JP2001013005A - 光電変換率調節可能な光量検出回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 増倍率可変の受光素子と増幅器を用いて、受
光量の広い範囲にわたってＳ／Ｎ比を最良としながら受
光量を精度良く検出することができる光電変換率調節可
能な光量検出回路を提供する。 【解決手段】 光量検出回路は、受光素子であるＡＰＤ
４１、その出力電流を電圧に変換するための抵抗４４、
得られた電圧を増幅する増幅器４５、ＡＰＤ４１のカソ
ードに逆バイアスを印加する逆電圧発生器４２、逆電圧
発生器４２及び増幅器４５に制御電圧Ｖ１及びＶ２を与
えるゲイン制御器４３、及び、マイクロプロセッサ４７
を備えている。マイクロプロセッサ４７は、ＡＰＤ４１
の受光量に応じて得られた出力電圧Ｖｓｉｇの最大値が
所定の値になるように、電圧Ｖｉｎをゲイン制御器４３
に与え、ゲイン制御器４３は、この電圧Ｖｉｎにしたが
って制御電圧Ｖ１及びＶ２を適切に変化させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、共焦点顕微鏡等に
用いられる光電変換率調節可能な光量検出回路に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】共焦点顕微鏡の受光部には、増倍率可変
の受光素子、例えばアバランシェフォトダイオード（Ａ
ＰＤ）やフォトマルチプライヤ（ＰＭＴ）が用いられ
る。ここでいう増倍率は、受光素子の出力信号と受光量
との比に相当する。例えば、受光量に応じてＡＰＤのア
ノード・カソード間を流れる電流が変化するとき、この
出力電流を抵抗によって電圧に変換したものを出力信号
として取り出す。したがって、便宜上、出力電圧と受光
量との比を増倍率とみることができる。増倍率は、ＡＰ
Ｄのアノード・カソード間に印加する逆バイアスを変え
ることにより、変化させることができる。つまり、通常
の使用領域において、逆バイアスを高くするほど増倍率
は大きくなる。

【０００３】例えば共焦点顕微鏡において、測定対象物
である試料にレーザ光が照射され、試料からの反射光は
対物レンズを含む光学系を通して受光素子で受光され
る。そして、レーザ光をＸＹ平面で走査すると共に、試
料ステージをＺ軸（光軸）方向に移動させ、受光素子が
検出した受光量が最大となるときの試料ステージの位置
データ、すなわち試料の表面高さがＸＹ平面の所定範囲
にわたって測定される。あるいは、ＸＹ平面の所定範囲
にわたって最大受光量の分布が測定され、共焦点画像が
合成される。

【０００４】しかしながら、受光素子に入力される光の
量（受光量）は、試料の種類、表面の状態、色等、種々
の条件によって、大きく変化する。このような広い範囲
（ダイナミックレンジ）にわたって受光量を精度よく検
出するために、平均受光量又は最大受光量に応じて受光
素子の増倍率を変えることが従来から行われている。

【０００５】また、受光素子の出力信号を増幅する増幅
器を設け、この増幅器の増幅率（利得）を変えることに
より、増倍率と増幅率との積である光電変換率を変える
ことも従来から行われている。以下、従来の光量検出回
路の構成例を図１〜図３に示す。

【０００６】図１は、受光素子（ＡＰＤ）のアノードと
カソードとの間に印加する逆バイアスを変えることによ
り、受光素子の増倍率を変化させる構成を有する光量検
出回路の例を示している。ＡＰＤ１１のカソードには逆
電圧発生器１２の出力電圧Ｖｒが印加されている。逆電
圧発生器１２は、可変抵抗１３によって設定された電圧
Ｖ１に比例する電圧ｋ・Ｖ１を出力電圧Ｖｒとする。つ
まり、Ｖｒ＝ｋ・Ｖ１である。

【０００７】ＡＰＤ１１のアノードは抵抗１４を介して
接地されている。したがって、ＡＰＤ１１を流れる電流
は、抵抗１４の両端の電圧Ｖｐに変換される。この電圧
Ｖｐがバッファ１５を介して出力電圧Ｖｓｉｇとして取
り出される。

