JP7231039B2 - ノズルプレート、ノズルプレートの製造方法及びインクジェットヘッド - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 66
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 49
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims description 38
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 27
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 26
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 24
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 23
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 21
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 claims description 21
- -1 silane compound Chemical class 0.000 claims description 19
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 15
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 14
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 11
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 8
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 claims description 6
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 68
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 28
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000002585 base Substances 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 11
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 10
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 10
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 9
- RHQDFWAXVIIEBN-UHFFFAOYSA-N Trifluoroethanol Chemical compound OCC(F)(F)F RHQDFWAXVIIEBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 8
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 8
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- MAFQBSQRZKWGGE-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-[4-(2-trimethoxysilylethyl)phenyl]ethyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC1=CC=C(CC[Si](OC)(OC)OC)C=C1 MAFQBSQRZKWGGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M Sodium bicarbonate-14C Chemical compound [Na+].O[14C]([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HOENFMGYUBYVDH-UHFFFAOYSA-N ethoxy-dimethyl-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(C)C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F HOENFMGYUBYVDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical group FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 235000011118 potassium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 description 2
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 description 2
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 description 2
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NYIKUOULKCEZDO-UHFFFAOYSA-N triethoxy(3,3,4,4,5,5,6,6,6-nonafluorohexyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F NYIKUOULKCEZDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDHQGBWMLCBNSM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethyl acetate Chemical compound COCCOCCOCCOC(C)=O SDHQGBWMLCBNSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTXMVXSTHSMVQF-UHFFFAOYSA-N 2-acetyloxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCOC(C)=O JTXMVXSTHSMVQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HJIMAFKWSKZMBK-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F HJIMAFKWSKZMBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPNUVCJXDMZPIU-UHFFFAOYSA-N C(C)O[Si](OCC)(OCC)CCCCC1=CC=C(C=C1)CCCC[Si](OCC)(OCC)OCC Chemical compound C(C)O[Si](OCC)(OCC)CCCCC1=CC=C(C=C1)CCCC[Si](OCC)(OCC)OCC NPNUVCJXDMZPIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGPHOPOUWWMGRA-UHFFFAOYSA-N CO[Si](OC)(OC)CCCCC1=CC=C(C=C1)CCCC[Si](OC)(OC)OC Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCC1=CC=C(C=C1)CCCC[Si](OC)(OC)OC FGPHOPOUWWMGRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIUMBNJZLXRTNM-UHFFFAOYSA-N ClC(C[SiH2]CCC1=CC=C(C=C1)CC[SiH2]CC(Cl)(Cl)Cl)(Cl)Cl Chemical compound ClC(C[SiH2]CCC1=CC=C(C=C1)CC[SiH2]CC(Cl)(Cl)Cl)(Cl)Cl MIUMBNJZLXRTNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVAHJGMQMGVJBY-UHFFFAOYSA-N ClC(Cl)(Cl)[SiH2]CCC1=CC=C(C=C1)CC[SiH2]C(Cl)(Cl)Cl Chemical compound ClC(Cl)(Cl)[SiH2]CCC1=CC=C(C=C1)CC[SiH2]C(Cl)(Cl)Cl QVAHJGMQMGVJBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 229920002943 EPDM rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- GZPHKKAJQADUEV-UHFFFAOYSA-L O[N+]([O-])=O.O[Cr](O)(=O)=O Chemical compound O[N+]([O-])=O.O[Cr](O)(=O)=O GZPHKKAJQADUEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYUIWUCVZCRTRH-UHFFFAOYSA-N [[[ethenyl(dimethyl)silyl]amino]-dimethylsilyl]ethene Chemical compound C=C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C=C WYUIWUCVZCRTRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJSMFTKQFPGCTI-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy-[2-[4-(2-triacetyloxysilylethyl)phenyl]ethyl]silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)CCC1=CC=C(CC[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)OC(C)=O)C=C1 YJSMFTKQFPGCTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APDDLLVYBXGBRF-UHFFFAOYSA-N [diethyl-(triethylsilylamino)silyl]ethane Chemical compound CC[Si](CC)(CC)N[Si](CC)(CC)CC APDDLLVYBXGBRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 1
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- SXSNZRHGAMVNJE-UHFFFAOYSA-N chloro-[[[chloromethyl(dimethyl)silyl]amino]-dimethylsilyl]methane Chemical compound ClC[Si](C)(C)N[Si](C)(C)CCl SXSNZRHGAMVNJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQRFRTCWNCVQHI-UHFFFAOYSA-N chloro-dimethyl-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)silane Chemical compound C[Si](C)(Cl)C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F PQRFRTCWNCVQHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCIDTPKJLONLEN-UHFFFAOYSA-N chloro-dimethyl-[3-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)propyl]silane Chemical compound C[Si](C)(Cl)CCCC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F OCIDTPKJLONLEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N n'-[3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCNCCN MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N selenium dioxide Chemical compound O=[Se]=O JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- PISDRBMXQBSCIP-UHFFFAOYSA-N trichloro(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-tridecafluorooctyl)silane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CC[Si](Cl)(Cl)Cl PISDRBMXQBSCIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIFIHLXNOOCGLJ-UHFFFAOYSA-N trichloro(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl)silane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CC[Si](Cl)(Cl)Cl VIFIHLXNOOCGLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PGOAAUBOHVGLCX-UHFFFAOYSA-N trichloro-[3-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)propyl]silane Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(CCC[Si](Cl)(Cl)Cl)C(F)=C1F PGOAAUBOHVGLCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MLXDKRSDUJLNAB-UHFFFAOYSA-N triethoxy(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F MLXDKRSDUJLNAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCTSVVHHSWBVAX-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[2-[4-(2-triethoxysilylethyl)phenyl]ethyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC1=CC=C(CC[Si](OCC)(OCC)OCC)C=C1 WCTSVVHHSWBVAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVAFDQZZUMUFSM-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[5,5,6,6,7,7,7-heptafluoro-4,4-bis(trifluoromethyl)heptyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCC(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F JVAFDQZZUMUFSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(F)(F)F JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJROHELDTBDTPH-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(3,3,4,4,5,5,6,6,6-nonafluorohexyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F IJROHELDTBDTPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFFHTZIRHGKTBQ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F XFFHTZIRHGKTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTOKKZDSYQQAHL-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[4-(oxiran-2-yl)butyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCC1CO1 LTOKKZDSYQQAHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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Description
本発明は、ノズルプレート、ノズルプレートの製造方法及びインクジェットヘッドに関する。さらに詳しくは、インク射出時のノズルプレート表面での撥液性、アルカリインク耐性、擦過耐性に優れたノズルプレートとその製造方法及びそれを具備したインクジェットヘッドに関する。
現在広く普及しているインクジェット記録装置は、複数のノズル孔が列状に並んで形成されたノズルプレートを具備したインクジェットヘッドをフレーム等に取り付けることによって保持し、当該複数のノズルからそれぞれ記録媒体に向けてインクを微小な液滴の状態で吐出することにより、記録媒体に画像を形成する。
インクジェットヘッドの代表的なインク吐出方式としては、加圧室に配置された電気抵抗体に電流を流すことにより発生した熱でインク中の水を気化膨張させインクに圧力を加えて吐出させる方法と、加圧室を構成する流路部材の一部を圧電体にするか、流路部材に圧電体を設置し、複数のノズル孔に対応する圧電体を選択的に駆動することにより、各圧電体の動圧に基づいて加圧室を変形させてノズルから液体を吐出させる方法がある。
インクジェットヘッドにおいては、良好なインク液滴の射出性能を実現する上では、ノズルが設けられた面の表面特性が非常に重要となっている。
インクジェットヘッドのノズル孔の近傍にインク液滴やゴミが付着すると、吐出するインク液滴の射出方向が曲がること、又はノズル孔でのインク液滴の射出角度が広がり、サテライトの発生という問題が生じる。
また、ノズル孔の目詰まり等により微小なインク吐出量の低下、又は吐出しなくなる(ノズル欠ともいう)等のトラブルが起こる。又、付着したインクが、ノズル孔全面を覆うと吐出不能になる。これらは、形成する画像の解像度や品質を著しく低下させる、重大な問題に発展する。
インク液滴を、安定にまっすぐ射出させるためには、流路内の設計やインクに圧力を印加する方法を最適化することはもちろんであるが、それだけでは不十分であり、さらにインクを射出するノズル孔の周りをいつも安定な表面状態に維持することが必要となる。そのためには、ノズルプレートのインク射出面のノズル孔周辺部に、不要なインクが付着、残留しないように撥液性を有する撥液層を付与する方法が検討されている。
一般に、インクジェットヘッドが具備するノズルプレートのノズル面に形成されている撥液膜には、シリコーン系化合物やフッ素含有有機化合物、例えば、シランカップリング剤等が用いられている。
撥液層の形成にシランカップリング剤を用いることにより、密着性が良い撥液層を形成できることが知られている。しかしながら、ノズルプレートを構成する基板や下地層のヒドロキシ基の密度が低い場合、インクを構成するアルカリ性成分がそこに存在する水素結合やヒドロキシ基結合を破壊し、その結合を切断してしまうため、アルカリ耐性が低い撥液層となるという問題を有している。
