JP4409764B2 - 高速対数光検出器 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光検出器に関する。より詳細には、本発明は、光電子増倍管を用いる光検出システムに関する。
【0002】
【従来の技術】
光学的感知は、光信号(光子)を電気信号(電子)に変換する処理である。光信号が多いかまたは時間周波数(temporal frequency)が少ない大部分のアプリケーションにおいて、このことは、フォトダイオードとして知られる固体装置を用いて行われる。フォトダイオードは安価(通常は、1〜30ドル)であり、用いるのが容易である。フォトダイオードは、高いダイナミックレンジを有しており、かつ、光レベルが高い場合には高速であり得る。
【0003】
弱すぎて見えない光に関して、フォトダイオードは、相対的に大きなダイオード容量と前記弱い光により生成される弱い電流とに起因して一層遅くなる。フォトダイオードが優れたダイナミックレンジを有しているとしても(これらのフォトダイオードは、14桁までの大きさの線状になっている)、これらの出力は、光信号に比例しており、したがって、実際に、これらの有用なダイナミックレンジは、後続の電気信号により急速に制限される(高速アナログ−ディジタル変換は、通常は、概略値3.6のダイナミックレンジしか有していない)。
【0004】
光信号が弱くかつ周波数が高いときには、光電子増倍管が、通常は用いられる。光電子増倍管は、高価であり(通常は、100〜1000ドル以上)、通常の室内灯のような、過負荷の光信号からの損傷を受け易く、かつ、動作させるために高い電圧(通常は、1000ボルト)を必要とする。光電子増倍管は、光電陰極と、1つ以上のダイノード(通常は10個)と、陽極とからなっている。陰極に衝突する個々の光子は、電子を追い出す可能性を25%まで有している。これらの光電子は、次に、電界により、第1ダイノードに向かって加速される。光電子がダイノードに衝突すると、これらの光電子は、さらなる電子を追い出し、これにより、信号を増幅させる。これらの二次的電子は、次に、これらの電子が再び増幅される次のダイノードに向かってカスケードする。ダイノード連鎖の終わりに、電子は、これらの電子を光電子増倍管の外側へ搬送する陽極により集められる。この地点において、信号は、アナログ−ディジタル変換器の前におけるトランスインピーダンス(transimpedance)増幅器のような従来の電子装置によって容易に測定するのに十分な大きさである。
【0005】
各々のダイノードにおける利得は、このダイノードと以前の段階との間の電位に比例する入力電圧のエネルギーの関数である。この関係は、以下の形式である。
G(v)=kHva
ここで、aは、通常は、0.6〜0.8の範囲である。前記管の総利得は、全てのダイノードからの利得の積である。通常は、図1に示されるように、ダイノードに関するバイアス電圧は、陰極と全てのダイノードとアースとの間に、一連の分圧器抵抗器(voltage-divider resistor)を接続することにより生成される。通常は、全てのダイノード間、および、最後のダイノードと陽極との間における抵抗(したがって、電圧)は、同じである。この抵抗Rは、スケーリング定数として用いられる。通常は、陽極と第1ダイノードとの間の抵抗は、1.5〜3.5Rであり、ここで、Rは、通常は、10〜100KΩである。次に、大きな負電圧が陰極に印加され、かつ、電位は、分圧器抵抗器連鎖により、ダイノードにわたって均一に分割される。
【0006】
従来のバイアス体系は、単一のプログラム可能利得において光電子増倍管を動作させるために有用である。印加された陰極電圧を変更することは、以下の関係によって、利得を変化させる。
G(v)=kHva'
ここで、a’は、通常は、7.0〜8.0の範囲である。しかしながら、必要とされる大きな電圧は、寄生容量と、バイアスストリングにおけるパワー消失を制限するために必要な大きな抵抗値とに起因して、利得を迅速に変化させることを困難にしている。従来の用法は、管の利得を予め決め、適切な陰極電圧を設定し、かつ次に、前記管を、測定工程の間中、前記電圧にて動作させることである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
この構成において、光電子増倍管のダイナミックレンジは、トランスインピーダンス増幅器の雑音特性および利得特性により下限に制限され、かつ、光電子増倍管が陽極電流を伝える能力により上限に制限される。陽極電流は、前記管内における空間電荷効果と、バイアスストリングパワー消耗と、ダイノードを被覆している物質の消耗可能な性質とにより制限される。測定すべき光信号が、低いデューティサイクルを伴う短いパルスであれば、コンデンサについては、パルスの線形性を改善するために、最後のバイアス抵抗器数個にわたって配することができる。しかしながら、この仕組みは、高いデューティサイクルを伴う(すなわち、数十μ秒より長く続く)明るい信号には役立たない。
