JP2011252716A - 光強度測定方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】APDを用いる光強度測定方法において、APDの暗電流の影響が大きい極めて小さな入力光強度を精度よく測定する。
【解決手段】この光強度測定方法は、APD11が受けた入力光の強度を測定する方法であって、複数の周囲温度下でのAPD11の暗電流量を測定する第1ステップと、入力光をAPD11に入射させ、APD11の出力電流量を測定する第2ステップと、第2ステップのときの周囲温度に対応する暗電流量を出力電流量から減算した値を求めることにより、入力光の強度を得る第3ステップとを含む。
【選択図】図1
【解決手段】この光強度測定方法は、APD11が受けた入力光の強度を測定する方法であって、複数の周囲温度下でのAPD11の暗電流量を測定する第1ステップと、入力光をAPD11に入射させ、APD11の出力電流量を測定する第2ステップと、第2ステップのときの周囲温度に対応する暗電流量を出力電流量から減算した値を求めることにより、入力光の強度を得る第3ステップとを含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、光強度測定方法に関する。
特許文献1には、アバランシェフォトダイオード(APD)の光電流をモニタするための回路として2段の電流ミラー回路を用いたものが記載されている。この回路は、2段の電流ミラー回路を用いることにより、APDの光電流に影響を与えることなく、APDの光電流の大きさを検出する。
特許文献2には、APDを備える光強度モニタ回路が開示されている。この回路では、入力光強度に依存して増倍率が変動するAPDの増倍率特性を予め測定しておくことにより、入力光強度とモニタ値との関係が線形となる。
特許文献3に記載された回路は、APDの光電流の大きさに応じて、モニタ値を生成するための回路を適切に選択することにより、入力光強度のモニタ範囲(ダイナミックレンジ)を広げる。
光通信ネットワークにおけるAPDを用いた光受信装置には、規格で決められている最低の光入力強度付近の極めて小さな入力光強度を精度良く検出することが望まれる。しかし、入力光強度が極めて小さい場合、APDの出力電流に占める暗電流の割合が大きくなる。APDの暗電流の大きさはAPDの温度に依存するので、APDの温度が変化すると入力光強度に対するモニタ値が変動し、モニタ誤差に繋がる。
特許文献1〜3に記載された方式により高精度のモニタ結果を得るためには、APDから出力される電流と、入力光により生じる光電流とが常に比例していることが前提となる。しかし、上述したように、入力光強度が極めて小さい場合にはAPDからの出力電流に含まれる暗電流の割合が比較的大きく、暗電流は温度によって変動する。したがって、特許文献1〜3に記載された方式では光電流を精度良く検出することが困難である。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、APDを用いる光強度測定において、APDの暗電流の影響が大きい極めて小さな入力光強度を精度よく測定することができる光強度測定方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決するために、本発明による光強度測定方法は、APDが受けた入力光の強度を測定する方法であって、複数の周囲温度下でのAPDの暗電流量を測定する第1ステップと、入力光をAPDに入射させ、APDの出力電流量を測定する第2ステップと、第2ステップのときの周囲温度に対応する暗電流量を出力電流量から減算した値を求めることにより、入力光の強度を得る第3ステップとを含むことを特徴とする。
この光強度測定方法では、まず第1ステップにおいて、複数の周囲温度下でのAPDの暗電流を測定することにより、温度によって変動する暗電流の大きさを各温度毎に特定する。そして、第2ステップにおいてこのAPDを用いて入力光強度を測定したのち、第3ステップにおいて測定時の温度に対応する暗電流量をAPDの出力電流量から減算する。この方法により、極めて小さな入力光強度を精度よく測定することができる。