上記問題に対し、撥液膜の形成方法として、同一層中に、両端末に反応性官能基を有し、かつ中間部に炭化水素鎖とベンゼン環を有するシランカップリング剤とフッ素を有するシランカップリング剤と、一方の末端がフッ化炭素鎖で、他方の末端に反応性官能基を有するシランカップリング剤を混合し、脱水縮合反応により高密度重合膜を形成することで、架橋点となるシロキサン結合近辺には疎水性のベンゼン環・アルキル鎖・フッ素炭素鎖が存在し、アルカリ耐性の高い撥液膜の製造方法が開示されている(例えば、特許文献1参照。)。
しかしながら、特許文献1で提案されている構成では、アルカリ成分に対する耐久性が依然として十分ではなく、かつ、顔料インクを用いた場合、メンテナンス時に使用するワイプ材と顔料粒子を含む顔料インクとの擦過により、撥液膜面が徐々に摩耗していく現象が確認されており、このような操作を長期間にわたり繰り返すことにより、メンテナンスのみでは耐久性(擦過耐性)が確保できないという問題が存在することが分かった。
本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、ノズルプレート表面での撥液性、アルカリインク耐性及び擦過耐性に優れたノズルプレートとその製造方法、並びそれを具備したインクジェットヘッドを提供することである。
本発明者は、上記課題に鑑み鋭意検討を進めた結果、基板上に、下地層としてベンゼン環を含む特定構造のシランカップリング剤を含有し、中間層を無機酸化物で構成し、最表層にフッ素(F)を有するカップリング剤を含有する撥液層を形成した構成のノズルプレートにより、インク射出時のノズルプレート表面での撥液性、アルカリインク耐性及び擦過耐性に優れたノズルプレート等を実現することができることを見いだし、本発明に至った。
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。
1.基板上に、少なくとも、下地層、中間層及び撥液層を有するノズルプレートであって、
前記下地層が、両端末に反応性官能基を有し、かつ中間部に炭化水素鎖とベンゼン環を含むシランカップリング剤Aを含有し、
前記中間層が、無機酸化物を含有し、かつ、
前記撥液層が、フッ素(F)を有するカップリング剤Bを含有する
ことを特徴とするノズルプレート。
前記下地層が、両端末に反応性官能基を有し、かつ中間部に炭化水素鎖とベンゼン環を含むシランカップリング剤Aを含有し、
前記中間層が、無機酸化物を含有し、かつ、
前記撥液層が、フッ素(F)を有するカップリング剤Bを含有する
ことを特徴とするノズルプレート。
2.前記下地層が含有する前記シランカップリング剤Aが、下記一般式(1)で表される構造を有する化合物であることを特徴とする第1項に記載のノズルプレート。
一般式(1)
XsQ3-sSi(CH2)tC6H4(CH2)uSiR3-mXm
〔式中、Q及びRは、それぞれメチル基又はエチル基を表し、t及びuは、それぞれ1~10の自然数を表し、s及びmは、それぞれ1~3の自然数を表す。sが1、mが1の場合、Q及びRはそれぞれ二個存在するが、二個のQ及びRはそれぞれが同一構造であっても、異なる構造であってもよい。C6H4はフェニレン基である。Xはアルコキシ基、塩素、アシロキシ基、又はアミノ基を表す。〕
一般式(1)
XsQ3-sSi(CH2)tC6H4(CH2)uSiR3-mXm
〔式中、Q及びRは、それぞれメチル基又はエチル基を表し、t及びuは、それぞれ1~10の自然数を表し、s及びmは、それぞれ1~3の自然数を表す。sが1、mが1の場合、Q及びRはそれぞれ二個存在するが、二個のQ及びRはそれぞれが同一構造であっても、異なる構造であってもよい。C6H4はフェニレン基である。Xはアルコキシ基、塩素、アシロキシ基、又はアミノ基を表す。〕
3.前記中間層が含有する無機酸化物が、炭素(C)、ケイ素(Si)、酸素(O)を主成分として構成される無機酸化物であることを特徴とする第1項又は第2項に記載のノズルプレート。
4.前記中間層を形成する前記炭素(C)、ケイ素(Si)、酸素(O)を主成分として構成される無機酸化物が、分子量が300以下のシラン化合物又はシランカップリング剤Cであることを特徴とする第3項に記載のノズルプレート。
5.前記基板が金属であり、当該金属の表面が不動態被膜を有することを特徴とする第1項から第4項までのいずれか一項に記載のノズルプレート。
6.前記基板を構成する金属がステンレス鋼であることを特徴とする第1項から第5項までのいずれか一項に記載のノズルプレート。
7.前記下地層の膜厚をt(μm)とし、前記基板の表面粗さにおける最大高さをRz(μm)としたとき、下記式(1)で規定する条件を満たすことを特徴とする第1項から第6項までのいずれか一項に記載のノズルプレート。
式(1) Rz≦t
式(1) Rz≦t
8.第1項から第7項までのいずれか一項に記載のノズルプレートを製造するノズルプレートの製造方法であって、
前記ノズルプレートを、基板上に、少なくとも、下地層、中間層及び撥液層を形成し、
前記下地層を、両端末に反応性官能基を有し、かつ中間部に炭化水素鎖とベンゼン環を含むシランカップリング剤Aを用いて形成し、
前記中間層を、無機酸化物で形成し、かつ、
前記撥液層を、フッ素(F)を有するカップリング剤Bを用いて形成する
ことを特徴とするノズルプレートの製造方法。
前記ノズルプレートを、基板上に、少なくとも、下地層、中間層及び撥液層を形成し、
前記下地層を、両端末に反応性官能基を有し、かつ中間部に炭化水素鎖とベンゼン環を含むシランカップリング剤Aを用いて形成し、
前記中間層を、無機酸化物で形成し、かつ、
前記撥液層を、フッ素(F)を有するカップリング剤Bを用いて形成する
ことを特徴とするノズルプレートの製造方法。
9.前記基板の表面に、パッシベーション処理を施し、不動態被膜を形成することを特徴とする第8項に記載のノズルプレートの製造方法。
10.前記不動態被膜の膜厚が、10~100nmの範囲内であることを特徴とする第9項に記載のノズルプレートの製造方法。
11.第1項から第7項までのいずれか一項に記載のノズルプレートを具備することを特徴とするインクジェットヘッド。
本発明によれば、インク射出時のノズルプレート表面での撥液性、アルカリインク耐性、擦過耐性に優れたノズルプレート等を提供することができる。
本発明の効果の発現機構又は作用機構については、以下のように推察している。
本発明においては、ノズルプレートを構成する下地層、中間層及び撥液層を本発明で規定する構成とすることにより、下地層に添加した両端末に反応性官能基を有し、かつ中間部に炭化水素鎖とベンゼン環を含むシランカップリング剤が高密度に重合し、かつお互いにスタッキング相互作用を生じることにより、特に金属基板との密着性が向上し、ノズルプレートが応力、特に厚さ方向での応力を受けた際に、ノズルプレートの基板と、その上に設けた構成層間の密着性を向上させることができ、密着性の向上と共に、ノズルプレート表面がメンテナンス時に使用するワイプ材等により幅手方向での応力を受けた際の耐性を向上させることができた。また、中間層を具備することにより、撥液層におけるカップリング剤を効率的に表面に配向させ、平面上に高密度充填させることが可能となり、優れた撥液性の実現と共に、アルカリ耐久性と顔料インクを用いた長期繰り返しメンテナンスによる耐久性を確保することが可能となることを見出した。
本発明のノズルプレートは、基板上に、少なくとも、下地層、中間層及び撥液層を有するノズルプレートであって、前記下地層が、両端末に反応性官能基を有し、かつ中間部に炭化水素鎖とベンゼン環を含むシランカップリング剤Aを含有し、前記中間層が、無機酸化物を含有し、かつ、前記撥液層が、フッ素(F)を有するカップリング剤Bを含有することを特徴とする。この特徴は、下記各実施形態に係る発明に共通する技術的特徴である。
本発明の実施形態としては、本発明の目的とする効果をより発現できる観点から、下地層が含有するシランカップリング剤Aが、前記一般式(1)で表される構造を有する化合物であることが、基板との密着性とアルカリ性インクに対する耐久性がより向上する点で好ましい。
また、中間層が含有する無機酸化物が炭素(C)、ケイ素(Si)、酸素(O)を主成分として構成される無機酸化物であること、更には、炭素(C)、ケイ素(Si)、酸素(O)を主成分として構成される無機酸化物が、分子量が300以下のシラン化合物又はシランカップリング剤Cであることが、上層である撥液層が含有するフッ素(F)を有するカップリング剤を保持する効果を発現させ、撥液層と中間層の密着性がより向上する点で好ましい。
また、基板が金属であり、当該金属の表面に不動態被膜が形成されていることが、下地層との密着性がより向上する点で好ましい。
また、基板を構成する金属がステンレス鋼であることが、より優れた耐久性を発現することができる点で好ましい。
また、下地層の膜厚をt(μm)、基板の最大高さをRz(μm)としたとき、Rz≦tとすることが、下地層が基板表面の凹凸部に入り込み、アンカーとしての効果を発現し、密着性がより向上する点で好ましい。
酸化被膜の膜厚を10~100nmの範囲内とすることが、本発明の目的効果をより発現させることができる点で好ましい。
本発明のノズルプレートの製造方法は、基板上に、少なくとも、下地層、中間層及び撥液層を形成し、前記下地層を、両端末に反応性官能基を有し、かつ中間部に炭化水素鎖とベンゼン環を含むシランカップリング剤Aを用いて形成し、前記中間層を、無機酸化物で形成し、かつ、前記撥液層を、フッ素(F)を有するカップリング剤Bを用いて形成してノズルプレートを製造することを特徴とする。
また、本発明のノズルプレートの製造方法においては、基板の表面にパッシベーション処理を施し、不動態被膜を形成すること、また、形成する不動態被膜の膜厚を10~100nmの範囲内とすることが好ましい。
以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、数値範囲を表す「~」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。
《ノズルプレート》
本発明のノズルプレートは、基板上に、少なくとも、
1)両端末に反応性官能基を有し、かつ中間部に炭化水素鎖とベンゼン環を含むシランカップリング剤Aを含有する下地層と、
2)無機酸化物を含有する中間層と、及び
3)フッ素(F)を有するカップリング剤Bを含有する撥液層と、
を有することを特徴とする。
本発明のノズルプレートは、基板上に、少なくとも、
1)両端末に反応性官能基を有し、かつ中間部に炭化水素鎖とベンゼン環を含むシランカップリング剤Aを含有する下地層と、
2)無機酸化物を含有する中間層と、及び
3)フッ素(F)を有するカップリング剤Bを含有する撥液層と、
を有することを特徴とする。
以下、本発明のノズルプレートの詳細について説明する。
〔ノズルプレートの基本構成〕
はじめに、本発明のノズルプレートの具体的な構成について、図を交えて説明する。なお、各図の説明において、構成要素の末尾に記載した数字は、各図における符号を表す。