【0008】
従来技術において、対数圧縮が、光濃度計のようなアプリケーションにおいて用いられてきた。これらは、露出されかつ処理されたフィルム片の暗さを検査するために、写真研究所(photographic labs)により用いられる装置である。しかしながら、これらの装置は、ミリ秒〜秒の時間的尺度においてしか動作しない。この技術の例は、米国特許第3,586,443号明細書と、米国特許第3,653,763号明細書と、米国特許第3,733,491号明細書とに見られる。
【0009】
光電子増倍管の利得調整に関するさらなる例は、共通のHV供給と、質的測定を行うためのAGC回路と、光電子増倍管過負荷保護回路と、高速利得切換回路とを共有する種々の管の利得を予め設定する方法を包含する多くの形式において現れる。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、光電子増倍管は、該管の利得を陽極電流の変化に応じて連続的に調整するために、高速フィードバック回路とともに用いられる。このフィードバック回路は、陽極電流を安全な動作範囲内に常に保つように設計される。前記管の利得および陽極電流は、独立的に、理想的な対数に変換される。次に、これらの信号は、光信号の真の対数表示を再構成するために、互いから減算される。この組み合わせ信号は、著しく大きな範囲の入力信号を、PMTが従来の固定バイアス体系を用いて測定し得るよりも正確に表すことが可能である。
【0011】
【発明の実施の形態】
当業者は、本発明に関する以下の説明が例示的なものに過ぎず、決して制限的ではないことを理解する。本発明の他の実施形態についても、このような当業者には容易に提案される。
【0012】
本発明によれば、光電子増倍管の利得を迅速かつ正確に制御するための装置及び方法が開発されている。光電子増倍管は、該管の利得を陽極電流に応じて連続的に調整するために、高速フィードバック機構とともに用いられる。前記管の利得および陽極電流は、独立的に、理想的な対数に変換される。次に、これらの信号は、光信号の真の対数表示を再構成するために、互いから減算される(除算と等価な対数間隔)。この方法により、光電子増倍管のダイナミックレンジについては、25MHzまで(場合によってはそれ以上)の帯域によって信号を連続的に変動させるために、少なくとも概略値6に拡張することができる。
【0013】
図2を参照すると、概略的な図が、本発明による光電子増倍管のバイアスかけ(biasing)を示している。本明細書に開示された本発明の例示的な実施形態においては、10個のダイノードを備えられたHamamatsu R1166 のような光電子増倍管10が示されているが、当業者には、様々な数のダイノードを有する様々なメーカーからの光電子増倍管に、本発明を容易に適合させることができることが理解される。
【0014】
前記光電子増倍管10は、2つの整合した一定の電源12,14により、バイアスをかけられる。これらの電源12,14は、別個のバイアス抵抗器ストリング16,18(一方は奇数番号ダイノード用であり、他方は偶数番号ダイノード用である)を駆動させる。偶数番号ダイノード20,22,24,26,28用のバイアス抵抗器ストリング16は、一定の電源12により駆動される直列接続された抵抗器30,32,34,36,38,40を有し、かつ、アースを基準としている。抵抗器32,34,36,38は、同じ値2Rを有しており、その一方で、抵抗器30は、2.5Rの値を有し、かつ、抵抗器40は、Rの値を有している。
【0015】
奇数番号ダイノード42,44,46,48,50用の他方のバイアス抵抗器ストリング18は、一定の電源14により駆動される直列接続された抵抗器52,54,56,58,60,62を有している。バイアス抵抗器ストリング18は、増幅器64の出力における迅速に変動可能な電圧電源Vctrlを基準としている。抵抗器52,54,56,58,60は、同じ値2Rを有しており、その一方で、抵抗器62は、0.5Rの値を有している。Vctrlが急速に変動できるとしても、バイアスストリングを駆動させる一定の電源は、作動するのに固定の直流電圧しか必要としない。
【0016】
当業者により理解されるように、抵抗器30,40,52,62の値は、隣接したダイノードにおける電圧をオフセットするように選択され、これにより、隣接したダイノード間の電圧は、陰極66における電圧から降下する。さらに、Vctrlが、ダイノード28上の電圧の1.5倍に等しいときには、全てのダイノードの電圧は、図1の従来のバイアス体系が用いられる場合と同じ電圧である。この電圧は、Vmax(最大利得制御電圧)と称される。