【０００８】ＡＰＤ１１を流れる電流、ひいては出力電
圧Ｖｓｉｇは、ＡＰＤ１１の受光量が多くなるほど大き
くなるが、出力電圧Ｖｓｉｇと受光量との比、すなわち
増倍率は、ＡＰＤ１１のカソードに印加された電圧Ｖｒ
を変えることによって変化する。つまり、ＡＰＤ１１の
アノードとカソードとの間の逆バイアスが大きくなるほ
ど増倍率は大きくなる。

【０００９】そこで、平均受光量又は最大受光量が小さ
い場合は増倍率を大きくする（感度を上げる）。逆に平
均受光量又は最大受光量が大きくなれば、増倍率を下げ
て出力電圧Ｖｓｉｇが飽和しないようにする。こうする
ことにより、小さい受光量から大きい受光量まで広い範
囲にわたって精度良く受光量を検出することができる。

【００１０】しかしながら、ＡＰＤ１１の増倍率を上げ
ていくと、ＡＰＤ１１のショットノイズが増加する。こ
のショットノイズがバッファ１５の雑音、抵抗の熱雑
音、又は出力電圧Ｖｓｉｇをディジタル値に変換するＡ
／Ｄコンバータの雑音より大きくなると、光量検出回路
全体のＳ／Ｎ比（信号とノイズとの比）が悪くなる。

【００１１】図２に示す別の従来例の光量検出回路で
は、受光素子２１のカソードには一定の電圧Ｖｃｃが印
加されている。そして、受光素子２１のアノードと接地
電位との間に接続された抵抗２２の両端の電圧Ｖｐを増
幅する増幅器２３が設けられ、この増幅器２３の出力が
出力電圧Ｖｓｉｇとして取り出される。増幅器２３の増
幅率（利得）は、可変抵抗２５によって設定された電圧
Ｖ２に応じて変化する。

【００１２】この光量検出回路では、受光素子２１のカ
ソード電圧は一定であるから受光素子２１の増倍率はほ
ぼ一定である。その代わりに、増幅器２３の増幅率を変
えることにより、検出可能な受光量の範囲を広げる。つ
まり、平均受光量又は最大受光量が小さい範囲では増幅
率を大きくし、平均受光量又は最大受光量が大きくなれ
ば、増幅率を下げて出力電圧Ｖｓｉｇが飽和しないよう
にする。

【００１３】この光量検出回路は、ＡＰＤ１１の増倍率
を上げすぎることによるＡＰＤ１１のショットノイズの
増加は回避されるが、次のような問題点を有する。つま
り、増幅器２３は、入力信号に含まれる信号と共にノイ
ズをも増幅することになるので、光量検出回路全体のＳ
／Ｎ比を向上させることが難しい。特に、出力電圧Ｖｓ
ｉｇの飽和を避けるために、ＡＰＤ１１の増倍率を低く
抑えて増幅器２３の増幅率を上げすぎた場合にＳ／Ｎ比
悪化の問題が生ずる。

【００１４】図３は、上述の２種類の光量検出回路を組
み合わせた回路構成を示している。ＡＰＤ３１のカソー
ドには可変抵抗３３によって設定された電圧Ｖ１に比例
する逆電圧発生器３２の出力電圧Ｖｒが印加されてい
る。ＡＰＤ３１のアノードと接地電位との間に接続され
た抵抗３４の両端の電圧Ｖｐは増幅器３５によって増幅
され、出力電圧Ｖｓｉｇとなる。増幅器３５の増幅率
は、可変抵抗３６によって設定された電圧Ｖ２に応じて
変化する。

【００１５】この光量検出回路では、回路全体の光電変
換率はＡＰＤ３１の増倍率と増幅器３５の増幅率との積
となる。したがって、ＡＰＤ３１の増倍率のみを可変と
する図１の従来例、又は、増幅器２３の増幅率のみを可
変とする図２の従来例に比べて、回路全体の光電変換率
を一層広い範囲で変化させることができる。つまり、検
出可能な受光量の範囲が一層広がる。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３の
光量検出回路では、ＡＰＤ３１の増倍率と増幅器３５の
増幅率とが個別に設定される。つまり、ＡＰＤ３１の増
倍率は可変抵抗３３によって設定され、増幅器３５の増
幅率は可変抵抗３６によって設定される。この場合、平
均受光量又は最大受光量に応じて、Ｓ／Ｎ比を最良にし
ながら最適の光電変換率となるように、増倍率及び増幅
率を設定することが難しい。