はじめに、本発明のノズルプレートの具体的な構成について、図を交えて説明する。なお、各図の説明において、構成要素の末尾に記載した数字は、各図における符号を表す。
図1は、本発明で規定する構成のノズルプレートの一例を示す概略断面図(実施形態1)である。
図1で示すように、本発明のノズルプレート1の基本的な構成は、基板2に隣接して、両端末に反応性官能基を有し、かつ中間部に炭化水素鎖とベンゼン環を含むシランカップリング剤Aを含有する下地層3を設け、更に前記下地層3に隣接して、無機酸化物を含有する中間層4を設け、更に上に、フッ素(F)を有するカップリング剤Bを含有する撥液層5を有する構成である。
図2は、本発明に係るノズルプレートの他の一例である実施形態2を示す概略断面図である。
図2に示すノズルプレート1は、図1で示したノズルプレートの構成に対し、基板2表面に不動態被膜6を更に設けた構成であり、このような構成とすることにより、基板2と下地層3との密着性、例えば、厚さ方向に引っ張り応力を受けた際の密着性をより向上させることができる点で好ましい。
〔ノズルプレートの各構成材料〕
次いで、本発明のノズルプレートを構成する、基板2、下地層3、中間層4、撥液層5、及び基板表面の不動態被膜6の詳細について説明する。
次いで、本発明のノズルプレートを構成する、基板2、下地層3、中間層4、撥液層5、及び基板表面の不動態被膜6の詳細について説明する。
(基板)
ノズルプレートを構成する基板2としては、機械的強度が高く、耐インク性を備え、寸法安定性に優れた材料より選択することができ、例えば、無機材料、金属材料や樹脂フィルム等種々のものを用いることができる。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET),ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、アロマティックポリアミド樹脂、ポリサルフォン樹脂等の合成樹脂を挙げることができる。
ノズルプレートを構成する基板2としては、機械的強度が高く、耐インク性を備え、寸法安定性に優れた材料より選択することができ、例えば、無機材料、金属材料や樹脂フィルム等種々のものを用いることができる。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET),ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、アロマティックポリアミド樹脂、ポリサルフォン樹脂等の合成樹脂を挙げることができる。
また、無機材料や金属材料としては、鉄(例えば、ステンレス鋼(SUS))、アルミニウム、ニッケル、ステンレス等の金属材料やガラス等が挙げられる。
本発明においては、その中でも、基板が金属であり、更には、ステンレス鋼(SUS)であることが好ましい。
ノズルプレートを構成する基板の厚さは、10~500μmの範囲であり、好ましくは50~150μmの範囲内である。
また、ノズルプレートを構成する基板の最大高さRzとしては、0.8nm~400μmの範囲内であり、好ましくは4~150nmの範囲内である。
本発明でいう基板の最大高さRz(μm)とは、JIS B 0601-2001に準拠した方法に従って測定して求めることができ、詳しくは、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけ抜き取り、この抜取り部分の山頂線と谷底線との間隔を粗さ曲線の縦倍率の方向に測定し、この値の最大値をマイクロメートル(μm)で表したものをいう。
〈基板の表面処理〉
また、本発明に適用する基板として好適な金属基板において、金属表面が不動態被膜を有することが、腐食耐性及び下地層との密着性を向上させる点で好ましい。
また、本発明に適用する基板として好適な金属基板において、金属表面が不動態被膜を有することが、腐食耐性及び下地層との密着性を向上させる点で好ましい。
金属基板、例えば、ステンレス鋼表面に不動態被膜を形成することが、下地層との密着性を向上させる点で好ましい。不動態被膜の形成方法としては、従来公知の方法を適宜選択して適用することができ、例えば、パッシベーション処理方法を挙げることができる。
本発明でいう不動態被膜化とは、金属材料を硝酸などの処理液に浸して表面に不動態被膜(パッシベーション膜ともいう。)を形成する方法で、金属表面に腐食作用に抵抗する酸化被膜が生じた状態のことをいう。この不動態被膜は溶液や酸にさらされても溶け去ることが無いため、内部の金属を腐食から保護するために用いられる。
一般的には、ステンレスに対する不動態化処理をさす場合が多く、処理方法も、アメリカのMIL規格やASTM規格で詳細に決められており、それらを参照することができるが、例えば、SUS300系の材料は硝酸系、SUS400系の材料は、硝酸-クロム酸系の溶液を用いてパッシベーション処理を行う。本発明いおいては不動態被膜の厚さは、10~100nmの範囲内であることが好ましい。
パッシベーション処理は、めっきのように表面に皮膜を付加させる処理ではなく、ステンレス固有の不動態化膜をより厚くする処理であり、ほとんど寸法の変化を伴わない。
(下地層)
本発明のノズルプレートを構成する下地層は、構成成分として、両端末に反応性官能基を有し、かつ中間部に炭化水素鎖とベンゼン環を含むシランカップリング剤Aを含有することを特徴とする。
本発明のノズルプレートを構成する下地層は、構成成分として、両端末に反応性官能基を有し、かつ中間部に炭化水素鎖とベンゼン環を含むシランカップリング剤Aを含有することを特徴とする。
下地層に適用可能なシランカップリング剤Aとしては、特に制限はなく、従来公知の上記要件を満たす化合物を適宜選択して用いることができるが、本発明目的効果をいかんなく発揮させることができる観点から、下記一般式(1)で表される両端末に反応性官能基としてアルコキシ基、塩素、アシロキシ基、又はアミノ基を有し、かつ中間部に炭化水素鎖とベンゼン環(フェニレン基)を含む構造を有する化合物であることが好ましい。
〈一般式(1)で表される構造を有する化合物〉
一般式(1)
XsQ3-sSi(CH2)tC6H4(CH2)uSiR3-mXm
上記一般式(1)において、Q及びRは、それぞれメチル基又はエチル基を表す。t及びuは、それぞれ1~10の自然数を表す。s及びmは、それぞれ1~3の自然数を表す。sが1、mが1の場合、Q及びRはそれぞれ二個存在するが、二個のQ及びRはそれぞれが同一構造であっても、異なる構造であってもよい。C6H4はフェニレン基である。Xはアルコキシ基、塩素、アシロキシ基、又はアミノ基を表す。
一般式(1)
XsQ3-sSi(CH2)tC6H4(CH2)uSiR3-mXm
上記一般式(1)において、Q及びRは、それぞれメチル基又はエチル基を表す。t及びuは、それぞれ1~10の自然数を表す。s及びmは、それぞれ1~3の自然数を表す。sが1、mが1の場合、Q及びRはそれぞれ二個存在するが、二個のQ及びRはそれぞれが同一構造であっても、異なる構造であってもよい。C6H4はフェニレン基である。Xはアルコキシ基、塩素、アシロキシ基、又はアミノ基を表す。
アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数が1~12のアルコキシ基、好ましくは炭素数が1~8のアルコキシ基、より好ましくは炭素数が1~6のアルコキシ基等である。
また、アシロキシ基としては、例えば、炭素数が2~19である直鎖又は分岐鎖アシロキシ基(アセトキシ、エチルカルボニルオキシ、プロピルカルボニルオキシ、イソプロピルカルボニルオキシ、ブチルカルボニルオキシ、イソブチルカルボニルオキシ、sec-ブチルカルボニルオキシ、tert-ブチルカルボニルオキシ、オクチルカルボニルオキシ、テトラデシルカルボニルオキシ、及びオクタデシルカルボニルオキシ等)等が挙げられる。
また、アミノ基としては、アミノ基(-NH2)及び炭素数が1~15の置換アミノ基(例えば、メチルアミノ、ジメチルアミノ、エチルアミノ、メチルエチルアミノ、ジエチルアミノ、n-プロピルアミノ、メチル-n-プロピルアミノ、エチル-n-プロピルアミノ、n-プロピルアミノ、イソプロピルアミノ、イソプロピルメチルアミノ、イソプロピルエチルアミノ、ジイソプロピルアミノ、フェニルアミノ、ジフェニルアミノ、メチルフェニルアミノ、エチルフェニルアミノ、n-プロピルフェニルアミノ、及びイソプロピルフェニルアミノ等)等が挙げられる。
以下に、本発明に係る一般式(1)で表される構造を有する例示化合物を列挙するが、本発明ではこれら例示する化合物にのみ限定されるものではない。
1)1,4-ビス(トリメトキシシリルエチル)ベンゼン
2)1,4-ビス(トリエトキシシリルエチル)ベンゼン
3)1,4-ビス(トリメトキシシリルブチル)ベンゼン
4)1,4-ビス(トリエトキシシリルブチル)ベンゼン
5)1,4-ビス(トリメチルアミノシリルエチル)ベンゼン
6)1,4-ビス(トリエチルアミノシリルエチル)ベンゼン
7)1,4-ビス(トリメチルアミノシリルブチル)ベンゼン
7)1,4-ビス(トリアセトキシシリルエチル)ベンゼン
8)1,4-ビス(トリクロロメチルシリルエチル)ベンゼン
9)1,4-ビス(トリクロロエチルシリルエチル)ベンゼン
本発明に係る一般式(1)で表される構造を有する化合物は、従来公知の合成方法に従って合成して得ることができる。また、市販品としても入手することができる。
2)1,4-ビス(トリエトキシシリルエチル)ベンゼン
3)1,4-ビス(トリメトキシシリルブチル)ベンゼン
4)1,4-ビス(トリエトキシシリルブチル)ベンゼン
5)1,4-ビス(トリメチルアミノシリルエチル)ベンゼン
6)1,4-ビス(トリエチルアミノシリルエチル)ベンゼン
7)1,4-ビス(トリメチルアミノシリルブチル)ベンゼン
7)1,4-ビス(トリアセトキシシリルエチル)ベンゼン
8)1,4-ビス(トリクロロメチルシリルエチル)ベンゼン
9)1,4-ビス(トリクロロエチルシリルエチル)ベンゼン
本発明に係る一般式(1)で表される構造を有する化合物は、従来公知の合成方法に従って合成して得ることができる。また、市販品としても入手することができる。
〈下地層の形成方法〉
本発明に係る下地層は、本発明に係る両端末に反応性官能基を有し、かつ中間部に炭化水素鎖とベンゼン環を含むシランカップリング剤Aを、有機溶媒、例えば、エタノール、プロパノール、ブタノール、2,2,2-トリフロオロエタノール等に所望の濃度に溶解して、下地層形成用塗布液を調製した後、湿式塗布法により、基板上に塗布・乾燥して形成する。
本発明に係る下地層は、本発明に係る両端末に反応性官能基を有し、かつ中間部に炭化水素鎖とベンゼン環を含むシランカップリング剤Aを、有機溶媒、例えば、エタノール、プロパノール、ブタノール、2,2,2-トリフロオロエタノール等に所望の濃度に溶解して、下地層形成用塗布液を調製した後、湿式塗布法により、基板上に塗布・乾燥して形成する。
下地層形成用塗布液におけるシランカップリング剤Aの濃度としては、特に制限はないが、おおむね0.5~50質量%の範囲であり、好ましくは、1.0~30質量%の範囲内である。
本発明に係る下地層の層厚は、特に制限はないが、基板の最大高さRz(μm)としたとき、下地層の膜厚t(μm)としては、Rz≦tとなる条件を満たすことが、基板の粗さの緩衝層として作用することができる点で好ましく、おおむね1~500nmの範囲内とすることが好ましく、更に好ましくは5~150nmの範囲内である。
(中間層)
本発明に係る中間層は、少なくとも無機酸化物を含有していることを特徴とする。
本発明に係る中間層は、少なくとも無機酸化物を含有していることを特徴とする。
一般に、無機酸化物としては、例えば、酸化アルミニウム、シリカ(二酸化ケイ素)、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化鉛、酸化スズ、酸化タンタル、酸化インジウム、酸化ビスマス、酸化イットリウム、酸化コバルト、酸化銅、酸化マンガン、酸化セレン、酸化鉄、酸化ジルコニウム、酸化ゲルマニウム、酸化スズ、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化モリブデン、酸化バナジウム等が挙げられるが、本発明に係る中間層に適用する無機酸化物としては、二酸化ケイ素又は酸化チタンであることが好ましく、更に好ましくは二酸化ケイ素である。
本発明においては、中間層が含有する無機酸化物が二酸化ケイ素である場合、当該中間層が、炭素(C)、ケイ素(Si)、酸素(O)を主成分として構成される層であることが好ましく、更には中間層が前記炭素(C)、ケイ素(Si)、酸素(O)を主成分として含む層が、分子量が300以下のシラン化合物(例えば、アルコキシシラン、シラザン等)又はシランカップリング剤Cを用いて形成することが好ましい。
また、本発明に係る中間層においては、炭素(C)、ケイ素(Si)、酸素(O)を主成分として含む層を構成する化合物が、前記下地層で適用するシランカップリング剤Aであってもよい。
本発明に適用可能な分子量が300以下のアルコキシシラン、シラザン又はシランカップリング剤の一例を示すが、これら例示する化合物に限定されるものではない。なお、各化合物の後のカッコ内に記載の数値は分子量(Mw)である。
アルコキシシランとしては、例えば、テトラエトキシシラン(Si(OC2H5)4、Mw:208.3)、メチルトリエトキシシラン(CH3Si(OC2H5)3、Mw:178.3)、メチルトリメトキシシラン(CH3Si(OCH3)3、Mw:136.2)、ジメチルジエトキシシラン((CH3)2Si(OC2H5)2、Mw:148.3)、ジメチルジメトキシシラン((CH3)2Si(OCH3)2、Mw:120.2)等が挙げられる。
また、シラザンとしては、例えば、1,1,1,3,3,3-ヘキサメチルジシラザン((CH3)3SiNHSi(CH3)3、161.4)、1,1,1,3,3,3-ヘキサエチルジシラザン((C2H5)3SiNHSi(C2H5)3、245.4)、その他には、1,3-ビス(クロロメチル)テトラメチルジシラザン、1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシラザン等を挙げることができる。
また、シランカップリング剤としては、
1)ビニル系シランカップリング剤:ビニルトリメトキシシラン(CH2=CHSi(OCH3)3、Mw:148.2)、ビニルトリエトキシシラン(CH2=CHSi(OC2H5)3、Mw:190.3)、その他には、CH2=CHSi(CH3)(OCH3)2、CH2=CHCOO(CH2)2Si(OCH3)3、CH2=CHCOO(CH2)2Si(CH3)Cl2、CH2=CHCOO(CH2)3SiCl3、CH2=C(CH3)Si(OC2H5)3等を挙げることができる。
1)ビニル系シランカップリング剤:ビニルトリメトキシシラン(CH2=CHSi(OCH3)3、Mw:148.2)、ビニルトリエトキシシラン(CH2=CHSi(OC2H5)3、Mw:190.3)、その他には、CH2=CHSi(CH3)(OCH3)2、CH2=CHCOO(CH2)2Si(OCH3)3、CH2=CHCOO(CH2)2Si(CH3)Cl2、CH2=CHCOO(CH2)3SiCl3、CH2=C(CH3)Si(OC2H5)3等を挙げることができる。
2)アミノ系シランカップリング剤:3-アミノプロピルトリメトキシシラン(H2NCH2CH2CH2Si(OCH3)3、mW:179.3)、3-(2-アミノエチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン(H2NCH2CH2NHCH2CH2CH2Si(OCH3)3、Mw:222.4)、3-(2-アミノエチルアミノ)プロピルメチルジメトキシシラン(H2NCH2CH2NHCH2CH2CH2Si(CH3)(OCH3)2、Mw:206.4)等を挙げることができる。
3)エポキシ系シランカップリング剤:3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(Mw:236.3)、3-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン(Mw:278.4)等を挙げることができる。
〈中間層の形成方法〉
本発明に係る中間層は、本発明に係る分子量が300以下のシラン化合物、例えば、アルコキシシラン、シラザン又はシランカップリング剤Cを、有機溶媒、例えば、エタノール、プロパノール、ブタノール、2,2,2-トリフロオロエタノール等に所望の濃度に溶解して、中間層形成用塗布液を調製した後、湿式塗布法により、下地層上に塗布・乾燥して形成する。
本発明に係る中間層は、本発明に係る分子量が300以下のシラン化合物、例えば、アルコキシシラン、シラザン又はシランカップリング剤Cを、有機溶媒、例えば、エタノール、プロパノール、ブタノール、2,2,2-トリフロオロエタノール等に所望の濃度に溶解して、中間層形成用塗布液を調製した後、湿式塗布法により、下地層上に塗布・乾燥して形成する。
中間層形成用塗布液における無機酸化物形成用材料の濃度としては、特に制限はないが、おおむね0.5~50質量%の範囲であり、好ましくは、1.0~30質量%の範囲内である。
本発明に係る中間層の層厚は、0.5~500nmの範囲内であり、好ましくは1~300nmの範囲内であり、更に好ましくは5~100nmの範囲内である。
(撥液層)
本発明において、撥液層がフッ素(F)を有するシランカップリング剤Bを含有することを特徴とする。
本発明において、撥液層がフッ素(F)を有するシランカップリング剤Bを含有することを特徴とする。
本発明に係る撥液層に適用が可能なフッ素(F)を有するシランカップリング剤Bとしては、特に制限はないが、フッ素系化合物を含有し、当該フッ素系化合物が、(1)少なくともアルコキシシリル基、ホスホン酸基若しくはヒドロキシ基を含有するパーフルオロアルキル基を有する化合物、又はアルコキシシリル基、ホスホン酸基若しくはヒドロキシ基を含有するパーフルオロポリエーテル基を有する化合物、又は、(2)パーフルオロアルキル基を有する化合物を含む混合物、又はパーフルオロポリエーテル基を有する化合物を含む混合物であることが好ましい。
本発明に係る撥液層に適用が可能なフッ素(F)を有するカップリング剤Bの具体的な化合物としては、クロロジメチル[3-(2,3,4,5,6-ペンタフルオロフェニル)プロピル]シラン、ペンタフルオロフェニルジメチルクロロシラン、ペンタフルオロフェニルエトキシジメチルシラン、ペンタフルオロフェニルエトキシジメチルシラン、トリクロロ(1H,1H,2H,2H-トリデカフルオロ-n-オクチル)シラン、トリクロロ(1H,1H,2H,2H-ヘプタデカフルオロデシル)シラン、トリメトキシ(3,3,3-トリフルオロプロピル)シラン、トリエトキシ(1H,1H,2H,2H-ノナフルオロヘキシル)シラン、トリエトキシ-1H,1H,2H,2H-ヘプタデカフルオロデシルシラン、トリメトキシ(1H,1H,2H,2H-ヘプタデカフルオロデシル)シラン、トリメトキシ(1H,1H,2H,2H-ノナフルオロヘキシル)シラン、トリクロロ[3-(ペンタフルオロフェニル)プロピル]シラン、トリメトキシ(11-ペンタフルオロフェノキシウンデシル)シラン、トリエトキシ[5,5,6,6,7,7,7-ヘプタフルオロ-4,4-ビス(トリフルオロメチル)ヘプチル]シラン、トリメトキシ(ペンタフルオロフェニル)シラン、トリエトキシ(1H,1H,2H,2H-ノナフルオロヘキシル)シラン、γ-グリシジルプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
また、フッ素(F)を有するシランカップリング剤としては、市販品としても入手が可能であり、例えば、東レ・ダウコーニングシリコーン(株)、信越化学工業(株)、ダイキン工業(株)(例えば、オプツールDSX)、旭ガラス社(例えば、サイトップ)、又、(株)セコ(例えば、Top CleanSafe(登録商標))、(株)フロロテクノジー(例えば、フロロサーフ)、Gelest Inc.ソルベイ ソレクシス(株)(例えば、Fluorolink S10)等により上市されており、容易に入手することができる他、例えば、J.Fluorine Chem.,79(1).87(1996)、材料技術,16(5),209(1998)、Collect.Czech.Chem.Commun.,44巻,750~755頁、J.Amer.Chem.Soc.1990年,112巻,2341~2348頁、Inorg.Chem.,10巻,889~892頁,1971年、米国特許第3668233号明細書等に記載の化合物を挙げることができる。また、特開昭58-122979号、特開平7-242675号、特開平9-61605号、同11-29585号、特開2000-64348号、同2000-144097号の各公報等に記載の合成方法、又はこれに準じた合成方法により製造することができる。
具体的には、シラン基末端パーフルオロポリエーテル基を有する化合物としては、例えば、上記に示したダイキン工業(株)製の「オプツールDSX」、シラン基末端フルオロアルキル基を有する化合物としては、例えば、フロロサーフ社製の「FG-5010Z130-0.2」等、パーフルオロアルキル基を有するポリマーとしては、例えば、AGCセイミケミカル社製の「エスエフコートシリーズ」、主鎖に含フッ素ヘテロ環状構造を有するポリマーとしては、例えば、上記旭ガラス社製の「サイトップ」等を挙げることができる。また、FEP(4フッ化エチレン-6フッ化プロピレン共重合体)分散液とポリアミドイミド樹脂との混合物も挙げることができる。