また、光強度測定方法は、第1ステップにおいて、2点の周囲温度下での暗電流量を測定し、第3ステップにおいて、暗電流量の自然対数と周囲温度との比例関数であって2点の周囲温度下での暗電流量から求められる比例関数に基づいて算出された第2ステップのときの周囲温度に対応する暗電流量を出力電流量から減算した値を求めることを特徴としてもよい。APDの暗電流量の自然対数とAPDの温度とは互いに比例する。したがって、第1ステップにおいて2点の周囲温度下での暗電流量を測定することによって比例定数等が好適に得られるので、該2点以外の他の温度における暗電流量を比例関数に基づいて精度良く推定することができる。すなわち、この光強度測定方法によれば、僅かに2点の周囲温度における暗電流量を測定するだけで、温度により変動する暗電流量を好適に推定し、極めて小さな入力光強度を精度良く測定することが可能となる。
また、光強度測定方法は、第1ステップにおいて、暗電流量を測定したのち該暗電流量を記憶手段に保持し、第3ステップにおいて、記憶手段に保持された暗電流量に基づいて比例関数を求めることを特徴としてもよい。これにより、以降の測定では第1ステップを省略できるので、入力光強度を効率良く測定することができる。
また、光強度測定方法は、第1ステップにおいて、暗電流量を測定したのち該暗電流量に基づいて比例関数を求め、複数の周囲温度に対応する暗電流量を該比例関数により算出するとともに算出した暗電流量を記憶手段に保持し、第3ステップにおいて、記憶手段に保持された暗電流量のうち、第2ステップのときの周囲温度に最も近い周囲温度に対応する暗電流量を出力電流量から減算することを特徴としてもよい。これにより、測定毎に比例関数を算出する必要がなくなるので、演算量を低減できる。
本発明の光強度測定方法によれば、APDを用いる光強度測定において、APDの暗電流の影響が大きい極めて小さな入力光強度を精度よく測定することができる。
以下、添付図面を参照しながら本発明による光強度測定方法の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図1は、本発明の一実施形態に係る光強度測定方法を好適に実施できる光測定回路の一例を示す図である。図1に示される光測定回路10は、アバランシェフォトダイオード(APD)11と、電流ミラー回路12と、DC−DCコンバータ13と、マイクロプロセッシングユニット(MPU)14とを備える。
APD11は、入力光を受けて、その強度に応じた光電流を生成する。APD11は、光電流を含む電流IAPDを出力する。APD11のアノードは接地されており、カソードには正のバイアス電圧VAPDが印加される。APD11は、例えばゲルマニウム系のAPDである。
電流ミラー回路12は、APD11に接続され、APD11に流れる電流IAPDに比例する大きさのモニタ電流IMを生成する。一実施例では、電流ミラー回路12は、ベース同士が短絡された一対のpnpトランジスタ121及び122、トランジスタ121と直列に接続された抵抗123、並びにトランジスタ122と直列に接続された抵抗124を含む。トランジスタ121及び122の一方の電流端子(例えばエミッタ)は、DC−DCコンバータ13の出力端子に接続される。トランジスタ121の他方の電流端子(例えばコレクタ)は、抵抗15aを介してAPD11のカソードに接続される。トランジスタ122の他方の電流端子(例えばコレクタ)は、抵抗15bを介して電流検出用抵抗17の一端に接続される。電流検出用抵抗17の他端は接地される。
MPU14は、DC−DCコンバータ13の出力電圧を制御するとともに、モニタ電流IMの大きさを測定する。MPU14は、温度モニタ部14a、D/Aコンバータ14b、及びA/Dコンバータ14cを有する。
温度モニタ部14aは、MPU14及びその周囲の温度を示す電気信号を生成する。なお、本実施形態ではMPU14に内蔵されている温度モニタ部14aを使用するが、MPU14とは別に設けられた温度検出素子によって周囲温度をモニタしてもよい。
