JP4223304B2 - 光受信器 - Google Patents
光受信器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4223304B2 JP4223304B2 JP2003075288A JP2003075288A JP4223304B2 JP 4223304 B2 JP4223304 B2 JP 4223304B2 JP 2003075288 A JP2003075288 A JP 2003075288A JP 2003075288 A JP2003075288 A JP 2003075288A JP 4223304 B2 JP4223304 B2 JP 4223304B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- current
- avalanche photodiode
- output
- multiplication factor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、入力光信号を受信して光電流に変換するアバランシェフォトダイオードを有し、光通信用途に適用される光受信器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、受光素子にPD(Photo Diode)を用いる光受信器において、入力光信号の強度をモニタする光受信器が知られている。図5は、その光受信器の一例を示す図である。
図において、2はPD1が光を受光した際に流れる電流と同じ量の電流を他段に流すカレントミラー回路、3はPD1が受光した際に流れる電流を電圧に変換、増幅するトランスインピーダンスアンプ、4はトランスインピーダンスアンプ3からの電圧信号を受けて、データを識別し再生、クロック抽出をするデータ/クロック再生回路、5はカレントミラー回路2より出力される電流を電圧に変換する電流電圧変換回路である(例えば、特許文献1参照。)。
【0003】
【特許文献1】
特開平11−40840号公報
【0004】
特許文献1に記載の光受信器では、カレントミラー回路2によってPD1に流れる電流Ipdと同量の電流が、電流電圧変換回路5に入力され、電圧に変換される。電流Ipdは入力光信号強度Pinに応じて変動するため、その電圧を光受信器外部に出力することで、入力光信号強度をモニタしている。電流電圧変換回路5は、電流Ipdに比例する電圧をリファレンス電圧Vrefから引いた値を出力する。電流Ipdは、PD1の単体特性により決定される定数受光感度rと入力光信号強度Pinの積で表わされ、電流Ipdと入力光信号強度Pinが線形の関係になっているため、入力光信号強度Pinと線形の関係を持つ入力光信号の、強度モニタ信号を出力させることができる。
【0005】
また、従来、APD(Avalanche Photo Diode;アバランシェフォトダイオード)を受光素子として用いて、入力光信号強度モニタと入力光信号強度を線形の関係にする光受信器が知られている。図6はその光受信器の一例を示すブロック図である。図6において、3、4は前出と同様である。6は受光素子としてのAPD、7はトランスインピーダンスアンプ3よりの出力をデータ/クロック再生回路4に入力する前に挿入されて、電圧制御により増幅率を変化することのできるAGC(Automatic Gain Control)アンプ、8はAGCアンプ7の信号出力振幅を検出するピーク検波回路、9はピーク検波回路8の出力に応じてAGCアンプの増幅率を変化させるAGCアンプ制御回路、10はピーク検波回路8の出力に応じてAPDの増倍率Mを変化させるためにAPDに印加する逆バイアス電圧Vapdを制御する電圧制御回路、11は電圧制御回路内のAPD逆バイアス電圧供給回路、12はピーク検波回路8の出力に応じてAGCアンプ制御回路9と電圧制御回路10のどちらを機能させるかを決定する閾値を調整する閾値調整回路、13はAPD6に流れる電流を電圧信号として出力する、入力光信号強度モニタ出力回路である(例えば、特許文献2参照。)。
【0006】
【特許文献2】
特開2002−217833号公報
【0007】
特許文献2に記載の光受信器では、APD6に流れる電流Iapdは、増倍率をM、APDの受光感度をr、入力光信号強度をPinとすると、増倍率MとAPDの受光感度rと入力光信号強度Pinの積で表わされ、PDに流れる電流に増倍率Mをかけた形となっている。増倍率MはAPD逆バイアス電圧Vapdの大きさにより決定する値で、図6中のAGCアンプ7後のピーク検波回路8、閾値調整回路12を用いて、各入力光信号強度Pinに応じたAPD逆バイアス電圧VapdをAGCアンプ制御回路9と電圧制御回路10で制御することで、各入力光信号強度Pinにおいて最適な(誤り率が最小となる)AGCアンプ7の増幅率と、APD6の増倍率Mを与えるAPD逆バイアス電圧Vapdとを制御することを目的としている。
【0008】
このため、増倍率Mは入力光信号強度Pinの関数であり、APDを受光素子として用いた場合は、APD6に流れる電流Iapdと入力光信号強度Pinは線形の関係に無いため、特許文献1記載の方式をそのまま特許文献2に採用しても、入力光信号強度モニタと入力光信号強度は線形の関係にすることはできない。ここで、特許文献2には、AGCアンプ制御回路9によるAGCアンプの増幅率制御と、電圧制御回路10によるAPD増倍率制御をAPD電流Iapdと入力光信号強度が線形の関係になるように、閾値電圧調整回路12を使って制御をかけることで、入力光信号強度モニタと入力光信号強度を線形の関係にすることが開示されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
前出の通り、特許文献1にて示される入力光信号強度モニタ方法を、受光素子をAPDとした受信器に適用しようとすると、APDに流れる電流Iapdと入力光信号強度Pinは線形の関係に無いため、入力光信号強度モニタと入力光信号強度は線形の関係にすることはできない。
【0010】
また、特許文献2の方法では、本来誤り率が最小となるように制御されるべき増倍率Mを、APDに流れる電流Iapdと入力光信号強度が線形の関係になるように制御しているため、最適な増倍率Mとは異なる値であり、APDを用いる光受信器としての特性を最大限に引き出すことができないという課題がある。
【0011】
本発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、アバランシェフォトダイオードを受光素子として用いる光受信器の特性を最大限に引き出す任意の増倍率の制御を実施しても、入力光信号強度モニタと入力光信号強度を略線形の関係とすることのできる光受信器を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
この発明に係わる光受信器は、入力光信号を電流に変換するアバランシェフォトダイオードと、前記アバランシェフォトダイオードの出力電流を電圧に変換する増幅器と、前記アバランシェフォトダイオードの温度を検出する温度検出器と、前記アバランシェフォトダイオードへ印加される逆バイアス電圧を、入力光信号の強度に対応した値に設定する電圧制御回路と、前記アバランシェフォトダイオードへの印加電圧を検出する電圧検出器と、前記アバランシェフォトダイオードが光を受光した際に流れる電流と同じ量の電流を他段に流すカレントミラー回路と、前記カレントミラー回路の出力電流を電圧に変換する電流電圧変換回路と、前記電圧検出器の検出する電圧情報と前記温度検出器の検出する温度情報に基づいて、前記アバランシェフォトダイオードの増倍率を算出し、前記電流電圧変換回路の出力を算出された増倍率で除算した結果に対して、所定の傾き及び切片を付加することにより得られるモニタ信号を出力する演算器とを備えたものである。
【0013】
又、本発明に係る光受信器は、入力光信号を電流に変換するアバランシェフォトダイオードと、前記アバランシェフォトダイオードの出力電流を電圧に変換する増幅器と、前記アバランシェフォトダイオードへ印加される逆バイアス電圧を、入力光信号の強度に対応した値に設定する電圧制御回路と、前記アバランシェフォトダイオードへの印加電圧を検出する電圧検出器と、前記アバランシェフォトダイオードが光を受光した際に流れる電流と同じ量の電流を他段に流すカレントミラー回路と、前記カレントミラー回路の出力電流を電圧に変換する電流電圧変換回路と、前記電流電圧変換回路から出力される電圧に対応した増倍率Mの値が、予め格納されたメモリと、前記電流電圧変換回路から出力された電圧に基づいて、前記メモリを参照してアバランシェフォトダイオードの増倍率を引き出し、当該電流電圧変換回路の出力電圧と当該引き出された増倍率との比に基づいて、入力光信号強度に対応したモニタ信号を出力する演算器とを備えても良い。
【0014】
又、本発明に係る光受信器は、入力光信号を電流に変換するアバランシェフォトダイオードと、前記アバランシェフォトダイオードの出力電流を電圧に変換する増幅器と、前記アバランシェフォトダイオードの温度を検出する温度検出器と、前記アバランシェフォトダイオードへ印加される逆バイアス電圧を、入力光信号の強度に対応した値に設定する電圧制御回路と、前記アバランシェフォトダイオードへの印加電圧を検出する電圧検出器と、前記アバランシェフォトダイオードが光を受光した際に流れる電流と同じ量の電流を他段に流すカレントミラー回路と、前記カレントミラー回路の出力電流を電圧に変換する電流電圧変換回路と、前記電圧検出器の検出する電圧情報と前記温度検出器の検出する温度情報に基づいて、アバランシェフォトダイオードの増倍率を算出する演算器と、前記演算器で算出された増倍率の逆数となるように設定された増幅率で、前記電流電圧変換回路の出力を増幅する可変増幅器と、前記可変増幅器の出力に対して所定の傾き及び切片を付加することにより得られるモニタ信号を出力する演算回路とを備えても良い。
【0015】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1に係る光受信器を示す図である。図1において、2〜6は図5に示した従来例と同様のものである。14は各入力光信号強度を入力されたAPDに最適な増倍率Mを持たせるようにAPD逆バイアス電圧Vapdを制御する電圧制御回路、15は任意の電圧制御回路14からAPDに印加されるAPD逆バイアス電圧Vapdを検出する電圧検出器、16はAPDの温度Tを検出する温度検出器、17は各種データを記憶しているメモリ、18は指定された演算処理を行うディジタル演算器(マイコン)である。カレントミラー回路2は、特許文献1の図1に開示されるように、一対のトランジスタを並置して互いのベース同士を接続し、トランジスタのエミッタ側は電源制御回路14(特許文献1の図1のVccに相当)に接続して構成される。カレントミラー回路2を構成する一方のトランジスタのコレクタはAPD6のカソードに接続される。また、カレントミラー回路2を構成する他方のトランジスタのコレクタは、電源電圧変換回路5に接続される。APD6のアノードは、トランスインピーダンスアンプ3の入力端子に接続される。トランスインピーダンスアンプ3の出力端子はデータ/クロック再生回路4の入力端子に接続される。
【0016】
次に、この光受信器の動作について説明する。
電圧制御回路14によって、カレントミラー回路2を構成する一対のトランジスタのエミッタへの印加電圧が制御される。光信号がAPD6に入射し光電変換されると、信号電流が発生する。この信号電流は、電圧制御回路14からカレントミラー回路2を通してAPD6に供給される。APD6に供給された信号電流は、トランスインピーダンスアンプ3により電圧変換されるとともに、増幅される。電圧信号として増幅された信号電流は、データ/クロック再生回路4に入力され、入力された電圧信号に内在するデータ信号とクロック信号が再生される。また、カレントミラー回路2によって、APD6に流れる信号電流の平均値と同じ量の電流Iapdが、電流電圧変換回路5に供給される。電流電圧変換回路5は、電流Iapdを電圧変換し、電圧変換した信号を電圧信号Vaとして得ることができる。電圧制御回路14は、例えば、特開平11−205249に開示された電圧制御方法の他、様々な方法で電圧制御が行われるが、いずれの方法であってもAPD6に最適な増倍率Mを与えるように動作して、カレントミラー回路への印加電圧を設定する(動作の詳細は、本明細書では割愛する)。
【0017】
ある入力光信号強度Pinが与えられた時、APD6に流れる電流に比例してカレントミラー回路2から電流電圧変換回路5に電流が供給され、電流電圧変換回路5から電圧Vaが出力される。この電圧Vaは、ある入力光信号強度Pinに対して1対1の値となる。すなわち、Va=f(Pin)の関数形となる(fは所定の関数)。この電圧Vaの値をA/D変換して、マイコン18に入力し、マイコン18内でその時の入力Vaに対応した増倍率Mを得る。また、得られた増倍率MはVaを除算し、除算した値がマイコン18から出力される。一般に増倍率Mは、APD素子単体特性により決まる温度関数であるAPD逆バイアス降伏電圧Vbr、APD逆バイアス降伏電圧Vbrの温度係数Γ、APD素子定数n、APD逆バイアス電圧Vapdに基づいて計算できる。
【0018】
ある温度(例えば25℃)でのAPD逆バイアス降伏電圧Vbr、温度によらない定数n、および温度係数Γは、予めメモリ17の所定の記憶領域に格納しておく。ここで、電圧検出器13よりAPDに印加されているVapdと、温度検出器16よりAPDの温度情報Tをマイコン18に入力すると、マイコン18はメモリ17を参照して、ある温度でのAPD逆バイアス降伏電圧Vbr、温度によらない定数n、および温度係数Γの情報を取得する。このとき、マイコン18は、この取得された情報を用いて、数1に基づいて、その時の温度Tに対応するAPD逆バイアス降伏電圧Vbrと、APD増倍率Mを算出することができる。
【0019】
【数1】
【0020】
この算出した増倍率Mによって、電流電圧変換回路5の出力電圧Vaを除算して比を求め、その除算された結果Va/Mを、入力光信号強度モニタとして出力する。この出力値Va/Mは、入力光信号強度に比例した値となるため、入力光信号強度モニタと入力光信号強度を線形の関係にすることができる。この線形の関係によって得られるグラフの直線の傾きや切片は、後段回路で調節、付加することができるが、マイコン18で増倍率Mの計算、除算演算をする際に、あわせて実施することも可能である。
【0021】
以上のように、この実施の形態1によれば、APD単体特性により決定されるべき増倍率Mの制御もしくはVapdの制御とは関係なく、広範囲で光入力強度モニタを光入力に対して線形の関係とすることができ、APDを受光素子として用いた光通信用の光受信器としての性能を最大限に引き出すことが可能となる。
【0022】
実施の形態2.
図2は本発明の実施の形態2を示す図である。図2において2〜6、14は実施の形態1の図1と同様で、18bは図1のマイコン18の代わりに接続されたものであって、マイコン18とは増倍率Mの算出方法が異なる。19はあらかじめ求めた増倍率Mを記憶させておく増倍率M値データ用メモリである。
【0023】
次に動作について説明する。実施の形態2は、電流電圧変換回路5で変換される電圧Vaの出力までは、実施の形態1と同様である。しかし、実施の形態1と比べて、各入力光信号Pinの時のVaに対応した増倍率Mの決定方法を簡易化している。
【0024】
ある入力光信号強度Pinの時、カレントミラー回路2と、電流電圧変換回路5により出力される電圧Vaは、あるPinに対して1対1の値である。この値をマイコン18bに入力し、マイコン18b内でその時の入力Vaに対応した増倍率MでVaを除算した値を出力させる。ある任意の電圧制御回路14が実現する増倍率Mの制御では、入力光信号強度Pinと増倍率Mとの間、もしくは入力光信号強度PinとAPD逆バイアス電圧Vapdとの間に、1対1の対応関係が決定できる。図4はこの1対1の対応関係の一例を説明する図であり、図4(a)は入力光信号強度Pinに対する増倍率Mの関係を示すグラフ、図4(b)は入力光信号強度Pinに対するAPD逆バイアス電圧Vapdの関係を示すグラフである。
【0025】
そこで、使用する入力光信号強度Pinの範囲内で数点を選択し、ある温度(例えば25℃)において、選択されたそれぞれの入力光信号強度Pinと増倍率M、もしくは選択されたそれぞれの入力光信号強度PinとAPD逆バイアス電圧Vapdとの関係を、事前に計測して取得し、取得された値をプロット・フィッティングする。この計測は、例えば図1で説明したメモリ17とマイコン18bの構成を備えた計測器を、電流電圧変換回路5に接続することよって実施することができる。これによって、全使用入力光信号強度範囲における増倍率MもしくはAPD逆バイアス電圧Vapdの遷移を知ることが可能である。
【0026】
このフィッティング結果を用いて、各電圧Vaに対応する増倍率Mの表を作成した後、この電圧Vaと増倍率Mとの対応関係を示す表を、事前に増倍率M値データ用メモリ19の所定の記憶領域に格納する。マイコン18bは、M値データ用メモリ19を参照して、電流電圧変換回路5の出力する電圧Vaに対応した増倍率Mを引き出す。また、マイコン18bは、電圧Vaを増倍率Mにて除算したものを、入力光信号強度モニタとして出力する。これによって、入力光信号強度モニタと入力光信号強度を線形の関係にすることができる。この線形の関係を与えるグラフの傾きや切片は、後段回路で調節、付加することができる。しかし、マイコン18bで増倍率Mの除算演算をする際にあわせて実施することも可能である。また、各種データを記憶しているメモリ17と増倍率M値データ用メモリ19は、記憶容量に余裕があれば単一のものを使用しても良い。
【0027】
この実施の形態によれば、APD単体特性により決定されるべき増倍率Mの制御もしくはVapdの制御とは関係なく、広範囲で光入力強度モニタを光入力に対して線形の関係とすることができ、APDを受光素子として用いた光通信用の光受信器としての性能を最大限に引き出すことが可能となる。また、入力光信号Pin時の電流電圧変換回路で変換された電圧Vaに対応した増倍率Mの決定方法を、実施の形態1と比べてより簡易化することができる。
【0028】
実施の形態3.
図3は本発明の実施の形態3を示す図である。図3において、2〜6、14〜17は実施の形態1と同様である。18cは図1のマイコン18の代わりに接続されたものであって、増倍率Mの算出についてマイコン18と同様であるが、増倍率Mを出力して、像倍率Mと電圧Vaの除算を後段に設けられた可変増幅器20で実施する点が異なる。可変増幅器20は、マイコン18cからの入力により増幅率を変えることができ、電子ボリューム21と可変増幅器内演算増幅回路22によって構成される。
【0029】
次に動作について説明する。実施の形態3は実施の形態1で示される方法で決定した増倍率Mをアナログ回路で除算する。マイコン18cが電流電圧変換回路5の出力Vaを入力し、その時の増倍率Mを算出するまでは実施の形態1と同様である。メモリ17とマイコン18cにより決定した除算すべき増倍率Mの情報は、マイコン18cから可変増幅器20内の電子ボリューム21に送信される。可変増幅器20の内部に設けられた電子ボリューム21と演算増幅回路22により、可変増幅器20の増幅率が1/Mとなるように設定がなされる。すなわち、マイコン18cから送信された増倍率Mに基づいて、電子ボリューム21を構成する可変抵抗の抵抗値が自動調整され、この可変抵抗の分圧比を変更することによって、演算増幅回路22の増幅率を1/Mに調整する。この可変増幅器20に電圧Vaを入力することによって、電圧Vaを増倍率Mで除算する、Va/Mのアナログ演算が行われたことになり、この演算結果を入力光信号強度モニタとして出力する。これによって、ディジタル演算(除算)のみによって入力光信号強度Pinをモニタする場合と比べて、その演算誤差を小さくすることができ、より線形に近い関係を得ることができる。例えば、実施の形態1ではマイコン18が電圧Vaの値をA/D変換した後に、Va/Mをディジタル演算によって導出する。この際、A/D変換器を構成するメモリのビット数が少ないと、A/D変換後のディジタル値に誤差が含まれる。電圧Vaは、Va/Mの演算の分子として与えられる値なので、その誤差が大きいと、Va/Mの値の誤差も大きくなる。
【0030】
しかし、この実施の形態3では、電流電圧変換回路5から直接出力されたアナログ信号としての電圧Vaを、マイコン18cからアナログ信号として出力された増倍率Mで除算するため、その演算誤差をより小さくすることができる。入力光信号強度PinとVa/Mとの線形特性を与えるグラフの傾きや切片は、後段の回路で調節、付加することができる。
【0031】
【発明の効果】
この発明によれば、アバランシェフォトダイオード(APD)の単体特性により決定されるべき増倍率Mの制御、もしくはAPD逆バイアス電圧Vapdの制御とは関係なく、広範囲で光入力強度モニタを光入力に対して線形の関係とすることができ、APDを受光素子として用いた光受信器としての性能を、最大限に引き出すことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による光受信器の実施の形態1を示す図である。
【図2】 本発明による光受信器の実施の形態2を示す図である。
【図3】 本発明による光受信器の実施の形態3を示す図である。
【図4】 実施の形態2を実現するために必要な光入力強度と増倍率Mの関係を示す図(a)と、光入力強度とAPD逆バイアス電圧Vapd(V)の関係を示す図(b)である。
【図5】 従来の光受信器の一例を示すブロック図である。
【図6】 従来の他の光受信器の一例を示すブロック図である。
【符号の説明】
1 PD(Photo Diode)、2 カレントミラー回路、3 トランスインピーダンスアンプ、4 データ/クロック再生回路、5 電流電圧変換回路、6 APD(Avalanche Photo Diode)、7 AGC(Automatic Gain Control)アンプ、8ピーク検波回路、9 AGCアンプ制御回路、10 電圧制御回路、11 APD逆バイアス電圧供給回路、12 閾値調整回路、13 入力光信号強度モニタ出力回路、14 任意の電圧制御回路、15 電圧検出器、16 温度検出器、17メモリ、18 ディジタル演算器(マイコン)、19 増倍率M値データ用メモリ、20 可変増幅器、21 電子ボリューム、22 可変増幅器内演算増幅回路。
Claims (5)
- 入力光信号を電流に変換するアバランシェフォトダイオードと、
前記アバランシェフォトダイオードの出力電流を電圧に変換する増幅器と、
前記アバランシェフォトダイオードの温度を検出する温度検出器と、
前記アバランシェフォトダイオードへ印加される逆バイアス電圧を、入力光信号の強度に対応した値に設定する電圧制御回路と、
前記アバランシェフォトダイオードへの印加電圧を検出する電圧検出器と、
前記アバランシェフォトダイオードが光を受光した際に流れる電流と同じ量の電流を他段に流すカレントミラー回路と、
前記カレントミラー回路の出力電流を電圧に変換する電流電圧変換回路と、
前記電圧検出器の検出する電圧情報と前記温度検出器の検出する温度情報に基づいて、前記アバランシェフォトダイオードの増倍率を算出し、前記電流電圧変換回路の出力を算出された増倍率で除算した結果に対して、所定の傾き及び切片を付加することにより得られるモニタ信号を出力する演算器と、
を備えた光受信器。 - 所定温度での逆バイアス降伏電圧、逆バイアス降伏電圧の温度係数、およびアバランシェフォトダイオードの素子定数を格納したメモリを備え、
演算器は、素子定数を取得するとともに、メモリを参照して所定温度での逆バイアス降伏電圧、および温度係数を取得し、この取得情報と温度検出器の温度情報、および電圧検出器で検出される電圧情報に基づいて増倍率を算出することを特徴とした請求項1に記載の光受信器。 - 入力光信号を電流に変換するアバランシェフォトダイオードと、
前記アバランシェフォトダイオードの出力電流を電圧に変換する増幅器と、
前記アバランシェフォトダイオードへ印加される逆バイアス電圧を、入力光信号の強度に対応した値に設定する電圧制御回路と、
前記アバランシェフォトダイオードへの印加電圧を検出する電圧検出器と、
前記アバランシェフォトダイオードが光を受光した際に流れる電流と同じ量の電流を他段に流すカレントミラー回路と、
前記カレントミラー回路の出力電流を電圧に変換する電流電圧変換回路と、
前記電流電圧変換回路から出力される電圧に対応した増倍率Mの値が、予め格納されたメモリと、
前記電流電圧変換回路から出力された電圧に基づいて、前記メモリを参照してアバランシェフォトダイオードの増倍率を引き出し、当該電流電圧変換回路の出力電圧と当該引き出された増倍率との比に基づいて、入力光信号強度に対応したモニタ信号を出力する演算器と、
を備えた光受信器。 - 演算器は、前記電流電圧変換回路の出力電圧を、算出した増倍率で除算し、除算結果をモニタ信号として出力することを特徴とした請求項3に記載の光受信器。
- 入力光信号を電流に変換するアバランシェフォトダイオードと、
前記アバランシェフォトダイオードの出力電流を電圧に変換する増幅器と、
前記アバランシェフォトダイオードの温度を検出する温度検出器と、
前記アバランシェフォトダイオードへ印加される逆バイアス電圧を、入力光信号の強度に対応した値に設定する電圧制御回路と、
前記アバランシェフォトダイオードへの印加電圧を検出する電圧検出器と、
前記アバランシェフォトダイオードが光を受光した際に流れる電流と同じ量の電流を他段に流すカレントミラー回路と、
前記カレントミラー回路の出力電流を電圧に変換する電流電圧変換回路と、
前記電圧検出器の検出する電圧情報と前記温度検出器の検出する温度情報に基づいて、アバランシェフォトダイオードの増倍率を算出する演算器と、
前記演算器で算出された増倍率の逆数となるように設定された増幅率で、前記電流電圧変換回路の出力を増幅する可変増幅器と、
前記可変増幅器の出力に対して所定の傾き及び切片を付加することにより得られるモニタ信号を出力する演算回路と、
を備えた光受信器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003075288A JP4223304B2 (ja) | 2003-03-19 | 2003-03-19 | 光受信器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003075288A JP4223304B2 (ja) | 2003-03-19 | 2003-03-19 | 光受信器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004289206A JP2004289206A (ja) | 2004-10-14 |
JP4223304B2 true JP4223304B2 (ja) | 2009-02-12 |
Family
ID=33290637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003075288A Expired - Fee Related JP4223304B2 (ja) | 2003-03-19 | 2003-03-19 | 光受信器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4223304B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4670496B2 (ja) | 2005-06-14 | 2011-04-13 | 住友電気工業株式会社 | 光受信器 |
JP4791334B2 (ja) * | 2006-12-11 | 2011-10-12 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光受信装置および光受信装置のバイアス電圧制御方法 |
JP5173545B2 (ja) * | 2008-04-09 | 2013-04-03 | 株式会社フジクラ | 受信光パワーモニタ装置および受信光パワーモニタ方法 |
JP2010166000A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Nec Corp | 光増幅装置および制御方法ならびに制御プログラム |
JP5218210B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2013-06-26 | 三菱電機株式会社 | モニタ回路とこれを用いた光受信器 |
JP2011252716A (ja) | 2010-05-31 | 2011-12-15 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 光強度測定方法 |
WO2013042583A1 (ja) * | 2011-09-22 | 2013-03-28 | 日本電気株式会社 | 光パワーモニタ装置、方法及びプログラム |
CN104054185B (zh) * | 2012-01-25 | 2016-05-18 | 三菱电机株式会社 | 光接收器、站侧光终端装置以及受光等级监视方法 |
JP6682815B2 (ja) * | 2015-11-13 | 2020-04-15 | 住友電気工業株式会社 | 光受信器及び信号強度モニタ方法 |
CN113167642A (zh) | 2018-12-12 | 2021-07-23 | 浜松光子学株式会社 | 光检测装置和光检测装置的制造方法 |
JP7454917B2 (ja) * | 2018-12-12 | 2024-03-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
US11513002B2 (en) | 2018-12-12 | 2022-11-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | Light detection device having temperature compensated gain in avalanche photodiode |
WO2020121852A1 (ja) | 2018-12-12 | 2020-06-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
WO2020121851A1 (ja) | 2018-12-12 | 2020-06-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
CN110889242B (zh) * | 2019-12-10 | 2023-10-20 | 深圳市联洲国际技术有限公司 | Apd电压的调整方法、装置、存储介质及onu设备 |
JP7331732B2 (ja) * | 2020-02-25 | 2023-08-23 | 三菱電機株式会社 | アバランシェフォトダイオードの評価方法 |
-
2003
- 2003-03-19 JP JP2003075288A patent/JP4223304B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004289206A (ja) | 2004-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4223304B2 (ja) | 光受信器 | |
JP3839574B2 (ja) | アバランシェフォトダイオード用バイアス電圧制御回路およびその調整方法 | |
US7761013B2 (en) | Optical receiver having bias circuit for avalanche photodiode with wide dynamic range | |
US7265333B2 (en) | Light-receiving circuit | |
US6852966B1 (en) | Method and apparatus for compensating a photo-detector | |
US20210376934A1 (en) | Optical receiving device | |
US5138623A (en) | Semiconductor laser control device | |
US6198571B1 (en) | Computerized intelligent optical amplifier for multi-channel optical networks | |
US7912380B2 (en) | Optical receiver | |
JP5673843B2 (ja) | 光パワーモニタ装置、方法及びプログラム | |
US6919716B1 (en) | Precision avalanche photodiode current monitor | |
US9882638B2 (en) | Optical receiver signal strength indicator (RSSI) circuit having a variable supply voltage filter impedance | |
JP3785035B2 (ja) | Apdバイアス電圧制御回路 | |
US7792434B2 (en) | Optical receiver | |
JP2008048334A (ja) | 光受信器 | |
JP2001013005A (ja) | 光電変換率調節可能な光量検出回路 | |
KR101334369B1 (ko) | 광신호 세기에 따른 역바이어스 전압 가변의 apd 광 수신기 | |
US7313333B2 (en) | Apparatus for controlling decision threshold voltage to optical receiver | |
US7067788B2 (en) | Control loop apparatus or current measuring circuit including a current sensor or method of current calculation | |
JP2001068943A (ja) | 温度補償回路、温度補償対数変換回路、および、光受信器 | |
JPH05129857A (ja) | アバランシエホトダイオードの利得制御方法 | |
JP2674110B2 (ja) | アバランシエホトダイオードのバイアス回路の温度補償回路 | |
JPH03296309A (ja) | 光受信回路 | |
JP2634675B2 (ja) | 光受信器 | |
JP2002217833A (ja) | 光受信器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040713 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060112 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071211 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20080117 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080415 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080616 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081118 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081119 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111128 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121128 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |