JPH05251621A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPH05251621A
JPH05251621A JP4817092A JP4817092A JPH05251621A JP H05251621 A JPH05251621 A JP H05251621A JP 4817092 A JP4817092 A JP 4817092A JP 4817092 A JP4817092 A JP 4817092A JP H05251621 A JPH05251621 A JP H05251621A
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JP
Japan
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terminal
ground potential
integrated circuit
semiconductor integrated
electrode
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JP4817092A
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Nobuya Uta
暢也 宇多
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 発振子に対する入力端子・出力端子間にアー
スを施し、寄生発振等の発振障害を軽減するとともに発
振子との間の配線領域を削減する。 【構成】 発振子8a, 8bに対する半導体集積回路30の入
力端子5と出力端子7との間に接地電位に接続可能な端
子11が設けられており、配線基板12上における入力端子
5・出力端子7間に充分な配線幅のアース配線パターン
15,16が設けられる。端子11によって入力端子5と出力
端子7との間隔が広まり、発振子8a,8bとの間の配線パ
ターンを屈曲させる必要がなくなるとともに発振子8a,
8bを半導体集積回路30の近くに配置できて配線基板12上
の配線領域が削減される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、発振子を接続してクロ
ックを発生する回路を有する半導体チップ及びこの半導
体チップをパッケージに封入した半導体集積回路に関す
る。
【0002】
【従来の技術】入力端子と出力端子との間に発振子を接
続して発振波形を生成する回路を有する半導体集積回路
では、発振子と半導体集積回路との間の配線を極力短く
するとともに、発振に関与する入出力端子間に配線イン
ピーダンスの低いアース配線を設けて両端子周囲をアー
ス又はシールドすると寄生発振等の発振障害の軽減に効
果的であることが知られている。しかし、発振子に対す
る従来の半導体集積回路の出力端子と入力端子とは隣接
して設けられている。
【0003】図8は従来の半導体集積回路の発振回路周
辺の部分平面図である。図中1は半導体チップであっ
て、半導体チップ1は発振子8aからの発振波形の入力電
極4及び発振子8aを発振させるべき電圧を供給する出力
電極6を有し、半導体チップ1は接地電位のフレーム3
に固定されてパッケージ2に封入されている。パッケー
ジ2には入力端子5及び出力端子6が設けられており、
両端子には金属配線によって半導体チップ1の入力電極
4及び出力電極6がそれぞれ接続されている。
【0004】2端子の発振子8aの出力端子及び入力端子
は、配線基板12上に形成された配線パターンによって、
発振波形の高調波ノイズを軽減すべく配された容量9,9
を介してパッケージ2の入力端子5及び出力端子7にそ
れぞれ接続されている。また、入力端子5及び出力端子
7と発振子8aの入出力端子とを接続する配線パターンの
間には両端子間をシールドすべくアース配線パターン14
が形成されている。
【0005】また、図9は内部に容量を内蔵した3端子
の発振子を接続した従来の半導体集積回路の発振回路周
辺の部分平面図であって、図中10は半導体集積回路、8b
は3端子の発振子である。一般的に、発振子8bの中央の
端子は接地電位への接続端子であって、この接続端子の
両側に配された出力端子及び入力端子は、半導体集積回
路10の入力端子5及び出力端子7にそれぞれ接続され
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】以上のような構成の従
来の半導体集積回路では、その入出力端子が隣接してい
るとともに回路の高集積化にともなって端子間隔が狭く
なる傾向にあるので、配線基板上の配線パターンを発振
子近傍で屈曲せざるを得ないために配線長が長くなって
配線面積が増大するという問題がある。
【0007】また、アース配線は一般的にインピーダン
スの低いことが理想であるが、入力端子5と出力端子7
との間が狭いためにアース配線パターン14の配線幅が狭
くてアース効果が低い。一方、入力端子5と出力端子7
との間隔が狭いためにパッケージ内では入力端子5・出
力端子7間のアースはなされていない。
【0008】さらに、3端子の発振子を接続する場合、
半導体集積回路の入力端子5・出力端子7間にアース配
線を設けると、配線幅が狭くてアース効果が低いという
問題点は前述と同様である。この場合、発振子の中央の
アース端子への配線は配線基板の他方の面又は他の配線
層から接地電位の配線を引き込むことで行っている。こ
の発振子のアース端子に重ならないように発振子・半導
体集積回路の入出力端子間に配線を設けるには発振子を
半導体集積回路から所定距離離して配置しなければなら
ないために配線長が長くなって配線面積が増大する。
【0009】本発明はこのような問題点を解決するため
になされたものであって、発振子に対する出力端子と入
力端子との間に接地電位に接続可能な接地電位端子を設
けることによりパケージ内部に及ぶアースを施して寄生
発振等の発振障害を防止するとともに発振子との間の配
線領域を削減し得る半導体集積回路の提供を目的とす
る。
【0010】また、発振子に対する出力電極と入力電極
との間に接地電位に接続可能な接地電位電極を設けるこ
とにより出力電極・入力電極間をシールドして寄生発振
等の発振障害を防止する半導体チップの提供を目的とす
る。
【0011】
【課題を解決するための手段】第1の発明の半導体集積
回路は、発振子に対する出力端子及び入力端子の間に接
地電位に接続可能な接地電位端子を設けたパッケージ
に、接地電位の金属板に固定された半導体チップを封入
したことを特徴とする。
【0012】第2の発明の半導体チップは、発振子に対
する出力電極及び入力電極の間に、接地電位に接続可能
な接地電位電極を設けたことを特徴とする。
【0013】第3の発明の半導体集積回路は、第1の発
明のパッケージに接地電位の金属板に固定された第2の
発明の半導体チップを封入したことを特徴とする。
【0014】第4の発明の半導体集積回路は、半導体チ
ップを固定する接地電位の金属板を出力端子と入力端子
との間のパッケージ外部に引き出して接地電位端子を形
成したことを特徴とする。
【0015】第5の発明の半導体集積回路は、半導体チ
ップの出力電極及び入力電極を半導体集積回路の出力端
子及び入力端子にそれぞれ接続し、接地電位電極を接地
電位端子に接続したことを特徴とする。
【0016】第6の発明の半導体集積回路は、半導体チ
ップの出力電極及び入力電極を半導体集積回路の出力端
子及び入力端子にそれぞれ接続し、接地電位端子を、半
導体チップを固定する接地電位の金属板に接続したこと
を特徴とする。
【0017】第7の発明の半導体集積回路は、接地電位
の金属板に固定された第2の発明の半導体チップを、入
力端子及び出力端子を有するパッケージに封入し、半導
体チップの接地電位電極を金属板に接続したことを特徴
とする。
【0018】第8の発明の半導体集積回路は、接地電位
の金属板に固定された第2の発明の半導体チップを、入
力端子及び出力端子を有するパッケージに封入し、金属
板の一部を、パッケージ内の入力端子と出力端子との間
に張り出したことを特徴とする。
【0019】第9の発明の半導体集積回路は、パッケー
ジ内の入力端子と出力端子との間への金属板の張り出し
部分に、半導体チップの接地電位電極を接続したことを
特徴とする。
【0020】
【作用】本発明に係る半導体集積回路は、発振子に対す
る出力端子と入力端子との間に設けた接地電位端子を接
地電位に固定すると、出力端子と入力端子との間にアー
スが施され、入出力端子間がシールドされる。
【0021】また、本発明に係る半導体チップは、発振
子に対する出力電極と入力電極との間に設けた接地電位
電極を接地電位に固定すると、出力電極と入力電極との
間にアースが施され入出力電極間がシールドされる。
【0022】さらに、接地電位電極を有する半導体チッ
プを接地電位端子を有するパッケージに封入した本発明
に係る半導体集積回路は、接地電位端子と接地電位電極
を接続して接地電位に固定すると、入力電極から入力端
子及び出力電極から出力端子の間の半導体チップの近傍
までアースが施され、パッケージ内部までシールドされ
る。
【0023】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図に基づい
て説明する。 (実施例1)図1は本発明に係る半導体集積回路(以
下、本発明回路という)の第1実施例における発振回路
周辺の部分平面図であって、図1(a) は2端子の発振子
を容量を介して接続した場合、図1(b) は容量を内蔵す
る3端子の発振子を接続した場合を示す。なお、従来の
半導体集積回路と同一部分には同一番号を付してその説
明を省略する。