D/Aコンバータ14bは、MPU14が生成したディジタルのバイアス電圧指令値を、アナログの電圧VA1に変換する。D/Aコンバータ14bから出力された電圧VA1は、DC−DCコンバータ13の制御端子へ送られる。DC−DCコンバータ13は、D/Aコンバータ14bからの出力電圧VA1に応じた電圧VA2を生成し、電流ミラー回路12へ出力する。なお、MPU14は、温度モニタ部14aによって検出される周囲温度が高いほど電圧VA1が大きくなるように、バイアス電圧指令値を生成する。
A/Dコンバータ14cは、ローパスフィルタ回路18を介して電流検出用抵抗17の一端に接続されている。ローパスフィルタ回路18は、A/Dコンバータ14cの入力端子と電流検出用抵抗17との間に接続された抵抗18a、及びA/Dコンバータ14cの入力端子と接地配線との間に接続されたコンデンサ18bとを含む。このローパスフィルタ回路18は、電流検出用抵抗17の一端に生じる電位を平滑化する。A/Dコンバータ14cは、電流検出用抵抗17にモニタ電流IMが流れることにより発生する電圧降下に相当する電圧を平滑化後に入力し、この電圧をディジタル値(モニタ値DM)に変換する。
MPU14は、APD11の暗電流量と温度との関係を示すデータテーブルまたは数式をメモリ等の記憶手段に予め記憶する。このデータテーブルまたは数式は、例えば、APD11の出力電流IAPDから暗電流の影響を除去して得られる光電流の大きさと、モニタ値DM及び温度との関係を示すものであってもよい。MPU14は、A/Dコンバータ14cにより得られたモニタ値DMと、温度モニタ部14aにより検出された温度とに基づき、光電流の大きさを算出する。
ここで、光測定回路10の動作について更に詳しく説明する。APD11による出力電流IAPDの増幅率は、アノード−カソード間に印加される電圧(バイアス電圧)VAPDが高くなるほど大きくなる。APD11の出力電流IAPDは、APD11のキャリア増倍係数Mを含む次の数式(1)によって表される。
IAPD=0.805×η×λ×PIN×M ・・・(1)
但し、
IAPD:APD11の出力電流の大きさ
η:APD11の量子効率(フォトン1個から何個のキャリアが生成されるかを示す)
λ:入力光の波長(μm)
PIN:入力光強度
M:APDのキャリア増倍係数(1個のキャリアから何個のキャリアが生成されるかを示す)
IAPD=0.805×η×λ×PIN×M ・・・(1)
但し、
IAPD:APD11の出力電流の大きさ
η:APD11の量子効率(フォトン1個から何個のキャリアが生成されるかを示す)
λ:入力光の波長(μm)
PIN:入力光強度
M:APDのキャリア増倍係数(1個のキャリアから何個のキャリアが生成されるかを示す)
数式(1)において、APD11の量子効率η及び入力光の波長λは、APD11の受光層を構成する半導体材料及び光通信ネットワークの構成から一義的に定まる。従って、APD11の出力電流IAPDは、入力光強度PIN及びキャリア増倍係数Mに比例することになる。ここで、APD11のバイアス電圧VAPDとキャリア増倍係数Mとの関係は、次の数式(2)によって表される。
M=1/{1−(VAPD/VB)n},VB=VBO×(1+β×ΔT) ・・・(2)
但し、
VAPD:APD11のバイアス電圧
VB:APD11の降伏電圧
n:APD11によって定まる物理量
β:降伏電圧の温度係数(0.1〜0.3%/℃)
VBO:降伏電圧の基準値
ΔT:温度変化
この数式(2)より、キャリア増倍係数Mは降伏電圧VBの関数であり、降伏電圧VBは温度の関数であることがわかる。
M=1/{1−(VAPD/VB)n},VB=VBO×(1+β×ΔT) ・・・(2)
但し、
VAPD:APD11のバイアス電圧
VB:APD11の降伏電圧
n:APD11によって定まる物理量
β:降伏電圧の温度係数(0.1〜0.3%/℃)
VBO:降伏電圧の基準値
ΔT:温度変化
この数式(2)より、キャリア増倍係数Mは降伏電圧VBの関数であり、降伏電圧VBは温度の関数であることがわかる。
