CN110889242B - Apd电压的调整方法、装置、存储介质及onu设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种APD电压的调整方法，包括：根据标准温度、温度特性参数及标准温度下的APD击穿电压，通过预设的线性法计算得到所述预设的温度与APD电压的线性关系式；根据所述温度与APD电压的线性关系式及当前的温度值获得当前温度下的偏置电压；判断所述偏置电压是否满足预设的接收灵敏度良好条件；响应于所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整所述线性关系式中的参数，以调整所述线性关系式。本发明实施例还提供了APD电压的调整装置、存储介质及ONU设备，有效解决现有技术由于APD设置不合理，使得无法保证不同温度下的ONU设备接收灵敏度，且无法批量操作的问题。
Description
技术领域
本发明涉及光学通信技术领域，尤其涉及一种APD电压的调整方法、装置、存储介质及ONU设备。
背景技术
在PON(无源光网络)接入技术中，ONU(光网络单元)的发射以及接收性能都有着严格的要求，而决定ONU设备接收性能的器件主要为光电二极管。目前常用的光电二极管有PIN光电二极管和APD雪崩二极管。对于接收性能要求高(接收等级Class C+)的通信系统均采用APD方案，具有内部增益功能，是光电二极管与电信号放大器的集成器件。APD对光信号的放大能力用倍增因子M表示，定义为输出电流与输入光电流的比值。则倍增因子M可以表示为：
式中，Vbr为APD击穿电压，V为APD上的反向偏置电压；n是器件材料、掺杂浓度以及光波长有关，一般取1～3。当反向偏置电压远小于Vbr时，倍增因子M很小；当偏置电压靠近Vbr时，光电流变化非常大，M很大。
雪崩二极管工作在反向偏置电压下。在一定温度下，偏置电压增加，产生的光电子空穴越多，倍增因子M越大。由于APD本身会受到温度影响，当温度变化时，APD的Vbr会相应变化，当温度升高时，Vbr也会变大。因此APD的放大增益与反向偏置电压V以及APD工作温度T相关。
在ONU设备中，APD是集成在BOSA光组件中，由于BOSA器件的空间很小没有温度传感器，因此APD的温度是靠ONU中光芯片中的传感器来获取的。通过测量APD与光芯片的温度差,通过补偿该温度差来间接获取APD的工作温度。在不同的温度下，对应不同的Vbr，将Vbr-3设置为APD的反向偏置电压则ONU设备可以表现很好的接收灵敏度。由于ONU设备需要工作在不同的温度下，APD工作电压需要随温度变化进行调整。ONU设备中光芯片通过其温度传感器获取芯片的温度，通过温度差得到APD温度，然后控制APD升压电路，从而使APD工作在对应的偏置电压V下。由于APD的击穿电压与工作温度T的关系不是简单的线性关系，因此根据温度来设定APD工作电压的方式常见的有两种：
第一种方法——查表法，不同的ONU设备均需要建立一张电压/温度表，数据采集量大，对于大量ONU设备来说工作量巨大，不适合批量化操作。
第二种方法——线性法，不同的ONU设备只需要测量一个点的值，即可得到整段的关系式，操作起来方便。但是由于只准确获取一个点的值，其余温度的值是通过线性关系获取，首先斜率是生产厂商提供与实际器件性能有一定差异，其次温度与Vbr的关系也不是绝对的线性关系，因此这两个因素使得该方法并不准确可靠，同时如果设置不合理将会引起在一些温度下的接收灵敏度恶化。
发明内容
本发明实施例提供一种APD电压的调整方法、装置、存储介质及ONU设备，能有效解决现有技术由于APD设置不合理，使得无法保证不同温度下的ONU设备接收灵敏度，且无法批量操作的问题。
本发明一实施例提供一种APD电压的调整方法，包括：
根据标准温度、温度特性参数及标准温度下的APD击穿电压，通过预设的线性法计算得到所述预设的温度与APD电压的线性关系式；
根据所述温度与APD电压的线性关系式及当前的温度值获得当前温度下的偏置电压；
判断所述偏置电压是否满足预设的接收灵敏度良好条件；
响应于所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整所述线性关系式中的参数，以调整所述线性关系式。
作为上述方案的改进，所述预设的接收灵敏度良好条件，包括：
APD电压允许波动范围；其中，所述APD电压允许波动范围根据当前温度下的APD击穿电压及预设的波动误差进行设置。
作为上述方案的改进，响应于所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整所述线性关系式中的参数，以调整所述线性关系式，包括：
响应于所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整所述线性关系式的截距，以调整所述线性关系式；
及，
响应于所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整线性关系式的温度特性参数，以调整所述线性关系式。
作为上述方案的改进，响应于所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整所述线性关系式的截距，以调整所述线性关系式，具体包括：
响应于所述偏置电压超出所述APD电压允许波动范围，所述偏置电压与所述当前温度下的APD击穿电压的差值的绝对值大于所述波动误差且不大于二倍的所述波动误差后，根据预设的纵轴方向最小距离原理调整所述线性关系式的截距；
根据所述截距调整所述线性关系式。
