JPH08274245A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
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- JPH08274245A JPH08274245A JP34972395A JP34972395A JPH08274245A JP H08274245 A JPH08274245 A JP H08274245A JP 34972395 A JP34972395 A JP 34972395A JP 34972395 A JP34972395 A JP 34972395A JP H08274245 A JPH08274245 A JP H08274245A
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- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波特性に優れた半導体装置を形成するた
めの半導体装置用リードフレームを得る。 【解決手段】 半導体素子２を搭載するステージ表面と
同じ側のステージの周囲の信号線路用と電源線路用とグ
ランド線路用の複数本のリード４ａの一方の表面を、外
側面に金属層６を備えた絶縁性フィルムで連続して覆
う。そして、金属層６をグランド線路用のリード４ａの
一方の表面の先端にワイヤ１５で電気的に接続して、金
属層６をグランドプレーン化する。そして、信号線路用
のリード４ａの一方の表面を、絶縁性フィルムを介し
て、グランドプレーン化された金属層６で広く覆って、
信号線路用のリード４ａをマイクロストリップ線路に形
成し、その信号線路用のリード４ａの高周波特性を向上
させる。
めの半導体装置用リードフレームを得る。 【解決手段】 半導体素子２を搭載するステージ表面と
同じ側のステージの周囲の信号線路用と電源線路用とグ
ランド線路用の複数本のリード４ａの一方の表面を、外
側面に金属層６を備えた絶縁性フィルムで連続して覆
う。そして、金属層６をグランド線路用のリード４ａの
一方の表面の先端にワイヤ１５で電気的に接続して、金
属層６をグランドプレーン化する。そして、信号線路用
のリード４ａの一方の表面を、絶縁性フィルムを介し
て、グランドプレーン化された金属層６で広く覆って、
信号線路用のリード４ａをマイクロストリップ線路に形
成し、その信号線路用のリード４ａの高周波特性を向上
させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止タイプの
半導体装置に用いる半導体装置用リードフレームに関す
る。
半導体装置に用いる半導体装置用リードフレームに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近時の情報処理装置の高速化に伴い、高
周波特性に優れた半導体装置の需要が高まりつつある。
周波特性に優れた半導体装置の需要が高まりつつある。
【０００３】この高周波用半導体装置として、図１２に
示したような、高周波用の半導体素子２を樹脂１７内部
に気密に封止してなる半導体装置がある。
示したような、高周波用の半導体素子２を樹脂１７内部
に気密に封止してなる半導体装置がある。
【０００４】この半導体装置は、ステージ１３の周囲に
複数本のリード４ａが並べて備えられた金属製のリード
フレーム８を用いて、次のようにして、形成している。
複数本のリード４ａが並べて備えられた金属製のリード
フレーム８を用いて、次のようにして、形成している。
【０００５】リードフレーム８のステージ１３表面に半
導体素子２を搭載して、その半導体素子上の電極１６
を、ステージ１３周囲のリード４ａの先端にワイヤ１５
を介して電気的に接続している。次いで、ステージ１３
周囲の複数本のリード４ａの中途部を互いに連結してい
るダムバー（図示せず）より内側のリードフレーム８部
分を、ステージ１３表面に搭載した半導体素子２と共
に、樹脂１７内部に気密に封止している。その後、複数
本のリード４ａの後端を一連に支持しているガイドレー
ル（図示せず）、セクションバー（図示せず）、複数本
のリード４ａの中途部を互いに連結しているダムバー等
を、リード４ａから切除している。そして、複数本のリ
ード４ａを分離、独立させている。
導体素子２を搭載して、その半導体素子上の電極１６
を、ステージ１３周囲のリード４ａの先端にワイヤ１５
を介して電気的に接続している。次いで、ステージ１３
周囲の複数本のリード４ａの中途部を互いに連結してい
るダムバー（図示せず）より内側のリードフレーム８部
分を、ステージ１３表面に搭載した半導体素子２と共
に、樹脂１７内部に気密に封止している。その後、複数
本のリード４ａの後端を一連に支持しているガイドレー
ル（図示せず）、セクションバー（図示せず）、複数本
のリード４ａの中途部を互いに連結しているダムバー等
を、リード４ａから切除している。そして、複数本のリ
ード４ａを分離、独立させている。
【０００６】この半導体装置においては、樹脂１７外部
に突出した複数本のリード４ａのそれぞれに電気信号を
伝えたり電源電流を流したりすることにより、それらの
電気信号や電源電流を、リード４ａとワイヤ１５とを通
して、樹脂１７内部に封止された半導体素子２上の信号
用や電源用の電極１６に伝えることができる。そして、
その電気信号や電源電流で、樹脂１７内部に封止された
半導体素子２を動作させることができる。
に突出した複数本のリード４ａのそれぞれに電気信号を
伝えたり電源電流を流したりすることにより、それらの
電気信号や電源電流を、リード４ａとワイヤ１５とを通
して、樹脂１７内部に封止された半導体素子２上の信号
用や電源用の電極１６に伝えることができる。そして、
その電気信号や電源電流で、樹脂１７内部に封止された
半導体素子２を動作させることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記半
導体装置においては、そのリード４ａに高周波の電気信
号を伝えた場合に、そのリード４ａの高周波特性が悪い
ために、そのリード４ａに高周波の電気信号を伝送損失
少なく効率良く伝えることができなかった。そして、樹
脂１７内部に封止された高周波用の半導体素子２の動作
特性を充分に発揮させることができなかった。
導体装置においては、そのリード４ａに高周波の電気信
号を伝えた場合に、そのリード４ａの高周波特性が悪い
ために、そのリード４ａに高周波の電気信号を伝送損失
少なく効率良く伝えることができなかった。そして、樹
脂１７内部に封止された高周波用の半導体素子２の動作
特性を充分に発揮させることができなかった。
【０００８】本発明は、このような課題を解消可能な、
半導体素子を樹脂内部に封止してなる高周波特性に優れ
た半導体装置を形成するための、半導体装置用リードフ
レームを提供することを目的としている。
半導体素子を樹脂内部に封止してなる高周波特性に優れ
た半導体装置を形成するための、半導体装置用リードフ
レームを提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の半導体装置用リードフレームは、半
導体素子を搭載するステージの周囲に、前記半導体素子
の電極を電気的に接続する複数本のリードを並べて備え
てなるリードフレームにおいて、前記半導体素子を搭載
するステージ表面と同じ側の複数本の前記リードの一方
の表面を、外側面にグランドプレーン形成用の金属層を