図2は、APD11の温度特性の一例を説明するためのグラフであり、縦軸はキャリア増倍係数Mを示し、横軸はバイアス電圧VAPDを示している。また、グラフG11はAPD11の温度がT1の場合、グラフG12はAPD11の温度がT2(T2<T1)の場合、グラフG13はAPD11の温度がT3(T3<T2)の場合、グラフG14はAPD11の温度がT4(T4<T3)の場合をそれぞれ示している。図2に示されるように、バイアス電圧VAPDが降伏電圧VBを超える領域では、APD11のキャリア増倍係数Mはバイアス電圧VAPDにほぼ比例するが、その傾きは温度が高くなるほど大きくなる。
この図2に示すAPD11の増幅特性において、キャリア増倍係数Mを温度によらず一定の値とすることができれば、APD11の出力電流IAPDに対する温度変化の影響を抑えることができる(図中の直線L1)。すなわち、数式(2)より、キャリア増倍係数Mを一定にするためには、APD11のバイアス電圧VAPDと降伏電圧VBとの比(VAPD/VB)を温度によらず一定とすればよく、そのためには、バイアス電圧VAPDを降伏電圧VBの温度変化に従って変化させるとよい。図1に示した光測定回路10では、APD11に印加される電圧VA2は、MPU14が有するD/Aコンバータ14bから出力される任意の電圧VA1からDC−DCコンバータ13を経由して生成される。MPU14は、温度モニタ部14aの検出結果に基づいて設定した電圧VA1をD/Aコンバータ14bから出力することにより、温度変化にかかわらずキャリア増倍係数Mを一定にするようなバイアス電圧VAPDをAPD11に印加する。
この状態でAPD11に入力光が入射すると、APD11から電流IAPDが出力される。そして、電流ミラー回路12の作用によって、電流IAPDに比例する大きさのモニタ電流IMが生成される。このモニタ電流IMが電流検出用抵抗17を通過する際の降下電圧がMPU14のA/Dコンバータ14cによってディジタル信号(モニタ値DM)に変換され、MPU14に読み取られる。以上の動作によって、入力光強度に応じたモニタ値DMが得られる。
図3は、入力光強度PINとモニタ値DMとの関係を示すグラフである。図3において、横軸は入力光強度PINを示し、縦軸はモニタ値DMのディジタル値(Digit)を示している。図3には、APD11の温度が−40℃、−15℃、5℃、25℃、50℃、60℃、70℃、及び80℃である場合の関係が示されている。なお、このグラフを作成するために使用したA/Dコンバータ14cの分解能は、16ビット(65536フルビット)である。また、入力光強度PINが強い領域(>−20dBm)においてモニタ値DMが飽和するのは、APD11以外の回路(電流ミラー回路12等)が飽和動作領域に入っているからである。
図3において、入力光強度PINが−36dBmより大きい領域では、入力光強度PINに比例した本来のモニタ信号と実際のモニタ値DMとの差、すなわち検出誤差が2dB以内に収まっている。しかし、入力光強度PINが−40dBm以下の領域では、検出誤差が2dB以上となり、更に入力光強度PINが小さくなるほど検出誤差が大きくなっている。このように、入力光強度PINが小さい場合に検出誤差が大きくなる原因は、APD11の暗電流にある。すなわち、入力光強度PINが小さくなると、入力光により発生する光電流の大きさに対して、入力光とは関係なく発生する暗電流の大きさが無視できない程度に増大する。従って、入力光強度PINが小さいにもかかわらず、モニタ値DMに有意な値が残ってしまう。そして、APD11の暗電流がAPD11の温度変化に応じて変動することから、この暗電流に相当する値はAPD11の温度に大きく依存する。例えば、APD11の温度が高くなると、暗電流に相当する値がモニタ値DMに占める割合は大きくなる。
このように、APD11の温度が高くなると暗電流が増大し、モニタ値DMの真値からのずれは温度が高くなるほど大きくなる。なお、ここでいうモニタ値DMの真値とは、中程度(〜−30dBm程度)の光入力強度領域における、入力光強度PINとモニタ値DMとの比例関係を示す直線の延長線上の値をいう。
図4は、ゲルマニウム系のAPDの暗電流特性を示すグラフである。図4において、縦軸は暗電流の大きさを示し、横軸はバイアス電圧を示している。また、グラフG31〜G34は、それぞれAPDの温度が0℃、25℃、50℃、及び75℃であるときの特性を示している。このグラフより、例えばゲルマニウム系のAPDでは温度が25℃上昇する毎に暗電流の値は一桁大きくなる。APD11の暗電流IDは一般に次の数式(3)によって表すことができる。
ID=A×exp(B×T)+C ・・・(3)
但し、
A,B,C:定数
T:APDの温度
ID=A×exp(B×T)+C ・・・(3)
但し、
A,B,C:定数
T:APDの温度
APD11の出力電流IAPDは、光電流IOPと暗電流IDとの和として与えられるので、次の数式(4)によって表すことができる。
IAPD=IOP+ID=IOP+A×exp(B×T)+C ・・・(4)
この数式(4)の定数A、B、及びCを知ることができれば、出力電流IAPDを取得した時点における温度を測定して出力電流IAPDから暗電流IDを差し引くことによって、暗電流IDによる電流ノイズを除去し、正確な光電流IOPの大きさを検出することが可能になる。
IAPD=IOP+ID=IOP+A×exp(B×T)+C ・・・(4)
この数式(4)の定数A、B、及びCを知ることができれば、出力電流IAPDを取得した時点における温度を測定して出力電流IAPDから暗電流IDを差し引くことによって、暗電流IDによる電流ノイズを除去し、正確な光電流IOPの大きさを検出することが可能になる。
図5は、モニタ値DMから暗電流IDに相当する値を差し引いて得られる補正モニタ値と、入力光強度との関係を表すグラフである。また、図6は、入力光強度と補正モニタ値との差(検出誤差)と、入力光強度との関係を示すグラフである。図5及び6には、APDの温度が−40℃、−15℃、5℃、25℃、50℃、60℃、70℃、及び80℃である場合の関係が示されている。
図5に示されるように、モニタ値DMの値から暗電流IDに相当する値を差し引くことによって、図3と比較してモニタ値をより真値に近づけることができる。また、図6に示されるように、2dB以内の検出誤差でモニタ可能な入力光強度の範囲を、−46dBmといった極めて小さな強度まで小さくできる。なお、入力光強度が−46dBm以下の領域では、A/Dコンバータ14cによる量子化誤差の影響によって検出誤差が増加しているが、これは、図5に示されるようにこの領域でのモニタ値DMが10Digit以下であり、量子化誤差±1ビットの影響が顕著となるからである。量子化誤差の少ないモニタ方式(例えばレンジ切替を行うことでA/Dコンバータ14cの分解能を増加させる等)を使用することで、入力光強度が極めて小さい領域でも精度良くモニタすることが可能となる。
例えば、光測定回路10において入力光強度PINを−46dBmとしてAPDのキャリア増倍係数Mが7となるようにバイアス電圧VAPDを調整すると、176nAの電流IAPD(光電流と暗電流の和)が生成される。そして、電流ミラー回路12における電流IAPDとモニタ電流IMとの比をIAPD:IM=3:1とすると、モニタ電流IMは58.6nAとなる。電流検出用抵抗17が56kΩである場合、モニタ電圧VMは3.28mV(58.6nA×56kΩ=3.28mV)と計算される。
ここで、入力電圧範囲0V〜2.5Vを14ビットの分解能で線形に変換するA/Dコンバータを使用してアナログ/デジタル変換を行うと、1ビット当たりの電圧は2.5/214=0.15mVとなる。従って、入力光強度が−46dBmである場合のモニタ電圧VMの値3.28mVは、3.28/0.15=21.8Digitとなり、量子化誤差は20×log10(21.8)=26.7dBとなる。このように、入力電圧範囲0V〜2.5Vを十分な精度で検出することが可能である。
一方、APD11として一般的なInGaAs系のAPDを使用する場合、APD11の温度が90℃、キャリア増倍係数Mが7であるときの暗電流は約100nAである。従って、入力光強度が−46dBmである場合の出力電流IAPD=176nAに対し、この暗電流は大きな割合を占める。本実施形態の光測定回路10では、MPU14といった演算手段が、モニタ電流IMに応じたモニタ値DMに対して暗電流に相当する値を減算することにより、暗電流の影響を除去した光電流の大きさを算出する。
