の入力部に電流を差し引きする回路が
接続されることによりノイズが増加するという問題があ
った。
入力の増加に対して増加するフォトカレントを、帰還抵
抗に流入する前段で電流を差し引きする方式で、この方
式では、帰還抵抗の入力部に電流を差し引きする回路が
接続されることによりノイズが増加するという問題があ
った。
【0009】さらに、トランスインピーダンスを入力レ
ベルに合わせて変化させる方式が、特許公報平8−23
239に示されているが、ダイオードをAC的にダイオ
ード負荷を変化する方式が取られており、容量成分の多
い回路構成をしているため、高周波信号に対しては十分
な帯域を確保できないと言う問題があった。
ベルに合わせて変化させる方式が、特許公報平8−23
239に示されているが、ダイオードをAC的にダイオ
ード負荷を変化する方式が取られており、容量成分の多
い回路構成をしているため、高周波信号に対しては十分
な帯域を確保できないと言う問題があった。
【0010】また、同公報の光受信回路ではトランスイ
ンピーダンスゲインを制御するための制御電圧を、何を
検出してどのようにトランスインピーダンスを制御する
かがテーマであった。
ンピーダンスゲインを制御するための制御電圧を、何を
検出してどのようにトランスインピーダンスを制御する
かがテーマであった。
【0011】平6−120743に示す、光入力の増加
によって増加するフォトカレントを帰還抵抗に流入する
前段で電流を差し引きする方式や、平8−23239に
示すトランスインピーダンスを入力レベルに合わせて可
変させる方式では、それぞれ図4、図5に示すように出
力振幅を検出してフィードバック回路により制御を掛け
るのが一般的だが、フィードバック回路が構成されるこ
とによりゲイン−位相特性でゲイン余裕・位相余裕を確
保する必要があり、フィードバック回路が発信し易く、
ゲイン−位相特性を考慮した設計をしなければならない
という問題点があった。
によって増加するフォトカレントを帰還抵抗に流入する
前段で電流を差し引きする方式や、平8−23239に
示すトランスインピーダンスを入力レベルに合わせて可
変させる方式では、それぞれ図4、図5に示すように出
力振幅を検出してフィードバック回路により制御を掛け
るのが一般的だが、フィードバック回路が構成されるこ
とによりゲイン−位相特性でゲイン余裕・位相余裕を確
保する必要があり、フィードバック回路が発信し易く、
ゲイン−位相特性を考慮した設計をしなければならない
という問題点があった。
【0012】
【問題を解決するための手段】受光素子に抵抗を接続し
て、入力光レベルに比例した振幅をピーク検出回路で検
出し、検出した振幅に応じて固定帰還抵抗に並列接続さ
れたFETトランジスタのゲート電圧を制御することに
より、FETの内部コンダクタンスを制御して帰還抵抗
を制御する。
て、入力光レベルに比例した振幅をピーク検出回路で検
出し、検出した振幅に応じて固定帰還抵抗に並列接続さ
れたFETトランジスタのゲート電圧を制御することに
より、FETの内部コンダクタンスを制御して帰還抵抗
を制御する。
【0013】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を引用
して説明する。図1は本発明の光受信回路の概念図であ
り、受光素子1と、そのカソードに逆バイアスを与える
電源との間に接続された抵抗2と、抵抗2に流れる電流
による電圧を測定するピーク検出回路3と、受光素子1
のアノードを入力端に接続され、固定帰還抵抗5を有す
るプリアンプ4と、ピーク検出回路の出力によりプリア
ンプ4の帰還電流を制御する調整回路を9を有する光受
信回路を示す。
して説明する。図1は本発明の光受信回路の概念図であ
り、受光素子1と、そのカソードに逆バイアスを与える
電源との間に接続された抵抗2と、抵抗2に流れる電流
による電圧を測定するピーク検出回路3と、受光素子1
のアノードを入力端に接続され、固定帰還抵抗5を有す
るプリアンプ4と、ピーク検出回路の出力によりプリア
ンプ4の帰還電流を制御する調整回路を9を有する光受
信回路を示す。
【0014】調整回路9は、ピーク検出回路3の出力が
大きくなると(ステップ21)、内部抵抗を大きくして
プリアンプの帰還電流を減じ(ステップ22)、ピーク
検出回路の出力が小さくなると(ステップ25)、内部
抵抗を減じてプリアンプの帰還電流を大きくし(ステッ
プ26)、受光素子1の出力電流が安定化すると、その
調整状態を維持する(ステップ24、27)調整を行
う。
大きくなると(ステップ21)、内部抵抗を大きくして
プリアンプの帰還電流を減じ(ステップ22)、ピーク
検出回路の出力が小さくなると(ステップ25)、内部
抵抗を減じてプリアンプの帰還電流を大きくし(ステッ
プ26)、受光素子1の出力電流が安定化すると、その
調整状態を維持する(ステップ24、27)調整を行
う。
【0015】
【実施例】図2は本発明の一実施例の構成を示す回路で
ある。
ある。
【0016】受光素子1には一般的にフォトダイオード
(PD)やアパランシェフォトダイオード(APD)が
用いられ、光素子のカソードには逆バイアスとの間に抵
抗2が接続されている。入力される光信号のレベルに応
じたフォトカレントにより抵抗2に受信の光のレベルに
比例した信号振幅が発生する。
(PD)やアパランシェフォトダイオード(APD)が
用いられ、光素子のカソードには逆バイアスとの間に抵