備えた絶縁性フィルムで連続して覆ったことを特徴とし
ている。
に、本発明の第１の半導体装置用リードフレームは、半
導体素子を搭載するステージの周囲に、前記半導体素子
の電極を電気的に接続する複数本のリードを並べて備え
てなるリードフレームにおいて、前記半導体素子を搭載
するステージ表面と同じ側の複数本の前記リードの一方
の表面を、外側面にグランドプレーン形成用の金属層を
備えた絶縁性フィルムで連続して覆ったことを特徴とし
ている。
【００１０】本発明の第２の半導体装置用リードフレー
ムは、半導体素子を搭載するステージの周囲に、前記半
導体素子の電極を電気的に接続する複数本のリードを並
べて備えてなるリードフレームにおいて、前記半導体素
子を搭載するステージ表面と同じ側の複数本の前記リー
ドの一方とその他方の表面とを、外側面にグランドプレ
ーン形成用の金属層を備えた絶縁性フィルムで連続して
覆ったことを特徴としている。
ムは、半導体素子を搭載するステージの周囲に、前記半
導体素子の電極を電気的に接続する複数本のリードを並
べて備えてなるリードフレームにおいて、前記半導体素
子を搭載するステージ表面と同じ側の複数本の前記リー
ドの一方とその他方の表面とを、外側面にグランドプレ
ーン形成用の金属層を備えた絶縁性フィルムで連続して
覆ったことを特徴としている。
【００１１】第１の半導体装置用リードフレームにおい
ては、複数本のリードのうちの電気信号を伝える信号線
路用のリードの一方の表面を、絶縁性フィルムを介し
て、グランドプレーン形成用の金属層で広く覆うことが
できる。そして、その信号線路用のリードを、マイクロ
ストリップ線路に形成できる。
ては、複数本のリードのうちの電気信号を伝える信号線
路用のリードの一方の表面を、絶縁性フィルムを介し
て、グランドプレーン形成用の金属層で広く覆うことが
できる。そして、その信号線路用のリードを、マイクロ
ストリップ線路に形成できる。
【００１２】第２の半導体装置用リードフレームにおい
ては、複数本のリードのうちの電気信号を伝える信号線
路用のリードの一方とその他方の表面とを、絶縁性フィ
ルムを介して、グランドプレーン形成用の金属層で広く
覆うことができる。そして、その信号線路用のリード
を、ストリップ線路に形成できる。
ては、複数本のリードのうちの電気信号を伝える信号線
路用のリードの一方とその他方の表面とを、絶縁性フィ
ルムを介して、グランドプレーン形成用の金属層で広く
覆うことができる。そして、その信号線路用のリード
を、ストリップ線路に形成できる。
【００１３】そのため、第１又は第２の半導体装置用リ
ードフレームにおいては、信号線路用のリードの高周波
特性を高めて、そのリードに高周波の電気信号を伝送損
失少なく効率良く伝えることができる。また、信号線路
用のリードを伝わる高周波の電気信号が、その近くの他
の信号線路用のリードに混入するのを、複数本のリード
の一方の表面、又はそれに加えて、複数本のリードの他
方の表面を連続して覆う絶縁性フィルムの外側面に備え
られた金属層により防ぐことができる。
ードフレームにおいては、信号線路用のリードの高周波
特性を高めて、そのリードに高周波の電気信号を伝送損
失少なく効率良く伝えることができる。また、信号線路
用のリードを伝わる高周波の電気信号が、その近くの他
の信号線路用のリードに混入するのを、複数本のリード
の一方の表面、又はそれに加えて、複数本のリードの他
方の表面を連続して覆う絶縁性フィルムの外側面に備え
られた金属層により防ぐことができる。
【００１４】また、第１又は第２の半導体装置用リード
フレームにおいては、半導体素子を搭載するステージ表
面と同じ側の複数本のリードの一方の表面を、外側面に
金属層が備えられた絶縁性フィルムで覆っている。
フレームにおいては、半導体素子を搭載するステージ表
面と同じ側の複数本のリードの一方の表面を、外側面に
金属層が備えられた絶縁性フィルムで覆っている。
【００１５】そのため、ステージ表面に搭載した半導体
素子上の信号用や電源用の電極を、ステージ周囲のリー
ドの一方の表面の先端に、ワイヤボンディング装置等を
用いて、ワイヤ等で電気的に接続する際に、同時に、半
導体素子上のグランド用の電極を、複数本のリードの一
方の表面を覆う絶縁性フィルムの外側面に備えられた金
属層に、ワイヤボンディング装置等を用いて、ワイヤ等
で電気的に接続したり、複数本のリードの一方の表面を
覆う絶縁性フィルムの外側面に備えられた金属層を、グ
ランド線路用のリードの一方の表面の先端に、ワイヤボ
ンディング装置等を用いて、ワイヤ等で電気的に接続し
たりできる。
素子上の信号用や電源用の電極を、ステージ周囲のリー
ドの一方の表面の先端に、ワイヤボンディング装置等を
用いて、ワイヤ等で電気的に接続する際に、同時に、半
導体素子上のグランド用の電極を、複数本のリードの一
方の表面を覆う絶縁性フィルムの外側面に備えられた金
属層に、ワイヤボンディング装置等を用いて、ワイヤ等
で電気的に接続したり、複数本のリードの一方の表面を
覆う絶縁性フィルムの外側面に備えられた金属層を、グ
ランド線路用のリードの一方の表面の先端に、ワイヤボ
ンディング装置等を用いて、ワイヤ等で電気的に接続し
たりできる。
【００１６】また、半導体素子上に複数のグランド用の
電極が備えられている場合には、それらのグランド用の
電極を絶縁性フィルムの外側面に備えられた金属層に電
気的に接続して、金属層を、半導体素子上の複数のグラ
ンド用の電極を電気的に接続して接地する共通グランド
に用いることができる。そして、その分、ステージ周囲
に備えるグランド線路用のリードであって、半導体素子
上の複数のグランド用の電極のそれぞれを外部グランド
に電気的に接続するグランド線路用のリードの本数を減
らすことができる。
電極が備えられている場合には、それらのグランド用の
電極を絶縁性フィルムの外側面に備えられた金属層に電
気的に接続して、金属層を、半導体素子上の複数のグラ
ンド用の電極を電気的に接続して接地する共通グランド
に用いることができる。そして、その分、ステージ周囲
に備えるグランド線路用のリードであって、半導体素子
上の複数のグランド用の電極のそれぞれを外部グランド
に電気的に接続するグランド線路用のリードの本数を減
らすことができる。
【００１７】また、半導体素子上に複数のグランド用の
電極が備えられている場合には、それらのグランド用の
電極のそれぞれを、その近くの絶縁性フィルムの外側面
に備えられた金属層部分にワイヤ等で距離短く電気的に
接続できる。そして、半導体素子上の複数のグランド用
の電極を、グランドを構成する金属層に接地電位差なく
電気的に接続できる。
電極が備えられている場合には、それらのグランド用の
電極のそれぞれを、その近くの絶縁性フィルムの外側面
に備えられた金属層部分にワイヤ等で距離短く電気的に
接続できる。そして、半導体素子上の複数のグランド用
の電極を、グランドを構成する金属層に接地電位差なく
電気的に接続できる。
【００１８】本発明の第１の半導体装置用リードフレー
ムにおいては、半導体素子を搭載するステージ表面と、
該ステージ表面と同じ側の複数本のリードの一方の表面
とを、外側面に金属層を備えた絶縁性フィルムで連続し
て覆った構造とすることを好適としている。
ムにおいては、半導体素子を搭載するステージ表面と、
該ステージ表面と同じ側の複数本のリードの一方の表面
とを、外側面に金属層を備えた絶縁性フィルムで連続し
て覆った構造とすることを好適としている。