作为上述方案的改进，响应于所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整线性关系式的温度特性参数，以调整所述线性关系式，具体包括：
响应于所述偏置电压超出所述APD电压允许波动范围，且所述偏置电压与所述当前温度下的APD击穿电压的差值的绝对值大于二倍的所述波动误差后，则调整线性关系式的温度特性参数，以调整所述线性关系式。
作为上述方案的改进，所述根据预设的温度与APD电压的线性关系式及当前的温度值获得当前温度下的偏置电压，具体包括：
将温度传感器获取的经补偿后的温度带入所述预设的温度与APD电压的线性关系式，得到对应的二进制数；
根据所述二进制数控制APD升压电路，得到所述偏置电压。
作为上述方案的改进，所述方法，还包括：
响应于所述偏置电压满足预设的接收灵敏度良好条件，则不对所述线性关系式进行调整。
本发明另一实施例对应提供了一种APD电压的调整装置，包括：
第一计算模块，用于根据标准温度、温度特性参数及标准温度下的APD击穿电压，通过预设的线性法计算得到所述预设的温度与APD电压的线性关系式；
第二计算模块，用于根据所述温度与APD电压的线性关系式及当前的温度值获得当前温度下的偏置电压；
判断模块，用于判断所述偏置电压是否满足预设的接收灵敏度良好条件；
第一响应模块，用于响应于所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整所述线性关系式中的参数，以调整所述线性关系式。
本发明另一实施例对应提供了一种ONU设备，包括处理器、存储器、温度传感器、APD升压电路以及存储在所述存储器中且被配置为由所述处理器执行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述发明实施例所述的APD电压的调整方法。
本发明另一实施例提供了一种存储介质，所述计算机可读存储介质包括存储的计算机程序，其中，在所述计算机程序运行时控制所述计算机可读存储介质所在设备执行上述发明实施例所述的APD电压的调整方法。
与现有技术相比，本发明实施例公开的APD电压的调整方法、装置、设备及存储介质，通过预设的温度与APD电压的线性关系式获得当前温度下的偏置电压，判断所述偏置电压是否满足预设的接收灵敏度良好条件，若所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整所述线性关系式中的参数，从而实现调整所述线性关系式。由此可见，通过判断偏置电压是否满足预设的接收灵敏度良好条件，从而判断预设的温度与APD电压的线性关系式是否满足ONU设备正常工作要求，从而动态调整线性关系，有效控制由APD设置不合理带来的风险且保证了不同温度下的ONU设备接收灵敏度。并且由于可以实时调整线性关系式，从而方便大批量ONU中APD参数的设定。
附图说明
图1是本发明一实施例提供的一种APD电压的调整方法的流程示意图；
图2是本发明一实施例提供的一种APD电压的调整方法具体的流程示意图；
图3是本发明一实施例提供的一种APD电压的调整装置的结构示意图；
图4是本发明一实施例提供的一种ONU设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
参见图1，是本发明一实施例提供的一种APD电压的调整方法的流程示意图。
本实施例提供的APD电压的调整可以由ONU设备的控制端执行。其中，在本实施例中，该ONU设备的控制端优选为ONU设备中的处理器(甚至还可以是云端服务器等)，该ONU设备可以通过软件和/或硬件的方式实现，该ONU设备可以是两个或多个物理实体构成，也可以是一个物理实体构成。
进一步地，所述ONU设备的处理器与存储器、温度传感器13、APD升压电路14等连接(连接的方式可以是有线连接或无线连接等方式)。其中，ONU设备的处理器获取所述温度传感器13采集的经补偿后的温度，将补偿后的温度输入述预设的温度与APD电压的线性关系式，得到对应的二进制数，从而根据所述二进制数控制APD升压电路14，进而得到所述偏置电压。再判断所述偏置电压是否满足预设的接收灵敏度良好条件，若所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，控制所述线性关系式中的参数进行调整，从而实现调整所述线性关系式。
需要说明的是，上述各种信息可以直接发送给所述ONU设备，也可以是先发送到其他的信息处理装置经过相应的信息处理后，然后由该信息处理装置将处理后的信息发送给所述ONU设备。
本发明实施例提供一种APD电压的调整方法，包括如下步骤：
S10,根据标准温度、温度特性参数及标准温度下的APD击穿电压，通过预设的线性法计算得到所述预设的温度与APD电压的线性关系式。在本实施例中，标准温度为25度，温度特性参数通过APD生产厂商获取，为器件的特性参数。
其中，由于击穿电压与温度呈正相关关系，可以将两者的关系分为两段，一段为25℃以上部分，另一段为25℃以下，只需要获得25℃的APD击穿电压即Vbr以及这两段的斜率值kslopeup、kslopedown，则得到预设的温度与APD电压的线性关系式。但在实际使用中，由于加载在APD的反向偏置电压不是越接近APD击穿电压越好，而是在接近APD击穿电压的电压范围找到ONU设备的最佳接受灵敏度特性，因此在本实施例中，ONU设备中选取Vbr-3作为APD最佳工作的电压值。
具体地，所述预设的温度与APD电压的线性关系式为
其中，kslopeup为第一温度特性参数、kslopedown为第二温度特性参数，t为当前温度、y0为标准温度时APD电压值y0＝Vbr25-3、Vbr25为标准温度下的击穿电压。
S20,根据所述温度与APD电压的线性关系式及当前的温度值获得当前温度下的偏置电压。
具体地，通过线性关系式得到APD电压，通过APD电压控制APD升压电路14得到偏置电压。
在本实施例中，将温度传感器13获取的经补偿后的温度带入所述预设的温度与APD电压的线性关系式，得到对应的二进制数；根据所述二进制数控制APD升压电路14，得到所述偏置电压。
S30,判断所述偏置电压是否满足预设的接收灵敏度良好条件。
其中，所述预设的接收灵敏度良好条件，包括：APD电压允许波动范围；其中，所述APD电压允许波动范围根据当前温度下的APD击穿电压及预设的波动误差进行设置。还可以为其他能够判断ONU设备接收灵敏度良好的条件(例如直接测量ONU的接收灵敏度，并判断其是否符合要求)。
具体地，由于计算出的偏置电压的电压值与Vbr-3会出现偏差，因此需要限定一个波动误差δ，对此波动误差δ可以根据需要进行设置，在此不作限定。在本实施例中，预设的波动误差δ为0.5。偏置电压在APD电压允许波动范围，ONU设备接收灵敏影响较小，接收效果较好。即偏置电压的范围需在[Vbr-3.5,Vbr-2.5]内。
S40,响应于所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整所述线性关系式中的参数，以调整所述线性关系式。
具体地，通过判断偏置电压是否满足预设的接收灵敏度良好条件，从而判断预设的温度与APD电压的线性关系式是否满足ONU设备正常工作要求，从而动态调整线性关系，有效控制由APD设置不合理带来的风险且保证了不同温度下的ONU设备接收灵敏度。
综上所述，通过预设的温度与APD电压的线性关系式获得当前温度下的偏置电压，判断所述偏置电压是否满足预设的接收灵敏度良好条件，若所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整所述线性关系式中的参数，从而实现调整所述线性关系式。由此可见，通过判断偏置电压是否满足预设的接收灵敏度良好条件，从而判断预设的温度与APD电压的线性关系式是否满足ONU设备正常工作要求，从而动态调整线性关系，有效控制由APD设置不合理带来的风险且保证了不同温度下的ONU设备接收灵敏度。并且由于可以实时调整线性关系式，从而方便大批量ONU中APD参数的设定。
作为上述方案的改进，响应于所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整所述线性关系式中的参数，以调整所述线性关系式，包括：
S401，响应于所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整所述线性关系式的截距，以调整所述线性关系式。
及，
S402，响应于所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整线性关系式的温度特性参数，以调整所述线性关系式。
参见图2，作为上述方案的改进，响应于所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整所述线性关系式的截距，以调整所述线性关系式，具体包括：
响应于所述偏置电压超出所述APD电压允许波动范围，所述偏置电压与所述当前温度下的APD击穿电压的差值的绝对值大于所述波动误差且不大于二倍的所述波动误差后，根据预设的纵轴方向最小距离原理调整所述线性关系式的截距。
根据所述截距调整所述线性关系式。
在本实施例中，|yi,i＝1,2-(Vbr-3)|≤0.5，其中，y1,y2分别表示两段中的APD电压，获取当前温度下的Vbr。
若|yi,i＝1,2-(Vbr-3)|>0.5时，则利用需利用纵轴方向最小距离原理，来判定直线截距调整量Δy：
当0.5<|yi,i＝1,2-(Vbr-3)|≤1时，更新线性关系式的截距，则调整后，温度与APD电压的线性系式为：
作为上述方案的改进，响应于所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整线性关系式的温度特性参数，以调整所述线性关系式，具体包括：
响应于所述偏置电压超出所述APD电压允许波动范围，且所述偏置电压与所述当前温度下的APD击穿电压的差值的绝对值大于二倍的所述波动误差后，则调整线性关系式的温度特性参数，以调整所述线性关系式。
在本实施例中，当|yi,i＝1,2-(Vbr-3)|>1时，此时选择重新更新kslopeup、kslopedown，具体算法为根据(25,Vbr25-3)，(t1,Vbr1-3)，(t2,Vbr2-3)可以算出温度与APD电压的线性系式为；
通过上述方法还可以验证供应商提供的温度参数kslopeup、kslopedown是否准确，如果不准确可以进行动态更新。
作为上述方案的改进，所述方法，还包括：
S41，响应于所述偏置电压满足预设的接收灵敏度良好条件，则不对所述线性关系式进行调整。
参见图3，是本发明一实施例提供的一种APD电压的调整装置的结构示意图
本发明另一实施例对应提供了一种APD电压的调整装置，包括：
第一计算模块10，用于根据标准温度、温度特性参数及标准温度下的APD击穿电压，通过预设的线性法计算得到所述预设的温度与APD电压的线性关系式；
第二计算模块20，用于根据所述温度与APD电压的线性关系式及当前的温度值获得当前温度下的偏置电压；
判断模块30，用于判断所述偏置电压是否满足预设的接收灵敏度良好条件；
第一响应模块40，用于响应于所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整所述线性关系式中的参数，以调整所述线性关系式。
作为上述方案的改进，所述装置还包括：
第二响应模块41，用于响应于所述偏置电压满足预设的接收灵敏度良好条件，则不对所述线性关系式进行调整。
本发明实施例提供的一种APD电压的调整装置，通过预设的温度与APD电压的线性关系式获得当前温度下的偏置电压，判断所述偏置电压是否满足预设的接收灵敏度良好条件，若所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整所述线性关系式中的参数，从而实现调整所述线性关系式。由此可见，通过判断偏置电压是否满足预设的接收灵敏度良好条件，从而判断预设的温度与APD电压的线性关系式是否满足ONU设备正常工作要求，从而动态调整线性关系，有效控制由APD设置不合理带来的风险且保证了不同温度下的ONU设备接收灵敏度。并且由于可以实时调整线性关系式，从而方便大批量ONU中APD参数的设定。
参见图4，是本发明一实施例提供的ONU设备的示意图。该实施例的ONU设备设备包括：处理器11、温度传感器13、APD升压电路14、存储器12以及存储在所述存储器12中并可在所述处理器上运行的计算机程序。所述处理器11执行所述计算机程序时实现上述各个APD电压的调整方法实施例中的步骤。或者，所述处理器11执行所述计算机程序时实现上述各装置实施例中各模块/单元的功能。
示例性的，所述计算机程序可以被分割成一个或多个模块/单元，所述一个或者多个模块/单元被存储在所述存储器中，并由所述处理器执行，以完成本发明。所述一个或多个模块/单元可以是能够完成特定功能的一系列计算机程序指令段，该指令段用于描述所述计算机程序在所述ONU设备中的执行过程。
所称处理器11可以是中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现成可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等，所述处理器是所述ONU设备的控制中心，利用各种接口和线路连接整个ONU设备的各个部分。
所述存储器12可用于存储所述计算机程序和/或模块，所述处理器通过运行或执行存储在所述存储器内的计算机程序和/或模块，以及调用存储在存储器内的数据，实现所述ONU设备的各种功能。所述存储器可主要包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序(比如声音播放功能、图像播放功能等)等；存储数据区可存储根据手机的使用所创建的数据(比如音频数据、电话本等)等。此外，存储器可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如硬盘、内存、插接式硬盘，智能存储卡(Smart Media Card,SMC)，安全数字(Secure Digital,SD)卡，闪存卡(Flash Card)、至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他易失性固态存储器件。
其中，所述ONU设备集成的模块/单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明实现上述实施例方法中的全部或部分流程，也可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中，该计算机程序在被处理器执行时，可实现上述各个方法实施例的步骤。其中，所述计算机程序包括计算机程序代码，所述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。所述计算机可读介质可以包括：能够携带所述计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、U盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质等。
需说明的是，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。另外，本发明提供的装置实施例附图中，模块之间的连接关系表示它们之间具有通信连接，具体可以实现为一条或多条通信总线或信号线。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下，即可以理解并实施。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种APD电压的调整方法，其特征在于，包括：
根据标准温度、温度特性参数及标准温度下的APD击穿电压，通过预设的线性法计算得到预设的温度与APD电压的线性关系式；
根据所述温度与APD电压的线性关系式及当前的温度值获得当前温度下的偏置电压；
判断所述偏置电压是否满足预设的接收灵敏度良好条件；
响应于所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整所述线性关系式中的参数，以调整所述线性关系式；
所述预设的接收灵敏度良好条件，包括：APD电压允许波动范围，以及所述偏置电压与当前温度下的APD击穿电压的差值；其中，所述APD电压允许波动范围根据当前温度下的APD击穿电压及预设的波动误差进行设置；
响应于所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整所述线性关系式中的参数，以调整所述线性关系式，包括：
响应于所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整所述线性关系式的截距，以调整所述线性关系式；
及，
响应于所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整线性关系式的温度特性参数，以调整所述线性关系式。
2.如权利要求1所述的APD电压的调整方法，其特征在于，响应于所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整所述线性关系式的截距，以调整所述线性关系式，具体包括：
响应于所述偏置电压超出所述APD电压允许波动范围，所述偏置电压与所述当前温度下的APD击穿电压的差值的绝对值大于所述波动误差且不大于二倍的所述波动误差后，根据预设的纵轴方向最小距离原理调整所述线性关系式的截距；
根据所述截距调整所述线性关系式。
3.如权利要求1所述的APD电压的调整方法，其特征在于，响应于所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整线性关系式的温度特性参数，以调整所述线性关系式，具体包括：
响应于所述偏置电压超出所述APD电压允许波动范围，且所述偏置电压与所述当前温度下的APD击穿电压的差值的绝对值大于二倍的所述波动误差后，则调整线性关系式的温度特性参数，以调整所述线性关系式。
4.如权利要求1所述的APD电压的调整方法，其特征在于，所述根据预设的温度与APD电压的线性关系式及当前的温度值获得当前温度下的偏置电压，具体包括：
将温度传感器获取的经补偿后的温度带入所述预设的温度与APD电压的线性关系式，得到对应的二进制数；
根据所述二进制数控制APD升压电路，得到所述偏置电压。
5.如权利要求1所述的APD电压的调整方法，其特征在于，所述方法，还包括：
响应于所述偏置电压满足预设的接收灵敏度良好条件，则不对所述线性关系式进行调整。
6.一种APD电压的调整装置，其特征在于，包括：
第一计算模块，用于根据标准温度、温度特性参数及标准温度下的APD击穿电压，通过预设的线性法计算得到预设的温度与APD电压的线性关系式；
第二计算模块，用于根据所述温度与APD电压的线性关系式及当前的温度值获得当前温度下的偏置电压；
判断模块，用于判断所述偏置电压是否满足预设的接收灵敏度良好条件；
第一响应模块，用于响应于所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整所述线性关系式中的参数，以调整所述线性关系式；
所述预设的接收灵敏度良好条件，包括：APD电压允许波动范围，以及所述偏置电压与当前温度下的APD击穿电压的差值；其中，所述APD电压允许波动范围根据当前温度下的APD击穿电压及预设的波动误差进行设置；
响应于所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整所述线性关系式中的参数，以调整所述线性关系式，包括：
响应于所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整所述线性关系式的截距，以调整所述线性关系式；
及，
响应于所述偏置电压不满足预设的接收灵敏度良好条件，则调整线性关系式的温度特性参数，以调整所述线性关系式。
7.一种ONU设备，其特征在于，包括处理器、存储器、温度传感器、APD升压电路以及存储在所述存储器中且被配置为由所述处理器执行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至5中任意一项所述的APD电压的调整方法。
8.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质包括存储的计算机程序，其中，在所述计算机程序运行时控制所述计算机可读存储介质所在设备执行如权利要求1至5中任意一项所述的APD电压的调整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201911257436.8A CN110889242B (zh) | 2019-12-10 | 2019-12-10 | Apd电压的调整方法、装置、存储介质及onu设备 |
Publications (2)
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|---|---|
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| CN110889242B true CN110889242B (zh) | 2023-10-20 |
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ID=69751293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911257436.8A Active CN110889242B (zh) | 2019-12-10 | 2019-12-10 | Apd电压的调整方法、装置、存储介质及onu设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110889242B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN111708399B (zh) * | 2020-06-19 | 2022-07-19 | 深圳市亚派光电器件有限公司 | Apd电压的调节方法、设备及存储介质 |
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