撥液層をPVD法により形成する方法としては、フッ素系化合物として、フルオロアルキルシラン混合酸化物であるメルクジャパン社のEvaporation substance WR1及びWR4を用い、例えば、シリコン基板にWR1による撥液層を形成する場合の下地として下地層又は密着層として酸化シリコン層を予め形成しておくことが好ましい。WR1及びWR4により形成される撥液層は、水以外にエタノール等のアルコール、エチレングリコール(ポリエチレングリコールを含む)、シンナー及び塗料等の有機溶媒に対して撥液性を示す。
本発明に係る撥液層の層厚は、おおむね1~500nmの範囲内であり、1~400nmの範囲内であることが好ましく、2~200nmの範囲内であることがより好ましい。
(各構成層の形成方法)
基板上に、上記説明した下地層、中間層、撥液層の形成方法としては、各構成層の形成に用いる材料の特性に従い、湿式法や乾式法等の薄膜形成方法を適宜選択することができる。
基板上に、上記説明した下地層、中間層、撥液層の形成方法としては、各構成層の形成に用いる材料の特性に従い、湿式法や乾式法等の薄膜形成方法を適宜選択することができる。
各構成層を形成する方法として、特に制限はなく、湿式法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット・プリント法等を挙げることができる。
また、乾式法としては、1)物理気相成長法(PVD)、例えば、抵抗加熱式真空蒸着法、電子ビーム加熱式真空蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト真空蒸着法、スパッタ法等、2)化学気相成長法(CVD)、例えば、プラズマCVD、熱CVD、有機金属CVD、光CVD等を挙げることができる。
〔ノズルプレートの加工〕
本発明のノズルプレートの製造方法に従って製造された板状のノズルプレートに対し、インクジェットヘッド等に実装するため、インクを出射するためのノズル孔の形成等の加工が行われる。
本発明のノズルプレートの製造方法に従って製造された板状のノズルプレートに対し、インクジェットヘッド等に実装するため、インクを出射するためのノズル孔の形成等の加工が行われる。
本発明のノズルプレートに対し、ノズル孔等を形成する具体的な方法に関しては、例えば、特開2007-152871号公報、特開2007-313701号公報、特開2009-255341号公報、特開2009-274415号公報、特開2009-286036号公報、特開2010-023446号公報、特開2011-011425号公報、特開2013-202886号公報、特開2018-083316号公報、特開2018-111208号公報等に記載されている方法を参照することができ、ここでの詳細な説明は省略する。
《インクジェットヘッド》
図3は、本発明のノズルプレートが適用可能なインクジェットヘッドの構造の一例を示す概略外観図である。また、図4は、本発明のノズルプレートを具備したインクジェットヘッドの底面図である。
図3は、本発明のノズルプレートが適用可能なインクジェットヘッドの構造の一例を示す概略外観図である。また、図4は、本発明のノズルプレートを具備したインクジェットヘッドの底面図である。
図3で示すように、本発明のノズルプレートを具備したインクジェットヘッド100は、インクジェットプリンター(図示略)に搭載されるものであり、インクをノズルから吐出させるヘッドチップと、このヘッドチップが配設された配線基板と、この配線基板とフレキシブル基板を介して接続された駆動回路基板と、ヘッドチップのチャネルにフィルターを介してインクを導入するマニホールドと、内側にマニホールドが収納された筐体56と、この筐体56の底面開口を塞ぐように取り付けられたキャップ受板と、マニホールドの第1インクポート及び第2インクポートに取り付けられた第1及び第2ジョイント81a及び81bと、マニホールドの第3インクポートに取り付けられた第3ジョイント82と、筐体56に取り付けられたカバー部材59とを備えている。また、筐体56をプリンタ本体側に取り付けるための取り付け用孔68がそれぞれ形成されている。
また、図4で示すキャップ受板57は、キャップ受板取り付け部62の形状に対応して、外形が左右方向に長尺な略矩形板状として形成され、その略中央部に複数のノズルNが配置されているノズルプレート61を露出させるため、左右方向に長尺なノズル用開口部71が設けられている。また、図4で示すインクジェットヘッド内部の具体的な構造に関しては、例えば、特開2012-140017号公報に記載されている図2等を参照することができる。
図3及び図4にはインクジェットヘッドの代表例を示したが、そのほかにも、例えば、特開2012-140017号公報、特開2013-010227号公報、特開2014-058171号公報、特開2014-097644号公報、特開2015-142979号公報、特開2015-142980号公報、特開2016-002675号公報、特開2016-002682号公報、特開2016-107401号公報、特開2017-109476号公報、特開2017-177626号公報等に記載されている構成からなるインクジェットヘッドを適宜選択して適用することができる。
《インクジェットインク》
本発明のインクジェットヘッドを用いたインクジェット記録方法に適用可能なインクジェットインクとしては、特に制限はなく、例えば、水を主溶媒とする水系インクジェットインク、室温では揮発しない不揮発性溶媒を主とし、実質的に水を含まない油性インクジェットインク、室温で揮発する溶媒を主とし、実質的に水を含まない有機溶媒系インクジェットインク、室温では固体のインクを加熱溶融して印字するホットメルトインク、印字後、紫外線等の活性光線により硬化する活性エネルギー線硬化型インクジェットインク等、様々な種類のインクジェットインクがあるが、本発明においては、本発明の効果を発揮することができる観点で、アルカリ性インクを適用することが好ましい態様である。
本発明のインクジェットヘッドを用いたインクジェット記録方法に適用可能なインクジェットインクとしては、特に制限はなく、例えば、水を主溶媒とする水系インクジェットインク、室温では揮発しない不揮発性溶媒を主とし、実質的に水を含まない油性インクジェットインク、室温で揮発する溶媒を主とし、実質的に水を含まない有機溶媒系インクジェットインク、室温では固体のインクを加熱溶融して印字するホットメルトインク、印字後、紫外線等の活性光線により硬化する活性エネルギー線硬化型インクジェットインク等、様々な種類のインクジェットインクがあるが、本発明においては、本発明の効果を発揮することができる観点で、アルカリ性インクを適用することが好ましい態様である。
インクには、例えば、アルカリ性インクや酸性インクがあり、特に、アルカリ性インクは、撥液層やノズル形成面の化学的な劣化を生じさせるおそれがあるが、このようなアルカリ性インクを用いたインクジェット記録方法において、本発明のノズルプレートを具備したインクジェットヘッドを適用することが、特に有効である。
詳しくは、本発明に適用可能なインクとしては、染料や顔料などの色材、水、水溶性有機溶剤、pH調整剤などを含む。水溶性有機溶剤は、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、グリセリン、トリエチレングリコール、エタノール、プロパノールなどを使用することができる。pH調整剤は、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、酢酸ソーダ、炭酸ナトリウム、重炭酸ナトリウム、アルカノールアミン、塩酸、酢酸などを使用することができる。
pH調整剤として、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、酢酸ソーダ、炭酸ナトリウム、重炭酸ナトリウム、アルカノールアミンなどを使用した場合、インクはアルカリ性を呈し、撥液層やノズル形成面の化学的ダメージ(化学的な劣化)を生じさせるおそれがあるアルカリ性インク(液体)となる。アルカリ性インクはpHが8.0以上である。
上述したように、撥液層は、フッ素含有のシランカップリング剤などから形成されている。撥液層は、ケイ素を含む部分構造とフッ素を含む部分構造とが、メチレン基(CH2)のような置換基で結合された構造を有している。炭素(C)と炭素(C)との結合エネルギーは、ケイ素(Si)と酸素(O)との結合エネルギー、及び炭素(C)とフッ素(F)との結合エネルギーと比べて小さいので、炭素(C)と炭素(C)とが結合した部分は、ケイ素(Si)と酸素(O)とが結合した部分、及び炭素(C)とフッ素(F)とが結合した部分に比べて、結合が弱く、機械的ダメージや化学的ダメージの影響を受けやすい。
このような現象を生じやすいアルカリ性インクを用いたインクジェット記録方法においては、本発明で規定する構成のノズルプレートを適用することが、耐久性を高める点で有効である。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。なお、実施例において「部」又は「%」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」又は「質量%」を表す。また、特記しない限り、各操作は、室温(25℃)で行った。
《ノズルプレートの作製》
〔ノズルプレート1の作製〕
下記の方法に従って図1に記載の基板2/下地層3/中間層4/撥液層5から構成されるノズルプレート1を作製した。
〔ノズルプレート1の作製〕
下記の方法に従って図1に記載の基板2/下地層3/中間層4/撥液層5から構成されるノズルプレート1を作製した。
(1)基板の準備
基板として、縦3cm、横8cm、厚さ50μmの表面処理を施していないステンレス基板(SUS304)を用いた。当該ステンレス基板の最大高さRzを、WYKO社製 RSTPLUS非接触三次元微小表面形状測定システムを用いて、JIS B 0601:2001に準じ、25℃・55%RHの条件下で測定した結果、120nmであった。
基板として、縦3cm、横8cm、厚さ50μmの表面処理を施していないステンレス基板(SUS304)を用いた。当該ステンレス基板の最大高さRzを、WYKO社製 RSTPLUS非接触三次元微小表面形状測定システムを用いて、JIS B 0601:2001に準じ、25℃・55%RHの条件下で測定した結果、120nmであった。
(2)第1層(下地層)の形成
(下地層形成用塗布液1の調製)
〈A-1液の調製〉
下記の各構成材料を混合して、A-1液を調製した。
(下地層形成用塗布液1の調製)
〈A-1液の調製〉
下記の各構成材料を混合して、A-1液を調製した。
エタノールと2,2,2-トリフルオロエタノールの混合溶液(体積比で8:2) 30mL
シランカップリング剤a:1,4-ビス(トリメトキシシリルエチル)ベンゼン((CH3O)3Si(CH2)2(C6H4)(CH2)2Si(OCH3)3) 2mL
〈A-2液の調製〉
エタノールと2,2,2-トリフルオロエタノールの混合溶液(体積比で8:2) 19.5mL
純水 30mL
塩酸(36体積%) 0.5mL
(下地層の形成)
上記調製したA-1液を攪拌子で攪拌しながら、A-2液を5mL滴下した。滴下後約1時間攪拌した後、この混合液をスピンコート法により基板上に、乾燥後の下地層の層厚が100nmとなる条件で塗布した。スピンコートの条件は、5000rpmで20秒とした。その後、基板を室温で1時間乾燥した後、200℃で30分焼成した。
シランカップリング剤a:1,4-ビス(トリメトキシシリルエチル)ベンゼン((CH3O)3Si(CH2)2(C6H4)(CH2)2Si(OCH3)3) 2mL
〈A-2液の調製〉
エタノールと2,2,2-トリフルオロエタノールの混合溶液(体積比で8:2) 19.5mL
純水 30mL
塩酸(36体積%) 0.5mL
(下地層の形成)
上記調製したA-1液を攪拌子で攪拌しながら、A-2液を5mL滴下した。滴下後約1時間攪拌した後、この混合液をスピンコート法により基板上に、乾燥後の下地層の層厚が100nmとなる条件で塗布した。スピンコートの条件は、5000rpmで20秒とした。その後、基板を室温で1時間乾燥した後、200℃で30分焼成した。
(3)第2層(中間層)の形成
(中間層形成用塗布液1の調製)
下記の各構成材料を混合して、中間層形成用塗布液1を調製した。
(中間層形成用塗布液1の調製)
下記の各構成材料を混合して、中間層形成用塗布液1を調製した。
エタノールと2,2,2-トリフルオロエタノールの混合溶液(体積比で8:2) 69mL
純水 30mL
シランカップリング剤c:3-アミノプロピルトリエトキシシラン((C2H5O)3SiC3H6NH2)、信越化学工業社製 KBE-903)
1mL
(中間層の形成)
上記調製した中間層形成用塗布液1(KBE-903濃度:1.0体積%)を、スピンコート法により基板の下地層上に、乾燥後の中間層の層厚が20nmとなる条件で塗布した。スピンコートの条件は3000rpmで20秒とした。その後、基板を室温で1時間乾燥した後、90℃・80%RHの条件で1時間加熱処理をした。
純水 30mL
シランカップリング剤c:3-アミノプロピルトリエトキシシラン((C2H5O)3SiC3H6NH2)、信越化学工業社製 KBE-903)
1mL
(中間層の形成)
上記調製した中間層形成用塗布液1(KBE-903濃度:1.0体積%)を、スピンコート法により基板の下地層上に、乾燥後の中間層の層厚が20nmとなる条件で塗布した。スピンコートの条件は3000rpmで20秒とした。その後、基板を室温で1時間乾燥した後、90℃・80%RHの条件で1時間加熱処理をした。
(4)第3層(撥液層)の形成
(撥液層形成用塗布液1の調製)
下記の各構成材料を混合して、撥液層形成用塗布液1を調製した。
(撥液層形成用塗布液1の調製)
下記の各構成材料を混合して、撥液層形成用塗布液1を調製した。
エタノールと2,2,2-トリフルオロエタノールの混合溶液(体積比で8:2) 69.8mL
純水 30mL
フッ素を含有するカップリング剤b:(2-パーフルオロオクチル)エチルトリメトキシシラン(CF3(CF2)7C2H4Si(OCH3)3)
0.2mL
(撥液層の形成)
上記調製したフッ素原子を含有するカップリング剤bを0.2体積%含有する撥液層形成用塗布液1を、スピンコート法により上記形成した中間層上に、乾燥後の撥液層の層厚が10nmとなる条件で塗布した。スピンコートの条件は1000rpmで20秒とした。その後、基板を室温で1時間乾燥した後、90℃・80%RHの条件で1時間加熱処理した。
〔ノズルプレート2の作製〕
上記ノズルプレート1の作製において、スピンコートを用いた形成条件として、3000rpmで20秒として、下地層の層厚を140nmに変更した以外は同様にして、ノズルプレート2を作製した。
純水 30mL
フッ素を含有するカップリング剤b:(2-パーフルオロオクチル)エチルトリメトキシシラン(CF3(CF2)7C2H4Si(OCH3)3)
0.2mL
(撥液層の形成)
上記調製したフッ素原子を含有するカップリング剤bを0.2体積%含有する撥液層形成用塗布液1を、スピンコート法により上記形成した中間層上に、乾燥後の撥液層の層厚が10nmとなる条件で塗布した。スピンコートの条件は1000rpmで20秒とした。その後、基板を室温で1時間乾燥した後、90℃・80%RHの条件で1時間加熱処理した。
上記ノズルプレート1の作製において、スピンコートを用いた形成条件として、3000rpmで20秒として、下地層の層厚を140nmに変更した以外は同様にして、ノズルプレート2を作製した。
〔ノズルプレート3の作製〕
上記ノズルプレート2の作製において、SUS基板の表面に、下記の方法に従って不動態処理を施した以外は同様にして、ノズルプレート3を作製した。
上記ノズルプレート2の作製において、SUS基板の表面に、下記の方法に従って不動態処理を施した以外は同様にして、ノズルプレート3を作製した。
(SUS基板の不動態処理)
ステンレス基板(SUS304)に対し、硝酸溶液に浸漬する酸処理を施して、表面に、厚さ30nmの不動態被膜を形成した。当該ステンレス基板の最大高さRzは、110nmであった。
ステンレス基板(SUS304)に対し、硝酸溶液に浸漬する酸処理を施して、表面に、厚さ30nmの不動態被膜を形成した。当該ステンレス基板の最大高さRzは、110nmであった。
〔ノズルプレート4の作製〕
上記ノズルプレート3の作製において、第1層(下地層)の形成を行わなかった以外は同様にして、ノズルプレート4を作製した。
上記ノズルプレート3の作製において、第1層(下地層)の形成を行わなかった以外は同様にして、ノズルプレート4を作製した。
〔ノズルプレート5の作製〕
上記ノズルプレート3の作製において、第2層(中間層)の形成を行わなかった以外は同様にして、ノズルプレート5を作製した。
上記ノズルプレート3の作製において、第2層(中間層)の形成を行わなかった以外は同様にして、ノズルプレート5を作製した。
〔ノズルプレート6の作製〕
下記の方法に従って基板2及び撥液層5単独で構成されるノズルプレート6を作製した。
下記の方法に従って基板2及び撥液層5単独で構成されるノズルプレート6を作製した。
(1)基板の準備
基板として、縦3cm、横8cm、厚さ50μmの表面処理を施していないステンレス基板(SUS304)を用いた。
基板として、縦3cm、横8cm、厚さ50μmの表面処理を施していないステンレス基板(SUS304)を用いた。
(2)第3層(撥液層)の形成
(撥液層形成用塗布液Aの調製)
下記の各構成材料を混合して、撥液層形成用塗布液Aを調製した。
(撥液層形成用塗布液Aの調製)
下記の各構成材料を混合して、撥液層形成用塗布液Aを調製した。
エタノールと2,2,2-トリフルオロエタノールの混合溶液(体積比で8:2) 30mL
シランカップリング剤a:1,4-ビス(トリメトキシシリルエチル)ベンゼン((CH3O)3Si(CH2)2(C6H4)(CH2)2Si(OCH3)3) 2mL
フッ素を含有するカップリング剤b:(2-パーフルオロオクチル)エチルトリメトキシシラン(CF3(CF2)7C2H4Si(OCH3)3)
0.2mL
(撥液層形成用塗布液Bの調製)
エタノールと2,2,2-トリフルオロエタノールの混合溶液(体積比で8:2) 19.5mL
純水 30mL
塩酸(36体積%) 0.5mL
(撥液層の形成)
撥液層形成用塗布液Aを攪拌子で攪拌しながら、撥液層形成用塗布液Bを5mL滴下した。滴下後約1時間攪拌した後、この溶液をスピンコート法により、乾燥後の層厚が140nmとなる条件で、SUS基板に塗布した。スピンコートの条件は3000rpmで20秒とした。その後、基材を室温で1時間乾燥した後、200℃で30分焼成して、ノズルプレート6を作製した。
シランカップリング剤a:1,4-ビス(トリメトキシシリルエチル)ベンゼン((CH3O)3Si(CH2)2(C6H4)(CH2)2Si(OCH3)3) 2mL
フッ素を含有するカップリング剤b:(2-パーフルオロオクチル)エチルトリメトキシシラン(CF3(CF2)7C2H4Si(OCH3)3)
0.2mL
(撥液層形成用塗布液Bの調製)
エタノールと2,2,2-トリフルオロエタノールの混合溶液(体積比で8:2) 19.5mL
純水 30mL
塩酸(36体積%) 0.5mL
(撥液層の形成)
撥液層形成用塗布液Aを攪拌子で攪拌しながら、撥液層形成用塗布液Bを5mL滴下した。滴下後約1時間攪拌した後、この溶液をスピンコート法により、乾燥後の層厚が140nmとなる条件で、SUS基板に塗布した。スピンコートの条件は3000rpmで20秒とした。その後、基材を室温で1時間乾燥した後、200℃で30分焼成して、ノズルプレート6を作製した。
《ノズルプレートの評価》
上記作製した各ノズルプレートについて、下記の各評価を行った。
上記作製した各ノズルプレートについて、下記の各評価を行った。
〔初期撥液性の評価〕
(評価用水系アルカリ性ダミーインクの準備)
pH9の水系アルカリ性ダミーインクは、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどの緩衝溶液を混合し、pH9に調整した。このダミーインクは、エチレングリコールを50質量%で含む水溶液である。
(評価用水系アルカリ性ダミーインクの準備)
pH9の水系アルカリ性ダミーインクは、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどの緩衝溶液を混合し、pH9に調整した。このダミーインクは、エチレングリコールを50質量%で含む水溶液である。
(後退接触角の測定)
協和界面科学(株)製の接触角計CA-X型を用い、25℃、50%RHの環境下で、試験液として上記ダミーインクを付属マクロシリンジによって、ノズルプレート上に形成した撥液層表面上に、初期液滴量=15μL、吸引速度=5μL/secの条件でダミーインクを吸引し、吸引によりインク液滴体積が縮小するときの接触角を測定して、これを後退接触角θ1とし、下記の基準に従って初期撥液性の評価を行った。
協和界面科学(株)製の接触角計CA-X型を用い、25℃、50%RHの環境下で、試験液として上記ダミーインクを付属マクロシリンジによって、ノズルプレート上に形成した撥液層表面上に、初期液滴量=15μL、吸引速度=5μL/secの条件でダミーインクを吸引し、吸引によりインク液滴体積が縮小するときの接触角を測定して、これを後退接触角θ1とし、下記の基準に従って初期撥液性の評価を行った。
◎:後退接触角θ1が、50°以上である
〇:後退接触角θ1が、40°以上、50°未満である
△:後退接触角θ1が、30°以上、40°未満である
×:後退接触角θ1が、10°以上、30°未満である
××:後退接触角θ1が、10°未満である
〔アルカリ耐性の評価〕
25℃の上記評価用水系アルカリ性ダミーインク(pH9)中に、縦3cm、横5cmの各ノズルプレートを浸漬し、30日間保存したのち、上記と同様の方法で後退接触角を測定し、アルカリ耐性の評価を行った。
〇:後退接触角θ1が、40°以上、50°未満である
△:後退接触角θ1が、30°以上、40°未満である
×:後退接触角θ1が、10°以上、30°未満である
××:後退接触角θ1が、10°未満である
〔アルカリ耐性の評価〕
25℃の上記評価用水系アルカリ性ダミーインク(pH9)中に、縦3cm、横5cmの各ノズルプレートを浸漬し、30日間保存したのち、上記と同様の方法で後退接触角を測定し、アルカリ耐性の評価を行った。
〔擦過耐性(ワイピング耐性)の評価〕
(ブラックインクの調製)
下記の構成からなる評価用のブラックインクを調製した。
(ブラックインクの調製)
下記の構成からなる評価用のブラックインクを調製した。
〈ブラック顔料分散体の調製〉
C.I.ピグメント ブラック6 12g
PB822(味の素ファインテック社製) 5g
メチルイソプロピルスルホン 5g
トリエチレングリコールモノブチルエーテル 68g
エチレングリコールジアセテート 10g
以上を混合し、0.3mmのジルコニヤビーズを体積率で60%充填した横型ビーズミルで分散し、ブラック顔料分散体を得た。平均粒径は125nmであった。
C.I.ピグメント ブラック6 12g
PB822(味の素ファインテック社製) 5g
メチルイソプロピルスルホン 5g
トリエチレングリコールモノブチルエーテル 68g
エチレングリコールジアセテート 10g
以上を混合し、0.3mmのジルコニヤビーズを体積率で60%充填した横型ビーズミルで分散し、ブラック顔料分散体を得た。平均粒径は125nmであった。
〈ブラックインクの調製〉
ブラック顔料分散体 33g
エチレングリコールモノブチルエーテル 57g
トリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート 6.7g
N-メチル-2-ピロリドン 3.3g
(ワイピング試験)
25℃の上記調製したブラックインクを収容した容器内に、固定治金により各ノズルプレートを、撥液層を上面にして固定し、エチレンプロピレン・ジエンゴム製のワイパーブレードを用いて、ノズルプレートの撥液層表面に対し、1000回のワイピング(払拭)動作を行った。
ブラック顔料分散体 33g
エチレングリコールモノブチルエーテル 57g
トリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート 6.7g
N-メチル-2-ピロリドン 3.3g
(ワイピング試験)
25℃の上記調製したブラックインクを収容した容器内に、固定治金により各ノズルプレートを、撥液層を上面にして固定し、エチレンプロピレン・ジエンゴム製のワイパーブレードを用いて、ノズルプレートの撥液層表面に対し、1000回のワイピング(払拭)動作を行った。
次いで、上記と同様の方法で後退接触角を測定し、擦過耐性の評価を行った。
本発明のノズルプレートは、撥液性、アルカリインク耐性、擦過耐性に優れ、様々な分野のインクを用いるインクジェットプリンターに好適に利用できる。
1 ノズルプレート
2 基板
3 下地層
4 中間層
5 撥液層
6 不動態被膜
56 筐体
57 キャップ受板
59 カバー部材
61 ノズルプレート
62 キャップ受板取り付け部
68 取り付け用孔
71 ノズル用開口部
81a 第1ジョイト
81b 第2ジョイント
82 第3ジョイント
100 インクジェットヘッド
N ノズル
2 基板
3 下地層
4 中間層
5 撥液層
6 不動態被膜
56 筐体
57 キャップ受板
59 カバー部材
61 ノズルプレート
62 キャップ受板取り付け部
68 取り付け用孔
71 ノズル用開口部
81a 第1ジョイト
81b 第2ジョイント
82 第3ジョイント
100 インクジェットヘッド
N ノズル
Claims (11)
- 基板上に、少なくとも、下地層、中間層及び撥液層を有するノズルプレートであって、
前記下地層が、両端末に反応性官能基を有し、かつ中間部に炭化水素鎖とベンゼン環を含むシランカップリング剤Aを含有し、
前記中間層が、無機酸化物を含有し、かつ、
前記撥液層が、フッ素(F)を有するカップリング剤Bを含有する
ことを特徴とするノズルプレート。 - 前記下地層が含有する前記シランカップリング剤Aが、下記一般式(1)で表される構造を有する化合物であることを特徴とする請求項1に記載のノズルプレート。
一般式(1)
XsQ3-sSi(CH2)tC6H4(CH2)uSiR3-mXm
〔式中、Q及びRは、それぞれメチル基又はエチル基を表し、t及びuは、それぞれ1~10の自然数を表し、s及びmは、それぞれ1~3の自然数を表す。sが1、mが1の場合、Q及びRはそれぞれ2個存在するが、2個のQ及びRはそれぞれが同一構造であっても、異なる構造であってもよい。C6H4はフェニレン基である。Xはアルコキシ基、塩素、アシロキシ基、又はアミノ基を表す。〕 - 前記中間層が含有する無機酸化物が、炭素(C)、ケイ素(Si)、酸素(O)を主成分として構成される無機酸化物であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のノズルプレート。
- 前記中間層を形成する前記炭素(C)、ケイ素(Si)、酸素(O)を主成分として構成される無機酸化物が、分子量が300以下のシラン化合物又はシランカップリング剤Cであることを特徴とする請求項3に記載のノズルプレート。
- 前記基板が金属であり、当該金属の表面が不動態被膜を有することを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載のノズルプレート。
- 前記基板を構成する金属がステンレス鋼であることを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載のノズルプレート。
- 前記下地層の膜厚をt(μm)とし、前記基板の表面粗さにおける最大高さをRz(μm)としたとき、下記式(1)で規定する条件を満たすことを特徴とする請求項1から請求項6までのいずれか一項に記載のノズルプレート。
式(1) Rz≦t - 請求項1から請求項7までのいずれか一項に記載のノズルプレートを製造するノズルプレートの製造方法であって、
前記ノズルプレートを、基板上に、少なくとも、下地層、中間層及び撥液層を形成し、
前記下地層を、両端末に反応性官能基を有し、かつ中間部に炭化水素鎖とベンゼン環を含むシランカップリング剤Aを用いて形成し、
前記中間層を、無機酸化物で形成し、かつ、
前記撥液層を、フッ素(F)を有するカップリング剤Bを用いて形成する
ことを特徴とするノズルプレートの製造方法。 - 前記基板の表面に、パッシベーション処理を施し、不動態被膜を形成することを特徴とする請求項8に記載のノズルプレートの製造方法。
- 前記不動態被膜の膜厚が、10~100nmの範囲内であることを特徴とする請求項9に記載のノズルプレートの製造方法。
- 請求項1から請求項7までのいずれか一項に記載のノズルプレートを具備することを特徴とするインクジェットヘッド。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2019/029871 WO2021019693A1 (ja) | 2019-07-30 | 2019-07-30 | ノズルプレート、ノズルプレートの製造方法及びインクジェットヘッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2021019693A1 JPWO2021019693A1 (ja) | 2021-02-04 |
JP7231039B2 true JP7231039B2 (ja) | 2023-03-01 |
Family
ID=74229423
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021536521A Active JP7231039B2 (ja) | 2019-07-30 | 2019-07-30 | ノズルプレート、ノズルプレートの製造方法及びインクジェットヘッド |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11865839B2 (ja) |
EP (1) | EP4005801B1 (ja) |
JP (1) | JP7231039B2 (ja) |
CN (1) | CN114206620B (ja) |
WO (1) | WO2021019693A1 (ja) |
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- 2019-07-30 WO PCT/JP2019/029871 patent/WO2021019693A1/ja unknown
- 2019-07-30 US US17/631,715 patent/US11865839B2/en active Active
- 2019-07-30 EP EP19939552.6A patent/EP4005801B1/en active Active
- 2019-07-30 CN CN201980098753.1A patent/CN114206620B/zh active Active
- 2019-07-30 JP JP2021536521A patent/JP7231039B2/ja active Active
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JPWO2021019693A1 (ja) | 2021-02-04 |
EP4005801A4 (en) | 2022-08-03 |
EP4005801A1 (en) | 2022-06-01 |
US11865839B2 (en) | 2024-01-09 |
WO2021019693A1 (ja) | 2021-02-04 |
CN114206620A (zh) | 2022-03-18 |
US20220266595A1 (en) | 2022-08-25 |
EP4005801B1 (en) | 2023-08-23 |
CN114206620B (zh) | 2023-11-10 |
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Date | Code | Title | Description |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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