JPH07263581A - 半導体チップ用合成樹脂製ｓｍｄ容器 - Google Patents

半導体チップ用合成樹脂製ｓｍｄ容器

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JPH07263581A
JPH07263581A JP7050506A JP5050695A JPH07263581A JP H07263581 A JPH07263581 A JP H07263581A JP 7050506 A JP7050506 A JP 7050506A JP 5050695 A JP5050695 A JP 5050695A JP H07263581 A JPH07263581 A JP H07263581A
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JP
Japan
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container
semiconductor chip
conductor
frequency
synthetic resin
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JP7050506A
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Knut Brenndoerfer
ブレンデルフアー クヌート
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Original Assignee
Siemens AG
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ２．４ＧＨｚ以上の極めて高い周波数でもな
お良好な高周波特性を有する価格的に有利な合成樹脂製
ＳＭＤ容器を提供する。 【構成】 合成樹脂製ＳＭＤ容器６内に、容器内部でボ
ンディングワイヤ４により外側容器端子を構成する半導
体チップ１を取り付けているシステムホルダの導体と接
触化されている接続箇所のある少なくとも１個の能動的
高周波デバイス又は集積高周波回路を有する半導体チッ
プ１を入れ、システムホルダを少なくとも１個の高周波
内側導体３とこれに対して側方に間隔を置いて延びてい
る接地の役目をする外側導体２とからなるコプレーナの
３本の帯状導体として形成し、外側導体２は容器内部に
半導体チップ１を高周波内側導体３の端部に向い合わせ
に取り付けている平面状接続部を有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップ用の合成
樹脂製ＳＭＤ容器に関する。半導体チップは容器の中に
入れられ、容器内部でボンディングワイヤにより半導体
チップを取り付けているシステムホルダの外側容器端子
を構成する導体と接触化されている接続箇所のある少な
くとも１個の能動的高周波デバイス又は集積高周波回路
を有する。
【０００２】
【従来の技術】個別の半導体デバイス又は集積回路を有
する半導体チップ用のこの種の合成樹脂製容器は公知で
ある。その際チップは金属製のシステムホルダ、いわゆ
るリードフレーム上に、標準デバイス又は標準ＩＣの場
合にはその中心部分（島）の上に接着及びボンディング
され、溶接されかつ射出成形法で完全に合成樹脂成形コ
ンパウンドで被覆されるので、外側容器端子の役目をす
るシステムホルダの端部のみが容器から突出することに
なる。
【０００３】例えばシリコンバイポーラトランジスタ、
シリコンＩＣ、ＧａＡｓ−ＭＭＩＣ（モノリシックマイ
クロ波回路）のような能動的高周波デバイスは価格上の
理由から殆どが合成樹脂製ＳＭＤ容器に組み込まれる。
周波数が高くなればなるぼど高周波デバイスの特性は容
器によって悪影響を蒙る。特に１．８ＧＨｚ及び将来的
には２．４ＧＨｚ以上の周波数の最近の移動電話分野で
は、送信器及び受信器の能動的高周波デバイスに対して
良好な高周波特性を有する価格の見合った合成樹脂製容
器が必要とされる。送信器側では多くの用途において高
い誘電損を排除しなければならないためリードフレーム
の熱伝導率も一役を担う。
【０００４】従来接地インダクタンスを最小にするため
に高周波容器はできるだけ小さく作られてきた。周波数
が高まることにより及びＳＭＤ（表面実装デバイス）技
術の導入により容器を更に小さくすることは比較的大き
なチップも組み込まれなければならないことから問題が
あった。接地状態を改善するために高周波端子に隣接す
る多数のピン（容器端子）が接地された。この構成は接
地状態を改善し、付加的な高周波シールドをもたらす
が、しかし装置の波動インピーダンスは通常ピン間の大
きな間隔のため非常に高く、従って著しい変成比が起こ
る。更に接地端子は高周波端子と同様に狭く、従って真
の低オーム導波路は形成されない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、２．４ＧＨ
ｚ以上の極めて高い周波数でもなお良好な高周波特性を
有する価格的に有利な合成樹脂製ＳＭＤ容器を提供する
ことを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明によ
り、冒頭に記載した形式の合成樹脂製ＳＭＤ容器におい
て、システムホルダを少なくとも１個の高周波内側導体
とこれに対して側方に間隔を置いて延びている接地の役
目をする外側導体とからなるコプレーナの３本の帯状導
体として形成し、外側導体が容器内部に半導体チップを
高周波内側導体の端部に向い合わせに取り付けるための
平面状接続部を有していることにより解決される。
【０００７】その際高周波内側導体がその外側の容器端
子部とその半導体チップに向かい合っている端部との間
に、１００オーム以下の波動インピーダンスを有する低
オーム導波路を形成すると有利である。
【０００８】コプレーナの３本の帯状導体として形成さ
れたシステムホルダの接地端子の役目をする外側導体は
高周波内側導体よりも幅広であると有利であり、半導体
チップは少なくとも３本のボンディングワイヤにより高
周波端子ごとにシステムホルダと接触化される。
【０００９】本発明の一実施態様によれば、コプレーナ
の３本の帯状導体として形成されたシステムホルダは直
流電圧端子の役目をする付加的な導体を有している。用
途又は組み込み形式に応じて容器から突出しているシス
テムホルダの導体の端部は直線状に又は曲げて形成する
と有利である。更に直線状端子は例えば容器本体をプリ
ント板の開口に組み込む必要のある場合に有利である。
【００１０】本発明により達成される利点は特に、合成
樹脂製容器のシステムホルダがそれ自体として公知であ
る左右対称のコプレーナの３本の帯状導体として形成さ
れていることにある。この高周波導体の形式は有限の幅
及び厚さを有する１個のストリップ導体並びに僅かな間
隔を置いて側方で分離されている理論上無限の伸びを有
する接地上にある２つの金属化面からなる。高周波は適
当な寸法のコプレーナ導体内で低いインピーダンスに対
しても波動インピーダンスに合わせて導かれ、その際電
界が内側導体と接地面との間の２つのスリット内に広が
る。スリット幅が僅かである場合７５オーム以下の低オ
ームのインピーダンスが可能となる。波動インピーダン
スは狭いスリット内に生じる分布容量により生じる。
【００１１】スリット内に電界が集中するため実際には
無限に広い接地面は必要ではない。しかし接地導管、即
ち２つの外側導体は中央導体、即ち高周波内側導体より
も幅が広いと有利である。
【００１２】端子をコプレーナ導体として形成すること
により低オームの高周波装置（通常５０オーム）におい
てチップとプリント板との間の接続は波動インピーダン
スに合わせて行うことができる。このことは如何なる変
成も容器内に生じることなく、また接地電位が高周波を
導く内側導体でチップまで、即ち最適な接地電位を必要
とする箇所に案内される利点を有する。
【００１３】コプレーナの容器を実現する際、リードフ
レームの厚さ及び内側導体の所望の幅から出発して、ス
リット幅は、容器内において、即ち合成樹脂又は合成樹
脂充填材により例えば５０オームの波動インピーダンス
が生じるように調節する必要がある。この波動インピー
ダンスは大気中で、即ち容器の外側で容易に上昇する
が、しかしこれは技術的に何等問題とはならない。問題
となる使用に対してはスリットも大気中で極めて縮小さ
れるため、ここでも例えば５０オームの波動インピーダ
ンスが生じる。
【００１４】
【実施例】本発明を図面に基づき以下に詳述する。図１
に示されている合成樹脂製ＳＭＤ容器６は、適当な合成
樹脂又はプラスチック材、例えばジュロプラスチック合
成樹脂に入れられた半導体チップ１を含んでいる。半導
体チップ１例えばＳｉ又はＧａＡｓチップは、接続箇
所、いわゆるパッドを有する少なくとも１個の能動的デ
バイス又は集積高周波回路を含んでいる。接続箇所は容
器６の内部でボンディングワイヤ４により外部容器端子
を構成してシステムホルダの導体２、３と接触化されて
おり、この上に半導体チップ１が取り付けられている。
金属又は金属合金からなるシステムホルダは少なくとも
１個の高周波内側導体３（この実施例では２つの相対向
する高周波内側導体３）とこれに対して側方に間隔を置
いて延びている接地の役目をする外側導体２とからなる
コプレーナの３本の帯状導体として形成されている。外
側導体２は容器６の内部に半導体チップ１を２つの高周
波内側導体３の対向する端部に取り付けている平面状接
続部を有している。半導体チップ１の能動的高周波デバ
イスの分離された直流電圧の供給のためにコプレーナの
３本の帯状導体として形成されたシステムホルダは、本
実施例では直流電圧端子５の役目をする補助的な導体を
備えている。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体チップ用合成樹脂製ＳＭＤ
容器の概略平面図。
【符号の説明】
１ 半導体チップ ２ システムホルダの外側導体 ３ システムホルダの内側導体 ４ ボンディングワイヤ ５ 直流電圧端子 ６ ＳＭＤ容器

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップを収容するための合成樹脂
    製ＳＭＤ容器であって、半導体チップが、容器内部でボ
    ンディングワイヤにより半導体チップを取り付けている
    システムホルダの外側容器端子を構成する導体と接触化
    されている接続箇所のある少なくとも１個の能動的高周
    波デバイス又は集積高周波回路を有する容器において、
    システムホルダが高周波内側導体（３）とこれに対して
    側方に間隔を置いて延びている接地の役目をする外側導
    体（２）からなるコプレーナの３本の帯状導体として形
    成されており、外側導体（２）が容器内部に半導体チッ
    プ（１）を高周波内側導体（３）の端部に向い合わせに
    固定している平面状接続部を有していることを特徴とす
    る半導体チップ用合成樹脂製ＳＭＤ容器。
  2. 【請求項２】 高周波内側導体（３）が低オームの導波
    路をその外部の容器端子部分とその半導体チップ（１）
    に向かい合っている端部との間に１００オーム以下の波
    動インピーダンスで形成していることを特徴とする請求
    項１記載の容器。
  3. 【請求項３】 コプレーナの３本の帯状導体として形成
    されたシステムホルダ（２、３）の接地の役目をする外
    側導体（２）が１個又は複数個の高周波内側導体（３）
    よりも幅広であることを特徴とする請求項１又は２記載
    の容器。
  4. 【請求項４】 半導体チップ（１）が少なくとも３本の
    ボンディングワイヤ（４）により高周波端子ごとにシス
    テムホルダ（２、３）と接触化されていることを特徴と
    する請求項１ないし３の１つに記載の容器。
  5. 【請求項５】 コプレーナの３本の帯状導体として形成
    されたシステムホルダ（２、３）が直流電圧端子の役目
    をする補助導体（５）を有していることを特徴とする請
    求項１ないし４の１つに記載の容器。
  6. 【請求項６】 システムホルダ（２、３、５）の容器
    （６）から突出している導体端部が直線的に又は曲げて
    形成されていることを特徴とする請求項１ないし５の１
    つに記載の容器。
JP7050506A 1994-02-18 1995-02-15 半導体チップ用合成樹脂製ｓｍｄ容器 Withdrawn JPH07263581A (ja)

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AT94102492.9 1994-02-18

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FI950734A0 (fi) 1995-02-17
US5530285A (en) 1996-06-25
EP0668615A1 (de) 1995-08-23

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