【0024】図中11は入力端子5と出力端子7との間に
設けられ、半導体チップ20内部で配線された接地電位端
子、また13は半導体チップ20上の入力電極4と出力電極
6との間に設けられ、配線基板12上のアース配線パター
ン15, 16に接続された接地電位電極であって、接地電位
端子11と接地電位電極13とは金属配線で接続され、発振
子8a,8bのいずれを接続した場合においても、充分な配
線幅でアース配線パターン15, 16が形成できる。
【0025】また、半導体集積回路30の入力端子5・出
力端子7の間隔が発振子8a,8bの入力端子,出力端子間
隔とほぼ等しいので発振子8a, 8bと半導体集積回路30と
の間の配線パターンを屈曲させる必要がなくなり、さら
に発振子8a, 8bを半導体集積回路30の近くに配置できる
ため配線面積を削減できる。
【0026】さらに、接地電位端子11は配線基板12上で
アース配線パターン15, 16に接続され、また図1(a) に
示すように接地電位電極13がパッケージ2上の接地電位
端子11と金属配線により接続されているため、入力電極
4から入力端子5及び出力電極6から出力端子7の間を
半導体チップ20の近傍までアースしたことになり、発振
回路の寄生発振を防止するシールドがパッケージ2の内
部まで施される。
【0027】なお、第1実施例では半導体チップ20の接
地電位電極13は半導体チップ20内で配線されたものとし
たが、接地電位端子11と金属配線で接続されている限
り、電気的に接地電位を接続可能な電極であれば本実施
例と同様の効果が得られる。
【0028】(実施例2)図2は本発明回路の第2実施
例における発振回路周辺の部分平面図であって、半導体
チップ20の接地電位電極13とパッケージ2の接地電位端
子11とを接続していないものである。このように、実用
上シールド効果が損なわれなければ、両端子間は接続し
なくてもよい。
【0029】(実施例3)図3は本発明回路の第3実施
例における発振回路周辺の部分平面図であって、半導体
チップ20を固定する接地電位のフレーム3の一部を入力
端子5と出力端子7との間のパッケージ2外部に引き出
した金属端子で接地電位端子11を形成し、接地電位電極
13と接地電位端子11とを金属配線で接続したものであ
る。
【0030】なお、第3及び第7実施例では、接地電位
電極13と接地電位端子11とを金属配線で接続したが、接
地電位電極13が集積回路30内部で接地電位に固定されて
いるか、又は特に金属配線により接続する必要がなけれ
ば、両者は接続しなくてもよい。
【0031】(実施例4)図4は本発明回路の第4実施
例における発振回路周辺の部分平面図であって、接地電
位端子11を有するパッケージ2に、接地電位電極13を有
していない半導体チップ1を封入したものである。この
場合、パッケージ2の接地電位端子11は、半導体チップ
1を固定するフレーム3に金属配線で接続してもよい。
【0032】(実施例5)図5は本発明回路の第5実施
例における発振回路周辺の部分平面図であって、フレー
ム3の一部をパッケージ2の外部に引き出して接地電位
端子11が形成されたパッケージ2に接地電位電極13を有
していない半導体チップ1を封入したものである。この
接地電位端子11により、パッケージ2内部に及ぶ入力端
子5・出力端子7間のシールド効果が得られる。
【0033】(実施例6)図6は本発明回路の第6実施
例における発振回路周辺の部分平面図であって、接地電
位端子11が設けられていないパッケージ2に、接地電位
電極13が形成された半導体チップ20を封入したものであ
る。半導体チップ20の接地電位電極13をフレーム3に接
続することにより半導体チップ20の入力電極4・出力電
極6間にアースが施される。
【0034】(実施例7)図7は本発明回路の第7実施
例における発振回路周辺の部分平面図であって、フレー
ム3の一部をパッケージ2の入力端子5と出力端子7と
の間に張り出して、接地電位電極13を金属配線によって
張り出し部分に接続したものである。なお、実施例3及
び実施例5と異なり、フレーム3の張り出し部分はパッ
ケージ2の外部へは引き出さない。この張り出し部分に
よって、パッケージ2の入力端子5・出力端子7間にア
ースが施される。
【0035】なお、第7実施例では、接地電位電極13と
フレーム3の張り出し部分とを金属配線で接続したが、
接地電位電極13が集積回路30内部で接地電位に固定され
ているか、又は特に金属配線により接続する必要がなけ
れば、両者は接続しなくてもよい。
【0036】また、本実施例では半導体チップ1,20を
フレーム3で固定する場合について説明したが、パッケ
ージに備えられた金属板で半導体チップを固定する半導
体集積回路であってもよく、その場合、金属板はフレー
ム3と同様の働きをなすものである。
【0037】さらに、半導体チップの入出力電極及びパ
ッケージの入出力端子の位置はそれぞれ逆であってもよ
い。
【0038】
【発明の効果】以上のように、本発明回路は発振子に対
する入力端子及び出力端子の間に接地電位に接続可能な
端子が設けられているので、この端子の幅以上のアース
配線領域が確保できて充分な配線幅のアース配線が施せ
るために入力端子・出力端子間のシールド効果によって
寄生発振等の発振障害を防止するという優れた効果を奏
する。
【0039】また、本発明回路は、発振子に対する入力
端子及び出力端子の間に端子が設けられているので発振
子の端子との配線を屈曲させる必要がなく、また発振子
を近くに配置することが可能となって配線領域が削減さ
れ集積度が高まるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明回路の第1実施例における発振回路周辺
の部分平面図である。
【図2】本発明回路の第2実施例における発振回路周辺
の部分平面図である。
【図3】本発明回路の第3実施例における発振回路周辺
の部分平面図である。
【図4】本発明回路の第4実施例における発振回路周辺
の部分平面図である。
【図5】本発明回路の第5実施例における発振回路周辺
の部分平面図である。
【図6】本発明回路の第6実施例における発振回路周辺
の部分平面図である。
【図7】本発明回路の第7実施例における発振回路周辺
の部分平面図である。
【図8】従来の半導体集積回路の発振回路周辺の部分平
面図である。
【図9】3端子の発振子を接続した従来の半導体集積回
路の発振回路周辺の部分平面図である。
【符号の説明】
1,20 半導体チップ 2 パッケージ 3 フレーム 4 入力電極 5 入力端子 6 出力電極 7 出力端子 8 発振子 11 接地電位端子 12 配線基板 13 接地電位電極 15,16 アース配線パターン 30 半導体集積回路

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発振子に対する出力端子及び入力端子を
    有するパッケージに、接地電位の金属板に固定された半
    導体チップを封入してなる半導体集積回路において、前
    記パッケージは、前記入力端子と前記出力端子との間
    に、接地電位に接続可能な接地電位端子を備えたことを
    特徴とする半導体集積回路。
  2. 【請求項2】 発振子に対する出力電極及び入力電極を
    有する半導体チップにおいて、前記出力電極と前記入力
    電極との間に、接地電位に接続可能な接地電位電極を備
    えたことを特徴とする半導体チップ。
  3. 【請求項3】 接地電位の金属板に固定された請求項2
    記載の半導体チップをパッケージに封入してなる請求項
    1記載の半導体集積回路。
  4. 【請求項4】 前記金属板の一部を前記出力端子と前記
    入力端子との間のパッケージ外部に引き出して接地電位
    端子が形成されてなる請求項1又は3記載の半導体集積
    回路。
  5. 【請求項5】 出力電極を出力端子に、入力電極を入力
    端子に、接地電位電極を接地電位端子に接続してなる請
    求項3又は4記載の半導体集積回路。
  6. 【請求項6】 出力電極を出力端子に、入力電極を入力
    端子に、接地電位端子を金属板に接続してなる請求項1
    記載の半導体集積回路。
  7. 【請求項7】 発振子に対する出力端子及び入力端子を
    有するパッケージに、接地電位の金属板に固定された請
    求項2記載の半導体チップを封入してなる半導体集積回
    路において、接地電位電極を前記金属板に接続してなる
    ことを特徴とする半導体集積回路。
  8. 【請求項8】 発振子に対する出力端子及び入力端子を
    有するパッケージに、接地電位の金属板に固定された請
    求項2記載の半導体チップを封入してなる半導体集積回
    路において、前記金属板の一部を、前記パッケージ内の
    前記出力端子及び入力端子の間へ張り出してなることを
    特徴とする半導体集積回路。
  9. 【請求項9】 接地電位電極を金属板の張り出し部分に
    接続してなる請求項8記載の半導体集積回路。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JPH0425036A (ja) * 1990-05-16 1992-01-28 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波半導体装置
US5281849A (en) * 1991-05-07 1994-01-25 Singh Deo Narendra N Semiconductor package with segmented lead frame

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