【００１９】本発明の第２の半導体装置用リードフレー
ムにおいては、半導体素子を搭載するステージ表面と、
該ステージ表面と同じ側の複数本のリードの一方の表面
とを、外側面に金属層を備えた絶縁性フィルムで連続し
て覆い、半導体素子を搭載する側と反対側のステージ表
面と、該ステージ表面と同じ側の複数本の前記リードの
他方の表面とを、外側面に金属層を備えた絶縁性フィル
ムで連続して覆った構造とすることを好適としている。
ムにおいては、半導体素子を搭載するステージ表面と、
該ステージ表面と同じ側の複数本のリードの一方の表面
とを、外側面に金属層を備えた絶縁性フィルムで連続し
て覆い、半導体素子を搭載する側と反対側のステージ表
面と、該ステージ表面と同じ側の複数本の前記リードの
他方の表面とを、外側面に金属層を備えた絶縁性フィル
ムで連続して覆った構造とすることを好適としている。
【００２０】この第１又は第２の半導体装置用リードフ
レームにあっては、ステージ表面を覆う絶縁性フィルム
の外側面に備えられた金属層に、半導体素子の底面を固
着することにより、半導体素子の底面に備えられたグラ
ンド用の電極を、グランドを構成する金属層に電気的に
接続して接地できる。そして、半導体素子の底面に備え
られたグランド用の電極をグランド線路用のリードに電
気的に接続するために、半導体素子を搭載するステージ
をグランド線路用のリードにワイヤ等で電気的に接続す
る作業を不要とすることができる。
レームにあっては、ステージ表面を覆う絶縁性フィルム
の外側面に備えられた金属層に、半導体素子の底面を固
着することにより、半導体素子の底面に備えられたグラ
ンド用の電極を、グランドを構成する金属層に電気的に
接続して接地できる。そして、半導体素子の底面に備え
られたグランド用の電極をグランド線路用のリードに電
気的に接続するために、半導体素子を搭載するステージ
をグランド線路用のリードにワイヤ等で電気的に接続す
る作業を不要とすることができる。
【００２１】また、この第２の半導体装置用リードフレ
ームにあっては、半導体素子を搭載するステージ表面
と、該ステージ表面と同じ側の複数本のリードの一方の
表面とを連続して覆う外側面に金属層を備えた絶縁性フ
ィルムと、半導体素子を搭載する側と反対側のステージ
表面と、該ステージ表面と同じ側の複数本のリードの他
方の表面とを連続して覆う外側面に金属層を備えた絶縁
性フィルムとを、同一形状に統一することにより、リー
ドフレームを挟んで、その上下の形状を、対称に形成で
きる。そして、半導体素子をステージ表面を覆う絶縁性
フィルムの外側面の金属層に固着する際に、半導体素子
を固着すべきステージ表面を覆う絶縁性フィルムの外側
面の金属層側を見極める作業を、不要とすることができ
る。
ームにあっては、半導体素子を搭載するステージ表面
と、該ステージ表面と同じ側の複数本のリードの一方の
表面とを連続して覆う外側面に金属層を備えた絶縁性フ
ィルムと、半導体素子を搭載する側と反対側のステージ
表面と、該ステージ表面と同じ側の複数本のリードの他
方の表面とを連続して覆う外側面に金属層を備えた絶縁
性フィルムとを、同一形状に統一することにより、リー
ドフレームを挟んで、その上下の形状を、対称に形成で
きる。そして、半導体素子をステージ表面を覆う絶縁性
フィルムの外側面の金属層に固着する際に、半導体素子
を固着すべきステージ表面を覆う絶縁性フィルムの外側
面の金属層側を見極める作業を、不要とすることができ
る。
【００２２】本発明の第１又は第２の半導体装置用リー
ドフレームにおいては、絶縁性フィルムの内側面に接着
剤層を備えて、該接着剤層を用いて、前記絶縁性フィル
ムをリードの表面、又はそれに加えて、ステージ表面に
接合した構造とすることを好適としている。
ドフレームにおいては、絶縁性フィルムの内側面に接着
剤層を備えて、該接着剤層を用いて、前記絶縁性フィル
ムをリードの表面、又はそれに加えて、ステージ表面に
接合した構造とすることを好適としている。
【００２３】この第１又は第２の半導体装置用リードフ
レームにあっては、絶縁性フィルムを、その内側面に備
えられた接着剤層を用いて、リードの表面、又はそれに
加えて、ステージ表面に脱落せぬように容易かつ確実に
接合できる。
レームにあっては、絶縁性フィルムを、その内側面に備
えられた接着剤層を用いて、リードの表面、又はそれに
加えて、ステージ表面に脱落せぬように容易かつ確実に
接合できる。
【００２４】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
に従い説明する。図１ないし図３は本発明の第１の半導
体装置用リードフレームの好適な実施の形態を示し、図
１はその平面図、図２は図１のＡ―Ａ断面図、図３はそ
のリードフレームの平面図である。以下に、この第１の
半導体装置用リードフレームを説明する。
に従い説明する。図１ないし図３は本発明の第１の半導
体装置用リードフレームの好適な実施の形態を示し、図
１はその平面図、図２は図１のＡ―Ａ断面図、図３はそ
のリードフレームの平面図である。以下に、この第１の
半導体装置用リードフレームを説明する。
【００２５】図において、８は、半導体素子上の電極１
６を外部電子回路（図示せず）に電気的に接続するため
のリード４ａを複数本持つリードフレームである。
６を外部電子回路（図示せず）に電気的に接続するため
のリード４ａを複数本持つリードフレームである。
【００２６】リードフレーム８は、図３に示したよう
に、その前後に帯状のガイドレール１９を平行に並べて
備え、その左右に帯状のセクションバー２０を平行に並
べて備えている。ガイドレール１９とセクションバー２
０とで囲まれた内側空間の中央には、方形状のステージ
１３を備えている。ステージ１３の四方には、複数本の
リード４ａをほぼ放射状に並べて備えている。リード４
ａの先端は、ステージ１３の周縁から所定距離離して配
置していて、リード４ａの先端がステージ１３に接触し
て、リード４ａがステージ１３に電気的に短絡するのを
防いでいる。ステージ１３の四方の複数本のリード４ａ
の中途部は、方形枠体状をしたダムバー１８で互いに連
結している。ステージ１３の四隅部は、ステージサポー
トバー２１を介して、ダムバー１８に一連に支持してい
る。
に、その前後に帯状のガイドレール１９を平行に並べて
備え、その左右に帯状のセクションバー２０を平行に並
べて備えている。ガイドレール１９とセクションバー２
０とで囲まれた内側空間の中央には、方形状のステージ
１３を備えている。ステージ１３の四方には、複数本の
リード４ａをほぼ放射状に並べて備えている。リード４
ａの先端は、ステージ１３の周縁から所定距離離して配
置していて、リード４ａの先端がステージ１３に接触し
て、リード４ａがステージ１３に電気的に短絡するのを
防いでいる。ステージ１３の四方の複数本のリード４ａ
の中途部は、方形枠体状をしたダムバー１８で互いに連
結している。ステージ１３の四隅部は、ステージサポー
トバー２１を介して、ダムバー１８に一連に支持してい
る。
【００２７】以上の構成は、従来の半導体装置用リード
フレームと同様であるが、図の第１の半導体装置用リー
ドフレームでは、図１と図２に示したように、半導体素
子２を搭載するステージ１３表面と、該ステージ１３表
面と同じ側の複数本のリード４ａの一方の表面とを、外
側面にグランドプレーン形成用の金属層６を備えた絶縁
性フィルム７で連続して覆っている。
フレームと同様であるが、図の第１の半導体装置用リー