なお、DC−DCコンバータ13は、APD11のキャリア増倍係数Mが温度によらず一定となるように、温度特性があらかじめ補償されていることが好ましい。
以上の光測定回路10を用いた本実施形態の光強度測定方法は、次のとおりである。
(第1の方法)
図7は、本実施形態に係る光強度測定方法の第1の方法を示すフローチャートである。図7に示されるように、第1の方法は、第1ステップS11、第2ステップS12、及び第3ステップS13を含む。第1ステップS11では、複数の周囲温度下でのAPD11の暗電流の大きさを測定する。このとき、APD11には全く光を入射させない状態でバイアス電圧を印加して暗電流のみを発生させ、この暗電流の大きさに比例するモニタ電流IMの大きさを、電流検出用抵抗17及びADC14cを介して取得するとよい。また、測定した暗電流の大きさに関するデータを、例えばMPU14が有するメモリ等の記憶手段に記憶する。
図7は、本実施形態に係る光強度測定方法の第1の方法を示すフローチャートである。図7に示されるように、第1の方法は、第1ステップS11、第2ステップS12、及び第3ステップS13を含む。第1ステップS11では、複数の周囲温度下でのAPD11の暗電流の大きさを測定する。このとき、APD11には全く光を入射させない状態でバイアス電圧を印加して暗電流のみを発生させ、この暗電流の大きさに比例するモニタ電流IMの大きさを、電流検出用抵抗17及びADC14cを介して取得するとよい。また、測定した暗電流の大きさに関するデータを、例えばMPU14が有するメモリ等の記憶手段に記憶する。
第2ステップS12では、被測定光である入力光をAPD11に入射させ、APD11の出力電流IAPDの大きさを測定する。具体的には、まず、入力光をAPD11に入射させることにより、APD11から電流IAPDを出力させる。そして、電流ミラー回路12によってこの電流IAPDに比例した大きさのモニタ電流IMを生成させる。このモニタ電流IMの大きさを示す電圧を電流検出用抵抗17によって生じさせ、この電圧をA/Dコンバータ14cを介してMPU14に入力することにより、モニタ値DMを得る。また、このとき、温度モニタ部14aによって周囲温度を測定し、測定した周囲温度に関するデータを記憶手段に記憶する。
第3ステップS13では、第2ステップS12のときの周囲温度に対応する暗電流の大きさを出力電流IAPDの大きさから減算した値を求めることにより、入力光の強度を得る。具体的には、記憶手段に記憶された周囲温度に対応する暗電流量を記憶手段から読み出す。そして、第2ステップS12により得られた出力電流IAPDの大きさに関するモニタ値DMから暗電流相当値を減算することにより、入力光強度に相当する光電流の大きさを算出する。
(第2の方法)
APD11の暗電流IDは、前述した数式(3)によって表される。APD11のキャリア増倍係数Mを7とした場合、温度に依存しないショット雑音に係る定数Cを無視できる。その場合、暗電流IDは次の数式(5)によって表される。
ID=A×exp(B×T) ・・・(5)
(A、B:定数、T:温度)
さらに、この数式(5)の両辺を自然対数に変換すると、次の数式(6)となる。
loge(ID)=B×T+loge(A) ・・・(6)
APD11の暗電流IDは、前述した数式(3)によって表される。APD11のキャリア増倍係数Mを7とした場合、温度に依存しないショット雑音に係る定数Cを無視できる。その場合、暗電流IDは次の数式(5)によって表される。
ID=A×exp(B×T) ・・・(5)
(A、B:定数、T:温度)
さらに、この数式(5)の両辺を自然対数に変換すると、次の数式(6)となる。
loge(ID)=B×T+loge(A) ・・・(6)
数式(6)において定数はA及びBのみであることから、数式(6)は温度Tについての一次式である。従って、例えば或る温度T1及びT2(T1≠T2)のそれぞれにおいて、暗電流ID及び測定時の温度を取得することにより、定数A及びBを算出することができるので、温度Tから暗電流IDを算出できる。図8は、一実施例としての周囲温度Tとモニタ値DMの値(実測値)との関係をプロットしたグラフである。図8において縦軸は対数軸となっている。また、図中の直線L2は、上の数式(6)において、T1=30°C、T2=80°Cとして定数A,Bを求めたときの暗電流IDの理論値を示す。図8に示されるように、周囲温度Tとモニタ値DMとの関係(すなわち周囲温度Tと暗電流IDとの関係)は、温度T1及びT2といった2つの温度に基づく定数A,Bによって十分に近似できていることがわかる。
図9は、上述した近似式によって各温度における暗電流IDを推定し、その推定された暗電流IDに相当する値をモニタ値DMから減算補正して得られる二次補正モニタ値と、入力光強度PINとの関係を示すグラフである。また、図10は、入力光強度と二次補正モニタ値との差(検出誤差)と、入力光強度との関係を示すグラフである。図9及び図10には、APD11の温度が−40℃、−15℃、5℃、25℃、50℃、60℃、及び70℃である場合の関係が示されている。
図9及び図10に示されるように、二次補正モニタ値と入力光強度PINとの相関は、入力光強度PINが−46dBmといった極めて小さい値である場合であっても、周囲温度Tによらず一定の曲線となる。なお、図9及び図10において、入力光強度PINが−46dBm以下である領域で補正後のモニタ値DMのバラツキが僅かに生じているのは、A/Dコンバータ14cから出力される数値が10を下回り、量子化誤差の影響が現れるからである。
以上に述べたように、図9は、予め2点の温度T1,T2において暗電流IDを測定し、その結果に基づいて数式(6)から他の温度における暗電流IDを推定し、各温度での実際のモニタ値DMから暗電流ID相当分を減算して得られた結果である。一方、図5は、各温度における暗電流IDをそれぞれ測定し、各温度における暗電流ID相当分をモニタ値DMから減算して得られた結果である。図5と図8とは、互いに良い一致を示す。このことから、2点の温度T1,T2から算出した数式(6)による暗電流IDの推定は、極めて有効である。
以上の理論を踏まえ、本実施形態に係る光強度測定方法の第2の方法について説明する。図11は、第2の方法を示すフローチャートである。図11に示されるように、第2の方法は、第1ステップS21、第2ステップS22、及び第3ステップS23を含む。第1ステップS21では、2点の周囲温度下でのAPD11の暗電流の大きさを測定する。なお、具体的な測定方法は前述した第1の方法と同様である。
第2ステップS22では、被測定光である入力光をAPD11に入射させ、APD11の出力電流IAPDの大きさを測定する。具体的な方法は、前述した第1の方法と同様である。
第3ステップS23では、第2ステップS22のときの周囲温度に対応する暗電流の大きさを出力電流IAPDの大きさから減算した値を求めることにより、入力光の強度を得る。具体的には、記憶手段に記憶された周囲温度に対応する暗電流量を記憶手段から読み出す。そして、暗電流量の自然対数loge(ID)と周囲温度Tとの比例関数(上述した数式(6))の定数loge(A)及びBを、2点の周囲温度下での暗電流量から算出する(図11のステップS23a)。こうして得られた比例関数に第2ステップS22のときの周囲温度を入力することによって、APD11の暗電流の大きさを求める(ステップS23b)。そして、第2ステップS22により得られた出力電流IAPDの大きさに関するモニタ値DMから暗電流相当値を減算することにより、入力光強度PINに相当する光電流の大きさを算出する(ステップS23c)。
以上に説明した本実施形態による光強度測定方法では、まず第1ステップS11又はS21において、複数の周囲温度下でのAPD11の暗電流を測定することにより、温度によって変動する暗電流の大きさを各温度毎に特定している。そして、第2ステップS12又はS22においてこのAPD11を用いて入力光強度PINを測定したのち、第3ステップS13又はS23において測定時の温度に対応する暗電流量をAPD11の出力電流量(すなわちモニタ値DM)から減算している。この方法により、APD11の暗電流による影響を排除し、極めて小さな入力光強度PINを精度よく測定することができる。
また、上述した第2の方法のように、第1ステップS21において、2点の周囲温度下での暗電流量を測定し、第3ステップS23において、暗電流量の自然対数と周囲温度との比例関数であって2点の周囲温度下での暗電流量から求められる比例関数に基づいて算出された、第2ステップS22のときの周囲温度に対応する暗電流量を、出力電流量(モニタ値DM)から減算してもよい。APD11の暗電流量の自然対数とAPDの温度とは互いに比例する(数式(6))。したがって、第1ステップS21において2点の周囲温度下での暗電流量を測定することによって比例定数等が好適に得られるので、該2点以外の他の温度における暗電流量を比例関数に基づいて精度良く推定することができる。すなわち、第2の方法によれば、僅かに2点の周囲温度における暗電流量を測定するだけで、温度により変動する暗電流量を好適に推定し、極めて小さな入力光強度PINを精度良く測定することが可能となる。
また、第2の方法のように、第1ステップS21において暗電流量を測定したのち該暗電流量を記憶手段に保持し、第3ステップS23において、記憶手段に保持された暗電流量に基づいて比例関数を求めてもよい。これにより、以降の測定では第1ステップS21を省略できるので、入力光強度PINを効率良く測定することができる。
なお、上述した第2の方法では第3ステップS23において比例関数の定数loge(A)及びBを求めているが、第1ステップS21すなわち被測定光の光強度を測定する前に比例関数の定数loge(A)及びBを求めてもよい。この場合、定数loge(A)及びBを記憶手段に記憶させ、第3ステップS23においてこれらの定数を使用してもよい。或いは、第1ステップS21において比例関数に基づいて複数の周囲温度に対応する暗電流量を算出し、これらの暗電流量を記憶手段に保持し、第3ステップS23では、記憶手段に保持された暗電流量のうち第2ステップS22のときの周囲温度に最も近い周囲温度に対応する暗電流相当値をモニタ値DMから減算してもよい。測定毎に比例関数を算出する必要がなくなるので、演算量を低減できる。
10…光測定回路、11…アバランシェフォトダイオード(APD)、12…電流ミラー回路、13…コンバータ、14…マイクロプロセッシングユニット(MPU)、14a…温度モニタ部、14b…D/Aコンバータ、14c…A/Dコンバータ、17…電流検出用抵抗、18…ローパスフィルタ回路、121,122…トランジスタ。
Claims (4)
- アバランシェフォトダイオードが受けた入力光の強度を測定する方法であって、
複数の周囲温度下での前記アバランシェフォトダイオードの暗電流量を測定する第1ステップと、
前記入力光を前記アバランシェフォトダイオードに入射させ、前記アバランシェフォトダイオードの出力電流量を測定する第2ステップと、
前記第2ステップのときの周囲温度に対応する前記暗電流量を前記出力電流量から減算した値を求めることにより、前記入力光の強度を得る第3ステップと
を含むことを特徴とする、光強度測定方法。 - 前記第1ステップにおいて、2点の周囲温度下での前記暗電流量を測定し、
前記第3ステップにおいて、前記暗電流量の自然対数と周囲温度との比例関数であって前記2点の周囲温度下での前記暗電流量から求められる前記比例関数に基づいて算出された前記第2ステップのときの周囲温度に対応する前記暗電流量を前記出力電流量から減算した値を求めることを特徴とする、請求項1に記載の光強度測定方法。 - 前記第1ステップにおいて、前記暗電流量を測定したのち該暗電流量を記憶手段に保持し、
前記第3ステップにおいて、前記記憶手段に保持された前記暗電流量に基づいて前記比例関数を求めることを特徴とする、請求項2に記載の光強度測定方法。 - 前記第1ステップにおいて、前記暗電流量を測定したのち該暗電流量に基づいて前記比例関数を求め、複数の周囲温度に対応する前記暗電流量を該比例関数により算出するとともに算出した前記暗電流量を記憶手段に保持し、
前記第3ステップにおいて、前記記憶手段に保持された前記暗電流量のうち、前記第2ステップのときの周囲温度に最も近い周囲温度に対応する前記暗電流量を前記出力電流量から減算することを特徴とする、請求項2に記載の光強度測定方法。
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