JPH10247717A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置のパッケージを小型化し、かつ、
信号端子電極の電気的分離性を向上させる。 【解決手段】 半導体装置のパッケージ1の中央部にリ
ードフレーム2、周辺部に信号端子電極3ないし信号端
子電極7を配設し、リードフレーム2上に半導体チップ
8を搭載し、信号端子電極4および信号端子電極5の間
に接地電位を有する接地電極16、信号端子電極5およ
び信号端子電極6の間に接地電位を有する接地電極17
をそれぞれ配設する。
信号端子電極の電気的分離性を向上させる。 【解決手段】 半導体装置のパッケージ1の中央部にリ
ードフレーム2、周辺部に信号端子電極3ないし信号端
子電極7を配設し、リードフレーム2上に半導体チップ
8を搭載し、信号端子電極4および信号端子電極5の間
に接地電位を有する接地電極16、信号端子電極5およ
び信号端子電極6の間に接地電位を有する接地電極17
をそれぞれ配設する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波デバイスを
格納したパッケージを有する半導体装置に関するもので
ある。
格納したパッケージを有する半導体装置に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】近年、携帯電話、PHSをはじめとする
移動体通信端末の小型化が要望されている。そのため、
移動体通信端末に使用される半導体装置のパッケージを
縮小化することが考えられる。
移動体通信端末の小型化が要望されている。そのため、
移動体通信端末に使用される半導体装置のパッケージを
縮小化することが考えられる。
【0003】まず、従来の半導体装置について説明す
る。図5は、高周波で動作する半導体チップを格納した
6ピンミニパッケージを有する従来の半導体装置の平面
図である。図5においてパッケージ1上の中央部には、
リードフレーム2、周辺部には信号端子電極3ないし信
号端子電極7が配設され、リードフレーム2上には半導
体チップ8が搭載されている。また、半導体チップ8上
に設けられたチップ電極9ないしチップ電極13は、ワ
イヤー15によって信号端子電極3ないし信号端子電極
7にそれぞれ接続され、半導体チップ8上に設けられた
チップ電極14は、ワイヤー15によってリードフレー
ム2に接続されている。隣接する信号端子電極4と信号
端子電極5との間隔および信号端子電極5と信号端子電
極6との間隔はそれぞれ0.5mmである。
る。図5は、高周波で動作する半導体チップを格納した
6ピンミニパッケージを有する従来の半導体装置の平面
図である。図5においてパッケージ1上の中央部には、
リードフレーム2、周辺部には信号端子電極3ないし信
号端子電極7が配設され、リードフレーム2上には半導
体チップ8が搭載されている。また、半導体チップ8上
に設けられたチップ電極9ないしチップ電極13は、ワ
イヤー15によって信号端子電極3ないし信号端子電極
7にそれぞれ接続され、半導体チップ8上に設けられた
チップ電極14は、ワイヤー15によってリードフレー
ム2に接続されている。隣接する信号端子電極4と信号
端子電極5との間隔および信号端子電極5と信号端子電
極6との間隔はそれぞれ0.5mmである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の半導体装置
において、パッケージの大きさを縮小化するためには、
信号端子電極4および信号端子電極5のように、隣接す
る2つの信号端子電極どうしの間隔を狭くすることが考
えられる。
において、パッケージの大きさを縮小化するためには、
信号端子電極4および信号端子電極5のように、隣接す
る2つの信号端子電極どうしの間隔を狭くすることが考
えられる。
【0005】一方、半導体装置を高周波で動作させる場
合、信号端子電極どうしの電気的分離性、すなわちアイ
ソレーションを高く保つことが必要であるので、隣接す
る信号端子電極どうしの間隔を一定値以上としなければ
ならない。−30dBのアイソレーションを得るために
は、信号端子電極どうしの間隔を0.5mm以上とする
必要がある。
合、信号端子電極どうしの電気的分離性、すなわちアイ
ソレーションを高く保つことが必要であるので、隣接す
る信号端子電極どうしの間隔を一定値以上としなければ
ならない。−30dBのアイソレーションを得るために
は、信号端子電極どうしの間隔を0.5mm以上とする
必要がある。
【0006】したがって、上記半導体装置においては、
パッケージの小型化と信号端子電極のアイソレーション
の向上とを同時に満たすことができなかった。
パッケージの小型化と信号端子電極のアイソレーション
の向上とを同時に満たすことができなかった。
【0007】本発明は、パッケージのサイズが小さく、
かつ、信号端子電極のアイソレーションが高い半導体装
置を提供することを目的とする。
かつ、信号端子電極のアイソレーションが高い半導体装
置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
パッケージ上の中央部にリードフレーム、パッケージ上
の周辺部に複数の信号端子電極がそれぞれ配設され、リ
ードフレーム上に半導体チップが搭載され、隣り合う2
つの信号端子電極の間に、接地電位を有する接地電極が
配設されたもの、およびパッケージ上の中央部にリード
フレーム、パッケージ上の周辺部に複数の信号端子電極
がそれぞれ配設され、リードフレーム上に半導体チップ
が搭載され、リードフレーム上の中央部に、接地電位を
有する架橋状の導電線が、半導体チップ上を横切るよう
に配設されているものであり、これにより、信号端子電
極どうしが互いに電気的に遮蔽される。
パッケージ上の中央部にリードフレーム、パッケージ上
の周辺部に複数の信号端子電極がそれぞれ配設され、リ
ードフレーム上に半導体チップが搭載され、隣り合う2
つの信号端子電極の間に、接地電位を有する接地電極が
配設されたもの、およびパッケージ上の中央部にリード
フレーム、パッケージ上の周辺部に複数の信号端子電極
がそれぞれ配設され、リードフレーム上に半導体チップ
が搭載され、リードフレーム上の中央部に、接地電位を
有する架橋状の導電線が、半導体チップ上を横切るよう
に配設されているものであり、これにより、信号端子電
極どうしが互いに電気的に遮蔽される。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【0010】(実施の形態1)図1は、本発明の実施の
形態1における半導体装置の平面図である。
形態1における半導体装置の平面図である。
【0011】図1において、パッケージ1上の中央部に
は、リードフレーム2、周辺部には、信号端子電極3な
いし信号端子電極7が配設され、リードフレーム2上に
は半導体チップ8が搭載されている。また、半導体チッ
プ8上にはチップ電極9ないしチップ電極14が設けら
れており、チップ電極9ないしチップ電極13は、ワイ
ヤー15によって信号端子電極3ないし信号端子電極7
にそれぞれ接続され、チップ電極14はワイヤー15に
よってリードフレーム2に接続されている。信号端子電
極4と信号端子電極5との間には、接地電位を有し、リ
ードフレーム2と一体形成された接地電極16が配設さ
れている。同様に、信号端子電極5と信号端子電極6と
の間には、接地電極17が配設されている。
は、リードフレーム2、周辺部には、信号端子電極3な
いし信号端子電極7が配設され、リードフレーム2上に
は半導体チップ8が搭載されている。また、半導体チッ
プ8上にはチップ電極9ないしチップ電極14が設けら
れており、チップ電極9ないしチップ電極13は、ワイ
ヤー15によって信号端子電極3ないし信号端子電極7
にそれぞれ接続され、チップ電極14はワイヤー15に
よってリードフレーム2に接続されている。信号端子電
極4と信号端子電極5との間には、接地電位を有し、リ
ードフレーム2と一体形成された接地電極16が配設さ
れている。同様に、信号端子電極5と信号端子電極6と
の間には、接地電極17が配設されている。
【0012】次に、上記半導体装置の動作について説明
する。信号端子電極4から入力された信号はワイヤー1
5およびチップ電極10を伝搬し、半導体チップ8内で
増幅、減衰などの処理を受け、チップ電極11およびワ
イヤー15を経由して信号端子電極5から出力される。
このとき、信号端子電極4と信号端子電極5との間に、
接地電位を有する接地電極16が配設されているため
に、信号端子電極4から発生する電磁波が遮蔽され、信
号端子電極5は、信号端子電極4で発生する電磁波の影
響を受けにくい。同様に、信号端子電極5で発生する電
磁波も、接地電極16によって遮蔽される。この結果、
信号端子電極4と信号端子電極5とのアイソレーション
が良好になる。
する。信号端子電極4から入力された信号はワイヤー1
5およびチップ電極10を伝搬し、半導体チップ8内で
増幅、減衰などの処理を受け、チップ電極11およびワ
イヤー15を経由して信号端子電極5から出力される。
このとき、信号端子電極4と信号端子電極5との間に、
接地電位を有する接地電極16が配設されているため
に、信号端子電極4から発生する電磁波が遮蔽され、信
号端子電極5は、信号端子電極4で発生する電磁波の影
響を受けにくい。同様に、信号端子電極5で発生する電
磁波も、接地電極16によって遮蔽される。この結果、
信号端子電極4と信号端子電極5とのアイソレーション
が良好になる。
【0013】図2は、従来の半導体装置(曲線a)およ
び実施の形態1における半導体装置(曲線b)の周波数
とアイソレーションとの関係を示したものである。図2
から明らかなように、接地電極16、17を有する実施
の形態1における半導体装置は、従来の半導体装置より
も電気的分離性が向上していることがわかる。
び実施の形態1における半導体装置(曲線b)の周波数
とアイソレーションとの関係を示したものである。図2
から明らかなように、接地電極16、17を有する実施
の形態1における半導体装置は、従来の半導体装置より
も電気的分離性が向上していることがわかる。
【0014】上記実施の形態1では、6端子のパッケー
ジの例について説明したが、さらに多端子化されたパッ
ケージについても同様の効果が得られる。
ジの例について説明したが、さらに多端子化されたパッ
ケージについても同様の効果が得られる。
【0015】(実施の形態2)図3は、本発明の実施の
形態2における半導体装置の平面図である。
形態2における半導体装置の平面図である。
【0016】実施の形態2における半導体装置は、接地
電極16、17を有していない点およびリードフレーム
2上の中央部には、接地電位を有し、半導体チップ8の
上を横切るような架橋状の導電線である接地ワイヤー1
8が設けられている点で、実施の形態1における半導体
装置とは異なる。
電極16、17を有していない点およびリードフレーム
2上の中央部には、接地電位を有し、半導体チップ8の
上を横切るような架橋状の導電線である接地ワイヤー1
8が設けられている点で、実施の形態1における半導体
装置とは異なる。
【0017】この半導体装置においては、接地ワイヤー
18が、信号端子電極3および信号端子電極7から発生
する電磁波を遮蔽するため、信号端子電極4ないし信号
端子電極6のアイソレーションが向上し、また逆に信号
端子電極3および信号端子電極7のアイソレーションも
向上する。
18が、信号端子電極3および信号端子電極7から発生
する電磁波を遮蔽するため、信号端子電極4ないし信号
端子電極6のアイソレーションが向上し、また逆に信号
端子電極3および信号端子電極7のアイソレーションも
向上する。
【0018】図4は、従来の半導体装置(曲線a)およ
び実施の形態2における半導体装置(曲線b)の周波数
とアイソレーションとの関係を示したものである。図4
から明らかなように、接地ワイヤー18を有する実施の
形態2における半導体装置は、従来の半導体装置よりも
アイソレーションが向上していることがわかる。
び実施の形態2における半導体装置(曲線b)の周波数
とアイソレーションとの関係を示したものである。図4
から明らかなように、接地ワイヤー18を有する実施の
形態2における半導体装置は、従来の半導体装置よりも
アイソレーションが向上していることがわかる。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、半導体
装置のパッケージ上の中央部にリードフレーム、周辺部
に複数の信号端子電極をそれぞれ配設し、リードフレー
ム上に半導体チップを搭載し、隣り合う2つの信号端子
電極の間に、接地電位を有する接地電極を配設すること
により、小型でかつ電気的干渉の少ない半導体装置を得
ることができる。
装置のパッケージ上の中央部にリードフレーム、周辺部
に複数の信号端子電極をそれぞれ配設し、リードフレー
ム上に半導体チップを搭載し、隣り合う2つの信号端子
電極の間に、接地電位を有する接地電極を配設すること
により、小型でかつ電気的干渉の少ない半導体装置を得
ることができる。
【図1】本発明の実施の形態1における半導体装置の平
面図
面図
【図2】同半導体装置および従来の半導体装置の周波数
特性を示す図
特性を示す図
【図3】本発明の実施の形態2における半導体装置の平
面図
面図
【図4】同半導体装置および従来の半導体装置の周波数
特性を示す図
特性を示す図
【図5】従来の半導体装置の平面図
1 パッケージ 2 リードフレーム 3、4、5、6、7 信号端子電極 8 半導体チップ 9、10、11、12、13、14 チップ電極 15 ワイヤー 16、17 接地電極 18 接地ワイヤー
Claims (2)
- 【請求項1】 パッケージ上の中央部にリードフレー
ム、前記パッケージ上の周辺部に複数の信号端子電極が
それぞれ配設され、前記リードフレーム上に半導体チッ
プが搭載され、隣り合う2つの前記信号端子電極の間
に、接地電位を有する接地電極が配設されていることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 パッケージ上の中央部にリードフレー
ム、前記パッケージ上の周辺部に複数の信号端子電極が
それぞれ配設され、前記リードフレーム上に半導体チッ
プが搭載され、前記リードフレーム上の中央部に、接地
電位を有する架橋状の導電線が、前記半導体チップ上を
横切るように配設されていることを特徴とする半導体装
置。
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JP9048664A JPH10247717A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | 半導体装置 |
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1998
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