ドフレームでは、図１と図２に示したように、半導体素
子２を搭載するステージ１３表面と、該ステージ１３表
面と同じ側の複数本のリード４ａの一方の表面とを、外
側面にグランドプレーン形成用の金属層６を備えた絶縁
性フィルム７で連続して覆っている。
【００２８】絶縁性フィルム７は、図４と図５に示した
ように、その周囲に方形枠体状をした方形枠片１０を備
え、その方形枠片１０の内側空間の中央に方形状をした
方形片１１を備えている。方形片１１の四隅部は、帯状
をした帯片１２を介して、方形枠片１０に連結してい
る。方形片１１の四方周縁と方形枠片１０との間の絶縁
性フィルム７部分には、その両側が帯片１２で囲まれた
台形状の透孔１４を広く開口している。絶縁性フィルム
７は、ポリイミド等の有機誘電材料で形成している。
ように、その周囲に方形枠体状をした方形枠片１０を備
え、その方形枠片１０の内側空間の中央に方形状をした
方形片１１を備えている。方形片１１の四隅部は、帯状
をした帯片１２を介して、方形枠片１０に連結してい
る。方形片１１の四方周縁と方形枠片１０との間の絶縁
性フィルム７部分には、その両側が帯片１２で囲まれた
台形状の透孔１４を広く開口している。絶縁性フィルム
７は、ポリイミド等の有機誘電材料で形成している。
【００２９】方形枠片１０と方形片１１と帯片１２とか
らなる絶縁性フィルム７の外側面には、金属層６を連続
して広く備えている。金属層６は、金、銀、アルミニウ
ム、銅等で形成している。
らなる絶縁性フィルム７の外側面には、金属層６を連続
して広く備えている。金属層６は、金、銀、アルミニウ
ム、銅等で形成している。
【００３０】方形枠片１０と方形片１１と帯片１２とか
らなる絶縁性フィルム７の内側面には、接着剤層９を連
続して広く備えている。
らなる絶縁性フィルム７の内側面には、接着剤層９を連
続して広く備えている。
【００３１】半導体素子２を搭載するステージ１３表面
は、絶縁性フィルム７の方形片１１で覆っている。方形
片１１は、その内側面に備えられた接着剤層９を用い
て、ステージ１３表面に被着している。
は、絶縁性フィルム７の方形片１１で覆っている。方形
片１１は、その内側面に備えられた接着剤層９を用い
て、ステージ１３表面に被着している。
【００３２】ステージ１３周囲に並べて備えられた信号
線路用と電源線路用とグランド線路用の複数本のリード
４ａであって、半導体素子２を搭載するステージ１３表
面と同じ側の複数本のリード４ａの一方の表面は、絶縁
性フィルム７の方形枠片１０で連続して覆っている。方
形枠片１０は、その内側面に備えられた接着剤層９を用
いて、複数本のリード４ａの一方の表面に被着してい
る。
線路用と電源線路用とグランド線路用の複数本のリード
４ａであって、半導体素子２を搭載するステージ１３表
面と同じ側の複数本のリード４ａの一方の表面は、絶縁
性フィルム７の方形枠片１０で連続して覆っている。方
形枠片１０は、その内側面に備えられた接着剤層９を用
いて、複数本のリード４ａの一方の表面に被着してい
る。
【００３３】半導体素子２を搭載するステージ１３表面
と同じ側のステージ１３の四隅部に連なるステージサポ
ートバー２１部分の一方の表面は、絶縁性フィルム７の
帯片１２で覆っている。帯片１２は、その内側面に備え
られた接着剤層９を用いて、ステージサポートバー２１
部分の一方の表面に被着している。
と同じ側のステージ１３の四隅部に連なるステージサポ
ートバー２１部分の一方の表面は、絶縁性フィルム７の
帯片１２で覆っている。帯片１２は、その内側面に備え
られた接着剤層９を用いて、ステージサポートバー２１
部分の一方の表面に被着している。
【００３４】ステージ１３周囲に並べて備えられた複数
本のリード４ａの先端は、絶縁性フィルム７で覆わず
に、絶縁性フィルム７の透孔１４内に露出させている。
そして、透孔１４内に露出させたリード４ａの先端に、
ステージ１３表面に搭載した半導体素子上の電極１６
を、ワイヤ１５等を介して電気的に接続できるようにし
ている。
本のリード４ａの先端は、絶縁性フィルム７で覆わず
に、絶縁性フィルム７の透孔１４内に露出させている。
そして、透孔１４内に露出させたリード４ａの先端に、
ステージ１３表面に搭載した半導体素子上の電極１６
を、ワイヤ１５等を介して電気的に接続できるようにし
ている。
【００３５】絶縁性フィルム７の方形片１１の四方周縁
の表面部分６ａには、図４に示したように、金属層６を
備えずに、絶縁性フィルム７の素地を露出させている。
そして、ステージ１３に搭載した半導体素子上の電極１
６を透孔１４内に露出したリード４ａの先端にワイヤ１
５等を介して電気的に接続した際に、ワイヤ１５等が、
金属層６に接触して、金属層６に電気的に短絡するのを
防いでいる。
の表面部分６ａには、図４に示したように、金属層６を
備えずに、絶縁性フィルム７の素地を露出させている。
そして、ステージ１３に搭載した半導体素子上の電極１
６を透孔１４内に露出したリード４ａの先端にワイヤ１
５等を介して電気的に接続した際に、ワイヤ１５等が、
金属層６に接触して、金属層６に電気的に短絡するのを
防いでいる。
【００３６】ステージ１３周囲に並べて備えられた複数
本のリード４ａの後端は、絶縁性フィルム７で覆わず
に、絶縁性フィルム７の外側に露出させている。そし
て、リード４ａの後端を、外部電子回路の端子に電気的
に接続できるようにしている。
本のリード４ａの後端は、絶縁性フィルム７で覆わず
に、絶縁性フィルム７の外側に露出させている。そし
て、リード４ａの後端を、外部電子回路の端子に電気的
に接続できるようにしている。
【００３７】図１ないし図３に示した第１の半導体装置
用リードフレームは、以上のように構成している。
用リードフレームは、以上のように構成している。
【００３８】次に、この第１の半導体装置用リードフレ
ームの使用例並びにその作用を説明する。
ームの使用例並びにその作用を説明する。
【００３９】図１と図２に一点鎖線で示したように、ス
テージ１３の一方の表面を覆う絶縁性フィルム７の外側
面に備えられた金属層６に、半導体素子２の底面を固着
する。そして、半導体素子２をステージ１３の一方の表
面に搭載する。
テージ１３の一方の表面を覆う絶縁性フィルム７の外側
面に備えられた金属層６に、半導体素子２の底面を固着
する。そして、半導体素子２をステージ１３の一方の表
面に搭載する。
【００４０】半導体素子上の信号用と電源用の電極１６
は、絶縁性フィルム７の透孔１４内に露出した信号線路
用と電源線路用のリード４ａの一方の表面の先端に、ワ
イヤ１５を介して、それぞれ電気的に接続する。
は、絶縁性フィルム７の透孔１４内に露出した信号線路
用と電源線路用のリード４ａの一方の表面の先端に、ワ
イヤ１５を介して、それぞれ電気的に接続する。
【００４１】半導体素子上のグランド用の電極１６は、
その近くの複数本のリード４ａの一方の表面を連続して
覆う絶縁性フィルム７の外側面に備えられた金属層６部
分に、ワイヤ１５を介して、電気的に接続する。
その近くの複数本のリード４ａの一方の表面を連続して
覆う絶縁性フィルム７の外側面に備えられた金属層６部
分に、ワイヤ１５を介して、電気的に接続する。
【００４２】絶縁性フィルム７の外側面に備えられた金
属層６は、絶縁性フィルム７の透孔１４内に露出したグ
ランド線路用のリード４ａの一方の表面の先端に、ワイ
ヤ１５を介して、電気的に接続する。
属層６は、絶縁性フィルム７の透孔１４内に露出したグ
ランド線路用のリード４ａの一方の表面の先端に、ワイ
ヤ１５を介して、電気的に接続する。
【００４３】次いで、図６と図７に示したように、ステ
ージ１３に搭載した半導体素子２を、ダムバー１８より
内側のリードフレーム８部分と外側面に金属層６が備え
られた絶縁性フィルム７とワイヤ１５と共に、樹脂１７
内部に気密に封止する。
ージ１３に搭載した半導体素子２を、ダムバー１８より
内側のリードフレーム８部分と外側面に金属層６が備え
られた絶縁性フィルム７とワイヤ１５と共に、樹脂１７
内部に気密に封止する。
【００４４】その後、複数本のリード４ａの中途部を互
いに連結しているダムバー１８と、リード４ａの後端が
連結されたガイドレール１９又はセクションバー２０と
を、リード４ａから切除する。そして、複数本のリード
４ａを、互いに分離、独立させる。また、樹脂１７外部
に突出したステージサポートバー２１部分を、樹脂１７
内部に封止されたステージサポートバー２１部分から切
除する。
いに連結しているダムバー１８と、リード４ａの後端が
連結されたガイドレール１９又はセクションバー２０と
を、リード４ａから切除する。そして、複数本のリード
４ａを、互いに分離、独立させる。また、樹脂１７外部
に突出したステージサポートバー２１部分を、樹脂１７
内部に封止されたステージサポートバー２１部分から切
除する。
【００４５】すると、図６と図７に示したような、樹脂
１７内部に半導体素子２が気密に封止され、半導体素子
上の電極１６が、ワイヤ１５や金属層６を介して、リー
ド４ａに電気的に接続されてなる半導体装置を形成でき
る。
１７内部に半導体素子２が気密に封止され、半導体素子
上の電極１６が、ワイヤ１５や金属層６を介して、リー
ド４ａに電気的に接続されてなる半導体装置を形成でき
る。
【００４６】この半導体装置においては、樹脂１７外部
に突出した信号線路用のリード４ａに電気信号を伝えた
り、樹脂１７外部に突出した電源線路用のリード４ａに
電源電流を流したり、樹脂１７外部に突出したグランド
線路用のリード４ａを外部グランドに電気的に接続した
りすることにより、その電気信号や電源電流を、信号線
路用や電源線路用のリード４ａとワイヤ１５とを介し
て、半導体素子上の信号用や電源用の電極１６に伝える
ことができる。また、半導体素子上のグランド用の電極
１６を、ワイヤ１５と金属層６とグランド線路用のリー
ド４ａとを介して、外部グランドに電気的に接続でき
る。そして、樹脂１７内部に封止された半導体素子２を
動作させることができる。
に突出した信号線路用のリード４ａに電気信号を伝えた
り、樹脂１７外部に突出した電源線路用のリード４ａに
電源電流を流したり、樹脂１７外部に突出したグランド
線路用のリード４ａを外部グランドに電気的に接続した
りすることにより、その電気信号や電源電流を、信号線
路用や電源線路用のリード４ａとワイヤ１５とを介し
て、半導体素子上の信号用や電源用の電極１６に伝える
ことができる。また、半導体素子上のグランド用の電極
１６を、ワイヤ１５と金属層６とグランド線路用のリー
ド４ａとを介して、外部グランドに電気的に接続でき
る。そして、樹脂１７内部に封止された半導体素子２を
動作させることができる。
【００４７】その際には、絶縁性フィルム７の外側面に
備えられた金属層６を、ワイヤ１５とグランド線路用の
リード４ａとを介して、外部グランドに電気的に接続し
て接地し、金属層６をグランドプレーン化できる。そし
て、そのグランドプレーン化した金属層６を用いて、樹
脂１７内部に封止された信号線路用のリード４ａをマイ
クロストリップ線路に形成し、その信号線路用のリード
４ａの高周波特性を高めることができる。そして、その
信号線路用のリード４ａに、高周波の電気信号を伝送損
失少なく伝えることができる。また、信号線路用のリー
ド４ａを伝わる高周波の電気信号が、その近くの他の信
号線路用のリード４ａに混入するのを、複数本のリード
４ａの一方の表面を連続して覆う絶縁性フィルム７の外
側面に備えられた金属層６により防ぐことができる。
備えられた金属層６を、ワイヤ１５とグランド線路用の
リード４ａとを介して、外部グランドに電気的に接続し
て接地し、金属層６をグランドプレーン化できる。そし
て、そのグランドプレーン化した金属層６を用いて、樹
脂１７内部に封止された信号線路用のリード４ａをマイ
クロストリップ線路に形成し、その信号線路用のリード
４ａの高周波特性を高めることができる。そして、その
信号線路用のリード４ａに、高周波の電気信号を伝送損
失少なく伝えることができる。また、信号線路用のリー
ド４ａを伝わる高周波の電気信号が、その近くの他の信
号線路用のリード４ａに混入するのを、複数本のリード
４ａの一方の表面を連続して覆う絶縁性フィルム７の外
側面に備えられた金属層６により防ぐことができる。
【００４８】また、ステージ１３に搭載した半導体素子
上の信号用や電源用の電極１６を、絶縁性フィルム７の
透孔１４内に露出した信号線路用や電源線路用のリード
４ａの一方の表面の先端に、ワイヤボンディング装置を
用いて、ワイヤ１５を介して電気的に接続する際に、同
時に、半導体素子上のグランド用の電極１６を複数本の
リード４ａの一方の表面を覆う絶縁性フィルム７の外側
面に備えられた金属層６に、ワイヤボンディング装置を
用いて、ワイヤ１５を介して電気的に接続したり、絶縁
性フィルム７の外側面に備えられた金属層６を、絶縁性
フィルム７の透孔１４内に露出したグランド線路用のリ
ード４ａの一方の表面の先端に、ワイヤボンディング装
置を用いて、ワイヤ１５を介して電気的に接続したりで
きる。
上の信号用や電源用の電極１６を、絶縁性フィルム７の
透孔１４内に露出した信号線路用や電源線路用のリード
４ａの一方の表面の先端に、ワイヤボンディング装置を
用いて、ワイヤ１５を介して電気的に接続する際に、同
時に、半導体素子上のグランド用の電極１６を複数本の
リード４ａの一方の表面を覆う絶縁性フィルム７の外側
面に備えられた金属層６に、ワイヤボンディング装置を
用いて、ワイヤ１５を介して電気的に接続したり、絶縁
性フィルム７の外側面に備えられた金属層６を、絶縁性
フィルム７の透孔１４内に露出したグランド線路用のリ
ード４ａの一方の表面の先端に、ワイヤボンディング装
置を用いて、ワイヤ１５を介して電気的に接続したりで
きる。
【００４９】また、半導体素子２上に複数のグランド用
の電極１６が備えられている場合には、それらのグラン
ド用の電極１６を絶縁性フィルム７の外側面に備えられ
た金属層６にワイヤ１５を介して電気的に接続して、金
属層６を、半導体素子上の複数のグランド用の電極１６
を電気的に接続して接地する共通グランドに用いること
ができる。そして、その分、半導体素子上の複数のグラ
ンド用の電極１６を外部グランドに電気的に接続するた
めのグランド線路用のリード４ａであって、ステージ１
３周囲に備えるグランド線路用のリード４ａの本数を減
らすことができる。
の電極１６が備えられている場合には、それらのグラン
ド用の電極１６を絶縁性フィルム７の外側面に備えられ
た金属層６にワイヤ１５を介して電気的に接続して、金
属層６を、半導体素子上の複数のグランド用の電極１６
を電気的に接続して接地する共通グランドに用いること
ができる。そして、その分、半導体素子上の複数のグラ
ンド用の電極１６を外部グランドに電気的に接続するた
めのグランド線路用のリード４ａであって、ステージ１
３周囲に備えるグランド線路用のリード４ａの本数を減
らすことができる。
【００５０】また、半導体素子２上に複数のグランド用
の電極１６が備えられている場合には、それらのグラン
ド用の電極１６のそれぞれを、その近くの絶縁性フィル
ム７の外側面に備えられた金属層６部分に、ワイヤボン
ディング装置を用いて、ワイヤ１５を介して距離短く電
気的に接続できる。そして、半導体素子上の複数のグラ
ンド用の電極１６を、グランドを構成する金属層６に接
地電位差なく電気的に接続できる。
の電極１６が備えられている場合には、それらのグラン
ド用の電極１６のそれぞれを、その近くの絶縁性フィル
ム７の外側面に備えられた金属層６部分に、ワイヤボン
ディング装置を用いて、ワイヤ１５を介して距離短く電
気的に接続できる。そして、半導体素子上の複数のグラ
ンド用の電極１６を、グランドを構成する金属層６に接
地電位差なく電気的に接続できる。
【００５１】また、半導体素子２の底面にグランド用の
電極（図示せず）が備えられている場合には、その半導
体素子２の底面のグランド用の電極を、ステージ１３の
一方の表面を覆う絶縁性フィルム７の外側面に備えられ
たグランドを構成する金属層６であって、半導体素子２
の底面を固着した金属層６に電気的に接続して接地でき
る。
電極（図示せず）が備えられている場合には、その半導
体素子２の底面のグランド用の電極を、ステージ１３の
一方の表面を覆う絶縁性フィルム７の外側面に備えられ
たグランドを構成する金属層６であって、半導体素子２
の底面を固着した金属層６に電気的に接続して接地でき
る。
【００５２】図８と図９は本発明の第２の半導体装置用
リードフレームの好適な実施の形態を示し、図８はその
平面図、図９は図８のＢ―Ｂ断面図である。以下に、こ
の第２の半導体装置用リードフレームを説明する。
リードフレームの好適な実施の形態を示し、図８はその
平面図、図９は図８のＢ―Ｂ断面図である。以下に、こ
の第２の半導体装置用リードフレームを説明する。
【００５３】図の第２の半導体装置用リードフレームで
は、半導体素子２を搭載するステージ１３表面と、該ス
テージ１３表面と同じ側のステージ１３周囲の信号線路
用と電源線路用とグランド線路用の複数本のリード４ａ
の一方の表面とを、外側面にグランドプレーン形成用の
金属層６を備えた絶縁性フィルム７で連続して覆ってい
るのに加えて、半導体素子２を搭載する側と反対側のス
テージ１３表面と、該ステージ１３表面と同じ側のステ
ージ１３周囲の信号線路用と電源線路用とグランド線路
用の複数本のリード４ａの他方の表面とを、外側面にグ
ランドプレーン形成用の金属層６を備えた絶縁性フィル
ム７で連続して覆っている。
は、半導体素子２を搭載するステージ１３表面と、該ス
テージ１３表面と同じ側のステージ１３周囲の信号線路
用と電源線路用とグランド線路用の複数本のリード４ａ
の一方の表面とを、外側面にグランドプレーン形成用の
金属層６を備えた絶縁性フィルム７で連続して覆ってい
るのに加えて、半導体素子２を搭載する側と反対側のス
テージ１３表面と、該ステージ１３表面と同じ側のステ
ージ１３周囲の信号線路用と電源線路用とグランド線路
用の複数本のリード４ａの他方の表面とを、外側面にグ
ランドプレーン形成用の金属層６を備えた絶縁性フィル
ム７で連続して覆っている。
【００５４】その他は、前述図１ないし図３に示した第
１の半導体装置用リードフレームと同様に構成してい
て、この第２の半導体装置用リードフレームにおいて
は、信号線路用のリード４ａの一方とその他方の表面
を、絶縁性フィルム７を介して、グランドプレーン形成
用の金属層６で広く覆うことができる。信号線路用のリ
ード４ａの一方とその他方の表面とを覆う絶縁性フィル
ム７の外側面に備えられた金属層６は、図８と図９に一
点鎖線で示したように、絶縁性フィルム７の透孔１４内
に露出したグランド線路用のリード４ａの一方の表面の
先端とその他方の表面の先端とに、ワイヤ１５を介し
て、電気的に接続して、それらの金属層６をグランドプ
レーン化できる。そして、信号線路用のリード４ａを、
ストリップ線路に形成し、その信号線路用のリード４ａ
に、高周波の電気信号を伝送損失少なく効率良く伝える
ことができる。また、信号線路用のリード４ａを伝わる
高周波の電気信号が、その近くの他の信号線路用のリー
ド４ａに混入するのを、複数本のリード４ａの一方の表
面とその他方の表面とを連続して覆う絶縁性フィルム７
の外側面に備えられた金属層６により防ぐことができ
る。
１の半導体装置用リードフレームと同様に構成してい
て、この第２の半導体装置用リードフレームにおいて
は、信号線路用のリード４ａの一方とその他方の表面
を、絶縁性フィルム７を介して、グランドプレーン形成
用の金属層６で広く覆うことができる。信号線路用のリ
ード４ａの一方とその他方の表面とを覆う絶縁性フィル
ム７の外側面に備えられた金属層６は、図８と図９に一
点鎖線で示したように、絶縁性フィルム７の透孔１４内
に露出したグランド線路用のリード４ａの一方の表面の
先端とその他方の表面の先端とに、ワイヤ１５を介し
て、電気的に接続して、それらの金属層６をグランドプ
レーン化できる。そして、信号線路用のリード４ａを、
ストリップ線路に形成し、その信号線路用のリード４ａ
に、高周波の電気信号を伝送損失少なく効率良く伝える
ことができる。また、信号線路用のリード４ａを伝わる
高周波の電気信号が、その近くの他の信号線路用のリー
ド４ａに混入するのを、複数本のリード４ａの一方の表
面とその他方の表面とを連続して覆う絶縁性フィルム７
の外側面に備えられた金属層６により防ぐことができ
る。
【００５５】この第２の半導体装置用リードフレームの
その他の使用例並びにその作用は、前述図１ないし図３
に示した第１の半導体装置用リードフレームと同様であ
り、その説明を省略する。
その他の使用例並びにその作用は、前述図１ないし図３
に示した第１の半導体装置用リードフレームと同様であ
り、その説明を省略する。
【００５６】なお、上述第１又は第２の半導体装置用リ
ードフレームにおいては、図１０又は図１１に示したよ
うに、絶縁性フィルム７を方形枠片１０のみで形成し
て、その絶縁性フィルム７で、信号線路用と電源線路用
とグランド線路用の複数本のリード４ａの一方の表面の
みを連続して覆ったり、又はそれに加えて、その方形枠
片１０からなる絶縁性フィルム７で、信号線路用と電源
線路用とグランド線路用の複数本のリード４ａの他方の
表面のみを連続して覆ったりしても良い。そして、ステ
ージ１３の一方の表面に半導体素子２の底面を直接に固
着したり、信号線路用と電源線路用とグランド線路用の
複数本のリード４ａの一方の表面を連続して覆う方形枠
片１０の外側面に備えられた金属層６をグランド線路用
のリード４ａの一方の表面の先端にワイヤ１５を介して
電気的に接続したり、又はそれに加えて、信号線路用と
電源線路用とグランド線路用の複数本のリード４ａの他
方の表面を連続して覆う方形枠片１０の外側面に備えら
れた金属層６をグランド線路用のリード４ａの他方の表
面の先端にワイヤ１５を介して電気的に接続したりして
も良い。そして、信号線路用のリード４ａを、マイクロ
ストリップ線路、又はストリップ線路に形成できるよう
にしても良く、そのようにしても、上述第１又は第２の
半導体装置用リードフレームとほぼ同様な作用を持つ半
導体装置用リードフレームを提供できる。
ードフレームにおいては、図１０又は図１１に示したよ
うに、絶縁性フィルム７を方形枠片１０のみで形成し
て、その絶縁性フィルム７で、信号線路用と電源線路用
とグランド線路用の複数本のリード４ａの一方の表面の
みを連続して覆ったり、又はそれに加えて、その方形枠
片１０からなる絶縁性フィルム７で、信号線路用と電源
線路用とグランド線路用の複数本のリード４ａの他方の
表面のみを連続して覆ったりしても良い。そして、ステ
ージ１３の一方の表面に半導体素子２の底面を直接に固
着したり、信号線路用と電源線路用とグランド線路用の
複数本のリード４ａの一方の表面を連続して覆う方形枠
片１０の外側面に備えられた金属層６をグランド線路用
のリード４ａの一方の表面の先端にワイヤ１５を介して
電気的に接続したり、又はそれに加えて、信号線路用と
電源線路用とグランド線路用の複数本のリード４ａの他
方の表面を連続して覆う方形枠片１０の外側面に備えら
れた金属層６をグランド線路用のリード４ａの他方の表
面の先端にワイヤ１５を介して電気的に接続したりして
も良い。そして、信号線路用のリード４ａを、マイクロ
ストリップ線路、又はストリップ線路に形成できるよう
にしても良く、そのようにしても、上述第１又は第２の
半導体装置用リードフレームとほぼ同様な作用を持つ半
導体装置用リードフレームを提供できる。
【００５７】ただし、そのような半導体装置用リードフ
レームにおいては、半導体素子２の底面にグランド用の
電極が備えられている場合には、半導体素子２の底面に
備えられたグランド用の電極をグランド線路用のリード
４ａに電気的に接続するために、半導体素子２の底面を
固着するステージ１３を、グランド線路用のリード４ａ
又は絶縁性フィルム７の外側面のグランドを構成する金
属層６にワイヤ１５等で電気的に接続する必要がある。
レームにおいては、半導体素子２の底面にグランド用の
電極が備えられている場合には、半導体素子２の底面に
備えられたグランド用の電極をグランド線路用のリード
４ａに電気的に接続するために、半導体素子２の底面を
固着するステージ１３を、グランド線路用のリード４ａ
又は絶縁性フィルム７の外側面のグランドを構成する金
属層６にワイヤ１５等で電気的に接続する必要がある。
【００５８】また、上述第１又は第２の半導体装置用リ
ードフレームの使用に際しては、ＴＡＢ（絶縁性フィル
ムの表面に導体回路が形成されたもの）表面に備えられ
た導体回路を介して、半導体素子上の電極１６をリード
４ａの一方の表面の先端に電気的に接続したり、半導体
素子上のグランド用の電極１６を絶縁性フィルム７の外
側面に備えられた金属層６に電気的に接続したり、絶縁
性フィルム７の外側面に備えられた金属層６をグランド
線路用のリード４ａの一方の表面の先端又はその他方の
表面の先端に電気的に接続したりしても良い。
ードフレームの使用に際しては、ＴＡＢ（絶縁性フィル
ムの表面に導体回路が形成されたもの）表面に備えられ
た導体回路を介して、半導体素子上の電極１６をリード
４ａの一方の表面の先端に電気的に接続したり、半導体
素子上のグランド用の電極１６を絶縁性フィルム７の外
側面に備えられた金属層６に電気的に接続したり、絶縁
性フィルム７の外側面に備えられた金属層６をグランド
線路用のリード４ａの一方の表面の先端又はその他方の
表面の先端に電気的に接続したりしても良い。
【００５９】また、絶縁性フィルム７の内側面に接着剤
層９を備えずに、絶縁性フィルム７をリード４ａの表面
やステージ１３表面に、熱圧着により、被着しても良
い。
層９を備えずに、絶縁性フィルム７をリード４ａの表面
やステージ１３表面に、熱圧着により、被着しても良
い。
【００６０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１又は
第２の半導体装置用リードフレームによれば、信号線路
用のリードを、マイクロストリップ線路又はストリップ
線路に形成して、その信号線路用のリードの高周波特性
を高めることができる。そして、その信号線路用のリー
ドに、高周波の電気信号を伝送損失少なく効率良く伝え
ることができる。また、信号線路用のリードを伝わる高
周波の電気信号が、その近くの他の信号線路用のリード
に混入するのを、複数本のリードの一方の表面、又はそ
れに加えて、複数本のリードの他方の表面を連続して覆
う絶縁性フィルムの外側面に備えられた金属層により防
ぐことができる。
第２の半導体装置用リードフレームによれば、信号線路
用のリードを、マイクロストリップ線路又はストリップ
線路に形成して、その信号線路用のリードの高周波特性
を高めることができる。そして、その信号線路用のリー
ドに、高周波の電気信号を伝送損失少なく効率良く伝え
ることができる。また、信号線路用のリードを伝わる高
周波の電気信号が、その近くの他の信号線路用のリード
に混入するのを、複数本のリードの一方の表面、又はそ
れに加えて、複数本のリードの他方の表面を連続して覆
う絶縁性フィルムの外側面に備えられた金属層により防
ぐことができる。
【００６１】また、ステージ表面に搭載した半導体素子
上の信号用や電源用の電極を信号線路用や電源線路用の
リードの一方の表面の先端に、ワイヤボンディング装置
等を用いて、ワイヤ等で電気的に接続する際に、同時
に、半導体素子上のグランド用の電極を、絶縁性フィル
ムの外側面の金属層に、ワイヤボンディング装置等を用
いて、ワイヤ等で電気的に接続したり、絶縁性フィルム
の外側面の金属層を、グランド線路用のリードの一方の
表面の先端に、ワイヤボンディング装置等を用いて、ワ
イヤ等で電気的に接続したりできる。そして、本発明の
第１又は第２の半導体装置用リードフレームを用いて形
成する半導体装置の製造の容易化、迅速化が図れる。
上の信号用や電源用の電極を信号線路用や電源線路用の
リードの一方の表面の先端に、ワイヤボンディング装置
等を用いて、ワイヤ等で電気的に接続する際に、同時
に、半導体素子上のグランド用の電極を、絶縁性フィル
ムの外側面の金属層に、ワイヤボンディング装置等を用
いて、ワイヤ等で電気的に接続したり、絶縁性フィルム
の外側面の金属層を、グランド線路用のリードの一方の
表面の先端に、ワイヤボンディング装置等を用いて、ワ
イヤ等で電気的に接続したりできる。そして、本発明の
第１又は第２の半導体装置用リードフレームを用いて形
成する半導体装置の製造の容易化、迅速化が図れる。
【００６２】また、半導体素子上に複数のグランド用の
電極が備えられている場合には、それらのグランド用の
電極のそれぞれを、その近くの複数本のリードの表面を
連続して覆う絶縁性フィルムの外側面に備えられた金属
層部分に、ワイヤ等で距離短く電位差なく電気的に接続
して接地できる。そして、金属層を、半導体素子上の複
数のグランド用の電極を電気的に接続するための共通グ
ランドに用いることができる。そして、その分、ステー
ジの周囲に備えるグランド線路用のリードであって、半
導体素子上のグランド用の電極を外部グランドに電気的
に接続するためのグランド線路用のリードの本数を減ら
すことができる。そして、その分、ステージの周囲に備
える信号線路用のリードの本数を無理なく増やしたり、
ステージの周囲に備えるグランド線路用のリードの本数
を減らして、本発明の第１又は第２の半導体装置用リー
ドフレームを用いて形成する半導体装置のコンパクト
化、簡易化を図ったりできる。
電極が備えられている場合には、それらのグランド用の
電極のそれぞれを、その近くの複数本のリードの表面を
連続して覆う絶縁性フィルムの外側面に備えられた金属
層部分に、ワイヤ等で距離短く電位差なく電気的に接続
して接地できる。そして、金属層を、半導体素子上の複
数のグランド用の電極を電気的に接続するための共通グ
ランドに用いることができる。そして、その分、ステー
ジの周囲に備えるグランド線路用のリードであって、半
導体素子上のグランド用の電極を外部グランドに電気的
に接続するためのグランド線路用のリードの本数を減ら
すことができる。そして、その分、ステージの周囲に備
える信号線路用のリードの本数を無理なく増やしたり、
ステージの周囲に備えるグランド線路用のリードの本数
を減らして、本発明の第１又は第２の半導体装置用リー
ドフレームを用いて形成する半導体装置のコンパクト
化、簡易化を図ったりできる。
【図１】本発明の第１の半導体装置用リードフレームの
平面図である。
平面図である。
【図２】図１のＡ―Ａ断面図である。
【図３】本発明の第１の半導体装置用リードフレームに
用いるリードフレームの平面図である。
用いるリードフレームの平面図である。
【図４】本発明の第１の半導体装置用リードフレームに
用いる絶縁性フィルムの平面図である。
用いる絶縁性フィルムの平面図である。
【図５】図４のＣ―Ｃ断面図である。
【図６】本発明の第１の半導体装置用リードフレームを
用いて形成した半導体装置の一部破断平面図である。
用いて形成した半導体装置の一部破断平面図である。
【図７】本発明の第１の半導体装置用リードフレームを
用いて形成した半導体装置の正面断面図である。
用いて形成した半導体装置の正面断面図である。
【図８】本発明の第２の半導体装置用リードフレームの
平面図である。
平面図である。
【図９】図８のＢ―Ｂ断面図である。
【図１０】本発明の第１の半導体装置用リードフレーム
を用いて形成した半導体装置の正面断面図である。
を用いて形成した半導体装置の正面断面図である。
【図１１】本発明の第２の半導体装置用リードフレーム
を用いて形成した半導体装置の正面断面図である。
を用いて形成した半導体装置の正面断面図である。
【図１２】従来の半導体装置用リードフレームを用いて
形成した半導体装置の正面断面図である。
形成した半導体装置の正面断面図である。
２ 半導体素子 ４ａ リード ６ 金属層 ７ 絶縁性フィルム ８ リードフレーム ９ 接着剤層 １０ 方形枠片 １１ 方形片 １２ 帯片 １３ ステージ １４ 透孔 １５ ワイヤ １６ 半導体素子上の電極 １７ 樹脂 １８ ダムバー １９ ガイドレール ２０ セクションバー ２１ ステージサポートバー
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体素子を搭載するステージの周囲
に、前記半導体素子の電極を電気的に接続する複数本の
リードを並べて備えてなるリードフレームにおいて、前
記半導体素子を搭載するステージ表面と同じ側の複数本
の前記リードの一方の表面を、外側面にグランドプレー
ン形成用の金属層を備えた絶縁性フィルムで連続して覆
ったことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項２】 半導体素子を搭載するステージ表面と、
該ステージ表面と同じ側の複数本のリードの一方の表面
とを、外側面に金属層を備えた絶縁性フィルムで連続し
て覆った請求項１記載の半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項３】 半導体素子を搭載するステージの周囲
に、前記半導体素子の電極を電気的に接続する複数本の
リードを並べて備えてなるリードフレームにおいて、前
記半導体素子を搭載するステージ表面と同じ側の複数本
の前記リードの一方とその他方の表面とを、外側面にグ
ランドプレーン形成用の金属層を備えた絶縁性フィルム
で連続して覆ったことを特徴とする半導体装置用リード
フレーム。 - 【請求項４】 半導体素子を搭載するステージ表面と、
該ステージ表面と同じ側の複数本のリードの一方の表面
とを、外側面に金属層を備えた絶縁性フィルムで連続し
て覆い、半導体素子を搭載する側と反対側のステージ表
面と、該ステージ表面と同じ側の複数本の前記リードの
他方の表面とを、外側面に金属層を備えた絶縁性フィル
ムで連続して覆った請求項３記載の半導体装置用リード
フレーム。 - 【請求項５】 絶縁性フィルムの内側面に接着剤層を備
えて、該接着剤層を用いて、前記絶縁性フィルムをリー
ドの表面、又はそれに加えて、ステージ表面に接合した
請求項１、２、３又は４記載の半導体装置用リードフレ
ーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7349723A JP2689324B2 (ja) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7349723A JP2689324B2 (ja) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08274245A true JPH08274245A (ja) | 1996-10-18 |
| JP2689324B2 JP2689324B2 (ja) | 1997-12-10 |
Family
ID=18405672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7349723A Expired - Fee Related JP2689324B2 (ja) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2689324B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008532267A (ja) * | 2005-02-23 | 2008-08-14 | エルジーマイクロン リミテッド | リードフレーム |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6037899A (ja) * | 1983-08-09 | 1985-02-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | トンネル内拡音装置 |
-
1995
- 1995-12-20 JP JP7349723A patent/JP2689324B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6037899A (ja) * | 1983-08-09 | 1985-02-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | トンネル内拡音装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008532267A (ja) * | 2005-02-23 | 2008-08-14 | エルジーマイクロン リミテッド | リードフレーム |
| US8072054B2 (en) | 2005-02-23 | 2011-12-06 | Lg Micron Ltd. | Lead frame |
| US8198711B2 (en) | 2005-02-23 | 2012-06-12 | Lg Micron Ltd. | Lead frame |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2689324B2 (ja) | 1997-12-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |