CN110275156A - 激光雷达中雪崩光电二极管的偏置电压标定方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种激光雷达中雪崩光电二极管的偏置电压标定方法及装置，包括：在激光雷达组装完成后，处理器控制高压产生电路按照预设电压间隔从小到大产生辅助电压，以将辅助电压输送至带有雪崩光电二极管的检测电路，直至带有雪崩光电二极管的检测电路产生有效信号为止；检测带有雪崩光电二极管的检测电路输送的有效信号，并确定检测到有效信号时，高压产生电路所产生的当前辅助电压和温度传感器检测得到的温度；根据当前辅助电压和温度确定雪崩光电二极管在该温度下的偏置电压。在本发明的偏置电压标定方法中，是在激光雷达组装完成后，通过其内部的电路实现的偏置电压在线标定，能够快速测量雪崩光电二极管的偏置电压，精度高，过程简单。

Description

激光雷达中雪崩光电二极管的偏置电压标定方法及装置

技术领域

本发明涉及雪崩光电二极管的技术领域，尤其是涉及一种激光雷达中雪崩光电二极管的偏置电压标定方法及装置。

背景技术

APD(Avalanche Photodiode，雪崩光电二极管)是激光雷达中的关键部件之一，用于将激光回波信号转换为电信号，触发TDC(time to digital converter，时间数字转换器)计时电路。APD工作的好坏直接影响激光雷达的性能。APD工作时的反向偏置电压接近击穿电压(V_BR)时，其倍增因子M迅速增大，在没有激光回波时，其暗电流噪声也会引起较大的响应，从而引发电路误判。所以需要设置合适的APD偏置电压，一般取值为击穿电压的0.9～0.95倍。

通常情况下，每只APD的偏置电压都不一样，一般是在APD出厂前由厂家对其击穿电压进行筛选，给出击穿电压的范围。但是厂家给出的击穿电压范围较大(一般会上下浮动5至10V)，对于后续的电压控制来说，并不精确。为此，出现了另一种确定APD偏置电压的方法，是在对激光雷达进行组装之前，对APD的击穿电压进行测量，并记录，然后写入处理器中，进而控制相应的APD偏置电路产生合适的APD偏置电压。但是该确定APD偏置电压的方法需要在激光雷达组装之前，事先对每只APD的击穿电压进行测量记录，并写入处理器，过程较为繁琐。

综上，现有的确定APD偏置电压的方法过程繁琐、效率低下。

发明内容

本发明的目的在于提供一种激光雷达中雪崩光电二极管的偏置电压标定方法及装置，以缓解现有的确定APD偏置电压的方法过程繁琐、效率低下的技术问题。

本发明提供的一种激光雷达中雪崩光电二极管的偏置电压标定方法，应用于处理器，所述处理器的输出端与高压产生电路的输入端连接，所述高压产生电路的输出端与带有雪崩光电二极管的检测电路的输入端连接，所述带有雪崩光电二极管的检测电路的输出端与所述处理器的输入端连接，且所述处理器的输入端还与温度传感器连接，所述方法包括：

在激光雷达组装完成后，控制所述高压产生电路按照预设电压间隔从小到大产生辅助电压，以将所述辅助电压输送至所述带有雪崩光电二极管的检测电路，直至所述带有雪崩光电二极管的检测电路产生有效信号为止；

检测所述带有雪崩光电二极管的检测电路输送的有效信号，并确定检测到所述有效信号时，所述高压产生电路所产生的当前辅助电压和所述温度传感器检测得到的温度；

根据所述当前辅助电压和所述温度确定所述雪崩光电二极管在所述温度下的偏置电压。

进一步的，所述带有雪崩光电二极管的检测电路包括：雪崩光电二极管、放大电路和比较器，其中，所述雪崩光电二极管、所述放大电路、所述比较器依次连接。

进一步的，所述放大电路包括：跨阻放大电路。

进一步的，根据所述当前辅助电压和所述温度确定所述雪崩光电二极管在所述温度下的偏置电压包括：

将预设比例的所述当前辅助电压作为所述雪崩光电二极管在所述温度下的偏置电压。

进一步的，在根据所述当前辅助电压和所述温度确定所述雪崩光电二极管在所述温度下的偏置电压之后，所述方法还包括：

获取所述激光雷达工作时的当前温度；

基于所述当前温度和所述雪崩光电二极管在所述温度下的偏置电压计算所述雪崩光电二极管在所述当前温度下的目标偏置电压；

根据所述雪崩光电二极管在所述当前温度下的目标偏置电压控制所述高压产生电路产生与所述目标偏置电压相匹配的辅助电压。

本发明还提供了一种激光雷达中雪崩光电二极管的偏置电压标定装置，应用于处理器，所述处理器的输出端与高压产生电路的输入端连接，所述高压产生电路的输出端与带有雪崩光电二极管的检测电路的输入端连接，所述带有雪崩光电二极管的检测电路的输出端与所述处理器的输入端连接，且所述处理器的输入端还与温度传感器连接，所述装置包括：

第一控制单元，用于在激光雷达组装完成后，控制所述高压产生电路按照预设电压间隔从小到大产生辅助电压，以将所述辅助电压输送至所述带有雪崩光电二极管的检测电路，直至所述带有雪崩光电二极管的检测电路产生有效信号为止；

第一确定单元，用于检测所述带有雪崩光电二极管的检测电路输送的有效信号，并确定检测到所述有效信号时，所述高压产生电路所产生的当前辅助电压和所述温度传感器检测得到的温度；

第二确定单元，用于根据所述当前辅助电压和所述温度确定所述雪崩光电二极管在所述温度下的偏置电压。

进一步的，所述带有雪崩光电二极管的检测电路包括：雪崩光电二极管、放大电路和比较器，其中，所述雪崩光电二极管、所述放大电路、所述比较器依次连接。

进一步的，所述放大电路包括：跨阻放大电路。

进一步的，所述第二确定单元包括：

设定模块，用于将预设比例的所述当前辅助电压作为所述雪崩光电二极管在所述温度下的偏置电压。

进一步的，所述装置还包括：

获取单元，用于获取所述激光雷达工作时的当前温度；

计算单元，用于基于所述当前温度和所述雪崩光电二极管在所述温度下的偏置电压计算所述雪崩光电二极管在所述当前温度下的目标偏置电压；

第二控制单元，用于根据所述雪崩光电二极管在所述当前温度下的目标偏置电压控制所述高压产生电路产生与所述目标偏置电压相匹配的辅助电压。

在本发明实施例中，激光雷达中包含处理器，处理器的输出端与高压产生电路的输入端连接，高压产生电路的输出端与带有雪崩光电二极管的检测电路的输入端连接，带有雪崩光电二极管的检测电路的输出端与处理器的输入端连接，且处理器的输入端还与温度传感器连接，在激光雷达组装完成后，进行雪崩光电二极管的偏置电压标定时，处理器控制高压产生电路按照预设电压间隔从小到大产生辅助电压，以将辅助电压输送至带有雪崩光电二极管的检测电路，直至带有雪崩光电二极管的检测电路产生有效信号为止；处理器检测带有雪崩光电二极管的检测电路输送的有效信号，并确定检测到有效信号时，高压产生电路所产生的当前辅助电压和温度传感器检测得到的温度；进而，根据当前辅助电压和温度确定雪崩光电二极管在该温度下的偏置电压。通过上述描述可知，在本发明的偏置电压标定方法中，是在激光雷达组装完成后，通过其内部的电路实现的偏置电压标定，也就是该偏置电压标定方法是一种在线检测方法，能够快速测量雪崩光电二极管的偏置电压，精度高，过程简单，缓解了现有的确定APD偏置电压的方法过程繁琐、效率低下的技术问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种激光雷达中雪崩光电二极管的偏置电压标定方法的流程图；

图2为本发明实施例提供的用于测量偏置电压的电路结构的示意图；

图3为本发明实施例提供的带有雪崩光电二极管的检测电路的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的工作时自动设置合理的偏执电压的方法流程图；

图5为本发明实施例提供的一种激光雷达中雪崩光电二极管的偏置电压标定装置的示意图。

图标：11-处理器；12-高压产生电路；13-带有雪崩光电二极管的检测电路；14-温度传感器；131-雪崩光电二极管；132-放大电路；133-比较器；10-第一控制单元；20-第一确定单元；30-第二确定单元。

具体实施方式

下面将结合实施例对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

为便于对本实施例进行理解，首先对本发明实施例所公开的一种激光雷达中雪崩光电二极管的偏置电压标定方法进行详细介绍。

实施例一：

根据本发明实施例，提供了一种激光雷达中雪崩光电二极管的偏置电压标定方法的实施例，需要说明的是，在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。

图1是根据本发明实施例的一种激光雷达中雪崩光电二极管的偏置电压标定方法的流程图，该方法应用于处理器，处理器的输出端与高压产生电路的输入端连接，高压产生电路的输出端与带有雪崩光电二极管的检测电路的输入端连接，带有雪崩光电二极管的检测电路的输出端与处理器的输入端连接，且处理器的输入端还与温度传感器连接，如图1所示，该方法包括如下步骤：

步骤S102，在激光雷达组装完成后，控制高压产生电路按照预设电压间隔从小到大产生辅助电压，以将辅助电压输送至带有雪崩光电二极管的检测电路，直至带有雪崩光电二极管的检测电路产生有效信号为止；

在本发明实施例中，该用于测量偏置电压的电路结构如图2所示，其中，处理器11的输出端与高压产生电路12的输入端连接，高压产生电路12的输出端与带有雪崩光电二极管的检测电路13的输入端连接，带有雪崩光电二极管的检测电路13的输出端与处理器11的输入端连接，且处理器11的输入端还与温度传感器14连接。具体的标定过程为：

在激光雷达组装完成后，处理器控制激光不发射，并控制高压产生电路按照预设电压间隔从小到大产生辅助电压，进而该从小到大的辅助电压依次到达带有雪崩光电二极管的检测电路，直至带有雪崩光电二极管的检测电路产生有效信号为止，不再增大产生的辅助电压，并将产生的有效信号输送至处理器。

下面对该标定过程的原理进行说明：

当辅助电压小于带有雪崩光电二极管的检测电路中雪崩光电二极管的击穿电压V_BR时，雪崩光电二极管没有被击穿，电流十分微小，带有雪崩光电二极管的检测电路不会产生有效信号，处理器也检测不到有效信号；随着辅助电压的逐渐增大，当辅助电压达到雪崩光电二极管的击穿电压V_BR时，带有雪崩光电二极管的检测电路就会产生有效信号，处理器便能够检测得到该有效信号。那么当处理器检测到有效信号时，则停止按照预设电压间隔继续增大辅助电压，并将检测到有效信号时，高压产生电路所产生的当前辅助电压作为雪崩光电二极管的击穿电压。

步骤S104，检测带有雪崩光电二极管的检测电路输送的有效信号，并确定检测到有效信号时，高压产生电路所产生的当前辅助电压和温度传感器检测得到的温度；

具体内容可参考上述步骤S102中的描述，在此不再赘述。

需要说明的是，处理器在检测到有效信号时，不仅要确定此时高压产生电路所产生的当前辅助电压(即雪崩光电二极管的击穿电压)，还要确定此时温度传感器检测得到的温度。

这是因为雪崩光电二极管的击穿电压是和温度相关的函数，所以在得到雪崩光电二极管的击穿电压的同时，需要确定此时的温度。

具体的，在确定得到雪崩光电二极管的击穿电压和温度后，将该组数据存储至处理器的存储器(比如Flash)中。

步骤S106，根据当前辅助电压和温度确定雪崩光电二极管在温度下的偏置电压。

具体的，在得到雪崩光电二极管在上述检测得到的温度下的击穿电压后，就能确定雪崩光电二极管在上述温度下的偏置电压。下文中再对该确定过程进行详细描述，在此不再赘述。

在本发明实施例中，激光雷达中包含处理器，处理器的输出端与高压产生电路的输入端连接，高压产生电路的输出端与带有雪崩光电二极管的检测电路的输入端连接，带有雪崩光电二极管的检测电路的输出端与处理器的输入端连接，且处理器的输入端还与温度传感器连接，在激光雷达组装完成后，进行雪崩光电二极管的偏置电压标定时，处理器控制高压产生电路按照预设电压间隔从小到大产生辅助电压，以将辅助电压输送至带有雪崩光电二极管的检测电路，直至带有雪崩光电二极管的检测电路产生有效信号为止；处理器检测带有雪崩光电二极管的检测电路输送的有效信号，并确定检测到有效信号时，高压产生电路所产生的当前辅助电压和温度传感器检测得到的温度；进而，根据当前辅助电压和温度确定雪崩光电二极管在该温度下的偏置电压。通过上述描述可知，在本发明的偏置电压标定方法中，是在激光雷达组装完成后，通过其内部的电路实现的偏置电压标定，也就是该偏置电压标定方法是一种在线检测方法，能够快速测量雪崩光电二极管的偏置电压，精度高，过程简单，缓解了现有的确定APD偏置电压的方法过程繁琐、效率低下的技术问题。

上述内容对本发明的激光雷达中雪崩光电二极管的偏置电压标定方法进行了简要介绍，下面对其中涉及到的其它内容进行描述。

在本发明的一个可选实施例中，参考图3，带有雪崩光电二极管的检测电路包括：雪崩光电二极管131、放大电路132和比较器133，其中，雪崩光电二极管131、放大电路132、比较器133依次连接。

下面根据上述结构对信号的流向以及转换过程进行详细介绍：

在激光雷达组装完成后，控制高压产生电路按照预设电压间隔从小到大产生辅助电压，高压产生电路产生的辅助电压输入至雪崩光电二极管，雪崩光电二极管对其进行响应，输出得到微弱的电流信号，电流信号输入至放大电路，经放大电路的处理输出得到幅度较大的模拟电压信号，进而该模拟电压信号输入至比较强，通过比较器之后，输出得到数字电压信号，进而将该数字电压信号传送给处理器进行检测。

具体的，当起初的辅助电压较小(远远小于雪崩光电二极管的击穿电压)时，处理器无法检测得到数字电压信号(即上述的有效信号)，随着辅助电压的增大，当其与雪崩光电二极管的击穿电压相当时，处理器就会检测得到数字电压信号，并将检测到数字电压信号时，高压产生电路所产生的当前辅助电压作为雪崩光电二极管的击穿电压。

在本发明的一个可选实施例中，放大电路包括：跨阻放大电路。

在本发明的一个可选实施例中，根据当前辅助电压和温度确定雪崩光电二极管在温度下的偏置电压包括：

将预设比例的当前辅助电压作为雪崩光电二极管在温度下的偏置电压。

在本发明实施例中，将0.9倍的当前辅助电压作为雪崩光电二极管在上述检测得到的温度下的偏置电压。本发明实施例对上述预设比例不进行具体限制，但是上述预设比例通常为0.9～0.95之间的数值。

在本发明的一个可选实施例中，参考图4，在根据当前辅助电压和温度确定雪崩光电二极管在温度下的偏置电压之后，该方法还包括：

步骤S401，获取激光雷达工作时的当前温度；

步骤S402，基于当前温度和雪崩光电二极管在温度下的偏置电压计算雪崩光电二极管在当前温度下的目标偏置电压；

具体的，雪崩光电二极管具有如下特性：温度和击穿电压是线性变化的，即V_BR＝kT+b。上述过程已经得到了一个温度下的击穿电压，其中线性变化中的参数k是由厂家给出的，是已知的，那么就能够根据得到的一个温度下的击穿电压计算出上述线性变化中的参数b，这样，整个的线性变化关系式就能得到。

那么，在获取到当前温度后，将当前温度代入上述得到的线性变化关系式中，就能够求得雪崩光电二极管在当前温度下的击穿电压，将计算得到的击穿电压乘以预设比例(比如0.9)，就能确定当前温度下的目标偏置电压。

步骤S403，根据雪崩光电二极管在当前温度下的目标偏置电压控制高压产生电路产生与目标偏置电压相匹配的辅助电压。

在本发明的偏置电压标定方法中，是在激光雷达组装完成后，通过其内部的电路实现的偏置电压标定，也就是该偏置电压标定方法是一种在线检测方法，能够快速测量雪崩光电二极管的偏置电压，精度高，过程简单。并且，在激光雷达的工作过程中，能够根据当前温度自动设置合理的偏置电压，电压控制精确，智能性好，有效提高了激光雷达的生产效率。

实施例二：

本发明实施例还提供了一种激光雷达中雪崩光电二极管的偏置电压标定装置，该激光雷达中雪崩光电二极管的偏置电压标定装置应用于处理器，处理器的输出端与高压产生电路的输入端连接，高压产生电路的输出端与带有雪崩光电二极管的检测电路的输入端连接，带有雪崩光电二极管的检测电路的输出端与处理器的输入端连接，且处理器的输入端还与温度传感器连接，主要用于执行本发明实施例上述内容所提供的激光雷达中雪崩光电二极管的偏置电压标定方法，以下对本发明实施例提供的激光雷达中雪崩光电二极管的偏置电压标定装置做具体介绍。

图5是根据本发明实施例的一种激光雷达中雪崩光电二极管的偏置电压标定装置的示意图，如图5所示，该偏置电压标定装置主要包括第一控制单元10、第一确定单元20和第二确定单元30，其中：

第一控制单元，用于在激光雷达组装完成后，控制高压产生电路按照预设电压间隔从小到大产生辅助电压，以将辅助电压输送至带有雪崩光电二极管的检测电路，直至带有雪崩光电二极管的检测电路产生有效信号为止；

第一确定单元，用于检测带有雪崩光电二极管的检测电路输送的有效信号，并确定检测到有效信号时，高压产生电路所产生的当前辅助电压和温度传感器检测得到的温度；

第二确定单元，用于根据当前辅助电压和温度确定雪崩光电二极管在温度下的偏置电压。

在本发明实施例中，激光雷达中包含处理器，处理器的输出端与高压产生电路的输入端连接，高压产生电路的输出端与带有雪崩光电二极管的检测电路的输入端连接，带有雪崩光电二极管的检测电路的输出端与处理器的输入端连接，且处理器的输入端还与温度传感器连接，在激光雷达组装完成后，进行雪崩光电二极管的偏置电压标定时，处理器控制高压产生电路按照预设电压间隔从小到大产生辅助电压，以将辅助电压输送至带有雪崩光电二极管的检测电路，直至带有雪崩光电二极管的检测电路产生有效信号为止；处理器接收带有雪崩光电二极管的检测电路输送的有效信号，并确定有效信号产生时，高压产生电路所产生的当前辅助电压和温度传感器检测得到的温度；进而，根据当前辅助电压和温度确定雪崩光电二极管在该温度下的偏置电压。通过上述描述可知，在本发明的偏置电压标定装置中，是在激光雷达组装完成后，通过其内部的电路实现的偏置电压标定，也就是该偏置电压标定装置是一种在线检测方法，能够快速测量雪崩光电二极管的偏置电压，精度高，过程简单，缓解了现有的确定APD偏置电压的方法过程繁琐、效率低下的技术问题。

可选地，带有雪崩光电二极管的检测电路包括：雪崩光电二极管、放大电路和比较器，其中，雪崩光电二极管、放大电路、比较器依次连接。

可选地，放大电路包括：跨阻放大电路。

可选地，第二确定单元包括：

设定模块，用于将预设比例的当前辅助电压作为雪崩光电二极管在温度下的偏置电压。

可选地，该装置还包括：

获取单元，用于获取激光雷达工作时的当前温度；

计算单元，用于基于当前温度和雪崩光电二极管在温度下的偏置电压计算雪崩光电二极管在当前温度下的目标偏置电压；

第二控制单元，用于根据雪崩光电二极管在当前温度下的目标偏置电压控制高压产生电路产生与目标偏置电压相匹配的辅助电压。

该实施例二中的具体内容可以参考上述实施例一中的相关描述，在此不再赘述。

本发明实施例所提供的激光雷达中雪崩光电二极管的偏置电压标定方法及装置的计算机程序产品，包括存储了程序代码的计算机可读存储介质，所述程序代码包括的指令可用于执行前面方法实施例中所述的方法，具体实现可参见方法实施例，在此不再赘述。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统和装置的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

另外，在本发明实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种激光雷达中雪崩光电二极管的偏置电压标定方法，其特征在于，应用于处理器，所述处理器的输出端与高压产生电路的输入端连接，所述高压产生电路的输出端与带有雪崩光电二极管的检测电路的输入端连接，所述带有雪崩光电二极管的检测电路的输出端与所述处理器的输入端连接，且所述处理器的输入端还与温度传感器连接，所述方法包括：

在激光雷达组装完成后，控制所述高压产生电路按照预设电压间隔从小到大产生辅助电压，以将所述辅助电压输送至所述带有雪崩光电二极管的检测电路，直至所述带有雪崩光电二极管的检测电路产生有效信号为止；

检测所述带有雪崩光电二极管的检测电路输送的有效信号，并确定检测到所述有效信号时，所述高压产生电路所产生的当前辅助电压和所述温度传感器检测得到的温度；

根据所述当前辅助电压和所述温度确定所述雪崩光电二极管在所述温度下的偏置电压。

2.根据权利要求1所述的偏置电压标定方法，其特征在于，所述带有雪崩光电二极管的检测电路包括：雪崩光电二极管、放大电路和比较器，其中，所述雪崩光电二极管、所述放大电路、所述比较器依次连接。

3.根据权利要求2所述的偏置电压标定方法，其特征在于，所述放大电路包括：跨阻放大电路。

4.根据权利要求1所述的偏置电压标定方法，其特征在于，根据所述当前辅助电压和所述温度确定所述雪崩光电二极管在所述温度下的偏置电压包括：

将预设比例的所述当前辅助电压作为所述雪崩光电二极管在所述温度下的偏置电压。

5.根据权利要求1所述的偏置电压标定方法，其特征在于，在根据所述当前辅助电压和所述温度确定所述雪崩光电二极管在所述温度下的偏置电压之后，所述方法还包括：

获取所述激光雷达工作时的当前温度；

基于所述当前温度和所述雪崩光电二极管在所述温度下的偏置电压计算所述雪崩光电二极管在所述当前温度下的目标偏置电压；

根据所述雪崩光电二极管在所述当前温度下的目标偏置电压控制所述高压产生电路产生与所述目标偏置电压相匹配的辅助电压。

6.一种激光雷达中雪崩光电二极管的偏置电压标定装置，其特征在于，应用于处理器，所述处理器的输出端与高压产生电路的输入端连接，所述高压产生电路的输出端与带有雪崩光电二极管的检测电路的输入端连接，所述带有雪崩光电二极管的检测电路的输出端与所述处理器的输入端连接，且所述处理器的输入端还与温度传感器连接，所述装置包括：

第一控制单元，用于在激光雷达组装完成后，控制所述高压产生电路按照预设电压间隔从小到大产生辅助电压，以将所述辅助电压输送至所述带有雪崩光电二极管的检测电路，直至所述带有雪崩光电二极管的检测电路产生有效信号为止；

第一确定单元，用于检测所述带有雪崩光电二极管的检测电路输送的有效信号，并确定检测到所述有效信号时，所述高压产生电路所产生的当前辅助电压和所述温度传感器检测得到的温度；

第二确定单元，用于根据所述当前辅助电压和所述温度确定所述雪崩光电二极管在所述温度下的偏置电压。

7.根据权利要求6所述的偏置电压标定装置，其特征在于，所述带有雪崩光电二极管的检测电路包括：雪崩光电二极管、放大电路和比较器，其中，所述雪崩光电二极管、所述放大电路、所述比较器依次连接。

8.根据权利要求7所述的偏置电压标定装置，其特征在于，所述放大电路包括：跨阻放大电路。

9.根据权利要求6所述的偏置电压标定装置，其特征在于，所述第二确定单元包括：

设定模块，用于将预设比例的所述当前辅助电压作为所述雪崩光电二极管在所述温度下的偏置电压。

10.根据权利要求6所述的偏置电压标定装置，其特征在于，所述装置还包括：

获取单元，用于获取所述激光雷达工作时的当前温度；

计算单元，用于基于所述当前温度和所述雪崩光电二极管在所述温度下的偏置电压计算所述雪崩光电二极管在所述当前温度下的目标偏置电压；

第二控制单元，用于根据所述雪崩光电二极管在所述当前温度下的目标偏置电压控制所述高压产生电路产生与所述目标偏置电压相匹配的辅助电压。