JPH11275755A - アバランシェフォトダイオード保護回路を有する光受信回路 - Google Patents
アバランシェフォトダイオード保護回路を有する光受信回路Info
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- JPH11275755A JPH11275755A JP10070750A JP7075098A JPH11275755A JP H11275755 A JPH11275755 A JP H11275755A JP 10070750 A JP10070750 A JP 10070750A JP 7075098 A JP7075098 A JP 7075098A JP H11275755 A JPH11275755 A JP H11275755A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電源投入過程で、アバランシェフォトダイオ
ードの過電圧による破壊を防止した光受信回路を提供す
る。 【解決手段】 アバランシェフォトダイオードＡＰＤの
電圧供給用の電源ＶAPDのみが供給され、バイアス制御
回路用の電源Ｖcc、Ｖeeは供給されていない状態を検出
する回路Ｄａ、Ｄｂ又は、アバランシェフォトダイオー
ドに印加される電圧Ｖ１が過電圧であることを検出する
回路Ｒ６、Ｒ７、Ｒ９、Ｒ１０を光受信回路に付加し、
この回路による検出結果に基づいて保護回路ＰＲ１、Ｐ
Ｒ２、Ｔｒ２を動作させるようにする。
ードの過電圧による破壊を防止した光受信回路を提供す
る。 【解決手段】 アバランシェフォトダイオードＡＰＤの
電圧供給用の電源ＶAPDのみが供給され、バイアス制御
回路用の電源Ｖcc、Ｖeeは供給されていない状態を検出
する回路Ｄａ、Ｄｂ又は、アバランシェフォトダイオー
ドに印加される電圧Ｖ１が過電圧であることを検出する
回路Ｒ６、Ｒ７、Ｒ９、Ｒ１０を光受信回路に付加し、
この回路による検出結果に基づいて保護回路ＰＲ１、Ｐ
Ｒ２、Ｔｒ２を動作させるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電源投入過程又は
電源遮断時におけるアバランシェフォトダイオードの破
壊を防止するためのアバランシェフォトダイオード保護
回路を有する光受信回路に関する。
電源遮断時におけるアバランシェフォトダイオードの破
壊を防止するためのアバランシェフォトダイオード保護
回路を有する光受信回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１は従来の光受信回路の一例を示す回
路図である。図において、ＡＰＤはアバランシェフォト
ダイオード、ＯＰはオペアンプ、ＰＡはプリアンプ、Ｔ
ｒは制御用トランジスタである。アバランシェフォトダ
イオードＡＰＤのカソードは抵抗器Ｒ２及びＲ１を介し
てアバランシェフォトダイオード用の電源ＶAPD に接続
されており、アノードはプリアンプＰＡの入力に接続さ
れている。抵抗器Ｒ１とＲ２との接続点Ｖ１は制御用ト
ランジスタＴｒのコレクタに接続されているとともに抵
抗器Ｒ３及びＲ４を介して接地されている。抵抗器Ｒ３
とＲ４との接続点はオペアンプＯＰの非反転入力端子に
接続されており、その反転入力端子には基準電圧Ｖｒｅ
ｆが入力されている。オペアンプＯＰの電源はＶccとＶ
eeであり、アバランシェフォトダイオード用の電源ＶAP
D とは異なる。オペアンプＯＰの出力は制御用トランジ
スタＴｒのベースに接続されており、制御用トランジス
タＴｒのエミッタは抵抗器Ｒ５を介して接地されてい
る。
路図である。図において、ＡＰＤはアバランシェフォト
ダイオード、ＯＰはオペアンプ、ＰＡはプリアンプ、Ｔ
ｒは制御用トランジスタである。アバランシェフォトダ
イオードＡＰＤのカソードは抵抗器Ｒ２及びＲ１を介し
てアバランシェフォトダイオード用の電源ＶAPD に接続
されており、アノードはプリアンプＰＡの入力に接続さ
れている。抵抗器Ｒ１とＲ２との接続点Ｖ１は制御用ト
ランジスタＴｒのコレクタに接続されているとともに抵
抗器Ｒ３及びＲ４を介して接地されている。抵抗器Ｒ３
とＲ４との接続点はオペアンプＯＰの非反転入力端子に
接続されており、その反転入力端子には基準電圧Ｖｒｅ
ｆが入力されている。オペアンプＯＰの電源はＶccとＶ
eeであり、アバランシェフォトダイオード用の電源ＶAP
D とは異なる。オペアンプＯＰの出力は制御用トランジ
スタＴｒのベースに接続されており、制御用トランジス
タＴｒのエミッタは抵抗器Ｒ５を介して接地されてい
る。
【０００３】オペアンプＯＰと、制御用トランジスタＴ
ｒと、抵抗器Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５とは、アバランシェ
フォトダイオードＡＰＤの両端電圧を一定に保つための
バイアス制御回路を構成している。動作において、光信
号はアバランシェフォトダイオードＡＰＤにより電流に
変換され、次段に接続されたプリアンプＰＡにより電圧
に変換されて、信号出力となる。一方、上記バイアス制
御回路は、アバランシェフォトダイオードＡＰＤの増倍
率を最適にするために、アバランシェフォトダイオード
ＡＰＤの両端電圧を制御する。
ｒと、抵抗器Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５とは、アバランシェ
フォトダイオードＡＰＤの両端電圧を一定に保つための
バイアス制御回路を構成している。動作において、光信
号はアバランシェフォトダイオードＡＰＤにより電流に
変換され、次段に接続されたプリアンプＰＡにより電圧
に変換されて、信号出力となる。一方、上記バイアス制
御回路は、アバランシェフォトダイオードＡＰＤの増倍
率を最適にするために、アバランシェフォトダイオード
ＡＰＤの両端電圧を制御する。
【０００４】この制御の動作を説明する。抵抗Ｒ１を流
れる電流Ｉは Ｉ＝Ｉ１＋ＩAPD で示される。一方、接続点Ｖ１における電圧（やはりＶ
１で表す）は、 Ｖ１＝ＶAPD −（Ｒ１×Ｉ） で示され、先の式に代入すると、 Ｖ１＝ＶAPD −｛Ｒ１×（Ｉ１＋ＩAPD ）｝ で示される。
れる電流Ｉは Ｉ＝Ｉ１＋ＩAPD で示される。一方、接続点Ｖ１における電圧（やはりＶ
１で表す）は、 Ｖ１＝ＶAPD −（Ｒ１×Ｉ） で示され、先の式に代入すると、 Ｖ１＝ＶAPD −｛Ｒ１×（Ｉ１＋ＩAPD ）｝ で示される。
【０００５】接続点Ｖ１の電圧はＲ３とＲ４で分圧され
て、バイアス制御回路によりモニタされ、この電圧Ｖ１
が設定された電圧Ｖｒｅｆと同じになるように電流Ｉ１
を制御することで接続点Ｖ１の電圧が安定化する。これ
によりアバランシェフォトダイオードＡＰＤの両端電圧
は最適値に安定化する。
て、バイアス制御回路によりモニタされ、この電圧Ｖ１
が設定された電圧Ｖｒｅｆと同じになるように電流Ｉ１
を制御することで接続点Ｖ１の電圧が安定化する。これ
によりアバランシェフォトダイオードＡＰＤの両端電圧
は最適値に安定化する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】電圧電圧の投入過程に
おいて、バイアス制御回路の電源電圧Ｖｃｃ及びＶｅｅ
を投入する前にアバランシェフォトダイオード用の電源
電圧ＶAPD のみが供給された場合を考えると、この状態
ではバイアス制御回路内の制御用トランジスタＴｒはオ
ンにならないので、抵抗器Ｒ１を流れる電流Ｉはほぼ零
である。アバランシェフォトダイオードＡＰＤを流れる
電流ＩAPD が零とすると、アバランシェフォトダイオー
ドＡＰＤには電源電圧ＶAPD がそのまま印加され、その
結果ブレークダウン電圧を越える電圧がアバランシェフ
ォトダイオードＡＰＤに加わりアバランシェフォトダイ
オードＡＰＤが破壊されるという問題がある。
おいて、バイアス制御回路の電源電圧Ｖｃｃ及びＶｅｅ
を投入する前にアバランシェフォトダイオード用の電源
電圧ＶAPD のみが供給された場合を考えると、この状態
ではバイアス制御回路内の制御用トランジスタＴｒはオ
ンにならないので、抵抗器Ｒ１を流れる電流Ｉはほぼ零
である。アバランシェフォトダイオードＡＰＤを流れる
電流ＩAPD が零とすると、アバランシェフォトダイオー
ドＡＰＤには電源電圧ＶAPD がそのまま印加され、その
結果ブレークダウン電圧を越える電圧がアバランシェフ
ォトダイオードＡＰＤに加わりアバランシェフォトダイ
オードＡＰＤが破壊されるという問題がある。
【０００７】本発明の目的は、アバランシェフォトダイ
オードを含む光受信回路において、電源電圧の投入過程
において、バイアス制御回路の電源電圧Ｖｃｃ及びＶｅ
ｅを投入する前にアバランシェフォトダイオード用の電
源電圧ＶAPD のみが供給された場合のアバランシェフォ
トダイオードの破壊を防止するためのアバランシェフォ
トダイオード保護回路を有する光受信回路を提供するこ
とにある。
オードを含む光受信回路において、電源電圧の投入過程
において、バイアス制御回路の電源電圧Ｖｃｃ及びＶｅ
ｅを投入する前にアバランシェフォトダイオード用の電
源電圧ＶAPD のみが供給された場合のアバランシェフォ
トダイオードの破壊を防止するためのアバランシェフォ
トダイオード保護回路を有する光受信回路を提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】電源電圧の投入過程にお
いてアバランシェフォトダイオードＡＰＤの電圧供給用
の電源のみが供給され、バイアス制御回路用の電源は供
給されていない状態でのみ上記問題が発生することに鑑
み、上記目的を達成するために、本発明により、この状
態を検出する回路又は、アバランシェフォトダイオード
ＡＰＤに印加される電圧が過電圧であることを検出する
回路を光受信回路に付加し、この回路による検出結果に
基づいて保護回路を動作させるようにする。
いてアバランシェフォトダイオードＡＰＤの電圧供給用
の電源のみが供給され、バイアス制御回路用の電源は供
給されていない状態でのみ上記問題が発生することに鑑
み、上記目的を達成するために、本発明により、この状
態を検出する回路又は、アバランシェフォトダイオード
ＡＰＤに印加される電圧が過電圧であることを検出する
回路を光受信回路に付加し、この回路による検出結果に
基づいて保護回路を動作させるようにする。
【０００９】そのために、本発明の一態様により提供さ
れるものは、アバランシェフォトダイオードと、アバラ
ンシェフォトダイオードの両端電圧を動作時に一定に保
つバイアス制御回路とを含む光受信回路において、バイ
アス制御回路への電源供給過渡時又は電源遮断時でのア
バランシェフォトダイオードへの過電圧の印加を防止す
るアバランシェフォトダイオード保護回路を具備するこ
とを特徴とする、アバランシェフォトダイオード保護回
路を有する光受信回路である。
れるものは、アバランシェフォトダイオードと、アバラ
ンシェフォトダイオードの両端電圧を動作時に一定に保
つバイアス制御回路とを含む光受信回路において、バイ
アス制御回路への電源供給過渡時又は電源遮断時でのア
バランシェフォトダイオードへの過電圧の印加を防止す
るアバランシェフォトダイオード保護回路を具備するこ
とを特徴とする、アバランシェフォトダイオード保護回
路を有する光受信回路である。
【００１０】アバランシェフォトダイオード保護回路
は、アバランシェフォトダイオードのカソードとアース
との間に接続されており、且つ、アバランシェフォトダ
イオードの両端電圧がアバランシェフォトダイオードの
ブレークダウン電圧以上のときに導通する電流パスを備
えていることが好ましい。上記電流パスは、アバランシ
ェフォトダイオードのカソードとアースとの間に接続さ
れたツエナーダイオードを備えており、アバランシェフ
ォトダイオードの両端電圧がアバランシェフォトダイオ
ードのブレークダウン電圧以上のときにツエナーダイオ
ードが導通するように構成されていることが好ましい。
は、アバランシェフォトダイオードのカソードとアース
との間に接続されており、且つ、アバランシェフォトダ
イオードの両端電圧がアバランシェフォトダイオードの
ブレークダウン電圧以上のときに導通する電流パスを備
えていることが好ましい。上記電流パスは、アバランシ
ェフォトダイオードのカソードとアースとの間に接続さ
れたツエナーダイオードを備えており、アバランシェフ
ォトダイオードの両端電圧がアバランシェフォトダイオ
ードのブレークダウン電圧以上のときにツエナーダイオ
ードが導通するように構成されていることが好ましい。
【００１１】これに替えて、上記電流パスは、アバラン
シェフォトダイオードのカソードとアースにコレクタと
エミッタが接続されたトランジスタを備えており、アバ
ランシェフォトダイオードの両端電圧がアバランシェフ
ォトダイオードのブレークダウン電圧以上のときにトラ
ンジスタが導通するように構成されていてもよい。上記
バイアス制御回路は、アバランシェフォトダイオードの
両端電圧を基準レベルと比較する演算増幅器と、演算増
幅器の出力が基準レベル以上のときオンになる制御用ト
ランジスタとを備え、電流パスはこの制御用トランジス
タを含んでおり、アバランシェフォトダイオードの両端
電圧がアバランシェフォトダイオードのブレークダウン
電圧以上のときに制御用トランジスタが導通するように
構成されていてもよい。
シェフォトダイオードのカソードとアースにコレクタと
エミッタが接続されたトランジスタを備えており、アバ
ランシェフォトダイオードの両端電圧がアバランシェフ
ォトダイオードのブレークダウン電圧以上のときにトラ
ンジスタが導通するように構成されていてもよい。上記
バイアス制御回路は、アバランシェフォトダイオードの
両端電圧を基準レベルと比較する演算増幅器と、演算増
幅器の出力が基準レベル以上のときオンになる制御用ト
ランジスタとを備え、電流パスはこの制御用トランジス
タを含んでおり、アバランシェフォトダイオードの両端
電圧がアバランシェフォトダイオードのブレークダウン
電圧以上のときに制御用トランジスタが導通するように
構成されていてもよい。
【００１２】アバランシェフォトダイオード保護回路
は、バイアス制御回路の電源のオフを監視する手段と、
バイアス制御回路の電源がオフのときに導通するトラン
ジスタとを備え、そのトランジスタのコレクタとエミッ
タはアバランシェフォトダイオードのカソードとアース
に接続されていてもよい。アバランシェフォトダイオー
ド保護回路は、バイアス制御回路の電源のオフを監視す
る手段と、バイアス制御回路の電源がオフのときにバイ
アス制御回路の電流制御部に電流を流す手段とを備えて
いてもよい。
は、バイアス制御回路の電源のオフを監視する手段と、
バイアス制御回路の電源がオフのときに導通するトラン
ジスタとを備え、そのトランジスタのコレクタとエミッ
タはアバランシェフォトダイオードのカソードとアース
に接続されていてもよい。アバランシェフォトダイオー
ド保護回路は、バイアス制御回路の電源のオフを監視す
る手段と、バイアス制御回路の電源がオフのときにバイ
アス制御回路の電流制御部に電流を流す手段とを備えて
いてもよい。
【００１３】本発明の他の態様によれば、アバランシェ
フォトダイオードと、アバランシェフォトダイオードの
両端電圧を動作時に一定に保つバイアス制御回路とを含
む光受信回路において、バイアス制御回路の電源は、ア
バランシェフォトダイオード用の電源と共用であり、バ
イアス制御回路は、バイアス制御回路とアバランシェフ
ォトダイオードとの接続点の電圧を基準値と比較するこ
とにより接続点の電圧を安定化するための電圧フィード
バック回路であることを特徴とする、アバランシェフォ
トダイオード保護回路を有する光受信回路が提供され
る。
フォトダイオードと、アバランシェフォトダイオードの
両端電圧を動作時に一定に保つバイアス制御回路とを含
む光受信回路において、バイアス制御回路の電源は、ア
バランシェフォトダイオード用の電源と共用であり、バ
イアス制御回路は、バイアス制御回路とアバランシェフ
ォトダイオードとの接続点の電圧を基準値と比較するこ
とにより接続点の電圧を安定化するための電圧フィード
バック回路であることを特徴とする、アバランシェフォ
トダイオード保護回路を有する光受信回路が提供され
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面によ
り説明する。実施例１ 図２は本発明の第１の実施例による光受信回路を示す回
路図である。同図において、図１と同一部分には同一の
参照符号を付してある。図１との相違は、図２において
は、アバランシェフォトダイオードＡＰＤに並列にツエ
ナーダイオードＤ１が接続されていることである。即
ち、ツエナーダイオードＤ１のカソードはアバランシェ
フォトダイオードＡＰＤのカソードに接続されており、
ツエナーダイオードＤ１のアノードは接地されている。
この並列接続されたツエナーダイオードがアバランシェ
フォトダイオード保護回路ＰＲ１を構成している。
り説明する。実施例１ 図２は本発明の第１の実施例による光受信回路を示す回
路図である。同図において、図１と同一部分には同一の
参照符号を付してある。図１との相違は、図２において
は、アバランシェフォトダイオードＡＰＤに並列にツエ
ナーダイオードＤ１が接続されていることである。即
ち、ツエナーダイオードＤ１のカソードはアバランシェ
フォトダイオードＡＰＤのカソードに接続されており、
ツエナーダイオードＤ１のアノードは接地されている。
この並列接続されたツエナーダイオードがアバランシェ
フォトダイオード保護回路ＰＲ１を構成している。
【００１５】このツエナーダイオードＤ１としては、ブ
レークダウン電圧がアバランシェフォトダイオードＡＰ
Ｄのブレークダウン電圧以上のものを用いる。また、ツ
エナーダイオードＤ１のブレークダウン電圧はバイアス
制御回路Ｂにより保持されるアバランシェフォトダイオ
ードＡＰＤの両端電圧より高い電圧にした。動作におい
て、アバランシェフォトダイオードＡＰＤに供給用の電
圧、例えば、８５Ｖのみが供給され、バイアス制御回路
Ｂのための電圧Ｖcc及びＶeeは供給されていない過渡状
態では、バイアス制御回路Ｂへの電流Ｉｍが零なので抵
抗器Ｒ１には電流が流れず、したがって抵抗器Ｒ１とＲ
２との接続点の電圧Ｖ１は電源電圧ＶAPD （例えば８５
Ｖ）に近くなろうとする。しかし、本発明の実施例によ
りツエナーダイオードＤ１を設けたので、抵抗器Ｒ１、
Ｒ２及びツエナーダイオードＤ１を通して電源（やはり
ＶAPD で表わす）から接地に電流が流れる。この結果、
接続点Ｖ１の電圧は下がるので、アバランシェフォトダ
イオードＡＰＤの両端電圧によりアバランシェフォトダ
イオードＡＰＤが破壊されることはない。
レークダウン電圧がアバランシェフォトダイオードＡＰ
Ｄのブレークダウン電圧以上のものを用いる。また、ツ
エナーダイオードＤ１のブレークダウン電圧はバイアス
制御回路Ｂにより保持されるアバランシェフォトダイオ
ードＡＰＤの両端電圧より高い電圧にした。動作におい
て、アバランシェフォトダイオードＡＰＤに供給用の電
圧、例えば、８５Ｖのみが供給され、バイアス制御回路
Ｂのための電圧Ｖcc及びＶeeは供給されていない過渡状
態では、バイアス制御回路Ｂへの電流Ｉｍが零なので抵
抗器Ｒ１には電流が流れず、したがって抵抗器Ｒ１とＲ
２との接続点の電圧Ｖ１は電源電圧ＶAPD （例えば８５
Ｖ）に近くなろうとする。しかし、本発明の実施例によ
りツエナーダイオードＤ１を設けたので、抵抗器Ｒ１、
Ｒ２及びツエナーダイオードＤ１を通して電源（やはり
ＶAPD で表わす）から接地に電流が流れる。この結果、
接続点Ｖ１の電圧は下がるので、アバランシェフォトダ
イオードＡＰＤの両端電圧によりアバランシェフォトダ
イオードＡＰＤが破壊されることはない。
【００１６】バイアス制御回路Ｂに電源電圧Ｖｃｃ及び
Ｖｅｅが投入されると、接続点Ｖ１の電圧はツエナーナ
イオードＤ１のブレークダウン電圧より低い電圧に安定
化されるので、ツエナーダイオードＤ１はオフし、通常
の光受信回路として動作する。実施例２ 図３は本発明の第２の実施例による光受信回路を示す回
路図である。図２との相違点は、図２におけるアバラン
シェフォトダイオード保護回路ＰＲ１に替えて、図３に
おいてはアバランシェフォトダイオード保護回路ＰＲ２
が用いられていることである。アバランシェフォトダイ
オード保護回路ＰＲ２は、トランジスタＴｒ２と抵抗器
Ｒ６及びＲ７からなっている。トランジスタＴｒ２のコ
レクタは接続点Ｖ１に接続されており、エミッタは接地
されている。接続点Ｖ１と接地との間に抵抗器Ｒ６とＲ
７が直列接続されている。抵抗器Ｒ６とＲ７の接続点は
トランジスタＴｒ２のベースに接続されている。抵抗器
Ｒ６及びＲ７の抵抗値は、アバランシェフォトダイオー
ドＡＰＤのバイアス電圧がアバランシェフォトダイオー
ドＡＰＤのブレークダウン電圧以上になるとトランジス
タＴｒ２がオンになるような値に設定されている。
Ｖｅｅが投入されると、接続点Ｖ１の電圧はツエナーナ
イオードＤ１のブレークダウン電圧より低い電圧に安定
化されるので、ツエナーダイオードＤ１はオフし、通常
の光受信回路として動作する。実施例２ 図３は本発明の第２の実施例による光受信回路を示す回
路図である。図２との相違点は、図２におけるアバラン
シェフォトダイオード保護回路ＰＲ１に替えて、図３に
おいてはアバランシェフォトダイオード保護回路ＰＲ２
が用いられていることである。アバランシェフォトダイ
オード保護回路ＰＲ２は、トランジスタＴｒ２と抵抗器
Ｒ６及びＲ７からなっている。トランジスタＴｒ２のコ
レクタは接続点Ｖ１に接続されており、エミッタは接地
されている。接続点Ｖ１と接地との間に抵抗器Ｒ６とＲ
７が直列接続されている。抵抗器Ｒ６とＲ７の接続点は
トランジスタＴｒ２のベースに接続されている。抵抗器
Ｒ６及びＲ７の抵抗値は、アバランシェフォトダイオー
ドＡＰＤのバイアス電圧がアバランシェフォトダイオー
ドＡＰＤのブレークダウン電圧以上になるとトランジス
タＴｒ２がオンになるような値に設定されている。
【００１７】動作において、アバランシェフォトダイオ
ードＡＰＤに供給用の電圧ＶAPD のみが供給され、バイ
アス制御回路Ｂのための電圧Ｖcc及びＶeeは供給されて
いない過渡状態では、バイアス制御回路Ｂへの電流Ｉｍ
が零なので抵抗器Ｒ１には電流が流れず、したがって抵
抗器Ｒ１とＲ２との接続点の電圧Ｖ１はアバランシェフ
ォトダイオードＡＰＤへの供給用の電圧ＶAPD に近くな
ろうとする。しかし、本発明の実施例によりアバランシ
ェフォトダイオード保護回路ＰＲ２を設けたので、トラ
ンジスタＴｒ２がオンになり、ＶAPD から抵抗器Ｒ１及
びトランジスタＴｒ２を介して接地に電流が流れる。こ
の結果、接続点Ｖ１の電圧は下がるので、アバランシェ
フォトダイオードＡＰＤの両端電圧によりアバランシェ
フォトダイオードＡＰＤが破壊されることはない。
ードＡＰＤに供給用の電圧ＶAPD のみが供給され、バイ
アス制御回路Ｂのための電圧Ｖcc及びＶeeは供給されて
いない過渡状態では、バイアス制御回路Ｂへの電流Ｉｍ
が零なので抵抗器Ｒ１には電流が流れず、したがって抵
抗器Ｒ１とＲ２との接続点の電圧Ｖ１はアバランシェフ
ォトダイオードＡＰＤへの供給用の電圧ＶAPD に近くな
ろうとする。しかし、本発明の実施例によりアバランシ
ェフォトダイオード保護回路ＰＲ２を設けたので、トラ
ンジスタＴｒ２がオンになり、ＶAPD から抵抗器Ｒ１及
びトランジスタＴｒ２を介して接地に電流が流れる。こ
の結果、接続点Ｖ１の電圧は下がるので、アバランシェ
フォトダイオードＡＰＤの両端電圧によりアバランシェ
フォトダイオードＡＰＤが破壊されることはない。
【００１８】バイアス制御回路Ｂに電源電圧Ｖｃｃ及び
Ｖｅｅが投入されると、バイアス制御回路Ｂの作用によ
り接続点Ｖ１の電圧はトランジスタＴｒ２をオンさせる
電圧より低い電圧に安定化されるので、トランジスタＴ
ｒ２はオフし、通常の光受信回路として動作する。実施例３ 図４は本発明の第３の実施例による光受信回路を示す回
路図である。図２との相違点は、図２におけるアバラン
シェフォトダイオード保護回路ＰＲ１を設けずに、図４
においてはバイアス制御回路Ｂａの構成を図２のバイア
ス制御回路Ｂと若干異ならしめたことである。即ち、図
４においては、バイアス制御回路Ｂａは、図２のバイア
ス制御回路Ｂ内の構成要素に加えて、抵抗器Ｒ８、Ｒ
９、及びＲ１０と、ダイオードＤ２及びＤ３とを備えて
いる。抵抗器Ｒ９及びＲ１０は接続点Ｖ１と接地の間に
直列接続されている。ダイオードＤ２のアノードは抵抗
Ｒ９とＲ１０との接続点に接続されている。ダイオード
Ｄ２のカソードはトランジスタＴｒ１のベースに接続さ
れているとともに抵抗器Ｒ５を介して接地されている。
ダイオードＤ３のアノードはオペアンプＯＰの出力に接
続されており、カソードは制御用トランジスタＴｒ１の
ベースに接続されている。したがって制御用トランジス
タＴｒ１のベースには、ダイオードＤ２のカソードの電
位とダイオードＤ３のカソードの電位とのワイヤードＯ
Ｒが入力される。抵抗器Ｒ９及びＲ１０の抵抗値は、ア
バランシェフォトダイオードＡＰＤのバイアス電圧、即
ち、抵抗器Ｒ１とＲ２との接続点Ｖ１の電圧がアバラン
シェフォトダイオードＡＰＤのブレークダウン電圧以上
になるとバイアス制御回路Ｂａ内の制御用トランジスタ
Ｔｒ１がオンになるような値に設定されている。こうし
て、抵抗器Ｒ９、Ｒ１０、ダイオードＤ２、ダイオード
Ｄ３、制御用トランジスタＴｒ１、及び抵抗器Ｒ５はア
バランシェフォトダイオード保護回路を形成している。
Ｖｅｅが投入されると、バイアス制御回路Ｂの作用によ
り接続点Ｖ１の電圧はトランジスタＴｒ２をオンさせる
電圧より低い電圧に安定化されるので、トランジスタＴ
ｒ２はオフし、通常の光受信回路として動作する。実施例３ 図４は本発明の第３の実施例による光受信回路を示す回
路図である。図２との相違点は、図２におけるアバラン
シェフォトダイオード保護回路ＰＲ１を設けずに、図４
においてはバイアス制御回路Ｂａの構成を図２のバイア
ス制御回路Ｂと若干異ならしめたことである。即ち、図
４においては、バイアス制御回路Ｂａは、図２のバイア
ス制御回路Ｂ内の構成要素に加えて、抵抗器Ｒ８、Ｒ
９、及びＲ１０と、ダイオードＤ２及びＤ３とを備えて
いる。抵抗器Ｒ９及びＲ１０は接続点Ｖ１と接地の間に
直列接続されている。ダイオードＤ２のアノードは抵抗
Ｒ９とＲ１０との接続点に接続されている。ダイオード
Ｄ２のカソードはトランジスタＴｒ１のベースに接続さ
れているとともに抵抗器Ｒ５を介して接地されている。
ダイオードＤ３のアノードはオペアンプＯＰの出力に接
続されており、カソードは制御用トランジスタＴｒ１の
ベースに接続されている。したがって制御用トランジス
タＴｒ１のベースには、ダイオードＤ２のカソードの電
位とダイオードＤ３のカソードの電位とのワイヤードＯ
Ｒが入力される。抵抗器Ｒ９及びＲ１０の抵抗値は、ア
バランシェフォトダイオードＡＰＤのバイアス電圧、即
ち、抵抗器Ｒ１とＲ２との接続点Ｖ１の電圧がアバラン
シェフォトダイオードＡＰＤのブレークダウン電圧以上
になるとバイアス制御回路Ｂａ内の制御用トランジスタ
Ｔｒ１がオンになるような値に設定されている。こうし
て、抵抗器Ｒ９、Ｒ１０、ダイオードＤ２、ダイオード
Ｄ３、制御用トランジスタＴｒ１、及び抵抗器Ｒ５はア
バランシェフォトダイオード保護回路を形成している。
【００１９】動作において、アバランシェフォトダイオ
ードＡＰＤに供給用の電圧ＶAPD のみが供給され、バイ
アス制御回路Ｂのための電圧Ｖcc及びＶeeは供給されて
いない過渡状態では、バイアス制御回路Ｂへの電流Ｉｍ
が零なので抵抗器Ｒ１には電流が流れず、したがって抵
抗器Ｒ１とＲ２との接続点の電圧Ｖ１はアバランシェフ
ォトダイオードＡＰＤへの供給用の電圧ＶAPD に近くな
ろうとする。しかし、本発明の実施例により接続点Ｖ１
の電圧がアバランシェフォトダイオードＡＰＤのブレー
クダウン電圧以上になると抵抗器Ｒ９、Ｒ１０で分圧さ
れた電圧をダイオードＤ２を介して制御用トランジスタ
Ｔｒ１のベースに接続する経路でトランジスタＴｒ１が
オンになるように抵抗器Ｒ９、Ｒ１０の抵抗値を定め、
その時のベース電圧と抵抗器Ｒ５によって、トランジス
タＴｒ１がオン時の電流Ｉを流すように設定すると、ア
バランシェフォトダイオード用の電源ＶAPD から、抵抗
器Ｒ１、制御用トランジスタＴｒ１、及び抵抗器Ｒ５を
介して電流が流れ、その結果接続点Ｖ１の電圧はＲ１×
Ｉだけ電圧降下する。したがって、アバランシェフォト
ダイオードＡＰＤの両端電圧によりアバランシェフォト
ダイオードＡＰＤが破壊されることはない。
ードＡＰＤに供給用の電圧ＶAPD のみが供給され、バイ
アス制御回路Ｂのための電圧Ｖcc及びＶeeは供給されて
いない過渡状態では、バイアス制御回路Ｂへの電流Ｉｍ
が零なので抵抗器Ｒ１には電流が流れず、したがって抵
抗器Ｒ１とＲ２との接続点の電圧Ｖ１はアバランシェフ
ォトダイオードＡＰＤへの供給用の電圧ＶAPD に近くな
ろうとする。しかし、本発明の実施例により接続点Ｖ１
の電圧がアバランシェフォトダイオードＡＰＤのブレー
クダウン電圧以上になると抵抗器Ｒ９、Ｒ１０で分圧さ
れた電圧をダイオードＤ２を介して制御用トランジスタ
Ｔｒ１のベースに接続する経路でトランジスタＴｒ１が
オンになるように抵抗器Ｒ９、Ｒ１０の抵抗値を定め、
その時のベース電圧と抵抗器Ｒ５によって、トランジス
タＴｒ１がオン時の電流Ｉを流すように設定すると、ア
バランシェフォトダイオード用の電源ＶAPD から、抵抗
器Ｒ１、制御用トランジスタＴｒ１、及び抵抗器Ｒ５を
介して電流が流れ、その結果接続点Ｖ１の電圧はＲ１×
Ｉだけ電圧降下する。したがって、アバランシェフォト
ダイオードＡＰＤの両端電圧によりアバランシェフォト
ダイオードＡＰＤが破壊されることはない。
【００２０】バイアス制御回路Ｂに電源電圧Ｖｃｃ及び
Ｖｅｅが投入されると、バイアス制御回路Ｂａの作用に
より接続点Ｖ１の電圧は制御用トランジスタＴｒ１をオ
ンさせる電圧より低い電圧に安定化されるので、制御用
トランジスタＴｒ１はオフし、通常の光受信回路として
動作する。実施例４ 図５は本発明の第４の実施例による光受信回路を示す回
路図であり、図３に示した実施例の改良である。図３と
の相違点は、図３における抵抗器Ｒ６及びＲ７による抵
抗分割回路に替えて、図５においてはバイアス制御回路
のＶｃｃ電源投入判定回路ＤａとＶｅｅ電源投入判定回
路Ｄｂとを設けたことである。即ち、図５において、Ｖ
ｃｃ電源投入回路Ｄａは比較器ＣＯＭＰ１と、ダイオー
ドＤ５１及びＤ５２と、抵抗器Ｒ５１とを備えており、
Ｖｅｅ電源投入回路Ｄｂは比較器ＣＯＭＰ２と、ダイオ
ードＤ５３と、抵抗器Ｒ５２及びＲ５３とを備えてい
る。
Ｖｅｅが投入されると、バイアス制御回路Ｂａの作用に
より接続点Ｖ１の電圧は制御用トランジスタＴｒ１をオ
ンさせる電圧より低い電圧に安定化されるので、制御用
トランジスタＴｒ１はオフし、通常の光受信回路として
動作する。実施例４ 図５は本発明の第４の実施例による光受信回路を示す回
路図であり、図３に示した実施例の改良である。図３と
の相違点は、図３における抵抗器Ｒ６及びＲ７による抵
抗分割回路に替えて、図５においてはバイアス制御回路
のＶｃｃ電源投入判定回路ＤａとＶｅｅ電源投入判定回
路Ｄｂとを設けたことである。即ち、図５において、Ｖ
ｃｃ電源投入回路Ｄａは比較器ＣＯＭＰ１と、ダイオー
ドＤ５１及びＤ５２と、抵抗器Ｒ５１とを備えており、
Ｖｅｅ電源投入回路Ｄｂは比較器ＣＯＭＰ２と、ダイオ
ードＤ５３と、抵抗器Ｒ５２及びＲ５３とを備えてい
る。
【００２１】両比較器ＣＯＰＭ１及びＣＯＰＭ２に供給
される電源は、アバランシェフォトダイオード用の電源
ＶAPD であり、その正電極は抵抗器Ｒ５１を介してそれ
ぞれの比較器に接続されている。抵抗器Ｒ５１と並列に
逆流防止用のダイオードＤ５２が接続されている。比較
器ＣＯＰＭ１の反転入力端子にはバイアス制御回路Ｂの
正電源Ｖｃｃの正電極が接続されており、非反転入力端
子には基準電圧ｒｅｆ５１が入力される。比較器ＣＯＰ
Ｍ１の出力はダイオードＤ５１を介してトランジスタＴ
ｒ２のベースに接続されている。同様に、比較器ＣＯＰ
Ｍ２の反転入力端子にはバイアス制御回路Ｂの電源Ｖｅ
ｅの負電極が接続されており、非反転入力端子には基準
電圧ｒｅｆ５２が入力される。比較器ＣＯＰＭ１の出力
はダイオードＤ５３を介してトランジスタＴｒ２のベー
スに接続されている。
される電源は、アバランシェフォトダイオード用の電源
ＶAPD であり、その正電極は抵抗器Ｒ５１を介してそれ
ぞれの比較器に接続されている。抵抗器Ｒ５１と並列に
逆流防止用のダイオードＤ５２が接続されている。比較
器ＣＯＰＭ１の反転入力端子にはバイアス制御回路Ｂの
正電源Ｖｃｃの正電極が接続されており、非反転入力端
子には基準電圧ｒｅｆ５１が入力される。比較器ＣＯＰ
Ｍ１の出力はダイオードＤ５１を介してトランジスタＴ
ｒ２のベースに接続されている。同様に、比較器ＣＯＰ
Ｍ２の反転入力端子にはバイアス制御回路Ｂの電源Ｖｅ
ｅの負電極が接続されており、非反転入力端子には基準
電圧ｒｅｆ５２が入力される。比較器ＣＯＰＭ１の出力
はダイオードＤ５３を介してトランジスタＴｒ２のベー
スに接続されている。
【００２２】動作において、バイアス制御回路Ｂの電源
であるＶｃｃ及びＶｅｅが基準値ｒｅｆに達しているか
をＶｃｃ電源投入判定回路ＤａとＶｅｅ電源投入判定回
路Ｄｂとでそれぞれ判定する。Ｖｃｃ電源がオフの時は
比較器ＣＯＰＭ１の出力は“Ｈ”レベルとなり、Ｖｃｃ
電源がオンの時は比較器ＣＯＰＭ１の出力は“Ｌ”レベ
ルとなる。また、Ｖｅｅ電源がオフの時は比較器ＣＯＰ
Ｍ２の出力は“Ｈ”レベルとなり、Ｖｅｅ電源がオンの
時は比較器ＣＯＰＭ１の出力は“Ｌ”レベルとなる。ダ
イオードＯＲとなる点Ｖ５が“Ｌ”となるのは、比較器
ＣＯＭＰ１及びＣＯＰＭ２の出力が共に“Ｌ”レベルの
とき、即ち、Ｖｃｃ電源及びＶｅｅ電源が共にオンの時
である。この時は、バイアス制御回路Ｂが動作している
ので点Ｖ１の電圧は低い値に安定化されていてアバラン
シェフォトダイオードＡＰＤを破壊するおそれがない。
したがって、トランジスタＴｒ２はオフとなる。一方、
Ｖｃｃ電源及びＶｅｅ電源の少なくとも一方がオフの時
は、ダイオードＯＲの点Ｖ５は“Ｈ”レベルとなってト
ランジスタＴｒ２がオンになり、アバランシェフォトダ
イオード用の電源ＶAPD から、抵抗器Ｒ１及びトランジ
スタＴｒ２を介して電流が流れ、その結果、接続点Ｖ１
の電圧はＲ１×Ｉだけ電圧降下する。したがって、アバ
ランシェフォトダイオードＡＰＤの両端電圧によりアバ
ランシェフォトダイオードＡＰＤが破壊されることはな
い。実施例５ 図６は本発明の第５の実施例による光受信回路を示す回
路図であり、図４に示した実施例の改良である。図４と
の相違点は、図４における抵抗器Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０
とダイオードＤ２とによる回路に替えて、図５に示した
Ｖｃｃ電源投入判定回路Ｄａ及びＶｅｅ電源投入判定回
路Ｄｂからなる電源投入判定回路ＤｃのダイオードＯＲ
の出力点Ｖ５とダイオードＤ３のカソードとをワイヤー
ドＯＲによりバイアス制御回路Ｂｂ内の制御用トランジ
スタＴｒ１のベースに接続したことである。
であるＶｃｃ及びＶｅｅが基準値ｒｅｆに達しているか
をＶｃｃ電源投入判定回路ＤａとＶｅｅ電源投入判定回
路Ｄｂとでそれぞれ判定する。Ｖｃｃ電源がオフの時は
比較器ＣＯＰＭ１の出力は“Ｈ”レベルとなり、Ｖｃｃ
電源がオンの時は比較器ＣＯＰＭ１の出力は“Ｌ”レベ
ルとなる。また、Ｖｅｅ電源がオフの時は比較器ＣＯＰ
Ｍ２の出力は“Ｈ”レベルとなり、Ｖｅｅ電源がオンの
時は比較器ＣＯＰＭ１の出力は“Ｌ”レベルとなる。ダ
イオードＯＲとなる点Ｖ５が“Ｌ”となるのは、比較器
ＣＯＭＰ１及びＣＯＰＭ２の出力が共に“Ｌ”レベルの
とき、即ち、Ｖｃｃ電源及びＶｅｅ電源が共にオンの時
である。この時は、バイアス制御回路Ｂが動作している
ので点Ｖ１の電圧は低い値に安定化されていてアバラン
シェフォトダイオードＡＰＤを破壊するおそれがない。
したがって、トランジスタＴｒ２はオフとなる。一方、
Ｖｃｃ電源及びＶｅｅ電源の少なくとも一方がオフの時
は、ダイオードＯＲの点Ｖ５は“Ｈ”レベルとなってト
ランジスタＴｒ２がオンになり、アバランシェフォトダ
イオード用の電源ＶAPD から、抵抗器Ｒ１及びトランジ
スタＴｒ２を介して電流が流れ、その結果、接続点Ｖ１
の電圧はＲ１×Ｉだけ電圧降下する。したがって、アバ
ランシェフォトダイオードＡＰＤの両端電圧によりアバ
ランシェフォトダイオードＡＰＤが破壊されることはな
い。実施例５ 図６は本発明の第５の実施例による光受信回路を示す回
路図であり、図４に示した実施例の改良である。図４と
の相違点は、図４における抵抗器Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０
とダイオードＤ２とによる回路に替えて、図５に示した
Ｖｃｃ電源投入判定回路Ｄａ及びＶｅｅ電源投入判定回
路Ｄｂからなる電源投入判定回路ＤｃのダイオードＯＲ
の出力点Ｖ５とダイオードＤ３のカソードとをワイヤー
ドＯＲによりバイアス制御回路Ｂｂ内の制御用トランジ
スタＴｒ１のベースに接続したことである。
【００２３】動作において、図５の場合と同様に、ダイ
オードＯＲとなる点Ｖ５が“Ｌ”となるのは、比較器Ｃ
ＯＭＰ１及びＣＯＰＭ２の出力が共に“Ｌ”レベルのと
き、即ち、Ｖｃｃ電源及びＶｅｅ電源が共にオンの時で
ある。この時は、トランジスタＴｒ１のベースに接続さ
れている点Ｖ６の電位はダイオードＤ３の出力のみによ
り決まり、したがってバイアス制御回路Ｂが動作してい
るので点Ｖ１の電圧は低い値に安定化されていてアバラ
ンシェフォトダイオードＡＰＤを破壊するおそれがな
い。一方、Ｖｃｃ電源及びＶｅｅ電源の少なくとも一方
がオフの時は、ダイオードＯＲの点Ｖ５は“Ｈ”レベル
となるので、ワイヤードＯＲの点Ｖ６も“Ｈ”レベルと
なりトランジスタＴｒ１がオンになる。この結果、アバ
ランシェフォトダイオード用の電源ＶAPD から、抵抗器
Ｒ１及びトランジスタＴｒ２を介して電流が流れ、接続
点Ｖ１の電圧はＲ１×Ｉだけ電圧降下する。したがっ
て、アバランシェフォトダイオードＡＰＤの両端電圧に
よりアバランシェフォトダイオードＡＰＤが破壊される
ことはない。実施例６ 図７は本発明の第６の実施例による光受信回路を示す回
路図である。この実施例では、アバランシェフォトダイ
オード用の電源ＶAPD と、トランジスタＴｒ３と比較器
ＣＯＭＰとで電圧源ＶＳを構成し、この電圧源ＶＳをバ
イアス制御回路として用いる。即ち、電圧源ＶＳと抵抗
器Ｒ２との接続点Ｖ１は比較器ＣＯＭＰの反転入力端子
に接続されており、非反転入力端子には基準電圧ｒｅｆ
が入力される。比較器ＣＯＭＰの出力はトランジスタＴ
ｒ３のベースに接続されており、トランジスタＴｒ３の
コレクタはアバランシェフォトダイオード用電源ＶAPD
の正電極に接続されており、エミッタは接続点Ｖ１に接
続されている。接続点Ｖ１は抵抗器Ｒ２を介してアバラ
ンシェフォトダイオードＡＰＤのカソードに接続されて
おり、そのアノードはプリアンプＰＡに接続されてい
る。
オードＯＲとなる点Ｖ５が“Ｌ”となるのは、比較器Ｃ
ＯＭＰ１及びＣＯＰＭ２の出力が共に“Ｌ”レベルのと
き、即ち、Ｖｃｃ電源及びＶｅｅ電源が共にオンの時で
ある。この時は、トランジスタＴｒ１のベースに接続さ
れている点Ｖ６の電位はダイオードＤ３の出力のみによ
り決まり、したがってバイアス制御回路Ｂが動作してい
るので点Ｖ１の電圧は低い値に安定化されていてアバラ
ンシェフォトダイオードＡＰＤを破壊するおそれがな
い。一方、Ｖｃｃ電源及びＶｅｅ電源の少なくとも一方
がオフの時は、ダイオードＯＲの点Ｖ５は“Ｈ”レベル
となるので、ワイヤードＯＲの点Ｖ６も“Ｈ”レベルと
なりトランジスタＴｒ１がオンになる。この結果、アバ
ランシェフォトダイオード用の電源ＶAPD から、抵抗器
Ｒ１及びトランジスタＴｒ２を介して電流が流れ、接続
点Ｖ１の電圧はＲ１×Ｉだけ電圧降下する。したがっ
て、アバランシェフォトダイオードＡＰＤの両端電圧に
よりアバランシェフォトダイオードＡＰＤが破壊される
ことはない。実施例６ 図７は本発明の第６の実施例による光受信回路を示す回
路図である。この実施例では、アバランシェフォトダイ
オード用の電源ＶAPD と、トランジスタＴｒ３と比較器
ＣＯＭＰとで電圧源ＶＳを構成し、この電圧源ＶＳをバ
イアス制御回路として用いる。即ち、電圧源ＶＳと抵抗
器Ｒ２との接続点Ｖ１は比較器ＣＯＭＰの反転入力端子
に接続されており、非反転入力端子には基準電圧ｒｅｆ
が入力される。比較器ＣＯＭＰの出力はトランジスタＴ
ｒ３のベースに接続されており、トランジスタＴｒ３の
コレクタはアバランシェフォトダイオード用電源ＶAPD
の正電極に接続されており、エミッタは接続点Ｖ１に接
続されている。接続点Ｖ１は抵抗器Ｒ２を介してアバラ
ンシェフォトダイオードＡＰＤのカソードに接続されて
おり、そのアノードはプリアンプＰＡに接続されてい
る。
【００２４】比較器ＣＯＭＰの電源はアバランシェフォ
トダイオードの電源と共通なので、図１に示したよう
な、アバランシェフォトダイオードの電源とは別の電源
を持つバイアス制御回路を有する光受信回路における電
源投入時の過渡時の問題は図７の回路では存在しない。
電圧源ＶＳは点Ｖ１の電圧を基準値ｒｅｆと比較するこ
とにより点Ｖ１の電圧を安定化するための電圧フィード
バック回路である。こうして、点Ｖ１の電圧は基準レベ
ルｒｅｆに等しくなるように制御される。したがって、
アバランシェフォトダイオードＡＰＤには過大な電圧は
印加されない。
トダイオードの電源と共通なので、図１に示したよう
な、アバランシェフォトダイオードの電源とは別の電源
を持つバイアス制御回路を有する光受信回路における電
源投入時の過渡時の問題は図７の回路では存在しない。
電圧源ＶＳは点Ｖ１の電圧を基準値ｒｅｆと比較するこ
とにより点Ｖ１の電圧を安定化するための電圧フィード
バック回路である。こうして、点Ｖ１の電圧は基準レベ
ルｒｅｆに等しくなるように制御される。したがって、
アバランシェフォトダイオードＡＰＤには過大な電圧は
印加されない。
【００２５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、アバランシェフォトダイオードを含む光受信
回路において、電源電圧の投入過程においてアバランシ
ェフォトダイオードが過電圧により破壊されることがな
いようにしたアバランシェフォトダイオード保護回路を
有する光受信回路が提供される。
によれば、アバランシェフォトダイオードを含む光受信
回路において、電源電圧の投入過程においてアバランシ
ェフォトダイオードが過電圧により破壊されることがな
いようにしたアバランシェフォトダイオード保護回路を
有する光受信回路が提供される。
【図１】従来の光受信回路の一例を示す回路図である。
【図２】本発明の第１の実施例による光受信回路を示す
回路図である。
回路図である。
【図３】本発明の第２の実施例による光受信回路を示す
回路図である。
回路図である。
【図４】本発明の第３の実施例による光受信回路を示す
回路図である。
回路図である。
【図５】本発明の第４の実施例による光受信回路を示す
回路図である。
回路図である。
【図６】本発明の第５の実施例による光受信回路を示す
回路図である。
回路図である。
【図７】本発明の第６の実施例による光受信回路を示す
回路図である。
回路図である。
ＡＰＤ…アバランシェフォトダイオード Ｂ…バイアス制御回路 Ｂａ…バイアス制御回路 Ｄ１…ツエナーダイオード Ｔｒ２…トランジスタ Ｔｒ、Ｔｒ１…制御用トランジスタ ＰＲ１…アバランシェフォトダイオード保護回路 ＰＲ２…アバランシェフォトダイオード保護回路 Ｄａ…Ｖｃｃ電源投入判定回路 Ｄｂ…Ｖｅｅ電源投入判定回路 Ｄｃ…電源投入判定回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０４Ｂ 10/14 10/04 10/06
Claims (9)
- 【請求項１】 アバランシェフォトダイオードと、該ア
バランシェフォトダイオードの両端電圧を動作時に一定
に保つバイアス制御回路とを含む光受信回路において、
前記バイアス制御回路への電源供給過渡時又は電源遮断
時での前記アバランシェフォトダイオードへの過電圧の
印加を防止するアバランシェフォトダイオード保護回路
を具備することを特徴とする、アバランシェフォトダイ
オード保護回路を有する光受信回路。 - 【請求項２】 前記アバランシェフォトダイオード保護
回路は、前記アバランシェフォトダイオードのカソード
とアースとの間に接続されており、且つ、前記アバラン
シェフォトダイオードの両端電圧が前記アバランシェフ
ォトダイオードのブレークダウン電圧以上のときに導通
する電流パスを備えることを特徴とする、請求項１に記
載の光受信回路。 - 【請求項３】 前記電流パスは、前記アバランシェフォ
トダイオードのカソードとアースとの間に接続されたツ
エナーダイオードを備えており、前記アバランシェフォ
トダイオードの両端電圧が前記アバランシェフォトダイ
オードのブレークダウン電圧以上のときに前記ツエナー
ダイオードが導通するように構成されていることを特徴
とする、請求項２に記載の光受信回路。 - 【請求項４】 前記電流パスは、前記アバランシェフォ
トダイオードのカソードとアースにコレクタとエミッタ
が接続されたトランジスタを備えており、前記アバラン
シェフォトダイオードの両端電圧が前記アバランシェフ
ォトダイオードのブレークダウン電圧以上のときに前記
トランジスタが導通するように構成されていることを特
徴とする、請求項２に記載の光受信回路。 - 【請求項５】 前記トランジスタは前記バイアス制御回
路の外部に設けられたものであることを特徴とする、請
求項４に記載の光受信回路。 - 【請求項６】 前記バイアス制御回路は、前記アバラン
シェフォトダイオードの両端電圧を基準レベルと比較す
る演算増幅器と、該演算増幅器の出力が前記基準レベル
以上のときオンになる制御用トランジスタとを備え、前
記電流パスは前記制御用トランジスタを含んでおり、前
記アバランシェフォトダイオードの両端電圧が前記アバ
ランシェフォトダイオードのブレークダウン電圧以上の
ときに前記制御用トランジスタが導通するように構成さ
れていることを特徴とする、請求項２に記載の光受信回
路。 - 【請求項７】 前記アバランシェフォトダイオード保護
回路は、前記バイアス制御回路の電源のオフを監視する
手段と、前記バイアス制御回路の電源がオフのときに導
通するトランジスタとを備え、該トランジスタのコレク
タとエミッタは前記アバランシェフォトダイオードのカ
ソードとアースに接続されていることを特徴とする、請
求項１に記載の光受信回路。 - 【請求項８】 前記アバランシェフォトダイオード保護
回路は、前記バイアス制御回路の電源のオフを監視する
手段と、前記バイアス制御回路の電源がオフのときに前
記バイアス制御回路の電流制御部に電流を流す手段とを
備えることを特徴とする、請求項１に記載の光受信回
路。 - 【請求項９】 アバランシェフォトダイオードと、該ア
バランシェフォトダイオードの両端電圧を動作時に一定
に保つバイアス制御回路とを含む光受信回路において、
前記バイアス制御回路の電源は、前記アバランシェフォ
トダイオード用の電源と共用であり、前記バイアス制御
回路は、前記バイアス制御回路と前記アバランシェフォ
トダイオードとの接続点の電圧を基準値と比較すること
により前記接続点の電圧を安定化するための電圧フィー
ドバック回路であることを特徴とする、アバランシェフ
ォトダイオード保護回路を有する光受信回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10070750A JPH11275755A (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | アバランシェフォトダイオード保護回路を有する光受信回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10070750A JPH11275755A (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | アバランシェフォトダイオード保護回路を有する光受信回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11275755A true JPH11275755A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13440509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10070750A Withdrawn JPH11275755A (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | アバランシェフォトダイオード保護回路を有する光受信回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11275755A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR100863668B1 (ko) | 2007-04-17 | 2008-10-15 | 이우헌 | 서지 프로텍터 |
| US20090283848A1 (en) * | 2008-05-13 | 2009-11-19 | Jds Uniphase Corporation | Photodiode Assembly With Improved Electrostatic Discharge Damage Threshold |
| WO2010020278A1 (en) * | 2008-08-20 | 2010-02-25 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Avalanche photodiode circuits |
| CN104965553A (zh) * | 2015-07-01 | 2015-10-07 | 博为科技有限公司 | 一种雪崩光电二极管过压保护方法及装置 |
| CN106451393A (zh) * | 2015-08-05 | 2017-02-22 | 三菱电机株式会社 | 光模块 |
| CN106786453A (zh) * | 2016-12-07 | 2017-05-31 | 深圳市共进电子股份有限公司 | 一种光模块apd保护电路 |
| CN113167640A (zh) * | 2018-12-12 | 2021-07-23 | 浜松光子学株式会社 | 光检测装置 |
| US11901379B2 (en) | 2018-12-12 | 2024-02-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodetector |
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- 1998-03-19 JP JP10070750A patent/JPH11275755A/ja not_active Withdrawn
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