抗2が接続されている。入力される光信号のレベルに応
じたフォトカレントにより抵抗2に受信の光のレベルに
比例した信号振幅が発生する。
【0017】抵抗2で発生する信号振幅をピーク検出回
路3によりピークに対応し電圧を発生する。
路3によりピークに対応し電圧を発生する。
【0018】一方、光素子のアノードには一般的な帰還
抵抗型プリアンプ4が構成されており、固定帰還抵抗5
には並列にFETトランジスタ6が接続されており、プ
リアンプ4の帰還抵抗はFET6の内部コンダクタンス
との並列インピーダンスにより決定する。
抵抗型プリアンプ4が構成されており、固定帰還抵抗5
には並列にFETトランジスタ6が接続されており、プ
リアンプ4の帰還抵抗はFET6の内部コンダクタンス
との並列インピーダンスにより決定する。
【0019】FETトランジスタ6のゲートはピーク検
出回路3の出力が接続され、FET6のゲート電圧はピ
ーク検出回路3の出力電圧により制御される。
出回路3の出力が接続され、FET6のゲート電圧はピ
ーク検出回路3の出力電圧により制御される。
【0020】光入力信号レベルが増加して受光素子1の
フォトカレントが増加すると(ステップ31)、抵抗2
に発生する信号の振幅が増加し、ピーク検出回路3の出
力電圧が増加して、FET6のゲート電圧が増加するの
でFET6の内部コンダクタンスが減少し(ステップ3
2)、受光素子1の出力電流値は安定化する(ステップ
33、34)。プリアンプ4の帰還抵抗量は帰還抵抗5
と、FET6の内部コンダクタンスの並列抵抗値によっ
て決るため、プリアンプ4が飽和しなくなるように、予
めじめ設定されたFET6のゲート電圧がピーク検出回
路3から出力される。FET6の内部コンダクタンスは
一般的に、ゲート電圧に反比例しており、基本的にピー
ク検出回路3はリニアなアンプで構成すれば、FET6
のゲート電圧が飽和しないように設定することは可能で
ある。 光入力信号レベルが減少した場合には(ステッ
プ31)、受光素子1のフォトカレントが減少して、抵
抗1に発生する信号の振幅が減少し、ピーク検出電圧が
減少することにより、FET6のゲート電圧が減少し、
FET6の内部コンダクタンスが増加することで(ステ
ップ35)、プリアンプ4は減少した入力電流を増幅す
るのに必要な帰還抵抗量にし受光素子1の電流値は安定
化する(ステップ36、37)。
フォトカレントが増加すると(ステップ31)、抵抗2
に発生する信号の振幅が増加し、ピーク検出回路3の出
力電圧が増加して、FET6のゲート電圧が増加するの
でFET6の内部コンダクタンスが減少し(ステップ3
2)、受光素子1の出力電流値は安定化する(ステップ
33、34)。プリアンプ4の帰還抵抗量は帰還抵抗5
と、FET6の内部コンダクタンスの並列抵抗値によっ
て決るため、プリアンプ4が飽和しなくなるように、予
めじめ設定されたFET6のゲート電圧がピーク検出回
路3から出力される。FET6の内部コンダクタンスは
一般的に、ゲート電圧に反比例しており、基本的にピー
ク検出回路3はリニアなアンプで構成すれば、FET6
のゲート電圧が飽和しないように設定することは可能で
ある。 光入力信号レベルが減少した場合には(ステッ
プ31)、受光素子1のフォトカレントが減少して、抵
抗1に発生する信号の振幅が減少し、ピーク検出電圧が
減少することにより、FET6のゲート電圧が減少し、
FET6の内部コンダクタンスが増加することで(ステ
ップ35)、プリアンプ4は減少した入力電流を増幅す
るのに必要な帰還抵抗量にし受光素子1の電流値は安定
化する(ステップ36、37)。
【0021】ピーク検出回路3は、プリアンプ4が飽和
する光入力信号レベル以内の振幅でリニアな特性を検出
できれば制御が可能なため、ピーク検出回路3は光入力
レベルが小さく微少な信号レベルでの検出は必要としな
いので、微少な信号に用いる高感度な増幅器は不要であ
る。
する光入力信号レベル以内の振幅でリニアな特性を検出
できれば制御が可能なため、ピーク検出回路3は光入力
レベルが小さく微少な信号レベルでの検出は必要としな
いので、微少な信号に用いる高感度な増幅器は不要であ
る。
【0022】この制御系ではフィードバック系が存在し
ないため、ゲイン−位相特性を考慮することなく、簡易
に設計することが可能になる。
ないため、ゲイン−位相特性を考慮することなく、簡易
に設計することが可能になる。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は光受信回
路における帰還抵抗型のプリアンプの帰還抵抗に並列に
接続したFETを、フィードフォワード制御することに
より、ノイズを増加することなく、ダイナミックレンジ
を確保し、フィードバック回路におけるゲイン−位相特
性を考慮することなく設計することが可能になり、設計
が簡易に行われ、しかも低コストで構成することができ
る効果がある。
路における帰還抵抗型のプリアンプの帰還抵抗に並列に
接続したFETを、フィードフォワード制御することに
より、ノイズを増加することなく、ダイナミックレンジ
を確保し、フィードバック回路におけるゲイン−位相特
性を考慮することなく設計することが可能になり、設計
が簡易に行われ、しかも低コストで構成することができ
る効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光受信回路の実施の形態を示す概念回
路図である。
路図である。
【図2】本発明の光受信回路の一実施例の回路図であ
る。
る。
【図3】従来の光受信回路の第1の実施例の要部の回路
図である。
図である。
【図4】従来の光受信回路の第2の実施例の要部の回路
図である。
図である。
【図5】従来の光受信回路の第3の実施例の要部の回路
図である。
図である。
【図6】本発明の光受信方法のフローチャートである。
【図7】本発明の光受信回路の実施例のフローチャート
である。
である。
1 受光素子 2 抵抗 3 ピーク検出回路 4 プリアンプ 5 固定帰還抵抗 6 FETトランジスタ 7 NPNトランジスタ 8 AGC回路 9 調整回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H04B 10/28 10/26
Claims (6)
- 【請求項1】 光信号を電流信号に変換する受光素子
(1)と、前記受光素子のカソードから供給される電流
信号を電圧信号に変換し、入出力が第1の抵抗(5)で
接続された電流帰還型増幅器(4)とを有する、光伝送
における光受信回路において、 前記光受光素子のカソードと逆バイアス供給端子との間
に設けられた第2の抵抗(2)と、 前記受光素子(1)のカソードに第2の抵抗(2)を介
して逆バイアスが供給され、前記電流信号に比例して前
記第2の抵抗(2)に発生する電位差から受信信号の振
幅を検出するピーク検出回路(3)と、 ピーク検出回路(3)の出力により前記電流帰還増幅器
4の帰還電流を調節する調節回路とを有することを特徴
とする光受信回路。前記ピーク検出回路の出力電圧によ
り制御されることを特徴とする光受信回路。 - 【請求項2】 前記調整回路が、ソースとドレインの、
それぞれが前記電流帰還型増幅器の入力端子と出力端子
に接続され、ゲートが前記ピーク検出回路の出力に接続
されたFETトランジスタである請求項1記載の光受信
回路。 - 【請求項3】 前記FETトランジスタが、ピーク検出
回路の出力が大きくなるとソースとドレイン間のコンダ
クタンスが小さくなって帰還型増幅器の帰還電流値が下
がり、ピーク検出回路の出力が小さくなるとコンダクタ
ンスが大きくなって帰還型増幅器の帰還電流値が大きく
なる作用を有する請求項2記載の光受信回路。 - 【請求項4】 前記帰還型増幅器が飽和しないように、
前記ピーク検出回路(3)がリニアーな特性を有する増
幅器である請求項2または3に記載の光受信回路。 - 【請求項5】 光信号を電流信号に変換する受光素子
(1)と、前記受光素子のカソードから供給される電流
信号を電圧信号に変換し、入出力が第1の抵抗(5)で
接続された電流帰還型増幅器(4)とを使用する光受信
方法において、受光素子(1)の出力電流値を検出する
ステップと、 前記出力電流値が増大すると、前記帰還型増幅器の帰還
電流値を減少させ、出力電流が減少すると帰還型増幅器
の帰還電流を増加させ、出力電流値の変動の安定化に即
応する変動対応ステップを有することを特徴とする光受
信方法。 - 【請求項6】 前記変動対応ステップが、前記帰還型増
幅器の帰還回路の抵抗値を固定抵抗と並行に接続された
FETトランジスタのコンダクタンスを受光素子(1)
の出力電流の増減に対応して減少、増加させるステップ
を含む請求項5記載の光受信方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9292596A JPH11127039A (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 光受信回路と光受信方法 |
EP98119784A EP0912000A2 (en) | 1997-10-24 | 1998-10-23 | Optical signal receiving circuit and method for receiving optical signal |
US09/178,812 US6396614B1 (en) | 1997-10-24 | 1998-10-26 | Optical signal receiving circuit and method for receiving optical signal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9292596A JPH11127039A (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 光受信回路と光受信方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11127039A true JPH11127039A (ja) | 1999-05-11 |
Family
ID=17783839
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9292596A Pending JPH11127039A (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 光受信回路と光受信方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6396614B1 (ja) |
EP (1) | EP0912000A2 (ja) |
JP (1) | JPH11127039A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008099507A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Fujitsu Limited | 光受信装置 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6915083B1 (en) * | 1998-12-15 | 2005-07-05 | Zilog, Inc. | Signal receiver having wide band amplification capability |
JP3857099B2 (ja) * | 2001-10-09 | 2006-12-13 | 株式会社アドバンテスト | データ伝送装置、光電変換回路、及び試験装置 |
US6756578B1 (en) * | 2002-01-17 | 2004-06-29 | Trimble Navigation Limited | Photocell bias circuit |
US6870148B2 (en) * | 2002-09-20 | 2005-03-22 | Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. | LED with controlled capacitive discharge for photo sensing |
US7170606B2 (en) * | 2002-09-20 | 2007-01-30 | Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. | Multi-way LED-based surface reflectance sensor and spectrophotometer |
US7599629B2 (en) * | 2003-06-06 | 2009-10-06 | Scientific-Atlanta, Inc. | Optical receiver having an open loop automatic gain control circuit |
TWI225734B (en) * | 2003-11-04 | 2004-12-21 | Ind Tech Res Inst | Optical receiving device |
GB2483518B8 (en) * | 2010-09-13 | 2015-07-22 | Toshiba Res Europ Ltd | A receiver for a quantum communication system |
CN106033225B (zh) * | 2015-03-16 | 2017-08-25 | 苏州旭创科技有限公司 | 低功耗apd偏压控制器与偏压控制方法及光电接收器 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62115902A (ja) * | 1985-11-14 | 1987-05-27 | Nec Corp | 光受信回路 |
JPH03178209A (ja) * | 1989-12-07 | 1991-08-02 | Mitsubishi Electric Corp | 光受信器 |
JPH04306904A (ja) * | 1991-04-03 | 1992-10-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 増幅装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4498001A (en) * | 1982-07-26 | 1985-02-05 | At&T Bell Laboratories | Transimpedance amplifier for optical receivers |
US4623786A (en) * | 1984-11-07 | 1986-11-18 | At&T Bell Laboratories | Transimpedance amplifier with overload protection |
JPS6349839A (ja) | 1986-08-19 | 1988-03-02 | Nec Corp | 電子計算機システムの立上げ方式 |
JPH05304422A (ja) * | 1992-04-24 | 1993-11-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光通信用前置増幅器 |
JP3402674B2 (ja) | 1992-08-19 | 2003-05-06 | 富士通株式会社 | 光受信用前置増幅器および光受信装置 |
GB2288499A (en) * | 1994-03-08 | 1995-10-18 | Stewart Hughes Ltd | Gain control and capacitance correction for photodiode signal amplifier |
JPH0823239A (ja) | 1994-07-06 | 1996-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光通信用前置増幅装置 |
US5801588A (en) * | 1996-02-23 | 1998-09-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Preamplifier for optical communication |
JPH10209970A (ja) * | 1997-01-21 | 1998-08-07 | Fujitsu Ltd | サージ出力を低減した光増幅器 |
-
1997
- 1997-10-24 JP JP9292596A patent/JPH11127039A/ja active Pending
-
1998
- 1998-10-23 EP EP98119784A patent/EP0912000A2/en not_active Withdrawn
- 1998-10-26 US US09/178,812 patent/US6396614B1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62115902A (ja) * | 1985-11-14 | 1987-05-27 | Nec Corp | 光受信回路 |
JPH03178209A (ja) * | 1989-12-07 | 1991-08-02 | Mitsubishi Electric Corp | 光受信器 |
JPH04306904A (ja) * | 1991-04-03 | 1992-10-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 増幅装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008099507A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Fujitsu Limited | 光受信装置 |
JPWO2008099507A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2010-05-27 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光受信装置 |
JP4998478B2 (ja) * | 2007-02-16 | 2012-08-15 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光受信装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0912000A2 (en) | 1999-04-28 |
US6396614B1 (en) | 2002-05-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0548964B2 (ja) | ||
JP3418654B2 (ja) | プリアンプ | |
US6057738A (en) | High dynamic range optical receiver preamplifier | |
US5734300A (en) | Optical receiver preamplifier dynamic range enhancing circuit and method | |
GB2198002A (en) | Switchable mode amplifier for wide dynamic range | |
EP0852435A2 (en) | Bias voltage supply circuit for photoelectric converting element, and photodetection circuit | |
US7057423B2 (en) | Current-voltage transforming circuit employing limiter circuit | |
JPH11127039A (ja) | 光受信回路と光受信方法 | |
JPH08307362A (ja) | 光受信器 | |
JP4253308B2 (ja) | 光受信回路装置 | |
KR100802518B1 (ko) | 이득 제어 기능을 갖는 트랜스임피던스 전치 증폭기 | |
JP2713126B2 (ja) | 光受信装置 | |
US6121834A (en) | Signal compressing apparatus | |
JP4107067B2 (ja) | 光受信器 | |
JP2004128676A (ja) | 光受信器 | |
JP2693427B2 (ja) | 光受信agc装置 | |
JP2004363678A (ja) | 光信号受信装置および方法 | |
JPS6313534A (ja) | バイアス電圧制御回路 | |
JP3039568B2 (ja) | 光受信回路 | |
JPH04225611A (ja) | 広ダイナミックレンジ受光回路 | |
JP2002217833A (ja) | 光受信器 | |
JP2003174337A (ja) | 光受信回路 | |
JPH05114887A (ja) | 光受信器 | |
JPH1155194A (ja) | 光受信器のバイアス制御方式 | |
JP3518559B2 (ja) | 受光信号検出回路及び受光信号処理装置 |