【0017】
2つのバイアス抵抗器ストリングの各々におけるダイノード間の電圧は一定であり、コンデンサ70については、これらのバイアスストリングのダイナミックインピーダンスを低下させるために、抵抗器52を除く全てのバイアス抵抗器と並列に配することができる。これらのコンデンサについては、本明細書に開示されている利得制御回路の速度に影響を与えずに、任意の大きさ(すなわち、0.1μF)に構成することができる。
【0018】
前記VctrlがVmaxに等しいときには、光電子増倍管は、最大利得において動作する。Vctrlの負特性が低くされるにつれて、ダイノード間の電圧は、図1の回路における従来の値よりも、交互に大きくなったり小さくなったりする。例えば、Vctrlの負特性が低くされるにつれて、ダイノード48,26間の電位は降下し、その一方で、ダイノード48,24間の電位は上昇する。したがって、各々のダイノードにおける利得は、交互に増減する。しかしながら、利得は、奇数ダイノード上においてよりも、偶数ダイノード上において急速に降下する。結果として、光電子増倍管の利得全体は減少する。
【0019】
前記Vctrlがダイノード28上における電圧の0.5倍に近づくにつれて、奇数ダイノードおよび偶数ダイノードの組は同じ電圧に近づき、かつ、前記管の利得全体が最小にされる。この電圧は、Vminと称される。
【0020】
前記VctrlがVminに近づくにつれて、システムは、2つのバイアスストリングにおける構成要素の不整合に起因して、より不正確になる。しかしながら、回路は、さらに信号を減衰させ続ける。原則的に、Vctrlの負特性をVminよりやや低く保つことにより、陽極電流を完全に遮断することができる。これにより、過負荷が終わった場合にも迅速に回復できる内蔵型の過負荷保護が可能となる。
【0021】
図3は、光電子増倍管の理論利得応答を、700VにおいてバイアスをかけられたR1166光電子増倍管に関するVctrlの関数として示すグラフである。対数−対数間隔において、利得が概略値4以上において、応答がほぼ直線であることが分かる。この利得調整の程度は、100Vより少ない制御電圧の揺れ(swing)によって達成される。さらに、制御電圧は、ほぼアースされている。大きなバイアス電流をわたって光電子増倍管の陰極側へ、制御信号が送信される必要はない。比較的低い電圧揺れとほぼアースされた電位というこの組み合わせは、前記管の利得を制御するための簡素かつ高速のフィードバックループの設計を可能にする。
【0022】
2つのバイアスストリングを駆動させるために必要とされる、図2における正確に整合した電源12,14については、2つの固定された電圧供給(すなわち、高電圧供給82および低電圧供給84)を用いた図4の回路80に示されるように実施することができる。従来通りにバイアスをかけられたPMTとともに用いられる供給とは違い、HV供給は特に安定である必要はない。その理由は、電源が、直列の調整器として作用するためである。高電圧供給82は、EMCO High Voltage of Sutter Creek CAから入手可能なModel E06のような、市販の入手可能な高電圧供給であってもよく、かつ、低電圧供給84は、DATEL of Mansfield MAから入手可能なModel UWR-12/250-D12のような、市販の入手可能な高アイソレーション電圧を伴う12V DC−DC変換器であってもよい。電圧調整器86は、調整された9Vの電圧を供給する標準3端子線形電圧調整器(standard 3-terminal linear voltage regulator)である。電圧調整器88は、2.500Vの電圧基準を供給する精密3端子電圧基準器(precision 3-terminal voltage reference)である。回線90,92,94は、図4の回路素子の残りに電力供給するために用いられる。高電圧電力供給82は、電源のために、回線90において高電圧“浮動”アースHVFGNDを形成する。低電圧電力供給84および電圧調整器86,88は、回線92において2.5Vの基準電圧を発生させかつ回線94において9Vの電圧供給を発生させるために(これらの基準電圧および電圧供給は、電源により用いられる)、この浮動アースを基準とする。
【0023】
増幅器102は、適度な速度かつ低オフセットであり、演算増幅器およびMOSトランジスタ104は、高電圧低容量NチャンネルMOSFETである。これらの装置は当業者には公知の製品であり、かつ、適切な代用品が、Linear Technology, Analog Devices, BurrBrown, Supertex, Zetex, Motorola, National Semiconductorを包含する多数のメーカーから入手可能である。
【0024】
抵抗器106は、通常は1%抵抗器である抵抗器108により1250Ωに整えられている精密1,300Ω0.1%抵抗器(Panasonic)である。増幅器102は、MOSトランジスタ104のゲートにおける電圧を調整して、1,250Ωの抵抗器106,108の組み合わせを経てHVFGNDまで、一定の2.500Vを維持する。これにより、精密な2.000mAの電流がMOSトランジスタ104を通って流れる結果となる。MOSトランジスタ104のゲートは隔離されているので、全ての電流は、MOSトランジスタ104のドレーンにおける負荷から生じる必要がある。
【0025】
抵抗器110,112、および、コンデンサ114は、標準的な実際の設計にしたがって用いられ、構成要素における非理想的な性質を修正する。示されている実施形態においては約50Ωの値を有し得る抵抗器110は、増幅器102をMOSトランジスタ104のゲート容量から隔離する。示されている実施形態においては約1,250Ωの値を有し得る抵抗器112は、増幅器102の入力バイアス電流を補償する。示されている実施形態においては約1μFの値を有し得るコンデンサ114は、減結合コンデンサである。
【0026】
図2の高電圧増幅器64は、約35の利得を伴う高速線形増幅器である。図5は、適切な増幅回路120の一手段を示す概略図である。図5の増幅回路120は、+5V,−12V,−100,−2.500Vの公称出力電圧をそれぞれ有する3つの電源と1つの電圧基準(図示せず)とを用いる。出力は、高利得かつ共通電源の構成において配線されている高電圧MOSトランジスタ122,124により駆動される。ドレーン容量を最小にするために、通常の出力動作範囲は、−25〜−75Vに制約される。増幅器126は、MOSトランジスタ122を直接的に制御するが、MOSトランジスタ124の高周波部分を制御するのみである。MOSトランジスタ124の直流成分は、トランジスタ130と抵抗器132とを介して、増幅器128により制御される。増幅器128は、能動的に、MOSトランジスタ124のバイアスを調整し、MOSトランジスタ122上において一定のソース電流を維持する。トランジスタ122上における一定のソース電流が、負荷に供給されるものとして考えられる最大の電流よりもやや大きくなるように構成することにより、トランジスタ122が常にやや前方にバイアスをかけられていることが保証される。
【0027】
図5の回路の動作範囲と能動バイアシングを用いることとを制約することは、MOSトランジスタ122,124のいずれも飽和状態には駆動されないことを、または、MOSトランジスタ122,124が完全に停止することを許容されていないことを保証する。このことは、非常に迅速な増幅を確立することを可能にする。
【0028】
能動バイアシング回路を用いることは、電源の変化を入念に追跡することと、両方のMOSトランジスタの閾値電圧の変化を自動的に補償することとにより電力消耗を最小限にする。従来のバイアス体系が用いられた場合には、システムは、最悪の場合の成分値および供給電圧の組み合わせのために設計される必要がある。このことは、通常の動作の下では、電力消耗が著しく大きくなることを意味する。
【0029】
抵抗器134,136は、増幅器の利得を設定する。抵抗器138は、増幅器126における入力バイアス電流を補償する。抵抗器140は、MOSトランジスタ122の直流バイアス電流を感知する。抵抗器142,144は、トランジスタ122のバイアス電流を設定するために用いられる基準電圧を設定する。抵抗器146は、コンデンサ148とともに、バイアス増幅器128の帯域を制限する。抵抗器132は、MOSトランジスタ124のゲートを、MOSトランジスタ130の出力容量から隔離する。抵抗器150は、コンデンサ152を帯電された状態に保つためのプルアップ抵抗器である。抵抗器154,156は、発振を防ぐために、バイアス増幅器140のループ利得を制限する。
【0030】
示された実施形態においてそれぞれ0.1μFおよび30μFの値を有するコンデンサ148,158は、安定性のために必要な帯域制限フィードバックコンデンサである。示された実施形態において0.1μFの公称値を有するコンデンサ152は、増幅器126が、該増幅器126の動作範囲(+5/12V)外にあってもMOSトランジスタ124を制御するのに必要な直流ブロッキングコンデンサである。コンデンサ160,162,164,166,168,170,172は、全てバイパスコンデンサであり、かつ、示された実施形態においては、0.1μFの公称値を有している。
【0031】
図6を参照すると、概略的な図が、本発明による光電子増倍管対数光検出器180の一実施形態を示している。制御信号Vctrlを発生しかつ図1のバイアス抵抗器ストリング18上における電圧を設定する図1の増幅器64は、光電子増倍管10の陽極68からのフィードバックループの一部である。対数増幅器182は、(Analog Modules. Inc. of Longwood. FLから入力可能なmodel382対数増幅器のような)40個1組の(four-decade)対数増幅器であり、かつ、光電子増倍管10の陽極電流の対数である信号を生成する。その出力は、サーボ増幅器184により感知され、かつ、基準電圧Vrefと比較される。対数増幅器182の出力における信号がVrefより低ければ、サーボ増幅器184は、高電圧増幅器64への入力を増加させ、これにより、高電圧増幅器64は、対数信号がVrefに整合するか、または、最大PMT利得が到達されるまで、前記管の利得を増加させる。対数増幅器182の出力における信号がVrefより高ければ、信号が再びVrefに整合するか、または、最小光電子増倍管利得が到達されるまで、前記管の利得は、サーボ増幅器184により減少する。
【0032】
Vctrl(増幅器64の出力)の通常の動作範囲は、VminとVmaxとの間である(通常は、約−25〜約−75Vである)。サーボ増幅器184の一手段は、Analog Devices of Norwood. MAから入手可能なModel AD8036のような、市販の入手可能な制限演算増幅器を用いる。その出力は、増幅器64の入力を駆動させる。このような制限増幅器が用いられるときには、VminRef〜VmaxRefの範囲は、図6に示されるような増幅器への入力として設定され、これにより、増幅器64の出力は、決して、Vmin〜Vmaxの電圧範囲以上に駆動されない。
【0033】
反転増幅器(inverting amplifier)186は、−0.05の利得を有する。この反転増幅器は、Vctrlの増幅(1/20)である信号を生成する。コンデンサ188は、奇数の(調整された)ダイノードと陽極との間における全寄生容量の合計の20倍の値を有するように選択される。コンデンサ188の通常の値は、約10pFである。増幅器186およびコンデンサ68の純効果は、光電子増倍管10の陽極68内に、前記管内の寄生容量により増幅器64から注入された電流を厳密に無効にする電流を注入することである。
【0034】
20個1組の対数増幅器190は、制御電圧の対数である信号を生成する。対数増幅器190から出力された対数Vctrl信号は、増幅器192における約3の係数により増幅され、これにより、光電子増倍管10の利得を表す信号が生成される。増幅器192は、対数−利得信号を、信号減算を行う前の対数−電流信号と同じに変換するように、約3の係数にプログラムされた利得を有するプログラム可能利得増幅器である好ましい。増幅器192の利得に関する約3の値は、図3の対数利得〜対数電圧の曲線の勾配から引き出される。次に、増幅器192の出力は、差分増幅器194により対数増幅器182の出力から減算され、これにより、最終アナログ対数−光レベル信号(final analog log-light-level signal)が生成される。この信号は、アナログ−ディジタル変換器(ADC)196においてディジタル化され、これにより、ディジタル化された対数−光レベル信号出力が生成される。ADC196は、通常は、12ビットの解像度を有していてもよい。
【0035】
図7は、本発明による光電子増倍管の対数光検出器200に関する他の実施形態を示す概略図である。図7の回路は、図6の回路と動作上類似しているが、より不正確でありさらに反復可能な準対数信号(quasi-logarithmic signal)が陽極電流と制御電圧とから生成される場合に有用である。図6の対数光検出器180のように、図7の対数光検出器200は、対数増幅器182を伴うフィードバックループにおいて制御電圧増幅器64を用い、かつ、光電子増倍管10の陽極電流の対数である信号を生成する40個1組の対数増幅器を用いる。その出力は、サーボ増幅器184により感知され、かつ、基準電圧と比較される。信号がVrefより低ければ、サーボ増幅器は、高電圧増幅器64への入力を増加させ、これにより、高電圧増幅器64は、対数信号がVrefに整合するか、または、前記管の最大利得が到達されるまで、管の利得を増加させる。対数増幅器182の出力がVrefより高ければ、信号が再びVrefに整合するか、または、前記管の最小利得が到達されるまで、前記管の利得は減少する。Vctrlの通常の動作範囲は、VminとVmaxとの間である(通常は、約−25〜約−75Vである)。
【0036】
光電子増倍管の実際の利得特性は、図3の曲線と異なってもよいので、または、対数増幅器182,190の誤差のために、対数増幅器182,190の出力は、ADC202,204によりそれぞれ別個にディジタル化される。これらの出力は、プログラム可能ルックアップテーブル206,208にそれぞれ呼びかける(interrogate)ために用いられる。当業者には理解されるように、ルックアップテーブル206,208は、増幅器190,182の出力を、所定の共通の底を有する利得および陽極電流の理想的な対数表示に変換する完全に一般的な校正(calibrations)を実施するために用いられる。ルックアップテーブル208は、演算論理装置(ALU)210において、ルックアップテーブル206の出力からディジタル的に減算され、これにより、同じ所定の底のディジタル化された対数−光レベル出力信号が生成される。
【0037】
当業者には理解されるように、ルックアップテーブル206,208は、回路におけるあらゆるオフセット、利得誤差、またはより高い次数の非線形性を除去するように、本発明の個々の実施形態に対して経験的に決定される。用いられている特定の形式のPMTに関する実際の利得特性に応じて、線形増幅器、または、べき法則(例えば、平方根、立方根など)のような他の何らかの非線形伝達関数を備えた増幅器を、本発明の本質を変更することなく、対数増幅器190の代わりに用いることができる。
【0038】
図6に示されたアナログ手段と、図7に示されたディジタル手段とに加えて、ハイブリッドな解法が、さらに、本発明の他の特徴として意図される。以下、図8を参照すると、本発明による対数光検出器のハイブリッドアナログ/ディジタル回路手段220の概略図が表されている。図8に示された実施形態の回路素子の多くは、図6および図7の実施形態における対応する回路素子と同じであり、かつ、これらの実施形態における対応する回路素子と同じ参照番号が与えられている。当業者は、図6および図7の回路の動作に関する説明が、これらの回路の共通の回路素子の動作については、図8の回路の動作にも当てはまることを理解する。
【0039】
図8の実施形態において、単一のルックアップテーブル222が用いられ、これにより、(ADC224においてディジタル化された)光電子増倍管の利得応答における理想的な性質からの逸脱が補正され、かつ、アナログ減算を行う前の2つの対数信号間の勾配の整合がもたらされる。ルックアップテーブル222の出力は、ディジタル−アナログ変換器226により変換され、アナログ信号に戻される。
【0040】
図8の実施形態の混成方法は、幾つかの利点を有している。完全に一般的な校正は、ルックアップテーブル222によりもたらされるが、同時に、単一のアナログ出力信号というシステム統合の利点が保持される。図8の実施形態において、高速ADCは、先に存在する機器設計の再利用可能な部分である可能性が高い。利得信号は、通常は、陽極電流よりもゆっくりと変化するので、ADC224,ルックアップテーブル222,ディジタル−アナログ変換器(DAC)226については、ADC196よりも遅い速度で計時することができる。このことは、ディジタル回路222,224,226により発生する電子的雑音の量を低下させ、かつ、ADC224、ルックアップテーブル222、DAC226に関して、より安価な構成部品を用いることを可能にする。
【0041】
従来の光電子増倍管の代わりに、15ダイノードHamamatsu R3432-01のような細かい網目のダイノード光電子増倍管を、本発明において用いることができる。これらの光電子増倍管は、従来の光電子増倍管に比べ、より短い伝達時間と、より高いパルス線形性と、磁界に対するより優れた免疫性とを有する。このような管は、現在では一般に用いられていない可能性が高い。その理由は、網目ダイノードが、その小さな表面積により、保持された過負荷信号からの損傷を特に受け易いためである。本発明は、その長所を有効に利用し、かつさらに、これらの長所を過負荷による損傷から保護することができる。本発明において都合よく用いることができる他の光電子増倍管は、Hamamatsu Photonics, K.K. of Japanから入手可能なmodel R2801のような低雑音両アルカリ(bi-alkali)陰極光電子増倍管である。この管の陰極は、より低い暗電流のために設計されたが、従来の光電陰極よりもはるかに低い抵抗を有するという望ましい特性を有している。このことは、本発明にとって重要である。その理由は、明るい信号に対して、陰極内の光電子電流が、異常な利得損失につながる著しい電圧効果を生じさせ得るためである。
【0042】
本発明の実施形態および応用について示しかつ説明してきた一方で、当業者には、上述したことより多くの変更が、本明細書中における発明の概念から逸脱することなく可能であることが明白である。例えば、所定の光電子増倍管に対し、奇数ダイノードの1つが異常に大きな容量結合を陽極に対して有していると分かれば、このダイノードを受動バイアスストリング16内に挿入することができ、これにより、全体的ダイナミックレンジの低下を犠牲にして容量結合が除去される。速度と、電力消費と、雑音と、感度と、ダイナミックレンジとの間におけるごく普通の工学的トレードオフは、本明細書に開示された好ましい実施形態が任意の所定のアプリケーションに対して用いられるように、多くの些細な設計変更がなされる動機づけとなる。したがって、本発明は、添付された請求項の範囲以外において制限されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来技術による光電子増倍管のバイアスかけを示す概略図である。
【図2】 本発明による光電子増倍管のバイアスかけを示す概略図である。
【図3】 光電子増倍管の理論利得応答を、制御電圧の関数として示すグラフである。
【図4】 図2の電源を実施するための例示的な回路の概略図である。
【図5】 図2の光電子増倍管においてアクティブダイノードバイアシングストリングを駆動するために用いられる増幅器の例示的な手段の概略図である。
【図6】 本発明による対数光検出器に関する一実施形態の概略図である。
【図7】 本発明による対数光検出器に関する他の実施形態の概略図である。
【図8】 本発明による対数光検出器のハイブリッドアナログ/ディジタル手段の概略図である。
【符号の説明】
10 光電子増倍管
12,14 電源
16,18 バイアス抵抗器ストリング
20,22,24,26,28 ダイノード
30,32,34,36,38,40 抵抗器
42,44,46,48,50 ダイノード
52,54,56,58,60,62 抵抗器
64 増幅器
66 陰極
80 回路
82 高電圧供給
84 低電圧供給
86,88 電圧調整器
90,92,94 回線
102 増幅器
104 MOSトランジスタ
106,108 抵抗器
110,112 抵抗器
114 コンデンサ
120 増幅回路
122,124 MOSトランジスタ
126,128 増幅器
130 MOSトランジスタ
132,134,136,138,140,142,144,146,150,154,156 抵抗器
148,152,158 コンデンサ
160,162,164,166,168,170,172 コンデンサ
180 対数光検出器
182 対数増幅器
184 サーボ増幅器
186 反転増幅器
188 コンデンサ
190 対数増幅器
192 増幅器
194 差分増幅器
196,202,204 アナログ−ディジタル変換器(ADC)
200 対数光検出器
206,208 ルックアップテーブル
210 演算論理装置(ALU)
220 ハイブリッドアナログ/ディジタル回路手段
222 ルックアップテーブル
224 アナログ−ディジタル変換器(ADC)
226 ディジタル−アナログ変換器(DAC)

Claims (14)

  1. 入力信号の大きさを測定する高速かつ高ダイナミックレンジ光検出器システムであって、
    陰極と、陽極と、前記陰極と前記陽極との間に離間して配置された複数のダイノードとを有する光電子増倍管と、
    制御信号に応じて、約1ミリ秒未満において少なくとも概略値4より多く、光電子増倍管の利得を連続的に変動させる利得変動手段と、
    前記光電子増倍管の陽極電流の対数である第1信号を生成する、前記光電子増倍管の陽極に結合された手段と、
    前記光電子増倍管の陽極電流を安全な動作範囲に維持するように選択された大きさを有する前記制御信号を、前記第1信号から生成する、前記光電子増倍管の陽極に結合された手段と、
    前記制御信号から前記光電子増倍管の前記陽極への寄生容量を補償する、前記制御信号に応答する手段と、
    所定の底において、前記光電子増倍管の陽極電流の理想的と考えられる対数表示である第2信号を生成する、前記第1信号に応答する手段と、
    前記所定の底において、前記光電子増倍管の利得の理想的と考えられる対数である第3信号を生成する、前記制御信号に応答する手段と、
    前記所定の底において、入力信号の大きさの対数を表す信号を供給する、前記第3信号を前記第2信号から減算する手段と
    を具備することを特徴とする高速かつ高ダイナミックレンジ光検出器システム。
  2. 前記第3信号を生成する前記手段は、
    伝達特性を有し、前記制御信号に連結された入力と、出力とを有する第1増幅器と、
    前記第1増幅器の出力に連結された入力と、複数のディジタル出力とを有するアナログ−ディジタル変換器と、
    前記アナログ−ディジタル変換器の複数のディジタル出力に連結された複数の入力と、複数のディジタル出力とを有する第1ルックアップテーブルと
    を具備し、
    前記第2信号を生成する前記手段は、
    前記光電子増倍管の前記陽極に連結された入力と、出力とを有する第2対数増幅器と、
    前記第2対数増幅器の出力に連結された入力と、複数のディジタル出力とを有する第2アナログ−ディジタル変換器と、
    前記第2アナログ−ディジタル変換器の複数のディジタル出力に連結された複数の入力と、複数のディジタル出力とを有する第2ルックアップテーブルと
    を具備し、
    前記減算する手段は、前記第1ルックアップテーブルの前記複数の出力に連結された第1セットの入力と、前記第2ルックアップテーブルの前記複数の出力に連結された第2セットの入力と、出力とを有するディジタル減算回路を具備することを特徴とする請求項1に記載の高速かつ高ダイナミックレンジ光検出器システム。
  3. 前記第1増幅器の伝達関数は、線形であることを特徴とする請求項に記載の高速かつ高ダイナミックレンジ光検出器システム。
  4. 前記第1増幅器の伝達関数は、対数であることを特徴とする請求項に記載の高速かつ高ダイナミックレンジ光検出器システム。
  5. 前記第1増幅器の伝達関数は、べき法則であることを特徴とする請求項に記載の高速かつ高ダイナミックレンジ光検出器システム。
  6. 前記第3信号を生成する前記手段は、
    伝達特性を有し、前記制御信号に連結された入力と、出力とを有する第1増幅器と、
    前記第1増幅器の出力に連結された入力と、複数のディジタル出力とを有するアナログ−ディジタル変換器と、
    前記アナログ−ディジタル変換器の複数のディジタル出力に連結された複数の入力と、複数のディジタル出力とを有するルックアップテーブルと、
    前記ルックアップテーブルの複数のディジタル出力に連結された複数のディジタル入力を有するディジタル−アナログ変換器と
    を具備し、
    前記第2信号を生成する前記手段は、
    前記光電子増倍管の前記陽極に連結された入力と、出力とを有する第2対数増幅器
    を具備し、
    前記減算する手段は、前記ディジタル−アナログ変換器の出力に連結された第1入力と、前記第2対数増幅器の出力に連結された第2入力と、出力とを有するアナログ減算回路を具備することを特徴とする請求項1に記載の高速かつ高ダイナミックレンジ光検出器システム。
  7. 前記第1増幅器の伝達関数は、線形であることを特徴とする請求項6に記載の高速かつ高ダイナミックレンジ光検出器システム。
  8. 前記第1増幅器の伝達関数は、対数であることを特徴とする請求項6に記載の高速かつ高ダイナミックレンジ光検出器システム。
  9. 前記第1増幅器の伝達関数は、べき法則であることを特徴とする請求項6に記載の高速かつ高ダイナミックレンジ光検出器システム。
  10. 前記第3信号を生成する前記手段は、
    伝達特性を有し、前記制御信号に連結された入力と、出力とを有する第1増幅器
    を具備し、
    前記第2信号を生成する前記手段は、
    前記光電子増倍管の前記陽極に連結された入力と、出力とを有する第2対数増幅器
    を具備し、
    前記減算する手段は、前記第1増幅器の出力に連結された第1入力と、前記第2対数増幅器の出力に連結された第2入力と、出力とを有するアナログ減算回路を具備することを特徴とする請求項1に記載の高速かつ高ダイナミックレンジ光検出器システム。
  11. 前記第1増幅器の伝達関数は、線形であることを特徴とする請求項10に記載の高速かつ高ダイナミックレンジ光検出器システム。
  12. 前記第1増幅器の伝達関数は、対数であることを特徴とする請求項10に記載の高速かつ高ダイナミックレンジ光検出器システム。
  13. 前記第1増幅器の伝達関数は、べき法則であることを特徴とする請求項10に記載の高速かつ高ダイナミックレンジ光検出器システム。
  14. 入力信号の大きさを測定する高速かつ高ダイナミックレンジ光検出器システムを動作させる方法であって、
    陰極と、陽極と、前記陰極と前記陽極との間に離間して配置された複数のダイノードとを有する光電子増倍管を供給する段階と、
    制御信号に応じて、約1ミリ秒未満において少なくとも概略値4より多く、光電子増倍管の利得を連続的に変動させる段階と、
    前記光電子増倍管の陽極電流の対数である第1信号を生成する段階と、
    前記光電子増倍管の陽極電流を安全な動作範囲に維持するように選択された大きさを有する前記制御信号を、前記第1信号から生成する段階と、
    前記制御信号から前記光電子増倍管の前記陽極への寄生容量を補償する段階と、
    所定の底において、前記光電子増倍管の陽極電流の理想的と考えられる対数表示である第2信号を生成する段階と、
    前記所定の底において、前記光電子増倍管の利得の理想的と考えられる対数である第3信号を生成する段階と、
    前記所定の底において、入力信号の大きさの対数を表す信号を供給する、前記第3信号を前記第2信号から減算する段階と
    を具備することを特徴とする方法。
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