【００１７】本発明は、増倍率可変の受光素子と増幅器
を用いた光電変換率調節可能な光量検出回路において、
受光量の広い範囲にわたってＳ／Ｎ比を最良としながら
受光量を精度良く検出できるようにすることを目的とす
る。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明による光電変換率
調節可能な光量検出回路は、増倍率可変の受光素子と、
該受光素子の出力電流を電圧に変換する電流電圧変換回
路と、該電流電圧変換回路の出力を増幅する増幅器と、
受光素子の増倍率及び増幅器の増幅率を制御することに
より、増倍率と増幅率との積である光電変換率を調節す
る光電変換率調節手段とを備えたことを特徴とする。光
電変換率調節手段は、例えばマイクロコンピュータ等に
よって構成され、受光量の広い範囲にわたってＳ／Ｎ比
を最良としながら受光量を精度良く検出することができ
るように、増倍率及び増幅率を総合的に調節する。

【００１９】具体的な構成として、光電変換率調節手段
が、光電変換率を所定値以下の範囲で調節するときは増
幅器の増幅率を一定としながら受光素子の増倍率を変化
させることによって光電変換率を変化させ、光電変換率
を所定値より大きい範囲で調節するときは受光素子の増
倍率を一定としながら増幅器の増幅率を変化させること
によって光電変換率を変化させることが好ましい。

【００２０】更に好ましくは、光電変換率調節手段は、
光電変換率を所定値以下の範囲で調節するときは増幅器
の増幅率を最小値としながら受光素子の増倍率を最大値
まで変化させることによって光電変換率を変化させ、光
電変換率を所定値より大きい範囲で調節するときは受光
素子の増倍率を最大値としながら増幅器の増幅率を変化
させることによって光電変換率を変化させるように構成
されている。

【００２１】つまり、検出すべき受光量の平均値又は最
大値が大きい範囲では、光電変換率をさほど大きく設定
しなくても十分な検出信号（電圧）が得られるから、こ
の範囲では増幅器の増幅率を一定（例えば最小値）とし
ながら受光素子の増倍率を（例えば最大値まで）変化さ
せる。これにより、受光素子のショットノイズを含む信
号の増幅器による増幅を抑え、光量検出回路全体のＳ／
Ｎ比を高く維持することができる。

【００２２】一方、検出すべき受光量の平均値又は最大
値が小さくなると、光電変換率を大きく設定して十分な
検出信号が得られるようにする必要がある。この場合
は、受光素子の増倍率を一定（例えば最大値）としなが
ら増幅器の増幅率を変化させることによって光電変換率
を変化させる。

【００２３】また、光電変換率調節手段は、増幅器の出
力から得られた受光量検出値（検出信号）の最大値が光
量検出回路の飽和レベルより小さい所定の値となるよう
に、光電変換率を調節することが好ましい。これは、受
光量の最大値に応じて適切な光電変換率を設定する方法
の１つである。これにより、受光量を精度良く測定する
ことができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。

【００２５】図４は、本発明の実施形態に係る光量検出
回路の回路図である。この光量検出回路は、受光素子と
してのＡＰＤ４１、その出力電流を電圧に変換する電流
電圧変換回路を構成する抵抗４４、得られた電圧を増幅
する増幅器４５、ＡＰＤ４１のカソードに逆バイアスを
印加する逆電圧発生器４２を備えている。

【００２６】また、逆電圧発生器４２及び増幅器４５に
制御電圧を与えるゲイン制御器４３が設けられている。
ゲイン制御器４３から出力される第１の制御電圧Ｖ１は
逆電圧発生器４２の出力電圧、ひいてはＡＰＤ４１の増
倍率を変化させる。本実施形態では、制御電圧Ｖ１が高
くなるほど逆電圧発生器４２の出力電圧、すなわちＡＰ
Ｄ４１の逆バイアスが高くなり、それに伴ってＡＰＤ４
１の増倍率が大きくなる。すなわち、ＡＰＤ４１に入射
する光量（受光量）が同じであっても、制御電圧Ｖ１が
高くなるほどＡＰＤ４１の出力電流は大きくなる。

【００２７】ゲイン制御器４３の第２の制御電圧Ｖ２は
増幅器４５の増幅率を変化させる。本実施形態では、電
圧Ｖ２が高くなるほど、それに比例して増幅器４５の増
幅率が大きくなる。

【００２８】ゲイン制御器４３には、２つの制御電圧Ｖ
１及びＶ２を後述のように変化させるための入力電圧Ｖ
ｉｎが与えられている。入力電圧Ｖｉｎは、Ｄ／Ａコン
バータ４６を介してマイクロプロセッサ４７から与えら
れる。したがって、主としてマイクロプロセッサ４７及
びゲイン制御器４３が、ＡＰＤ４１の増倍率及び増幅器
４５の増幅率を制御することにより増倍率と増幅率との
積である光電変換率を調節する光電変換率調節手段に相
当する。

【００２９】ＡＰＤ４１の出力電流を抵抗４４で電圧に
変換し、増幅器４５で増幅して得られた出力電圧Ｖｓｉ
ｇは、Ａ／Ｄコンバータ４８を介してマイクロプロセッ
サ４７に入力される。このマイクロプロセッサ４７は、
本実施形態の光量検出回路が例えば共焦点顕微鏡に適用
される場合は、得られた出力電圧Ｖｓｉｇから試料の表
面高さの分布を求めたり、共焦点画像を生成する処理を
行うためのマイクロプロセッサと兼用することができ
る。

【００３０】本実施形態の光量検出回路にあっては、マ
イクロプロセッサ４７は、ＡＰＤ４１の受光量に応じて
得られた出力電圧ＶｓｉｇをＡ／Ｄコンバータ４８でデ
ィジタル値に変換した入力データに基づいて、ゲイン制
御器４３に適切な電圧Ｖｉｎを与えるためにＤ／Ａコン
バータ４６に適切なディジタル値を出力する機能を有す
るに過ぎない。例えば、出力電圧Ｖｓｉｇをディジタル
値に変換した入力データの最大値が飽和している場合
（８ビットデータで２５５の値である場合）は、光量検
出回路全体の光電変換率、すなわち、ＡＰＤ４１の増倍
率と増幅器４５の増幅率との積が小さくなるように、ゲ
イン制御器４３に与える電圧Ｖｉｎが下げられる。

【００３１】逆に、出力電圧Ｖｓｉｇをディジタル値に
変換した入力データの最大値が小さすぎる場合（例えば
８ビットデータで１００以下の値である場合）は光電変
換率が大きくなるように、ゲイン制御器４３に与える電
圧Ｖｉｎが上げられる。したがって、マイクロプロセッ
サ４７は、出力電圧Ｖｓｉｇをディジタル値に変換した
入力データの最大値が適切な値（例えば８ビットデータ
の２５０）となるように、ゲイン制御器４３に与える電
圧Ｖｉｎを設定する。

【００３２】ゲイン制御器４３は、与えられた電圧Ｖｉ
ｎにしたがって、２つの制御電圧Ｖ１及びＶ２を変化さ
せることにより、ＡＰＤ４１の増倍率と増幅器４５の増
幅率とを変化させ、それらの積に相当する光電変換率を
変化させる。なお、このようなマイクロプロセッサ４７
及びゲイン制御器４３を含む光電変換率調節手段による
光電変換率の調整は、例えば共焦点顕微鏡の場合、試料
の表面高さの分布又は共焦点画像の測定に先立って行わ
れ、測定中は光電変換率が一定に維持される。このよう
にして、試料の種類、表面の状態、色等、種々の条件に
よって大きく変化する受光量に対して出力電圧Ｖｓｉｇ
が飽和することなく、しかも精度良く測定され、その結
果に基づいて、試料の表面高さの分布又は共焦点画像が
得られることになる。

【００３３】つぎに、ゲイン制御器４３が与えられた電
圧Ｖｉｎにしたがって２つの制御電圧Ｖ１及びＶ２を変
化させる具体的な動作について説明する。前述のよう
に、光量検出回路全体の光電変換率はＡＰＤ４１の増倍
率と増幅器４５の増幅率との積に相当するから、電圧Ｖ
ｉｎにしたがって光電変換率を変化させるには、増倍率
及び増幅率のいずれか一方を変化させればよい。そこ
で、本実施形態における光電変換率調節手段は、光電変
換率を所定値以下の範囲で調節するとき（電圧Ｖｉｎが
所定値以下のとき）は増幅器の増幅率を一定（最小値）
としながら受光素子の増倍率を変化させることによって
光電変換率を変化させ、光電変換率を所定値より大きい
範囲で調節するとき（電圧Ｖｉｎが所定値より大きいと
き）は受光素子の増倍率を一定としながら増幅器の増幅
率を変化させることによって光電変換率を変化させる。

【００３４】図５は、ゲイン制御器４３の構成例を示す
回路図である。また、図６は、ゲイン制御器４３の入力
電圧Ｖｉｎと２つの出力電圧（制御電圧）Ｖ１及びＶ２
との関係を示すグラフである。図５に示すゲイン制御器
４３は、コンパレータ５１、上記の所定値に相当する比
較用電圧Ｖｒｅｆを設定するための可変抵抗５２、Ｖ１
設定回路５３、及びＶ２設定回路５４を含む。

【００３５】コンパレータ５１は、可変抵抗５２で設定
された電圧Ｖｒｅｆと入力電圧Ｖｉｎを比較し、入力電
圧Ｖｉｎが電圧Ｖｒｅｆ以下の場合はＬ（低）レベル電
圧を出力し、入力電圧Ｖｉｎが電圧Ｖｒｅｆより大きい
ときはＨ（高）レベル電圧を出力する。コンパレータ５
１の出力電圧Ｖｃｏｎｔは、Ｖ１設定回路５３及びＶ２
設定回路５４に制御信号として与えられる。また、Ｖ１
設定回路５３及びＶ２設定回路５４には入力電圧Ｖｉｎ
が入力されている。

【００３６】Ｖ１設定回路５３及びＶ２設定回路５４
は、コンパレータ５１から与えられた制御信号Ｖｃｏｎ
ｔにしたがって、図６に示すような特性の制御電圧Ｖ１
及びＶ２を出力する。すなわち、制御信号Ｖｃｏｎｔが
Ｌレベルのとき（入力電圧Ｖｉｎが電圧Ｖｒｅｆ以下の
とき）は、制御電圧Ｖ２は略ゼロボルトに固定され、制
御電圧Ｖ１は入力電圧Ｖｉｎに比例して増加していく。
一方、制御信号ＶｃｏｎｔがＨレベルのとき（入力電圧
Ｖｉｎが電圧Ｖｒｅｆより大きいとき）は、制御電圧Ｖ
１は一定値（最大値）に固定され、制御電圧Ｖ２は入力
電圧Ｖｉｎに比例して増加していく。

【００３７】図４を用いて説明したように、制御電圧Ｖ
１が高くなるほどＡＰＤ４１の増倍率が大きくなる。ま
た、制御電圧Ｖ２が高くなるほど増幅器４５の増幅率が
大きくなる。したがって、上述のように制御電圧Ｖ１及
びＶ２が変化する結果、入力電圧Ｖｉｎが電圧Ｖｒｅｆ
以下のとき（光電変換率を所定値以下の範囲で調節する
とき）は、増幅器４５の増幅率を最小値に固定しながら
ＡＰＤ４１の増倍率を入力電圧Ｖｉｎに応じて最大値ま
で変化させ、入力電圧Ｖｉｎが電圧Ｖｒｅｆより大きい
とき（光電変換率を所定値より大きい範囲で調節すると
き）は、ＡＰＤ４１の増倍率を最大値に固定しながら増
幅器４５の増幅率を入力電圧Ｖｉｎに応じて上げていく
ことになる。

【００３８】入力電圧Ｖｉｎが小さいとき、すなわち得
られた出力信号Ｖｓｉｇの最大値が大きいときは、増幅
器の増幅率を最小値に固定しても受光素子の増倍率を上
げすぎることなく十分なレベルの出力信号Ｖｓｉｇが得
られる。こうすることによって、受光素子のショットノ
イズを含む信号の増幅器による増幅を抑え、光量検出回
路全体のＳ／Ｎ比を高く維持することができる。

【００３９】なお、上記の実施形態では、マイクロプロ
セッサ４７が、出力電圧Ｖｓｉｇの最大値が適切な値と
なるように、ゲイン制御器４３に与える電圧Ｖｉｎを設
定しているが、光量検出回路の用途によっては、出力電
圧Ｖｓｉｇの平均値が適切な値となるように、電圧Ｖｉ
ｎを設定してもよい。あるいは、出力電圧Ｖｓｉｇの最
大値及び平均値の両方に基づいて電圧Ｖｉｎを設定して
もよい。更には、出力電圧Ｖｓｉｇのばらつき等、他の
要因も加味して電圧Ｖｉｎを設定してもよい。

【００４０】また、ゲイン制御器４３は、ハードウェア
で構成してもよいし、マイクロコンピュータのソフトウ
エアで構成してもよい。この際、ゲイン制御器４３の機
能をマイクロプロセッサ４７内に組み込むことも可能で
ある。

【００４１】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明の光量検
出回路によれば、増倍率可変の受光素子と増幅器、更に
受光素子の増倍率と増幅器の増幅率を制御する光電変換
率調節手段を備えたことにより、受光量の広い範囲にわ
たってＳ／Ｎ比を最良としながら受光量を精度良く検出
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の光量検出回路の構成例を示す回路図であ
る。

【図２】従来の別の光量検出回路の構成例を示す回路図
である。

【図３】従来の更に別の光量検出回路の構成例を示す回
路図である。

【図４】本発明の実施形態に係る光量検出回路の回路図
である。

【図５】ゲイン制御器の構成例を示す回路図である。

【図６】ゲイン制御器の入力電圧Ｖｉｎと２つの出力電
圧（制御電圧）Ｖ１及びＶ２との関係を示すグラフであ
る。

【符号の説明】

４１ ＡＰＤ（受光素子） ４２ 逆電圧発生器 ４３ ゲイン制御器（光電変換率調節手段） ４４ 抵抗（電流電圧変換回路） ４５ 増幅器 ４６ Ｄ／Ａコンバータ ４７ マイクロプロセッサ（光電変換率調節手段） ４８ Ａ／Ｄコンバータ

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G065 AA04 AB09 BA09 BA18 BC01 BC03 BC10 BC14 BC20 BC28 BC35 CA12 2H052 AA08 AB30 AF06 5F049 MA07 NA04 NB07 UA11 UA13 UA20

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】増倍率可変の受光素子と、該受光素子の出
   力電流を電圧に変換する電流電圧変換回路と、該電流電
   圧変換回路の出力を増幅する増幅器と、前記受光素子の
   増倍率及び前記増幅器の増幅率を制御することにより、
   前記増倍率と前記増幅率との積である光電変換率を調節
   する光電変換率調節手段とを備えたことを特徴とする光
   電変換率調節可能な光量検出回路。
2. 【請求項２】前記光電変換率調節手段は、光電変換率を
   所定値以下の範囲で調節するときは前記増幅器の増幅率
   を一定としながら前記受光素子の増倍率を変化させるこ
   とによって前記光電変換率を変化させ、光電変換率を前
   記所定値より大きい範囲で調節するときは前記受光素子
   の増倍率を一定としながら前記増幅器の増幅率を変化さ
   せることによって前記光電変換率を変化させるように構
   成されている請求項１記載の光電変換率調節可能な光量
   検出回路。
3. 【請求項３】前記光電変換率調節手段は、光電変換率を
   所定値以下の範囲で調節するときは前記増幅器の増幅率
   を最小値としながら前記受光素子の増倍率を最大値まで
   変化させることによって前記光電変換率を変化させ、光
   電変換率を前記所定値より大きい範囲で調節するときは
   前記受光素子の増倍率を最大値としながら前記増幅器の
   増幅率を変化させることによって前記光電変換率を変化
   させるように構成されている請求項１記載の光電変換率
   調節可能な光量検出回路。
4. 【請求項４】前記増倍率可変の受光素子は、カソードに
   印加する逆バイアスを変えることにより増倍率が変化す
   る請求項１、２、３又は４記載の光電変換率調節可能な
   光量検出回路。
5. 【請求項５】前記光電変換率調節手段は、前記増幅器の
   出力から得られた受光量検出値の最大値が光量検出回路
   の飽和レベルより小さい所定の値となるように、前記光
   電変換率を調節する請求項１、２、３、４又は５記載の
   光電変換率調節可能な光量検出回路。